JP7229706B2 - インダクタ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、インダクタ及びその製造方法に関する。
近年、ゲーム機やスマートフォン等の電子機器の小型化が加速化しており、これに伴って、このような電子機器に搭載されるインダクタに対しても小型化の要求がなされており、表面実装型のインダクタが提案されている。
このような電子機器に搭載されるインダクタとしては、例えば、フィルムタイプ、積層タイプ、巻き線タイプ等が知られているが、低直流抵抗化するために導体パターンの断面積を確保するには巻き線タイプが有利である。そのため、巻き線タイプのインダクタにおいて、小型化するための様々な検討がなされている。
しかしながら、従来のインダクタは、隣接する導体パターンの間隔を狭くすることが困難であり、更なる小型化の障壁となっていた。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、従来よりも小型化が可能なインダクタを提供することを課題とする。
本インダクタは、磁性体と、前記磁性体に埋め込まれ、周囲が前記磁性体に被覆された導体と、絶縁層と、を有し、前記導体は、第１導体と、前記第１導体の周囲を被覆する第２導体と、を含み、前記絶縁層は、前記第２導体の周囲を被覆し、前記第１導体は金属板からなり、前記第２導体は電解めっき層からなり、前記電解めっき層の厚さは、２０μｍ以上６０μｍ以下であり、前記導体は、所定の平面形状にパターニングされた導体パターンを含み、隣接する前記導体パターンの間隔は、前記第１導体の厚さよりも小さいことを要件とする。
開示の技術によれば、従来よりも小型化が可能なインダクタを提供できる。
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
〈第１実施形態〉
［インダクタの構造］
図１は、第１実施形態に係るインダクタを例示する斜視図である。図２は、第１実施形態に係るインダクタを例示する図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ－Ａ線に沿う断面図である。
［インダクタの構造］
図１は、第１実施形態に係るインダクタを例示する斜視図である。図２は、第１実施形態に係るインダクタを例示する図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ－Ａ線に沿う断面図である。
図１及び図２を参照するに、インダクタ１は、導体１０と、絶縁層２０と、磁性体３０と、電極４１及び４２とを有する表面実装型のインダクタである。インダクタ１の平面形状は、例えば、３ｍｍ×３ｍｍ程度の略矩形状とすることができる。インダクタ１の厚さは、例えば、１．０ｍｍ程度とすることができる。なお、図１では、絶縁層２０の図示が省略されている。又、図２（ａ）では、絶縁層２０、電極４１及び４２の図示が省略されており、磁性体３０は外縁のみを図示している。
導体１０は、平面形状が渦巻き状にパターニングされた導体パターン１１と、平面形状が略三角状にパターニングされた第１端子部１２と、平面形状が略矩形状にパターニングされた第２端子部１３とを含む。なお、平面視とは対象物を磁性体３０の上面３０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を磁性体３０の上面３０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。
第１端子部１２は、導体パターン１１の一端に導体パターン１１と一体に形成されている。第２端子部１３は、導体パターン１１及び第１端子部１２とは独立して配置されている。導体パターン１１の他端は、金属線５０を介して、第２端子部１３と電気的に接続されている。金属線５０は、例えば、金線、銅線、アルミニウム線等であり、例えば、超音波接合、溶接、はんだ付け等により接続することができる。
導体パターン１１は、第１導体１１１と、第１導体１１１の周囲を被覆する第２導体１１２とを含んでいる。又、第１端子部１２は、第１導体１２１と、第１導体１２１の周囲を被覆する第２導体１２２とを含んでいる。又、第２端子部１３は、第１導体１３１と、第１導体１３１の周囲を被覆する第２導体１３２とを含んでいる。
第１導体１１１、第１導体１２１、及び第１導体１３１は、エッチング工法や打ち抜き工法でパターニングされた金属板からなる。第１導体１１１、第１導体１２１、及び第１導体１３１の材料としては、例えば、銅、銅合金、Ｆｅ－Ｎｉ合金（４２アロイ等）等が挙げられる。第１導体１１１、第１導体１２１、及び第１導体１３１の各々の厚さＴ１は、例えば、６０～１２０μｍ程度とすることができる。第１導体１１１の幅Ｗ１は、例えば、１４０～２００μｍ程度とすることができる。
第２導体１１２、第２導体１２２、及び第２導体１３２は、電解めっき層からなる。第２導体１１２、第２導体１２２、及び第２導体１３２の材料としては、例えば、銅等が挙げられる。第２導体１１２、第２導体１２２、及び第２導体１３２の厚さＴ２は、導体パターン１１において隣接する第１導体１１１を被覆する第２導体１１２同士が接触しない範囲内で適宜選択できるが、例えば、２０～６０μｍ程度とすることができる。なお、電解めっき法で形成された第２導体１１２、第２導体１２２、及び第２導体１３２の各々の厚さは、第１導体１１１、第１導体１２１、及び第１導体１３１の各々の周囲において略均一となる。ここで、厚さが略均一とは、厚さが完全に均一である場合のみならず、製造上の誤差程度は許容されることを意味し、具体的には、平均厚さに対する厚さバラツキが±１０％以下である場合を含むものとする。
隣接する導体パターン１１の間隔Ｐは、第１導体１１１の厚さＴ１よりも小さくすることができる。隣接する導体パターン１１の間隔Ｐは、例えば、１０μｍ程度とすることができる。
導体パターン１１において、第１導体１１１の幅方向の断面形状（図２（ｂ）における断面形状）は略矩形状である。又、第２導体１１２の厚さが略均一であるため、導体パターン１１全体の幅方向の断面形状（図２（ｂ）における断面形状）も略矩形状である。ここで、略矩形状とは、正方形、長方形に加えて、正方形や長方形の角部が丸みを帯びた形状を含むものとする。
第２導体１１２（電解めっき）により、導体パターン１１の幅方向に狭い間隔で密に導体パターン１１同士を配置することが可能となる。よって、インダクタ１では、第２導体を設けない場合のインダクタに比較し、同一外形サイズで、インダクタンス値の増加が可能となる。又、インダクタ１では、第２導体を設けない場合のインダクタと同一のインダクタンス値を得る場合、インダクタ１の外形サイズの減少（小型化）が可能となる。又、導体パターン１１の断面積が増加するため、導体パターン１１の直流抵抗を小さくでき、より多くの電流を流すことが可能なインダクタを得ることができる。
絶縁層２０は、導体１０の周囲（導体パターン１１、第１端子部１２、及び第２端子部１３の各々の周囲）を被覆している。導体１０の周囲を絶縁層２０で被覆することで、導体１０と磁性体３０との短絡、及び隣接する導体１０同士の短絡を防止することができる。絶縁層２０の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層２０の厚さＴ３は、例えば、１０μｍ程度とすることができる。
絶縁層２０は、例えば電着コート法で形成することで、導体１０の周囲において略均一な厚さとなる。
磁性体３０は、絶縁層２０を被覆している。言い換えれば、絶縁層２０に被覆された導体１０が磁性体３０に埋め込まれている。但し、第１端子部１２の一部は、絶縁層２０に被覆されていなく、磁性体３０の側面３０ｃから露出している。又、第２端子部１３の一部は、絶縁層２０に被覆されていなく、磁性体３０の側面３０ｄから露出している。
磁性体３０は、例えば、磁性体粉末と絶縁性樹脂とを含有する構成とすることができる。磁性体３０において、磁性体粉末と絶縁性樹脂との配合比率を調整することで、必要な透磁率や成型性を確保することができる。
磁性体粉末としては、例えば、軟磁性体の粉末を用いることができる。軟磁性体の粉末としては、例えば、鉄基アモルファス合金の粉末、カルボニル鉄粉、フェライトやパーマロイ等の粉末が挙げられる。絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂等の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いることができる。
電極４１及び４２は、磁性体３０の外側に形成された一対の電極である。電極４１は、磁性体３０の上面３０ａの側面３０ｃ側に形成され、上面３０ａから側面３０ｃの全体に延伸している。電極４２は、磁性体３０の上面３０ａの側面３０ｄ側に形成され、上面３０ａから側面３０ｄの全体に延伸している。電極４１は、第１端子部１２の磁性体３０の側面３０ｃから露出する部分と電気的に接続されている。又、電極４２は、第２端子部１３の磁性体３０の側面３０ｄから露出する部分と電気的に接続されている。電極４１及び４２の材料としては、例えば、銅等を用いることができる。電極４１及び４２は、複数の金属層を積層した構造としてもよい。
［インダクタの製造方法］
次に、第１実施形態に係るインダクタの製造方法について説明する。図３～図１０は、第１実施形態に係るインダクタの製造工程を例示する図である。なお、図４～図７では図２（ａ）に対応する平面図及び／又は図２（ｂ）に対応する断面図を参照しながら説明し、図８～図１０では図３に対応する平面図を参照しながら説明する。
次に、第１実施形態に係るインダクタの製造方法について説明する。図３～図１０は、第１実施形態に係るインダクタの製造工程を例示する図である。なお、図４～図７では図２（ａ）に対応する平面図及び／又は図２（ｂ）に対応する断面図を参照しながら説明し、図８～図１０では図３に対応する平面図を参照しながら説明する。
まず、図３に示す工程では、例えば、平面形状が矩形状の金属板１０Ｓを準備する。金属板１０Ｓは、例えば、リードフレーム用の金属板である。金属板１０Ｓの材料としては、例えば、銅、銅合金、４２アロイ等のＦｅ－Ｎｉ合金が挙げられる。金属板１０Ｓの厚さは、例えば、６０～１２０μｍ程度とすることができる。金属板１０Ｓには、最終的に破線に沿って切断されて個片化され、各々がインダクタ１となる複数の製品領域Ｒが画定されている。各々の製品領域Ｒは、例えば、縦横に配列することができるが、個数は６個には限定されない。なお、図４～図７では、図３に示す製品領域Ｒの１つについて、平面や断面を図示しながら説明を行う。
次に、図４及び図５に示す工程では、金属板１０Ｓをパターニングして、第１導体１１１、第１導体１２１、及び第１導体１３１を形成する。ここでは、金属板１０Ｓをエッチング工法でパターニングする例を示すが、金属板１０Ｓを打ち抜き工法でパターニングしてもよい。
具体的には、まず、図４（ａ）に示すように、金属板１０Ｓの上面の全体に感光性のレジスト層３００を形成し、下面の全体に感光性のレジスト層３１０を形成する。そして、図４（ｂ）に示すように、レジスト層３００及び３１０を露光及び現像して開口部３００ｘ及び３１０ｘを形成し、第１導体１１１、第１導体１２１、及び第１導体１３１を形成する領域のみをレジスト層３００及び３１０で被覆する。開口部３００ｘと開口部３１０ｘとは、金属板１０Ｓを介して互いに対向する位置に形成される。そして、図４（ｃ）に示すように、レジスト層３００及び３１０をマスクとして、開口部３００ｘ及び３１０ｘから露出する金属板１０Ｓを両側からエッチングする。
その後、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、レジスト層３００及び３１０を除去する。これにより、平面形状が渦巻き状にパターニングされた第１導体１１１と、平面形状が略三角状にパターニングされた第１導体１２１と、平面形状が略矩形状にパターニングされた第１導体１３１が形成される。第１導体１２１は第１導体１１１の一端に第１導体１１１と一体に形成され、第１導体１３１は第１導体１１１及び第１導体１２１とは独立して形成される。第１導体１２１及び第１導体１３１は、製品領域Ｒの外側に位置する金属板１０Ｓの外枠（図示せず）に支持されている。
なお、金属板１０Ｓをエッチング工法でパターニングする場合、金属板１０Ｓの厚さと第１導体１１１の最小間隔との比率は約１：１となる。又、金属板１０Ｓを打ち抜き工法でパターニングする場合、金属板１０Ｓの厚さと第１導体１１１の最小間隔との比率は約１：０．５となる。
次に、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す工程では、第１導体１１１の周囲を被覆する第２導体１１２、第１導体１２１の周囲を被覆する第２導体１２２、及び第１導体１３１の周囲を被覆する第２導体１３２を形成する。第２導体１２２は第２導体１１２の一端に第２導体１１２と一体に形成され、第２導体１３２は第２導体１１２及び第２導体１２２とは独立して形成される。これにより、第１導体１１１と第２導体１１２とを含む導体パターン１１、第１導体１２１と第２導体１２２とを含む第１端子部１２、及び第１導体１３１と第２導体１３２とを含む第２端子部１３が形成され、導体１０が完成する。第２導体１１２、第２導体１２２、及び第２導体１３２は、例えば、金属板１０Ｓの外枠から第１導体１１１、第１導体１２１、及び第１導体１３１に給電する電解めっき法により形成することができる。
次に、図７（ａ）に示す工程では、導体パターン１１の他端を、金属線５０を介して、第２端子部１３と電気的に接続する。金属線５０は、例えば、金線、銅線、アルミニウム線等であり、例えば、超音波接合、溶接、はんだ付け等により接続することができる。ここで、金属線５０は、他端以外の導体パターン１１部分と接触しないように設ける。例えば、インダクタ１の断面方向から見て上方に突出するアーチ状に金属線５０を設けることで、金属線５０と他端以外の導体パターン１１部分との接触を避けることができる。なお、金属線５０に替えて、金属のリボンにより接続を行ってもよい。リボンの材質としては、金属線５０と同様のものを用いることができる。
次に、図７（ｂ）に示す工程では、導体１０の周囲（導体パターン１１、第１端子部１２、及び第２端子部１３の各々の周囲）を被覆する絶縁層２０を形成する。金属線５０の表面にも絶縁層２０が形成される。絶縁層２０は、例えば、電着コート法、スピンコート法、ディップコート法等により形成することができる。絶縁層２０の材料や厚さは、前述の通りである。
次に、図７（ｃ）に示す工程では、絶縁層２０を被覆する磁性体３０を形成する。磁性体３０は、例えば、前述の磁性体粉末と絶縁性樹脂（バインダ）とを混練した粉体で図７（ｂ）に示す構造体の周囲を充填し、粉体を１６０℃程度に加熱しながら上下から１５ＫＮ程度で加圧することで成型できる。
なお、絶縁性樹脂（バインダ）の材料や配合比率を調整することにより、磁性体３０の成型に、トランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等の低圧成型法を用いることも可能である。
例えば、金型のキャビティ内に図７（ｂ）の構造体と磁性体粉末と絶縁性樹脂（バインダ）とを混錬した粉体を入れ、金型で加熱及び加圧し磁性体３０を成型することができる（コンプレッションモールド法）。この際、例えば、粉体を１６０℃程度に加熱しながら金型で上下から１５ＫＮ程度で加圧することで成型できる。
或いは、例えば、金型のキャビティ内に図７（ｂ）の構造体を入れ、キャビティ内に磁性体粉末を含む熱硬化性樹脂を圧入することで、磁性体３０を成型することができる（トランスファーモールド法）。
次に、図８に示す工程では、図７（ｃ）に示す構造体を支持体５００上に配置し、製品領域Ｒの対向する一対の側面に沿った細長状の貫通溝５００ｘを形成する。貫通溝５００ｘは、例えば、ダイシングブレード等を用いて形成することができる。貫通溝５００ｘ内において、各々の製品領域Ｒの第１端子部１２が磁性体３０の側面３０ｃから部分的に露出し、第２端子部１３が磁性体３０の側面３０ｄから部分的に露出する。又、製品領域Ｒの外側に位置する金属板１０Ｓの外枠が除去される。
次に、図９に示す工程では、図８に示す構造体に電極４１及び４２を形成する。電極４１は、各々の製品領域Ｒに跨って磁性体３０の上面３０ａの側面３０ｃ側に形成され、上面３０ａから側面３０ｃの全体に延伸し、第１端子部１２の磁性体３０の側面３０ｃから露出する部分と電気的に接続される。電極４２は、各々の製品領域Ｒに跨って磁性体３０の上面３０ａの側面３０ｄ側に形成され、上面３０ａから側面３０ｄの全体に延伸し、第２端子部１３の磁性体３０の側面３０ｄから露出する部分と電気的に接続される。
電極４１及び４２を形成するには、例えば、各々の製品領域Ｒに跨って磁性体３０の上面３０ａの側面３０ｃ側から側面３０ｃの全体に延伸するシード層と、磁性体３０の上面３０ａの側面３０ｄ側から側面３０ｄの全体に延伸するシード層を形成する。シード層は、例えば、チタン層と銅層とをこの順番で積層した積層膜とすることができる。シード層は、例えば、スパッタリングによリ形成することができる。次に、シード層を給電層とする電解めっき法により、シード層上に銅層等を形成することで、電極４１及び４２が完成する。
銅層等の上に、シード層を給電層とする電解めっき法により、更に表面めっき層を形成してもよい。表面めっき層は、例えば、ニッケル層（例えば厚さ２～３μｍ程度）とスズ層（例えば厚さ４～５μｍ程度）とをこの順番で積層した積層膜とすることができる。表面めっき層として、ニッケル層と金層とをこの順番で積層した積層膜や、銀層とスズ層とをこの順番で積層した積層膜を用いてもよい。表面めっき層は、電極４１及び４２の酸化防止層としての機能や、電極４１及び４２のはんだ濡れ性を向上させる機能を有している。
次に、図１０に示す工程では、図９に示す構造体において、製品領域Ｒの対向する他の一対の側面に沿った細長状の貫通溝５００ｙを貫通溝５００ｘと略直交するように形成する。貫通溝５００ｙは、例えば、ダイシングブレード等を用いて形成することができる。これにより、製品領域Ｒの外側に位置する金属板１０Ｓの外枠が除去され、各々の製品領域Ｒに個片化された複数のインダクタ１が形成される。
このように、第１導体１１１の周囲を第２導体１１２で被覆することにより、隣接する導体パターン１１の間隔を狭め、導体パターン１１を高密度で形成できる。又、第１導体１１１の周囲を第２導体１１２で被覆することにより、導体パターン１１の幅方向の断面積も増加させることができる。これらにより、従来より小型のインダクタ１を実現することができる。例えば、同じ値のインダクタンスを実現する場合、第１導体１１１の周囲を第２導体１１２で被覆しない場合に比べて、インダクタ１では外径サイズで十数％程度の小型化が可能である。
又、第１導体１１１上に一方向に電解めっき層を形成する方法と比べ、第１導体１１１の周囲に電解めっき層である第２導体１１２を形成する方法では、めっき時間の大幅な短縮が可能である。
〈第１実施形態の変形例〉
第１実施形態の変形例では、インダクタを構成する導体の変形例を示す。なお、第１実施形態の変形例において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
第１実施形態の変形例では、インダクタを構成する導体の変形例を示す。なお、第１実施形態の変形例において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
図１１は、インダクタを構成する導体の変形例を示す平面図である。図１及び図２等に示す導体１０に代えて、図１１（ａ）に示す導体１０Ａを用いてもよい。導体１０Ａでは、平面形状がジグザグ状にパターニングされた導体パターン１１Ａの一端に平面形状が略矩形状の第１端子部１２Ａが一体に形成され、他端に平面形状が略矩形状の第２端子部１３Ａが一体に形成されている。
又、図１及び図２等に示す導体１０に代えて、図１１（ｂ）に示す導体１０Ｂを用いてもよい。導体１０Ｂでは、平面形状がΩ型にパターニングされた導体パターン１１Ｂの一端に平面形状が略矩形状の第１端子部１２Ｂが一体に形成され、他端に平面形状が略矩形状の第２端子部１３Ｂが一体に形成されている。
又、図１及び図２等に示す導体１０に代えて、図１１（ｃ）に示す導体１０Ｃを用いてもよい。導体１０Ｃでは、平面形状が矩形の渦巻き状にパターニングされた導体パターン１１Ｃの一端に平面形状が略矩形状の第１端子部１２Ｃが一体に形成されている。第２端子部１３Ｃは、導体パターン１１Ｃ及び第１端子部１２Ｃとは独立して配置されており、導体パターン１１Ｃの他端は、金属線５０を介して、第２端子部１３Ｃと電気的に接続されている。
導体１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを、第１導体と第１導体の周囲を被覆する第２導体とを含む構造とすることで、第１実施形態と同様の効果を奏する。
このように、インダクタを構成する導体の平面形状は、導体１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの何れの形状としてもよいし、その他の形状としてもよい。インダクタを構成する導体の平面形状は、要求仕様に応じて任意に決定することができる。
以上、好ましい実施形態について詳説したが、上述した実施形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
１ インダクタ
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ 導体
１０Ｓ 金属板
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ 導体パターン
１２、１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ 第１端子部
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ 第２端子部
２０ 絶縁層
３０ 磁性体
３０ａ 上面
３０ｃ、３０ｄ 側面
４１、４２ 電極
５０ 金属線
１１１、１２１、１３１ 第１導体
１１２、１２２、１３２ 第２導体
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ 導体
１０Ｓ 金属板
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ 導体パターン
１２、１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ 第１端子部
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ 第２端子部
２０ 絶縁層
３０ 磁性体
３０ａ 上面
３０ｃ、３０ｄ 側面
４１、４２ 電極
５０ 金属線
１１１、１２１、１３１ 第１導体
１１２、１２２、１３２ 第２導体
Claims (6)
- 磁性体と、
前記磁性体に埋め込まれ、周囲が前記磁性体に被覆された導体と、
絶縁層と、を有し、
前記導体は、
第１導体と、
前記第１導体の周囲を被覆する第２導体と、を含み、
前記絶縁層は、前記第２導体の周囲を被覆し、
前記第１導体は金属板からなり、前記第２導体は電解めっき層からなり、
前記電解めっき層の厚さは、２０μｍ以上６０μｍ以下であり、
前記導体は、所定の平面形状にパターニングされた導体パターンを含み、
隣接する前記導体パターンの間隔は、前記第１導体の厚さよりも小さいインダクタ。 - 前記導体は、
前記導体パターンの一端と電気的に接続された第１端子部と、
前記導体パターンの他端と電気的に接続された第２端子部と、を含み、
前記第１端子部及び前記第２端子部は、前記磁性体から部分的に露出している請求項１に記載のインダクタ。 - 渦巻き状にパターニングされた前記導体パターンと、
前記導体パターンの一端に前記導体パターンと一体に形成された前記第１端子部と、
前記導体パターン及び前記第１端子部とは独立して配置された前記第２端子部と、を含み、
前記導体パターンの他端は、金属線を介して、前記第２端子部と電気的に接続されている請求項２に記載のインダクタ。 - 前記磁性体の外側に形成された一対の電極を有し、
前記一対の電極の一方は、前記第１端子部の前記磁性体から露出する部分と電気的に接続され、
前記一対の電極の他方は、前記第２端子部の前記磁性体から露出する部分と電気的に接続されている請求項２又は３に記載のインダクタ。 - 前記導体の幅方向の断面形状が略矩形状である請求項１乃至４の何れか一項に記載のインダクタ。
- 第１導体を形成する工程と、
前記第１導体の周囲を第２導体で被覆し、前記第１導体と前記第２導体とを含み、所定の平面形状にパターニングされた導体パターンを含む導体を形成する工程と、
前記第２導体の周囲を被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記導体を磁性体に埋め込み、前記絶縁層の周囲を前記磁性体で被覆する工程と、を有し、
前記第１導体を形成する工程では、金属板をパターニングして前記第１導体を形成し、
前記導体を形成する工程では、電解めっき法により厚さが２０μｍ以上６０μｍ以下である前記第２導体を形成し、隣接する前記導体パターンの間隔は前記第１導体の厚さよりも小さくなるインダクタの製造方法。
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