JP7223525B2 - インダクタ及びインダクタの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、インダクタ及びインダクタの製造方法に関するものである。
近年、ゲーム機や携帯電話機等の電子機器の小型化が加速しており、これに伴って、このような電子機器に搭載されるインダクタ等の各種素子に対しても小型化の要求が高まっている。このような電子機器に搭載されるインダクタとしては、例えば、巻き線とコアとを有するタイプが知られている。このようなタイプのインダクタは、例えば、電子機器の電源回路等に用いられている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、上記従来のタイプのインダクタは、それぞれ個別の部品として形成された巻き線とコアとを組み立てて形成されるため、巻き線とコアとの間にどうしても隙間が生じる。このため、隙間が生じる分だけ、インダクタの小型化や薄型化が困難である。
本発明の一観点によれば、同一平面内において渦巻き状に形成された第１導体と、同一平面内において渦巻き状に形成され、前記第１導体と重ね合わされた状態で前記第１導体と接合された第２導体と、前記第１導体の表面及び前記第２導体の表面を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜の表面を被覆し、前記第１導体と前記第２導体とを埋設する磁性体と、前記第１導体と接合され、前記磁性体から端面が露出された第１金属ポストと、前記第２導体と接合され、前記磁性体から端面が露出された第２金属ポストと、前記磁性体から露出された前記第１金属ポストの端面を被覆するように前記磁性体の表面に形成された第１電極と、前記磁性体から露出された前記第２金属ポストの端面を被覆するように前記磁性体の表面に形成された第２電極と、を有し、前記第１導体と前記第２導体とが接続されて螺旋状のコイルが形成されており、前記第１金属ポストは、拡散接合又は導電性を有する接合材により前記第１導体と接合されており、前記第２金属ポストは、拡散接合又は導電性を有する接合材により前記第２導体と接合されており、前記第１導体は、渦巻き状に形成された導体部と、前記第２導体との接合部に設けられた突起部とを有し、前記導体部は、前記第２導体と対向する面であって前記突起部が形成された第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記突起部は、前記導体部の前記第１面から前記第２導体に向かって突出しており、前記突起部を通じて前記第１導体と前記第２導体とが接合されており、前記導体部の前記第１面の平面形状の大きさは、前記導体部の前記第２面の平面形状よりも大きく形成されており、前記導体部は、前記第２導体とは反対の方向に向かうに連れて幅が小さくなるテーパ状に形成されており、前記突起部は、前記第２導体に向かうに連れて幅が小さくなる逆テーパ状に形成されている。
本発明の一観点によれば、薄型化することができるという効果を奏する。
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。
（第１実施形態）
以下、図１～図１１に従って第１実施形態を説明する。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から視ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から視た形状のことを言う。
以下、図１～図１１に従って第１実施形態を説明する。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から視ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から視た形状のことを言う。
図１及び図３に示すように、インダクタ１０は、渦巻き状に形成された導体２０，３０と、導体２０，３０の表面を被覆する絶縁膜４０（図１では図示略）と、絶縁膜４０の表面を被覆する磁性体６０と、電極７１，７２とを有している。
図２に示すように、導体２０は、同一平面内（同一平面上）において渦巻き状に形成されている。導体２０は、例えば、同一平面内において円形状の渦巻き状に形成されている。導体３０は、同一平面内において渦巻き状に形成されている。導体３０は、例えば、同一平面内において円形状の渦巻き状に形成されている。ここで、本明細書では、導体２０，３０の渦巻きに沿う方向を長手方向とし、その長手方向に平面視において直交する方向を短手方向（幅方向）とし、長手方向及び短手方向の双方と直交する方向を厚さ方向とする。
導体２０，３０の横断面形状（つまり、導体２０，３０の長手方向と直交する平面によって導体２０，３０を切断した断面形状）は、例えば、矩形状に形成されている。本例の導体２０，３０の横断面形状は、短辺と長辺を有する長方形に形成されている。本例の導体２０，３０は、上記長方形の短辺が厚さ方向に沿って延び、上記長方形の長辺が短手方向に延びるように形成されている。
導体２０，３０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）やＣｕ合金を用いることができる。導体２０，３０の材料としては、例えば、４２アロイ等のＦｅ－Ｎｉ合金を用いることができる。
（導体２０の構造）
導体２０は、内周側の端部２１と、外周側の端部２２と、端部２１から端部２２に向かって渦巻き状に形成された導体部２３とを有している。これら端部２１と端部２２と導体部２３とは一体に形成された単一部品である。
導体２０は、内周側の端部２１と、外周側の端部２２と、端部２１から端部２２に向かって渦巻き状に形成された導体部２３とを有している。これら端部２１と端部２２と導体部２３とは一体に形成された単一部品である。
導体部２３は、端部２１から端部２２に向かうに連れて渦巻きの中心から遠ざかるように渦巻き状に形成されている。本例の導体部２３は、左回り（反時計回り）の渦巻き（つまり、左回転により外周に向かう渦巻き）に形成されている。本例の導体部２３は、内周側の端部２１から外周側の端部２２に向けて左回りに略円形の渦巻き状に約１．５周巻かれるように形成されている。
導体部２３は、所定の隙間を有するように渦巻き状に形成されている。すなわち、隣り合う導体部２３の間には、渦巻き状のスリット２０Ｘが形成されている。また、端部２１よりも内側（渦巻きの中心側）には、略円形状の開口部２０Ｙが形成されている。
導体部２３の短手方向（幅方向）の寸法は、例えば、２００～３００μｍ程度とすることができる。導体部２３の厚さ方向の寸法は、例えば、１００～２００μｍ程度とすることができる。スリット２０Ｘの短手方向の寸法は、例えば、１００～２００μｍ程度とすることができる。
端部２１は、導体３０と接合される接合部となる。端部２１は、導体３０と接合される突起部２４を有している。突起部２４は、導体２０の上面２０Ａ（導体３０と対向する面）に、導体２０の他の部分（導体部２３及び端部２２等）よりも導体３０に向かって突出するように形成されている。突起部２４は、導体２０の他の部分（導体部２３及び端部２２等）と一体に形成されている。例えば、突起部２４は、導体２０の突起部２４以外の部分が薄化されることで形成される。
図３に示すように、突起部２４は、端部２１の上面２０Ａから導体３０に向かって延びるように柱状に形成されている。突起部２４の高さ（厚さ）は、例えば、５０～１００μｍ程度とすることができる。突起部２４の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。突起部２４の平面形状は、例えば、直径が２００～４００μｍ程度の円形状とすることができる。
突起部２４の上面２４Ａは、例えば、平面に形成されている。この突起部２４の上面２４Ａが導体３０と接合される接合面となる。
端部２２は、電極７１と電気的に接続される接続部となる。端部２２の上面２０Ａには、例えば、電極７１と直接接続される金属ポスト５１が接合されている。端部２２は、例えば、金属ポスト５１を介して電極７１と電気的に接続される。端部２２の端面２２Ａは、例えば、磁性体６０の端面６０Ｂから露出されている。端部２２の端面２２Ａは、例えば、磁性体６０の端面６０Ｂと面一になるように形成されている。
端部２２は、電極７１と電気的に接続される接続部となる。端部２２の上面２０Ａには、例えば、電極７１と直接接続される金属ポスト５１が接合されている。端部２２は、例えば、金属ポスト５１を介して電極７１と電気的に接続される。端部２２の端面２２Ａは、例えば、磁性体６０の端面６０Ｂから露出されている。端部２２の端面２２Ａは、例えば、磁性体６０の端面６０Ｂと面一になるように形成されている。
図２に示すように、端部２２は、例えば、導体部２３の巻き方向と交差する方向に延びるように形成されている。端部２２は、例えば、導体部２３よりも短手方向の寸法が広く形成された幅広部２２Ｃを有している。金属ポスト５１は、その下面が幅広部２２Ｃの上面２０Ａに接合されている。
金属ポスト５１は、端部２２（具体的には、幅広部２２Ｃ）の上面２０Ａから上方に延びるように柱状に形成されている。金属ポスト５１の高さ（厚さ）は、例えば、４００～５００μｍ程度とすることができる。金属ポスト５１の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。金属ポスト５１の平面形状は、例えば、直径が５００～１０００μｍ程度の円形状とすることができる。
（導体３０の構造）
導体３０は、内周側の端部３１と、外周側の端部３２と、端部３１から端部３２に向かって渦巻き状に形成された導体部３３とを有している。これら端部３１と端部３２と導体部３３とは一体に形成された単一部品である。
導体３０は、内周側の端部３１と、外周側の端部３２と、端部３１から端部３２に向かって渦巻き状に形成された導体部３３とを有している。これら端部３１と端部３２と導体部３３とは一体に形成された単一部品である。
導体部３３は、端部３１から端部３２に向かうに連れて渦巻きの中心から遠ざかるように渦巻き状に形成されている。導体部３３は、導体２０の導体部２３の巻き方向とは反対方向の渦巻きに形成されている。本例の導体部３３は、右回り（時計回り）の渦巻き（つまり、右回転により外周に向かう渦巻き）に形成されている。本例の導体部３３は、内周側の端部３１から外周側の端部３２に向けて右回りに略円形の渦巻き状に約１．５周巻かれるように形成されている。
導体部３３は、所定の隙間を有するように渦巻き状に形成されている。すなわち、隣り合う導体部３３の間には、渦巻き状のスリット３０Ｘが形成されている。また、端部３１よりも内側（渦巻きの中心側）には、略円形状の開口部３０Ｙが形成されている。
導体部３３の短手方向の寸法は、例えば、２００～３００μｍ程度とすることができる。導体部３３の厚さ方向の寸法は、例えば、１００～２００μｍ程度とすることができる。スリット３０Ｘの短手方向の寸法は、例えば、１００～２００μｍ程度とすることができる。
端部３１は、導体２０と接合される接合部となる。端部３１の下面３０Ｂ（導体２０と対向する面）は、突起部２４の上面２４Ａと接合されている。本例の端部３１の下面３０Ｂは、導体３０の他の部分（導体部３３及び端部３２等）の下面３０Ｂと同一平面上に形成されている。
図３に示すように、端部３２は、電極７２と電気的に接続される接続部となる。端部３２の上面３０Ａには、例えば、電極７２と直接接続される金属ポスト５２が接合されている。端部３２は、例えば、金属ポスト５２を介して電極７２と電気的に接続される。端部３２の端面３２Ａは、例えば、磁性体６０の端面６０Ｃから露出されている。端部３２の端面３２Ａは、例えば、磁性体６０の端面６０Ｃと面一になるように形成されている。
図２に示すように、端部３２は、例えば、導体部３３の巻き方向と交差する方向に延びるように形成されている。端部３２は、短手方向の寸法が導体部３３の短手方向の寸法よりも広く形成された幅広部３２Ｃを有している。金属ポスト５２は、その下面が幅広部３２Ｃの上面３０Ａに接合されている。
金属ポスト５２は、端部３２（具体的には、幅広部３２Ｃ）の上面３０Ａから上方に延びるように柱状に形成されている。金属ポスト５２の高さ（厚さ）は、例えば、２００～３００μｍ程度とすることができる。金属ポスト５２の平面形状は、任意の形状及び大きさに設定することができる。金属ポスト５２の平面形状は、例えば、直径が５００～１０００μｍ程度の円形状とすることができる。
以上説明した導体３０は、導体２０に重ね合わされた状態で導体２０に接合されている。具体的には、導体２０の内周側の端部２１に形成された突起部２４が、導体２０と上下（厚さ方向）に重ね合わされた導体３０の内周側の端部３１に接合されている。このとき、上下に隣接する導体２０，３０（導体部２３，３３）が互いに反対方向の渦巻き状に形成されている。これにより、上下に隣接する導体２０，３０が、それら導体２０，３０を流れる電流の向きが同じとなるように直列に接続される。そして、図１に示すように、導体２０の外周側の端部２２から導体３０の外周側の端部３２に至る螺旋状のコイル１１が形成されている。すなわち、螺旋状のコイル１１は、その一端部に金属ポスト５１が接合される端部２２が設けられ、他端部に金属ポスト５２が接合される端部３２が設けられている。
図３に示すように、螺旋状のコイル１１では、上下に重ね合わされた導体２０，３０の間には所定の隙間Ｓ１が形成されている。具体的には、導体２０の上面２０Ａと導体３０の下面３０Ｂとの間には、突起部２４の厚さ分の隙間Ｓ１が形成されている。
（絶縁膜４０の構造）
絶縁膜４０は、導体２０の表面及び導体３０の表面を被覆するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、金属ポスト５１から露出された導体２０の上面２０Ａ全面と、導体２０の下面２０Ｂ全面と、導体２０の側面を被覆するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、導体２０の端部２２の端面２２Ａを露出するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、金属ポスト５２から露出された導体３０の上面３０Ａ全面と、突起部２４から露出された導体３０の下面３０Ｂ全面と、導体３０の側面とを被覆するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、導体３０の端部３２の端面３２Ａを露出するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、金属ポスト５１の側面全面と、金属ポスト５２の側面全面とを被覆するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、金属ポスト５１の上面と金属ポスト５２の上面とを露出するように形成されている。本例の絶縁膜４０は、上下に隣接する導体２０，３０の間に形成された隙間Ｓ１を充填するように形成されている。絶縁膜４０は、上下に隣接する導体２０，３０が磁性体６０に含まれる導電体を通じて短絡することを抑制する機能を有している。
絶縁膜４０は、導体２０の表面及び導体３０の表面を被覆するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、金属ポスト５１から露出された導体２０の上面２０Ａ全面と、導体２０の下面２０Ｂ全面と、導体２０の側面を被覆するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、導体２０の端部２２の端面２２Ａを露出するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、金属ポスト５２から露出された導体３０の上面３０Ａ全面と、突起部２４から露出された導体３０の下面３０Ｂ全面と、導体３０の側面とを被覆するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、導体３０の端部３２の端面３２Ａを露出するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、金属ポスト５１の側面全面と、金属ポスト５２の側面全面とを被覆するように形成されている。絶縁膜４０は、例えば、金属ポスト５１の上面と金属ポスト５２の上面とを露出するように形成されている。本例の絶縁膜４０は、上下に隣接する導体２０，３０の間に形成された隙間Ｓ１を充填するように形成されている。絶縁膜４０は、上下に隣接する導体２０，３０が磁性体６０に含まれる導電体を通じて短絡することを抑制する機能を有している。
絶縁膜４０の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁膜４０は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。絶縁膜４０の厚さは、例えば、１０～３０μｍ程度とすることができる。
（磁性体６０の構造）
磁性体６０は、導体２０，３０からなるコイル１１と、金属ポスト５１，５２と、絶縁膜４０とを全体的に封止するように形成されている。磁性体６０は、導体２０，３０の表面を被覆する絶縁膜４０の表面を直接被覆するように形成されている。換言すると、磁性体６０は、導体２０，３０の表面を絶縁膜４０を介して直接被覆している。磁性体６０は、導体２０と導体３０とを埋設するように形成されている。すなわち、導体２０及び導体３０は、磁性体６０内に埋め込まれている。このため、磁性体６０は、図２に示したスリット２０Ｘ，３０Ｘ及び開口部２０Ｙ，３０Ｙを充填するように形成されている。磁性体６０は、例えば、金属ポスト５１，５２を埋設するように形成されている。磁性体６０は、例えば、導体２０の端部２２の端面２２Ａと、導体３０の端部３２の端面３２Ａと、金属ポスト５１，５２の上面（端面）とを露出するように形成されている。磁性体６０の上面６０Ａは、例えば、金属ポスト５１，５２の上面と、それら金属ポスト５１，５２の側面を被覆する絶縁膜４０の端面と面一になるように形成されている。磁性体６０の端面６０Ｂは、例えば、端部２２の端面２２Ａと、端部２２の上面２０Ａ及び下面２０Ｂを被覆する絶縁膜４０の端面と面一になるように形成されている。磁性体６０の端面６０Ｂとは反対側の端面６０Ｃは、例えば、端部３２の端面３２Ａと、端部３２の上面３０Ａ及び下面３０Ｂを被覆する絶縁膜４０の端面と面一になるように形成されている。
磁性体６０は、導体２０，３０からなるコイル１１と、金属ポスト５１，５２と、絶縁膜４０とを全体的に封止するように形成されている。磁性体６０は、導体２０，３０の表面を被覆する絶縁膜４０の表面を直接被覆するように形成されている。換言すると、磁性体６０は、導体２０，３０の表面を絶縁膜４０を介して直接被覆している。磁性体６０は、導体２０と導体３０とを埋設するように形成されている。すなわち、導体２０及び導体３０は、磁性体６０内に埋め込まれている。このため、磁性体６０は、図２に示したスリット２０Ｘ，３０Ｘ及び開口部２０Ｙ，３０Ｙを充填するように形成されている。磁性体６０は、例えば、金属ポスト５１，５２を埋設するように形成されている。磁性体６０は、例えば、導体２０の端部２２の端面２２Ａと、導体３０の端部３２の端面３２Ａと、金属ポスト５１，５２の上面（端面）とを露出するように形成されている。磁性体６０の上面６０Ａは、例えば、金属ポスト５１，５２の上面と、それら金属ポスト５１，５２の側面を被覆する絶縁膜４０の端面と面一になるように形成されている。磁性体６０の端面６０Ｂは、例えば、端部２２の端面２２Ａと、端部２２の上面２０Ａ及び下面２０Ｂを被覆する絶縁膜４０の端面と面一になるように形成されている。磁性体６０の端面６０Ｂとは反対側の端面６０Ｃは、例えば、端部３２の端面３２Ａと、端部３２の上面３０Ａ及び下面３０Ｂを被覆する絶縁膜４０の端面と面一になるように形成されている。
図１に示すように、磁性体６０は、例えば、六面体形状に形成されている。本例の磁性体６０は、直方体状に形成されている。磁性体６０の厚さは、例えば、１～１．５ｍｍ程度とすることができる。磁性体６０の平面形状は、３ｍｍ×３ｍｍ～４ｍｍ×４ｍｍ程度の矩形状とすることができる。
磁性体６０の材料としては、例えば、磁性粒子と絶縁性樹脂とを混練してなる材料を用いることができる。磁性粒子としては、例えば、カルボニル鉄、フェライトやパーマロイを用いることができる。絶縁性樹脂は、バインダ（接合材）となる。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いることができる。
電極７１は、磁性体６０の上面６０Ａに形成され、金属ポスト５１の上面（端面）に接続されている。電極７１は、金属ポスト５１を介して導体２０と電気的に接続されている。電極７２は、磁性体６０の上面６０Ａに形成され、金属ポスト５２の上面に接続されている。電極７２は、金属ポスト５２を介して導体３０と電気的に接続されている。電極７１，７２は、互いに離間して形成されており、互いに電気的に絶縁されている。電極７１，７２は、例えば、帯状に延びるように形成されている。
次に、インダクタ１０の製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、最終的にインダクタ１０の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
まず、導体２０の製造方法について説明する。
まず、導体２０の製造方法について説明する。
図４（ａ）に示す工程では、金属板８０を準備する。金属板８０は、複数の個別領域Ｃ１を有している。複数の個別領域Ｃ１は、例えば、マトリクス状（ここでは、４×４）に配列されている。図４（ｂ）に示すように、各個別領域Ｃ１には、以下に説明する製造工程を実施することにより、渦巻き状の導体２０が形成される。このとき、各個別領域Ｃ１に形成された導体２０は、例えば、隣接する個別領域Ｃ１の間に設けられた連結部８１に接続されている。また、隣接する連結部８１の間には、各導体２０を画定する開口部８１Ｘが形成されている。そして、個別領域Ｃ１は、最終的に破線で示した切断線に沿って切断されて個片化され、各々個別の導体２０となる。なお、複数の個別領域Ｃ１は、図４（ａ）に示すように所定の間隔を介して配列されてもよいし、互いに接するように配列されてもよい。
金属板８０としては、例えば、厚さが１５０～２５０μｍ程度の銅板を用いることができる。金属板８０の材料としては、銅に限らず、銅合金や４２アロイ等のＦｅ－Ｎｉ合金を用いることもできる。
次に、図５及び図６に従って、各個別領域Ｃ１に形成される導体２０の製造方法を説明する。以下では、便宜上、１つの個別領域Ｃ１に着目して説明を行う。なお、図５及び図６は、図４（ｂ）の５－５線に対応する位置における金属板８０の断面図を示している。
図５（ａ）に示す工程では、図４（ａ）に示した工程で準備した金属板８０の下面８０Ｂに、所定の箇所に開口パターン８２Ｘを有するレジスト層８２を形成する。レジスト層８２は、図４（ｂ）に示した導体２０及び連結部８１に対応する部分の金属板８０を被覆するように形成される。レジスト層８２の材料としては、例えば、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性を有する材料を用いることができる。例えば、レジスト層８２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、感光性ドライフィルムレジストを用いる場合には、金属板８０の下面８０Ｂにドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口パターン８２Ｘを有するレジスト層８２を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８２を形成することができる。
また、金属板８０の上面８０Ａに、その上面８０Ａ全面を覆うレジスト層８３を形成する。レジスト層８３の材料としては、レジスト層８２と同様の材料を用いることができる。レジスト層８３は、例えば、金属板８０の上面８０Ａにドライフィルムを熱圧着によりラミネートして形成することができる。
次いで、図５（ｂ）に示す工程では、レジスト層８２，８３をエッチングマスクとして、金属板８０を下面８０Ｂからエッチングして、同一平面内において渦巻き状をなす導体２０を形成する。具体的には、レジスト層８２の開口パターン８２Ｘから露出された金属板８０を下面８０Ｂ側からエッチングし、金属板８０に渦巻き状のスリット２０Ｘと円形状の開口部２０Ｙと開口部８１Ｘとを形成する。これにより、各個別領域Ｃ１に渦巻き状をなす導体２０が画定され、隣り合う導体２０を連結する連結部８１が画定される。なお、ウェットエッチング（等方性エッチング）により金属板８０をパターニングする場合には、そのウェットエッチングで使用されるエッチング液は、金属板８０の材質に応じて適宜選択することができる。例えば金属板８０として銅を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液を使用することができ、金属板８０の下面８０Ｂ側からスプレーエッチングにて金属板８０のパターニングを実施することができる。このようにウェットエッチングにより金属板８０がパターニングされると、エッチングが金属板８０の面内方向に進行するサイドエッチ現象により導体２０の断面形状が台形状に形成される。このため、導体２０の下面２０Ｂの平面形状は、導体２０の上面２０Ａの平面形状よりも一回り小さく形成される。
本例では、金属板８０のパターニング（つまり、スリット２０Ｘ、開口部２０Ｙ及び開口部８１Ｘの形成）をエッチング加工により行うようにしたが、例えば、プレス加工により金属板８０のパターニングを行うこともできる。
次に、レジスト層８２，８３をアルカリ性の剥離液（例えば、有機アミン系剥離液、苛性ソーダ、アセトンやエタノールなど）により除去する。
続いて、図５（ｃ）に示す工程では、金属板８０（導体２０及び連結部８１）の上面８０Ａ全面を被覆するレジスト層８４を形成するとともに、金属板８０の下面８０Ｂ全面を被覆するレジスト層８５を形成する。レジスト層８４，８５の材料としては、例えば、レジスト層８２，８３（図５（ｂ）参照）と同様の材料を用いることができる。レジスト層８４，８５は、例えば、レジスト層８２，８３と同様の方法により形成することができる。
続いて、図５（ｃ）に示す工程では、金属板８０（導体２０及び連結部８１）の上面８０Ａ全面を被覆するレジスト層８４を形成するとともに、金属板８０の下面８０Ｂ全面を被覆するレジスト層８５を形成する。レジスト層８４，８５の材料としては、例えば、レジスト層８２，８３（図５（ｂ）参照）と同様の材料を用いることができる。レジスト層８４，８５は、例えば、レジスト層８２，８３と同様の方法により形成することができる。
次いで、図６（ａ）に示す工程では、例えばフォトリソグラフィ法によりレジスト層８４をパターニングして、レジスト層８４に開口パターン８４Ｘを形成する。開口パターン８４Ｘは、導体２０の内周側の端部２１以外に対応する部分の金属板８０の上面８０Ａを露出するように形成される。すなわち、レジスト層８４は、導体２０の内周側の端部２１に対応する部分の金属板８０の上面８０Ａを被覆するように形成される。
次に、図６（ｂ）に示す工程では、レジスト層８４，８５をエッチングマスクとして、金属板８０を上面８０Ａ側からエッチング（ハーフエッチング）し、レジスト層８４の開口パターン８４Ｘから露出された金属板８０を薄化して端部２１に突起部２４を形成する。すなわち、端部２１以外の部分の導体２０（金属板８０）を薄化することにより、端部２１に他の部分よりも突出する突起部２４を形成する。本工程のエッチング処理は、例えば、ウェットエッチング（等方性エッチング）により行うことができる。このようなウェットエッチングは、図５（ｂ）に示した工程のウェットエッチングと同様に行うことができる。このようなウェットエッチングにより金属板８０が薄化されると、エッチングが金属板８０の面内方向に進行するサイドエッチ現象により突起部２４の断面形状が台形状に形成される。すなわち、突起部２４は、図６（ｂ）において下面側から上面２４Ａ側に向かうに連れて幅（径）が小さくなるテーパ状に形成される。例えば、突起部２４は、上面２４Ａが下面よりも小さくなる略円錐台形状に形成される。本工程では、例えば、突起部２４の高さが５０～１００μｍ程度となるように金属板８０の薄化が行われる。
本例では、１回目のウェットエッチング（つまり、スリット２０Ｘ、開口部２０Ｙ及び開口部８１Ｘの形成）を金属板８０の下面８０Ｂ側から行い、２回目のウェットエッチング（突起部２４の形成）を金属板８０の上面８０Ａ側から行うようにした。すなわち、突起部２４を形成するための２回目のウェットエッチングを、１回目のウェットエッチングとは反対側の金属板８０の上面８０Ａ側から行うようにした。これにより、１回目のウェットエッチングにより平面形状の小さくなった導体２０の下面２０Ｂではなく、その下面２０Ｂよりも平面形状の大きい導体２０の上面２０Ａに突起部２４を形成することができる。このため、突起部２４の平面形状が所望の大きさよりも小さくなることを好適に抑制できる。なお、２回目のウェットエッチング後においても、導体２０の上面２０Ａの平面形状の大きさは、導体２０の下面２０Ｂの平面形状よりも大きく形成されている。
本例では、金属板８０の薄化（つまり、突起部２４の形成）をエッチング（ハーフエッチング）加工により行うようにしたが、例えば、プレス加工により金属板８０の薄化を行うこともできる。
次に、図６（ｃ）に示す工程では、図６（ｂ）に示したレジスト層８４，８５をアルカリ性の剥離液（例えば、有機アミン系剥離液、苛性ソーダ、アセトンやエタノールなど）により除去する。これにより、突起部２４の上面２４Ａが外部に露出される。
以上の製造工程により、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、各個別領域Ｃ１に、内周側の端部２１と、外周側の端部２２と、端部２１から端部２２に向かって渦巻き状に形成された導体部２３とを有する導体２０が形成される。なお、図７（ｂ）～図１１（ｂ）では、図面の簡略化のために、導体２０，３０の側面を、導体２０，３０の下面２０Ｂ，３０Ｂに対してそれぞれ垂直に延びた形状としている。
次に、導体３０の製造方法について説明する。
図８（ａ）に示す工程では、金属板９０を準備する。金属板９０としては、例えば、厚さが１００～２００μｍ程度の銅板を用いることができる。金属板９０の材料としては、銅に限らず、銅合金や４２アロイ等のＦｅ－Ｎｉ合金を用いることもできる。金属板９０は、金属板８０と同様に、複数の個別領域Ｃ２を有している。複数の個別領域Ｃ２は、例えば、マトリクス状（ここでは、４×４）に配列されている。図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すように、各個別領域Ｃ２には、内周側の端部３１と、外周側の端部３２と、端部３１から端部３２に向かって渦巻き状をなす導体部３３とを有する導体３０が形成される。このとき、各個別領域Ｃ２に形成された導体３０は、例えば、隣接する個別領域Ｃ２の間に設けられた連結部９１に接続されている。また、隣接する連結部９１の間には、各導体３０を画定する開口部９１Ｘが形成されている。このような導体３０及び連結部９１は、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した工程と同様の製造工程を実施することにより形成することができるため、ここでは説明を省略する。
図８（ａ）に示す工程では、金属板９０を準備する。金属板９０としては、例えば、厚さが１００～２００μｍ程度の銅板を用いることができる。金属板９０の材料としては、銅に限らず、銅合金や４２アロイ等のＦｅ－Ｎｉ合金を用いることもできる。金属板９０は、金属板８０と同様に、複数の個別領域Ｃ２を有している。複数の個別領域Ｃ２は、例えば、マトリクス状（ここでは、４×４）に配列されている。図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すように、各個別領域Ｃ２には、内周側の端部３１と、外周側の端部３２と、端部３１から端部３２に向かって渦巻き状をなす導体部３３とを有する導体３０が形成される。このとき、各個別領域Ｃ２に形成された導体３０は、例えば、隣接する個別領域Ｃ２の間に設けられた連結部９１に接続されている。また、隣接する連結部９１の間には、各導体３０を画定する開口部９１Ｘが形成されている。このような導体３０及び連結部９１は、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した工程と同様の製造工程を実施することにより形成することができるため、ここでは説明を省略する。
なお、以下に説明する図９（ａ）～図１１（ｂ）は、図７（ａ）における７ｂ－７ｂ線に対応する位置及び図８（ｂ）における８ｃ－８ｃ線に対応する位置における製造途中のインダクタの断面図を示している。
次に、図９（ａ）に示した工程では、導体３０の外周側の端部３２の上面３０Ａに金属ポスト５２を接合する。例えば、導体３０と金属ポスト５２とは、拡散接合によって接合される。拡散接合とは、接合する金属材料同士を密着させ、真空や不活性ガス等の雰囲気中で、加圧・加熱することで金属材料同士の接合面に生じる原子の拡散を利用して金属材料同士を原子レベルで接合する技術である。例えば、拡散接合は、導体３０の上面３０Ａに金属ポスト５２を重ね合わせて、真空中で加熱及び加圧して接合を行う。例えば、導体３０及び金属ポスト５２の材料として銅を用いる場合には、加熱温度を５００～６００℃程度とすることができ、圧力を０．００５～０．０１５ｋＮ／ｍｍ２程度とすることができる。
また、図９（ｂ）に示した工程では、導体２０の外周側の端部２２の上面２０Ａに金属ポスト５１を接合する。例えば、導体２０と金属ポスト５１とは、拡散接合によって接合される。拡散接合は、導体２０の上面２０Ａに金属ポスト５１を重ね合わせて、真空中で加熱及び加圧して接合を行う。例えば、導体２０及び金属ポスト５１の材料として銅を用いる場合には、加熱温度を５００～６００℃程度とすることができ、圧力を０．００５～０．０１５ｋＮ／ｍｍ２程度とすることができる。
なお、拡散接合によって接合された導体３０と金属ポスト５２とは、界面の無い状態で（すなわち、隙間が全く無い状態で）一体化され、導体３０の上面３０Ａと金属ポスト５２の下面とが直接接合される。同様に、拡散接合によって接合された導体２０と金属ポスト５１とは、界面の無い状態で（すなわち、隙間が全く無い状態で）一体化され、導体２０の上面２０Ａと金属ポスト５１の下面とが直接接合される。
続いて、図９（ｃ）に示す工程では、導体２０と導体３０とを接合する。例えば、導体２０の内周側の端部２１に設けられた突起部２４の上面２４Ａに、導体３０の内周側の端部３１の下面３０Ｂを接合する。導体２０の突起部２４と導体３０とは、拡散接合によって接合される。
具体的には、まず、金属板８０に設けられた４×４個の個別領域Ｃ１と、金属板９０に設けられた４×４個の個別領域Ｃ２とがそれぞれ上下に整列するように、金属板９０を金属板８０上に配置する。より具体的には、導体２０の上面２０Ａと導体３０の下面３０Ｂとを対向させて、導体２０の突起部２４と導体３０の端部３１とが対向するように位置決めされる。そして、拡散接合は、突起部２４の上面２４Ａに導体３０を重ね合わせて、真空中で加熱及び加圧して接合を行う。例えば、導体２０，３０の材料として銅を用いる場合には、加熱温度を５００～６００℃程度とすることができ、圧力を０．００５～０．０１５ｋＮ／ｍｍ２程度とすることができる。
なお、拡散接合によって接合された導体２０の突起部２４と導体３０とは、界面の無い状態で（すなわち、隙間が全く無い状態で）一体化され、突起部２４の上面２４Ａと導体３０の端部３２の下面３０Ｂとが直接接合される。
以上説明した製造工程により、上下に重ね合わせた導体２０と導体３０とが直列に接続され、約３巻きのコイル１１が形成される。
次に、図１０（ａ）に示す工程では、導体２０，３０の表面全面及び金属ポスト５１，５２の表面全面を被覆する絶縁膜４０を形成する。絶縁膜４０は、連結部８１，９１の表面全面を被覆するように形成される。絶縁膜４０は、例えば、電着塗装法を用いて形成することができる。また、絶縁膜４０は、例えば、スピンコート法やスプレーコート法を用いて形成することもできる。
次に、図１０（ａ）に示す工程では、導体２０，３０の表面全面及び金属ポスト５１，５２の表面全面を被覆する絶縁膜４０を形成する。絶縁膜４０は、連結部８１，９１の表面全面を被覆するように形成される。絶縁膜４０は、例えば、電着塗装法を用いて形成することができる。また、絶縁膜４０は、例えば、スピンコート法やスプレーコート法を用いて形成することもできる。
続いて、図１０（ｂ）に示す工程では、絶縁膜４０の表面を被覆し、導体２０と導体３０とを埋設する磁性体６０を形成する。このため、導体２０，３０及びそれら導体２０，３０を被覆する絶縁膜４０は、磁性体６０内に埋め込まれる。本例では、金属板８０，９０全体を埋設するように磁性体６０を形成する。このため、金属ポスト５１，５２及びそれら金属ポスト５１，５２を被覆する絶縁膜４０が磁性体６０内に埋め込まれる。また、隣接する個別領域Ｃ１，Ｃ２の間に形成された連結部８１，９１及びそれら連結部８１，９１を被覆する絶縁膜４０が磁性体６０内に埋め込まれる。磁性体６０の形成は、特に図示はしないが、例えば、成型金型の下部金型と上部金型との間に図１０（ａ）に示した構造体を配置し、磁性体粉末と絶縁性樹脂とを混練してなる磁性体粉体で図１０（ａ）に示した構造体の周囲を充填する。そして、磁性体粉体を１５０～１６０℃程度に加熱しながら、下部金型と上部金型の各々から磁性体粉体に２００～２５０ＭＰａ程度の圧力を加えることにより、磁性体粉体を高圧成型して磁性体６０を形成する。
なお、本例では、磁性体粉体を高圧成型することにより磁性体６０を形成したが、磁性体６０の形成方法はこれに限定されない。例えば、トランスファー成形やコンプレッション成形などにより磁性体６０を形成してもよい。
次に、図１０（ｃ）に示す工程では、図１０（ｂ）に示した構造体を支持基板１００の上面に固定する。続いて、ブラシ研磨やブラスト処理により、磁性体６０の上面６０Ａ及び金属ポスト５１，５２の上面を被覆する絶縁膜４０を研磨して、金属ポスト５１，５２の上面（端面）を磁性体６０から露出させる。
次いで、図１１（ａ）に示す工程では、磁性体６０の上面６０Ａに、金属ポスト５１の上面を被覆する電極７１を形成するとともに、金属ポスト５２の上面を被覆する電極７２を形成する。電極７１，７２は、例えば、スパッタ法や蒸着法などにより形成することができる。電極７１，７２としては、例えば、金属ポスト５１，５２の上面に、チタン（Ｔｉ）からなるＴｉ層と銅（Ｃｕ）からなるＣｕ層とが順に積層された２層構造の金属膜を用いることができる。この場合、Ｔｉ層の厚さは、例えば、０．１～０．３μｍ程度とすることができ、Ｃｕ層の厚さは例えば０．５～１．０μｍ程度とすることができる。なお、Ｔｉ層は、Ｃｕ層や金属ポスト５１，５２から絶縁膜４０や磁性体６０に銅が拡散することを抑制する金属バリア層として機能する。また、Ｔｉ層は、Ｃｕ層よりも磁性体６０との密着性が高い。このため、Ｔｉ層は、磁性体６０とＣｕ層との密着層としても機能する。このような金属バリア層や密着層として機能する金属膜の材料としては、Ｔｉの他に、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）等を用いることができる。電極７１，７２の層構造は、２層構造に限らず、単層構造であってもよいし、３層以上の多層構造であってもよい。
なお、必要に応じて、電極７１，７２の表面（上面及び側面、又は上面のみ）に表面処理層を形成するようにしてもよい。表面処理層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）／錫（Ｓｎ）層（Ｎｉ層とＳｎ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、銀（Ａｇ）層／Ｓｎ層（Ａｇ層とＳｎ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。これらＡｕ層、Ｎｉ層、Ｓｎ層、Ａｇ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき層）を用いることができる。このような表面処理層は、電極７１，７２の酸化防止層としての機能の他に、電極７１，７２におけるはんだの濡れ性を向上させる機能も有している。
続いて、ダイシングソー等により、図１１（ａ）に示した構造体を破線で示した切断線に沿って切断する、つまり切断線における磁性体６０、絶縁膜４０及び導体２０，３０を切断する。これにより、図１１（ａ）に示した構造体が個別領域Ｃ１，Ｃ２毎に切断され、図１１（ｂ）に示すように、個別のインダクタ１０に個片化される。このとき、切断面である、磁性体６０の端面６０Ｂと絶縁膜４０の端面と導体２０の端面２２Ａとが略面一に形成される。同様に、切断面である、磁性体６０の端面６０Ｃと絶縁膜４０の端面と導体３０の端面３２Ａとが略面一に形成される。
以上の製造工程により、図１～図３に示したインダクタ１０を製造することができる。なお、個片化後のインダクタ１０は、天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。
以上説明した本実施形態によれば、以下の作用効果を奏することができる。
（１）同一平面内において渦巻き状に形成された導体２０と、同一平面内において渦巻き状に形成され、導体２０と重ね合わされた状態で接合される導体３０と、導体２０，３０の表面を被覆する絶縁膜４０と、絶縁膜４０の表面を被覆し、導体２０，３０を埋設する磁性体６０とを有するようにした。このとき、磁性体６０は、導体２０，３０を埋設するように形成されているため、導体２０の開口部２０Ｙ及び導体３０の開口部３０Ｙを充填するように形成される。このため、磁性体６０は、インダクタ１０のコアとして機能する。また、導体２０，３０の表面を絶縁膜４０を介して直接被覆する磁性体６０がコアとして機能するため、導体２０，３０（絶縁膜４０）と磁性体６０（コア）との間に間隙が形成されない。したがって、巻き線とコアとの間にどうしても隙間が生じてしまう従来のタイプに比べて、インダクタ１０の小型化・薄型化を図ることができる。
（１）同一平面内において渦巻き状に形成された導体２０と、同一平面内において渦巻き状に形成され、導体２０と重ね合わされた状態で接合される導体３０と、導体２０，３０の表面を被覆する絶縁膜４０と、絶縁膜４０の表面を被覆し、導体２０，３０を埋設する磁性体６０とを有するようにした。このとき、磁性体６０は、導体２０，３０を埋設するように形成されているため、導体２０の開口部２０Ｙ及び導体３０の開口部３０Ｙを充填するように形成される。このため、磁性体６０は、インダクタ１０のコアとして機能する。また、導体２０，３０の表面を絶縁膜４０を介して直接被覆する磁性体６０がコアとして機能するため、導体２０，３０（絶縁膜４０）と磁性体６０（コア）との間に間隙が形成されない。したがって、巻き線とコアとの間にどうしても隙間が生じてしまう従来のタイプに比べて、インダクタ１０の小型化・薄型化を図ることができる。
（２）導体２０の内周側の端部２１に、導体２０の他の部分よりも導体３０に向かって突出する突起部２４を形成し、突起部２４を導体２０の他の部分と一体に形成するようにした。これにより、導体２０，３０を接合するための接合部が導体２０の一部によって構成されるため、導体２０，３０を接合するための接合部を導体２０，３０とは別の部材で構成する場合に比べて、導体２０，３０からなるコイル１１の電気的特性（電気抵抗等）を向上させることができる。
（３）さらに、突起部２４を導体２０とは別の部材で形成する場合に比べて、突起部２４の高さを容易に低く設定することができる。これにより、コイル１１を高密度に形成することができ、インダクタ１０をより薄型化することができる。
（４）磁性体６０から上面が露出された金属ポスト５１を導体２０に接合し、磁性体６０から上面が露出された金属ポスト５２を導体３０に接合した。これにより、導体２０，３０の電極接続部（つまり、端部２２，３２）が金属ポスト５１，５２によって磁性体６０の外部に引き出される。さらに、金属ポスト５１，５２の上面を被覆するように磁性体６０の上面６０Ａに電極７１，７２を形成するようにした。これにより、金属ポスト５１，５２を通じて導体２０，３０と電極７１，７２との電気的接続を容易に行うことができる。例えば、巻き線と電極との電気的接続を溶接によって行う巻き線タイプに比べて、導体２０，３０と電極７１，７２との電気的接続を容易に行うことができる。また、金属ポスト５１，５２の平面形状を調整することにより、金属ポスト５１，５２と電極７１，７２との接触面積を容易に増大させることができる。
（第２実施形態）
以下、図１２に従って第２実施形態について説明する。この実施形態では、インダクタ１０の製造方法が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１１に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
以下、図１２に従って第２実施形態について説明する。この実施形態では、インダクタ１０の製造方法が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１１に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
まず、図１２（ａ）に示す工程では、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、各個別領域Ｃ２に、内周側の端部３１と、外周側の端部３２と、端部３１から端部３２に向かって渦巻き状に形成された導体部３３とを有する導体３０を形成する。次に、端部３２の上面３０Ａに、導電性を有する接合材５３を形成する。接合材５３としては、例えば、はんだ、銀ペースト等の導電性ペーストや金属ろう材を用いることができる。はんだとしては、例えば、鉛（Ｐｄ）フリーはんだ（Ｓｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ｚｎ（亜鉛）－Ｂｉ（ビスマス）系など）を用いることができる。接合材５３は、例えば、ディスペンサ等により端部３２の上面３０Ａに塗布することにより形成できる。続いて、接合材５３上に金属ポスト５２を配置する。次いで、接合材５３を加熱することにより、導体３０と接合材５３とを接合し、接合材５３と金属ポスト５２とを接合する。これにより、導体３０の端部３２の上面３０Ａに金属ポスト５２が接合される。
また、図１２（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）～図６（ｃ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、各個別領域Ｃ１に、内周側の端部２１と、外周側の端部２２と、端部２１から端部２２に向かって渦巻き状に形成された導体部２３とを有する導体２０を形成する。次に、端部２２の上面２０Ａに、導電性を有する接合材５４を形成する。接合材５４としては、例えば、接合材５３（図１２（ａ）参照）と同様の材料を用いることができる。接合材５４は、例えば、ディスペンサ等により端部２２の上面２０Ａに塗布することにより形成できる。続いて、接合材５４上に金属ポスト５１を配置する。次いで、接合材５４を加熱することにより、導体２０と接合材５４とを接合し、接合材５４と金属ポスト５１とを接合する。これにより、導体２０の端部２２の上面２０Ａに金属ポスト５１が接合される。
次いで、導体２０の内周側の端部２１に設けられた突起部２４の上面２４Ａに、導電性を有する接合材５５を形成する。接合材５５としては、例えば、接合材５３（図１２（ａ）参照）と同様の材料を用いることができる。接合材５５は、例えば、ディスペンサ等により突起部２４の上面２４Ａに塗布することにより形成できる。
次に、図１２（ｃ）に示す工程では、導体２０と導体３０とを接合する。本例では、突起部２４の上面２４Ａに、接合材５５を介して、導体３０の内周側の端部３１の下面３０Ｂを接合する。具体的には、導体２０の上面２０Ａと導体３０の下面３０Ｂとを対向させて、導体２０の突起部２４と導体３０の端部３１とが対向するように位置決めする。続いて、突起部２４の上面２４Ａに形成された接合材５５に導体３０の端部３１の下面３０Ｂを接触させる。次いで、接合材５５を加熱することにより、突起部２４の上面２４Ａと接合材５５とを接合し、接合材５５と導体３０とを接合する。これにより、導体２０の端部２１（突起部２４）と導体３０の端部３１とが接合材５５を介して接合される。
その後、図１０（ａ）～図１１（ｂ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、本実施形態のインダクタ１０を製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
（第３実施形態）
以下、図１３及び図１４に従って第３実施形態について説明する。この実施形態では、インダクタ１０の製造方法が第２実施形態と異なっている。以下、第２実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１２に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
以下、図１３及び図１４に従って第３実施形態について説明する。この実施形態では、インダクタ１０の製造方法が第２実施形態と異なっている。以下、第２実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１２に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
図１３（ａ）に示す工程では、まず、導体３０の外周側の端部３２の上面３０Ａに金属ポスト５２を接合した構造体の表面全面を被覆する絶縁膜４１を形成する。絶縁膜４１は、例えば、図１０（ａ）に示した絶縁膜４０と同様の方法により形成することができる。続いて、絶縁膜４１に、導体３０の内周側の端部３１の下面３０Ｂを露出する開口部４１Ｘを形成する。すなわち、端部３１の下面３０Ｂを露出させるように絶縁膜４１を部分的に除去する。開口部４１Ｘの形成は、例えば、ブラスト加工やレーザ加工により行うことができる。なお、図示の例では、接合材５３を用いて金属ポスト５２を端部３２の上面３０Ａに接合するようにしたが、金属ポスト５２を拡散接合により端部３２の上面３０Ａに接合するようにしてもよい。
次に、図１３（ｂ）に示す工程では、導体２０の外周側の端部２２の上面２０Ａに金属ポスト５１を接合した構造体の表面全面を被覆する絶縁膜４２を形成する。絶縁膜４２は、例えば、図１０（ａ）に示した絶縁膜４０と同様の方法により形成することができる。なお、図示の例では、接合材５４を用いて金属ポスト５１を端部２２の上面２０Ａに接合するようにしたが、金属ポスト５１を拡散接合により端部２２の上面２０Ａに接合するようにしてもよい。
続いて、図１３（ｃ）に示す工程では、絶縁膜４２に、導体２０の突起部２４の上面２４Ａを露出する開口部４２Ｘを形成する。開口部４２Ｘの形成は、例えば、ブラスト加工やレーザ加工により行うことができる。
次いで、図１４（ａ）に示す工程では、絶縁膜４２から露出された突起部２４の上面２４Ａに、導電性を有する接合材５５を形成する。
次に、図１４（ｂ）に示す工程では、突起部２４の上面２４Ａに、接合材５５を介して、絶縁膜４１から露出された導体３０の端部３１の下面３０Ｂを接合する。具体的には、導体２０の上面２０Ａと導体３０の下面３０Ｂとを対向させて、導体２０の突起部２４と導体３０の端部３１とが対向するように位置決めする。続いて、突起部２４の上面２４Ａに形成された接合材５５に導体３０の端部３１の下面３０Ｂを接触させる。次いで、接合材５５を加熱することにより、突起部２４の上面２４Ａと接合材５５とを接合し、接合材５５と導体３０とを接合する。これにより、導体２０の端部２１（突起部２４）と導体３０の端部３１とが接合材５５を介して接合される。
次に、図１４（ｂ）に示す工程では、突起部２４の上面２４Ａに、接合材５５を介して、絶縁膜４１から露出された導体３０の端部３１の下面３０Ｂを接合する。具体的には、導体２０の上面２０Ａと導体３０の下面３０Ｂとを対向させて、導体２０の突起部２４と導体３０の端部３１とが対向するように位置決めする。続いて、突起部２４の上面２４Ａに形成された接合材５５に導体３０の端部３１の下面３０Ｂを接触させる。次いで、接合材５５を加熱することにより、突起部２４の上面２４Ａと接合材５５とを接合し、接合材５５と導体３０とを接合する。これにより、導体２０の端部２１（突起部２４）と導体３０の端部３１とが接合材５５を介して接合される。
続いて、図１４（ｃ）に示す工程では、絶縁膜４１，４２から露出された接合材５５の表面（ここでは、側面）全面を被覆する絶縁膜４３を形成する。絶縁膜４３は、例えば、図１０（ａ）に示した絶縁膜４０と同様の方法により形成することができる。
以上説明した製造方法では、導体２０，３０を接合する前に、導体２０，３０の表面をそれぞれ被覆する絶縁膜４２，４１を形成することができる。このとき、導電性を有する接合材５５を用いて導体２０，３０を接合することにより、拡散接合の際よりも接合時の加熱温度を低くできるため、その加熱温度によって、導体２０，３０の接合よりも先に形成された絶縁膜４１，４２がダメージを受けることを抑制できる。
その後、図１０（ｂ）～図１１（ｂ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、本実施形態のインダクタ１０を製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
（第４実施形態）
以下、図１５及び図１６に従って第４実施形態について説明する。この実施形態では、インダクタ１０の製造方法が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１４に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
以下、図１５及び図１６に従って第４実施形態について説明する。この実施形態では、インダクタ１０の製造方法が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１４に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
図１５（ａ）に示す工程では、まず、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、各個別領域Ｃ２に、内周側の端部３１と、外周側の端部３２と、端部３１から端部３２に向かって渦巻き状に形成された導体部３３とを有する導体３０を形成する。また、図５（ａ）～図６（ｃ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、各個別領域Ｃ１に、内周側の端部２１と、外周側の端部２２と、端部２１から端部２２に向かって渦巻き状に形成された導体部２３とを有する導体２０を形成する。そして、金属ポスト５１，５２を導体２０，３０に接合する前に、導体２０と導体３０とを接合する。具体的には、導体２０の上面２０Ａと導体３０の下面３０Ｂとを対向させて導体２０，３０を上下に重ね合わせた状態で、導体２０の突起部２４に導体３０の端部３１を接合する。導体２０と導体３０との接合方法は、拡散接合であってもよいし、導電性の接合材を用いた接合であってもよい。
続いて、図１５（ｂ）に示す工程では、導体２０，３０の表面全面を被覆する絶縁膜４４を形成する。絶縁膜４４は、例えば、連結部８１，９１の表面全面を被覆するように形成される。絶縁膜４４は、例えば、図１０（ａ）に示した絶縁膜４０と同様の方法により形成することができる。
次に、図１５（ｃ）に示す工程では、絶縁膜４４に、導体２０の外周側の端部２２の上面２０Ａを露出する開口部４４Ｘと、導体３０の外周側の端部３２の上面３０Ａを露出する開口部４４Ｙとを形成する。開口部４４Ｘ，４４Ｙの形成は、例えば、ブラスト加工やレーザ加工により行うことができる。
続いて、図１６（ａ）に示す工程では、絶縁膜４４から露出された端部２２の上面２０Ａに、導電性を有する接合材５４を形成するとともに、絶縁膜４４から露出された端部３２の上面３０Ａに、導電性を有する接合材５３を形成する。
次に、図１６（ｂ）に示す工程では、接合材５４上に金属ポスト５１を配置し、接合材５３上に金属ポスト５２を配置する。続いて、接合材５３，５４を加熱することにより、導体２０の端部２２の上面２０Ａに接合材５４を介して金属ポスト５１を接合し、導体３０の端部３２の上面３０Ａに接合材５３を介して金属ポスト５２を接合する。
続いて、図１６（ｃ）に示す工程では、絶縁膜４４から露出された金属ポスト５１，５２及び接合材５３，５４の表面全面を被覆する絶縁膜４５を形成する。絶縁膜４５は、例えば、図１０（ａ）に示した絶縁膜４０と同様の方法により形成することができる。
以上説明した製造方法では、導体２０，３０を接合した後に、それら導体２０，３０に対して金属ポスト５１，５２をそれぞれ接合することができる。また、金属ポスト５１，５２を接合する前に、導体２０，３０の表面を被覆する絶縁膜４４を形成することができる。このとき、導電性を有する接合材５４，５３を用いて導体２０，３０を接合することにより、拡散接合の際よりも接合時の加熱温度を低くできるため、その加熱温度によって、金属ポスト５１，５２の接合よりも先に形成された絶縁膜４４がダメージを受けることを抑制できる。なお、本例では、導体２０，３０を接合した後に絶縁膜４４を形成するようにしたが、導体２０，３０を接合した後にそれら導体２０，３０に対して金属ポスト５１，５２を先に接合するようにしてもよい。この場合には、金属ポスト５１，５２の接合の後に、図１０（ａ）に示した工程と同様に、導体２０，３０の表面及び金属ポスト５１，５２の表面を被覆する絶縁膜４０（図１０（ａ）参照）を形成する。
その後、図１０（ｂ）～図１１（ｂ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、本実施形態のインダクタ１０を製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
（第５実施形態）
以下、図１７～図１９に従って第５実施形態について説明する。この実施形態では、インダクタ１０の製造方法が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１６に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
以下、図１７～図１９に従って第５実施形態について説明する。この実施形態では、インダクタ１０の製造方法が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１６に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
まず、図１７（ａ）に示す工程では、図５（ａ）～図１０（ｃ）に示した工程を実施することにより、図１７（ａ）に示した構造体を製造する。
続いて、図１７（ｂ）に示す工程では、ダイシングソー等により、図１７（ａ）に示した構造体を２点鎖線で示した切断領域に沿って切断する溝部６０Ｘを形成する。溝部６０Ｘは、２点鎖線で示した切断領域における磁性体６０、絶縁膜４０及び導体２０，３０を切断するように形成される。溝部６０Ｘは、導体２０の端部２２と連結部８１とを分離するとともに、導体３０の端部３２と連結部９１とを分離するように形成される。これにより、各個別領域Ｃ１，Ｃ２において、磁性体６０の端面６０Ｂが外部に露出され、その端面６０Ｂから導体２０の端部２２の端面２２Ａが露出される。また、各個別領域Ｃ１，Ｃ２において、磁性体６０の端面６０Ｃが外部に露出され、その端面６０Ｃから導体３０の端部３２の端面３２Ａが露出される。
続いて、図１７（ｂ）に示す工程では、ダイシングソー等により、図１７（ａ）に示した構造体を２点鎖線で示した切断領域に沿って切断する溝部６０Ｘを形成する。溝部６０Ｘは、２点鎖線で示した切断領域における磁性体６０、絶縁膜４０及び導体２０，３０を切断するように形成される。溝部６０Ｘは、導体２０の端部２２と連結部８１とを分離するとともに、導体３０の端部３２と連結部９１とを分離するように形成される。これにより、各個別領域Ｃ１，Ｃ２において、磁性体６０の端面６０Ｂが外部に露出され、その端面６０Ｂから導体２０の端部２２の端面２２Ａが露出される。また、各個別領域Ｃ１，Ｃ２において、磁性体６０の端面６０Ｃが外部に露出され、その端面６０Ｃから導体３０の端部３２の端面３２Ａが露出される。
図１８（ａ）に示すように、溝部６０Ｘは、一方向（ここでは、図中上下方向）に延びるように形成されている。換言すると、本工程後の各個別領域Ｃ１，Ｃ２は、溝部６０Ｘが延びる方向と平面視で直交する方向（図中左右方向）にはまだ切断されていない。本工程は、磁性体６０等の構造体を支持基板１００上に固定した状態で行われるため、切断後の構造体が支持基板１００上に固定されたままとなる。なお、図１８（ａ）では、図面の簡略化のために、導体３０、金属ポスト５２及び絶縁膜４０の図示を省略している。
次に、図１８（ｂ）に示す工程では、磁性体６０の上面６０Ａと端面６０Ｂとを連続して被覆する電極７１と、磁性体６０の上面６０Ａと端面６０Ｃとを連続して被覆する電極７２とを形成する。電極７１は、金属ポスト５１の上面全面（端面全面）を被覆するように磁性体６０の上面６０Ａに形成されるとともに、導体２０の端部２２の端面２２Ａ全面及び磁性体６０の端面６０Ｂ全面を被覆するように端面６０Ｂに形成されている。電極７２は、金属ポスト５２の上面全面（端面全面）を被覆するように磁性体６０の上面６０Ａに形成されるとともに、導体３０の端部３２の端面３２Ａ全面及び磁性体６０の端面６０Ｃ全面を被覆するように端面６０Ｃに形成されている。電極７１，７２は、例えば、スパッタ法や蒸着法などにより形成することができる。
続いて、図１９（ａ）に示す工程では、ダイシングソー等により、図１８（ｂ）に示した構造体を破線で示した切断線に沿って切断する。具体的には、図１８（ｂ）に示した構造体を、切断線のうち溝部６０Ｘと平面視で直交する切断線に沿って切断する。これにより、図１８（ｂ）に示した構造体が個別領域Ｃ１，Ｃ２毎に切断され、図１９（ｂ）に示すように、個別のインダクタ１０Ａに個片化される。
以上の製造工程により、本実施形態のインダクタ１０Ａを製造することができる。
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）～（４）の作用効果に加えて以下の作用効果を奏することができる。
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）～（４）の作用効果に加えて以下の作用効果を奏することができる。
（５）金属ポスト５１の上面全面と導体２０の外周側の端部２２の端面２２Ａ全面とを被覆するように電極７１を形成し、金属ポスト５２の上面全面と導体３０の外周側の端部３２の端面３２Ａ全面とを被覆するように電極７２を形成した。これにより、電極７１，７２とコイル１１の端部との接触面積を増大させることができる。
（第６実施形態）
以下、図２０～図２２に従って第６実施形態について説明する。この実施形態では、インダクタ１０の製造方法が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１９に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
以下、図２０～図２２に従って第６実施形態について説明する。この実施形態では、インダクタ１０の製造方法が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１～図１９に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
図２０（ａ）に示す工程では、まず、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、各個別領域Ｃ２に、内周側の端部３１と、外周側の端部３２と、端部３１から端部３２に向かって渦巻き状に形成された導体部３３とを有する導体３０を形成する。また、図５（ａ）～図６（ｃ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、各個別領域Ｃ１に、内周側の端部２１と、外周側の端部２２と、端部２１から端部２２に向かって渦巻き状に形成された導体部２３とを有する導体２０を形成する。そして、導体２０と導体３０とを接合する。具体的には、導体２０の上面２０Ａと導体３０の下面３０Ｂとを対向させて導体２０，３０を上下に重ね合わせた状態で、導体２０の突起部２４に導体３０の端部３１を接合する。導体２０と導体３０との接合方法は、拡散接合であってもよいし、導電性の接合材を用いた接合であってもよい。
続いて、図２０（ｂ）に示す工程では、導体２０，３０の表面全面を被覆する絶縁膜４６を形成する。絶縁膜４６は、例えば、図１０（ａ）に示した絶縁膜４０と同様の方法により形成することができる。
次いで、図２０（ｃ）に示す工程では、図１０（ｂ）に示した工程と同様に、各個別領域Ｃ１，Ｃ２に形成された導体２０，３０及び絶縁膜４６を全体的に封止する磁性体６０を形成する。本例の磁性体６０は、隣接する個別領域Ｃ１，Ｃ２の間に形成された連結部８１，９１を封止するように形成される。
次に、図２１（ａ）に示す工程では、図２０（ｃ）に示した構造体を支持基板１００の上面に固定する。続いて、図１７（ｂ）に示した工程と同様に、ダイシングソー等により、図２０（ｃ）に示した構造体を２点鎖線で示した切断領域に沿って切断する溝部６０Ｘを形成する。溝部６０Ｘは、導体２０の端部２２と連結部８１とを分離するとともに、導体３０の端部３２と連結部９１とを分離するように形成される。これにより、各個別領域Ｃ１，Ｃ２において、磁性体６０の端面６０Ｂが外部に露出され、その端面６０Ｂから導体２０の端部２２の端面２２Ａが露出される。また、各個別領域Ｃ１，Ｃ２において、磁性体６０の端面６０Ｃが外部に露出され、その端面６０Ｃから導体３０の端部３２の端面３２Ａが露出される。
次いで、図２１（ｂ）に示す工程では、磁性体６０の上面６０Ａと端面６０Ｂとを連続して被覆する電極７１と、磁性体６０の上面６０Ａと端面６０Ｃとを連続して被覆する電極７２とを形成する。電極７１は、磁性体６０の上面６０Ａに形成されるとともに、導体２０の端部２２の端面２２Ａ全面及び磁性体６０の端面６０Ｂ全面を被覆するように端面６０Ｂに形成されている。電極７２は、磁性体６０の上面６０Ａに形成されるとともに、導体３０の端部３２の端面３２Ａ全面及び磁性体６０の端面６０Ｃ全面を被覆するように端面６０Ｃに形成されている。電極７１，７２は、例えば、スパッタ法や蒸着法などにより形成することができる。ここで、電極７１，７２の厚さは、例えば、３５～５０μｍ程度とすることができる。このように電極７１，７２を厚く形成することにより、図１に示した金属ポスト５１，５２を省略した場合であっても、金属ポスト５１，５２を形成した場合と同等の電気的特性（例えば、電気抵抗等）を得ることができる。
次に、図１９（ａ）に示した工程と同様に、ダイシングソー等により、図２１（ｂ）に示した構造体を個別領域Ｃ１，Ｃ２毎に切断する。これにより、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示すように、個別のインダクタ１０Ｂに個片化される。以上の製造工程により、本実施形態のインダクタ１０Ｂを製造することができる。このとき、インダクタ１０Ｂでは、電極７１が導体２０の外周側の端部２２の端面２２Ａと電気的に接続され、電極７２が導体３０の外周側の端部３２の端面３２Ａと電気的に接続されている。
インダクタ１０Ｂでは、第１実施形態のインダクタ１０から金属ポスト５１，５２（図１参照）が省略されている。このため、金属ポスト５１，５２の高さ分だけインダクタ１０Ｂを薄型化することができる。
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記各実施形態において、導体２０，３０の表面にめっき膜を形成するようにしてもよい。
例えば図２３（ａ）に示すように、まず、図５（ａ）～図６（ｃ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、各個別領域Ｃ１に、内周側の端部２１と、外周側の端部２２と、端部２１から端部２２に向かって渦巻き状に形成された導体部２３とを有する導体２０を形成する。
例えば図２３（ａ）に示すように、まず、図５（ａ）～図６（ｃ）に示した工程と同様の工程を実施することにより、各個別領域Ｃ１に、内周側の端部２１と、外周側の端部２２と、端部２１から端部２２に向かって渦巻き状に形成された導体部２３とを有する導体２０を形成する。
続いて、図２３（ｂ）及び図２３（ｃ）に示すように、導体２０の表面全面を被覆するめっき膜２５を形成する。めっき膜２５の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。めっき膜２５の厚さ（膜厚）は、例えば、２０～４０μｍ程度とすることができる。めっき膜２５を形成することにより、隣り合う導体部２３の隙間を小さくすることができる。例えば、隣り合う導体部２３の間のスリット２０Ｘの幅Ｌ１が９０μｍである場合に、めっき膜２５の厚さを４０μｍに形成すると、隣り合うめっき膜２５の間のスリット２５Ｘの幅Ｌ２を１０μｍとすることができる。これにより、高密度にコイルを形成することができるため、インダクタ１０を小型化することができる。
図２４に示すように、導体２０と同様に、導体３０の表面全面を被覆するめっき膜３５を形成することもできる。この場合には、例えば、金属ポスト５１がめっき膜２５の上面に接合され、金属ポスト５２がめっき膜３５の上面に接合される。また、めっき膜２５，３５の表面及び金属ポスト５１，５２の表面を被覆するように絶縁膜４０が形成される。この構成では、めっき膜２５，３５を形成したことにより、コイル１１の導体断面積を増大させることができる。これにより、インダクタ１０における直流抵抗を低減することができ、インダクタ１０の性能を向上させることができる。
・図２４に示した変更例では、めっき膜２５，３５の上面に金属ポスト５１，５２をそれぞれ形成しているが、これに限定されない。例えば、導体２０の上面２０Ａに金属ポスト５１を接合した後に、それら導体２０及び金属ポスト５１の表面全面を被覆するめっき膜２５を形成するようにしてもよい。同様に、導体３０の上面３０Ａに金属ポスト５２を接合した後に、それら導体３０及び金属ポスト５２の表面全面を被覆するめっき膜３５を形成するようにしてもよい。
・上記各実施形態では、導体２０，３０の端部２１，３１のうち、端部２１のみに突起部２４を形成するようにしたが、これに限定されない。
例えば図２５に示すように、導体２０の端部２１に突起部２４を形成し、導体３０の端部３１に突起部３４を形成するようにしてもよい。すなわち、端部２１，３１の双方に突起部２４，３４をそれぞれ形成するようにしてもよい。また、上下に隣接する導体２０，３０のうち上側に配置された導体３０の端部３１のみに突起部３４を形成するようにしてもよい。なお、突起部３４は、突起部２４と同様の方法により形成することができる。
例えば図２５に示すように、導体２０の端部２１に突起部２４を形成し、導体３０の端部３１に突起部３４を形成するようにしてもよい。すなわち、端部２１，３１の双方に突起部２４，３４をそれぞれ形成するようにしてもよい。また、上下に隣接する導体２０，３０のうち上側に配置された導体３０の端部３１のみに突起部３４を形成するようにしてもよい。なお、突起部３４は、突起部２４と同様の方法により形成することができる。
・上記各実施形態における導体２０，３０の巻き数は特に限定されない。
・上記各実施形態では、導体２０，３０を円形の渦巻き状に形成したが、これに限定されない。例えば、導体２０，３０を矩形状の渦巻き状に形成してもよい。
・上記各実施形態では、導体２０，３０を円形の渦巻き状に形成したが、これに限定されない。例えば、導体２０，３０を矩形状の渦巻き状に形成してもよい。
・上記各実施形態では、それぞれ同一平面内において渦巻き状に形成された２つの導体２０，３０を直列に接続して螺旋状のコイル１１を形成するようにしたが、積み重ねる導体の数は特に限定されない。例えば、それぞれ同一平面内において渦巻き状に形成された３つ以上の導体を直列に接続して螺旋状のコイルを形成するようにしてもよい。
・上記各実施形態では、多数個取りの製造方法に具体化したが、単数個取り（一個取り）の製造方法に具体化してもよい。
１０，１０Ａ，１０Ｂ インダクタ
１１ コイル
２０ 導体（第１導体）
２０Ａ 上面（第１面）
２０Ｂ 下面（第２面）
２１ 端部（接合部）
２２ 端部
２２Ａ 端面
２４ 突起部
２５ めっき膜（第１めっき膜）
３０ 導体（第２導体）
３１ 端部
３２ 端部
３２Ａ 端面
３４ 突起部
３５ めっき膜（第２めっき膜）
４０～４６ 絶縁膜
５１ 金属ポスト（第１金属ポスト）
５２ 金属ポスト（第２金属ポスト）
５３～５５ 接合材
６０ 磁性体
６０Ａ 上面（表面）
６０Ｂ 端面（第１端面）
６０Ｃ 端面（第２端面）
７１ 電極（第１電極）
７２ 電極（第２電極）
８０ 金属板
９０ 金属板
１１ コイル
２０ 導体（第１導体）
２０Ａ 上面（第１面）
２０Ｂ 下面（第２面）
２１ 端部（接合部）
２２ 端部
２２Ａ 端面
２４ 突起部
２５ めっき膜（第１めっき膜）
３０ 導体（第２導体）
３１ 端部
３２ 端部
３２Ａ 端面
３４ 突起部
３５ めっき膜（第２めっき膜）
４０～４６ 絶縁膜
５１ 金属ポスト（第１金属ポスト）
５２ 金属ポスト（第２金属ポスト）
５３～５５ 接合材
６０ 磁性体
６０Ａ 上面（表面）
６０Ｂ 端面（第１端面）
６０Ｃ 端面（第２端面）
７１ 電極（第１電極）
７２ 電極（第２電極）
８０ 金属板
９０ 金属板
Claims (6)
- 同一平面内において渦巻き状に形成された第１導体と、
同一平面内において渦巻き状に形成され、前記第１導体と重ね合わされた状態で前記第１導体と接合された第２導体と、
前記第１導体の表面及び前記第２導体の表面を被覆する絶縁膜と、
前記絶縁膜の表面を被覆し、前記第１導体と前記第２導体とを埋設する磁性体と、
前記第１導体と接合され、前記磁性体から端面が露出された第１金属ポストと、
前記第２導体と接合され、前記磁性体から端面が露出された第２金属ポストと、
前記磁性体から露出された前記第１金属ポストの端面を被覆するように前記磁性体の表面に形成された第１電極と、
前記磁性体から露出された前記第２金属ポストの端面を被覆するように前記磁性体の表面に形成された第２電極と、を有し、
前記第１導体と前記第２導体とが接続されて螺旋状のコイルが形成されており、
前記第１金属ポストは、拡散接合又は導電性を有する接合材により前記第１導体と接合されており、
前記第２金属ポストは、拡散接合又は導電性を有する接合材により前記第２導体と接合されており、
前記第１導体は、渦巻き状に形成された導体部と、前記第２導体との接合部に設けられた突起部とを有し、
前記導体部は、前記第２導体と対向する面であって前記突起部が形成された第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、
前記突起部は、前記導体部の前記第１面から前記第２導体に向かって突出しており、
前記突起部を通じて前記第１導体と前記第２導体とが接合されており、
前記導体部の前記第１面の平面形状の大きさは、前記導体部の前記第２面の平面形状よりも大きく形成されており、
前記導体部は、前記第２導体とは反対の方向に向かうに連れて幅が小さくなるテーパ状に形成されており、
前記突起部は、前記第２導体に向かうに連れて幅が小さくなる逆テーパ状に形成されているインダクタ。 - 前記突起部は、拡散接合又は導電性を有する接合材により前記第２導体と接合されている請求項１に記載のインダクタ。
- 前記第１導体の表面には第１めっき膜が形成されており、
前記第２導体の表面には第２めっき膜が形成されており、
前記絶縁膜は、前記第１めっき膜の表面及び前記第２めっき膜の表面を被覆するように形成されている請求項１又は２に記載のインダクタ。 - 前記第１導体の外周側の端部の端面が前記磁性体の第１端面から露出されており、
前記第２導体の外周側の端部の端面が前記磁性体の第２端面から露出されており、
前記第１電極は、前記第１導体の外周側の端部の端面を被覆するように前記第１端面に形成されており、
前記第２電極は、前記第２導体の外周側の端部の端面を被覆するように前記第２端面に形成されており、
前記第１電極は、前記第１金属ポストの端面を露出する前記磁性体の表面と前記第１端面とを連続して被覆しており、
前記第２電極は、前記第２金属ポストの端面を露出する前記磁性体の表面と前記第２端面とを連続して被覆している請求項１～３のいずれか一項に記載のインダクタ。 - 前記第１導体の横断面形状は矩形状に形成されており、
前記第２導体の横断面形状は矩形状に形成されている請求項１～４のいずれか一項に記載のインダクタ。 - 第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１金属板をパターニングして、同一平面内において渦巻き状をなす導体部を含む第１導体を形成する工程と、
前記第１金属板とは別の第２金属板をパターニングして、同一平面内において渦巻き状をなす第２導体を形成する工程と、
前記第１導体に、拡散接合又は導電性を有する接合材により第１金属ポストを接合する工程と、
前記第２導体に、拡散接合又は導電性を有する接合材により第２金属ポストを接合する工程と、
前記第１導体と前記第２導体とを重ね合わせた状態で接合して、前記第１導体と前記第２導体を接続して螺旋状のコイルを形成する工程と、
前記第１導体の表面と前記第２導体の表面と前記第１金属ポストの表面と前記第２金属ポストの表面とを被覆する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の表面を被覆し、前記第１導体と前記第２導体と前記第１金属ポストと前記第２金属ポストとを埋設する磁性体を形成する工程と、
前記第１金属ポストの端面及び前記第２金属ポストの端面を前記磁性体から露出させる工程と、
前記磁性体から露出された前記第１金属ポストの端面を被覆する第１電極を前記磁性体の表面に形成する工程と、
前記磁性体から露出された前記第２金属ポストの端面を被覆する第２電極を前記磁性体の表面に形成する工程と、を有し、
前記第１導体を形成する工程は、
前記第１金属板の前記第２面に、第１開口パターンを有する第１レジスト層を形成するとともに、前記第１金属板の前記第１面全面を被覆する第２レジスト層を形成する工程と、
前記第１レジスト層及び前記第２レジスト層をエッチングマスクとして、前記第１開口パターンから露出された前記第１金属板を前記第２面からウェットエッチングすることにより、前記第１面の平面形状の大きさが前記第２面の平面形状よりも大きく、且つ前記第１面から前記第２面に向かうに連れて幅が小さくなるテーパ状の前記導体部を形成する工程と、
前記第１レジスト層及び前記第２レジスト層を除去する工程と、
前記導体部の前記第１面に、第２開口パターンを有する第３レジスト層を形成するとともに、前記導体部の前記第２面全面を被覆する第４レジスト層を形成する工程と、
前記第３レジスト層及び前記第４レジスト層をエッチングマスクとして、前記第２開口パターンから露出された前記導体部を前記第１面からウェットエッチングすることにより、前記導体部のうち前記第２導体との接合部を除いた他の部分を薄化して、前記接合部に前記他の部分よりも突出するとともに前記第２面とは反対の方向に向かうに連れて幅が小さくなるテーパ状の突起部を形成する工程と、
前記第３レジスト層及び前記第４レジスト層を除去する工程と、を有し、
前記第１導体と前記第２導体を接続して螺旋状の前記コイルを形成する工程では、前記導体部の前記第１面を前記第２導体に対向させた状態で、前記突起部を通じて前記第１導体と前記第２導体とが接合されるインダクタの製造方法。
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