JP2014093341A

JP2014093341A - 電子部品

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Publication number: JP2014093341A
Application number: JP2012241693A
Authority: JP
Inventors: Norizane Kudo; 敬実工藤; Miho KITAMURA; 未歩北村; Tomohiro Kido; 智洋木戸
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2012-11-01
Filing date: 2012-11-01
Publication date: 2014-05-19

Abstract

【課題】本発明の目的は、磁性体と非磁性体との間で生じる剥離やクラックを抑制しつつ、接着層の透磁率を向上させることを可能にする電子部品を提供することである。
【解決手段】本発明に係る電子部品１０は、磁性体部３０，３２、非磁性体部２２、及び磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間に介在する接着層２６，２８を焼結して成る焼結体１２と、回路素子１６ａ，１６ｂを備えている。接着層２６，２８は、磁性体部２２を構成する磁性材料、非磁性体部２２を構成する非磁性材料、及び、充填材からなる。非磁性材料の熱膨張係数は、磁性材料の熱膨張係数と充填材の熱膨張係数との間であること、特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品に関する、より特定的には、磁性材料及び非磁性材料からなる焼結体を有する電子部品に関する。

従来の電子部品の焼結体に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の複合電子部品用焼結体５００が知られている。図９は特許文献１に記載の複合電子部品用焼結体の断面図である。

複合電子部品用焼結体５００は、図９に示すように、誘電体材料からなる非磁性体５０２、磁性材料からなる磁性体５０３、及び、これらの誘電体材料と磁性材料を所定の割合で混合した混合材料５０４を備えている。非磁性体５０２と磁性体５０３とは、混合材料５０４を介して接合されている。これにより、複合電子部品用焼結体５００では、非磁性体５０２の熱膨張係数と磁性体５０３の熱膨張係数との差により焼結後に生じる、剥離やクラックを抑制することができる。

ところで、複合電子部品用焼結体５００では、混合材料５０４の組成が、非磁性体５０２の熱膨張係数と磁性体５０３の熱膨張係数に合わせて設計されている。例えば、誘電体材料及び磁性材料を５０ｗｔ％ずつの割合で混合して、混合材料５０４の熱膨張係数が、非磁性体５０２の熱膨張係数と磁性体５０３の熱膨張係数との中間の値になるように複合電子部品用焼結体５００を設計している。この場合、混合材料５０４の透磁率を上げるために磁性材料の構成比率を上げると、熱膨張係数が中間の値から外れてしまう。従って、複合電子部品用焼結体５００では、非磁性体５０２の熱膨張係数と磁性体５０３の熱膨張係数との中間の値に混合材料５０４の熱膨張係数を維持しつつ、混合材料５０４の透磁率を向上させることが困難だった。

特開平１−１９６１１３号公報

そこで、本発明の目的は、磁性体と非磁性体との間で生じる剥離やクラックを抑制しつつ、接着層の透磁率を向上させることを可能にする電子部品を提供することである。

本発明に係る電子部品は、磁性体部、非磁性体部、及び、該磁性体部と該非磁性体部との間に介在する接着層を焼結して成る焼結体と、前記焼結体に設けられている回路素子と、を備え、前記接着層は、前記磁性体部を構成する磁性材料、前記非磁性体部を構成する非磁性材料、及び、充填材から成り、前記非磁性材料の熱膨張係数は、前記磁性材料の熱膨張係数と前記充填材の熱膨張係数との間であること、を特徴とする。

本発明に係る電子部品によれば、磁性体と非磁性体との間で生じる剥離やクラックを抑制しつつ、接着層の透磁率を向上させることができる。

第１の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。第１の実施形態に係る電子部品の分解斜視図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。第１の実施形態に係る電子部品の製造時の断面図である。特許文献１に記載の複合電子部品用焼結体の断面図である。

以下に、第１の実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。

（第１の実施形態）
（電子部品の構成）
以下で、第１の実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る電子部品１０の分解斜視図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、z軸方向から平面視したときに、電子部品１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。

電子部品１０は、図１に示すように、直方体状を成している。また、電子部品１０は、図１及び図２に示すように、焼結体１２、外部電極１４ａ〜１４ｄ、コイル導体１６ａ，１６ｂ（回路素子）、引き出し導体１７ａ〜１７ｄ及びビアホール導体ｖ１，ｖ２、を備えている。なお、図１に示すように、電子部品１０のｘ軸方向の負方向側の面を側面Ｓ１と称し、ｘ軸方向の正方向側の面を側面Ｓ２と称す。

焼結体１２は、図１及び図２に示すように、直方体状を成しており、非磁性体部２２、接着層２６，２８、磁性体部３０，３２が積層されて構成されている。

非磁性体部２２は、図２に示すように、非磁性体層２２ａ〜２２eをｚ軸方向の正方向側からこの順に並ぶように積層することにより構成されている。また、非磁性体層２２ａ〜２２ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状を成している。なお、非磁性体層２２ａ〜２２ｅの材料は、非磁性材料のガラスである。

磁性体部３０は、図２に示すように、焼結体１２においてｚ軸方向の正方向側の一端に設けられている。また、磁性体部３２は、焼結体１２においてｚ軸方向の負方向側の他端に設けられている。そして、磁性体部３０，３２は、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状を成している。なお、本実施例において磁性体部３０，３２は、磁性材料のフェライトにより構成された磁性体基板である。

接着層２６は、図１及び図２に示すように、磁性体部３０と絶縁体層２２ａとの間に介在している。また、接着層２８は、磁性体部３２と絶縁体層２２ｅとの間に介在している。そして、接着層２６，２８は、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状を成している。

接着層２６，２８は、磁性体部３０，３２を構成する磁性材料、非磁性体部２２を構成する非磁性材料、及び、充填材により構成されている。より詳細には、接着層２６，２８は、フェライト、ガラス及びシリカから構成されている。また、その構成比率は、フェライトの構成比率α_Aが７０ｗｔ％、ガラスの構成比率α_Bが１３ｗｔ％、シリカの構成比率α_Cが１７ｗｔ％である。

ここで、ガラスの熱膨張係数は、フェライトの熱膨張係数とシリカの熱膨張係数との間の値である。更に、ガラスの熱膨張係数は、フェライトの熱膨張係数よりも小さい。本実施形態では、フェライトの熱膨張係数は９（ｐｐｍ／℃）であり、ガラスの熱膨張係数は５（ｐｐｍ／℃）である。また、充填材であるシリカの熱膨張係数は、０．５（ｐｐｍ／℃）である。そして、各物質の熱膨張係数に各物質の構成比率を乗じて、これらを合算することにより、接着層２６，２８の熱膨張係数が求まる。本実施例における接着層２６，２８の熱膨張係数は７（ｐｐｍ／℃）である。これは、接着層２６，２８におけるフェライトの構成比率α_Aを５０ｗｔ％、ガラスの構成比率α_Bを５０ｗｔ％としたときの、接着層２６，２８の熱膨張係数と同じである。

コイル導体１６ａ（第１のコイル導体），１６ｂ（第２のコイル導体）は、図２に示すように、非磁性体部２２内に設けられ、かつ、互いに電磁気的に結合することにより、コモンモードチョークコイルを構成している。より詳細には、コイル導体１６ａは、非磁性体層２２ｃのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている線状導体である。コイル導体１６ａは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、時計回りに旋回しながら中心に近づく渦巻状を成している。コイル導体１６ｂは、非磁性体層２２ｄのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている線状導体である。コイル導体１６ｂは、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、時計回りに旋回しながら中心に近づく渦巻状を成している。すなわち、コイル導体１６ａ，１６ｂは、非磁性体層２２ｃを挟んでｚ軸方向に対向している。

引き出し導体１７ａは、図２に示すように、非磁性体層２２ｂのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている。また、引き出し導体１７ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体１６ａの内側の端部と重なる位置から電子部品１０の側面Ｓ２まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体１７ａは、引き出し部１９ａ及び接続部２０ａを含んでいる。引き出し部１９ａのｘ軸方向の負方向側の一端は、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体１６ａの内側の端部と重なっている。引き出し部１９ａは、ｘ軸方向の負方向側の一端から非磁性体層２２ｂのｘ軸方向の正方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の負方向側に向けて折れ曲がっている。接続部２０ａは、引き出し部１９ａの他端に接続され、非磁性体層２２ｂのｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部２０ａは、電子部品１０の側面Ｓ２から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。

引き出し導体１７ｂは、図２に示すように、非磁性体層２２ｃのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている。また、引き出し導体１７ｂは、コイル導体１６ａの外側の端部から電子部品１０の側面Ｓ１まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体１７ｂは、引き出し部１９ｂ及び接続部２０ｂを含んでいる。引き出し部１９ｂは、コイル導体１６ａの外側の端部から非磁性体層２２ｃのｘ軸方向の負方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の負方向側に向かって折れ曲がっている。接続部２０ｂは、引き出し部１９ｂの端部に接続され、非磁性体層２２ｃのｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部２０ｂは、電子部品１０の側面Ｓ１から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。

引き出し導体１７ｃは、図２に示すように、非磁性体層２２ｄのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている。また、引き出し導体１７ｃは、コイル導体１６ｂの外側の端部から電子部品１０の側面Ｓ１まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体１７ｃは、引き出し部１９ｃ及び接続部２０ｃを含んでいる。引き出し部１９ｃは、コイル導体１６ｂの外側の端部から非磁性体層２２ｄのｘ軸方向の負方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の正方向側に向かって折れ曲がっている。接続部２０ｃは、引き出し部１９ｃの端部に接続され、非磁性体層２２ｄのｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部２０ｃは、電子部品１０の側面Ｓ１から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。

引き出し導体１７ｄは、図２に示すように、非磁性体層２２ｅのｚ軸方向の正方向側の面に設けられている。また、引き出し導体１７ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体１６ｂの内側の端部と重なる位置から電子部品１０の側面Ｓ２まで引き出されている。より詳細には、引き出し導体１７ｄは、引き出し部１９ｄ及び接続部２０ｄを含んでいる。引き出し部１９ｄのｘ軸方向の負方向側の一端は、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体１６ｂの内側の端部と重なっている。引き出し部１９ｄは、ｘ軸方向の負方向側の一端から非磁性体層２２ｅのｘ軸方向の正方向側の辺近傍まで直線的に延在していると共に、ｙ軸方向の正方向側に向けて折れ曲がっている。接続部２０ｄは、引き出し部１９ｄの他端に接続され、非磁性体層２２ｅのｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。これにより、接続部２０ｄは、電子部品１０の側面Ｓ２から、ｙ軸方向に延在する線状に露出している。

ビアホール導体ｖ１は、図２に示すように、非磁性体層２２ｂをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１６ａの内側の端部と引き出し導体１７ａの引き出し部１９ａのｘ軸方向の負方向側の一端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、図２に示すように、非磁性体層２２ｄをｚ軸方向に貫通しており、コイル導体１６ｂの内側の端部と引き出し導体１７ｄの引き出し部１９ｄのｘ軸方向の負方向側の一端とを接続している。

外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、図１に示すように、電子部品１０の側面Ｓ１に設けられており、引き出し導体１７ｂ，１７ｃと接続されている。より詳細には、外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、側面Ｓ１において、ｚ軸方向に延在するように設けられている。また、外部電極１４ａ，１４ｂは、ｙ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。外部電極１４ａは、引き出し導体１７ｂの接続部２０ｂと接続されている。また、外部電極１４ｂは、引き出し導体１７ｃの接続部２０ｃと接続されている。

外部電極１４ｃ，１４ｄはそれぞれ、図１に示すように、電子部品１０の側面Ｓ２に設けられており、引き出し導体１７ａ，１７ｄと接続されている。より詳細には、外部電極１４ｃ，１４ｄはそれぞれ、側面Ｓ２において、ｚ軸方向に延在するように設けられている。また、外部電極１４ｃ，１４ｄは、ｙ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。外部電極１４ｃは、引き出し導体１７ａの接続部２０ａと接続されている。また、外部電極１４ｄは、引き出し導体１７ｄの接続部２０ｄと接続されている。

以上のように構成された電子部品１０では、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体１６ａ，１６ｂが重なっている。これにより、コイル導体１６ａで発生した磁束がコイル導体１６ｂを通過するようになり、コイル導体１６ｂで発生した磁束がコイル導体１６ａを通過するようになる。したがって、コイル導体１６ａとコイル導体１６ｂとが磁気結合するようになり、コイル導体１６ａとコイル導体１６ｂとがコモンモードチョークコイルを構成するようになる。そして、外部電極１４ａ、１４ｂが入力端子として用いられ、外部電極１４ｃ，１４ｄが出力端子として用いられる。すなわち、差動伝送信号が、外部電極１４ａ，１４ｂから入力し、外部電極１４ｃ，１４ｄから出力する。そして、差動伝送信号にコモンモードノイズが含まれている場合には、コイル導体１６ａ，１６ｂは、コモンモードノイズの電流により、同じ方向に磁束を発生する。そのため、磁束同士が強め合うようになり、コモンモードノイズの電流に対するインピーダンスが発生する。その結果、コモンモードノイズの電流は、熱に変換されて、コイル導体１６ａ，１６ｂを通過することが妨げられる。一方、ノーマルモードの電流が流れた場合には、コイル導体１６ａ，１６ｂは、逆方向に磁束を発生する。そのため、磁束が打ち消し合うようになり、ノーマルモードの電流に対しては、インピーダンスが発生しない。従って、ノーマルモードの電流は、コイル導体１６ａ，１６ｂを通過することができる。

（電子部品の製造方法）
以上のように構成された電子部品１０の製造方法について図３乃至図８を参照しながら以下に説明する。図３乃至図８は、電子部品１０の製造時の断面図である。なお、以下では、図３乃至図８に示される一つの電子部品１０の図を用いて説明するが、実際には、複数の焼結体１２、磁性体部３０，３２、非磁性体部２２及び接着層２６，２８がつながったマザー電子部品を作製し、マザー電子部品をカットした後に外部電極１４を形成して、複数の電子部品１０を得る。

まず、アルミナ基板等の保持基板（図示せず）上にアルミナをバインダ及び溶剤と混合してペースト状にしたものをスクリーン印刷法で塗布後、溶剤分を乾燥し塗膜して保持層（図示せず）を形成する。更に、その上に磁性材料であるフェライトをバインダと混合してペースト状にした磁性体ペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥することで磁性体部３２を準備する。

次に、図３に示すように、磁性体部３２上に、フェライト、硼珪酸系ガラス及びシリカをバインダと混合したペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥することで接着層２８を形成する。なお、接着層２８を構成するフェライトは、磁性体部３２で用いられているフェライトと略同一の組成である。また、接着層２８を構成する硼珪酸系ガラスは、後述する非磁性体層２２ａ〜２２ｅで用いられている硼珪酸系ガラスと略同一の組成である。

続いて、図４に示すように、接着層２８上に硼珪酸ガラスにより成る非磁性体層２２ｅを形成する。具体的には、硼珪酸ガラスをバインダと混合してペースト状にした非磁性体ペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥することで非磁性体層２２ｅを形成する。

さらに、図５に示すように、非磁性体層２２ｅ上にＡｇ又はＣｕを主成分とする引き出し導体１７ｄを形成する。具体的には、Ａｇ又はＣｕを主成分とする感光性電極ペーストをスクリーン印刷により塗布し、フォトマスクを介して露光する。露光後に、アルカリ現像液によって現像を行うことによって、引き出し導体１７ｄを形成する。

そして、図６に示すように、非磁性体層２２ｅ及び引き出し導体１７ｄ上に非磁性層２２ｄを形成する。具体的には、硼珪酸系ガラスをバインダと混合してペースト状にした感光性の非磁性体ペーストをスクリーン印刷により塗布し、フォトマスクを介して露光する。露光後に、アルカリ現像液によって現像を行うことによって、ビアホール導体ｖ２となるビアホール（図示しない）が形成された非磁性体層２２ｄを形成する。

次に、図７に示すように、非磁性体層２２ｄ上にＡｇ又はＣｕを主成分とするコイル導体１６ｂ、引き出し導体１７ｃ（図示しない）及びビアホール導体ｖ２（図示しない）を形成する。具体的には、めっき、蒸着、スパッタリング等により非磁性体層２２ｄの表面全面に金属膜を形成する。この際、非磁性体層２２ｄのビアホールに金属が充填され、ビアホール導体ｖ２（図示しない）が形成される。そして、金属膜に対して感光性レジスト膜を塗布し、露光及び現像を行う。この後、感光性レジスト膜から露出した金属膜の部分をエッチングにより除去した後、感光性レジスト膜を除去する。これにより、コイル導体１６ｂ、引き出し導体１７ｃ（図示しない）及びビアホール導体ｖ２（図示しない）が形成される。

この後、磁性体部３２、接着層２８、非磁性体層２２ｄ,２２ｅの形成工程、及び、コイル導体１６ｂ、引き出し導体１７ｃ，１７ｄ及びビアホール導体ｖ２（図示しない）の形成工程と同様の工程を繰り返す。これにより、磁性体部３０、接着層２６、非磁性体層２２ａ〜２２ｃ、コイル導体１６ａ、引き出し導体１７ａ，１７ｂ及びビアホール導体ｖ１（図示しない）を形成する。以上により、電子部品１０の集合体であるマザー電子部品が完成する。

さらに、ダイシングにより、マザー電子部品を複数のチップに分割する。そして、チップに対してバレル研磨を施して面取りを行う。

次に、外部電極１４ａ〜１４ｄを形成する。まず、Ａｇを主成分とする導電性材料からなる電極ペーストを焼結体１２の側面に塗布する。次に、塗布した電極ペーストを約８００°の温度で１時間の条件で焼き付ける。これにより、外部電極１４ａ〜１４ｄの下地電極が形成される。

最後に、下地電極の表面にＮｉ／Ｓｎめっきを施す。これにより、外部電極１４ａ〜１４ｄが形成される。以上の工程により、電子部品１０が完成する。

（効果）
以上のように構成された電子部品１０によれば、接着層２６，２８の透磁率を向上させることができる。より詳細には、接着層２６，２８は、フェライトの構成比率が７０ｗｔ％、ガラスの構成比率が１３ｗｔ％、シリカの構成比率が１７％の割合で構成されている。すなわち、電子部品１０では、接着層２６，２８のフェライトの構成比率が５０ｗｔ％よりも高くなっている。これにより、電子部品１０及び焼結体１２では、接着層２６，２８の透磁率を向上させることができる。

また、電子部品１０によれば、接着層２６，２８の透磁率を向上させても、磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間で発生する剥離やクラックを抑制できる。より詳細には、フェライトの熱膨張係数は、ガラスの熱膨張係数よりも大きい。そのため、接着層２６，２８におけるフェライトの構成比率を７０ｗｔ％としガラスの構成比率を３０ｗｔ％とした場合には、接着層２６，２８の熱膨張係数がガラスの熱膨張係数とフェライトの熱膨張係数との中間値よりも大きくなってしまう。

そこで、電子部品１０では、接着層２６，２８の材料として、フェライト及びガラスに加えてシリカを用いている。ガラスの熱膨張係数は、フェライトの熱膨張係数とシリカの熱膨張係数との間の値である。具体的には、フェライトの熱膨張係数は９（ｐｐｍ／℃）であり、ガラスの熱膨張係数は５（ｐｐｍ／℃）であり、シリカの熱膨張係数は、０．５（ｐｐｍ／℃）である。これにより、接着層２６，２８におけるフェライトの構成比率を７０ｗｔ％としても、ガラスの構成比率を１３ｗｔ％とし、シリカの構成率を１７ｗｔ％とすれば、接着層２６，２８の熱膨張係数を７（ｐｐｍ／℃）とすることができる。すなわち、接着層２６，２８の熱膨張係数を、接着層２６，２８におけるフェライトの構成比率を５０ｗｔ％、ガラスの構成比率が５０ｗｔ％としたときの、接着層２６，２８の熱膨張係数と等しくすることができる。以上より、接着層２６，２８の透磁率を向上させても、磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間で生じる剥離やクラックを抑制することができる。

また、電子部品１０のようなコモンモードチョークコイルでは、コイルで発生した磁束が、接着層２６，２８を通過して、磁性体部３０，３２へと向かう。このとき、接着層２６，２８の透磁率が低いとコモンモードインピーダンスの低下を招来する。しかし、電子部品１０では、接着層２６，２８におけるフェライトの構成比率を上げて、透磁率を磁性体部３０，３２の透磁率に近づけている。従って、電子部品１０では、接着層２６，２８の透磁率に起因するコモンモードインピーダンスの低下を抑制することができる。

（第２の実施形態）
（電子部品の構成）
以下で、第２の実施形態に係る電子部品１０’について説明する。なお、図面については、図１及び図２を援用する。

電子部品１０と電子部品１０’との相違点は、非磁性体部２２の構成材料、接着層２６，２８の構成材料及び、接着層２６，２８の各材料の構成比率である。その他の点については、電子部品１０と電子部品１０’で相違しないので、説明を省略する。

電子部品１０’における非磁性体部２２’の構成材料は、ポリイミドである。また、接着層２６’，２８’の充填材は、炭酸カルシウムである。さらに、接着層２６’，２８’を構成する材料の比率は、フェライトが６０ｗｔ％、ポリイミドが２０ｗｔ％、炭酸カルシウムが２０ｗｔ％である。

ここで、ポリイミドの熱膨張係数は、フェライトの熱膨張係数と炭酸カルシウムの熱膨張係数との間の値である。更に、ポリイミドの熱膨張係数は、フェライトの熱膨張係数よりも大きい。本実施形態では、フェライトの熱膨張係数は９（ｐｐｍ／℃）であり、ポリイミドの熱膨張係数は２０（ｐｐｍ／℃）である。また、炭酸カルシウムの熱膨張係数は、２５（ｐｐｍ／℃）である。以上より、本実施例における接着層２６’，２８’の熱膨張係数は１４．４（ｐｐｍ／℃）である。これは、接着層２６’，２８’におけるフェライトの構成比率α_Aを５０ｗｔ％、ポリイミドの構成比率α_Bを５０ｗｔ％としたときの、接着層２６’，２８’の熱膨張係数１４．５（ｐｐｍ／℃）と略同じである。

以上のように構成された電子部品１０’によれば、接着層２６’，２８’の透磁率を向上させることができる。より詳細には、接着層２６’，２８’の構成比率は、フェライトの構成比率が６０ｗｔ％、ポリイミドの構成比率が２０ｗｔ％、炭酸カルシウムの構成比率が２０％である。すなわち、電子部品１０’では、フェライトの構成比率が５０ｗｔ％よりも高くなっている。これにより、電子部品１０’では、接着層２６’，２８’の透磁率を向上させることができる。またこれにより、電子部品１０’では、接着層２６’，２８’の透磁率に起因するコモンモードインピーダンスの低下を抑制することができる。

さらに、電子部品１０’によれば、接着層２６’，２８’の透磁率を向上させても、磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間で発生する剥離やクラックを抑制できる。より詳細には、フェライトの熱膨張係数は、ポリイミドの熱膨張係数よりも小さい。そのため、接着層２６，２８におけるフェライトの構成比率を６０ｗｔ％としポリイミドの構成比率を２０ｗｔ％とした場合には、接着層２６，２８の熱膨張係数がポリイミドの熱膨張係数とフェライトの熱膨張係数との中間値よりも小さくなってしまう。

そこで、電子部品１０’では、接着層２６’，２８’の材料として、フェライト及びポリイミドに加えて炭酸カルシウムを用いている。ポリイミドの熱膨張係数は、フェライトの熱膨張係数と炭酸カルシウムの熱膨張係数との間の値である。具体的には、フェライトの熱膨張係数は９（ｐｐｍ／℃）であり、ポリイミドの熱膨張係数は２０（ｐｐｍ／℃）であり、炭酸カルシウムの熱膨張係数は、２５（ｐｐｍ／℃）である。これにより、接着層２６’，２８’におけるフェライトの構成比率を６０ｗｔ％としても、ポリイミドの構成比率を２０ｗｔ％とし、シリカの構成率を２０ｗｔ％とすれば、接着層２６’，２８’の熱膨張係数を１４．４（ｐｐｍ／℃）とすることができる。すなわち、接着層２６’，２８’の熱膨張係数を、接着層２６’，２８’におけるフェライトの構成比率を５０ｗｔ％、ガラスの構成比率が５０ｗｔ％としたときの、接着層２６’，２８’の熱膨張係数と略等しくすることができる。以上より、接着層２６’，２８’の透磁率を向上させても、磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間で生じる剥離やクラックを抑制することができる。

また、本願発明者は、電子部品１０及び電子部品１０’が奏する効果をより明確にするために、以下に説明する実験を行った。

まず、接着層の熱膨張係数を電子部品１０から変更した第１〜７のサンプル、及び接着層の熱膨張係数を電子部品１０’から変更した第８〜１３のサンプルを作製した。さらに、作製した各サンプルを焼結した後、各サンプルにおける磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間で生じる剥離やクラックの有無を調べた。なお、第１〜第７のサンプルに関する、各接着層の材料組成比率、熱膨張係数及び実験結果を表１に示す。また、第８〜１３のサンプルに関する、各接着層の材料組成比率、熱膨張係数及び実験結果を表２に示す。

第１〜７のサンプルを比較すると、表１に示すように、第１〜５のサンプルでは、磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間で剥離やクラックは生じなかった。しかし、第６，７のサンプルでは、実用上問題はないが、磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間で剥離やクラックが生じた。これは、磁性体部がフェライト、非磁性体部がガラスにより構成され、接着層がフェライト、ガラス及びシリカにより構成される場合には、接着層の熱膨張係数が、７．０（ｐｐｍ／℃）以上８．０（ｐｐｍ／℃）以下であれば、磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間で生じる剥離やクラックをより効果的に抑制できることを示している。

第８〜１３のサンプルを比較すると、表２に示すように、第８〜１０のサンプルでは、磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間で剥離やクラックは生じなかった。しかし、第１１〜１３のサンプルでは、実用上問題はないが、磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間で剥離やクラックが生じた。これは、磁性体部がフェライト、非磁性体部がポリイミドにより構成され、接着層がフェライト、ポリイミド及び炭酸カルシウムにより構成される場合には、接着層の熱膨張係数が、１３．６（ｐｐｍ／℃）以上１４．５（ｐｐｍ／℃）以下であれば、磁性体部３０，３２と非磁性体部２２との間で生じる剥離やクラックをより効果的に抑制できることを示している。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、前記実施形態に係る電子部品１０，１０’に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、電子部品１０は、コイル導体１６ａ又はコイル導体１６ｂのいずれか一方のみが設けられたコイル部品であってもよい。また、電子部品１０，１０’は、コイル以外の回路素子、例えばコンデンサーであってもよい。

以上のように、本発明は、磁性材料及び非磁性材料からなる電子部品に有用であり、特に、磁性材料及び非磁性材料の間に介在する接着層における透磁率の向上を可能とする点において優れている。

１０，１０’ 電子部品
１２焼結体
１６ａ，１６ｂコイル導体（回路素子）
２２非磁性体部
２６，２８接着層
３０，３２磁性体部

Claims

磁性体部、非磁性体部、及び、該磁性体部と該非磁性体部との間に介在する接着層を焼結して成る焼結体と、
前記焼結体に設けられている回路素子と、
を備え、
前記接着層は、前記磁性体部を構成する磁性材料、前記非磁性体部を構成する非磁性材料、及び、充填材から成り、
前記非磁性材料の熱膨張係数は、前記磁性材料の熱膨張係数と前記充填材の熱膨張係数との間であること、
を特徴とする電子部品。
前記非磁性材料の熱膨張係数が、前記磁性材料の熱膨張係数よりも小さいこと、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
前記磁性材料はフェライトであり、
前記非磁性材料はガラスであり、
前記充填材はシリカであること、
を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
前記接着層の熱膨張係数は、７ｐｐｍ／℃以上８ｐｐｍ／℃以下であること、
を特徴とする請求項３に記載の電子部品。
前記非磁性材料の熱膨張係数が、前記磁性材料の熱膨張係数よりも大きいこと、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
前記磁性材料はフェライトであり、
前記非磁性材料はポリイミドであり、
前記充填材は炭酸カルシウムであること、
を特徴とする請求項５に記載の電子部品。
前記接着層の熱膨張係数は、１３．６ｐｐｍ／℃以上１４．５ｐｐｍ／℃以下であること、
を特徴とする請求項６に記載の電子部品。
前記磁性体部は、前記焼結体の両端部に設けられていること、
を特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の電子部品。
前記回路素子は、前記非磁性体部内に設けられる第１のコイル導体であること、
を特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の電子部品。
前記回路素子は、前記非磁性体部内に設けられる第１のコイル導体、及び前記非磁性体部内に設けられ、かつ、前記第１のコイルと対向する第２のコイル導体であること、
を特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の電子部品。