TWI556272B - Electronic parts and manufacturing methods thereof - Google Patents

Description

電子零件及其製造方法

本發明係關於電子零件及其製造方法，更特定而言，係關於內置有線圈之電子零件及其製造方法。

作為習知之電子零件，已知例如專利文獻1所記載之共模濾波器500。圖10係專利文獻1所記載之共模濾波器500的積層體之分解立體圖。圖11係專利文獻1所記載之共模濾波器500的積層體之構造剖面圖。

如圖10所示，共模濾波器500具備積層體501及線圈導體512、514。積層體501係由絕緣層507~511、磁性層516、接著層517及磁性基板502、504積層而構成。又，如圖10及圖11所示，於積層體501中，用以填充含有磁性材料之樹脂之凹部530係跨越絕緣體層508~511而設置。線圈導體512係以圍繞於凹部530周圍之方式而設置於絕緣體層508上。又，線圈導體514係以圍繞於凹部530周圍之方式而設置於絕緣體層509上。線圈導體512與線圈導體514隔著絕緣體層509而相對向，且電磁耦合。

然而，如圖10所示，凹部530之寬度自底面朝開口部變大。藉此，當將包含磁性材料之樹脂540填充至凹部530時，樹脂540容易沿著凹部530的內周面，自凹部530的開口部朝底面流動。

然而，如圖10及圖11所示，凹部530係藉由使設置於絕緣 體層508~511之孔531~534重合而形成。藉此，凹部530的內周面呈如圖11所示之階梯狀。因此，若將包含磁性材料之樹脂540填充至凹部530，則空氣A501會殘存於各絕緣體層507~510的上表面與各絕緣體層508~511的側面之接縫部分。而且，包含磁性材料之樹脂540會因殘存之空氣A501而於凹部530內產生疏密。亦即，於共模濾波器500中，容易產生包含磁性材料之樹脂540之填充不良，從而有可能會導致阻抗降低。

[先行技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：日本特開2007-242800號公報

因此，本發明之目的在於提供可抑制朝積層體凹部填充之絕緣材料之填充不良的電子零件及其製造方法。

本發明之一形態之電子零件之特徵在於具備：積層體，其由複數個絕緣體層積層而構成，且設置有朝該絕緣體層之積層方向凹陷之凹部；以及絕緣材料，其填充於上述凹部；上述凹部之形狀自該凹部的底部朝開口部彎曲。

本發明之一個態之電子零件之製造方法係如下電子零件之製造方法，該電子零件具有：積層體，其由複數個絕緣體層積層而構成，且設置有朝該絕緣體層之積層方向凹陷之凹部；以及絕緣材料，其填充於上述凹部；上述凹部之形狀自該凹部的底部朝開口部彎曲；該電子零件之 製造方法之特徵在於具備：第1步驟，其對上述複數個絕緣體層進行積層而獲得上述積層體；第2步驟，其於上述積層體形成上述凹部；以及第3步驟，其將上述絕緣材料填充於上述凹部。

根據本發明之一個形態之電子零件，可抑制朝積層體的凹部填充之絕緣材料之填充不良。

d‧‧‧深度

S10‧‧‧內周面

W‧‧‧寬度

10‧‧‧電子零件

12‧‧‧積層體

16a、16b‧‧‧線圈導體

21‧‧‧磁性材料

28a~28e‧‧‧絕緣體層

29、31‧‧‧磁性體基板

30‧‧‧凹部

32‧‧‧法線向量

32z‧‧‧法線向量之積層方向成分

圖1係第1實施形態之電子零件之外觀立體圖。

圖2係第1實施形態之電子零件之分解立體圖。

圖3係圖1之電子零件之A-A之剖面圖。

圖4係第1實施形態之電子零件之製造時之剖面圖。

圖5係第1實施形態之電子零件之製造時之剖面圖。

圖6係第1實施形態之電子零件之製造時之剖面圖。

圖7係第1實施形態之電子零件之製造時之剖面圖。

圖8係第1實施形態之電子零件之製造時之剖面圖。

圖9係第1實施形態之電子零件之製造時之剖面圖。

圖10係專利文獻1所記載之共模濾波器之分解立體圖。

圖11係專利文獻1所記載之共模濾波器之構造剖面圖。

以下，對本發明之一個實施形態之電子零件及其製造方法進行說明。

(第1實施形態)

(電子零件之構成)

以下，一面參照圖式，一面對本發明之第1實施形態之電子零件進行說明。圖1係第1實施形態之電子零件10之外觀立體圖。圖2係第1實施形態之電子零件10之分解立體圖。圖3係圖1之電子零件10之A-A之剖面圖。以下，將電子零件10之積層方向定義為z軸方向，將自z軸方向俯視時沿著電子零件10的長邊之方向定義為x軸方向，將沿著電子零件10的短邊之方向定義為y軸方向。x軸、y軸及z軸彼此正交。

如圖1所示，電子零件10呈長方體狀。又，如圖1~圖3所示，電子零件10具備：積層體12、外部電極14a~14d、線圈導體16a、16b、抽出導體17a~17d、通孔導體v1、v2、磁性材料21(絕緣材料)、磁性體層22、接著層24及磁性體基板29(第2磁性體基板)。再者，如圖1所示，將電子零件10之x軸方向之負方向側之面稱作側面S1，將x軸方向之正方向側之面稱作側面S2。

如圖1及圖2所示，積層體12呈長方體狀，且係由絕緣體層28a~28e及磁性體基板31(第1磁性體基板)積層而構成。絕緣體層28a~28e係以自z軸方向之正方向側依序排列之方式積層。又，如圖2所示，當自z軸方向俯視時，絕緣體層28a~28e呈長方形狀。再者，絕緣體層28a~28e係由聚醯亞胺樹脂或苯并環丁烯等絕緣樹脂材料構成。又，絕緣體層28a~28e亦可由玻璃陶瓷等絕緣性無機材料構成。

如圖2所示，磁性體基板31於積層體12中位於z軸方向之負方向之一端。又，當自z軸方向俯視時，磁性體基板31呈長方形狀。再 者，磁性體基板31係由鐵酸鹽等磁性材料構成之絕緣體層。

進而，如圖2及圖3所示，於積層體12中設置有凹部30。凹部30設置於積層體12之x軸方向及y軸方向之大致中心，且當自z軸方向俯視時呈圓形。凹部30貫通絕緣體層28a~28e，且呈研缽狀地自積層體12之z軸方向之正方向側的面(即，絕緣體層28a之z軸方向之正方向側的面)朝z軸方向之負方向側凹陷。再者，凹部30的底部位於磁性體基板31(第1磁性體基板)的主面之間。

如圖3所示，當自與積層方向正交之方向俯視時，凹部30之形狀呈朝z軸方向之負方向側凸出之抛物線狀。於是，此種抛物線之集合即凹部30之形狀彎曲。亦即，凹部30係藉由曲面構成。

又，嚴密而言，凹部30的內周面S10係由實質上連續之面構成。此處所謂之連續係指無角且光滑。然而，於形成凹部30時，由於噴砂等加工或其他原因而產生之微細之凹凸實際上無法避免。因此，凹部30的內周面S10係意欲形成無角且光滑之面而形成之面，即實質上連續之面。

又，如圖3所示，凹部30的內周面S10之法線向量32的積層方向成分32z係自凹部30的底部朝向開口部，即z軸方向之正方向側。進而，積層方向成分32z之大小自凹部30的底部朝開口部變小。藉此，與包含x軸及y軸含之平面(以下稱作xy平面)平行之方向的凹部30之寬度之增加率自凹部30的底部朝開口部減少。再者，所謂凹部30之寬度之增加率係指於朝z軸方向之正方向側移動單位長度時之凹部30之x軸方向之寬度或y軸方向之寬度的增加量。

而且，如圖3所示，凹部30的開口部之寬度W大於凹部30 之深度d。又，內周面S10之法線向量32與積層方向(z軸方向)在自凹部30的底部朝向開口部之方向所成之角θ1為80°以下。此係指絕緣體層28a之z軸方向之正方向側的平面(xy平面)與內周面S10的開口部之切線向量34所成之接觸角θ2為80°以下。其原因在於：如圖3之凹部30之放大圖所示，使法線向量32旋轉90°所得之向量為切線向量34，使z軸旋轉90°所得之軸為y軸。因此，原因在於：法線向量32與z軸所成之角、及切線向量34與y軸所成之角為相等之關係。再者，由於內周面S10係由連續之面構成，因此，法線向量32與積層方向(z軸方向)在自凹部30的底部朝向開口部之方向所成之角θ1自底部朝開口部連續地變大。

如圖2及圖3所示，於凹部30中填充有磁性材料21(絕緣材料)。磁性材料21係含有粉狀鐵酸鹽等磁粉之樹脂(含磁粉樹脂)。又，磁性材料21之磁導率高於絕緣體層28a~28e之磁導率。

如圖2及圖3所示，線圈導體16a(第1線圈導體)、16b(第2線圈導體)設置於積層體12內，且彼此電磁耦合，藉此，構成共模抗流線圈。又，線圈導體16a、16b係將Ag、Cu或Au等電氣導電性高之材料作為主成分之線狀導體。更詳細而言，線圈導體16a設置於絕緣體層28c之z軸方向之正方向側的面。線圈導體16b係設置於絕緣體層28d之z軸方向之正方向側的面之線狀導體。亦即，線圈導體16a、16b隔著絕緣體層28c而於z軸方向相對向。又，線圈導體16a、16b均呈一面順時針地圍繞於凹部30周圍，一面靠近中心之漩渦形狀。

抽出導體17a係將以Ag、Cu或Au等電氣導電性高之材料作為主成分之線狀導體，如圖2所示，該抽出導體17a設置於積層體12的 絕緣體層28b之z軸方向之正方向側的面。又，當自z軸方向俯視時，抽出導體17a自與線圈導體16a內側的端部重疊之位置抽出至電子零件10的側面S2為止。更詳細而言，抽出導體17a包含抽出部19a及連接部20a。當自z軸方向俯視時，抽出部19a之x軸方向之負方向側的一端與線圈導體16a內側的端部重疊。抽出部19a呈直線地自x軸方向之負方向側之一端延伸至絕緣體層28b之x軸方向之正方向側的邊附近為止，並且朝y軸方向之負方向側彎折。連接部20a連接於抽出部19a的另一端，且抽出至絕緣體層28b之x軸方向之正方向側的邊。藉此，連接部20a呈朝y軸方向延伸之線狀，自電子零件10的側面S2露出。

抽出導體17b係將Ag、Cu或Au等電氣導電性高之材料作為主成分之線狀導體，如圖2所示，該抽出導體17b設置於積層體12的絕緣體層28c之z軸方向之正方向側的面。自線圈導體16a外側的端部抽出至電子零件10的側面S1為止。更詳細而言，抽出導體17b包含抽出部19b及連接部20b。抽出部19b呈直線地自線圈導體16a外側的端部延伸至絕緣體層28c之x軸方向之負方向側的邊附近為止，並且朝y軸方向之負方向側彎折。連接部20b連接於抽出部19b的端部，且抽出至絕緣體層28c之x軸方向之負方向側的邊。藉此，連接部20b呈朝y軸方向延伸之線狀，自電子零件10的側面S1露出。

抽出導體17c係將Ag、Cu或Au等電氣導電性高之材料作為主成分之線狀導體，如圖2所示，該抽出導體17c設置於積層體12的絕緣體層28d之z軸方向之正方向側的面。自線圈導體16b外側的端部抽出至電子零件10的側面S1為止。更詳細而言，抽出導體17c包含抽出部19c及 連接部20c。抽出部19c呈直線地自線圈導體16b外側的端部延伸至絕緣體層28d之x軸方向之負方向側的邊附近為止，並且朝y軸方向之正方向側彎折。連接部20c連接於抽出部19c的端部，且抽出至絕緣體層28d之x軸方向之負方向側的邊。藉此，連接部20c呈朝y軸方向延伸之線狀，自電子零件10的側面S1露出。

抽出導體17d係將Ag、Cu或Au等電氣導電性高之材料作為主成分之線狀導體，如圖2所示，該抽出導體17d設置於積層體12的絕緣體層28e之z軸方向之正方向側的面。又，當自z軸方向俯視時，抽出導體17d自與線圈導體16b內側的端部重疊之位置抽出至電子零件10的側面S2為止。更詳細而言，抽出導體17d包含抽出部19d及連接部20d。當自z軸方向俯視時，抽出部19d之x軸方向之負方向側的一端與線圈導體16b內側的端部重疊。抽出部19d呈直線地自x軸方向之負方向側的一端延伸至絕緣體層28e之x軸方向之正方向側的邊附近為止，並且朝y軸方向之正方向側彎折。連接部20d連接於抽出部19d的另一端，且抽出至絕緣體層28e之x軸方向之正方向側的邊。藉此，連接部20d呈朝y軸方向延伸之線狀，自電子零件10的側面S2露出。

通孔導體v1係將Ag、Cu或Au等電氣導電性高之材料作為主成分之線狀導體，如圖2所示，該通孔導體v1於z軸方向貫通絕緣體層28b，且連接線圈導體16a內側的端部與抽出導體17a的抽出部19a之x軸方向之負方向側的一端。通孔導體v2係將Ag、Cu或Au等電氣導電性高之材料作為主成分之線狀導體，如圖2所示，該通孔導體v2於z軸方向貫通絕緣體層28d，且連接線圈導體16b內側的端部與抽出導體17d的抽出部19d 之x軸方向之負方向側的一端。

如圖1所示，外部電極14a、14b分別設置於電子零件10的側面S1，且與抽出導體17b、17c連接。又，外部電極14a、14b係將Ag作為基底而於其上實施Ni/Sn鍍敷所得之電極。更詳細而言，外部電極14a、14b分別以朝z軸方向延伸之方式設置於側面S1。又，外部電極14a、14b自y軸方向之負方向側朝正方向側依序排列。外部電極14a與抽出導體17b的連接部20b連接。又，外部電極14b與抽出導體17c的連接部20c連接。

如圖1所示，外部電極14c、14d分別設置於電子零件10的側面S2，且與抽出導體17a、17d連接。又，外部電極14c、14d係將Ag作為基底而於其上實施Ni/Sn鍍敷所得之電極。更詳細而言，外部電極14c、14d分別以朝z軸方向延伸之方式設置於側面S2。又，外部電極14c、14d自y軸方向之負方向側朝正方向側依序排列。外部電極14c與抽出導體17a的連接部20a連接。又，外部電極14d與抽出導體17d的連接部20d連接。

如圖2及圖3所示，於積層體12的絕緣體層28a之z軸方向之正方向側的面上設置有磁性體層22。當自z軸方向俯視時，磁性體層22呈長方形狀。又，磁性體層22係含有粉狀鐵酸鹽等磁粉之樹脂(含磁粉樹脂)。又，於本實施例中，磁性體層22與磁性材料21係由相同材料構成。

如圖2及圖3所示，於磁性體層22之z軸方向之正方向側的面上，進而隔著接著層24而設置有磁性體基板29(第2磁性體基板)。當自z軸方向俯視時，磁性體基板29呈長方形狀。磁性體基板29係由鐵酸鹽等磁性材料構成之磁性體基板，其隔著設置有線圈導體16a、16b等之絕緣體層28a~28e、磁性體層22及接著層24而位於磁性體基板31(第1磁 性體基板)之相反側。再者，接著層24係環氧樹脂等熱硬化型接著劑，其用以提高磁性體層22與磁性體基板29之接著強度。

於以上述方式構成之電子零件10中，當自z軸方向俯視時，線圈導體16a、16b重疊。藉此，線圈導體16a所產生之磁束通過線圈導體16b，線圈導體16b所產生之磁束通過線圈導體16a。因此，線圈導體16a與線圈導體16b磁耦合，且線圈導體16a與線圈導體16b構成共模抗流線圈。而且，將外部電極14a、14b用作輸入端子，將外部電極14c、14d用作輸出端子。亦即，差動傳送訊號自外部電極14a、14b輸入，且自外部電極14c、14d輸出。而且，於差動傳送訊號中含有共模雜訊之情形時，線圈導體16a、16b藉由共模雜訊之電流而朝相同方向產生磁束。因此，磁束彼此加強，產生相對於共模雜訊之電流的阻抗。其結果，共模雜訊之電流被轉換為熱，從而共模雜訊之電流通過線圈導體16a、16b時受到阻礙。又，於常模電流流動之情形時，線圈導體16a、16b朝反方向產生磁束。因此，磁束彼此抵消，不會相對於常模電流產生阻抗。因此，常模電流可通過線圈導體16a、16b。

(電子零件之製造方法)

以下，一面參照圖4~圖9，一面對以上述方式構成之電子零件10之製造方法進行說明。圖4~圖9係製造電子零件10時之剖面圖。再者，以下對圖4~圖9所示之一個電子零件10之製造方法進行說明，但實際上，製作由複數個積層體12、磁性體層22、接著層24及磁性體基板29連接而成之母積層體，對母積層體進行切割之後形成外部電極14，從而獲得複數個電子零件10。

首先，如圖4所示，於磁性體基板31上形成絕緣體層28e。具體而言，藉由旋塗法於磁性體基板31上塗布樹脂膜，藉此形成絕緣體層28e。

於已形成之絕緣體層28e上，藉由光微影技術形成抽出導體 17d(圖4~圖9中未圖示)。具體而言，藉由鍍敷、蒸鍍、濺鍍等，於絕緣體層28e的整個表面形成金屬膜。繼而，對金屬膜塗布感光性光阻膜，且進行曝光及顯影。其後，藉由蝕刻而除去自感光性光阻膜露出之金屬膜之部分之後，藉由有機溶劑除去感光性光阻膜。藉此，形成抽出導體17d(圖4~圖9中未圖示)。

其次，於絕緣體層28e及抽出導體17d(於圖4~圖9中未圖示)上，藉由光微影技術形成由聚醯亞胺樹脂構成之絕緣體層28d。具體而言，藉由旋塗法，於絕緣體層28e上塗布感光性樹脂膜。繼而，對感光性樹脂膜進行曝光及顯影而形成絕緣體層28d，該絕緣體層28d形成有成為通孔導體v2(圖4~圖9中未圖示)之通孔。

於已形成之絕緣體層28d上，藉由光微影技術形成將Ag、Cu或Au等電氣導電性高之材料作為主成分之線圈導體16b、抽出導體17c(圖4~圖9中未圖示)及通孔導體v2(圖4~圖9中未圖示)。具體而言，藉由鍍敷、蒸鍍、濺鍍等，於絕緣體層28d的整個表面形成金屬膜。此時，於絕緣體層28d的通孔中填充金屬，形成通孔導體v2(圖4~圖9中未圖示)。繼而，對金屬膜塗布感光性光阻膜，且進行曝光及顯影。其後，藉由蝕刻而除去自感光性光阻膜露出之金屬膜之部分之後，除去感光性光阻膜。藉此，形成線圈導體16b、抽出導體17c(圖4~圖9中未圖示)及通 孔導體v2(圖4~圖9中未圖示)。

其後，反復地進行與絕緣體層28d之形成步驟以及線圈導體16b、抽出導體17c(圖4~圖9中未圖示)及通孔導體v2(圖4~圖9中未圖示)之形成步驟相同之步驟。藉此，形成絕緣體層28a~28c、線圈導體16a、抽出導體17a、17b(圖4~圖9中未圖示)及通孔導體v1(圖4~圖9中未圖示)。藉由以上之步驟(第1步驟)完成積層體12。

進而，使用幹膜光阻及噴砂而形成凹部30(第2步驟)。更詳細而言，於絕緣體層28a上黏貼感光性樹脂膜50。於黏貼之後，如圖6所示，將光P照射至未形成凹部30之部分(受光部51)。繼而，藉由顯影除去未照射光P之部分(非受光部52)。接著，如圖7所示，對藉由顯影而被除去之部分進行噴砂B。此時，未藉由顯影而被除去之受光部51作為噴砂時之掩模發揮功能。繼而，削除絕緣體層28a~28e及磁性體基板31，形成凹部30。再者，藉由噴砂B，凹部30貫通絕緣體層28a~28e。而且，凹部30的底部到達磁性體基板31。再者，由於使用噴砂而同時於複數個絕緣體層28a~28e及磁性體基板31中形成凹部30，因此，凹部30的內周面S10成為無角且光滑之面。於形成凹部30之後，除去感光性樹脂膜50的受光部51。

其次，如圖8所示，藉由絲網印刷法將磁性材料21(絕緣材料)埋入至凹部30，並且形成磁性體層22(第3步驟)。具體而言，以使膏狀之含磁粉樹脂載置於絕緣體層28a上之狀態，推壓刮刀而使其滑動。其後，使膏狀之含磁粉樹脂熱硬化。藉此，將磁性材料21埋入至凹部30，並且形成磁性體層22。

接著，於磁性體層22上塗布環氧樹脂等熱硬化型接著劑，從而形成接著層24。繼而，如圖9所示，於接著層24上黏貼磁性體基板29。其後，藉由進行熱處理而使磁性體層22與磁性體基板29接著。

其次，藉由切塊而將積層體12、磁性體層22、接著層24及磁性體基板29之集合體分割為複數個晶片。繼而，對晶片實施滾筒研磨而進行去角。

其次，使用金屬掩模等遮蔽板，於積層體12、磁性體層22、接著層24及磁性體基板29上形成將Ag作為主成分之導體膜。

最後，於導體膜上實施Ni/Sn鍍敷。藉此，形成外部電極14。藉由以上步驟而完成電子零件10。

(效果)

以上述方式構成之電子零件10可抑制朝凹部30填充之磁性材料21之填充不良。電子零件10的凹部30係使用噴砂而同時形成於複數個絕緣體層28a~28e及磁性體基板31。藉此，電子零件10的凹部30的內周面S10由無角且光滑之面，即連續之面構成。因此，對於電子零件10而言，當將磁性材料21填充於凹部30時，於內周面S10的表面上不存在殘存有空去之面的接縫。其結果，電子零件10可抑制產生如在專利文獻1所記載之共模濾波器500中產生之磁性材料之填充不良。藉此，電子零件10可抑制由磁性材料21之填充不良引起之阻抗的降低。

然而，於專利文獻1所記載之共模濾波器500中，孔531~534自下而上地等間隔地擴大。另一方面，於電子零件10中，凹部30之寬度之增加率自底部朝開口部減少。藉此，於電子零件10中，接近於凹部30 的開口部之絕緣體層中之凹部30之佔有率，低於接近於共模濾波器500的凹部530的開口部之絕緣體層中之凹部530之佔有率。再者，此處所謂之佔有率係指各絕緣體層上之凹部30所佔之面積的比率。因此，於電子零件10中，可使用以設置線圈導體16a之空間大於共模濾波器500。其結果，於電子零件10中，可使線圈導體16a之匝數多於共模濾波器500。又，隨之亦可使線圈導體16b之匝數多於共模濾波器500。亦即，電子零件10之阻抗大於共模濾波器500之阻抗。

又，於電子零件10中，凹部30的底部位於磁性體基板31之主面之間。藉此，填充於凹部30之磁性材料21與磁性體基板31牢固地連接，確保由線圈導體16a、16b產生之磁束之磁束路徑到達磁性體基板31為止。因此，電子零件10可抑制磁束之洩漏，且可實現阻抗之穩定化。

進而，於電子零件10中，凹部30的開口部之寬度W大於凹部30之深度d。藉此，對於電子零件10而言，與凹部30的開口部之寬度W小於凹部30之深度d之情形相比較，磁性材料21易於到達底部為止，因此，不易產生磁性材料之填充不良。

於電子零件10中，包含絕緣體層28a之z軸方向之正方向側之面的平面與內周面S10的開口部所成之接觸角θ2為80°以下。藉此，當填充磁性材料21時，磁性材料21以自開口部沿著內周面S10之方式流動。藉此，不易產生磁性材料之填充不良。

又，專利文獻1所記載之共模濾波器500的凹部530係於各絕緣體層508~511中單獨地設置孔531~534，使孔531~534重合而形成。因此，共模濾波器500需要考慮使孔531~534重合時之位置偏移。具體而 言，需要進行設計而使上層之孔增大位置偏移之公差量。此與線圈514之匝數之減少、或共模濾波器500之大型化相關聯。另一方面，電子零件10的凹部30係使用噴砂而同時形成於複數個絕緣體層28a~28e及磁性體基板31。因此，電子零件10無需考慮各孔之位置偏移，因此，可抑制線圈導體16a、16b之匝數之減少及零件之大型化。

(其他實施形態)

本發明之電子零件並不限於上述實施形態之電子零件10，可於其宗旨之範圍內進行變更。例如，凹部30的剖面所描繪之曲線不僅包含抛物線，亦包含圓弧。亦即，凹部30的剖面只要描繪曲線即可。又，凹部30之形狀並不限於研缽狀，其內周面S10只要為曲面即可。進而，相對於形成凹部30時之噴砂之遮蔽方法並不限於黏貼感光性樹脂膜之方法。而且，當形成凹部30時，不僅可使用噴砂，亦可使用雷射加工，雷射加工之效果與噴砂相同。

再者，電子零件10亦可為僅設置有線圈導體16a或線圈導體16b中之任一者之線圈零件。又，電子零件10亦可內置有線圈以外之電路元件。

[產業上之可利用性]

如上所述，本發明對於內置有線圈之電子零件及其製造方法有用，尤其於可抑制阻抗之降低之方面優異。

10‧‧‧電子零件

12‧‧‧積層體

16a、16b‧‧‧線圈導體

21‧‧‧磁性材料

24‧‧‧接著層

28a~28e‧‧‧絕緣體層

29、31‧‧‧磁性體基板

30‧‧‧凹部

32‧‧‧法線向量

32z‧‧‧法線向量之積層方向成分

34‧‧‧切線向量

d‧‧‧深度

S10‧‧‧內周面

W‧‧‧寬度

Claims (15)

1. 一種電子零件，其特徵在於具備：積層體，其由複數個絕緣體層積層而構成，且設置有朝該絕緣體層之積層方向凹陷之凹部；絕緣材料，其填充於該凹部；以及第1線圈導體，設置於該積層體內，且圍繞於該凹部周圍；該凹部自該凹部的底部朝開口部彎曲，該凹部之內周面為曲面，該積層體之積層方向之一端之該絕緣體層為第1磁性體基板，且該凹部的底部位於該第1磁性體基板的主面之間。
2. 一種電子零件，其特徵在於具備：積層體，其由複數個絕緣體層積層而構成，且設置有朝該絕緣體層之積層方向凹陷之凹部；以及絕緣材料，其填充於該凹部；該凹部由實質上連續之面構成；該凹部的內周面之法線向量之積層方向成分實質上全部自該凹部的底部朝向開口部。
3. 如申請專利範圍第2項之電子零件，其進一步具備第1線圈導體，設置於該積層體內，且圍繞於該凹部周圍。
4. 如申請專利範圍第1或3項之電子零件，其中，該絕緣材料之磁導率高於該絕緣體層之磁導率。
5. 如申請專利範圍第1或3項之電子零件，其中，於該積層體內設置 有圍繞於該凹部周圍之第2線圈導體；該第2線圈於積層方向與該第1線圈相對向。
6. 如申請專利範圍第3項之電子零件，其中，該積層體之積層方向之一端之該絕緣體層為第1磁性體基板；該凹部的底部位於該第1磁性體基板。
7. 如申請專利範圍第3項之電子零件，其中，該積層體之積層方向之一端之該絕緣體層為第1磁性體基板；該凹部的底部位於該第1磁性體基板的主面之間。
8. 如申請專利範圍第6項之電子零件，其中，於隔著該第1線圈導體而處於該第1磁性體基板相反側之該積層體上，進一步具備第2磁性體基板。
9. 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其中，與積層方向正交之正交方向之該開口部之寬度大於積層方向之該凹部之深度。
10. 一種電子零件之製造方法，該電子零件具有：積層體，其由複數個絕緣體層積層而構成，且設置有朝該絕緣體層之積層方向凹陷之凹部；以及絕緣材料，其填充於該凹部；該凹部自該凹部的底部朝開口部彎曲；其特徵在於具備：第1步驟，其對該複數個絕緣體層進行積層而獲得該積層體；第2步驟，其於該積層體形成該凹部；以及第3步驟，其將該絕緣材料填充於該凹部；其中，藉由噴砂而進行該第2步驟。
11. 一種電子零件之製造方法，該電子零件具有：積層體，其由複數個 絕緣體層積層而構成，且設置有朝該絕緣體層之積層方向凹陷之凹部；以及絕緣材料，其填充於該凹部；該凹部由實質上連續之面構成；該凹部的內周面之法線向量之積層方向成分實質上全部自該凹部的底部朝向開口部；其特徵在於具備：第1步驟，其對該複數個絕緣體層進行積層而獲得該積層體；第2步驟，其於該積層體形成該凹部；以及第3步驟，其將該絕緣材料填充於該凹部。
12. 如申請專利範圍第11項之電子零件之製造方法，其中，藉由噴砂而進行該第2步驟。
13. 如申請專利範圍第10或11項之電子零件之製造方法，其中，該電子零件進一步具備第1線圈導體，該第1線圈導體設置於該積層體內，且圍繞於該凹部周圍；於該第1步驟中，在該絕緣體層上形成該第1線圈導體。
14. 如申請專利範圍第10或11項之電子零件之製造方法，其中，該電子零件進一步具備第1線圈導體，該第1線圈導體設置於該積層體內，且圍繞於該凹部周圍；該積層體之積層方向之一端之該絕緣體層為第1磁性體基板；該電子零件之製造方法進一步具備第4步驟，該第4步驟將第2磁性體基板積層於隔著該第1線圈導體而處於該第1磁性體基板相反側之該積層體上。
15. 一種電子零件之製造方法，該電子零件具有：積層體，其由複數個絕緣體層積層而構成，且設置有朝該絕緣體層之積層方向凹陷之凹部；絕 緣材料，其填充於該凹部；以及第1線圈導體，設置於該積層體內，且圍繞於該凹部周圍；該凹部自該凹部的底部朝開口部彎曲，該積層體之積層方向之一端之該絕緣體層為第1磁性體基板，且該凹部的底部位於該第1磁性體基板的主面之間；其特徵在於具備：第1步驟，其對該複數個絕緣體層進行積層而獲得該積層體；第2步驟，其於該積層體形成該凹部；以及第3步驟，其將該絕緣材料填充於該凹部。