JP7211323B2 - インダクタ部品、及びインダクタ部品の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 121
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 121
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 5
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 148
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 19
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- -1 difluoromethylene group Chemical group 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000004212 difluorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005816 fluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(F)C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004205 trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- 125000004360 trifluorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
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- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2823—Wires
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- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
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- H01F27/24—Magnetic cores
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- H01F27/2804—Printed windings
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Description
本発明は、インダクタ部品、及びインダクタ部品の製造方法に関する。
特許文献１には、磁性を有する素体の内部に配線が設けられているインダクタ部品の一例が記載されている。
上記のように素体の内部に配線が設けられているインダクタ部品にあっては、配線の位置が設計位置から乖離してしまうことがある。設計位置とは、設計によって定められている配線の位置である。このように素体の内部において、配線の位置が設定位置から乖離していると、インダクタ部品の性能が変わるおそれがある。そのため、配線の位置と設計位置との乖離を抑えることが求められている。
上記課題を解決するためのインダクタ部品は、磁性を有する素体と、前記素体の内部の第１平面上に沿って設けられているインダクタ配線と、を備える。前記第１平面と直交する方向を前記インダクタ配線の高さ方向とし、前記第１平面に沿う方向のうち、前記インダクタ配線の延びる方向及び前記高さ方向の双方に直交する方向を、前記インダクタ配線の幅方向とする。この場合、前記インダクタ配線は、配線本体と、前記高さ方向で前記配線本体に隣接するスカート部と、を有する。前記配線本体の前記高さ方向の寸法は、前記スカート部の前記高さ方向の寸法よりも大きく、前記スカート部は、前記高さ方向において前記配線本体から離れるほど前記幅方向の寸法が大きくなるものである。前記スカート部における前記高さ方向の前記配線本体側の端を基端とし、前記スカート部における前記高さ方向の前記配線本体の反対側の端を先端とした場合、前記スカート部の前記先端の前記幅方向の寸法は、前記配線本体における前記幅方向の寸法よりも大きい。
インダクタ配線と隣接する部分が膨張したり収縮したりする場合、上記幅方向にインダクタ配線を変位させようとする力である変位力がインダクタ配線に作用することがある。このような変位力は、インダクタ配線の上記高さ方向の寸法が大きいほど大きくなる。そして、インダクタ配線の上記高さ方向の一端が面接触する部分を被接触部分とした場合、当該インダクタ配線の上記高さ方向の一端と被接触部分との密着力が小さいと、変位力によってインダクタ配線の上記幅方向における位置が変わるおそれがある。
ここで、インダクタ配線の上記高さ方向の一端が面接触する被接触部分と、当該インダクタ配線の上記高さ方向の一端との密着力は、当該インダクタ配線の上記高さ方向の一端の上記幅方向の寸法が大きいほど大きくなる。
そこで、上記構成では、インダクタ配線は、配線本体と、スカート部とを有している。スカート部の基端が配線本体に接続されている。そして、スカート部の先端の上記幅方向の寸法は、配線本体における上記幅方向の寸法よりも大きい。そのため、インダクタ配線がスカート部を有していない場合と比較し、インダクタ配線の上記高さ方向の一端における上記幅方向の寸法が大きくなる。その結果、インダクタ配線の上記高さ方向の一端と被接触部分との密着力が大きくなる。これにより、上記のような変位力がインダクタ配線に作用しても、密着力が大きい分、変位力によってインダクタ配線が上記幅方向に変位することを抑制できる。
上記課題を解決するためのインダクタ部品の製造方法は、磁性を有する素体の内部にインダクタ配線が設けられるインダクタ部品の製造方法である。この製造方法は、基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層上にシード膜を形成するシード膜形成工程と、保護膜を前記シード膜上にパターニングすることにより、前記インダクタ部品における前記インダクタ配線の形状が開口された配線パターンを形成するパターン形成工程と、前記シード膜の表面エネルギーを低下させるエネルギー低下工程と、前記シード膜のうち、前記保護膜に覆われていない部分をシード層とした場合、前記配線パターンに導電性材料を供給することによって導電層を形成することにより、当該導電層と前記シード層とによって前記インダクタ配線を形成する導電層形成工程と、前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、前記基板及び前記樹脂層のうちの少なくとも前記基板を除去し、内部に前記インダクタ配線が設けられた前記素体を形成する素体形成工程と、を備える。
上記構成によれば、導電層形成工程が実行されることにより、インダクタ配線が形成される。保護膜除去工程によって保護膜を除去する際、保護膜からインダクタ配線が上記変位力を受けることがある。このとき、インダクタ配線と樹脂層との密着力が小さいと、インダクタ配線が上記幅方向に変位するおそれがある。
上記構成では、エネルギー低下工程によって、シード膜の表面エネルギーが低下する。すると、シード膜と保護膜との密着性が低下するため、保護膜のうち、配線パターンを区画する部分が、シード膜から剥離する。この状態で導電層形成工程によって導電性材料が配線パターンに供給される。このとき、シード膜から剥離した保護膜と当該シード膜との間の隙間にも導電性材料が流入する。その結果、配線本体と、上記高さ方向で配線本体と隣接するスカート部とを有するインダクタ配線が形成される。これにより、インダクタ配線がスカート部を有していない場合と比較し、インダクタ配線において樹脂層と接触する面の上記幅方向の寸法を大きくできる。すなわち、保護膜からインダクタ配線が受ける変位力に対し、インダクタ配線と樹脂層との間で発生する密着力が小さくなることがない。したがって、保護膜除去工程中に保護膜から変位力がインダクタ配線に作用しても、密着力が大きい分、変位力によってインダクタ配線が上記幅方向に変位することを抑制できる。
そして、保護膜除去工程及び素体形成工程を得ることにより、上記のインダクタ部品を製造することができる。
上記インダクタ部品、及びインダクタ部品の製造方法によれば、素体の内部において、インダクタ配線の位置と設計位置との乖離を抑制できる。
以下、インダクタ部品、及びインダクタ部品の製造方法の一実施形態を図１～図１５に従って説明する。なお、図面は理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。
＜インダクタ部品＞
図１に示すように、インダクタ部品１０は、磁性材料で構成されている素体２０を備えている。すなわち、素体２０は、磁性を有している。例えば、素体２０は、金属磁性粉を含む樹脂で構成される。金属磁性粉を含む樹脂で素体２０を構成する場合、金属磁性粉としては、例えば、鉄、ニッケル、クロム、銅及びアルミニウム、並びにこれらの合金を挙げることができる。また、金属磁性粉を含む樹脂としては、エポキシ樹脂などの樹脂材料を挙げることができる。絶縁性や成形性を考慮すると、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂を、当該樹脂として採用することが好ましい。なお、金属磁性粉を含む樹脂で素体２０を構成する場合、素体２０にあっては、その全重量に対して金属磁性粉が６０ｗｔ％以上含まれることが好ましい。また、金属磁性粉を含む樹脂の充填性を高くするために、重度分布の異なる２種類又は３種類の金属磁性粉を樹脂に含ませることがさらに好ましい。
図１に示すように、インダクタ部品１０は、磁性材料で構成されている素体２０を備えている。すなわち、素体２０は、磁性を有している。例えば、素体２０は、金属磁性粉を含む樹脂で構成される。金属磁性粉を含む樹脂で素体２０を構成する場合、金属磁性粉としては、例えば、鉄、ニッケル、クロム、銅及びアルミニウム、並びにこれらの合金を挙げることができる。また、金属磁性粉を含む樹脂としては、エポキシ樹脂などの樹脂材料を挙げることができる。絶縁性や成形性を考慮すると、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂を、当該樹脂として採用することが好ましい。なお、金属磁性粉を含む樹脂で素体２０を構成する場合、素体２０にあっては、その全重量に対して金属磁性粉が６０ｗｔ％以上含まれることが好ましい。また、金属磁性粉を含む樹脂の充填性を高くするために、重度分布の異なる２種類又は３種類の金属磁性粉を樹脂に含ませることがさらに好ましい。
なお、素体２０は、金属磁性粉の代わりにフェライト粉を含む樹脂で構成されるものであってもよいし、金属磁性粉及びフィライト粉の双方を含む樹脂で構成されるものであってもよい。
図１に示す例では、素体２０は直方体状をなしている。素体２０の形状は、直方体に限定されず、例えば、円柱状及び多角形状であってもよい。
図１において、素体２０の上面を「第１主面２１」といい、素体２０の下面を「第２主面２２」という。図１に示す例では、第１主面２１が長方形状をなしている。本実施形態では、第１主面２１の長手方向を「第１方向Ｄ１」といい、第１主面２１の短手方向を「第２方向Ｄ２」という。また、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の双方と直交する方向を「第３方向Ｄ３」という。第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２は第２主面２２に沿う方向であるため、第３方向Ｄ３は第１主面２１に直交する方向でもある。
図１において、素体２０の上面を「第１主面２１」といい、素体２０の下面を「第２主面２２」という。図１に示す例では、第１主面２１が長方形状をなしている。本実施形態では、第１主面２１の長手方向を「第１方向Ｄ１」といい、第１主面２１の短手方向を「第２方向Ｄ２」という。また、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の双方と直交する方向を「第３方向Ｄ３」という。第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２は第２主面２２に沿う方向であるため、第３方向Ｄ３は第１主面２１に直交する方向でもある。
インダクタ部品１０は、第１主面２１に設けられている複数の外部端子と、外部端子に接続されている複数の柱状配線とを備えている。図１及び図２に示す例では、４つの外部端子１１，１２，１３，１４が第１主面２１に設けられているとともに、４つの柱状配線１５，１６，１７，１８が素体２０内に設けられている。各柱状配線１５～１８は、第３方向Ｄ３に延びている。そして、柱状配線１５～１８の各一端が外部端子１１～１４にそれぞれ接続されている。一方、柱状配線１５～１８の各他端は、第３方向Ｄ３における第１主面２１と第２主面２２との間にそれぞれ位置している。
なお、素体２０において、第１方向Ｄ１の第１側に外部端子１１，１３及び柱状配線１５，１７がそれぞれ位置している。素体２０において、第１方向Ｄ１の第２側に外部端子１２，１４及び柱状配線１６，１８がそれぞれ位置している。また、素体２０において、第２方向Ｄ２の第１側に外部端子１１，１２及び柱状配線１５，１６がそれぞれ位置している。素体２０において、第２方向Ｄ２の第２側に外部端子１３，１４及び柱状配線１７，１８がそれぞれ位置している。図１では、外部端子１１～１４、柱状配線１５～１８は対称的な配置となっているが、この配置に限られず、互いに位置がずれていてもよい。
インダクタ部品１０は、素体２０内に設けられているインダクタ配線を備えている。図１及び図２に示す例では、２つのインダクタ配線３１，３２が素体２０内に設けられている。インダクタ配線３１，３２は、第２方向Ｄ２において互いに異なる位置に配置されている。すなわち、第２方向Ｄ２は、複数のインダクタ配線３１，３２の並ぶ方向ともいえる。インダクタ配線３１の第３方向Ｄ３における位置は、インダクタ配線３２の第３方向Ｄ３における位置と同じである。もちろん、インダクタ配線３１の第３方向Ｄ３における位置は、インダクタ配線３２の第３方向Ｄ３における位置と異なっていてもよい。
インダクタ配線３１，３２は、第１方向Ｄ１において互いに異なる位置に配置されている２つの柱状配線を繋ぐものである。図１及び図２に示す例では、インダクタ配線３１は、柱状配線１５及び柱状配線１６に接続されている。また、インダクタ配線３２は、柱状配線１７及び柱状配線１８に接続されている。すなわち、インダクタ配線３１は第２方向Ｄ２の第１側に位置し、インダクタ配線３２は第２方向Ｄ２の第２側に位置している。
インダクタ配線３１，３２は、銅と硫黄とを含んでいる。詳しくは、インダクタ配線３１，３２は、銅を主成分とし、「０．０１ａｔｏｍｉｃ％」以上であって且つ「１ａｔｏｍｉｃ％」以下の硫黄を含んでいる。
図２及び図３に示すように、インダクタ部品１０は、素体２０内に設けられている樹脂層５０を備えている。樹脂層５０は、第３方向Ｄ３においてインダクタ配線３１，３２よりも第２主面２２側に配置されている。そして、インダクタ配線３１，３２の第３方向Ｄ３における第２主面２２側の面が、樹脂層５０に面接触している。すなわち、樹脂層５０上に、インダクタ配線３１，３２が積層されるかたちで、樹脂層５０及びインダクタ配線３１，３２が素体２０内に設けられている。
樹脂層５０は、非磁性体である。樹脂層５０は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などである。すなわち、樹脂層５０は、原子レベルにおいて、フッ素やシリコンを含んでいることが好ましい。このように樹脂層５０にフッ素原子及びシリコン原子を含ませることにより、高周波での信号の損失の抑制効果を高くできる。
特に、樹脂層５０にあっては、第３方向Ｄ３においてインダクタ配線３１，３２に近いほど原子レベルにおいてフッ素やシリコンの含有率が高いことが好ましい。すなわち、樹脂層５０において、インダクタ配線３１，３２に近い部分におけるフッ素やシリコンの含有率は、インダクタ配線３１，３２から離れている部分におけるフッ素やシリコンの含有率よりも高くすることが好ましい。このようにインダクタ配線３１，３２に近い部分におけるフッ素やシリコンの含有率を高くすることにより、フッ素やシリコンによる高周波での信号の損失の抑制効果を効果的に発揮できる。また、インダクタ配線３１，３２に近い部分におけるシリコンの含有率を高くすることにより、樹脂層５０とインダクタ配線３１，３２との密着性を高くできる。
樹脂層５０に含まれるフッ素原子の含有形態としては、例えば、トリフルオロメチル基を挙げることができる。なお、トリフルオロメチル基は、樹脂内の官能基として存在してもよいし、添加剤として存在してもよい。また、トリフルオロメチル基以外の他の形態のフッ素の含有形態としては、例えば、ジフルオロメチレン基、モノフルオロメチレン基、ジフルオロメチル基、モノフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロプロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、トリフルオロブチル基、ペンタフルオロブチル基、ヘプタフルオロブチル基、モノフルオロフェニル基、ジフルオロフェニル基、トリフルオロフェニル基、テトラフルオロフェニル基、ヘキサフルオロフェニル基を挙げることができる。
樹脂層５０に含まれるシリコン原子の含有形態としては、例えば、シルセスキオキサン体を挙げることができる。また、シルセスキオキサン体以外のシリコン原子の含有形態としては、例えば、シラノール基、シリカ、シリコーンを挙げることができる。
次に、インダクタ配線３１，３２の形状について説明する。
インダクタ配線３１は、柱状配線１５に接続される第１端部分４１Ａと、柱状配線１６に接続される第２端部分４１Ｃと、第１方向Ｄ１において第１端部分４１Ａと第２端部分４１Ｃとの間に配置されている中間部分４１Ｂとを有している。中間部分４１Ｂは、第１端部分４１Ａと第２端部分４１Ｃとの双方に接続されている。また、中間部分４１Ｂは、第１方向Ｄ１に延びている。図２に示す例では、中間部分４１Ｂは、第２方向Ｄ２において第１端部分４１Ａ及び第２端部分４１Ｃよりも外側に配置されている。すなわち、中間部分４１Ｂは、第２方向Ｄ２において第１端部分４１Ａ及び第２端部分４１Ｃよりも第１側に配置されている。
インダクタ配線３１は、柱状配線１５に接続される第１端部分４１Ａと、柱状配線１６に接続される第２端部分４１Ｃと、第１方向Ｄ１において第１端部分４１Ａと第２端部分４１Ｃとの間に配置されている中間部分４１Ｂとを有している。中間部分４１Ｂは、第１端部分４１Ａと第２端部分４１Ｃとの双方に接続されている。また、中間部分４１Ｂは、第１方向Ｄ１に延びている。図２に示す例では、中間部分４１Ｂは、第２方向Ｄ２において第１端部分４１Ａ及び第２端部分４１Ｃよりも外側に配置されている。すなわち、中間部分４１Ｂは、第２方向Ｄ２において第１端部分４１Ａ及び第２端部分４１Ｃよりも第１側に配置されている。
なお、インダクタ配線３１は、第１端部分４１Ａ、中間部分４１Ｂ及び第２端部分４１Ｃのそれぞれにおいて第１方向Ｄ１と平行に延びる３つの直線形状と、当該直線形状同士を接続する、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に対して斜行する２つの直線形状を有する屈曲形状である。ただし、インダクタ配線３１は、このような屈曲形状に限らず、湾曲形状であってもよく、第１端部分４１Ａ、中間部分４１Ｂ及び第２端部分４１Ｃの一部又は全部が曲線であってもよい。また、インダクタ配線３１は、屈曲形状と湾曲形状とを組み合わせた形状であってもよい。
インダクタ配線３２は、柱状配線１７に接続される第１端部分４２Ａと、柱状配線１８に接続される第２端部分４２Ｃと、第１方向Ｄ１において第１端部分４２Ａと第２端部分４２Ｃとの間に配置されている中間部分４２Ｂとを有している。中間部分４２Ｂは、第１端部分４２Ａと第２端部分４２Ｃとの双方に接続されている。また、中間部分４２Ｂは、第１方向Ｄ１に延びている。図２に示す例では、中間部分４２Ｂは、第２方向Ｄ２において第１端部分４２Ａ及び第２端部分４２Ｃよりも外側に配置されている。すなわち、中間部分４２Ｂは、第２方向Ｄ２において第１端部分４２Ａ及び第２端部分４２Ｃよりも第２側に配置されている。
なお、インダクタ配線３２は、第１端部分４２Ａ、中間部分４２Ｂ及び第２端部分４２Ｃのそれぞれにおいて第１方向Ｄ１と平行に延びる３つの直線形状と、当該直線形状同士を接続する、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に対して斜行する２つの直線形状を有する屈曲形状である。ただし、インダクタ配線３２は、このような屈曲形状に限らず、湾曲形状であってもよく、第１端部分４２Ａ、中間部分４２Ｂ及び第２端部分４２Ｃの一部又は全部が曲線であってもよい。また、インダクタ配線３２は、屈曲形状と湾曲形状とを組み合わせた形状であってもよい。
ちなみに、図２における破線は、第３方向Ｄ３においてインダクタ配線３１，３２よりも第２主面２２側に位置する樹脂層５０を示している。
図３は、インダクタ配線３１，３２の中間部分４１Ｂ，４２Ｂ、及び、中間部分４１Ｂ，４２Ｂを包囲する素体２０を切断した場合におけるインダクタ部品１０の断面図である。より詳しくは、図３に示す断面は、素体２０の中心を通り、中間部分４１Ｂ，４２Ｂの延びる方向に直交する断面、すなわち中間部分４１Ｂ，４２Ｂの横断面である。また、図４には、図３の断面におけるインダクタ配線３１の中間部分４１Ｂと、中間部分４１Ｂが接触する樹脂層５０との切断面が拡大して図示されている。
図３は、インダクタ配線３１，３２の中間部分４１Ｂ，４２Ｂ、及び、中間部分４１Ｂ，４２Ｂを包囲する素体２０を切断した場合におけるインダクタ部品１０の断面図である。より詳しくは、図３に示す断面は、素体２０の中心を通り、中間部分４１Ｂ，４２Ｂの延びる方向に直交する断面、すなわち中間部分４１Ｂ，４２Ｂの横断面である。また、図４には、図３の断面におけるインダクタ配線３１の中間部分４１Ｂと、中間部分４１Ｂが接触する樹脂層５０との切断面が拡大して図示されている。
素体２０の内部には、図３に二点鎖線で示す第１平面ＶＩ上に沿ってインダクタ配線３１，３２が設けられている。第１平面ＶＩは、仮想的な平面である。図３に示す例にあっては、第１平面ＶＩは、第１主面２１及び第２主面２２と平行な面である。第１平面ＶＩは、第１主面２１及び第２主面２２と平行な面でなくてもよい。
なお、インダクタ配線３１，３２の横断面において、第１平面ＶＩに直交する方向をインダクタ配線３１，３２の高さ方向といい、高さ方向と直交する方向をインダクタ配線３１，３２の幅方向という。図３及び図４に示す横断面は、インダクタ配線３１，３２のうち、第１方向Ｄ１に延びる部分の横断面である。そのため、図３及び図４にあっては、高さ方向が第３方向Ｄ３に相当するとともに幅方向が第２方向Ｄ２に相当する。しかし、インダクタ配線３１，３２のうち、第１方向Ｄ１とは異なる方向に延びる部分の横断面にあっては、高さ方向が第３方向Ｄ３とは異なるとともに幅方向が第２方向Ｄ２とは異なることになる。
図３及び図４に示すように、インダクタ配線３１，３２は、配線本体６０と、高さ方向に相当する第３方向Ｄ３で配線本体６０と隣接するスカート部７０とを有している。配線本体６０は、第３方向Ｄ３においてスカート部７０よりも第１主面２１側に位置している。そのため、配線本体６０に、柱状配線１５～１８が接続されている。
配線本体６０は、断面視略矩形状をなしている。すなわち、配線本体６０は、スカート部７０との連結部位６１と、幅方向に相当する第２方向Ｄ２における連結部位６１よりも第１側に位置する側壁面６２と、第２方向Ｄ２における連結部位６１よりも第２側に位置する側壁面６３とを有している。側壁面６２は、接続部６４を介して連結部位６１に接続されている。同様に、側壁面６３は、接続部６５を介して連結部位６１に接続されている。図３及び図４に示す切断面において、各接続部６４，６５は、第３方向Ｄ３においてスカート部７０に近い部位ほど第２方向Ｄ２における配線本体６０の中心に近づくように構成されている。すなわち、配線本体６０のうち、上記幅方向において接続部６４と接続部６５とに囲まれている領域が、上記高さ方向において連結部位６１から離れるほど上記幅方向の寸法が大きくなる連結領域６０Ａに相当する。つまり、配線本体６０は、連結領域６０Ａを有する形状である。さらに、配線本体６０は、第３方向Ｄ３において連結部位６１よりも樹脂層５０から離れているとともに、一対の側壁面６２，６３に接続される上壁面６６を有している。図４に示す切断面にあっては、上壁面６６は、樹脂層５０から離れる方向に凸をなしている。そして、高さ方向に相当する第３方向Ｄ３における配線本体６０の寸法は、第３方向Ｄ３におけるスカート部７０の寸法よりも大きい。
スカート部７０は、配線本体６０と樹脂層５０との間に配置されている。第３方向Ｄ３において、スカート部７０のうち、配線本体６０側の端をスカート部７０の基端７１とし、樹脂層５０側の端をスカート部７０の先端７２とする。このとき、スカート部７０の先端７２が樹脂層５０に面接触している。つまり、スカート部７０の先端７２は、インダクタ配線３１，３２のうちの樹脂層５０に接触する面である接触面３３Ａということもできる。
スカート部７０は、上記高さ方向において配線本体６０から離れるにつれ、上記幅方向の寸法が大きくなるように構成されている。図３及び図４に示す切断面においては、スカート部７０の第２方向Ｄ２の寸法は、第３方向Ｄ３において配線本体６０から離れるにつれて大きくなる。そのため、スカート部７０の基端７１の第２方向Ｄ２の寸法Ｘ２は、スカート部７０の先端７２の第２方向Ｄ２の寸法Ｘ１よりも小さい。また、連結部位６１の第２方向Ｄ２の寸法が、配線本体６０の第２方向Ｄ２の寸法Ｘ０、すなわち一対の側壁面６２，６３の間隔よりも小さい。そのため、スカート部７０の基端７１の第２方向Ｄ２の寸法Ｘ２は、配線本体６０の第２方向Ｄ２の寸法Ｘ０よりも小さい。
一方、スカート部７０の先端７２の第２方向Ｄ２の寸法Ｘ１は、配線本体６０の第２方向Ｄ２の寸法Ｘ０よりも大きい。
ちなみに、図４に示すように、インダクタ配線３１，３２は、互いに組成の異なるシード層３５と導電層３６とが第３方向Ｄ３に並ぶ形状である。シード層３５及び導電層３６は、導電性材料によってそれぞれ構成されている。シード層３５は、樹脂層５０に接触している。導電層３６は、シード層３５を挟んで樹脂層５０の反対側に位置している。すなわち、シード層３５によってスカート部７０の先端７２が構成されている。シード層３５の第３方向Ｄ３の寸法は、スカート部７０の第３方向Ｄ３の寸法の半分よりも小さい。よって、配線本体６０全体が、導電層３６によって構成されている。また、スカート部７０の基端７１もまた導電層３６によって構成されている。
ちなみに、図４に示すように、インダクタ配線３１，３２は、互いに組成の異なるシード層３５と導電層３６とが第３方向Ｄ３に並ぶ形状である。シード層３５及び導電層３６は、導電性材料によってそれぞれ構成されている。シード層３５は、樹脂層５０に接触している。導電層３６は、シード層３５を挟んで樹脂層５０の反対側に位置している。すなわち、シード層３５によってスカート部７０の先端７２が構成されている。シード層３５の第３方向Ｄ３の寸法は、スカート部７０の第３方向Ｄ３の寸法の半分よりも小さい。よって、配線本体６０全体が、導電層３６によって構成されている。また、スカート部７０の基端７１もまた導電層３６によって構成されている。
次に、インダクタ部品１０、及び、インダクタ部品１０の構成要素の大きさについて説明する。
図３に示すように素体２０の第３方向Ｄ３の寸法を素体２０の厚みＤＢとした場合、素体２０は、その厚みＤＢが「５００μｍ」以下となるように構成されている。つまり、本実施形態のインダクタ部品１０は、非常に薄いものである。
図３に示すように素体２０の第３方向Ｄ３の寸法を素体２０の厚みＤＢとした場合、素体２０は、その厚みＤＢが「５００μｍ」以下となるように構成されている。つまり、本実施形態のインダクタ部品１０は、非常に薄いものである。
図４に示すように素体２０の内部に設けられている樹脂層５０の第３方向Ｄ３における最大寸法を樹脂層５０の厚みＤＲとする。この場合、樹脂層５０は、その厚みＤＲが「５μｍ」以上であって且つ「３０μｍ」以下となるように構成されている。
インダクタ配線３１，３２は、以下の条件を満たすように構成されている。すなわち、インダクタ配線３１，３２は、構成比Ｚが「０．８９」以下であって且つ「０．２５」以上となるように構成されている。より好ましくは、構成比Ｚを「０．８６」以下とすることである。なお、構成比Ｚとは、図３及び図４に示した横断面における接触面３３Ａの第２方向Ｄ２の寸法に対する最大部位３３ＭＡＸの第３方向Ｄ３の寸法Ｙの比である。接触面３３Ａの第２方向Ｄ２の寸法とは、スカート部７０の先端７２の第２方向Ｄ２の寸法Ｘ１である。最大部位３３ＭＡＸとは、図４に示す切断面において、第３方向Ｄ３における接触面３３Ａから上壁面６６までの寸法が最大となる部分である。すなわち、図３及び図４においては、第３方向Ｄ３がインダクタ配線３１，３２の高さ方向であるため、最大部位３３ＭＡＸの第３方向Ｄ３の寸法Ｙが、インダクタ配線３１，３２の横断面において、上記高さ方向の寸法のうち、最大となる寸法である「最大寸法」に相当する。
＜インダクタ部品の製造方法＞
次に、図５～図１４を参照し、上記のインダクタ部品１０の製造方法について説明する。本実施形態における製造方法は、セミアディティブ法を利用した方法である。
次に、図５～図１４を参照し、上記のインダクタ部品１０の製造方法について説明する。本実施形態における製造方法は、セミアディティブ法を利用した方法である。
図５に示すように、はじめのステップＳ１１では、基板上にベース樹脂層を形成する。
すなわち、図６に示すように、基板１００は、板状をなしている。基板１００の材質としては、例えば、セラミックスを挙げることができる。図６において、基板１００の上面を表面１０１とし、基板１００の下面を裏面１０２とする。そして、図７に示すように、基板１００の表面１０１全体を覆うように、基板１００上にベース樹脂層１５０Ａが形成される。ベース樹脂層１５０Ａは、上記インダクタ部品１０を構成する樹脂層５０と同じ非磁性の材料によって構成される。例えば、トリフルオロメチル基とシルセスキオキサンとを含むポリイミドワニスをスピンコートによって基板１００の表面１０１に塗布することにより、ベース樹脂層１５０Ａを形成することができる。
すなわち、図６に示すように、基板１００は、板状をなしている。基板１００の材質としては、例えば、セラミックスを挙げることができる。図６において、基板１００の上面を表面１０１とし、基板１００の下面を裏面１０２とする。そして、図７に示すように、基板１００の表面１０１全体を覆うように、基板１００上にベース樹脂層１５０Ａが形成される。ベース樹脂層１５０Ａは、上記インダクタ部品１０を構成する樹脂層５０と同じ非磁性の材料によって構成される。例えば、トリフルオロメチル基とシルセスキオキサンとを含むポリイミドワニスをスピンコートによって基板１００の表面１０１に塗布することにより、ベース樹脂層１５０Ａを形成することができる。
ベース樹脂層１５０Ａの形成が完了すると、処理が次のステップＳ１２に移行される。ステップＳ１２では、ベース樹脂層１５０Ａ上にパターン用樹脂層１５０Ｂを形成する。パターン用樹脂層１５０Ｂのうち、少なくとも図７における上側の部分は、インダクタ部品１０の樹脂層５０を構成することになる。例えば、公知のフォトリソグラフィによってベース樹脂層１５０Ａ上に非磁性の絶縁樹脂をパターニングすることにより、パターン用樹脂層１５０Ｂを形成することができる。この場合、ベース樹脂層１５０Ａの形成に用いたものと同種のポリイミドワニスを用い、パターン用樹脂層１５０Ｂが形成される。すなわち、本実施形態では、ステップＳ１１，Ｓ１２により、ベース樹脂層１５０Ａ及びパターン用樹脂層１５０Ｂからなる樹脂層１５０を基板１００上に形成する「樹脂層形成工程」が構成される。
パターン用樹脂層１５０Ｂの形成が完了すると、処理が次のステップＳ１３に移行される。ステップＳ１３では、シード膜１３５を形成する。すなわち、図７に示すように、樹脂層１５０の図中上面全体を覆うようにシード膜１３５が形成される。例えば、スパッタリングによって、銅を含むシード膜１３５が形成される。このようなシード膜１３５のうち、パターン用樹脂層１５０Ｂ上に位置する部分が、インダクタ部品１０のインダクタ配線３１，３２を構成するシード層３５として機能することになる。例えば、ステップＳ１３では、「２００ｎｍ」程度の厚みのシード膜１３５が形成される。したがって、本実施形態では、ステップＳ１３が、樹脂層１５０上にシード膜１３５を形成する「シード膜形成工程」に相当する。
シード膜１３５の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１４に移行される。ステップＳ１４では、シード膜１３５全体にフォトレジストが塗布される。例えば、スピンコートによってフォトレジストがシード膜１３５上に塗布される。そして、次のステップＳ１５では、露光装置を用いた露光が実行される。これにより、フォトレジストのうち、パターン用樹脂層１５０Ｂ上に付着している部分は後述する現像処理によって除去可能となり、それ以外の部分は硬化する。なお、フォトレジストとしてネガ型のレジストを採用する場合、当該フォトレジストのうち、露光された部分が硬化し、それ以外の部分が除去可能になる。一方、フォトレジストとしてポジ型のレジストを採用する場合、当該フォトレジストのうち、露光された部分が除去可能となり、それ以外の部分が硬化する。その結果、フォトレジストのうち、露光される部分を制御することにより、図８に示すとおり、パターン用樹脂層１５０Ｂ上に付着している部分の一部分を硬化させることができる。
続いて、ステップＳ１６では、現像処理が実行される。すなわち、現像液を用いた処理によって、図８に示すように、フォトレジストのうち、パターン用樹脂層１５０Ｂ上に付着している部分が除去される。また、フォトレジストのうち、硬化した部分は、保護膜１６０としてシード膜１３５上に残る。この場合、フォトレジストのうち、パターン用樹脂層１５０Ｂ上に付着している部分の一部分は、現像処理を実行しても残る。このように保護膜１６０をシード膜１３５上にパターニングすることにより、インダクタ部品１０におけるインダクタ配線３１，３２の形状が開口された配線パターンＰＴが形成される。したがって、本実施形態では、ステップＳ１４～Ｓ１６により、「パターン形成工程」が構成される。
配線パターンＰＴの形成が完了すると、処理が次のステップＳ１７に移行される。ステップＳ１７では、保護膜１６０に接触するシード膜１３５の表面エネルギーを低下させる。本実施形態では、ステップＳ１７により、「エネルギー低下工程」が構成される。すなわち、ステップＳ１７の処理では、保護膜１６０が形成された基板１００を放置する。例えば、ステップＳ１７では、基板１００が所定の温度及び湿度の雰囲気内で規定時間以上放置される。所定の温度とは、「２０℃」～「３０℃」の範囲の温度である。例えば、所定の温度として、「２５℃」を設定してもよい。また、所定の湿度とは、「４５％」～「５５％」の範囲の湿度である。例えば、所定の湿度として、「５０％」を設定してもよい。さらに、規定時間として、例えば「２４時間」以上の時間が設定される。
なお、ステップＳ１７の処理では、保護膜１６０が形成された基板１００を放置した後、加熱乾燥による処理を行ってもよい。加熱乾燥による処理とは、熱アニール処理のことである。例えば、ホットプレートにて「１００℃」の温度で所定時間の間、基板１００を加熱する処理を行なってもよい。所定時間として、「５分」以上の時間に設定することが好ましい。例えば、所定時間として、「１０分」を設定することができる。熱アニール処理の温度として、「３０℃」以上且つ「５００℃」以下の温度に設定することが好ましい。ちなみに、基板１００の熱アニール処理は必須ではない。また、基板１００を所定の温度及び湿度の雰囲気内で規定時間以上放置する処理の代わりに、熱アニール処理を実行するようにしてもよい。
シード膜１３５が空気に触れると、シード膜１３５の表面エネルギーが低下する。このように基板１００の放置、及び、基板１００の加熱の少なくとも一方が実行されると、保護膜１６０に接触するシード膜１３５の表面エネルギーが低下し、シード膜１３５と保護膜１６０との密着性が低下する。なお、基板１００に対して熱アニール処理を実行すると、シード膜１３５の格子欠陥や粒界に起因する表面の極性エネルギーが低下する。その結果、シード膜１３５のエネルギーが低下する。このようにシード膜１３５の表面の極性エネルギーが低下されると、図９に示すように、保護膜１６０のうち、パターン用樹脂層１５０Ｂ上で配線パターンＰＴを区画する部分が、シード膜１３５から剥離する。
ちなみに、放置によって保護膜１６０に接触するシード膜１３５の表面エネルギーを低下させる場合、加熱する場合と比較し、表面エネルギーの低下量を精度良く制御できる。すなわち、保護膜１６０のうち、パターン用樹脂層１５０Ｂ上で配線パターンＰＴを区画する部分におけるシード膜１３５からの剥離の度合いを精度良く調整できる。その結果、スカート部７０を精度良く形成でき、ひいては製品毎のスカート部７０の形状のばらつきを抑えることができる。一方、加熱によって保護膜１６０に接触するシード膜１３５の表面エネルギーを低下させる場合、放置の場合と比較し、短時間で表面エネルギーを低下させることができる。
ステップＳ１７の処理が終了すると、処理が次のステップＳ１８に移行される。ステップＳ１８では、配線パターンＰＴ内に導電性材料を供給することによって、導電層３６を形成する。上述したように、保護膜１６０のうち、配線パターンＰＴを区画する部分がシード膜１３５から剥離している。そのため、シード膜１３５から剥離している保護膜１６０と、シード膜１３５との間にも導電性材料が流入する。これにより、シード膜１３５のうち、保護膜１６０に覆われていない部分の上に導電層３６が形成される。例えば、硫酸銅水溶液を用いた電解銅めっきを行うことにより、シード膜１３５のうち露出している部分に主に銅及び微量の硫黄が析出する。これにより、導電層３６が形成される。硫酸銅水溶液を用いるため、導電層３６には硫黄が含まれることになる。シード膜１３５のうちの導電層３６が接触する部分であるシード層３５と、導電層３６とにより、インダクタ配線３１，３２が形成されることになる。このように形成されるインダクタ配線３１，３２は、配線本体６０と、上記高さ方向で配線本体６０に隣接するスカート部７０とを有している。したがって、本実施形態では、ステップＳ１８が、「導電層形成工程」に相当する。
図１０に示すように、パターン用樹脂層１５０Ｂ上に位置するシード膜１３５の図中下面は、インダクタ配線３１，３２の接触面３３Ａに相当する。そして、ステップＳ１８では、上記の構成比Ｚが「０．８９」以下であって且つ「０．２５」以上となるように、導電層３６が形成される。より好ましくは、構成比Ｚが「０．８６」以下となるように、導電層３６が形成される。例えば、上記電解銅めっきの通電時間によって所定の構成比Ｚが得られる。
導電層３６の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１９に移行される。ステップＳ１９では、剥離液を用いた処理によって、図１１に示すように保護膜１６０が除去される。したがって、本実施形態では、ステップＳ１９が、「保護膜除去工程」に相当する。
保護膜１６０の剥離が完了すると、処理が次のステップＳ２０に移行される。ステップＳ２０では、シード膜１３５を除去する。例えば、硝酸などの強酸を用いた処理によって、シード膜１３５が除去される。これにより、シード膜１３５のうち、導電層３６とともにインダクタ配線３１，３２を構成する部分であるシード層３５以外の部分が除去される。
シード膜１３５の除去が完了すると、処理が次のステップＳ２１に移行される。ステップＳ２１では、図１２に示すように、図中上面側から導電層３６を覆う第１磁性層１２０Ａが形成される。例えば金属磁性粉を含む樹脂で素体２０を構成する場合、第１磁性層１２０Ａの材質である金属磁性粉を含む樹脂が塗布される。金属磁性粉としては、例えば、鉄、ニッケル、クロム、銅及びアルミニウムを挙げることができる。また、金属磁性粉を含む樹脂としては、エポキシ樹脂などの樹脂材料を挙げることができる。絶縁性や成形性を考慮すると、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂を、金属磁性粉を含む樹脂として採用することが好ましい。続いて、プレス加工によって、金属磁性粉を含む樹脂が固められる。これにより、第１磁性層１２０Ａが形成される。
なお、上記のインダクタ部品１０のように柱状配線１５～１８を設ける場合、第１磁性層１２０Ａを形成する前に、柱状配線１５～１８が形成される。そして、第１磁性層１２０Ａを形成する処理では、柱状配線１５～１８の両端のうち、インダクタ配線３１，３２に接触しない側の端が露出するように、形成された第１磁性層１２０Ａが研削される。第１磁性層１２０Ａは、単層であってもよいし、所定の厚みを実現するために複数の磁性層が積層されたものであってもよい。
第１磁性層１２０Ａの形成が完了すると、処理が次のステップＳ２２に移行される。ステップＳ２２では、研削によって、図１３に示すように基板１００及びベース樹脂層１５０Ａを除去する。この際、パターン用樹脂層１５０Ｂの一部、若しくはパターン用樹脂層１５０Ｂ全体を除去してもよい。
こうした除去の処理が完了すると、処理が次のステップＳ２３に移行される。ステップＳ２３では、図１４に示すように、第３方向Ｄ３における第１磁性層１２０Ａの反対側に、第２磁性層１２０Ｂを形成する。すなわち、第２磁性層１２０Ｂの材質である金属磁性粉を含む樹脂が塗布される。続いて、プレス加工によって、金属磁性粉を含む樹脂が固められる。必要に応じて樹脂が研削される。これにより、第２磁性層１２０Ｂが形成される。第２磁性層１２０Ｂは、単層であってもよいし、所定の厚みを実現するために複数の磁性層が積層されたものであってもよい。このように第２磁性層１２０Ｂが形成されると、インダクタ配線３１，３２が第１磁性層１２０Ａと第２磁性層１２０Ｂとによって挟み込まれたかたちとなる。こうした第１磁性層１２０Ａ及び第２磁性層１２０Ｂによって、素体２０が構成される。したがって、本実施形態では、ステップＳ２１～Ｓ２３により、内部にインダクタ配線３１，３２が設けられた素体２０を形成する「素体形成工程」が構成される。
第２磁性層１２０Ｂの形成が完了すると、処理が次のステップＳ２４に移行される。ステップＳ２４では、外部端子１１～１４を形成する。この際、素体２０の第１主面２１上に、外部端子１１～１４を露出させるソルダーレジストなどの絶縁膜を形成してもよい。これにより、インダクタ部品１０の製造方法を構成する一連の処理が終了される。
＜実施例＞
次に、図１５を参照し、比較例のインダクタ部品と、実施例のインダクタ部品１０との比較について説明する。比較例のインダクタ部品と、実施例のインダクタ部品１０とは、寸法Ｘ１や寸法Ｙを変更することにより、構成比Ｚを変更したものであって、それ以外の構成は同じである。
次に、図１５を参照し、比較例のインダクタ部品と、実施例のインダクタ部品１０との比較について説明する。比較例のインダクタ部品と、実施例のインダクタ部品１０とは、寸法Ｘ１や寸法Ｙを変更することにより、構成比Ｚを変更したものであって、それ以外の構成は同じである。
図１５において、比較例１のインダクタ部品にあっては、インダクタ配線がスカート部７０を有していない。すなわち、配線本体６０の連結部位６１に相当する部分が、インダクタ配線の接触面３３Ａに相当する。そのため、比較例１では、インダクタ配線の構成比Ｚは略「０．９２」である。一方、実施例１，２，３のインダクタ部品１０にあっては、インダクタ配線３１，３２がスカート部７０を有している。そして、実施例１では、インダクタ配線３１，３２の構成比Ｚは略「０．８６」である。実施例２では、インダクタ配線３１，３２の構成比Ｚは略「０．８９」である。実施例３では、インダクタ配線３１，３２の構成比Ｚは略「０．８６」である。
また、比較例１、実施例１及び実施例２については、素体２０の内部に樹脂層５０が設けられており、インダクタ配線３１，３２が樹脂層５０に接触している。一方、比較例３については、素体２０の内部に樹脂層５０が設けられていない。すなわち、インダクタ部品１０の製造の過程で、樹脂層５０が完全に除去される。
図１５に示す乖離発生率Ｒとは、インダクタ部品１０の完成後におけるインダクタ配線３１，３２の第２方向Ｄ２の実際の位置と設計位置との間に乖離が発生する確率のことである。設計位置とは、設計によって定められているインダクタ配線３１，３２の位置である。上記の製造方法でインダクタ部品１０を大量に製造する場合、乖離発生率Ｒが高いほど、インダクタ部品１０の良品率が低いこととなる。
図１５に示すように、比較例１にあっては、構成比Ｚが「０．８９」よりも大きいため、乖離発生率Ｒが高い。一方、実施例１～３にあっては、構成比Ｚが「０．８９」以下であるため、乖離発生率Ｒが低い。特に、実施例１及び３にあっては、構成比Ｚが「０．８６」以下であるため、乖離発生率Ｒをより小さくできる。
構成比Ｚを「０．８９」以下とすることにより、乖離発生率Ｒを小さくできる理由について説明する。インダクタ配線３１，３２は概ね第１方向Ｄ１に延びている。インダクタ部品１０を製造する過程では、図１０に示したように、インダクタ配線３１，３２を構成する導電層３６の第２方向Ｄ２における両側に、フォトレジストによって構成される保護膜１６０が配置されている。そして、この保護膜１６０を剥離液を用いて除去する場合、保護膜１６０が剥離液によって膨潤する。すなわち、保護膜１６０が第２方向Ｄ２に広がろうとする。すると、保護膜１６０に隣接する導電層３６は、保護膜１６０によって押される。すなわち、保護膜１６０の膨潤に起因し、導電層３６を含むインダクタ配線３１，３２には、インダクタ配線３１，３２を第２方向Ｄ２に変位させようとする力である変位力が作用する。
一方、インダクタ配線３１，３２は、パターン用樹脂層１５０Ｂ、すなわち樹脂層５０に密着している。そのため、インダクタ配線３１，３２とパターン用樹脂層１５０Ｂとの間には、パターン用樹脂層１５０Ｂとインダクタ配線３１，３２との位置関係を保持する力である密着力が発生する。
そして、変位力に対して密着力が小さいと、変位力によってインダクタ配線３１，３２の位置が第２方向Ｄ２に変位してしまう。一方、変位力に対して密着力が十分に大きいと、変位力が作用してもインダクタ配線３１，３２の位置が第２方向Ｄ２に変位しない。
インダクタ配線３１，３２の第３方向Ｄ３の寸法Ｙが大きいほど、保護膜１６０からインダクタ配線３１，３２が受ける変位力が大きくなる。一方、インダクタ配線３１，３２の接触面３３Ａの第２方向Ｄ２の寸法Ｘ１が大きいほど、インダクタ配線３１，３２とパターン用樹脂層１５０Ｂとの間で発生する密着力が大きくなる。
ちなみに、インダクタ配線３１，３２の構成比Ｚが小さいほど、インダクタ配線３１，３２の第３方向Ｄ３の寸法Ｙを小さくできるため、保護膜１６０からインダクタ配線３１，３２が受ける変位力を小さくできる。また、インダクタ配線３１，３２の構成比Ｚが小さいほど、接触面３３Ａの第２方向Ｄ２の寸法Ｘ１が大きくなるため、インダクタ配線３１，３２とパターン用樹脂層１５０Ｂとの間で発生する密着力を大きくできる。
図１５に示すように、比較例１にあっては、構成比Ｚが大きいため、インダクタ配線３１，３２の第３方向Ｄ３の寸法Ｙが大きくなる、又は、接触面３３Ａの第２方向Ｄ２の寸法Ｘ１が小さくなる。そのため、乖離発生率Ｒが大きくなってしまう。
これに対し、実施例１～３にあっては、構成比Ｚが小さいため、インダクタ配線３１，３２の第３方向Ｄ３の寸法Ｙが大きくなることを抑制でき、且つ、接触面３３Ａの第２方向Ｄ２の寸法Ｘ１を大きくできる。すなわち、インダクタ配線３１，３２に作用する変位力を小さくしつつ、インダクタ配線３１，３２とパターン用樹脂層１５０Ｂとの間に発生する密着力を大きくできる。その結果、比較例１の場合よりも乖離発生率Ｒを小さくできる。したがって、インダクタ部品１０の性能の変化を抑制できる。
さらに、実施例１及び３のように構成比Ｚを「０．８６」以下とすることにより、インダクタ配線３１，３２に作用する変位力をより小さくできるとともに、インダクタ配線３１，３２とパターン用樹脂層１５０Ｂとの間に発生する密着力をより大きくできる。その結果、乖離発生率Ｒをより小さくでき、ひいてはインダクタ部品１０の性能の変化の抑制効果を高くできる。
本実施形態では、以下に示す効果をさらに得ることができる。
構成比Ｚが小さいほど、インダクタ配線３１，３２の厚みが薄くなる。そして、インダクタ配線３１，３２が薄いほど、インダクタ配線３１，３２の配線抵抗が高くなる。インダクタ配線３１，３２の配線抵抗が高いことは、インダクタ部品１０として好ましくない。この点、本実施形態では、構成比Ｚが「０．２５」以上となるようにインダクタ配線３１，３２が構成される。これにより、インダクタ配線３１，３２の配線抵抗が大きくなり過ぎることを抑制できる。
構成比Ｚが小さいほど、インダクタ配線３１，３２の厚みが薄くなる。そして、インダクタ配線３１，３２が薄いほど、インダクタ配線３１，３２の配線抵抗が高くなる。インダクタ配線３１，３２の配線抵抗が高いことは、インダクタ部品１０として好ましくない。この点、本実施形態では、構成比Ｚが「０．２５」以上となるようにインダクタ配線３１，３２が構成される。これにより、インダクタ配線３１，３２の配線抵抗が大きくなり過ぎることを抑制できる。
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・インダクタ配線は、配線本体と、高さ方向で配線本体と隣接するスカート部とを有するのであれば、上記実施形態で説明した形状とは異なる形状であってもよい。例えば、インダクタ配線は、図１６に示すような形状の配線であってもよい。すなわち、図１６に示すように、インダクタ配線１３１はスカート部２７０を備えているものの、配線本体２６０は連結領域６０Ａを有していなくてもよい。このような構成であっても、スカート部２７０の先端７２における上記幅方向の寸法がスカート部２７０の基端７１における上記幅方向の寸法よりも大きいため、スカート部２７０をインダクタ配線が備えない場合と比較し、インダクタ配線の接触面３３Ａにおける上記幅方向の寸法を大きくできる。これにより、インダクタ配線１３１と樹脂層５０との密着力を大きくできる分、素体２０の内部において、インダクタ配線１３１の位置と設計位置との乖離を抑制できる。
・インダクタ配線は、配線本体と、高さ方向で配線本体と隣接するスカート部とを有するのであれば、上記実施形態で説明した形状とは異なる形状であってもよい。例えば、インダクタ配線は、図１６に示すような形状の配線であってもよい。すなわち、図１６に示すように、インダクタ配線１３１はスカート部２７０を備えているものの、配線本体２６０は連結領域６０Ａを有していなくてもよい。このような構成であっても、スカート部２７０の先端７２における上記幅方向の寸法がスカート部２７０の基端７１における上記幅方向の寸法よりも大きいため、スカート部２７０をインダクタ配線が備えない場合と比較し、インダクタ配線の接触面３３Ａにおける上記幅方向の寸法を大きくできる。これにより、インダクタ配線１３１と樹脂層５０との密着力を大きくできる分、素体２０の内部において、インダクタ配線１３１の位置と設計位置との乖離を抑制できる。
・シード層３５は、銅以外の他の金属を材料として構成された層であってもよい。他の金属としては、チタン、銀、クロム及びニッケルなどを挙げることができる。
・インダクタ部品１０を、上記実施形態で説明した製造方法とは異なる方法で製造する場合、シード層３５は必須ではない。
・インダクタ部品１０を、上記実施形態で説明した製造方法とは異なる方法で製造する場合、シード層３５は必須ではない。
・インダクタ部品１０を、上記実施形態で説明した製造方法のように、１個単位で製造する必要はなく、基板１００上に複数のインダクタ部品１０となるべき部分を行列状に配置し、ステップＳ２３以降にダイシングなどで個片化してもよい。
・シード層３５の第３方向Ｄ３の寸法がスカート部７０の第３方向Ｄ３の寸法の半分以上となるように、スカート部７０を形成するようにしてもよい。
・素体２０の内部に設けられるインダクタ配線は、上記実施形態で説明した形状とは異なる形状であってもよい。インダクタ配線は、電流が流れた場合に周囲に磁束を発生させることによって、インダクタ部品１０にインダクタンスを付与できるものであれば、その構造、形状、材料などに特に限定はない。インダクタ配線は、１ターン以上のスパイラル状、１．０ターン未満の曲線状、蛇行するミアンダ状などの公知の様々な配線形状の配線であってもよい。
・素体２０の内部に設けられるインダクタ配線は、上記実施形態で説明した形状とは異なる形状であってもよい。インダクタ配線は、電流が流れた場合に周囲に磁束を発生させることによって、インダクタ部品１０にインダクタンスを付与できるものであれば、その構造、形状、材料などに特に限定はない。インダクタ配線は、１ターン以上のスパイラル状、１．０ターン未満の曲線状、蛇行するミアンダ状などの公知の様々な配線形状の配線であってもよい。
・上記実施形態では、素体２０の内部に２つのインダクタ配線３１，３２が設けられている。しかし、素体２０の内部に設けるインダクタ配線の数は、「２」以外の数であってもよい。例えば、インダクタ部品１０は、３つ以上のインダクタ配線が素体２０内に設けられたものであってもよいし、１つのインダクタ配線が素体２０内に設けられたものであってもよい。
・第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２は、第１主面２１に沿う方向であれば、図１に示した方向とは異なる方向であってもよい。
・樹脂層５０は、シリカ、硫酸バリウムなどのフィラーを含んでいてもよいし、磁性を有する樹脂層であってもよい。
・樹脂層５０は、シリカ、硫酸バリウムなどのフィラーを含んでいてもよいし、磁性を有する樹脂層であってもよい。
・インダクタ部品１０は、樹脂層５０を備えない構成であってもよい。
・エネルギー低下工程は、シード膜１３５の表面エネルギーを低下させることができるのであれば、保護膜１６０が形成された基板１００を放置したり、基板１００を熱アニールしたりする処理以外の他の処理であってもよい。例えば、他の処理としては、例えば、表面酸化処理、末端にアルキル鎖やフルオロアルキル鎖を含むカップリング剤を塗布する処理を挙げることができる。
・エネルギー低下工程は、シード膜１３５の表面エネルギーを低下させることができるのであれば、保護膜１６０が形成された基板１００を放置したり、基板１００を熱アニールしたりする処理以外の他の処理であってもよい。例えば、他の処理としては、例えば、表面酸化処理、末端にアルキル鎖やフルオロアルキル鎖を含むカップリング剤を塗布する処理を挙げることができる。
・セミアディティブ法を利用しない他の製造方法でインダクタ部品１０を製造してもよい。例えば、インダクタ部品１０は、シート積層工法、印刷積層工法などを用いて形成してもよいし、インダクタ配線３１，３２は、スパッタリング、蒸着などの薄膜法、印刷・塗布などの厚膜法、フルアディティブ、サブトラクティブなどのめっき工法で形成してもよい。この場合であっても、製造の過程、又は製造後において、インダクタ配線３１，３２の第２方向Ｄ２の両側に位置する部材から変位力を、インダクタ配線３１，３２が受けることがある。このとき、上記構成比Ｚを「０．８９」以下とすることにより、密着力を大きくしつつ、変位力が大きくなることを抑制できる。そのため、インダクタ部品１０では、製造方法によらず、素体２０の内部においてインダクタ配線３１，３２の位置と設計位置との間に乖離が発生することを抑制できる。
１０…インダクタ部品、２０…素体、３１，３２，１３１…インダクタ配線、３３ＭＡＸ…最大部位、３５…シード層、３６…導電層、５０…樹脂層、６０，２６０…配線本体、６０Ａ…連結領域、６１…連結部位、７０，２７０…スカート部、７１…基端、７２…先端、１００…基板、１３５…シード膜、１５０…樹脂層、１５０Ａ…ベース樹脂層、１５０Ｂ…パターン用樹脂層、１６０…保護膜、ＰＴ…配線パターン、ＶＩ…第１平面。
Claims (16)
- 磁性を有する素体と、
前記素体の内部の第１平面上に沿って設けられているインダクタ配線と、を備え、
前記第１平面と直交する方向を前記インダクタ配線の高さ方向とし、前記第１平面に沿う方向のうち、前記インダクタ配線の延びる方向及び前記高さ方向の双方に直交する方向を、前記インダクタ配線の幅方向とした場合、
前記インダクタ配線は、配線本体と、前記高さ方向で前記配線本体に隣接するスカート部と、を有し、
前記配線本体の前記高さ方向の寸法は、前記スカート部の前記高さ方向の寸法よりも大きく、前記スカート部は、前記高さ方向において前記配線本体から離れるほど前記幅方向の寸法が大きくなるものであり、
前記スカート部における前記高さ方向の前記配線本体側の端を基端とし、前記スカート部における前記高さ方向の前記配線本体の反対側の端を先端とした場合、
前記スカート部の前記基端の前記幅方向の寸法は、前記配線本体における前記幅方向の寸法よりも小さく、
前記スカート部の前記先端の前記幅方向の寸法は、前記配線本体における前記幅方向の寸法よりも大きい
インダクタ部品。 - 磁性を有する素体と、
前記素体の内部の第１平面上に沿って設けられているインダクタ配線と、を備え、
前記第１平面と直交する方向を前記インダクタ配線の高さ方向とし、前記第１平面に沿う方向のうち、前記インダクタ配線の延びる方向及び前記高さ方向の双方に直交する方向を、前記インダクタ配線の幅方向とした場合、
前記インダクタ配線は、配線本体と、前記高さ方向で前記配線本体に隣接するスカート部と、を有し、
前記配線本体の前記高さ方向の寸法は、前記スカート部の前記高さ方向の寸法よりも大きく、前記スカート部は、前記高さ方向において前記配線本体から離れるほど前記幅方向の寸法が大きくなるものであり、
前記スカート部における前記高さ方向の前記配線本体側の端を基端とし、前記スカート部における前記高さ方向の前記配線本体の反対側の端を先端とした場合、
前記スカート部の前記先端の前記幅方向の寸法は、前記配線本体における前記幅方向の寸法よりも大きく、
前記インダクタ配線は、互いに組成の異なるシード層と導電層とが前記高さ方向に並ぶ構造であり、
前記シード層によって前記スカート部の前記先端が構成されている
インダクタ部品。 - 前記シード層の前記高さ方向の寸法は、前記スカート部の前記高さ方向の寸法の半分未満である
請求項２に記載のインダクタ部品。 - 磁性を有する素体と、
前記素体の内部の第１平面上に沿って設けられているインダクタ配線と、を備え、
前記第１平面と直交する方向を前記インダクタ配線の高さ方向とし、前記第１平面に沿う方向のうち、前記インダクタ配線の延びる方向及び前記高さ方向の双方に直交する方向を、前記インダクタ配線の幅方向とした場合、
前記インダクタ配線は、配線本体と、前記高さ方向で前記配線本体に隣接するスカート部と、を有し、
前記配線本体の前記高さ方向の寸法は、前記スカート部の前記高さ方向の寸法よりも大きく、前記スカート部は、前記高さ方向において前記配線本体から離れるほど前記幅方向の寸法が大きくなるものであり、
前記スカート部における前記高さ方向の前記配線本体側の端を基端とし、前記スカート部における前記高さ方向の前記配線本体の反対側の端を先端とした場合、
前記スカート部の前記先端の前記幅方向の寸法は、前記配線本体における前記幅方向の寸法よりも大きく、
前記素体の内部に設けられている樹脂層をさらに備え、
前記スカート部の前記先端が前記樹脂層に面接触しており、
前記樹脂層は、シリコンを含み、
前記樹脂層において、前記インダクタ配線に近い部分のシリコンの含有率は、前記インダクタ配線から離れている部分のシリコンの含有率よりも高い
インダクタ部品。 - 前記樹脂層は、シルセスキオキサンを含む
請求項４に記載のインダクタ部品。 - 磁性を有する素体と、
前記素体の内部の第１平面上に沿って設けられているインダクタ配線と、を備え、
前記第１平面と直交する方向を前記インダクタ配線の高さ方向とし、前記第１平面に沿う方向のうち、前記インダクタ配線の延びる方向及び前記高さ方向の双方に直交する方向を、前記インダクタ配線の幅方向とした場合、
前記インダクタ配線は、配線本体と、前記高さ方向で前記配線本体に隣接するスカート部と、を有し、
前記配線本体の前記高さ方向の寸法は、前記スカート部の前記高さ方向の寸法よりも大きく、前記スカート部は、前記高さ方向において前記配線本体から離れるほど前記幅方向の寸法が大きくなるものであり、
前記スカート部における前記高さ方向の前記配線本体側の端を基端とし、前記スカート部における前記高さ方向の前記配線本体の反対側の端を先端とした場合、
前記スカート部の前記先端の前記幅方向の寸法は、前記配線本体における前記幅方向の寸法よりも大きく、
前記素体の内部に設けられている樹脂層をさらに備え、
前記スカート部の前記先端が前記樹脂層に面接触しており、
前記樹脂層は、フッ素を含み、
前記樹脂層において、前記インダクタ配線に近い部分のフッ素の含有率は、前記インダクタ配線から離れている部分のフッ素の含有率よりも高い
インダクタ部品。 - 前記樹脂層は、トリフルオロメチル基を含む
請求項６に記載のインダクタ部品。 - 前記樹脂層は、非磁性体である
請求項４～請求項７のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。 - 前記樹脂層の前記高さ方向の寸法は、「５μｍ」以上であって且つ「３０μｍ」以下である
請求項４～請求項８のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。 - 前記配線本体は、前記高さ方向において前記スカート部の連結部位から離れるほど前記幅方向の寸法が大きくなる連結領域を有する
請求項１～請求項９のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。 - 前記インダクタ配線の延びる方向に直交する当該インダクタ配線の横断面において、前記高さ方向の寸法のうち、最大となる寸法を最大寸法とした場合、
前記スカート部の前記先端の前記幅方向の寸法に対する前記最大寸法の比は、「０．８９」以下である
請求項１～請求項１０のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。 - 前記インダクタ配線の延びる方向に直交する当該インダクタ配線の横断面において、前記高さ方向の寸法のうち、最大となる寸法を最大寸法とした場合、
前記スカート部の前記先端の前記幅方向の寸法に対する前記最大寸法の比は、「０．８６」以下である
請求項１～請求項１０のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。 - 前記素体の前記高さ方向の寸法は、「５００μｍ」以下である
請求項１～請求項１２のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。 - 前記インダクタ配線は、「０．０１ａｔｏｍｉｃ％」以上であって且つ「１ａｔｏｍｉｃ％」以下の硫黄を含む
請求項１～請求項１３のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。 - 磁性を有する素体の内部にインダクタ配線が設けられるインダクタ部品の製造方法であって、
基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層上にシード膜を形成するシード膜形成工程と、
保護膜を前記シード膜上にパターニングすることにより、前記インダクタ部品における前記インダクタ配線の形状が開口された配線パターンを形成するパターン形成工程と、
前記シード膜の表面エネルギーを低下させるエネルギー低下工程と、
前記シード膜のうち、前記保護膜に覆われていない部分をシード層とした場合、前記配線パターンに導電性材料を供給することによって導電層を形成することにより、当該導電層と前記シード層とによって前記インダクタ配線を形成する導電層形成工程と、
前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、
前記基板及び前記樹脂層のうちの少なくとも前記基板を除去し、内部に前記インダクタ配線が設けられた前記素体を形成する素体形成工程と、を備える
インダクタ部品の製造方法。 - 前記エネルギー低下工程では、前記保護膜が形成された前記基板を放置する時間によって表面エネルギーの低下量を調整する
請求項１５に記載のインダクタ部品の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019185165A JP7211323B2 (ja) | 2019-10-08 | 2019-10-08 | インダクタ部品、及びインダクタ部品の製造方法 |
| US17/021,890 US11798730B2 (en) | 2019-10-08 | 2020-09-15 | Inductor component and method for manufacturing inductor component |
| CN202011016284.5A CN112635156B (zh) | 2019-10-08 | 2020-09-24 | 电感部件和电感部件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019185165A JP7211323B2 (ja) | 2019-10-08 | 2019-10-08 | インダクタ部品、及びインダクタ部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021061340A JP2021061340A (ja) | 2021-04-15 |
| JP7211323B2 true JP7211323B2 (ja) | 2023-01-24 |
Family
ID=75274298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019185165A Active JP7211323B2 (ja) | 2019-10-08 | 2019-10-08 | インダクタ部品、及びインダクタ部品の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11798730B2 (ja) |
| JP (1) | JP7211323B2 (ja) |
| CN (1) | CN112635156B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7211323B2 (ja) * | 2019-10-08 | 2023-01-24 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品、及びインダクタ部品の製造方法 |
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2019
- 2019-10-08 JP JP2019185165A patent/JP7211323B2/ja active Active
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2020
- 2020-09-15 US US17/021,890 patent/US11798730B2/en active Active
- 2020-09-24 CN CN202011016284.5A patent/CN112635156B/zh active Active
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| JP2019114606A (ja) | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210104357A1 (en) | 2021-04-08 |
| US11798730B2 (en) | 2023-10-24 |
| CN112635156B (zh) | 2023-06-20 |
| CN112635156A (zh) | 2021-04-09 |
| JP2021061340A (ja) | 2021-04-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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