JP2021136308A - インダクタ部品、樹脂封止体及び基板構造 - Google Patents

インダクタ部品、樹脂封止体及び基板構造 Download PDF

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Abstract

【課題】インダクタ部品を設計するに際して、その自由度を高めること。【解決手段】インダクタ部品１０は、磁性層２０を含む本体ＢＤと、本体ＢＤ内に設けられているインダクタ配線４０と、本体ＢＤ内に設けられているとともに、インダクタ配線４０と接触しており、その接触部分から本体ＢＤの第１主面２１に向けて延伸する第１電極配線６０Ａと、本体ＢＤ内に設けられているとともに、インダクタ配線４０と接触しており、その接触部分から本体ＢＤの第２主面２２に向けて延伸する第２電極配線７０Ａとを備える。第１電極配線６０Ａの第１外部端子６５は、第２電極配線７０Ａの第２外部端子７０ａが含有しない金属材料を含有している。【選択図】図４

Description

本発明は、インダクタ部品、樹脂封止体及び基板構造に関する。
特許文献１に記載されているインダクタ部品は、磁性層を有する本体と、スパイラル導体とを備えている。スパイラル導体は、本体内に設けられている。本体は、第１主面と、スパイラル導体を挟んで第１主面の反対側に位置する第２主面とを有している。また、インダクタ部品は、スパイラル導体の接触部分に接触している２つの垂直配線を備えている。２つの垂直配線のうち、第１垂直配線はスパイラル導体との接触部分から第１主面に向けて延びており、第２垂直配線はスパイラル導体との接触部分から第２主面に向けて延びている。そして、第１垂直配線は、第１主面上に設けられている第１外部端子に接続されており、第２垂直配線は第２主面上に設けられている第２外部端子に接続されている。
特許第６０２４２４３号公報
上記のようにインダクタ導体から第１主面に向けて延びる配線と、インダクタ導体から第２主面に向けて延びる配線とを備える構成のインダクタ部品にあっては、設計に際して自由度の更なる向上が求められている。
上記課題を解決するためのインダクタ部品は、磁性層を含み、第１主面及び第２主面を有する本体と、前記本体内に設けられているインダクタ配線と、前記本体内に設けられているとともに、前記インダクタ配線に接触しており、当該インダクタ配線との接触部分から前記第１主面に向けて延伸する第１電極配線と、前記本体内に設けられているとともに、前記インダクタ配線に接触しており、当該インダクタ配線との接触部分から前記第２主面に向けて延伸する第２電極配線と、を備えている。前記第２主面は、前記インダクタ配線を挟んで前記第１主面の反対側に位置している。前記各電極配線において、前記インダクタ配線に接触する側の端部とは反対側の端部を外部端子とした場合、前記各電極配線の前記外部端子は、外部に露出しており、前記第１電極配線の前記外部端子は、前記第２電極配線の前記外部端子が含有しない金属材料を含有している。
外部端子については、その使用用途に応じて適切な構成、材質が異なることがある。この点、上記構成では、第１電極配線の外部端子は、第２電極配線の外部端子に含まれない金属を含有した構成となっている。これにより、インダクタ配線から第１主面に向けて延びる第１電極配線と、インダクタ配線から第２主面に向けて延びる第２電極配線とを備えるインダクタ部品において、その設計に際して自由度を高めることができる。
樹脂封止体の一態様は、プリント配線基板に実装される樹脂封止体であって、上記のインダクタ部品が内蔵されている。
基板構造の一態様は、上記のインダクタ部品が基板上で樹脂封止されている。
上記構成によれば、インダクタ部品の設計に際して自由度を高めることができる。
インダクタ部品の第１実施形態を模式的に示す斜視図。 同インダクタ部品のインダクタ配線の形状を説明する断面図。 同インダクタ部品の断面図。 同インダクタ部品の一部を拡大した断面図。 同インダクタ部品の製造方法の一例を説明するフローチャート。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 同製造方法の説明図。 第２実施形態の樹脂封止体と、同樹脂封止体が実装されるプリント配線基板とを模式的に示す斜視図。 同樹脂封止体の一例を示す断面図。 変更例のインダクタ部品の一部を示す断面図。 変更例のインダクタ部品の一部を示す断面図。 変更例のインダクタ部品が備えるインダクタ配線を示す模式図。 同変更例のインダクタ部品の断面図。 変更例のインダクタ部品の断面図。 同変更例のインダクタ部品の断面図。
（第１実施形態）
以下、インダクタ部品の一実施形態を図１〜図２１に従って説明する。なお、図面は理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。
図１に示すように、インダクタ部品１０の本体ＢＤは、磁性材料で構成されている磁性層２０を備えている。磁性層２０は、例えば、金属磁性粉を含む樹脂で構成される。金属磁性粉を含む樹脂で磁性層２０を構成する場合、金属磁性粉としては、例えば、鉄、ニッケル、クロム、銅、アルミニウム、並びにこれらの合金を挙げることができる。また、金属磁性粉を含む樹脂としては、エポキシ樹脂などの樹脂材料を挙げることができる。絶縁性や成形性を考慮すると、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂を、当該樹脂として採用することが好ましい。なお、磁性層２０にあっては、その全重量に対して金属磁性粉が「６０ｗｔ％」以上含まれることが好ましい。また、金属磁性粉を含む樹脂の充填性を高くするために、粒度分布の異なる２種類又は３種類の金属磁性粉を樹脂に含ませることがさらに好ましい。
なお、磁性層２０は、金属磁性粉の代わりにフェライト粉を含む樹脂で構成されるものであってもよいし、金属磁性粉及びフェライト粉の双方を含む樹脂で構成されるものであってもよい。また例えば、磁性層２０は、フェライト粉を焼結によって固めた基板、すなわちフェライトの焼結体であってもよい。
図１に示す例では、本体ＢＤは直方体状をなしている。本体ＢＤの形状は、直方体に限定されず、例えば、円柱状及び多角形状であってもよい。本体ＢＤの側面のうち、図３における上面を、「第１主面２１」という。また、本体ＢＤの側面のうち、後述するインダクタ配線４０を挟んだ第１主面２１の反対側に位置する主面を、「第２主面２２」という。
図３に示すように、第１主面２１及び第２主面２２の並ぶ方向における本体ＢＤの寸法を本体ＢＤの厚みＴ１とした場合、本体ＢＤの厚みＴ１は、「０．１５ｍｍ」以上且つ「０．３ｍｍ」以下である。つまり、第１主面２１と第２主面２２との間隔が、「０．１５ｍｍ」以上且つ「０．３ｍｍ」以下である。よって、インダクタ部品１０は、非常に薄いものである。
図１及び図３に示すように、インダクタ部品１０は、本体ＢＤの第１主面２１上に位置する絶縁性の表層３０を備えている。表層３０の厚みは、本体ＢＤの厚みＴ１よりも薄い。表層３０は、樹脂によって構成される。表層３０を構成する樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマーを挙げることができる。また、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及び液晶ポリマーのうちの少なくとも２つを混合したもので表層３０を構成してもよい。さらに、表層３０の絶縁性能を高めるために、表層３０は、シリカフィラーなどの絶縁フィラーを含有していてもよい。ただし、表層３０は、磁性粉を含有していない。
インダクタ部品１０は、本体ＢＤ内に設けられているインダクタ配線４０と、本体ＢＤ内に位置していてインダクタ配線４０に接触する絶縁層５０とを備えている。絶縁層５０は、インダクタ配線４０を挟んで第１主面２１の反対側に配置されている。
絶縁層５０は、非磁性体である。絶縁層５０の絶縁性は、磁性層２０の絶縁性よりも高い。絶縁層５０は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマーを含んでいる。絶縁層５０の絶縁性能を高めるために、絶縁層５０は、シリカフィラーなどの絶縁フィラーを含有していてもよい。なお、本実施形態において非磁性体とは、比抵抗が「１ＭΩ・ｃｍ」以上のもののことをいう。
インダクタ部品１０は、インダクタ配線４０に接触している第１電極配線と、インダクタ配線４０に接触している第２電極配線とを備えている。インダクタ部品１０は、第１電極配線として、第１電極配線６０Ａと、第１電極配線６０Ｂとを備えている。インダクタ配線４０のうち、第１電極配線６０Ａが接触する部位は、インダクタ配線４０のうち、第１電極配線６０Ｂが接触する部位とは異なる。
インダクタ部品１０は、第２電極配線として、第２電極配線７０Ａと、第２電極配線７０Ｂとを備えている。インダクタ配線４０のうち、第２電極配線７０Ａが接触する部位は、インダクタ配線４０のうち、第２電極配線７０Ｂが接触する部位とは異なる。
次に、インダクタ配線４０について説明する。
インダクタ配線４０は、導電性材料で構成されている。インダクタ配線４０は、例えば、銅、銀、金及びアルミニウムの少なくとも１つを導電性材料として含んでいる。また例えば、インダクタ配線４０は、銅、銀、金及びアルミニウムの少なくとも２つの合金を導電材料として含んでいてもよい。本実施形態では、図４に示すように、インダクタ配線４０は、絶縁層５０に接触するシード層である配線用シード層４０１と、配線用シード層４０１を挟んで絶縁層５０の反対側に位置する導電層４０２とを備えている。配線用シード層４０１は、導電材料の一例として銅を含んでいる。第１主面２１及び第２主面２２の並ぶ方向における配線用シード層４０１の寸法を配線用シード層４０１の厚みとした場合、配線用シード層４０１の厚みは、「３０ｎｍ」以上且つ「５００ｎｍ」以下である。導電層４０２は、例えば、銅及び硫黄を含んでいる。このように導電層４０２が銅及び硫黄を含んでいる場合、例えば、導電層４０２では、銅の比率を「９９ｗｔ％」以上とし、硫黄の比率を「０．１ｗｔ％」以上であって「１．０ｗｔ％」未満としてよい。なお、インダクタ配線４０は、配線用シード層４０１を備えない構成であってもよい。
第１主面２１及び第２主面２２の並ぶ方向におけるインダクタ配線４０の寸法をインダクタ配線４０の厚みＴ２とした場合、インダクタ配線４０の厚みＴ２は、「４０μｍ」以上且つ「５５μｍ」以下である。
なお、配線用シード層４０１は、層として、チタンを含む層、タングステンを含む層の少なくとも１つの層を含む構成であってもよい。このように配線用シード層４０１を多層構造とすることにより、インダクタ配線４０と絶縁層５０との密着性をより高めることができる。
図２及び図３に示すように、インダクタ配線４０は、本体ＢＤ内の所定の平面１００に沿って設けられている。所定の平面１００は、絶縁層５０におけるインダクタ配線４０に面接触する部位によって形成される仮想の平面である。本実施形態において所定の平面１００は第１主面２１と平行な面であるものの、第１主面２１と平行ではない仮想の平面を所定の平面１００としてもよい。なお、図３は、図２に一点鎖線で示す線ＬＮ１に直交する方向でインダクタ部品１０を切断した場合の断面を示す図である。
インダクタ配線４０は、第１パッド４１と、第２パッド４２と、第１パッド４１と第２パッド４２とを繋ぐ配線本体４３とを有している。そして、図３及び図４に示すように、第１パッド４１に第１電極配線６０Ａ及び第２電極配線７０Ａが接触している。また、第２パッド４２に第１電極配線６０Ｂ及び第２電極配線７０Ｂが接触している。すなわち、第１パッド４１の図中上部が、インダクタ配線４０と第１電極配線６０Ａとの接触部分となり、第１パッド４１の図中下部が、インダクタ配線４０と第２電極配線７０Ａとの接触部分となる。また、第２パッド４２の図中上部が、インダクタ配線４０と第１電極配線６０Ｂとの接触部分となり、第２パッド４２の図中下部が、インダクタ配線４０と第２電極配線７０Ｂとの接触部分となる。
なお、図４は、図３の一部を拡大した図である。図４には、インダクタ配線４０の第１端部である第１パッド４１からのインダクタ配線４０の延びる方向と直交する第１パッド４１の横断面が図示されている。ここでは、当該横断面に沿う方向のうち、第１主面２１及び第２主面２２が並ぶ方向である図中上下方向を、インダクタ配線４０の厚み方向Ｘ１という。また、当該横断面に沿う方向のうち、厚み方向Ｘ１と直交する方向をインダクタ配線４０の幅方向Ｘ２という。幅方向Ｘ２は、所定の平面１００に沿う方向でもある。
配線本体４３は、所定の平面１００上において、本体ＢＤの中心軸２０ｚを中心とした渦巻状をなしている。具体的には、配線本体４３は、上面視すると、径方向外側の外周端部４３ｂから径方向内側の内周端部４３ａに向かって渦巻き状に巻回されている。
ここで、インダクタ配線のターン数は、仮想ベクトルに基づいて定められる。仮想ベクトルの始点は、インダクタ配線の配線幅中央を通ってインダクタ配線の延伸方向に延びる仮想中心線上に配置されている。そして、仮想ベクトルは、厚み方向Ｘ１から見たときにインダクタ配線の延伸方向に延びる仮想中心線に接している。仮想ベクトルの始点を仮想中心線の一方の端に配置した状態から、始点を仮想中心線の他方の端まで移動させたときに、仮想ベクトルの向きが回転した角度が「３６０°」のときに、ターン数は「１．０ターン」として定められている。したがって、例えば「１８０°」巻回されると、ターン数は「０．５ターン」となる。
本実施形態では、インダクタ配線４０の配線本体４３上に仮想的に配置された仮想ベクトルの向きは、「５４０°」回転される。そのため、本実施形態において配線本体４３が巻回されているターン数は、「１．５ターン」となっている。
第２パッド４２には、配線本体４３の外周端部４３ｂが接続されている。第２パッド４２には、所定の平面１００に沿って本体ＢＤの外縁側に向かって延びる第１ダミー配線４４が接続されている。第１ダミー配線４４は、インダクタ部品１０の外面に露出している。第１パッド４１は、配線本体４３及び第２パッド４２と同様に、所定の平面１００上に配置されている。第１パッド４１には、配線本体４３の内周端部４３ａが接続されている。
配線本体４３の外周端部４３ｂと内周端部４３ａとの間の部分において、外周端部４３ｂから「０．５ターン」巻回されている箇所には、所定の平面１００に沿って本体ＢＤの外縁側に向かって延びる第２ダミー配線４５が接続されている。第２ダミー配線４５は、インダクタ部品１０の外面に露出している。
ここで、本体ＢＤ内に設けられているインダクタ配線は、所定の平面１００上に位置するインダクタ配線４０のみである。つまり、図３におけるインダクタ配線４０の上面と第１主面２１との間に位置する仮平面上、及び、平面１００と第２主面２２との間に位置する仮平面上の各々にはインダクタ配線が設けられていない。言い換えると、本体ＢＤ内に設けられるインダクタ配線は、所定の平面１００上に配置されるインダクタ配線４０のみである。よって、本実施形態のインダクタ部品１０にあっては、インダクタ配線の層数は１層のみであるといえる。
次に、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂについて説明する。
図３及び図４に示すように、絶縁層５０のうち、インダクタ配線４０の第１パッド４１に接触する部分、及び、第２パッド４２に接触する部分には、貫通孔であるビアホール５０ａがそれぞれ設けられている。そして、第２電極配線７０Ａはビアホール５０ａを貫通して第１パッド４１に接触しているとともに、第２電極配線７０Ｂはビアホール５０ａを貫通して第２パッド４２に接触している。
各第２電極配線７０Ａ，７０Ｂは、ビア７１と、第２柱状配線７２とを有している。ビア７１は、ビアホール５０ａ内に位置しているとともに、インダクタ配線４０に接触している。すなわち、ビア７１は、厚み方向Ｘ１において絶縁層５０を貫通している。第２柱状配線７２は、ビア７１の両端のうち、インダクタ配線４０に接触する端とは反対側の端に接続されている。第２柱状配線７２は、一方向に延びているとともに、磁性層２０を貫通している。そして、第２柱状配線７２の両端のうち、インダクタ配線４０に接触する側の端とは反対側の端、すなわちビア７１に接続する端とは反対側の端が、第２外部端子７０ａとなる。そして、本実施形態では、第２外部端子７０ａは、本体ＢＤの第２主面２２と面一となっており、インダクタ配線４０の外部に露出している。
各第２電極配線７０Ａ，７０Ｂは、銅及び硫黄を含んでいる。すなわち、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂにおける銅の比率は「９９ｗｔ％」以上であり、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂにおける硫黄の比率は「０．１ｗｔ％」以上であって「１．０ｗｔ％」未満である。本実施形態では、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂの一部が第２外部端子７０ａであるため、第２外部端子７０ａは銅及び硫黄を含んでいるといえる。
次に、第１電極配線６０Ａ，６０Ｂについて説明する。
図３及び図４に示すように、第１電極配線６０Ａ，６０Ｂは、インダクタ配線４０との接触部分から第１主面２１に向けて延びる第１柱状配線６３と、第１柱状配線６３の両端部のうち、インダクタ配線４０に接触する側の端部とは反対側の端部である第１外部端子６５とを備えている。第１外部端子６５は、第１柱状配線６３の両端部のうち、インダクタ配線４０に接触する端部とは反対側の端部に接続されている。第１外部端子６５は、インダクタ配線４０の外部に露出している。なお、インダクタ配線４０と第１外部端子６５とを繋ぐ配線を垂直配線と定義した場合、本実施形態では、第１柱状配線６３が垂直配線に該当する。
第１柱状配線６３におけるインダクタ配線４０との接触部分６３ａは、シード層６１によって構成されている。本実施形態では、第１柱状配線６３の一部であるシード層６１を、「柱状配線用シード層６１」という。
柱状配線用シード層６１は、導電材料の一例として銅を含んでいる。柱状配線用シード層６１は、複数の層が積層されている積層体である。柱状配線用シード層６１は、層として、銅の比率が「９０ｗｔ％」以上となる層を含んでいる。また、柱状配線用シード層６１は、層として、パラジウムを含む層を含んでいる。複数の層のうち、パラジウムを含む層が、インダクタ配線４０に接触している。
なお、柱状配線用シード層６１は、層として、チタンを含む層及びタングステンを含む層を有している。このように柱状配線用シード層６１を多層構造とすることにより、第１柱状配線６３とインダクタ配線４０との密着性を高めることができる。なお、柱状配線用シード層６１は、チタンを含む層を有していなくてもよい。また、柱状配線用シード層６１は、タングステンを含む層を有していなくてもよい。
第１外部端子６５は、本体ＢＤの第１主面２１から突出している。より具体的には、第１外部端子６５は、表層３０からも突出している。すなわち、本体ＢＤの厚み方向Ｘ１において、第１外部端子６５の端面６５ａは、表層３０の表面３０ｂよりも外側に位置している。
第１外部端子６５は、第２外部端子７０ａが含有しない金属材料を含有している。すなわち、第１外部端子６５は、複数の層を積層した積層体である。なお、第１外部端子６５は、第２外部端子７０ａが含有しない金属材料を含むとともに、当該金属材料を含む複数種類の導電材料で構成されているのであれば、積層体でなくてもよい。
図３及び図４に示す例では、第１外部端子６５は、３つの層６５１，６５２，６５３を積層した積層体である。積層体は、例えば、銅、ニッケル、金及び錫のうちの少なくとも１つの金属を含有している。また例えば、積層体は、銅、ニッケル、金及び錫のうちの少なくとも２つからなる合金を含有するものであってもよい。
例えば、第１外部端子６５を構成する複数の層６５１〜６５３のうち、最も外側の層６５１は、はんだ濡れ性を向上させる親はんだ層である。親はんだ層には金や錫などを含有させるとよい。また、金を含む合金、及び、錫を含む合金の少なくとも一方の合金を親はんだ層が含んでいてもよい。
なお、最も外側の層６５１は、第１外部端子６５の酸化を抑制する層であってもよい。
また例えば、層６５１と層６５３との間に位置する層６５２は、腐食抑制層であってもよい。腐食抑制層は、例えばニッケルを含有させるとよい。また、ニッケルを含む合金を腐食抑制層が含んでいてもよい。
また例えば、層６５３は、導電性の向上を図る層である。こうした層は、銅などを含有させるとよい。また、銅を含む合金を当該層が含んでいてもよい。
次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。
（１）外部端子については、その使用用途に応じた適切な構成や材質が異なることがある。この点、本実施形態では、第１外部端子６５は、第２外部端子７０ａに含まれない金属を含有した構成となっている。そのため、インダクタ部品１０の使用用途や実装態様に応じて、第１外部端子６５の構成材料及び第２外部端子７０ａの構成材料を決定できる。したがって、インダクタ部品１０の設計の自由度を向上できる。
（２）また、本実施形態では、インダクタ部品１０を実装するに際し、第１外部端子６５を用いて接続した方が第２外部端子７０ａを用いて接続するよりも好ましい場合には、第１外部端子６５から通電させることができる。反対に、第２外部端子７０ａを用いて接続した方が第１外部端子６５を用いて接続するよりも好ましい場合には、第２外部端子７０ａから通電させることができる。
例えば、インダクタ部品１０を実装するプリント配線基板の表面と裏面とで配線パターンを配置できる自由度が異なる場合を考える。この場合、第１外部端子６５及び第２外部端子７０ａのうち、配線パターンと導通を図りやすいほうを選択することになる。したがって、インダクタ部品１０を実装させる際の自由度も高めることができる。
（３）第１外部端子６５を構成する積層体は、腐食抑制層を有している。これにより、エレクトロマイグレーションの抑制効果を高くできる。
また、第１外部端子６５を構成する積層体の層６５１を酸化抑制層とした場合、第１外部端子６５の酸化を抑制できる。
また、第１外部端子６５を構成する積層体の層６５１を親はんだ層とした場合、インダクタ部品１０を、はんだを用いて回路基板に取り付ける際に、第１外部端子６５と回路基板の端子との接触不良の発生を抑制できる。
（４）第１外部端子６５は、表層３０から突出している。そのため、第１外部端子６５に測定用のピンを接触させてインダクタ部品１０の各種の性能の評価を行うに際し、第１外部端子６５にピンを接触させやすくなる。
（５）第２柱状配線７２の端部が第２外部端子７０ａとなっている。そのため、第２柱状配線７２とは別の部材を第２外部端子として設ける場合と比較し、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂの構造の複雑化を抑制できる。また、第２電極配線７０Ａの厚み方向Ｘ１の寸法が大きくなることを抑制できる。さらに、第２柱状配線７２とは別の部材を第２外部端子として設ける場合と比較し、インダクタ部品１０を製造する際の工程数の増大を抑制できる。
（６）本体ＢＤの厚みＴ１が「０．１５ｍｍ」未満である場合、インダクタ部品１０が薄すぎてインダクタ部品１０が反ってしまうおそれがある。一方、厚みＴ１が「０．３ｍｍ」よりも厚い場合、インダクタ部品１０の実装の自由度が低くなるおそれがある。この点、本実施形態では、厚みＴ１は、「０．１５ｍｍ」以上且つ「０．３ｍｍ」以下である。そのため、インダクタ部品１０として十分な強度を確保しつつ、インダクタ部品１０の実装の自由度の低下を抑制できる。
（７）インダクタ配線４０の厚みＴ２が「４０μｍ」未満である場合、インダクタ配線４０のアスペクト比が小さくなりすぎ、インダクタ配線４０の配線抵抗が高くなるおそれがある。一方、厚みＴ２が「５５μｍ」よりも厚い場合、インダクタ配線４０に対して幅方向Ｘ２に押す力が大きくなり、インダクタ配線４０の位置が所定の設計位置からずれてしまうおそれがある。設計位置とは、インダクタ部品１０の設計に際して決めたインダクタ配線４０の位置である。この点、本実施形態では、厚みＴ２は、「４０μｍ」以上且つ「５５μｍ」以下である。そのため、インダクタ配線４０の配線抵抗の増大を抑制しつつ、インダクタ配線４０の位置が設計位置からずれることを抑制できる。
次に、図５〜図２１を参照し、上記のインダクタ部品１０の製造方法の一例について説明する。本実施形態における製造方法は、セミアディティブ法を利用した方法である。
図５に示すように、はじめのステップＳ１１では、基板２００上にベース絶縁層２１０を形成する。図６に示すように、基板２００は、板状をなしている。基板２００の材質としては、例えば、セラミックスを挙げることができる。図６において、基板２００の上面を表面２０１とし、基板２００の下面を裏面２０２とする。そして、基板２００の表面２０１全体を覆うように、基板２００上にベース絶縁層２１０が形成される。ベース絶縁層２１０は、上記インダクタ部品１０を構成する絶縁層５０と同じ非磁性の材料によって構成される。例えば、トリフルオロメチル基とシルセスキオキサンとを含むポリイミドワニスをスピンコートによって基板２００の表面２０１に塗布することにより、ベース絶縁層２１０を形成できる。
ベース絶縁層２１０の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１２に移行される。ステップＳ１２では、図６に示すようにベース絶縁層２１０上にパターン用絶縁層２１１を形成する。パターン用絶縁層２１１のうち、少なくとも図６における上側の部分は、インダクタ部品１０の絶縁層５０を構成することになる。例えば、フォトリソグラフィによってベース絶縁層２１０上に非磁性の絶縁樹脂をパターニングすることにより、パターン用絶縁層２１１を形成することができる。この場合、ベース絶縁層２１０の形成に用いたものと同種のポリイミドワニスを用い、パターン用絶縁層２１１が形成される。
パターン用絶縁層２１１の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１３に移行される。ステップＳ１３では、シード層２２０を形成する。すなわち、図７に示すように、ベース絶縁層２１０とパターン用絶縁層２１１とからなる製造時絶縁層２１２の図中上面全体を覆うようにシード層２２０が形成される。例えば、スパッタリングによって、銅を含むシード層２２０が形成される。例えば、ステップＳ１３では、「２００ｎｍ」程度の厚みのシード層２２０が形成される。シード層２２０のうち、パターン用絶縁層２１１上に位置する部分の一部が、インダクタ配線４０を構成する配線用シード層４０１となる。
シード層２２０の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１４に移行される。ステップＳ１４では、シード層２２０全体にフォトレジストが塗布される。例えば、スピンコートによってフォトレジストがシード層２２０上に塗布される。続いて、露光装置を用いた露光が実行される。これにより、フォトレジストのうち、導電層４０２を形成する位置に対応する部分は後述する現像処理によって除去可能となり、それ以外の部分は硬化する。なお、フォトレジストとしてネガ型のレジストを採用する場合、当該フォトレジストのうち、露光された部分が硬化し、それ以外の部分が除去可能になる。一方、フォトレジストとしてポジ型のレジストを採用する場合、当該フォトレジストのうち、露光された部分が除去可能となり、それ以外の部分が硬化する。フォトレジストのうち、露光される部分を制御することにより、製造時絶縁層２１２上に付着している部分の一部分を硬化させることができる。続いて、現像液を用いた現像処理によって、図７に示すように、フォトレジストのうち、導電層４０２を形成する位置に対応する部分が除去される。また、フォトレジストのうち、硬化した部分は、第１保護膜２３０Ａとしてシード層２２０上に残る。このように第１保護膜２３０Ａをシード層２２０上にパターニングすることにより、配線パターンＰＴが形成される。配線パターンＰＴは、インダクタ部品１０のインダクタ配線４０の形状に応じた開口形状をなす。
配線パターンＰＴの形成が終了すると、処理が次のステップＳ１５に移行される。ステップＳ１５では、配線パターンＰＴ内に導電性材料を供給することによって、図８に示すような導電層４０２を形成する。例えば、硫酸銅水溶液を用いた電解銅めっきを行うことにより、シード層２２０のうち露出している部分に主に銅及び微量の硫黄が析出する。これにより、導電層４０２が形成される。硫酸銅水溶液を用いるため、導電層４０２には硫黄が含まれることになる。シード層２２０のうちの導電層４０２が接触する部分と、導電層４０２とにより、インダクタ配線４０が形成される。すなわち、シード層２２０のうちの導電層４０２が接触する部分が、配線用シード層４０１となる。
導電層４０２の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１６に移行される。ステップＳ１６では、剥離液を用いた処理によって、図９に示すように第１保護膜２３０Ａが除去される。また、第１保護膜２３０Ａの除去が完了すると、シード層２２０のうち、第１保護膜２３０Ａに接触していた部分が除去される。例えば、ウェットエッチングによって、シード層２２０のうち、第１保護膜２３０Ａに接触していた部分が除去される。これにより、シード層２２０のうち、配線用シード層４０１となる部分のみが残ることになる。
ステップＳ１６の除去処理が完了すると、処理が次のステップＳ１７に移行される。ステップＳ１７では、フォトレジストがインダクタ配線４０を隠すように塗布される。例えば、スピンコートによってフォトレジストが塗布される。続いて、露光装置を用いた露光が実行される。これにより、フォトレジストのうち、第１柱状配線６３を形成する位置に対応する部分は後述する現像処理によって除去可能となり、それ以外の部分は硬化する。続いて、現像液を用いた現像処理によって、図１０に示すように、フォトレジストのうち、パターン用絶縁層２１１上に付着している部分が除去される。また、フォトレジストのうち、硬化した部分は、第２保護膜２３０Ｂとして製造時絶縁層２１２上に残る。このように第２保護膜２３０Ｂを製造時絶縁層２１２上にパターニングすることにより、第１柱状配線６３を形成するためのパターンである第１柱状パターンＰＴ１が形成される。第１柱状パターンＰＴ１は、インダクタ部品１０の第１柱状配線６３の形状に応じた開口形状をなす。
第１柱状パターンＰＴ１の形成が終了すると、処理が次のステップＳ１８に移行される。ステップＳ１８では、図１０に示すように柱状配線用シード層６１を形成する。例えば、スパッタリングによって、銅を含む柱状配線用シード層６１が形成される。例えば、ステップＳ１３では、「２００ｎｍ」程度の厚みの柱状配線用シード層６１が形成される。続いて、第１柱状パターンＰＴ１内に導電性材料を供給することによって、図１１に示すように導電性の第１柱６２を形成する。上述したように、例えば、硫酸銅水溶液を用いた電解銅めっきを行うことにより、第１柱６２が形成される。硫酸銅水溶液を用いるため、第１柱６２には微少の硫黄が含まれることになる。第１柱６２と、柱状配線用シード層６１とにより、第１柱状配線６３が形成される。
第１柱状配線６３の形成が完了すると、処理が次のステップＳ１９に移行される。ステップＳ１９では、剥離液を用いた処理によって、図１２に示すように第２保護膜２３０Ｂが除去される。なお、第２保護膜２３０Ｂが除去されると、柱状配線用シード層６１の一部が露出することがある。そのため、第２保護膜２３０Ｂの除去後では、例えばウェットエッチングによって、柱状配線用シード層６１のうち露出している部分の除去が行われる。
ステップＳ１９の除去処理が完了すると、処理が次のステップＳ２０に移行される。ステップＳ２０では、図１３に示す第１磁性シート２５Ａが図中上方からプレスされる。これにより、インダクタ配線４０及び第１柱状配線６３が第１磁性シート２５Ａ内に埋設される。ステップＳ２０において図中上方からプレスされる第１磁性シート２５Ａは、単層のシートであってもよいし、複数の層を積層した積層体であってもよい。続いて、図１４に示すように、第１柱状配線６３の両端のうち、インダクタ配線４０に接触しない側の端が図中上側から見えるようになるまで、第１磁性シート２５Ａの図中上側が研削される。
第１磁性シート２５Ａのプレス及び第１磁性シート２５Ａの研削が完了すると、処理が次のステップＳ２１に移行される。ステップＳ２１では、図１４に示すように第１磁性シート２５Ａの図中上面に、表層３０が形成される。例えば、フォトリソグラフィによって第１磁性シート２５Ａ上に非磁性の絶縁樹脂をパターニングすることにより、表層３０を形成することができる。続いて、表層３０のうち、第１外部端子６５が形成される位置に、貫通孔３０ａが形成される。例えば、レーザーを表層３０に照射することによって、貫通孔３０ａを形成できる。
表層３０の形成が完了すると、処理が次のステップＳ２２に移行される。ステップＳ２２では、研削によって、図１５に示すように基板２００及びベース絶縁層２１０を除去する。この際、パターン用絶縁層２１１の一部を除去してもよい。当該処理を得て、残っているパターン用絶縁層２１１が、インダクタ部品１０の絶縁層５０となる。
研削が完了すると、処理が次のステップＳ２３に移行される。ステップＳ２３では、図１６に示すように絶縁層５０にビアホール５０ａを形成する。例えば、レーザーを絶縁層５０に照射することによって、ビアホール５０ａが形成される。
ビアホール５０ａの形成が完了すると、処理が次のステップＳ２４に移行される。ステップＳ２４では、図１６に示すように、第１磁性シート２５Ａのうち、表層３０が設けられている側とは反対側に、シード層２４０を形成する。シード層２４０を、「反対側シード層２４０」ともいう。例えば、スパッタリングによって、銅を含む反対側シード層２４０が形成される。この場合、絶縁層５０のうち、インダクタ配線４０の位置とは反対側に位置する面５１、及び、ビアホール５０ａの周壁の双方に、銅が付着することになる。続いて、反対側シード層２４０全体にフォトレジストが塗布される。例えば、スピンコートによってフォトレジストが反対側シード層２４０上に塗布される。続いて、露光装置を用いた露光が実行される。これにより、フォトレジストのうち、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂを形成する位置に付着している部分は後述する現像処理によって除去可能となり、それ以外の部分は硬化する。そして、現像液を用いた現像処理によって、図１７に示すように、フォトレジストのうち、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂを形成する位置に対応する部分が除去される。また、フォトレジストのうち、硬化した部分は、第３保護膜２３０Ｃとして残る。このように第３保護膜２３０Ｃを反対側シード層２４０上にパターニングすることにより、インダクタ部品１０における第２電極配線７０Ａ，７０Ｂを形成するためのパターンである第２柱状パターンＰＴ２が形成される。第２柱状パターンＰＴ２は、インダクタ部品１０の第２柱状配線７２の形状に応じた開口形状をなす。
第２柱状パターンＰＴ２の形成が終了すると、処理が次のステップＳ２５に移行される。ステップＳ２５では、第２柱状パターンＰＴ２内に導電性材料を供給することによって、図１８に示すように導電性の第２柱７４を形成する。上述したように、例えば、硫酸銅水溶液を用いた電解銅めっきを行うことにより、第２柱７４が形成される。硫酸銅水溶液を用いるため、第２柱７４には硫黄が含まれることになる。第２柱７４のうち、ビアホール５０ａ内に位置する部分と、反対側シード層２４０のうち、ビアホール５０ａの周壁及び絶縁層５０に付着している部分とにより、ビア７１が構成される。第２柱７４のうちのビアホール５０ａ外に位置する部分が、第２柱状配線７２となる。つまり、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂが形成される。
第２電極配線７０Ａ，７０Ｂの形成が完了すると、処理が次のステップＳ２６に移行される。ステップＳ２６では、剥離液を用いた処理によって、図１９に示すように第３保護膜２３０Ｃが除去される。また、第３保護膜２３０Ｃの除去が完了すると、反対側シード層２４０のうち、第３保護膜２３０Ｃに接触していた部分が除去される。例えば、ウェットエッチングによって、反対側シード層２４０のうち、第３保護膜２３０Ｃに接触していた部分が除去される。これにより、反対側シード層２４０のうち、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂを構成する部分のみが残ることになる。
ステップＳ２６の除去処理が完了すると、処理が次のステップＳ２７に移行される。ステップＳ２７では、図２０に示すように第２磁性シート２５Ｂが図中下方からプレスされる。これにより、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂが第２磁性シート２５Ｂ内に埋設される。ステップＳ２７において図中下方からプレスされる第２磁性シート２５Ｂは、単層のシートであってもよいし、複数の層を積層した積層体であってもよい。続いて、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂの両端のうち、インダクタ配線４０に接触しない側の端が図中下側から見えるようになるまで、第２磁性シート２５Ｂの図中下側が研削される。これにより、インダクタ部品１０の本体ＢＤが構成される。そして、研削の完了後において、第２柱７４のうち、残っている部分が第２電極配線７０Ａ，７０Ｂとなる。
第２磁性シート２５Ｂのプレス及び第２磁性シート２５Ｂの研削が完了すると、処理が次のステップＳ２８に移行される。ステップＳ２８では、図２１に示すように表層３０に、第１外部端子６５が形成される。第１外部端子６５が積層体である場合、例えばスパッタや無電解めっきによって、各層６５１，６５２，６５３が順番に形成される。そして、第１外部端子６５の形成が完了すると、インダクタ部品１０の製造方法を構成する一連の処理が終了される。
なお、上記の製造方法は、インダクタ部品１０を１つずつ製造する場合の一例である。しかし、インダクタ部品１０の製造方法はこれに限らない。例えば、基板２００上に複数のインダクタ部品１０となるべき部分を行列状に配置し、ステップＳ２８以降においてダイシングなどによって個片化させてもよい。
（第２実施形態）
次に、樹脂封止体の一実施形態を図２２及び図２３に従って説明する。以下の説明においては、第１実施形態と相違している部分について主に説明するものとし、第１実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
図２２には、樹脂封止体９１と、樹脂封止体９１が実装されているプリント配線基板９０とが図示されている。そして、樹脂封止体９１は、インダクタ部品１０を内蔵している。
なお、樹脂封止体９１は、図２３に示すように、封止樹脂９２によってインダクタ部品１０を樹脂封止したものであってもよい。封止樹脂９２としては、例えば、エポキシ樹脂を挙げることができる。図２３に示す樹脂封止体９１は、サブ基板９３と、サブ基板９３上に配置されているチップ９４とを備えている。チップ９４とは、半導体のダイともいう。サブ基板９３及びチップ９４が、封止樹脂９２によって覆われている。そして、サブ基板９３内にインダクタ部品１０が内蔵されている。すなわち、プリント配線基板９０上でインダクタ部品１０を樹脂封止する基板構造となる。
インダクタ部品１０は、第１実施形態で説明したとおり、薄型の部品である。サブ基板９３内にインダクタ部品１０を埋め込んだり、サブ基板９３のチップ９４側やプリント配線基板９０側に実装したりすることができる。また、プリント配線基板９０の実装面と直交する方向（図２３における上下方向）における樹脂封止体９１の寸法が大きくなることを抑制できる。すなわち、樹脂封止体９１を低背化することができる。
（変更例）
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・インダクタ部品１０は、絶縁層５０を備えない構成であってもよい。この場合、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂは、ビア７１を有しない構成となるため、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂの第２柱状配線７２がインダクタ配線４０に直接接触することになる。
・インダクタ部品１０は、絶縁層５０がインダクタ配線４０の上面側又は上面から下面にかけて全面を覆う構成であってもよい。この場合、第１電極配線６０Ａ，６０Ｂは、絶縁層５０を貫通するビアを有する構成となる。さらに、当該ビアと第１柱状配線６３とにより、インダクタ配線４０と直接接触する垂直配線が構成される。
・図２４に示すように、第２外部端子７０ａの端面は、厚み方向Ｘ１において、インダクタ配線４０のうちの第２電極配線７０Ａ，７０Ｂが接触している部分と、第２主面２２との間に位置していてもよい。この場合、インダクタ部品１０にあっては、第２主面２２側に凹部が形成されることになる。こうしたインダクタ部品１０を基板に実装するに際し、インダクタ部品１０の位置決めに凹部を利用することによって、インダクタ部品１０の位置決めを行いやすくなる。
・図２５に示すように、本体ＢＤの第２主面２２側にも絶縁性の表層３２を設けてもよい。この場合、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂは、第２柱状配線７２とは別に形成される電極を第２外部端子７５として備えた構成としてもよい。当該第２外部端子７５は、第１外部端子６５が含有しない金属材料を含んでいるのであれば、第２柱状配線７２を構成する金属材料と同じ金属材料で構成されたものであってもよいし、第２柱状配線７２を構成する金属材料とは異なる金属材料で構成されたものであってもよい。
また、上記第２外部端子７５は、複数の層を積層した積層体であってもよい。この場合、第２外部端子７５を構成する層の少なくとも１つの層は、第１外部端子６５が含有していない金属を含有する層であることが好ましい。
なお、第２外部端子７５は、銅及び銅合金のうちの少なくとも一方を含有していてもよい。例えば、第２外部端子７５を積層体とした場合、積層体の表層を、銅及び銅合金のうちの少なくとも一方を含む層としてもよい。この場合、第２外部端子７５を、基板埋め込み用のインダクタ部品の外部端子として利用できる。その結果、インダクタ部品を低背化することができる。
・第１外部端子６５は、第１柱状配線６３との接続部位が本体ＢＤ内に位置する構成であってもよい。すなわち、厚み方向Ｘ１において、当該接続部位が、インダクタ配線４０と第１主面２１との間に位置していてもよい。この場合、第１外部端子６５の端面６５ａは、第１主面２１と面一であってもよい。
同様に、第２電極配線７０Ａ，７０Ｂが第２外部端子７５を備えている場合、第２外部端子７５は、第２柱７４との接続部位が本体ＢＤ内に位置する構成であってもよい。すなわち、厚み方向Ｘ１において、当該接続部位が、インダクタ配線４０と第２主面２２との間に位置していてもよい。
・第１外部端子６５の端面６５ａは、表層３０の表面３０ｂと面一であってもよい。
・第１外部端子６５は、複数の層で構成されるものであれば、３層よりも多い層で構成される積層体であってもよいし、２層で構成される積層体であってもよい。
・第１外部端子６５を構成する複数の層のうち、２つ以上の層は、ニッケル、又はニッケルを含む合金を含んでいてもよい。すなわち、第１外部端子６５を構成する複数の層のうちの一部の層が腐食抑制層であってもよいし、第１外部端子６５を構成する複数の層の何れもが腐食抑制層であってもよい。
・第１外部端子６５の積層体は、銅、ニッケル、金及び錫の何れもを含んだ層を有していてもよい。
・第１外部端子６５の積層体は、銅を含有する合金、ニッケルを含有する合金、金を含有する合金、及び、錫を含有する合金の何れもを含んだ層を有していてもよい。
・第１外部端子６５は、積層体でなくてもよい。
・第１電極配線６０Ａ，６０Ｂの第１外部端子は、積層体で構成された第１外部端子６５でなくてもよい。この場合、第１柱状配線６３の両端部のうち、インダクタ配線４０に接触する端部とは異なる端部が、第１外部端子となる。
・インダクタ配線は、上記各実施形態で説明した形状とは異なる形状であってもよい。インダクタ配線は、電流が流れた場合に周囲に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与できるものであれば、その構造、形状、材料などに特に限定はない。インダクタ配線は、「１ターン」以上のスパイラル状、「１．０ターン」未満の曲線状、蛇行するミアンダ状などの公知の様々な配線形状の配線であってもよい。
例えば、インダクタ部品は、図２６に示すようなインダクタ配線４０Ａが本体ＢＤ内に設けられているものであってもよい。図２７は、図２６に示すインダクタ部品１０Ａを、図２６に一点鎖線で示す線ＬＮ２に直交する方向で切断した場合の断面を示す図である。インダクタ配線４０Ａは、幅方向Ｘ２に並んで配置される複数の個別配線部１４１と、各個別配線部１４１を繋ぐ連結配線部１４２とを有している。また、インダクタ部品１０Ａは、図２７に示すように、個別配線部１４１のパッド１４１ａに接触する第１電極配線６０Ｃを、個別配線部１４１毎に備えている。また、インダクタ部品１０Ａは、連結配線部１４２に接触する第１電極配線６０Ｄを備えている。各電極配線６０Ｃ，６０Ｄは、第１柱状配線６３Ａと、第１外部端子６５Ａとを有している。第１外部端子６５Ａは、例えば、銅を含有する層、ニッケルを含有する層、及び、金を含有する層が積層された積層体である。なお、第１外部端子６５Ａは、第２外部端子７５Ｃが含有していない金属を含有しているのであれば、単層のものであってもよい。
また、図２７に示すように、インダクタ部品１０Ａは、各個別配線部１４１のうち、幅方向Ｘ２で外側に位置する２つの個別配線部１４１Ａ，１４１Ｂに接触する２つの第２電極配線７０Ｃを備えている。図２７に示す例では、第２電極配線７０Ｃは、第２柱状配線７２Ｃと、第２外部端子７５Ｃとを備えている。第２外部端子７５Ｃは、例えば、銅を含む層を有している。第２外部端子７５Ｃは、複数の層を積層した積層体であってもよい。
なお、図２７に示したインダクタ部品１０Ａは、各個別配線部１４１のうち、幅方向Ｘ２で内側に位置する個別配線部１４１Ｃ，１４１Ｄに接触する第２電極配線が設けられていない。しかし、これに限らず、例えば、個別配線部１４１Ｃに接触する第２電極配線７０Ｃを設けてもよいし、個別配線部１４１Ｄに接触する第２電極配線７０Ｃを設けてもよい。また例えば、個別配線部１４１Ｃに接触する第２電極配線７０Ｃを設けるのであれば、個別配線部１４１Ｃに接触する第１電極配線６０Ｃを設けなくてもよい。同様に、個別配線部１４１Ｄに接触する第２電極配線７０Ｃを設けるのであれば、個別配線部１４１Ｄに接触する第１電極配線６０Ｃを設けなくてもよい。
インダクタ部品は、互いに接触しない複数のインダクタ配線が本体ＢＤ内に設けられた構成であってもよい。図２８及び図２９には、複数のインダクタ配線４０Ｂ１，４０Ｂ２が本体ＢＤ内に設けられているインダクタ部品１０Ｂの一例が図示されている。図２９は、図２８に示すインダクタ部品１０Ｂを、図２８に一点鎖線で示す線ＬＮ３に直交する方向で切断した場合の断面を示す図である。インダクタ部品１０Ｂの本体ＢＤ内において、複数のインダクタ配線４０Ｂ１，４０Ｂ２は、互いに離れている。そのため、各インダクタ配線４０Ｂ１，４０Ｂ２のうちの第１インダクタ配線４０Ｂ１において、第１電極配線６０Ｅ及び第２電極配線７０Ｅが接触しているとともに、第２端部４２Ａには第１電極配線６０Ｅ及び第２電極配線７０Ｅが接触している。また、各インダクタ配線４０Ｂ１，４０Ｂ２のうちの第２インダクタ配線４０Ｂ２において、第１端部４１Ａに第１電極配線６０Ｅ及び第２電極配線７０Ｅが接触しているとともに、第２端部４２Ａには第１電極配線６０Ｅ及び第２電極配線７０Ｅが接触している。
図２９に示す例では、第１電極配線６０Ｅは、第１柱状配線６３Ｂと、第１外部端子６５Ｂとを有している。第１外部端子６５Ｂは、例えば、銅を含有する層、ニッケルを含有する層、及び、金を含有する層が積層された積層体である。なお、第１外部端子６５Ｂは、第２外部端子７５Ｅが含有していない金属を含有しているのであれば、単層のものであってもよい。また、図２９に示す例では、第２電極配線７０Ｅは、第２柱状配線７２Ｅと、第２外部端子７５Ｅとを備えている。第２外部端子７５Ｅは、例えば、銅を含む層を有している。第２外部端子７５Ｅは、複数の層を積層した積層体であってもよい。
なお、インダクタ配線４０Ｂ１，４０Ｂ２において、第１端部４１Ａに第１電極配線６０Ｅが接触しているのであれば、第１端部４１Ａに接触する第２電極配線７０Ｅを設けなくてもよい。反対に、第１端部４１Ａに第２電極配線７０Ｅが接触しているのであれば、第１端部４１Ａに接触する第１電極配線６０Ｅを設けなくてもよい。
また、インダクタ配線４０Ｂ１，４０Ｂ２において、第１端部４１Ａには、第１電極配線６０Ｅ及び第２電極配線７０Ｅのうちの第１電極配線６０Ｅのみが接触しているのであれば、第１電極配線６０Ｅ及び第２電極配線７０Ｅのうちの第２電極配線７０Ｅのみを第２端部４２Ａに接触させるようにしてもよい。
また、本体ＢＤ内に複数のインダクタ配線４０Ｂ１，４０Ｂ２が設けられた構成において、各インダクタ配線４０Ｂ１，４０Ｂ２のうち、第１インダクタ配線４０Ｂ１では第１端部４１Ａや第２端部４２Ａに電極配線が接触している場合を考える。この場合、各インダクタ配線４０Ｂ１，４０Ｂ２のうち、第１インダクタ配線４０Ｂ１とは別の第２インダクタ配線４０Ｂ２では、第１端部４１Ａや第２端部４２Ａとは異なる部分に電極配線が接触してもよい。
・インダクタ部品は、セミアディティブ法を利用しない他の製造方法で製造したものであってもよい。例えば、インダクタ部品は、シート積層工法、印刷積層工法などを用いて製造したものであってもよい。インダクタ配線は、スパッタリング、蒸着などの薄膜法、印刷・塗布などの厚膜法、フルアディティブ、サブトラクティブなどのめっき工法で形成したものであってもよい。
１０，１０Ａ，１０Ｂ…インダクタ部品
２０…磁性層
２１…第１主面
２２…第２主面
３０…表層
４０，４０Ａ，４０Ｂ１，４０Ｂ２…インダクタ配線
４１…第１パッド
４１Ａ…第１端部
４２…第２パッド
４２Ａ…第２端部
５０…絶縁層
６０Ａ〜６０Ｅ…第１電極配線
６３，６３Ａ，６３Ｂ…第１柱状配線
６５，６５Ａ，６５Ｂ…第１外部端子
６５１〜６５３…層
７０Ａ〜７０Ｃ，７０Ｅ…第２電極配線
７０ａ…第２外部端子
７２Ｅ…第１柱状配線
７５，７５Ｃ，７５Ｅ…第２外部端子
９０…プリント配線基板
９１…樹脂封止体
９２…封止樹脂
９３…サブ基板
９４…チップ
１４１，１４１Ａ，１４１Ｂ…個別配線部
１４１ａ…パッド
１４２…連結配線部
ＢＤ…本体

Claims (16)

  1. 磁性層を含み、第１主面及び第２主面を有する本体と、
    前記本体内に設けられているインダクタ配線と、
    前記本体内に設けられているとともに、前記インダクタ配線に接触しており、当該インダクタ配線との接触部分から前記第１主面に向けて延伸する第１電極配線と、
    前記本体内に設けられているとともに、前記インダクタ配線に接触しており、当該インダクタ配線との接触部分から前記第２主面に向けて延伸する第２電極配線と、を備え、
    前記第２主面は、前記インダクタ配線を挟んで前記第１主面の反対側に位置しており、
    前記各電極配線において、前記インダクタ配線に接触する側の端部とは反対側の端部を外部端子とした場合、前記各電極配線の前記外部端子は、露出しており、前記第１電極配線の前記外部端子は、前記第２電極配線の前記外部端子が含有しない金属材料を含有している
    インダクタ部品。
  2. 前記第１電極配線の前記外部端子を第１外部端子とした場合、
    前記第１電極配線は、前記インダクタ配線に直接接触している垂直配線を有し、前記垂直配線の両端部のうち、前記インダクタ配線に接触する端部とは反対側の端部が前記第１外部端子に接続されており、
    前記第１外部端子は、複数の層を積層した積層体であり、
    前記第１外部端子の複数の前記層のうちの少なくとも１つの層は、腐食抑制層である
    請求項１に記載のインダクタ部品。
  3. 前記積層体は、銅、ニッケル、金及び錫のうちの少なくとも１つを含有する層を有する
    請求項２に記載のインダクタ部品。
  4. 前記積層体は、銅を含有する層、ニッケルを含有する層、金を含有する層及び錫を含有する層のうちの少なくとも２つの層を有する
    請求項２に記載のインダクタ部品。
  5. 前記第１外部端子は、前記第１主面から突出している
    請求項２〜請求項４のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
  6. 前記第１主面上に設けられている絶縁性の表層を備え、
    前記第１外部端子は、前記表層から突出している
    請求項２〜請求項５のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
  7. 前記第１外部端子における前記垂直配線との接続部位は、前記垂直配線の延伸方向において、前記インダクタ配線における前記垂直配線との接触部分と、前記第１主面との間に位置している
    請求項２〜請求項６のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
  8. 前記第２電極配線の前記外部端子を第２外部端子とした場合、
    前記第２外部端子は、銅及び銅合金のうちの少なくとも一方を含有する
    請求項１〜請求項７のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
  9. 前記第２電極配線の前記外部端子を第２外部端子とした場合、
    前記第２外部端子の端面は、前記第２電極配線の延伸方向において、前記インダクタ配線における前記第２電極配線との接触部分と、前記第２主面との間に位置している
    請求項１〜請求項８のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
  10. 前記インダクタ配線に対して互いに異なる部分に接触する複数の前記第１電極配線が、前記本体内に設けられている
    請求項１〜請求項９のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
  11. 前記インダクタ配線に対して互いに異なる部分に接触する複数の前記第２電極配線が、前記本体内に設けられている
    請求項１〜請求項１０のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
  12. 前記本体内には、互いに離れて配置されている複数の前記インダクタ配線と、複数の前記インダクタ配線の各々に対して個別に設けられている複数の前記第１電極配線と、複数の前記インダクタ配線の各々に対して個別に設けられている複数の前記第２電極配線と、が設けられており、
    複数の前記インダクタ配線のうち、第１インダクタ配線には、複数の前記第１電極配線のうちの前記第１インダクタ配線に対応する第１電極配線のみが接触しているとともに、複数の前記第２電極配線のうちの前記第１インダクタ配線に対応する第２電極配線のみが接触しており、
    複数の前記インダクタ配線のうち、第２インダクタ配線には、複数の前記第１電極配線のうちの前記第２インダクタ配線に対応する第１電極配線のみが接触しているとともに、複数の前記第２電極配線のうちの前記第２インダクタ配線に対応する第２電極配線のみが接触している
    請求項１〜請求項１１のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
  13. 前記本体内に設けられており、前記インダクタ配線に接触する絶縁層を備える
    請求項１〜請求項１２のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
  14. 前記第１主面と前記第２主面との間隔は、「０．１５ｍｍ」以上且つ「０．３ｍｍ」以下である
    請求項１〜請求項１３のうち何れか一項に記載のインダクタ部品。
  15. プリント配線基板に実装される樹脂封止体であって、
    請求項１〜請求項１４のうち何れか一項に記載のインダクタ部品が内蔵されている
    樹脂封止体。
  16. 請求項１〜請求項１４のうち何れか一項に記載のインダクタ部品が基板上で樹脂封止されている
    基板構造。
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