JP5673837B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、コモンモードチョークコイルを内蔵している電子部品及びその製造方法に関する。

従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の電子部品が知られている。図１３は、特許文献１に記載の電子部品５００の外観斜視図である。

電子部品５００は、コモンモードチョークコイルであり、シリコン基板５０２、積層体５０４、外部電極５０６（５０６ａ〜５０６ｄ）及びコンタクトホール５０８（５０８ａ〜５０８ｄ）を備えている。積層体５０４は、シリコン基板５０２上に複数の絶縁体層が積層されることにより構成されている。積層体５０４の上面には、外部電極５０６が設けられている。また、積層体５０４内には、図示しない２つのコイル導体が設けられている。２つのコイル導体の両端と外部電極５０６とは、コンタクトホール５０８により電気的に接続されている。

以上のように構成された電子部品５００は、十分なインピーダンスを有するコモンモードチョークコイルを得ることが困難であるという問題を有している。より詳細には、磁束は、コンタクトホール５０８内を通過しにくい。そのため、コンタクトホール５０８が積層体５０４内に設けられていると、コイル層が発生した磁束はコンタクトホール５０８を通過しにくい。その結果、コイル層が十分なインダクタンス値を有することができなくなり、コイル層により構成されたコモンモードチョークコイルが十分なインピーダンスを有することができなくなる。

特開２００７−５３２５４号公報

そこで、本発明の目的は、高いインピーダンスを有するコモンモードチョークコイルを備えた電子部品及びその製造方法を提供することである。

本発明の第１の形態に係る電子部品は、互いに対向する第１の主面及び第２の主面を有する直方体状の第１の磁性体基板であって、該第１の主面と該第２の主面とを接続する第１の稜線が第１の切り欠き部により切り欠かれた形状をなしている第１の磁性体基板と、前記第１の主面上に積層されている複数の絶縁体層からなる積層体であって、積層方向から平面視したときに、前記第１の切り欠き部と重なる第１の角を有する長方形状をなしている積層体と、前記積層体内に設けられている第１のコイルであって、第１のコイル部、及び、該第１のコイル部の一端に接続され、かつ、前記第１の角に引き出されている第１の引き出し部を含んでいる第１のコイルと、前記積層体内に設けられ、かつ、前記第１のコイルと共にコモンモードチョークコイルを構成している第２のコイルであって、前記第１のコイル部と磁界結合している第２のコイル部を含んでいる第２のコイルと、前記第２の主面上に設けられている第１の外部電極と、前記第１の外部電極と前記第１の引き出し部とを接続する第１の接続部であって、前記第１の切り欠き部に設けられている第１の接続部と、を備えており、前記第１の切り欠き部を積層方向から平面視したときの面積は、前記第２の主面から前記第１の主面に近づくにしたがって小さくなっていること、を特徴とする。
本発明の第２の形態に係る電子部品は、互いに対向する第１の主面及び第２の主面を有する直方体状の第１の磁性体基板であって、該第１の主面と該第２の主面とを接続する第１の稜線が第１の切り欠き部により切り欠かれた形状をなしている第１の磁性体基板と、前記第１の主面上に積層されている複数の絶縁体層からなる積層体であって、積層方向から平面視したときに、前記第１の切り欠き部と重なる第１の角を有する長方形状をなしている積層体と、前記積層体内に設けられている第１のコイルであって、第１のコイル部、及び、該第１のコイル部の一端に接続され、かつ、前記第１の角に引き出されている第１の引き出し部を含んでいる第１のコイルと、前記積層体内に設けられ、かつ、前記第１のコイルと共にコモンモードチョークコイルを構成している第２のコイルであって、前記第１のコイル部と磁界結合している第２のコイル部を含んでいる第２のコイルと、前記第２の主面上に設けられている第１の外部電極と、前記第１の外部電極と前記第１の引き出し部とを接続する第１の接続部であって、前記第１の切り欠き部に設けられている第１の接続部と、を備えており、前記第１の切り欠き部を形成している面は、前記第２の主面に対して鈍角をなしていること、を特徴とする。

前記電子部品の製造方法は、前記第１の磁性体基板となる第１のマザー基板と前記第２の磁性体基板となる第２のマザー基板とにより前記積層体となるマザー積層体が挟まれたマザー本体を準備する第１の工程と、前記第１のマザー基板における前記第１の切り欠き部ないし前記第４の切り欠き部が形成されるべき位置に貫通孔を形成する第２の工程と、前記貫通孔の内周面に導体層を形成して前記第１の接続部ないし前記第４の接続部を形成する第３の工程と、前記第１のマザー基板の前記第２の主面上に導体層を形成して前記第１の外部電極ないし前記第４の外部電極を形成する第４の工程と、前記マザー本体をカットする第５の工程と、を備えていること、を特徴とする。

本発明によれば、コモンモードチョークコイルのインピーダンスを高くすることができる。

一実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。 図１の電子部品の分解斜視図である。 図３（ａ）は、コイル部及び絶縁体層をｚ軸方向から平面視した図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＸ−Ｘにおける断面構造図である。 電子部品の製造時における工程断面図である。 電子部品の製造時における工程断面図である。 電子部品の製造時における工程断面図である。 電子部品の製造時における工程断面図である。 第１の変形例に係る電子部品の接続部近傍の断面構造図である。 第２の変形例に係る電子部品の接続部近傍の断面構造図である。 第３の変形例に係る電子部品の接続部近傍の断面構造図である。 変形例に係る電子部品の製造方法における工程断面図である。 変形例に係る電子部品の製造方法における工程断面図である。 特許文献１に記載の電子部品の外観斜視図である。

以下に、本発明の実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。

（電子部品の構成）
まず、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、図１の電子部品１０の分解斜視図である。図３（ａ）は、コイル部２５及び絶縁体層１８ｃをｚ軸方向から平面視した図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＸ−Ｘにおける断面構造図である。以下では、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、ｚ軸方向から平面視したときに、長辺が延在している方向をｘ軸方向と定義し、短辺が延在している方向をｙ軸方向と定義する。また、ｚ軸方向の正方向側から平面視することを、単に、ｚ軸方向から平面視すると言う。

電子部品１０は、図１及び図２に示すように、磁性体基板１２ａ，１２ｂ、積層体１４、外部電極１５（１５ａ〜１５ｄ）、接続部１６（１６ａ〜１６ｄ）及びコイルＬ１，Ｌ２を備えている。

磁性体基板１２ａは、互いに対向する主面Ｓ１，Ｓ２を有する直方体状をなしている。磁性体基板１２ａにおいて、主面Ｓ１は、主面Ｓ２よりもｚ軸方向の正方向側に位置している。ただし、磁性体基板１２ａは、主面Ｓ１，Ｓ２を接続する４本の稜線が切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄにより切り欠かれた形状をなしている。以下に、磁性体基板１２ａの形状についてより詳細に説明する。

切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄは、稜線近傍が削り取られて形成された空間を指す。切り欠き部Ｃａは、ｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の正方向側の稜線が削り取られて形成された空間である。切り欠き部Ｃｂは、ｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の負方向側の稜線が削り取られて形成された空間である。切り欠き部Ｃｃは、ｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の正方向側の稜線が削り取られて形成された空間である。切り欠き部Ｃｄは、ｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の負方向側の稜線が削り取られて形成された空間である。

磁性体基板１２ａは、焼結済みのフェライトセラミックスが削り出されて作製される。また、磁性体基板１２ａは、フェライト仮焼粉末及びバインダーからなるペーストがアルミナ等のセラミックス基板に塗布されることによって作製されてもよいし、フェライト材料のグリーンシートが積層及び焼成されて作成されてもよい。

磁性体基板１２ａのｚ軸方向に延在する稜線近傍は、主面Ｓ２から主面Ｓ１へと、ｚ軸方向の正方向側に向かって尖った釣鐘状（ドーム状）に削り取られている。したがって、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄをｚ軸方向から平面視したときの面積は、主面Ｓ２から主面Ｓ１に近づくにしたがって（ｚ軸方向の正方向側にいくにしたがって）小さくなっている。そして、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄを形成している面は、図３（ｂ）に示すように、主面Ｓ２に対して鈍角θをなしている。

積層体１４は、主面Ｓ１上に積層されている複数の絶縁体層１８ａ〜１８ｃ及び有機系接着剤層１９からなり、ｚ軸方向から平面視したときに、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄのそれぞれと重なる角Ｃ１〜Ｃ４を有する長方形状をなしている。絶縁体層１８ａ〜１８ｃは、ｚ軸方向の正方向側からこの順に並ぶように積層されており、主面Ｓ１と略同じサイズを有している。但し、絶縁体層１８ａのｙ軸方向の負方向側の長辺の両端に位置する角は切り欠かれている。更に、絶縁体層１８ａには、ｚ軸方向の貫通するビアホールＨ１，Ｈ２が設けられている。絶縁体層１８ｂの４つの角は切り欠かれている。更に、絶縁体層１８ｂには、ｚ軸方向に貫通するビアホールＨ３が設けられている。ビアホールＨ３とビアホールＨ２とは繋がっている。絶縁体層１８ｃの４つの角は切り欠かれている。

絶縁体層１８ａ〜１８ｃは、ポリイミドにより作製されている。また、絶縁体層１８ａ〜１８ｃは、ベンゾシクロブテン等の絶縁性樹脂により作製されていてもよいし、ガラスセラミックス等の絶縁性無機材料で作製されていてもよい。以下では、絶縁体層１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、絶縁体層１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

磁性体基板１２ｂは、直方体状をなしており、磁性体基板１２ａと共に積層体１４をｚ軸方向から挟んでいる。すなわち、磁性体基板１２ｂは、積層体１４のｚ軸方向の正方向側に重ねられている。磁性体基板１２ｂは、焼結済みのフェライトセラミックスが削り出されて作製される。また、磁性体基板１２ｂは、フェライト仮焼粉末及びバインダーからなるペーストがアルミナ等のセラミックス基板に塗布されることによって作製されてもよいし、フェライト材料のグリーンシートが積層及び焼成されて作成されてもよい。

磁性体基板１２ｂと積層体１４とは、接着剤によって接合されていてもよい。本実施形態では、磁性体基板１２ａ，１２ｂと積層体１４とは、有機系接着剤層１９により接着されている。

コイルＬ１は、積層体１４内に設けられており、コイル部２０及び引き出し部２１ａ，２１ｂ（第１の引き出し部）、及び、引き出し部２２ａ〜２２ｃ（第２の引き出し部）を含んでいる。コイル部２０は、絶縁体層１８ｂの表面上に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、時計回りに旋回しながら中心に向かって近づいていく渦巻状をなしている。コイル部２０の中心は、ｚ軸方向から平面視したときに、電子部品１０の中心（対角線交点）と略一致している。

引き出し部２１ａは、絶縁体層１８ｂの表面上に設けられており、コイル部２０の外側の端部に接続されている。また、引き出し部２１ａは、絶縁体層１８ｂのｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の正方向側の角の切り欠かれた部分に引き出されている。引き出し部２１ａは、切り欠かれた部分を介して絶縁体層１８ｂをｚ軸方向に貫通している。

引き出し部２１ｂは、絶縁体層１８ｃのｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の正方向側の角の切り欠かれた部分に設けられている四角形状の導体である。これにより、引き出し部２１ｂは、引き出し部２１ａと繋がっている。引き出し部２１ｂは、切り欠かれた部分を介して絶縁体層１８ｃをｚ軸方向に貫通している。

以上のように構成された引き出し部２１ａ，２１ｂは、コイル部２０の端部に接続され、かつ、積層体１４のｚ軸方向の負方向側の主面の角Ｃ１に引き出されている。これにより、引き出し部２１ｂは、ｚ軸方向の負方向側から平面視したときに、切り欠き部Ｃａにおいて露出している。

引き出し部２２ａは、絶縁体層１８ａの表面上に設けられており、ビアホールＨ１を介して絶縁体層１８ａをｚ軸方向に貫通することにより、コイル部２０の内側の端部に接続されている。また、引き出し部２２ａは、絶縁体層１８ａのｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の負方向側の角の切り欠かれた部分に引き出されている。引き出し部２２ａは、切り欠かれた部分を介して絶縁体層１８ａをｚ軸方向に貫通している。

引き出し部２２ｂは、絶縁体層１８ｂのｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の負方向側の角の切り欠かれた部分に設けられている四角形状の導体である。これにより、引き出し部２２ｂは、引き出し部２２ａと繋がっている。引き出し部２２ｂは、切り欠かれた部分を介して絶縁体層１８ｂをｚ軸方向に貫通している。

引き出し部２２ｃは、絶縁体層１８ｃのｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の負方向側の角の切り欠かれた部分に設けられている四角形状の導体である。これにより、引き出し部２２ｃは、引き出し部２２ｂと繋がっている。引き出し部２２ｃは、切り欠かれた部分を介して絶縁体層１８ｃをｚ軸方向に貫通している。

以上のように構成された引き出し部２２ａ〜２２ｃは、コイル部２０の端部に接続され、かつ、積層体１４のｚ軸方向の負方向側の主面の角Ｃ２に引き出されている。これにより、引き出し部２２ｃは、ｚ軸方向の負方向側から平面視したときに、切り欠き部Ｃｂにおいて露出している。

コイル部２０及び引き出し部２１ａ，２１ｂ，２２ａ〜２２ｃは、Ａｇがスパッタ法で成膜されることにより作製される。また、コイル部２０及び引き出し部２１ａ，２１ｂ，２２ａ〜２２ｃは、Ｃｕ、Ａｕ等の電気伝導性の高い材料によって作製されてもよい。

コイルＬ２は、積層体１４内に設けられており、コイル部２５及び引き出し部２６（第３の引き出し部）、及び、引き出し部２７ａ〜２７ｄ（第４の引き出し部）を含んでいる。コイル部２５は、絶縁体層１８ｃの表面上に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、時計回りに旋回しながら中心に向かって近づいていく渦巻状をなしている。すなわち、コイル部２５は、コイル部２０と同じ方向に旋回している。コイル部２５の中心は、ｚ軸方向から平面視したときに、電子部品１０の中心（対角線交点）と略一致している。よって、コイル部２５は、ｚ軸方向から平面視したときにコイル部２０と重なっている。更に、コイル部２５は、コイル部２０よりもｚ軸方向の負方向側（磁性体基板１２ａの近く）に設けられている。これにより、コイルＬ２は、コイルＬ１と共にコモンモードチョークコイルを構成している。

引き出し部２６は、絶縁体層１８ｃの表面上に設けられており、コイル部２５の外側の端部に接続されている。また、引き出し部２６は、絶縁体層１８ｃのｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の正方向側の角の切り欠かれた部分に引き出されている。引き出し部２６は、切り欠かれた部分を介して絶縁体層１８ｃをｚ軸方向に貫通している。

以上のように構成された引き出し部２６は、コイル部２５の端部に接続され、かつ、積層体１４のｚ軸方向の負方向側の主面の角Ｃ３に引き出されている。これにより、引き出し部２６は、ｚ軸方向の負方向側から平面視したときに、切り欠き部Ｃｃにおいて露出している。

なお、引き出し部３０は、絶縁体層１８ｂのｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の正方向側の角の切り欠かれた部分に設けられている四角形状の導体である。これにより、引き出し部３０は、引き出し部２６と繋がっている。

引き出し部２７ａは、絶縁体層１８ｂの表面上に設けられており、ビアホールＨ３を介して絶縁体層１８ｂをｚ軸方向に貫通することにより、コイル部２５の内側の端部に接続されている四角形状の導体である。

引き出し部２７ｂは、絶縁体層１８ａの表面上に設けられており、ビアホールＨ２を介して絶縁体層１８ａをｚ軸方向に貫通することにより、引き出し部２７ａに接続されている。また、引き出し部２７ｂは、絶縁体層１８ａのｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の負方向側の角の切り欠かれた部分に引き出されている。引き出し部２７ｂは、切り欠かれた部分を介して絶縁体層１８ａをｚ軸方向に貫通している。

引き出し部２７ｃは、絶縁体層１８ｂのｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の負方向側の角の切り欠かれた部分に設けられている四角形状の導体である。これにより、引き出し部２７ｃは、引き出し部２７ｂと繋がっている。引き出し部２７ｃは、切り欠かれた部分を介して絶縁体層１８ｂをｚ軸方向に貫通している。

引き出し部２７ｄは、絶縁体層１８ｃのｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の負方向側の角の切り欠かれた部分に設けられている四角形状の導体である。これにより、引き出し部２７ｄは、引き出し部２７ｃと繋がっている。引き出し部２７ｄは、切り欠かれた部分を介して絶縁体層１８ｃをｚ軸方向に貫通している。

以上のように構成された引き出し部２７ａ〜２７ｄは、コイル部２５の端部に接続され、かつ、積層体１４のｚ軸方向の負方向側の主面の角Ｃ４に引き出されている。これにより、引き出し部２７ｄは、ｚ軸方向の負方向側から平面視したときに、切り欠き部Ｃｄにおいて露出している。

コイル部２５及び引き出し部２６，２７ａ〜２７ｄは、Ａｇがスパッタ法で成膜されることにより作製される。また、コイル部２５及び引き出し部２６，２７ａ〜２７ｄは、Ｃｕ、Ａｕ等の電気伝導性の高い材料によって作製されてもよい。

外部電極１５は、磁性体基板１２ａの主面Ｓ２上に設けられており、長方形状をなしている。より詳細には、外部電極１５ａは、主面Ｓ２において、ｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の正方向側の角近傍に設けられている。外部電極１５ｂは、主面Ｓ２において、ｘ軸方向の負方向側であってｙ軸方向の負方向側の角近傍に設けられている。外部電極１５ｃは、主面Ｓ２において、ｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の正方向側の角近傍に設けられている。外部電極１５ｄは、主面Ｓ２において、ｘ軸方向の正方向側であってｙ軸方向の負方向側の角近傍に設けられている。外部電極１５は、Ａｕ膜、Ｎｉ膜、Ｃｕ膜、Ｔｉ膜がスパッタ法により重ねて成膜されることによって作製されている。なお、外部電極１５は、ＡｇやＣu等の金属を含有するペーストが印刷及び焼き付けされて作製されてもよいし、ＡｇやＣｕ等が蒸着やめっき工法によって成膜されることによって作製されてもよい。

接続部１６ａ〜１６ｄはそれぞれ、外部電極１５ａ〜１５ｄと引き出し部２１ｂ，２２ｃ，２６，２７ｄとを接続し、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄに設けられている。接続部１６ａ〜１６ｄはそれぞれ、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄを形成している面を覆っている。接続部１６ａ〜１６ｄは、Ｃｕを主成分とする導体膜がめっき法により成膜されることによって作製されている。なお、接続部１６ａ〜１６ｄは、Ａｇ、Ａｕ等の電気伝導性の高い材料により作製されてもよい。

ここで、コイル部２５、引き出し部２１ｂ，２２ｃ，２６，２７ｄ及び接続部１６ａ〜１６ｄの位置関係について図面を参照しながら説明する。

図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、コイル部２５と接続部１６ｄとの最短距離Ｄ１は、コイル部２５と引き出し部２７ｄとの最短距離Ｄ２よりも長い。また、コイル部２５と接続部１６ａとの最短距離Ｄ１は、コイル部２５と引き出し部２１ｂとの最短距離Ｄ２よりも長い。コイル部２５と接続部１６ｂとの最短距離Ｄ１は、コイル部２５と引き出し部２２ｃとの最短距離Ｄ２よりも長い。コイル部２５と接続部１６ｃとの最短距離Ｄ１は、コイル部２５と引き出し部２６との最短距離Ｄ２よりも長い。

更に、図３（ｂ）に示すように、コイル部２０，２５（コイル部２０は図示せず）は、ｚ軸方向から平面視したときに、接続部１６ａ〜１６ｄ（接続部１６ａ〜１６ｃは図示せず）に対して重なっていない。

以上のように構成された電子部品１０の動作について以下に説明する。外部電極１５ａ，１５ｃは、入力端子として用いられる。外部電極１５ｂ，１５ｄは、出力端子として用いられる。

外部電極１５ａ，１５ｃにはそれぞれ、位相が１８０度異なる第１の信号及び第２の信号からなる差動伝送信号が入力される。第１の信号及び第２の信号は、デファレンシャルモードであるので、コイルＬ１，Ｌ２を通過する際にコイルＬ１，Ｌ２に互いに逆向きの磁束を発生させる。そして、コイルＬ１で発生した磁束とコイルＬ２で発生した磁束とは互いに打ち消し合う。そのため、コイルＬ１，Ｌ２内では、第１の信号及び第２の信号が流れることによる磁束の増減が殆ど生じない。すなわち、コイルＬ１，Ｌ２は、第１の信号及び第２の信号が流れることを妨げる逆起電力を発生しない。よって、電子部品１０は、第１の信号及び第２の信号に対しては、非常に小さなインピーダンスしか有さない。

一方、第１の信号及び第２の信号にコモンモードノイズが含まれている場合には、コモンモードノイズは、コイルＬ１，Ｌ２を通過する際にコイルＬ１，Ｌ２に同じ向きの磁束を発生させる。そのため、コイルＬ１，Ｌ２内では、コモンモードノイズが流れることによって、磁束が増加する。これにより、コイルＬ１，Ｌ２は、コモンモードノイズが流れることを妨げる逆起電力を発生する。よって、電子部品１０は、第１の信号及び第２の信号に対しては、大きなインピーダンスを有している。

（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４ないし図７は、電子部品１０の製造時における工程断面図である。

まず、以下に説明するように、磁性体基板１２ａとなるマザー基板１１２ａ（図４参照）と磁性体基板１２ｂとなるマザー基板１１２ｂ（図４参照）とにより積層体１４となるマザー積層体１１４（図４参照）が挟まれたマザー本体１１０を準備する。

具体的には、マザー基板１１２ａの主面Ｓ１上の全面に感光性樹脂であるポリイミド樹脂を塗布する。次に、絶縁体層１８ｃの４つの角に対応する位置を遮光し、露光を行う。これにより、遮光されていない部分のポリイミド樹脂が硬化する。この後、フォトレジストを有機溶剤により除去すると共に、現像を行って、未硬化のポリイミド樹脂を除去し、熱硬化する。これにより、絶縁体層１８ｃが形成される。

次に、絶縁体層１８ｃ上にスパッタ法によりＡｇ膜を成膜する。次に、コイル部２５及び引き出し部２１ｂ，２２ｃ，２６，２７ｄが形成される部分の上にフォトレジストを形成する。そして、エッチング工法により、コイル部２５及び引き出し部２１ｂ，２２ｃ，２６，２７ｄが形成される部分（すなわち、フォトレジストで覆われている部分）以外のＡｇ膜を除去する。この後、フォトレジストを有機溶剤により除去することによって、コイル部２５及び引き出し部２１ｂ，２２ｃ，２６，２７ｄが形成される。

以上の工程と同じ工程を繰り返すことにより、絶縁体層１８ａ，１８ｂ及びコイル部２０、引き出し部２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２７ａ〜２７ｃ，３０を形成する。

次に、マザー積層体１１４上に有機系接着剤層１９によりマザー基板１１２ｂを接着する。これにより、図４（ａ）に示すマザー本体１１０を得る。

次に、図４（ｂ）に示すように、マザー基板１１２ａのｚ軸方向の負方向側の主面を研削又は研磨する。

次に、図４（ｃ）に示すように、マザー積層体１１４内のコイルＬ１，Ｌ２との位置合わせを行って、マザー基板１１２ａのｚ軸方向の負方向側の主面上にフォトレジストＭ１を形成する。フォトレジストＭ１は、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄが形成される領域に開口を有している。

次に、図５（ａ）に示すように、フォトレジストＭ１を介してサンドブラスト工法によって、マザー基板１１２ａに対して切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄが形成されるべき位置に貫通孔を形成する。なお、貫通孔は、サンドブラスト工法以外に、レーザ加工法によって形成されてもよいし、サンドブラスト工法及びレーザ加工法の組み合わせによって形成されてもよい。

次に、図５（ｂ）に示すように、有機溶剤によりフォトレジストＭ１を除去する。

次に、図５（ｃ）に示すように、マザー本体１１０のｚ軸方向の負方向側の主面の全面に対して、Ｔｉ薄膜１５０及びＣｕ薄膜１５２をスパッタ工法により成膜する。

次に、図６（ａ）に示すように、Ｔｉ薄膜１５０及びＣｕ薄膜１５２を給電膜として用いて、電界めっき法により、Ｃｕめっき膜１５４を形成する。

次に、図６（ｂ）に示すように、ウェットエッチング、研削、研磨、ＣＭＰ等により、貫通孔以外の部分に形成されているＴｉ薄膜１５０、Ｃｕ薄膜１５２及びＣｕめっき膜１５４を除去する。これにより、マザー本体１１０のｚ軸方向の負方向側の主面が平坦化される。図５（ｃ）ないし図６（ｂ）の工程により、貫通孔内に導体層が形成されることによって、接続部１６ａ〜１６ｄが形成される。

次に、図６（ｃ）に示すように、Ｔｉ膜、Ｃｕ膜、Ｎｉ膜及びＡｕ膜が下層から上層へとこの順に積層されてなる導体層１５６をマザー本体１１０のｚ軸方向の負方向側の主面の全面にスパッタ工法により形成する。図５（ｃ）ないし図６（ｃ）の工程において、貫通孔の内周面及びマザー基板１１２ａのｚ軸方向の負方向側の主面上にＴｉ薄膜１５０、Ｃｕ薄膜１５２、Ｃｕめっき膜１５４及び導体膜１５６（導体層）が形成される。

次に、図６（ｄ）に示すように、マザー本体１１０のｚ軸方向の負方向側の主面上にフォトレジストＭ２（マスク）を形成する。フォトレジストＭ２は、外部電極１５ａ〜１５ｄが形成される部分を覆っている。

次に、図７（ａ）に示すように、エッチング工法により、フォトレジストＭ２により覆われている部分以外の導体層１５６を除去する。そして、図７（ｂ）に示すように、フォトレジストＭ２を有機溶剤により除去する。図６（ｃ）ないし図７（ｂ）の工程により、マザー基板１１２ａのｚ軸方向の負方向側の主面上に導体層が形成されることにより、外部電極１５ａ〜１５ｄが形成される。

次に、図７（ｃ）に示すように、マザー基板１１２ｂのｚ軸方向の正方向側の主面を研削又は研磨する。

次に、図７（ｄ）に示すように、ダイサーにより、マザー本体１１０をカットし、複数の電子部品１０を得る。図７（ｄ）の工程では、ダイサーを貫通孔内のＴｉ薄膜１５０、Ｃｕ薄膜１５２及びＣｕめっき膜１５４を通過させる。これにより、Ｔｉ薄膜１５０、Ｃｕ薄膜１５２及びＣｕめっき膜１５４が接続部１６ａ〜１６ｄに分割される。この後、電子部品１０に対して、バレル研磨を行って、面取りを施してもよい。また、外部電極１５ａ〜１５ｄの表面及び接続部１６ａ〜１６ｄの表面には、バレル研磨後に、はんだ濡れ性の向上のために、Ｎｉめっき及びＳｎめっきが施されてもよい。

（効果）
本実施形態に係る電子部品１０及びその製造方法によれば、高いインピーダンスを有するコモンモードチョークコイルを得ることができる。より詳細には、特許文献１に記載の電子部品５００では、磁束は、コンタクトホール５０８内を通過しにくい。そのため、コンタクトホール５０８が積層体５０４内に設けられていると、コイル層が発生した磁束はコンタクトホール５０８を通過しにくい。その結果、コイル層が十分なインダクタンス値を有することができなくなり、コイル層により構成されたコモンモードチョークコイルが十分なインピーダンスを有することができなくなる。

一方、電子部品１０では、磁性体基板１２ａは、主面Ｓ１，Ｓ２を接続する４本の稜線が切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄにより切り欠かれた形状をなしている。外部電極１５ａ〜１５ｄと引き出し部２１ｂ，２２ｃ，２６，２７ｄのそれぞれとを接続する接続部１６ａ〜１６ｄは、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄに設けられている。これにより、接続部１６ａ〜１６ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、磁性体基板１２ａの中心から最も離れた位置に設けられている。すなわち、接続部１６ａ〜１６ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイルＬ１，Ｌ２から磁性体基板１２ａにおいて最も離れた位置に設けられている。その結果、コイルＬ１，Ｌ２が発生した磁束が接続部１６ａ〜１６ｄによって妨げられることが抑制される。よって、電子部品１０及びその製造方法では、高いインピーダンスを有するコモンモードチョークコイルを得ることができる。

また、電子部品１０では、コイル部２０，２５は、ｚ軸方向から平面視したときに、接続部１６ａ〜１６ｄと重なっていない。これにより、コイルＬ１，Ｌ２が発生した磁束の磁路上に接続部１６ａ〜１６ｄが位置することが抑制される。その結果、電子部品１０では、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値が大きくなり、コイルＬ１，Ｌ２により構成されるコモンモードチョークコイルのインピーダンスが大きくなる。

また、電子部品１０では、コイル部２０，２５は、ｚ軸方向から平面視したときに、接続部１６ａ〜１６ｄと重なっていない。これにより、コイル部２０，２５と接続部１６ａ〜１６ｄとの間に容量が発生することが抑制される。その結果、電子部品１０において、高周波領域におけるノイズの除去性能が向上する。

また、電子部品１０では、コイルＬ１，Ｌ２を内蔵している積層体１４は、磁性体基板１２ａ，１２ｂにより挟まれている。これにより、コイルＬ１，Ｌ２が発生した磁束は、磁性体基板１２ａ，１２ｂを通過するようになる。その結果、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値が大きくなり、コイルＬ１，Ｌ２により構成されるコモンモードチョークコイルのインピーダンスが大きくなる。

また、電子部品１０では、コイルＬ１，Ｌ２を内蔵している積層体１４は、磁性体基板１２ａ，１２ｂにより挟まれているので、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値が大きくなる。これにより、コイル部２０，２５の巻き数が少なくても、コイルＬ１，Ｌ２が十分なインダクタンス値を有するようになる。その結果、コイル部２０，２５の小型化が図られ、電子部品１０の小型化が図られる。

また、電子部品１０では、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、コイル部２５と接続部１６ｄとの最短距離Ｄ１は、コイル部２５と引き出し部２７ｄとの最短距離Ｄ２よりも長い。また、コイル部２５と接続部１６ａとの最短距離Ｄ１は、コイル部２５と引き出し部２１ｂとの最短距離Ｄ２よりも長い。コイル部２５と接続部１６ｂとの最短距離Ｄ１は、コイル部２５と引き出し部２２ｃとの最短距離Ｄ２よりも長い。コイル部２５と接続部１６ｃとの最短距離Ｄ１は、コイル部２５と引き出し部２６との最短距離Ｄ２よりも長い。これにより、コイルＬ２が発生した磁束の磁路上に接続部１６ａ〜１６ｄが位置することが抑制される。その結果、電子部品１０では、コイルＬ２のインダクタンス値が大きくなり、コイルＬ１，Ｌ２により構成されるコモンモードチョークコイルのインピーダンスが大きくなる。

また、電子部品１０では、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄをｚ軸方向から平面視したときの面積は、主面Ｓ２から主面Ｓ１に近づくにしたがって（ｚ軸方向の正方向側にいくにしたがって）小さくなっている。したがって、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄに設けられている接続部１６ａ〜１６ｄが引き出し部２１ｂ，２２ｃ，２６，２７ｄに接触している部分の面積も小さい。よって、引き出し部２１ｂ，２２ｃ，２６，２７ｄの面積を小さくすることが可能である。その結果、コイル部２０，２５を形成するための領域を大きくすることができ、電子部品１０を大型化させることなく、コイルＬ１，Ｌ２のインダクタンス値を大きくすることができる。

また、電子部品１０では、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄを形成している面は、図３（ｂ）に示すように、主面Ｓ２に対して鈍角θをなしている。これにより、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄを形成している面は、コイル部２５から遠ざかる形状をなしている。そのため、コイル部２５が発生した磁束の磁路上に切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄ（すなわち、接続部１６ａ〜１６ｄ）が位置することが抑制される。その結果、電子部品１０では、コイルＬ２のインダクタンス値が大きくなり、コイルＬ１，Ｌ２により構成されるコモンモードチョークコイルのインピーダンスが大きくなる。

また、切り欠き部Ｃａ〜Ｃｄを形成している面が、主面Ｓ２に対して鈍角θをなすことで、形状の不連続性が緩和されることにより、磁性体基板１２ａと外部電極１５ａ〜１５ｄ及び接続部１６ａ〜１６ｄと実装に用いられるはんだとの間の熱膨張係数の差によって生じる応力集中が緩和されるようになる。

（第１の変形例に係る電子部品）
以下に、第１の変形例に係る電子部品１０ａについて図面を参照しながら説明する。図８は、第１の変形例に係る電子部品１０ａの接続部１６ｄ近傍の断面構造図である。

図８に示すように、接続部１６ａ〜１６ｄは、円錐台状をなしていてもよい。

（第２の変形例に係る電子部品）
以下に、第２の変形例に係る電子部品１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図９は、第２の変形例に係る電子部品１０ｂの接続部１６ｄ近傍の断面構造図である。

図９に示すように、接続部１６ａ〜１６ｄは、ｚ軸方向の負方向側にいくにしたがって傾斜が緩やかになる錘状をなしていてもよい。

（第３の変形例に係る電子部品）
以下に、第３の変形例に係る電子部品１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図１０は、第３の変形例に係る電子部品１０ｃの接続部１６ｄ近傍の断面構造図である。

図１０に示すように、接続部１６ａ〜１６ｄは、円柱状をなしていてもよい。

なお、マザー基板１１２ａに貫通孔を形成する際の条件を変更することによって、電子部品１０ａ〜１０ｃを製造することができる。例えば、貫通孔をサンドブラスト工法により形成する場合には、加工粉末の粒径、粒度、材料等の条件を変更すればよい。また、貫通孔をレーザ加工法により形成する場合には、レーザビームの強度、ビーム径を変更すればよい。

（電子部品の製造方法の変形例）
次に、電子部品１０の製造方法の変形例について図面を参照しながら説明する。図１１及び図１２は、電子部品１０の製造方法の変形例における工程断面図である。

図５（ｃ）に示す工程までは、前記実施形態に係る電子部品１０の製造方法と同じであるので説明を省略する。図５（ｃ）の工程において、貫通孔の内周面及びマザー基板１１２ａのｚ軸方向の負方向側の主面上にＴｉ薄膜１５０及びＣｕ薄膜１５２（第１の導体層）が形成される。

次に、図１１（ａ）に示すように、マザー本体１１０のｚ軸方向の負方向側の主面上にフォトレジストＭ４（マスク）を形成する。フォトレジストＭ４は、外部電極１５ａ〜１５ｄが形成される部分に開口を有している。

次に、図１１（ｂ）に示すように、Ｔｉ薄膜１５０及びＣｕ薄膜１５２を給電膜として用いて、電界めっき法により、Ｃｕめっき膜１５４を形成する。外部電極１５ａ〜１５ｄの表面酸化保護膜として、Ｎｉめっき及びＳｎめっき又はＡｕめっきがＣｕめっき膜１５４上に施されてもよい。図１１（ｂ）の工程において、フォトレジストＭ４に覆われている部分以外のＴｉ薄膜１５０及びＣｕ薄膜１５２（第１の導体層）上にＣｕめっき膜１５４（第２の導体層）が形成される。

次に、図１１（ｃ）に示すように、フォトレジストＭ４を有機溶剤により除去する。このとき、フォトレジストＭ４が設けられていた部分には、Ｃｕめっき膜１５４が設けられていないので、フォトレジストＭ４が設けられていた部分が窪んでいる。

次に、図１１（ｄ）に示すように、エッチング工法により、Ｃｕめっき膜１５４、Ｔｉ薄膜１５０及びＣｕ薄膜１５２を除去する。ただし、図１１（ｄ）に示すように、Ｃｕめっき膜１５４、Ｔｉ薄膜１５０及びＣｕ薄膜１５２の全てを除去しない。具体的には、外部電極１５ａ〜１５ｄが設けられない部分（すなわち、フォトレジストＭ４が設けられた部分）において、マザー基板１１２ａが露出するまでエッチングを行う。すなわち、Ｔｉ薄膜１５０及びＣｕ薄膜１５２の厚みの分だけエッチングを行う。ただし、フォトレジストＭ４が設けられていない領域には、図１１（ｃ）に示すように、Ｃｕめっき膜１５４が設けられているので、Ｔｉ薄膜１５０及びＣｕ薄膜１５２の厚みの分だけエッチングが行われたとしても、Ｃｕめっき膜１５４が残存する。図５（ｃ）ないし図１１（ｄ）の工程により、マザー基板１１２ａのｚ軸方向の負方向側の主面上に導体層が形成されることにより、外部電極１５ａ〜１５ｄ及び接続部１６ａ〜１６ｄが同時に形成される。

次に、図１２（ａ）に示すように、マザー基板１１２ｂのｚ軸方向の正方向側の主面を研削又は研磨する。

次に、図１２（ｂ）に示すように、ダイサーにより、マザー本体１１０をカットし、複数の電子部品１０を得る。図１２（ｂ）の工程では、ダイサーを貫通孔内のＴｉ薄膜１５０、Ｃｕ薄膜１５２及びＣｕめっき膜１５４を通過させる。これにより、Ｔｉ薄膜１５０、Ｃｕ薄膜１５２及びＣｕめっき膜１５４が接続部１６ａ〜１６ｄに分割される。この後、電子部品１０に対して、バレル研磨を行って、面取りを施してもよい。また、外部電極１５ａ〜１５ｄと接続部１６ａ〜１６ｄの表面には、なお、表面酸化保護膜として、Ｎｉめっき及びＳｎめっき又はＡｕめっきが図１１（ｂ）の工程において形成されない場合には、バレル研磨後に、表面酸化保護及びはんだ濡れ性の向上のために、Ｎｉめっき及びＳｎめっき又はＡｕめっきが施されてもよい。

電子部品１０の製造方法の変形例によれば、外部電極１５ａ〜１５ｄと接続部１６ａ〜１６ｄが同時に形成される。そのため、外部電極１５ａ〜１５ｄと接続部１６ａ〜１６ｄの密着性が高くできるため、外部電極１５ａ〜１５ｄと接続部１６ａ〜１６ｄとの接続信頼性を向上させることができ、かつ、製造工程を簡素化することができる。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品及びその製造方法は、前記電子部品１０，１０ａ〜１０ｃに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、接続部１６ａ〜１６ｄの内の少なくとも１つが設けられていればよい。

以上のように、本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、コモンモードチョークコイルのインピーダンスを高くできる点において優れている。

Ｃ１〜Ｃ４ 角
Ｃａ〜Ｃｄ 切り欠き部
Ｈ１〜Ｈ３ ビアホール
Ｌ１，Ｌ２ コイル
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ４ フォトレジスト
Ｓ１，Ｓ２ 主面
１０，１０ａ〜１０ｃ 電子部品
１２ａ，１２ｂ 磁性体基板
１４ 積層体
１５ａ〜１５ｄ 外部電極
１６ａ〜１６ｄ 接続部
１８ａ〜１８ｃ 絶縁体層
１９ 有機系接着剤層
２０，２５ コイル部
２１ａ，２１ｂ，２２ａ〜２２ｃ，２６，２７ａ〜２７ｄ，３０ 引き出し部
１１０ マザー本体
１１２ａ，１１２ｂ マザー基板
１１４ マザー積層体
１５０ Ｔｉ薄膜
１５２ Ｃｕ薄膜
１５４ Ｃｕめっき膜
１５６ 導体層

Claims (13)

1. 互いに対向する第１の主面及び第２の主面を有する直方体状の第１の磁性体基板であって、該第１の主面と該第２の主面とを接続する第１の稜線が第１の切り欠き部により切り欠かれた形状をなしている第１の磁性体基板と、
   前記第１の主面上に積層されている複数の絶縁体層からなる積層体であって、積層方向から平面視したときに、前記第１の切り欠き部と重なる第１の角を有する長方形状をなしている積層体と、
   前記積層体内に設けられている第１のコイルであって、第１のコイル部、及び、該第１のコイル部の一端に接続され、かつ、前記第１の角に引き出されている第１の引き出し部を含んでいる第１のコイルと、
   前記積層体内に設けられ、かつ、前記第１のコイルと共にコモンモードチョークコイルを構成している第２のコイルであって、前記第１のコイル部と磁界結合している第２のコイル部を含んでいる第２のコイルと、
   前記第２の主面上に設けられている第１の外部電極と、
   前記第１の外部電極と前記第１の引き出し部とを接続する第１の接続部であって、前記第１の切り欠き部に設けられている第１の接続部と、
   を備えており、
   前記第１の切り欠き部を積層方向から平面視したときの面積は、前記第２の主面から前記第１の主面に近づくにしたがって小さくなっていること、
   を特徴とする電子部品。
2. 互いに対向する第１の主面及び第２の主面を有する直方体状の第１の磁性体基板であって、該第１の主面と該第２の主面とを接続する第１の稜線が第１の切り欠き部により切り欠かれた形状をなしている第１の磁性体基板と、
   前記第１の主面上に積層されている複数の絶縁体層からなる積層体であって、積層方向から平面視したときに、前記第１の切り欠き部と重なる第１の角を有する長方形状をなしている積層体と、
   前記積層体内に設けられている第１のコイルであって、第１のコイル部、及び、該第１のコイル部の一端に接続され、かつ、前記第１の角に引き出されている第１の引き出し部を含んでいる第１のコイルと、
   前記積層体内に設けられ、かつ、前記第１のコイルと共にコモンモードチョークコイルを構成している第２のコイルであって、前記第１のコイル部と磁界結合している第２のコイル部を含んでいる第２のコイルと、
   前記第２の主面上に設けられている第１の外部電極と、
   前記第１の外部電極と前記第１の引き出し部とを接続する第１の接続部であって、前記第１の切り欠き部に設けられている第１の接続部と、
   を備えており、
   前記第１の切り欠き部を形成している面は、前記第２の主面に対して鈍角をなしていること、
   を特徴とする電子部品。
3. 前記第１の磁性体基板は、前記第１の主面と前記第２の主面とを接続する第２の稜線ないし第４の稜線が第２の切り欠き部ないし第４の切り欠き部により切り欠かれた形状をなしており、
   前記積層体は、積層方向から平面視したときに、前記第２の切り欠き部ないし前記第４の切り欠き部のそれぞれと重なる第２の角ないし第４の角を有しており、
   前記第１のコイルは、前記第１のコイル部の他端に接続され、かつ、前記第２の角に引き出されている第２の引き出し部を、更に含んでおり、
   前記第２のコイルは、前記第２のコイル部の両端のそれぞれに接続され、かつ、前記第３の角及び前記第４の角のそれぞれに引き出されている第３の引き出し部及び第４の引き出し部を、更に含んでおり、
   前記電子部品は、
   前記第２の主面上に設けられている第２の外部電極ないし第４の外部電極と、
   前記第２の外部電極ないし前記第４の外部電極と前記第２の引き出し部ないし前記第４の引き出し部のそれぞれとを接続する第２の接続部ないし第４の接続部であって、前記第２の切り欠き部ないし前記第４の切り欠き部に設けられている第２の接続部ないし第４の接続部と、
   を更に備えていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
4. 積層方向から前記第１の磁性体基板と共に前記積層体を挟んでいる第２の磁性体基板を、
   更に備えていること、
   を特徴とする請求項３に記載の電子部品。
5. 前記第２の切り欠き部ないし前記第４の切り欠き部を積層方向から平面視したときの面積は、前記第２の主面から前記第１の主面に近づくにしたがって小さくなっていること、
   を特徴とする請求項３又は請求項４のいずれかに記載の電子部品。
6. 前記第２の切り欠き部ないし前記第４の切り欠き部を形成している面は、前記第２の主面に対して鈍角をなしていること、
   を特徴とする請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
7. 前記第２のコイル部は、前記第１のコイル部よりも積層方向において前記第１の磁性体基板の近くに設けられており、
   前記第１のコイル部と前記第２のコイル部とは、積層方向から平面視したときに重なっていること、
   を特徴とする請求項３ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。
8. 前記第１のコイル部及び前記第２のコイル部は、渦巻状をなしていること、
   を特徴とする請求項７に記載の電子部品。
9. 前記第２のコイル部と前記第１の接続部ないし前記第４の接続部との距離はそれぞれ、該第２のコイル部と前記第１の引き出し部ないし前記第４の引き出し部との距離よりも長いこと、
   を特徴とする請求項７又は請求項８のいずれかに記載の電子部品。
10. 請求項４に記載の電子部品の製造方法であって、
    前記第１の磁性体基板となる第１のマザー基板と前記第２の磁性体基板となる第２のマザー基板とにより前記積層体となるマザー積層体が挟まれたマザー本体を準備する第１の工程と、
    前記第１のマザー基板における前記第１の切り欠き部ないし前記第４の切り欠き部が形成されるべき位置に貫通孔を形成する第２の工程と、
    前記貫通孔の内周面に導体層を形成して前記第１の接続部ないし前記第４の接続部を形成する第３の工程と、
    前記第１のマザー基板の前記第２の主面上に導体層を形成して前記第１の外部電極ないし前記第４の外部電極を形成する第４の工程と、
    前記マザー本体をカットする第５の工程と、
    を備えていること、
    を特徴とする電子部品の製造方法。
11. 前記第３の工程と前記第４の工程とを同時に行うこと、
    を特徴とする請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
12. 前記第３の工程及び前記第４の工程は、
    前記貫通孔の内周面及び前記第１のマザー基板の前記第２の主面上に導体層を形成する第５の工程と、
    前記導体層における前記第１の外部電極ないし前記第４の外部電極を形成すべき部分を覆うマスクを形成する第６の工程と、
    前記マスクに覆われている部分以外の前記導体層を除去する第７の工程と、
    を含んでいること、
    を特徴とする請求項１１に記載の電子部品の製造方法。
13. 前記第３の工程及び前記第４の工程は、
    前記貫通孔の内周面及び前記第１のマザー基板の前記第２の主面上に第１の導体層を形成する第８の工程と、
    前記第１の導体層における前記第１の外部電極ないし前記第４の外部電極を形成すべき部分以外を覆うマスクを形成する第９の工程と、
    前記マスクに覆われている部分以外の前記第１の導体層上に第２の導体層を形成する第１０の工程と、
    前記マスクを除去する第１１の工程と、
    前記第２の導体層の全面に対してエッチングを施して、前記第１の外部電極ないし前記第４の外部電極が設けられない部分において、前記第２の主面を露出させる第１２の工程と、
    を含んでいること、
    を特徴とする請求項１１に記載の電子部品の製造方法。

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