JP5093210B2 - コイル部品及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、コイル部品に関し、特に、コイル導体を内蔵する薄膜コモンモードフィルタの構造に関するものである。また、本発明は、そのようなコイル部品の製造方法に関するものである。
近年、高速な信号伝送インターフェースとしてUSB2.0規格やIEEE1394規格が広く普及し、パーソナルコンピュータやデジタルカメラなど数多くのデジタル機器に用いられている。これらのインターフェースでは一対の信号線を用いて差動信号(ディファレンシャル信号)を伝送する差動伝送方式が採用されており、従来のシングルエンド伝送方式よりも高速な信号伝送が実現されている。
高速差動伝送路上のノイズを除去するためのフィルタにはコモンモードフィルタが広く使用されている。コモンモードフィルタは、一対の信号線を伝わる信号の差動成分に対するインピーダンスが低く、同相成分(コモンモードノイズ)に対するインピーダンスが高いという特性を有している。そのため、一対の信号線上にコモンモードフィルタを挿入することにより、ディファレンシャルモード信号を実質的に減衰させることなくコモンモードノイズを遮断することができる。
図11は、従来の表面実装型コモンモードフィルタの構造を示す略分解斜視図である。
図11に示すように、従来のコモンモードフィルタ1は、互いに磁気結合された一対のコイル導体5,6を含む薄膜コイル層2と、薄膜コイル層2の上下に設けられたフェライトからなる磁性基板3,4とを備えている。コイル導体5,6の端部は外部端子電極7a〜7dにそれぞれ接続されており、外部端子電極7a〜7dは磁性基板3,4の側面及び上下面に形成されている。通常、外部端子電極7a〜7dは磁性基板の表面へのスパッタリングやめっきにより形成される。
特許文献1には、コモンモードフィルタの端子電極構造が開示されている。このコモンモードフィルタの端子電極は、部品の表面にAgを含む導電性ペーストを塗布し、或いはスパッタリングや蒸着等でAg膜を形成した後、このAg膜上に湿式電解めっき処理を行って、Niの金属膜をさらに形成している。
また、特許文献2には、シリコン基板上に絶縁層、コイル導体を含むコイル層、コイル導体に電気的に接続された外部電極を薄膜形成技術で順次形成し、全体として直方体状の外形を有するコモンモードチョークコイルが開示されている。このコモンモードチョークコイルにおいて、外部電極は絶縁層の上面(実装面)に広がって形成されている。また、内部電極端子は、複数の導電層が積層された多層構造の電極として構成されている。
国際公開WO2006/073029号パンフレット 特開2007−53254号公報
図11に示した従来のコモンモードフィルタ1は、薄膜コイル層2を2つの磁性基板3,4で挟み込んだ構造であるため、コモンモードフィルタの磁気特性が高く、高周波特性に優れるだけでなく、機械的強度も高いという特長を有している。しかしながら、従来のコモンモードフィルタの構造は、上下にフェライトからなる磁性基板を使用しており、フェライト基板はあまり薄くすると割れやすいことから薄型化が困難であり、さらに2つの磁性基板を重ねることで肉厚となり、低背化されたチップ部品として提供することが難しかった。また、高価な磁性材料を多量に使用するため製造コストが高く、使用用途によってはフィルタ性能が過剰スペックであるという問題もある。
また、従来のコモンモードフィルタは、個々のチップ部品の表面に微小な端子電極をスパッタリング等で形成するものであるため、端子電極を高精度に形成することが非常に難しいという問題がある。さらに、特許文献2に記載のコモンモードチョークコイルでは、何層にも重ねた導体層によって内部電極端子を形成しているため、不良電極が形成される確率が高く、また電極形成のための工数の増加により製造コストが増加するという問題がある。
したがって、本発明の目的は、所望のフィルタ性能を確保しつつ小型化且つ低背化され、低コストで製造可能なコイル部品を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明によるコイル部品は、磁性セラミック材料からなる磁性基板と、前記磁性基板の一方の主面に形成されたコイル導体を含む薄膜コイル層と、前記薄膜コイル層の主面に形成されたバンプ電極と、前記バンプ電極の形成位置を除いた前記薄膜コイル層の前記主面に形成された絶縁樹脂層とを備え、前記バンプ電極は前記コイル導体と異なる層に形成されており、前記絶縁樹脂層は前記バンプ電極の全周囲に形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、一方の磁性基板が省略された薄型なコイル部品を低コストで提供することができる。また、外部端子電極としてバンプ電極を用いているので従来よりも高精度に電極を形成できる。また、バンプ電極がコイル導体とは異なる層に形成されているので、バンプ電極の一部がコイル導体と平面視にて重なるように配置することができ、コイル部品の小型化を図ることができる。さらに、バンプ電極の全周囲に絶縁樹脂層が設けられているので、バンプ電極を十分に補強することができ、バンプ電極の剥離等を防止することができる。
本発明によるコイル部品は、前記バンプ電極と前記コイル導体の端部とを接続するコンタクトホール導体をさらに備え、前記コンタクトホール導体は、前記バンプ電極と平面視にて重なる位置に設けられていることが好ましい。このように構成すれば、引き出し導体を介在させることなく、バンプ電極とコイル導体とを直接接続することができ、コイル導体の長さの違いによるインダクタンスのズレを少なくすることができる。
本発明によるコイル部品は、前記コイル導体の端部に接続された引き出し導体をさらに備え、前記引き出し導体の端部は当該コイル部品の側面から露出する外部端子電極に接続されていることが好ましい。この構成によれば、外部端子電極を介してバンプ電極とインダクタンス導体を接続することができ、一方の側面に露出する外部端子電極の有無を確認することで、コイル部品の向きを判別することができる。
本発明によるコイル部品は、前記絶縁樹脂層の露出面に形成されたダミー電極をさらに備えることが好ましい。この場合において、前記ダミー電極が前記バンプ電極と電気的に接続されていても良い。このようなダミー電極を設けることで半田接合面を広く確保することができ、実装面への固着強度を高めることができる。
本発明においては、前記バンプ電極の側面がエッジのない曲面形状を有することが好ましい。絶縁樹脂層は、バンプ電極を形成した後に軟化した樹脂を流し込むことにより形成されるが、バンプ電極の側面にエッジの効いたコーナー部があるとバンプ電極の周囲に流動性のある絶縁樹脂がうまく入り込めず、気泡を抱き易い。しかし、バンプ電極の側面が湾曲面である場合には、粘性のある樹脂が隅々まで行き渡るので、気泡を含まない高品質な樹脂層を形成することができる。しかも、絶縁樹脂層とバンプ電極との密着性が高まるので、バンプ電極に対する補強力を高めることができる。
本発明において、前記絶縁樹脂層は磁性粉含有樹脂材料からなり、前記コイル導体は、互いに磁気結合する第1及び第2のスパイラルパターンを含み、前記第1及び第2のスパイラルパターンはコモンモードフィルタを構成していることが好ましい。これによれば、絶縁樹脂層が磁性材料を含むことから、磁性基板と絶縁樹脂層との間に挟まれたコモンモードフィルタの磁気結合を高めることができる。
本発明によれば、所望のフィルタ性能を確保しつつ小型化且つ低背化され、低コストで製造可能なコイル部品を提供することができる。
本発明の第1の実施の形態によるコイル部品100の概観構造を示す略斜視図であり、実装面が上向きの状態を示している。 コイル部品100の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。 薄膜コイル層12内の導体パターンとバンプ電極13a〜13dとの位置関係を示す略平面図である。 コイル部品100の製造方法を示すフローチャートである。 多数のコイル部品100が形成された磁性ウェハーの構成を示す略平面図である。 本発明の第2の実施形態によるコイル部品200の構造を示す略外観斜視図である。 本発明の第3の実施形態によるコイル部品300の構造を示す略外観斜視図である。 本発明の第4の実施形態によるコイル部品400の構造を示す略平面図である。 本発明の第5の実施形態によるコイル部品500の構造を示す略平面図である。 本発明の第6の実施形態によるコイル部品600の構造を示す略平面図である。 従来の表面実装型コモンモードフィルタの構造を示す略分解斜視図である。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態によるコイル部品100の概観構造を示す略斜視図であり、実装面が上向きの状態を示している。
図1に示すように、本実施形態によるコイル部品100はコモンモードフィルタであって、磁性基板11と、磁性基板11の一方の主面(上面)に設けられたコモンモードフィルタ素子を含む薄膜コイル層12と、薄膜コイル層12の主面(上面)に設けられた第1〜第4のバンプ電極13a〜13dと、バンプ電極13a〜13dの形成位置を除いた薄膜コイル層12の主面に設けられた磁性樹脂層14とを備えている。図示のように、コイル部品100は略直方体状の表面実装型チップ部品であり、第1〜第4のバンプ電極13a〜13dは磁性樹脂層14の上面から露出している。なお、実装時には上下反転し、バンプ電極13a〜13d側を下向きにして使用することは言うまでもない。本明細書においては説明の便宜上、図1に示す実装面が上向きの状態を基準にして上下方向を定義し、磁性樹脂層14の露出面をコイル部品100の上面とする。
磁性基板11は、コイル部品100の機械的強度を確保すると共に、コモンモードフィルタの閉磁路としての役割を果たすものである。磁性基板11の材料としては例えば焼結フェライト等の磁性セラミック材料を用いることができる。特に限定されるものではないが、チップサイズが1.0×1.25×0.56(mm)であるとき、磁性基板11の厚さは0.55〜0.6mm程度とすることができる。磁性基板11は単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。
薄膜コイル層12は、磁性基板11と磁性樹脂層14との間に設けられたコモンモードフィルタ素子を含む層である。詳細は後述するが、薄膜コイル層12は絶縁層と導体パターンとを交互に積層して形成された多層構造を有している。このように、本実施形態によるコイル部品100はいわゆる薄膜タイプであって、磁性コアに導線を巻回した構造を有する巻線タイプとは区別されるものである。
磁性樹脂層14は、コイル部品100の実装面(底面)を構成する層であり、磁性基板11と共に薄膜コイル層12を保護すると共に、コイル部品100の閉磁路としての役割を果たすものである。ただし、磁性樹脂層14の機械的強度は磁性基板11よりも小さいため、強度面では補助的な役割を果たす程度である。磁性樹脂層14としては、フェライト粉を含有するエポキシ樹脂(複合フェライト)を用いることができる。特に限定されるものではないが、チップサイズが1.0×1.25×0.6(mm)であるとき、磁性樹脂層14の厚さは0.08〜0.1mm程度とすることができる。
図2は、コイル部品100の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。
図2に示すように、薄膜コイル層12は、磁性基板11側から磁性樹脂層14側に向かって順に積層された第1〜第4の絶縁層15a〜15dと、第2の絶縁層15b上に形成された第1のスパイラル導体16及び外部端子電極21a,21bと、第1の絶縁層15a上に形成された第2のスパイラル導体17及び外部端子電極21a,21bと、第3の絶縁層15c上に形成された第1〜第4の引き出し導体20a〜20d、外部端子電極21a,21b及び内部端子電極24a〜24dとを備えている。
第1〜第4の絶縁層15a〜15dは、異なる層に設けられた導体パターン間を絶縁すると共に、導体パターンが形成される平面の平坦性を確保する役割を果たす。特に、第1の絶縁層15aは、磁性基板11の表面の凹凸を吸収し、導体パターンの加工精度を高める役割を果たす。絶縁層15a〜15dの材料としては、電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、加工の容易な樹脂を用いることが好ましく、特に限定されるものではないが、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いることができる。
第1のスパイラル導体16の内周端は、絶縁層15cを貫通する第1のコンタクトホール導体18及び引き出し導体20cを介して、内部端子電極24aに接続されている。また、第1のスパイラル導体16の外周端は、引き出し導体22を介して外部端子電極21aに接続されている。
第2のスパイラル導体17の内周端は、絶縁層15c及び15bを貫通する第2のコンタクトホール導体19及び引き出し導体20dを介して、内部端子電極24bに接続されている。また、第2のスパイラル導体17の外周端は、引き出し導体23を介して外部端子電極21bに接続されている。
第1及び第2のスパイラル導体16,17の外形は共に円形スパイラルである。円形スパイラル導体は高周波での減衰が少ないため、高周波用インダクタンスとして好ましく用いることができる。第1及び第2のスパイラル導体16,17は共に同一の平面形状を有しており、しかも平面視で同じ位置に設けられている。第1及び第2のスパイラル導体16,17は完全に重なり合っていることから、両者の間には強い磁気結合が生じている。以上の構成により、薄膜コイル層12内の導体パターンはコモンモードフィルタを構成している。
第1〜第4の絶縁層15a〜15dの中央領域であって第1及び第2のスパイラル導体16,17の内側には、第1〜第4の絶縁層15a〜15dを貫通する開口25が設けられており、開口25の内部には、磁路を形成するための磁性コア26が形成されている。磁性コア26の材料としては、磁性樹脂層14と同一の材料である磁性粉含有樹脂(複合フェライト)を用いることが好ましい。
絶縁層15d上には第1〜第4のバンプ電極13a〜13dがそれぞれ設けられている。第1のバンプ電極13aは絶縁層15dを貫通するコンタクトホール導体27aを介して内部端子電極24aに接続され、第2のバンプ電極13bは絶縁層15dを貫通するコンタクトホール導体27bを介して内部端子電極24bに接続され、第3のバンプ電極13cは絶縁層15dを貫通するコンタクトホール導体27cを介して内部端子電極24cに接続され、第4のバンプ電極13dは絶縁層15dを貫通するコンタクトホール導体27dを介して内部端子電極24dに接続されている。なお、本明細書において「バンプ電極」とは、フリップチップボンダーを用いてCu,Au等の金属ボールを熱圧着することにより形成されるものとは異なり、めっき処理により形成された厚膜めっき電極を意味する。バンプ電極の厚さは、磁性樹脂層14の厚さと同等かそれ以上であり、0.08〜0.1mm程度とすることができる。すなわち、バンプ電極13a〜13dの厚さは薄膜コイル層12内の導体パターンよりも厚く、特に、薄膜コイル層12内の導体パターンの5倍以上の厚さを有している。
第1〜第4のバンプ電極13a〜13dが形成された第4の絶縁層15d上には磁性樹脂層14が形成されている。磁性樹脂層14はバンプ電極13a〜13dの周囲を埋めるように設けられている。特に、磁性樹脂層14は下地面に対して垂直に設けられた各バンプ電極13a〜13dの側面の全周囲を覆っている。
図3は、薄膜コイル層12内の導体パターンとバンプ電極13a〜13dとの位置関係を示す略平面図である。
図3に示すように、第1及び第2のスパイラル導体16,17は、平面視にて重なり合っているので、両者の間には強い磁気結合が生じている。また、本実施形態においては、第1〜第4のバンプ電極13a〜13dの一部がスパイラル導体16,17と重なっている。プリント基板への半田実装を確実にするためには、バンプ電極13a〜13dの実装面側の面積をある程度確保しなければならないが、バンプ電極13a〜13dがスパイラル導体16,17と重なるように配置した場合には、チップ面積を大きくすることなく電極面積を確保することができる。もちろん、バンプ電極13a〜13dがスパイラル導体16,17と重ならないように構成することも可能であるが、その場合にはチップ部品が大型化することになる。
図示のように、磁性樹脂層14と接するバンプ電極13a〜13dの側面は、エッジのない曲面形状であることが好ましく、バンプ電極13a〜13dは平面視にて円形であることがより好ましい。詳細は後述するが、磁性樹脂層14は、バンプ電極13を形成した後、複合フェライトのペーストを流し込むことにより形成されるが、このときバンプ電極13a〜13dの側面13eにエッジの効いたコーナー部があるとバンプ電極の周囲にペーストが完全に充填されず、気泡を含む状態となりやすい。しかし、バンプ電極13a〜13dの側面が湾曲面である場合には、流動性のある樹脂が隅々まで行き渡るので、気泡を含まない緻密な絶縁樹脂層を形成することができる。しかも、磁性樹脂層14とバンプ電極13a〜13dとの密着性が高まるので、バンプ電極13a〜13dに対する補強性を高めることができる。
本実施形態においては、外部端子電極21a,21bがチップ部品の側面10bから露出しており、コイル部品100の一方の側面10aの形状と反対側の側面10bの形状は異なっている。バンプ電極13a〜13dのレイアウトがX軸及びY軸の両方に対して対称性を有するため、コイル部品100の向きをバンプ電極から判断することは困難であるが、本実施形態のように側面の端子電極の形状が異なっていれば、側面の形状からチップ部品の方向性を確認することができる。
以上説明したように、本実施形態によるコイル部品100は、薄膜コイル層12の片側にのみ磁性基板11が設けられ、反対側の絶縁基板が省略され、その代わりに磁性樹脂層14が設けられているので、薄型なチップ部品を低コストで提供することができる。また、磁性樹脂層14と同等な肉厚を有するバンプ電極13a〜13dを設けたことにより、チップ部品の側面や上下面に外部電極面を形成する工程を省略することができ、外部電極を容易且つ高精度に形成することができる。また、本実施形態によれば、バンプ電極13a〜13dの一部がコイル導体パターンと平面視にて重なるように設けられていることから、チップ部品の小型化を図ることができる。さらに、本実施形態によれば、バンプ電極13a〜13dの側面の全周囲に磁性樹脂層14が設けられており、バンプ電極13a〜13dが周囲の磁性樹脂層14によって支持されているので、バンプ電極13a〜13dを十分に補強することができ、バンプ電極の剥離や変形を防止することができる。
次に、コイル部品100の製造方法について詳細に説明する。
図4は、コイル部品100の製造方法を示すフローチャートである。また、図5は、多数のコイル部品100が形成された磁性ウェハーの構成を示す略平面図である。
図4及び図5に示すように、コイル部品100の製造では、一枚の大きな磁性基板(磁性ウェハー)上に多数のコモンモードフィルタ素子(コイル導体パターン)を形成した後、各素子を個別に切断することにより多数のチップ部品を製造する量産プロセスが実施される。そのため、まず磁性ウェハーを用意し、(ステップS11)、磁性ウェハーの表面に多数のコモンモードフィルタ素子がレイアウトされた薄膜コイル層12を形成する(ステップS12)。
薄膜コイル層12はいわゆる薄膜工法によって形成される。ここで、薄膜工法とは、感光性樹脂を塗布し、これを露光及び現像して絶縁層を形成した後、絶縁層の表面に導体パターンを形成する工程を繰り返すことにより、絶縁層及び導体層が交互に形成された多層膜を形成する方法である。以下、薄膜コイル層12の形成工程について詳細に説明する。
薄膜コイル層12の形成では、まず絶縁層15aを形成した後、絶縁層15a上に第2のスパイラル導体17及び外部端子電極21a,21bを形成する。次に、絶縁層15a上に絶縁層15bを形成した後、絶縁層15b上に第1のスパイラル導体16及び外部端子電極21a,21bを形成し、さらに絶縁層15bを貫通するコンタクトホール導体19を形成する。次に、絶縁層15b上に絶縁層15cを形成した後、絶縁層15c上に引き出し導体20a〜20d、外部端子電極21a,21b及び内部端子電極24a〜24bを形成し、さらに絶縁層15cを貫通するコンタクトホール導体18,19をそれぞれ形成する。次に、絶縁層15c上に絶縁層15dを形成した後、絶縁層15dを貫通するコンタクトホール導体27a〜27dをそれぞれ形成する。
ここで、各絶縁層15a〜15dは、下地面に感光性樹脂をスピンコートし、これを露光及び現像することにより形成することができる。特に、絶縁層15a〜15dは開口25を有する絶縁層として形成され、絶縁層15b,15cはコンタクトホール導体18,19を有する絶縁層として形成される。絶縁層15dに形成されるコンタクトホール導体27a〜27dは当初から導電性を有することが好ましいが、導電性を有しない単なる貫通孔として形成されてもよい。また、導体パターンの材料としてはCu等を用いることができ、蒸着法又はスパッタリングにより導体層を形成した後、これをパターニングすることにより形成することができる。
次に、絶縁層15d上にバンプ電極13(13a〜13d)を形成する(ステップS13)。バンプ電極13の形成方法は、まず絶縁層15dの全面に下地金属膜をスパッタリングにより形成する。下地金属膜としては、Cuの単層膜、或いはCr及びCuをこの順で成膜した多層膜を用いることができる。このとき、上述した導電性を有しない単なる貫通孔の内部を金属膜で埋めることができ、これにより導電性を有するコンタクトホール導体27a〜27dを形成することができる。次に、シートレジストを貼り付け、露光及び現像することにより、バンプ電極を形成すべき位置にあるシートレジストを選択的に除去し、絶縁層15d上の端子電極21a〜24dを含む電極形成領域を露出させる。この露出領域に、肉厚なバンプ電極13a〜13dを電気めっきにより形成する。その後、シートレジストを除去し、全面をエッチングすることにより不要な下地金属膜を除去し、バンプ電極13を端子電極21a〜24dの上方にのみ残すことにより、下地面に対して垂直な略柱状のバンプ電極13が完成する。このとき、図5に示すように、略柱状のバンプ電極13は、当初から各チップ部品のための個別のバンプ電極として提供される。
次に、バンプ電極13が形成された磁性ウェハー上に複合フェライトのペーストを充填し、硬化させて、磁性樹脂層14を形成する(ステップS14)。このとき、磁性樹脂層14を確実に形成するため多量のペーストが充填され、これによりバンプ電極13は樹脂内に埋没した状態となる。そのため、バンプ電極13の上面が露出するまで磁性樹脂層14を研磨して所定の厚さにすると共に表面を平滑化する(ステップS15)。さらに、磁性ウェハーについても所定の厚さとなるように研磨する(ステップS16)。その後、磁性ウェハーのダイシングによって各コモンモードフィルタ素子を個片化(チップ化)し、図1に示すチップ部品を作製する(ステップS17)。
このとき、図5に示すように、チップ部品の長手方向(Y方向)に延びる切断ラインC1,チップ部品の短手方向(X方向)に延びる切断ラインC2は共にバンプ電極13の外側を通過するので、バンプ電極13が切断されることはない。各バンプ電極13の側面の全周囲は磁性樹脂層14に覆われた状態となるので、バンプ電極の強度を高めることができる。また、バンプ電極13の側面がコイル部品200の側面に露出しないので、実装時の半田フィレットが形成されない外部端子電極を提供することができる。そのため省スペースでの実装が可能であり、高密度実装を実現できる。また、磁性ウェハーのダイシングの際にバンプ電極13が切断対象とならず、磁性ウェハー及び樹脂層のみが切断対象となるので、ダイシングも容易となる。
次に、チップ部品のバレル研磨を行ってエッジを除去した後(ステップS18)、電気めっきを行い(ステップ19)、第1〜第4のバンプ電極13a〜13d及び外部端子電極21a,21bの露出面を平滑な電極面として形成する。このように、チップ部品の外表面をバレル研磨することによりチップ欠け等の破損が生じにくいコイル部品を製造することができる。
以上説明したように、本実施形態によるコイル部品100の製造方法は、従来において使用していた上下の磁性基板の一方を省略し、その代わりに絶縁樹脂層を形成することから、コイル部品を簡易且つ低コストで製造することができる。また、バンプ電極の周囲に樹脂を充填しているので、バンプ電極を補強することができ、バンプ電極の剥離等を防止することができる。また、本実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法は、バンプ電極をめっきにより形成しているので、例えばスパッタリングで形成する場合よりも加工精度の高く安定した外部端子電極を提供することができる。さらに、切断ラインがバンプ電極13上を通過しないので、バンプ電極の全周囲が樹脂で覆われた構造とすることが出来、バンプ電極13の信頼性を高めることが出来る。
図6は、本発明の第2の実施形態によるコイル部品200の構造を示す略外観斜視図である。
図6に示すように、このコイル部品200の特徴は、バンプ電極13a〜13dが露出するコイル部品200の上面にダミー電極31が設けられている点にある。ダミー電極31は、コイル部品200の上面の中央部に設けられた矩形状の導体パターンであり、端子電極として機能するものではなく、はんだ接続に使用されるものであり、実装面に対するチップ部品の固着強度を高めるために設けられている。
ダミー電極31は磁性樹脂層14の上面に薄いめっき電極として形成されている。この場合、ダミー電極31をバンプ電極13a〜13dと同じ工程で形成することはできないが、磁性コア26を磁性樹脂層14と一緒に形成することができる。ダミー電極31は、バンプ電極13a〜13dと同様に、肉厚なバンプ形成としてもよい。この場合、磁路を形成するための磁性コア26(図2参照)を磁性樹脂層14と一緒に形成することはできないが、バンプ電極13a〜13dと同じ工程で形成できるというメリットがある。
図示のように、コイル部品200の電極レイアウトは対称性を有するが、第1の実施形態のように外部端子電極21a,21bが側面10bから露出している場合には、側面の形状からコイル部品200の方向性を容易に確認することができる。
図7は、本発明の第3の実施形態によるコイル部品300の構造を示す略外観斜視図である。
図7に示すように、このコイル部品300は、上記矩形状のダミー電極31ではなく、図1等に示したバンプ電極31a〜31dと同様の円形のダミー電極32a,32bを用いている。図示のように、実装面には6個の電極が設けられており、そのうち長手方向の一端寄りに第1及び第2のバンプ電極13a,13bが配置され、他端寄りに第3及び第4のバンプ電極13a,13bが配置され、チップの長手方向の中央部に円形のダミー電極32a,32bが形成されている。ダミー電極32a,32bは端子電極として機能するものではなく、はんだ接続に使用されるものであり、実装面に対するチップ部品の固着強度を高めるために設けられている。
本実施形態によるコイル部品300の電極レイアウトもX軸及びY軸の両方に対して対称性を有するが、第1の実施形態と同様、外部端子電極21a,21bが側面10bから露出しているので、側面の形状からコイル部品200の方向性を容易に確認することができる。
図8は、本発明の第4の実施形態によるコイル部品400の構造を示す略平面図である。
図8に示すように、このコイル部品400の特徴は、バンプ電極13a,13bがコンタクトホール導体18,19の上端にそれぞれ直接接続されている点にある。バンプ電極13aは、コンタクトホール導体18を介してスパイラル導体16の内周端に接続されており、バンプ電極13bは、コンタクトホール導体19を介してスパイラル導体17の内周端に接続されている。このような構成を実現するため、スパイラル導体16の内周端はチップの長手方向の中央部で終端しており、スパイラル導体17の内周端はスパイラル導体16の内周端よりも半周進んだ位置で終端している。その結果、スパイラル導体16,17の内周端に接続されるコンタクトホール導体18,19は互いにX方向に引き離され、バンプ電極13a,13bの直下に配置される。コンタクトホール導体18,19の位置はバンプ電極13a,13bの中心と一致していなくても構わない。
以上のように、バンプ電極13a,13bは、引き出し導体20c,20dを介することなくスパイラル導体16,17に直接接続されている。したがって、引き出し導体20c,20d及び内部端子電極24a,24bを形成するために必要な絶縁層15cを省略することができ、部品の低背化と工数の低減による低コスト化を図ることができる。
図9は、本発明の第5の実施形態によるコイル部品500の構造を示す略平面図である。
図9に示すように、このコイル部品500は、図8のコイル部品400に円形ダミー電極33a,33bを追加したものである。図示のように、実装面には6個の電極が設けられており、そのうちチップの長手方向の中央部に第1及び第2のバンプ電極13a,13bが形成され、長手方向の一端寄りに第3及び第4のバンプ電極13c,13dが配置され、他端寄りに円形のダミー電極33a,33bが配置されている。ダミー電極33a,33bは端子電極として機能するものではなく、はんだ接続に使用されるものであり、実装面に対するチップ部品の固着強度を高めるために設けられている。
本実施形態によるコイル部品300の電極レイアウトもX軸及びY軸の両方に対して対称性を有するが、第1の実施形態と同様、外部端子電極21a,21bが側面10bから露出しているので、側面の形状からコイル部品200の方向性を容易に確認することができる。
図10は、本発明の第6の実施形態によるコイル部品600の構造を示す略平面図である。
図10に示すように、このコイル部品600は、図8のコイル部品400に長円形ダミー電極41a,41bを追加したものである。図示のように、実装面には4個のバンプ電極13a〜13dが設けられており、そのうちチップの長手方向の中央部に第1及び第2のバンプ電極13a,13bが形成され、長手方向の一端寄りに第3及び第4のバンプ電極13c,13dが配置されている。さらに、第1及び第2のバンプ電極13a,13bと重ねて長円形のダミー電極33a,33bが配置されている。ダミー電極33a,33bは、第1及び第2のバンプ電極13a,13bの形成位置から他端側(第3、第4のバンプ電極13c,13dとは反対側)に延びている。ダミー電極33a,33bは第1及び第2のバンプ電極13a,13bに接続されていることから、半田接合面を広く確保するためだけでなく、端子電極として機能させることができる。なお、図10に示した細長いダミー電極41a,41bは磁性樹脂層14の表面に薄いめっき電極として形成されることが好ましいが、第1及び第2のバンプ電極13a,13bと一体化された肉厚なバンプ電極として形成することも可能である。
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、それらも本発明に包含されるものであることは言うまでもない。
例えば、上記実施形態においては、薄膜コイル層12の主面に複合フェライトからなる磁性樹脂層14を形成しているが、磁性を有しない単なる絶縁樹脂層を形成してもよい。また、コイル部品として薄膜コモンモードフィルタを例に挙げたが、本発明はコイル導体層の上下を磁性基板で挟み込むタイプの各種コイル部品に適用可能である。
また、本発明は上記第1〜第5の実施形態を適宜組み合わせて構成することも可能である。例えば、第1の実施形態によるアンテナ装置100において、図10に示した長円形状のダミー電極41a,41bを形成することができる。
また、上記実施形態においては、2つのバンプ電極13a,13bをコンタクトホール導体18,19に直接接続しているが、4つのバンプ電極13a〜13dすべてにコンタクトホール導体を接続しても良い。この場合、外部端子電極21a,21bは不要となるが、チップの方向性か確認のため、外部端子電極21a,21bをあえて残しても構わない。
1 コモンモードフィルタ
2 薄膜コイル層
3,4 磁性基板
5,6 コイル導体
10a,10b コイル部品の側面
11 磁性基板
12 薄膜コイル層
13,13a〜13d バンプ電極
14 磁性樹脂層
15,15a〜15d 絶縁層
16 第1のスパイラル導体
17 第2のスパイラル導体
18 第1のコンタクトホール導体
19 第2のコンタクトホール導体
20a〜20d 引き出し導体
21a,21b 外部端子電極
22,23 引き出し導体
24a〜24d 内部端子電極
25 開口
26 磁性コア
27a〜27d コンタクトホール導体
31 ダミー電極
32a,32b ダミー電極
33a,33b ダミー電極
41a,41b ダミー電極
100〜600 コイル部品

Claims (16)

  1. 磁性セラミック材料からなる磁性基板と、
    前記磁性基板の一方の主面に形成されたコイル導体を含む薄膜コイル層と、
    前記薄膜コイル層の主面に形成されたバンプ電極と、
    前記バンプ電極の形成位置を除いた前記薄膜コイル層の前記主面に形成された絶縁樹脂層とを備え、
    前記バンプ電極は前記コイル導体と異なる層においてめっきにより形成された厚膜電極であり、
    前記バンプ電極の厚さは、前記薄膜コイル層内の導体パターンよりも厚く、
    前記絶縁樹脂層は前記バンプ電極の全周囲に形成されていることを特徴とするコイル部品。
  2. 前記バンプ電極と前記コイル導体の端部とを接続するコンタクトホール導体をさらに備え、
    前記コンタクトホール導体は、前記バンプ電極と平面視にて重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のコイル部品。
  3. 前記コイル導体の端部に接続された引き出し導体をさらに備え、前記引き出し導体の端部は当該コイル部品の側面から露出する外部端子電極に接続されていることを特徴とする請求項2に記載のコイル部品。
  4. 前記絶縁樹脂層の露出面に形成されたダミー電極をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のコイル部品。
  5. 前記ダミー電極が前記バンプ電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項4に記載のコイル部品。
  6. 前記バンプ電極の側面がエッジのない曲面形状を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のコイル部品。
  7. 前記絶縁樹脂層は磁性粉含有樹脂材料からなり、
    前記コイル導体は、互いに磁気結合する第1及び第2のスパイラル導体を含み、前記第1及び第2のスパイラル導体はコモンモードフィルタを構成していることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のコイル部品。
  8. 前記第1及び第2のスパイラル導体の内側に設けられた磁性コアをさらに備え、
    前記磁性コアは、前記絶縁樹脂層と同一の材料で同時に形成されたものであることを特徴とする請求項7に記載のコイル部品。
  9. 前記バンプ電極は、前記薄膜コイル層内の前記導体パターンの5倍以上の厚さを有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載のコイル部品。
  10. 前記バンプ電極の厚さは、0.08mm以上0.1mm以下であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載のコイル部品。
  11. 前記バンプ電極は、前記絶縁樹脂層と同等かそれ以上の厚さを有することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載のコイル部品。
  12. 磁性セラミック材料からなる磁性基板の一方の主面にコイル導体を含む薄膜コイル層を形成する工程と、
    前記薄膜コイル層の主面に露出する前記コイル導体の端子電極上に、前記薄膜コイル層内の導体パターンよりも厚いバンプ電極をめっきにより形成する工程と、
    前記バンプ電極が形成された前記薄膜コイル層の前記主面に絶縁樹脂のペーストを充填し、前記ペーストを硬化させることにより、前記バンプ電極の全周囲に絶縁樹脂層を形成する工程と、
    前記絶縁樹脂層の上面を研磨又は研削して前記バンプ電極の上面を露出させる工程とを備えることを特徴とするコイル部品の製造方法。
  13. 前記薄膜コイル層を形成する工程は、互いに磁気結合する第1及び第2のスパイラル導体を形成する工程と、前記第1及び第2のスパイラル導体の内側に設けられた磁性コアを形成する工程とを含み、
    前記磁性コアは、前記絶縁樹脂層と同一の材料で同時に形成されることを特徴とする請求項12に記載のコイル部品の製造方法。
  14. 前記バンプ電極は、前記薄膜コイル層内の前記導体パターンの5倍以上の厚さを有することを特徴とする請求項12又は13に記載のコイル部品の製造方法。
  15. 前記バンプ電極の厚さは、0.08mm以上0.1mm以下であることを特徴とする請求項12乃至14のいずれか一項に記載のコイル部品の製造方法。
  16. 前記バンプ電極は、前記絶縁樹脂層と同等かそれ以上の厚さを有することを特徴とする請求項12乃至15のいずれか一項に記載のコイル部品の製造方法。
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