JP5970716B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第2の形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、前記凹部に充填される絶縁材料と、前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体と、を備え、前記凹部は、実質的に連続な面により構成され、前記凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっており、前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第1の磁性体基板であり、前記凹部の底部は、前記第1の磁性体基板の主面間に位置していること、を特徴とする。
本発明の第3の形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、前記凹部に充填される絶縁材料と、前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体と、を備え、前記凹部は、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲しており、前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、を特徴とする。
本発明の第4の形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、前記凹部に充填される絶縁材料と、前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体と、を備え、前記凹部は、実質的に連続な面により構成され、前記凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっており、前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、を特徴とする。
本発明の第2の形態に係る電子部品の製造方法は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体を有し、該凹部は、実質的に連続な面により構成され、該凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっている電子部品の製造方法であって、前記複数の絶縁体層を積層すると共に、前記絶縁体層上に前記第1のコイル導体を形成して前記積層体を得る第1の工程と、前記積層体に対して前記凹部を形成する第2の工程と、前記凹部に前記絶縁材料を充填する第3の工程と、を備えており、前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第1の磁性体基板であり、前記凹部の底部は、前記第1の磁性体基板の主面間に位置していること、を特徴とする。
本発明の第3の形態に係る電子部品の製造方法は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料、及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体を有し、該凹部が、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲している電子部品の製造方法であって、前記複数の絶縁体層を積層して前記積層体を得る第1の工程と、前記積層体に対して前記凹部を形成する第2の工程と、前記凹部に前記絶縁材料を充填する第3の工程と、を備えており、前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、を特徴とする。
本発明の第4の形態に係る電子部品の製造方法は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料、及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体を有し、該凹部は、実質的に連続な面により構成され、該凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっている電子部品の製造方法であって、前記複数の絶縁体層を積層して前記積層体を得る第1の工程と、前記積層体に対して前記凹部を形成する第2の工程と、前記凹部に前記絶縁材料を充填する第3の工程と、を備えており、前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、を特徴とする。
(電子部品の構成)
以下、本発明の第1の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図1は、第1の実施形態に係る電子部品10の外観斜視図である。図2は、第1の実施形態に係る電子部品10の分解斜視図である。図3は、図1の電子部品10のA−Aにおける断面図である。以下、電子部品10の積層方向をz軸方向と定義し、z軸方向から平面視したときに、電子部品10の長辺に沿った方向をx軸方向と定義し、電子部品10の短辺に沿った方向をy軸方向と定義する。x軸、y軸及びz軸は互いに直交している。
以上のように構成された電子部品10の製造方法について図4乃至図9を参照しながら以下に説明する。図4乃至図9は、電子部品10の製造時の断面図である。なお、以下では、図4乃至図9に示される一つの電子部品10の製造方法について説明するが、実際には、複数の積層体12、磁性体層22、接着層24及び磁性体基板29がつながったマザー積層体を作製し、マザー積層体をカットした後に外部電極14を形成して、複数の電子部品10を得る。
以上のように構成された電子部品10では、凹部30への磁性材料21の充填不良を抑制できる。電子部品10の凹部30は、サンドブラストを用いて、複数の絶縁体層28a〜28e及び磁性体基板31に対して同時に形成される。これにより、電子部品10の凹部30の内周面S10は、角のない滑らかな面、すなわち、連続な面で構成される。従って、電子部品10では、凹部30に磁性材料21を充填する際、内周面S10の表面上には空気が残存する面の継ぎ目はない。その結果、電子部品10では、特許文献1に記載のコモンモードフィルタ500で生じるような磁性材料の充填不良の発生が抑制される。よって、電子部品10では、磁性材料21の充填不良を原因とするインピーダンスの低下が抑制される。
本発明に係る電子部品は、前記実施形態に係る電子部品10に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。例えば、凹部30の断面が描く曲線は、放物線だけでなく円弧も含む。つまり、凹部30の断面が曲線を描いていればよい。また、凹部30の形状は、すり鉢状に限らず、その内周面S10が曲面であればよい。さらに、凹部30を形成する際のサンドブラストに対するマスキング方法は、感光性樹脂フィルムを貼り付ける方法に限らない。そして、凹部30を形成する際に、サンドブラストではなくレーザー加工を用いてもよく、効果はサンドブラストと同様である。
S10 内周面
W 幅
10 電子部品
12 積層体
16a,16b コイル導体
21 磁性材料
28a〜28e 絶縁体層
29,31 磁性体基板
30 凹部
32 法線ベクトル
32z 法線ベクトルの積層方向成分
Claims (14)
- 複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、
前記凹部に充填される絶縁材料と、
前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体と、
を備え、
前記凹部は、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲しており、
前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、
前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第1の磁性体基板であり、
前記凹部の底部は、前記第1の磁性体基板の主面間に位置していること、
を特徴とする電子部品。 - 複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、
前記凹部に充填される絶縁材料と、
前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体と、
を備え、
前記凹部は、実質的に連続な面により構成され、
前記凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっており、
前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、
前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第1の磁性体基板であり、
前記凹部の底部は、前記第1の磁性体基板の主面間に位置していること、
を特徴とする電子部品。 - 複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、
前記凹部に充填される絶縁材料と、
前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体と、
を備え、
前記凹部は、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲しており、
前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、
を特徴とする電子部品。 - 複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体と、
前記凹部に充填される絶縁材料と、
前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体と、
を備え、
前記凹部は、実質的に連続な面により構成され、
前記凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっており、
前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、
を特徴とする電子部品。 - 前記積層体内には、前記凹部の周囲を周回する第2のコイル導体が設けられ、
前記第2のコイル導体は、前記第1のコイル導体と積層方向において対向していること、
を特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の電子部品。 - 前記第1のコイル導体を挟んで前記第1の磁性体基板と反対側の前記積層体上に第2の磁性体基板を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項1、請求項2又は請求項5のいずれかに記載の電子部品。 - 前記積層方向に直交する直交方向における前記開口部の幅は、前記積層方向における前記凹部の深さよりも大きいこと、
を特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の電子部品。 - 複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体を有し、該凹部が、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲している電子部品の製造方法であって、
前記複数の絶縁体層を積層すると共に、前記絶縁体層上に前記第1のコイル導体を形成して前記積層体を得る第1の工程と、
前記積層体に対して前記凹部を形成する第2の工程と、
前記凹部に前記絶縁材料を充填する第3の工程と、
を備えており、
前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、
前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第1の磁性体基板であり、
前記凹部の底部は、前記第1の磁性体基板の主面間に位置していること、
を特徴とする電子部品の製造方法。 - 複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体を有し、該凹部は、実質的に連続な面により構成され、該凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっている電子部品の製造方法であって、
前記複数の絶縁体層を積層すると共に、前記絶縁体層上に前記第1のコイル導体を形成して前記積層体を得る第1の工程と、
前記積層体に対して前記凹部を形成する第2の工程と、
前記凹部に前記絶縁材料を充填する第3の工程と、
を備えており、
前記絶縁材料の透磁率は、前記絶縁体層の透磁率よりも高く、
前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第1の磁性体基板であり、
前記凹部の底部は、前記第1の磁性体基板の主面間に位置していること、
を特徴とする電子部品の製造方法。 - 複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料、及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体を有し、該凹部が、該凹部の底部から開口部に向かって湾曲している電子部品の製造方法であって、
前記複数の絶縁体層を積層して前記積層体を得る第1の工程と、
前記積層体に対して前記凹部を形成する第2の工程と、
前記凹部に前記絶縁材料を充填する第3の工程と、
を備えており、
前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、
を特徴とする電子部品の製造方法。 - 複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、該絶縁体層の積層方向に窪んだ凹部が設けられた積層体、該凹部に充填される絶縁材料、及び前記積層体内に設けられ、前記凹部の周囲を周回する第1のコイル導体を有し、該凹部は、実質的に連続な面により構成され、該凹部の内周面の法線ベクトルの積層方向成分は実質的に全て、該凹部の底部から開口部に向かっている電子部品の製造方法であって、
前記複数の絶縁体層を積層して前記積層体を得る第1の工程と、
前記積層体に対して前記凹部を形成する第2の工程と、
前記凹部に前記絶縁材料を充填する第3の工程と、
を備えており、
前記凹部の底部から開口部に単位長さだけ移動したときにおける、該凹部の前記積層方向に直交する方向における幅の増加量が、該凹部の底部から開口に向かうにしたがって減少すること、
を特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記第2の工程は、サンドブラストにより行われること
を特徴とする請求項8乃至請求項11に記載の電子部品の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記絶縁体層上に前記第1のコイル導体を形成すること、
を特徴とする請求項10又は請求項11のいずれかに記載の電子部品の製造方法。 - 前記積層体の積層方向の一端の前記絶縁体層は、第1の磁性体基板であり、
前記第1のコイル導体を挟んで前記第1の磁性体基板と反対側の前記積層体上に第2の磁性体基板を積層する第4の工程を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項8乃至請求項13のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
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