JP2018050015A - インダクタ部品およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】Ｑ値を向上できるインダクタ部品を提供する。
【解決手段】インダクタ部品は、互いに対向する２つの端面および２つの端面の間に接続された底面を含む素体と、素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルと、素体に設けられ、コイルに電気的に接続された２つの外部電極とを有する。一方の外部電極は、一方の端面と底面に渡って形成され、他方の外部電極は、他方の端面と底面に渡って形成される。コイルは、その軸方向が２つの端面および底面に沿うように、配置される。コイルは、軸方向に直交する平面に沿って巻回されたコイル配線を含む。コイル配線のアスペクト比は、１．０以上８．０未満である。
【選択図】図１

Description

本開示は、インダクタ部品およびその製造方法に関する。

従来、インダクタ部品としては、特開２０１４−１０７５１３号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタ部品は、実装面を含む部品本体と、実装面に形成された外部電極とを有する。部品本体は、複数の絶縁体層からなる素体と、素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルとを有する。

コイルは、絶縁体層上に形成されたコイル配線と、絶縁体層を貫通し複数のコイル配線を電気的に直列に接続するビア配線とからなる。コイルの軸は、実装面に対して略平行である。ビア配線は、実装面から最も遠い辺にのみ形成されている。

これにより、外部電極とビア配線との距離を大きくして、外部電極とコイル導体との間の浮遊容量を小さくすることができ、Ｑ特性の向上を図っている。

特開２０１４−１０７５１３号公報

しかしながら、前記従来のインダクタ部品では、Ｑ値の向上は未だ不十分であり、特に、高周波でのＱ値の向上には改善の余地があった。

そこで、本開示の課題は、Ｑ値を向上できるインダクタ部品を提供することにある。

前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
互いに対向する２つの端面および前記２つの端面の間に接続された底面を含む素体と、
前記素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルと、
前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された２つの外部電極と
を備え、
一方の前記外部電極は、一方の前記端面と前記底面に渡って形成され、他方の前記外部電極は、他方の前記端面と前記底面に渡って形成され、
前記コイルは、その軸方向が前記２つの端面および前記底面に沿うように、配置され、
前記コイルは、前記軸方向に直交する平面に沿って巻回されたコイル配線を含み、前記コイル配線のアスペクト比は、１．０以上８．０未満である。

ここで、コイル配線のアスペクト比とは、（コイル配線のコイルの軸方向の厚み）／（コイル配線の配線幅）である。なお、コイルの軸方向とは、コイルが巻き回された螺旋の中心軸に平行な方向を指す。また、コイル配線の配線幅とは、コイル配線の延伸方向に直交する断面（横断面）におけるコイルの軸方向と直交する方向の幅を指す。

前記インダクタ部品によれば、Ｑ値を高くできる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル配線のアスペクト比は、１．５以上６．０未満である。

前記実施形態によれば、Ｑ値をより高くできる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル配線は、互いに面接触して積層された複数のコイル導体層から構成されている。

前記実施形態によれば、アスペクト比が高く、かつ、矩形度が高いコイル配線を形成することができる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル配線を構成する前記複数のコイル導体層は、互いに配線長が等しく、該配線長に渡って互いに面接触している。

前記実施形態によれば、コイル配線全体に渡ってアスペクト比および矩形度を高くすることができる。なお、配線長とは、コイル導体層の延伸形状に沿った長さを指す。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル配線の配線幅は、６０μｍ以下である。

前記実施形態によれば、コイルの内径を確保でき、Ｑ値を高くできる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記コイル配線は、前記軸方向に沿って配線幅が変化しており、
前記コイル配線の内面の一部は、前記コイル配線の内側に突出しており、
前記内面における突出量ｅの、前記コイル配線の最大配線幅ｃに対する割合（ｅ／ｃ）は、２０％以下である。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記割合（ｅ／ｃ）は、５％以下である。

また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記コイル配線は、前記軸方向に沿って配線幅が変化しており、
前記コイル配線の最大配線幅ｃと最小配線幅との差ａの、前記最大配線幅ｃに対する割合（ａ／ｃ）は、４０％以下である。

前記実施形態によれば、高周波での抵抗損失を抑制して、Ｑ値を向上できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル導体層のアスペクト比は、２．０以下である。

前記実施形態によれば、アスペクト比の高いコイル配線を安定して形成できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記面接触するコイル導体層同士の間、および、前記コイル導体層と前記素体の間に、介在層が存在していない。

前記実施形態によれば、コイル導体層の間、および、コイル導体層と素体の間の密着強度の低下を防止できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記面接触するコイル導体層同士の間、および、前記コイル導体層と前記素体の間の少なくとも一部に、介在層が存在している。

前記実施形態によれば、コイル配線の形成に介在層を用いた工法を許容できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイル配線の横断面は、Ｔ字状、Ｉ字状またはＴ字状を積層した形状である。

前記実施形態によれば、アスペクト比の高いコイル配線を安定して形成できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記コイル配線を構成する前記複数のコイル導体層には、同一のコイル径方向の幅を有する第１コイル導体層および第２コイル導体層が存在し、
前記第１コイル導体層の配線幅の中心と前記第２コイル導体層の配線幅の中心とのずれ量ｄの、前記第１コイル導体層および前記第２コイル導体層の配線幅ｃに対する割合（ｄ／ｃ）は、２０％以下である。

前記実施形態によれば、高周波での抵抗損失を抑制して、Ｑ値を向上できる。

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記コイルの前記軸方向の長さは、前記素体の前記軸方向の幅の５０％以上である。

前記実施形態によれば、コイル長を大きくでき、Ｑ値を向上できる。なお、コイル長とは、コイルの軸方向の長さを指す。

また、インダクタ部品の製造方法の一実施形態では、前記複数のコイル導体層の一部を、セミアディティブ工法により形成している。

また、インダクタ部品の製造方法の一実施形態では、前記複数のコイル導体層の全てを、セミアディティブ工法により形成している。

また、インダクタ部品の製造方法の一実施形態では、前記複数のコイル導体層の一部を、めっき成長により形成している。

また、インダクタ部品の製造方法の一実施形態では、前記複数のコイル導体層の一部を、さらに、めっき成長により形成している。

また、インダクタ部品の製造方法の一実施形態では、前記複数のコイル導体層の全てを、さらに、めっき成長により形成している。

また、インダクタ部品の製造方法の一実施形態では、
前記素体を構成する第１絶縁層に第１溝を形成する工程と、
前記第１溝内に感光性導電ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ工法により、前記第１溝内に第１コイル導体層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に前記素体を構成する第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁層に第２溝を形成する工程と、
前記第２溝内に感光性導電ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ工法により、前記第２溝内に前記第１コイル導体層に面接触する第２コイル導体層を形成する工程と
を備える。

前記実施形態によれば、高アスペクト比のコイル配線の形成や、コイル配線の低電気抵抗化に一層有利となる。

本開示のインダクタ部品によれば、Ｑ値を高くできる。

インダクタ部品の第１実施形態を示す模式斜視図である。 インダクタ部品の模式断面図である。 図２に示すコイル配線の断面の拡大図である。 コイル配線のアスペクト比とインダクタ部品のＱ値との関係を示すグラフである。 インダクタ部品の第２実施形態のコイル配線を示す模式断面図である。 高アスペクト比のコイル配線を感光性ペースト工法により１段形成する場合を説明する説明図である。 高アスペクト比のコイル配線をセミアディティブ工法により１段形成する場合を説明する説明図である。 インダクタ部品の第３実施形態を示す透視斜視図である。 インダクタ部品の分解斜視図である。 コイル配線の模式断面図である。 割合（ａ／ｃ）が２０％であるときの信号周波数とインダクタ部品のＱ値の関係を示すグラフである。 割合（ａ／ｃ）が５％であるときの信号周波数とインダクタ部品のＱ値の関係を示すグラフである。 割合（ａ／ｃ）が３０％であるときの信号周波数とインダクタ部品のＱ値の関係を示すグラフである。 Ｉ字状の断面形状のコイル配線を示す断面写真である。 Ｔ字状の断面形状のコイル配線を示す断面写真である。 コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅よりも大きくした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。 コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅よりも大きくした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。 コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅よりも大きくした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。 コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅よりも大きくした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。 コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅と同じにした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。 コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅と同じにした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。 コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅と同じにした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。 コイル導体層の幅を絶縁層の溝の幅と同じにした状態で、コイル導体層を形成する方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態の他のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態の他のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態の他のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態の他のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態の他のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第４実施形態の他のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 コイル導体層の間の境界を示す断面写真である。 インダクタ部品の第５実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第５実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第６実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第６実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。 インダクタ部品の第６実施形態のコイル配線の製造方法を説明する説明図である。

以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

（第１実施形態）
図１は、インダクタ部品の第１実施形態を示す模式斜視図である。図２は、インダクタ部品の模式断面図である。図１と図２に示すように、インダクタ部品１は、素体１０と、素体１０の内部に設けられた螺旋状のコイル２０と、素体１０に設けられコイル２０に電気的に接続された第１外部電極３０および第２外部電極４０とを有する。図１では、コイル２０を模式的に３つの重なる楕円で表現しており、詳細構造は図示していない。また、図２の断面は、インダクタ部品１について、軸Ａを含みＸＹ平面に平行な面で切ったII−II断面に相当する。

インダクタ部品１は、第１、第２外部電極３０，４０を介して、図示しない回路基板の配線に電気的に接続される。インダクタ部品１は、例えば、高周波回路のインピーダンス整合用コイル（マッチングコイル）として用いられ、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器、医療用・産業用機器などに用いられる。

素体１０は、略直方体状に形成されている。素体１０の表面は、第１端面１５と、第１端面１５に対向する第２端面１６と、第１端面１５と第２端面１６の間に接続された底面１７とを有する。なお、図示するように、Ｘ方向は、第１端面１５および第２端面１６に直交する方向であり、Ｙ方向は、第１、第２端面１５，１６および底面１７に平行な方向であり、Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向に直交する方向であり、底面１７に直交する方向である。

素体１０は、複数の絶縁層を積層して構成される。絶縁層は、例えば、硼珪酸ガラスなどを主成分とするガラス材料や、フェライトなどを主成分とするセラミック材料、ポリイミドなどを主成分とする樹脂材料などからなる。絶縁層の積層方向は、素体１０の第１、第２端面１５，１６および底面１７に、平行な方向（Ｙ方向）である。すなわち、絶縁層は、ＸＺ平面に広がった層状である。なお、インダクタ部品１において、複数の絶縁層は、焼結されることにより各絶縁層の界面が見えない状態となっていてもよい。

第１外部電極３０および第２外部電極４０は、例えば、ＡｇまたはＣｕなどの導電性材料から構成される。第１外部電極３０は、第１端面１５と底面１７に渡って設けられたＬ字形状である。第２外部電極４０は、第２端面１６と底面１７に渡って設けられたＬ字形状である。

コイル２０は、例えば、ＡｇまたはＣｕなどの導電性材料から構成される。図示は省略しているが、引き出し配線などを介して、コイル２０の一端は、第１外部電極３０に接続し、コイル２０の他端は、第２外部電極４０に接続している。コイル２０は、軸Ａを中心として螺旋状（ヘリカル状）に巻き回され、その軸方向（以下、単に「軸方向」と記載する場合がある。）が第１、第２端面１５，１６および底面１７に沿うように、配置されている。言い換えると、コイル２０の外周面２０ａは、素体１０の第１、第２端面１５，１６および底面１７に対向する。コイル２０によって発生する磁束の向きは、コイル２０の内外周では軸Ａに沿った方向であるため、第１、第２端面１５，１６および底面１７には直交しない。これにより、第１、第２外部電極３０，４０は、コイル２０の磁束の妨げとならず、渦電流損による損失を低減できるため、インダクタ部品１のＱ値を向上できる。なお、コイル２０の軸方向は、Ｙ方向に一致する。

「コイル２０の軸方向が第１、第２端面１５，１６および底面１７に沿う」とは、コイル２０の軸方向が、第１、第２端面１５，１６および底面１７に完全に平行となる場合だけでなく、コイル２０の軸方向が、第１、第２端面１５，１６および底面１７の少なくとも１つに対してわずかに傾斜している場合も含み、実質的に平行となることを言う。

コイル２０は、軸方向に沿って積層された複数のコイル配線２１を含む。コイル配線２１は、軸方向に直交する絶縁層の主面（ＸＺ平面）上に巻回されて形成される。積層方向に隣り合うコイル配線２１は、絶縁層を厚み方向（Ｙ方向）に貫通するビア配線を介して、電気的に直列に接続される。このように、複数のコイル配線２１は、互いに電気的に直列に接続されながら、螺旋を構成している。なお、コイル２０は、１層のコイル配線２１から構成されていてもよく、例えば、絶縁層の主面上で１周未満に巻回された１層のコイル配線２１の両端が引き出し配線などを介してそれぞれ第１外部電極３０、第２外部電極４０に接続された構成であってもよい。

コイル２０の軸方向の長さＬは、好ましくは、素体１０の軸方向（Ｙ方向）の幅Ｈの５０％以上である。また、コイル２０の軸方向の長さＬは、好ましくは、素体１０の軸方向の幅Ｈの８０％以下である。なお、コイル２０の軸方向の長さＬは、コイル２０の軸方向両端のコイル配線２１によって定まり、引き出し配線などの第１外部電極３０、第２外部電極４０との接続部分は考慮しない。

図３は、図２に示すコイル配線２１の断面の拡大図である。なお、図２、図３の断面では、コイル配線２１がＺ方向に延伸しており、したがって、図２、図３に示されるコイル配線２１の断面は、コイル配線２１の横断面である。図３に示すように、コイル配線２１のアスペクト比は、１．０以上８．０未満であり、好ましくは、１．５以上６．０未満である。アスペクト比とは、（コイル配線２１の軸方向（Ｙ方向）の厚みｔ）／（コイル配線２１の配線幅ｗ）である。なお、図３では配線幅ｗは軸方向（Ｙ方向）に直交するＸ方向の幅となっている。また、図３ではコイル配線２１の断面は矩形状であるが、実際のコイル配線２１では矩形状とならない場合がある。この場合であっても、コイル配線２１のアスペクト比は、コイル配線２１の断面積とコイル配線２１の軸方向の最大厚みとから算出することができる。具体的には、上記厚みｔは、コイル配線２１の軸方向の最大厚みとし、上記配線幅ｗは、コイル配線２１の断面積をコイル配線２１の最大厚みで割った値とすればよい。これにより、コイル配線２１の内面や外面に凹凸が形成されていても、アスペクト比を容易に求めることができる。このように、コイル配線２１の断面形状は、矩形に限らず、楕円形や多角形、これらを凹凸させた形状なども含む。また、前述の説明のとおり、コイル配線２１は絶縁層の主面上に巻回された配線であって、絶縁層を厚み方向に貫通するビア配線とは区別されるものである。したがって、コイル配線２１のアスペクト比の算出には、ビア配線の厚みや配線幅は考慮されない。なお、コイル配線２１の内面とは、コイル配線２１の軸Ａ側を向いた面（図２の内側の面）を指し、コイル配線２１の外面とは、コイル配線２１の内面と対向する面（図２の外周面２０ａ）を指す。

なお、前記インダクタ部品１によれば、第１、第２外部電極３０，４０は、端面１５，１６と底面１７のみで露出するＬ字形状である。これにより、実装時に端面１５，１６側ではんだフィレットを形成することで実装基板との接合力は確保しつつ、第１、第２外部電極３０，４０を小型化にできる。また、これにより、コイル２０の磁束の遮蔽を低減でき、Ｑ値を向上できる。

また、コイル２０は、軸方向が素体１０の２つの端面１５，１６および底面１７に沿うように配置されている。つまり、コイル２０は横巻きである。このとき、コイル配線２１の軸方向の厚みｔを大きくしても、コイル配線２１と端面１５，１６および底面１７との間隔は変わらないため、コイル２０が素体１０の端面１５，１６および底面１７に接近することなく、コイル配線２１を高アスペクト化とできる。これにより、コイル配線２１を高アスペクト化した場合であっても、コイル配線２１と第１、第２外部電極３０，４０との間の浮遊容量の増加を回避することができる。また、コイル２０により発生する磁束は大部分が底面１７と平行となるため、素体１０の底面１７を実装基板に実装したときの実装基板内の金属による磁束の遮蔽を低減でき、Ｑ値を向上できる。

また、コイル配線２１のアスペクト比は１．０以上８．０未満である。該アスペクト比が１．０以上であることにより、コイル配線２１の内面の面積（これは高周波信号に対するコイル２０の表皮面積に相当する）の増加による高周波での電気抵抗の低減効果を得つつ、該アスペクト比が８．０未満であることにより、コイル配線２１の断面積の減少による電気抵抗増加効果を抑制できる。これにより、Ｌ値に対するＱ値の取得効率が高く、結果的にＱ値を向上できる。以下、これを詳細に説明する。

図４に、コイル配線のアスペクト比とインダクタ部品のＱ値との関係を示す。図４のグラフの横軸は、コイル配線のアスペクト比を示し、縦軸は、インダクタ部品のＱ値を示す。図４のグラフは、シミュレーションにおいて、コイル配線のアスペクト比を変化させたときに、得られたインダクタ部品のＱ値を示している。なお、シミュレーションにおいては、インダクタ部品のＬ値及びコイルの外径を一定にした上でアスペクト比を変化させている。つまり、同一のアスペクト比となるコイル配線の厚みと配線幅との組み合わせは無数に存在するが、その中で、所定のＬ値及び外径となる、コイル配線の厚み（コイルの軸方向の長さ）、配線幅（コイル内径）を設定している。なお、図４のグラフは、インダクタ部品について、チップサイズが０４０２サイズ（実装面が０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）であり、Ｌ値が１．５ｎＨであり、インダクタ部品への入力信号の信号周波数が１ＧＨｚであるときの状態を示す。また、コイルの外径とは、コイルを軸方向から見たときに、外周面２０ａに囲まれる面積から求められる値であり、当該面積を円周率で割った値の平方根（理論半径）の２倍である。

図４に示すように、インダクタ部品のＱ値は、アスペクト比に対して上に凸の曲線状となっており、アスペクト比が１．０以上８．０未満であるとき、高いＱ値を得られることが分かる。また、アスペクト比が１．５以上６．０未満であるときは、さらに高いＱ値を得られることが分かる。

つまり、本願発明者は、鋭意検討の結果、図４に示すアスペクト比とＱ値の関係を導き、アスペクト比とＱ値のグラフがピーク値を有することを見出した。この原因として、アスペクト比が０からピーク値までの間では、コイルの表皮面積の増加による高周波での電気抵抗の低減効果が支配的であり、Ｑ値が増加する。一方、アスペクト比がピーク値を超える範囲では、コイル配線の断面積の低減によるコイル配線の電気抵抗の上昇効果が支配的となり、Ｑ値が低減する。これに対して、従来例（特開２０１４−１０７５１３号公報）では、アスペクト比は、１．０よりも小さく、図４から、Ｑ値が非常に低いことがわかる。

また、前記インダクタ部品１によれば、コイル２０の軸方向の長さＬは、素体１０のコイル軸方向の幅Ｈの５０％以上である。このとき、素体１０に対するコイル２０が占める割合を大きくでき、必要なコイルの特性に対してより小型化できる。なお、このような構成は、コイル２０の軸方向が、第１、第２端面１５，１６および底面１７に沿うように配置されることによって実現される。つまり、コイル２０の軸Ａは、第１、第２外部電極３０，４０および実装基板と交差しないので、コイル２０の軸方向の長さＬを大きくしても、コイル２０は、第１、第２外部電極３０，４０および実装基板に接近しない。これにより、コイル２０と第１、第２外部電極３０，４０および実装基板上の配線パターンとの間の浮遊容量を大きくすることなく、コイル長を大きくできる。

また、コイル２０の軸方向の長さＬは、好ましくは、素体１０のコイル軸方向の幅Ｈの８０％以下であるので、コイル２０が形成されない絶縁層の量を一定量確保でき、素体１０の強度を確保できる。

なお、コイル配線２１の配線幅は、６０μｍ以下であることが好ましい。この場合、コイル２０の内径を確保でき、Ｑ値を高くできる。つまり、チップサイズに制約がある中、コイル２０の内径を確保しつつ、高アスペクト比の配線によるヘリカルコイルを形成できる。

（第２実施形態）
図５は、本開示のインダクタ部品の第２実施形態を示す模式断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、コイル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。

第１実施形態のコイル配線２１は、図２に示すように、単層から構成されているが、第２実施形態のコイル配線２１Ａは、図５に示すように、互いに面接触して積層された３層のコイル導体層２１０ａ〜２１０ｃから構成されている。なお、コイル配線２１Ａは、２層または４層以上のコイル導体層から構成されていてもよい。

具体的に述べると、コイル配線２１Ａは、多段形成される。例えば、第１絶縁層１１ａに第１溝を形成し、この第１溝に第１コイル導体層２１０ａを埋め込む。その後、第１絶縁層１１ａ上に第２絶縁層１１ｂを形成し、第２絶縁層１１ｂに第２溝を形成し、この第２溝に第２コイル導体層２１０ｂを埋め込む。その後、第２絶縁層１１ｂ上に第３絶縁層１１ｃを形成し、第３絶縁層１１ｃに第３溝を形成し、この第３溝に第３コイル導体層２１０ｃを埋め込み、そして、第３絶縁層１１ｃ上に第４絶縁層１１ｄを形成する。これにより、第１〜第３コイル導体層２１０ａ〜２１０ｃは、互いに面接触するように積層されて、コイル配線２１Ａを構成する。第１〜第４絶縁層１１ａ〜１１ｄは、積層されて素体１０の一部を構成し、コイル配線２１Ａを覆う。なお、コイル導体層２１０ａ〜２１０ｃは、感光性導電ペーストを塗布した後に、必要な部分を光硬化させパターニングする感光性ペースト工法により形成することができる。なお、感光性導電ペーストを塗布する際は、材料使用率の向上のため、スクリーン印刷で塗布することが好ましい。この他にも、コイル導体層２１０ａ〜２１０ｃは、導電ペーストをスクリーン印刷などで塗布した後に焼成して形成してもよいし、めっき工法やスパッタリング法などによって形成してもよい。

したがって、本実施形態の構成であれば、アスペクト比の高いコイル配線を形成することがプロセス的に困難な場合でも、複数のコイル導体層２１０ａ〜２１０ｃを積層してコイル配線２１Ａを構成することで、アスペクト比が高く、かつ、矩形度が高いコイル配線２１Ａを形成することができる。つまり、高アスペクト化のためにコイル導体層の１層あたりの厚みを厚くする必要がなくなるため、感光性ペーストやフォトレジストの硬化深度不足などによる断面形状の歪が低減でき、プロセスの制約を超えたアスペクト比のコイル配線を形成することができる。

これに対して、図６Ａは、高アスペクト比のコイル配線１２１を、例えば感光性ペースト工法により１段形成する場合のコイル配線１２１の形状を示している。感光性ペースト工法では、絶縁層１１１上に感光性導電ペーストを塗布し、その後、該ペーストのうち、コイル配線１２１を形成する部分に露光を行い、未露光部分を除去した後、焼結を経てコイル配線１２１が形成される。しかし、アスペクト比が高い場合、露光時に感光性導電ペーストの底部側を十分に光硬化させることができず、焼結時に底部の収縮率が上部側よりも大きくなるため、コイル配線１２１の底部側で上部側よりも配線幅が小さくなり、形状がいびつになる。

また、図６Ｂは、高アスペクト比のコイル配線１２１を、例えばセミアディティブ工法により１段形成する場合のコイル配線１２１の形状を示している。セミアディティブ工法では、絶縁層１１１上にシード層（介在層）１３１を無電解めっきで形成し、シード層１３１上に感光性レジスト１３２を形成し、コイル配線１２１を形成する部分の感光性レジスト１３２をフォトリソグラフィにより除去した上で、該除去した部分にコイル配線１２１をシード層１３１を用いた電解めっきで形成する。しかし、アスペクト比が高い場合、感光性レジスト１３２のフォトリソグラフィ時に感光性レジスト１３２の底部側を十分に光硬化させることができず、エッチング時に底部側が必要以上に除去されるため、コイル配線１２１の底部側で上部側よりも配線幅が大きくなり、形状がいびつになる。
なお、このようなコイル配線の形状の問題は、スクリーン印刷や他のめっき工法、スパッタリング法などでも本質的には発生するものであり、それぞれのプロセスには形状の安定したコイル配線を形成するためにはアスペクト比の制約が存在する。

一方、本実施形態のコイル配線２１Ａは多段形成されるので、絶縁層１１ａ〜１１ｃの溝において光硬化深度の影響が無い深さの範囲内で、コイル導体層２１０ａ〜２１０ｃを形成するため、コイル導体層２１０ａ〜２１０ｃは矩形状になる。これにより、高周波での電流密度分布が安定する。

また、本実施形態では、コイル配線２１Ａを感光性ペースト工法の底部の未露光部がなくなるため、焼成時の収縮量の差による焼成後の空隙が発生し難くなる。
なお、本実施形態の構成であれば、面接触するコイル導体層２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ同士の間、およびコイル導体層２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃと素体１０との間に、図６Ｂのシード層１３１のような介在層が存在していない。したがって、コイル配線のうち、無電解めっきで形成された部分（シード層１３１）、電解めっきで形成された部分のようなプロセスの違いや、コイル配線１２１と絶縁層１１１との材料の違いなどに起因するコイル配線１２１の密着強度の低下が発生しない。これにより、多段に形成されたコイル導体層２１０ａ〜２１０ｃの間の密着強度の低下を防止でき、さらに、コイル導体層２１０ａ〜２１０ｃと素体１０の間の密着強度の低下を防止できる。

また、コイル導体層２１０ａ〜２１０ｃのアスペクト比は、好ましくは、２．０以下であり、アスペクト比の高いコイル配線を安定して形成できる。つまり、感光性ペーストやフォトレジストの硬化深度不足によるコイル配線２１Ａの形状の歪の影響が小さくなる。
なお、図５では、コイル導体層２１０ａ〜２１０ｃの界面を図示しているが、実際には、焼成により界面が目立たなくなり、コイル導体層２１０ａ〜２１０ｃが実質的に一体化している場合もあり得る。

（第３実施形態）
図７は、本開示のインダクタ部品の第３実施形態を示す透視斜視図である。図８は、インダクタ部品の分解斜視図である。図７では、コイル２０Ｂおよび第１、第２外部電極３０，４０を実線で描いて示す。図８では、素体１０の絶縁層を省略して描いている。第３実施形態は、第１実施形態とは、コイル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。

第１実施形態のコイル配線２１は、図２に示すように、単層から構成されているが、第３実施形態のインダクタ部品１Ｂのコイル２０Ｂのコイル配線２１Ｂは、図７と図８に示すように、積層された３層のコイル導体層２１０から構成されている。隣り合うコイル配線２１Ｂは、ビア配線２２を介して、電気的に直列に接続される。第１外部電極３０は、素体１０に埋め込まれて積層された複数の電極導体層３１０から構成される。第２外部電極４０は、素体１０に埋め込まれて積層された複数の電極導体層４１０から構成される。したがって、コイル配線２１Ｂを複数のコイル導体層２１０から構成することで、第２実施形態で説明したように、アスペクト比が高く、かつ、矩形度が高いコイル配線２１Ｂを形成することができる。

図９は、コイル配線２１Ｂの模式断面図を示す。コイル配線２１Ｂは、第１コイル導体層２１０ａ、第２コイル導体層２１０ｂおよび第３コイル導体層２１０ｃから構成される。第１コイル導体層２１０ａ、第２コイル導体層２１０ｂおよび第３コイル導体層２１０ｃは、コイルの軸方向（Ｙ方向）に沿って、順に配置される。なお、図９の断面は、図３と同様にコイル配線２１Ｂの横断面を示しており、図面右側（Ｘ軸方向側）がコイル配線２１Ｂおよびコイル導体層２１０の内面側（内側）、図面左側（逆Ｘ軸方向側）がコイル配線２１Ｂおよびコイル導体層２１０の外面側（外側）となる。

第１コイル導体層２１０ａと第３コイル導体層２１０ｃの配線幅ｃは、第２コイル導体層２１０ｂの配線幅ｂよりも大きい。すなわち、コイル配線２１Ｂは、軸方向に沿って配線幅が変化している。

第１、第３コイル導体層２１０ａ，２１０ｃの内径の中心と、第２コイル導体層２１０ｂの内径の中心は、コイル径方向に対して一致しており、図９の横断面形状は、コイル配線２１Ｂの配線長に渡って同様となっている。ここで、コイル配線２１Ｂの最大配線幅ｃと最小配線幅ｂとの差ａの、最大配線幅ｃに対する割合（ａ／ｃ）は、４０％以下である。

したがって、第１、第３コイル導体層２１０ａ，２１０ｃの内面２１１ａ，２１１ｃと第２コイル導体層２１０ｂの内面２１１ｂとのずれが一定以下に抑制され（コイル配線２１Ｂの矩形性が確保され）、コイル配線２１Ｂの内面のうち、高周波信号の電流密度が高い領域の面積（実質的なコイルの表皮面積）の減少を抑制できる。これにより、高周波での抵抗損失を抑制して、Ｑ値を向上できる。

前記割合（ａ／ｃ）は、好ましくは、５％以下である。これにより、高周波での抵抗損失をより抑制して、Ｑ値をより向上できる。

図１０Ａ〜図１０Ｃに、割合（ａ／ｃ）を変化させたときの信号周波数とインダクタ部品のＱ値の関係を示す。図１０Ａに、割合（ａ／ｃ）が４０％であるときの状態をグラフＬ１で示し、図１０Ｂに、割合（ａ／ｃ）が１０％であるときの状態をグラフＬ２で示し、図１０Ｃに、割合（ａ／ｃ）が６０％であるときの状態をグラフＬ３で示す。図１０Ａ〜図１０Ｃにおいて、割合（ａ／ｃ）が０％であるときの状態、つまり、全てのコイル導体層の配線幅が同じであり、全てのコイル導体層の内面にずれがない状態を、グラフＬ０で示す。

まず、割合（ａ／ｃ）が０％であるときは、コイル導体層の内面にずれがないため、グラフＬ０に示すように信号周波数ｆがＧＨｚを超える高周波となっても、一定の表皮面積が確保され、Ｑ値の低下は見られない。一方、割合（ａ／ｃ）が０％を超え、コイル導体層の内面にずれがあると、信号周波数ｆが高周波になるにつれ、配線幅の小さいコイル導体層の内面（図９のコイル導体層２１０ｂ）における高周波信号の電流密度が低下し、表皮面積が減少するため、高周波での抵抗損失が増加する。具体的には、グラフＬ１〜Ｌ３に示すように、一定の周波数を超えた領域では、グラフＬ０と比較してＱ値の低下が発生する。しかし、割合（ａ／ｃ）が４０％であるときは、図１０Ａに示すように、１ＧＨｚを超える信号周波数についてもＱ値の低下が発生していない。さらに、割合（ａ／ｃ）が１０％であるときは、図１０Ｂに示すように、２ＧＨｚ付近の信号周波数についてもＱ値の低下が発生していない。なお、割合（ａ／ｃ）が６０％であるときは、図１０Ｃに示すように、１ＧＨｚ以下の信号周波数でもグラフＬ０と比較してＱ値の低下がみられるとともに、１ＧＨｚを超えた信号周波数では明らかにグラフＬ０と比較してＱ値の低下がみられる。

なお、前記割合（ａ／ｃ）でなく、以下の割合で評価してもよい。図９に示すように、第１、第３コイル導体層２１０ａ，２１０ｃの内面２１１ａ，２１１ｃは、第２コイル導体層２１０ｂの内面２１１ｂよりも、内側（Ｘ方向側）にずれている。すなわち、コイル配線２１Ｂの内面２１１ａ〜２１１ｃは、コイル配線２１Ｂの内側に突出している。このとき、内面２１１ａ〜２１１ｃにおける突出量ｅの、コイル配線２１Ｂの最大配線幅ｃに対する割合（ｅ／ｃ）は、２０％以下であり、好ましくは、５％以下である。このように、高周波での抵抗損失の抑制によるＱ値向上については、表皮面積を構成するコイル配線２１Ｂ、コイル導体層２１０ａ〜２１０ｃの内面２１１ａ〜２１１ｃに着目すればよく、この場合、コイル配線２１Ｂ、コイル導体層２１０ａ〜２１０ｃの外面のずれ量、突出量はどのような値であってもよい。このとき、第１、第３コイル導体層２１０ａ，２１０ｃのコイル径方向の中心と、第２コイル導体層２１０ｂのコイル径方向の中心は、コイル径方向に対してずれていてもよい。

また、本実施形態では、図９に示すように、コイル配線２１Ｂの横断面は、Ｉ字状であるが、例えばコイル配線２１Ｂが第１、第２コイル導体層２１０ａ、２１０ｂのみ、または第２、第３コイル導体層２１０ｂ、２１０ｃのみによって構成されることによって、コイル配線２１Ｂの横断面はＴ字状であってもよい。

さらに、コイル配線２１Ｂの横断面は、Ｔ字状を積層した形状であってもよい。例えば、１つのコイル配線２１Ｂを構成するコイル導体層が３つ以上あるとき、配線幅が小さいコイル導体層と、配線幅が大きいコイル導体層を交互に積層してもよい。

Ｉ字状の横断面とは、図９にて分かりやすく単純化して示しているが、実際の断面写真では、図１１Ａに示す形状である。また、Ｔ字状の横断面とは、実際の断面写真では、図１１Ｂに示す形状である。図１１Ｂでは、下側のコイル配線がＴ字状を示し、上側のコイル配線が逆Ｔ字状を示す。

上記のように、コイル配線２１Ｂの横断面が、Ｔ字状、Ｉ字状またはＴ字状を積層した形状である場合、アスペクト比の高いコイル配線２１Ｂを安定して形成できる。つまり、絶縁層に形成した溝にコイル導体層の材料を埋め込み繋げることで、高アスペクトのコイル配線を形成する工法の場合、コイル導体層の配線幅よりも絶縁層に形成する溝幅を細くすることで、コイル導体層の形成位置のズレによるコイル配線の形成不良を防止することができる。

以下、コイル配線の横断面に相当する図１２Ａ〜図１２Ｄを用いて具体的に述べる。図１２Ａに示すように、第１絶縁層１１ａに、フォトリソグラフィ工程などにより、第１溝１１０ａを形成する。なお、図１２Ａでは、第１溝１１０ａの深さは第１絶縁層１１ａの厚みより小さいが、これは例えばハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ法や、第１絶縁層１１ａを２層で形成するなど、公知の方法で実現可能である。また、第１溝１１０ａは第１絶縁層１１ａを貫通する深さで形成してもよい。次に、図１２Ｂに示すように、第１絶縁層１１ａ上および第１溝１１０ａ内に感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、感光性導電ペースト層を形成する。さらに、感光性導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等の現像液で現像する。これにより、第１コイル導体層２１０ａは、第１絶縁層１１ａ上および第１溝１１０ａ内に形成される。このとき、フォトマスクのパターン設計により、第１コイル導体層２１０ａの配線幅ｇを、第１溝１１０ａの幅ｆよりも、大きく形成する。

その後、図１２Ｃに示すように、第１絶縁層１１ａ上に第２絶縁層１１ｂを形成する。そして、第２絶縁層１１ｂに、フォトリソグラフィ工程などにより、第２溝１１０ｂを形成する。このとき、フォトリソグラフィ工程におけるマスクのアライメントずれなどにより、第２溝１１０ｂの位置が、仮想線に示す正しい位置からずれて形成されるとする。

その後、図１２Ｄに示すように、第２絶縁層１１ｂ上および第２溝１１０ｂ内に感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、感光性導電ペースト層を形成する。さらに、感光性導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等の現像液で現像する。これにより、第２コイル導体層２１０ｂは、第２絶縁層１１ｂ上および第２溝１１０ｂ内に形成される。このとき、第２溝１１０ｂの位置がずれて形成されていても、第２コイル導体層２１０ｂの配線幅ｇは、第２溝１１０ｂの幅ｆよりも、大きいので、第２溝１１０ｂ内には、第２コイル導体層２１０ｂが充填される。

これに対して、絶縁層に形成する溝の幅ｆとコイル導体層の配線幅ｇを同一幅で形成する場合、つまり、第１、第２溝１１０ａ，１１０ｂの幅ｆをコイル導体層２１０ａ，２１０ｂの配線幅ｇと同じにする場合を、同じくコイル配線の横断面に相当する図１３Ａ〜図１３Ｄを用いて説明する。まず、図１３Ａに示すように、第１絶縁層１１ａに第１溝１１０ａを形成し、第１溝１１０ａ内に感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、感光性導電ペースト層を形成する。さらに、感光性導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等の現像液で現像する。このように、第１溝１１０ａの形成位置と、第１コイル導体層の形成位置が一致する場合は、第１コイル導体層２１０ａは、第１溝１１０ａ内に形成される。

その後、図１３Ｂに示すように、第１絶縁層１１ａ上に第２絶縁層１１ｂを形成する。そして、第２絶縁層１１ｂに、フォトリソグラフィ工程などにより、第２溝１１０ｂを形成する。このとき、フォトリソグラフィ工程におけるマスクのアライメントずれなどにより、第２溝１１０ｂの位置が、仮想線に示す正しい位置からずれて形成されるとする。

その後、図１３Ｃに示すように、第２絶縁層１１ｂ上および第２溝１１０ｂ内に感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、感光性導電ペースト層を形成する。さらに、感光性導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等の現像液で現像して、第２コイル導体層２１０ｂを形成する。このとき、第２溝１１０ｂの位置がずれて形成されていると、第２溝１１０ｂの幅ｆは、第２コイル導体層２１０ｂの幅ｇと同じであるので、第２溝１１０ｂ内には、感光性導電ペースト層が充填されない。つまり第２溝１１０ｂが、スクリーン印刷による塗布位置とずれるため、第２コイル導体層２１０ｂとなるべき感光性導電ペースト層と第２溝１１０ｂとの間に隙間が形成されてしまう。この結果、感光性導電ペースト層のフォトリソグラフィ工程において、第２溝１１０ｂの隙間から現像液が進入してしまう。感光性導電ペースト層の下層側は上層側に比べて光硬化が進んでおらず、現像液によって除去される可能性があり、この場合、図１３Ｄに示すように、第２コイル導体層２１０ｂが、第２溝１１０ｂから剥がれるおそれがある。

なお、図１３Ｂのように第２溝１１０ｂの形成位置がずれた場合、第２コイル導体層２１０ｂの形成時に、感光性導電ペーストのスクリーン印刷の塗布形状にマージンを持たせることによって、感光性導電ペースト層を第２溝１１０ｂに充填することは可能である。しかし、この場合であっても、フォトリソグラフィ工程における感光性導電ペーストの露光位置と、第２溝１１０ｂの形成位置がずれるため、第２溝１１０ｂに充填された感光性導電ペースト層の一部は光硬化せず、現像によって除去され、第２溝１１０ｂに隙間ができる。よって、現像液によって、図１３Ｄに示すように、第２コイル導体層２１０ｂが、第２溝１１０ｂから剥がれるおそれがある。

さらに、上記では、第２溝１１０ｂの形成位置がずれる場合を説明したが、第２溝１１０ｂの形成位置がずれない場合であっても、第２コイル導体層２１０ｂの形成時に、スクリーン印刷のマスクずれや、フォトリソグラフィ工程のフォトマスクのずれにより、同様の問題は発生するおそれがある。したがって、コイル配線２１Ｂの横断面は、Ｔ字状、Ｉ字状またはＴ字状を積層した形状であることが好ましい。

また、この第３実施形態では、複数のコイル導体層の配線幅の相互関係の割合について説明しているが、複数のコイル導体層は、同一の配線幅を有する第１コイル導体層および第２コイル導体層を有するようにしてもよい。このとき、例えば、第１コイル導体層の内径の中心と、第２コイル導体層の内径の中心が、ずれる場合が考えられる。この場合であっても、第１コイル導体層の配線幅の中心と第２コイル導体層の配線幅の中心とのずれ量ｄの、第１コイル導体層および第２コイル導体層の配線幅ｃに対する割合（ｄ／ｃ）は、２０％以下であることが好ましく、さらに好ましくは、５％以下である。この場合、第１コイル導体層の内面と第２コイル導体層の内面とのずれが抑制されており、高周波での抵抗損失を抑制して、Ｑ値を向上できる。

（第４実施形態）
図１４Ａ〜図１４Ｊは、本開示のインダクタ部品の第４実施形態の製造方法を示す説明図である。第４実施形態は、第２実施形態とは、コイル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。

第２実施形態のコイル配線２１Ａでは、図５に示すように、隣り合うコイル導体層の間、および、コイル導体層と素体の間に、介在層が存在していないが、第４実施形態のコイル配線２１Ｃでは、図１４Ｊに示すように、隣り合うコイル導体層２１０ａ〜２１０ｃの間、および、コイル導体層２１０ａと絶縁層１１ａ（素体）の間の少なくとも一部に、介在層の一例としてのシード層５１，５２，５３が存在している。したがって、コイル配線２１Ｃの形成にシード層５１，５２，５３の界面が必要な工法を許容できる。例えば、導電ペーストを用いた工法と比較して、高アスペクト比のコイル配線の形成や、コイル配線の低抵抗化に有利なセミアディティブ工法を適用できる。

前記コイル配線２１Ｃの製造方法を説明する。

図１４Ａに示すように、第１絶縁層１１ａ上に第１シード層５１を例えば無電解メッキにより形成し、第１シード層５１上に感光性の第１レジスト６１を形成し、第１コイル導体層２１０ａを形成する位置にある第１レジスト６１の部分を除去する。そして、第１シード層５１を通じた電解めっきにより、除去された第１レジスト６１の部分を充填するように第１めっき成長層５１ａを形成する。そして、図１４Ｂに示すように、第１レジスト６１を剥離して、図１４Ｃに示すように、めっき成長層５１ａの下方以外の第１シード層５１をエッチングする。このように、第１シード層５１と第１めっき成長層５１ａとから構成される第１コイル導体層２１０ａをセミアディティブ工法により形成する。

その後、図１４Ｄに示すように、第１絶縁層１１ａ上および第１コイル導体層２１０ａ上に第２シード層５２を形成し、図１４Ｅに示すように、第２シード層５２を通じた電解めっきにより第２めっき成長層５２ａを形成する。

そして、図１４Ｆに示すように、第２めっき成長層５２ａ上の一部（第１コイル導体層２１０ａの上方部分）に第２レジスト６２を形成し、図１４Ｇに示すように、第２レジスト６２で覆われていない第２めっき成長層５２ａの一部および第２シード層５２の一部をエッチングし、さらに第２レジスト６２を剥離する。これにより、第２シード層５２と第２めっき成長層５２ａとから構成される第２コイル導体層２１０ｂを形成する。

その後、図１４Ｈに示すように、第１絶縁層１１ａ上および第２コイル導体層２１０ｂ上に第３シード層５３を形成し、図１４Ｉに示すように、第３シード層５３を通じた電解めっきにより第３めっき成長層５３ａを形成し、第３めっき成長層５３ａ上の一部（第２コイル導体層２１０ｂの上方部分）に第３レジスト６３を形成する。

そして、図１４Ｊに示すように、第３レジスト６３に覆われていない第３めっき成長層５３ａの一部および第３シード層５３の一部をエッチングし、さらに第３レジスト６３を剥離して、第３シード層５３と第３めっき成長層５３ａとから構成される第３コイル導体層２１０ｃを形成する。これにより、第１コイル導体層２１０ａ、第２コイル導体層２１０ｂおよび第３コイル導体層２１０ｃから構成されるコイル配線２１Ｃを形成する。

このように、複数のコイル導体層の一部である第１コイル導体層２１０ａは、セミアディティブ工法により形成されている。したがって、導電ペーストを用いた工法と比較して、高アスペクト比のコイル配線の形成や、コイル配線の低抵抗化に有利となる。

また、複数のコイル導体層の一部である第２コイル導体層２１０ｂおよび第３コイル導体層２１０ｃは、めっき成長により形成されている。したがって、導電ペーストを用いた工法と比較して高アスペクト比のコイル配線の形成や、コイル配線の低抵抗化に一層有利となる。

なお、前記コイル配線２１Ｃの製造方法において、図１４Ｄに示す第２シード層５２を形成しないで、図１５Ｆに示すコイル配線２１Ｄを製造するようにしてもよい。

前記コイル配線２１Ｄの製造方法を説明する。

図１４Ａ〜図１４Ｃに示すように、第１コイル導体層２１０ａをセミアディティブ工法により形成する。その後、図１５Ａに示すように、図１４Ｄに示す第２シード層５２を形成しないで、第１コイル導体層２１０ａ上に電解めっきにより第２めっき成長層５２ａを形成する。なお、図１４Ｃでは、第１シード層５１がエッチングされているが、不図示の給電ラインによって第１コイル導体層２１０ａを接続することにより、電解めっきは可能である。また、この給電ラインは、後述の積層体のカット工程によって除去できる。

そして、図１５Ｂに示すように、第２めっき成長層５２ａ上の一部（第１コイル導体層２１０ａの上方部分）に第２レジスト６２を形成し、図１５Ｃに示すように、第２レジスト６２に覆われていない第２めっき成長層５２ａの一部をエッチングし、さらに第２レジスト６２を剥離する。これにより、第２コイル導体層２１０ｂを形成する。

その後、図１５Ｄに示すように、第１絶縁層１１ａ上および第２コイル導体層２１０ｂ上に第３シード層５３を形成し、図１５Ｅに示すように、第３シード層５３を通じた電解めっきにより第３めっき成長層５３ａを形成し、第３めっき成長層５３ａ上の一部（第２コイル導体層２１０ｂの上方部分）に第３レジスト６３を形成する。

そして、図１５Ｆに示すように、第３レジスト６３に覆われていない第３めっき成長層５３ａの一部および第３シード層５３の一部をエッチングし、さらに第３レジスト６３を剥離して、第３シード層５３と第３めっき成長層５３ａとから構成される第３コイル導体層２１０ｃを形成する。これにより、第１コイル導体層２１０ａ、第２コイル導体層２１０ｂおよび第３コイル導体層２１０ｃから構成されるコイル配線２１Ｄを形成する。

なお、前記コイル配線２１Ｄにおいて、複数のコイル導体層の一部である第３コイル導体層２１０ｃが、さらに、第３シード層５３を形成しないで、めっき成長により形成されていてもよい。これによれば、導電ペーストを用いた工法と比較して高アスペクト比のコイル配線の形成や、コイル配線の低抵抗化に一層有利となる。

また、本実施形態では、シード層などの介在層を、図１４Ａ〜図１４Ｊ、図１５Ａ〜図１５Ｆのように模式的に示したが、介在層を有する場合のコイル配線の断面写真を図１６に示す。図１６に示すように、介在層５０はコイル導体層２１０間の境界（図の黒い線状の部分）として実際の断面で確認することは可能である。

（第５実施形態）
図１７Ａと図１７Ｂは、本開示のインダクタ部品の第５実施形態の製造方法を示す説明図である。第５実施形態は、第４実施形態とは、コイル配線の形成方法が相違する。この相違する構成を以下に説明する。

第４実施形態のコイル配線２１Ｃでは、複数のコイル導体層の一部である第１コイル導体層２１０ａが、セミアディティブ工法により形成されているが、第５実施形態のコイル配線２１Ｅでは、全てのコイル導体層２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃが、セミアディティブ工法により形成されている。したがって、導電ペーストを用いた工法と比較して高アスペクト比のコイル配線の形成や、コイル配線の低抵抗化により有利となる。

前記コイル配線２１Ｅの製造方法を説明する。

図１４Ａ〜図１４Ｃに示すように、第１絶縁層１１ａ上に第１シード層５１および第１めっき成長層５１ａをセミアディティブ工法により形成し、第１シード層５１と第１めっき成長層５１ａとから構成される第１コイル導体層２１０ａを形成する。そして、図１７Ａに示すように、第１絶縁層１１ａ上に第２絶縁層１１ｂを形成する。

その後、図１７Ｂに示すように、第２絶縁層１１ｂ上に、第２シード層５２および第２めっき成長層５２ａを、図１４Ａ〜図１４Ｃと同様のセミアディティブ工法により、形成し、第２シード層５２と第２めっき成長層５２ａとから構成される第２コイル導体層２１０ｂを形成する。そして、第２絶縁層１１ｂ上に第３絶縁層１１ｃを形成する。

その後、第３絶縁層１１ｃ上に、第３シード層５３および第３めっき成長層５３ａを、図１４Ａ〜図１４Ｃと同様のセミアディティブ工法により、形成し、第３シード層５３と第３めっき成長層５３ａとから構成される第３コイル導体層２１０ｃを形成する。そして、第３絶縁層１１ｃ上に第４絶縁層１１ｄを形成する。これにより、第１コイル導体層２１０ａ、第２コイル導体層２１０ｂおよび第３コイル導体層２１０ｃから構成されるコイル配線２１Ｅを形成する。

（第６実施形態）
図１８Ａ〜図１８Ｃは、本開示のインダクタ部品の第６実施形態の製造方法を示す説明図である。第６実施形態は、第５実施形態とは、コイル配線の製造方法が相違する。この相違する構成を以下に説明する。

第５実施形態のコイル配線２１Ｆでは、全てのコイル導体層２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃが、セミアディティブ工法により形成されているが、第６実施形態のコイル配線２１Ｆでは、全てのコイル導体層２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃが、セミアディティブ工法により形成された後に、めっき成長によりコイル軸方向の厚みおよび配線幅をおおきくされている。したがって、高アスペクト比のコイル配線の形成や、コイル配線の低抵抗化に一層有利となる。

前記コイル配線２１Ｆの製造方法を説明する。

まず、図１４Ａ〜図１４Ｃと同様に、第１絶縁層１１ａ上に、第１シード層５１および第１めっき成長層２２１ａを、セミアディティブ工法により、形成する。この際、図１４Ｃの段階（第１レジスト６１の除去後）、第１シード層５１を通じた電解めっきにより、第１めっき成長層２２１ａをさらにめっき成長させ、第１増しめっき層２２２ａを形成する。これにより、図１８Ａに示すように、第１シード層５１、第１めっき成長層２２１ａおよび第１増しめっき層２２２ａから構成される第１コイル導体層２１０ａを形成する。そして、図１８Ｂに示すように、第１絶縁層１１ａ上に第２絶縁層１１ｂを形成する。

その後、第１コイル導体層２１０ａと同様に、第２絶縁層１１ｂ上に、第２シード層５２および第２めっき成長層２２１ｂを、セミアディティブ工法により、形成する。この際も、第２めっき成長層２２１ｂをさらにめっき成長させ第２増しめっき層２２２ｂを形成する。これにより、第２シード層５２、第２めっき成長層２２１ｂおよび第２増しめっき層２２２ｂから構成される第２コイル導体層２１０ｂを形成する。そして、第２絶縁層１１ｂ上に第３絶縁層１１ｃを形成する。

その後、第１コイル導体層２１０ａと同様に、第３絶縁層１１ｃ上に、第３シード層５３および第３めっき成長層２２１ｃを、セミアディティブ工法により、形成する。この際も、第３めっき成長層２２１ｃをさらにめっき成長させ第３増しめっき層２２２ｃを形成する。これにより、第３シード層５３、第３めっき成長層２２１ｃおよび第３増しめっき層２２２ｃから構成される第３コイル導体層２１０ｃを形成する。そして、第３絶縁層１１ｃ上に第４絶縁層１１ｄを形成する。これにより、図１８Ｃに示す、第１コイル導体層２１０ａ、第２コイル導体層２１０ｂおよび第３コイル導体層２１０ｃから構成されるコイル配線２１Ｆが形成される。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第６実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。

（実施例）
以下、実施例として、第３実施形態のインダクタ部品１Ｂの製造方法の一例を説明する。

硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布することを繰り返して、絶縁層を形成する。この絶縁層は、素体１０のうち、コイル２０Ｂよりも軸方向の一方側に位置する外層用絶縁層である。

その後、上述した方法により、外層用絶縁層上に高アスペクト比のコイル配線２１Ｂを形成する。この際、外部電極３０，４０となる電極導体層３１０，４１０を同時に形成する。

そして、フォトリソグラフィ工程により、電極導体層３１０，４１０上に開口が、コイル配線２１Ｂの配線長の一端上にビアホールが、それぞれ設けられた絶縁層を形成する。具体的には、感光性絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布して絶縁層上に形成する。さらに、感光性絶縁ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。

その後、同様に、開口およびビアホールが設けられた絶縁層上に、ビアホール上から延伸するコイル配線２１Ｂ及び開口を充填する電極導体層３１０，４１０を形成する。この際、ビアホールにも感光性導電ペーストが充填され、ビア配線２２が形成される。

その後、上記工程を繰り返すことにより、絶縁層、コイル配線２１Ｂ及び電極導体層３１０，４１０を順次形成する。さらに、絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布することを繰り返して、絶縁層を形成する。この絶縁層は、素体１０のうち、コイル２０Ｂよりも軸方向の他方側に位置する外層用絶縁層である。以上の工程を経て、マザー積層体を得る。この際、マザー積層体には、インダクタ部品１Ｂとなる部分が複数行列状に形成される。

その後、ダイシング等によりマザー積層体を複数の未焼成の積層体にカットする。マザー積層体のカット工程では、カットにより形成されるカット面において電極導体層３１０，４１０を積層体から露出させる。

そして、未焼成の積層体を所定条件で焼成し積層体を得る。この積層体に対してバレル加工を施す。さらに電極導体層３１０，４１０が積層体から露出している部分に、例えば２μｍ〜１０μｍの厚さを有するＮｉめっき及び、例えば２μｍ〜１０μｍの厚さを有するＳｎめっきを施す。以上の工程を経て、例えば、０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍのインダクタ部品が完成する。

なお、コイル導体層の形成工法は上記に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、箔の圧着等により形成した導体膜をエッチングによりパターン形成する方法であっても良いし、めっき転写などであっても良い。

また、コイルや外部電極の導体材料は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕといった良導体のものであれば良い。

また、絶縁層ならびに開口、ビアホールの形成方法は上記に限定されるものではなく、絶縁材料シートの圧着やスピンコート、スプレー塗布後、レーザーやドリル加工によって開口される方法でも良い。

また、インダクタ部品のサイズは、上記に限定されるものではない。また、外部電極の形成方法は、素体に埋め込まれた電極導体層をカットにより露出させ、めっき加工を施す方法に限定されるものではなく、カットにより露出させた電極導体層や引き出し配線にさらに導体ペーストのディップやスパッタ法等によって導体層を形成し、その上にめっき加工を施す方法でもよい。
また、上記の実施形態においては、コイルの螺旋形状は、ヘリカル状であったが、スパイラル状であってもよい。

１，１Ｂ インダクタ部品
１０ 素体
１１ａ〜１１ｄ 絶縁層
１１０ａ，１１０ｂ 溝
１５ 第１端面
１６ 第２端面
１７ 底面
２０，２０Ｂ コイル
２０ａ 外周面
２１，２１Ａ〜２１Ｆ コイル配線
２１０，２１０ａ〜２１０ｃ コイル導体層
２２ ビア配線
３０ 第１外部電極
４０ 第２外部電極
５０，５１〜５３ シード層（介在層）
６１〜６３ レジスト
Ａ コイルの軸
ｔ コイル配線の厚み
ｗ コイル配線の幅
Ｌ コイルの長さ
Ｈ 素体の幅

Claims (20)

1. 互いに対向する２つの端面および前記２つの端面の間に接続された底面を含む素体と、
   前記素体内に設けられ、螺旋状に巻き回されたコイルと、
   前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された２つの外部電極と
   を備え、
   一方の前記外部電極は、一方の前記端面と前記底面に渡って形成され、他方の前記外部電極は、他方の前記端面と前記底面に渡って形成され、
   前記コイルは、その軸方向が前記２つの端面および前記底面に沿うように、配置され、
   前記コイルは、前記軸方向に直交する平面に沿って巻回されたコイル配線を含み、前記コイル配線のアスペクト比は、１．０以上８．０未満である、インダクタ部品。
2. 前記コイル配線のアスペクト比は、１．５以上６．０未満である、請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 前記コイル配線は、互いに面接触して積層された複数のコイル導体層から構成されている、請求項１に記載のインダクタ部品。
4. 前記コイル配線を構成する前記複数のコイル導体層は、互いに配線長が等しく、該配線長に渡って互いに面接触している、請求項３に記載のインダクタ部品。
5. 前記コイル配線の配線幅は、６０μｍ以下である、請求項１に記載のインダクタ部品。
6. 前記コイル配線は、前記軸方向に沿って配線幅が変化しており、
   前記コイル配線の内面の一部は、前記コイル配線の内側に突出しており、
   前記内面における突出量ｅの、前記コイル配線の最大配線幅ｃに対する割合（ｅ／ｃ）は、２０％以下である、請求項１に記載のインダクタ部品。
7. 前記割合（ｅ／ｃ）は、５％以下である、請求項６に記載のインダクタ部品。
8. 前記コイル配線は、前記軸方向に沿って配線幅が変化しており、
   前記コイル配線の最大配線幅ｃと最小配線幅との差ａの、前記最大配線幅ｃに対する割合（ａ／ｃ）は、４０％以下である、請求項１に記載のインダクタ部品。
9. 前記コイル導体層のアスペクト比は、２．０以下である、請求項３に記載のインダクタ部品。
10. 前記面接触するコイル導体層同士の間、および、前記コイル導体層と前記素体の間に、介在層が存在していない、請求項３に記載のインダクタ部品。
11. 前記面接触するコイル導体層同士の間、および、前記コイル導体層と前記素体の間の少なくとも一部に、介在層が存在している、請求項３に記載のインダクタ部品。
12. 前記コイル配線の横断面は、Ｔ字状、Ｉ字状またはＴ字状を積層した形状である、請求項１０に記載のインダクタ部品。
13. 前記コイル配線を構成する前記複数のコイル導体層には、同一のコイル径方向の幅を有する第１コイル導体層および第２コイル導体層が存在し、
    前記第１コイル導体層の配線幅の中心と前記第２コイル導体層の配線幅の中心とのずれ量ｄの、前記第１コイル導体層および前記第２コイル導体層の配線幅ｃに対する割合（ｄ／ｃ）は、２０％以下である、請求項３に記載のインダクタ部品。
14. 前記コイルの前記軸方向の長さは、前記素体の前記軸方向の幅の５０％以上である、請求項１に記載のインダクタ部品。
15. 請求項１１に記載のインダクタ部品を製造する方法であって、
    前記複数のコイル導体層の一部を、セミアディティブ工法により形成している、インダクタ部品の製造方法。
16. 請求項１１に記載のインダクタ部品を製造する方法であって、
    前記複数のコイル導体層の全てを、セミアディティブ工法により形成している、インダクタ部品の製造方法。
17. 請求項１１に記載のインダクタ部品を製造する方法であって、
    前記複数のコイル導体層の一部を、めっき成長により形成している、インダクタ部品の製造方法。
18. 前記複数のコイル導体層の一部を、さらに、めっき成長により形成している、請求項１５に記載のインダクタ部品の製造方法。
19. 前記複数のコイル導体層の全てを、さらに、めっき成長により形成している、請求項１６に記載のインダクタ部品の製造方法。
20. 請求項１０に記載のインダクタ部品を製造する方法であって、
    前記素体を構成する第１絶縁層に第１溝を形成する工程と、
    前記第１溝内に感光性導電ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ工法により、前記第１溝内に第１コイル導体層を形成する工程と、
    前記第１絶縁層上に前記素体を構成する第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁層に第２溝を形成する工程と、
    前記第２溝内に感光性導電ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ工法により、前記第２溝内に前記第１コイル導体層に面接触する第２コイル導体層を形成する工程と
    を備える、インダクタ部品の製造方法。

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