JP2000232018A - チップ型電子部品及びその製造方法 - Google Patents

チップ型電子部品及びその製造方法

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JP2000232018A
JP2000232018A JP3143299A JP3143299A JP2000232018A JP 2000232018 A JP2000232018 A JP 2000232018A JP 3143299 A JP3143299 A JP 3143299A JP 3143299 A JP3143299 A JP 3143299A JP 2000232018 A JP2000232018 A JP 2000232018A
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JP
Japan
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chip
type electronic
electronic component
substrate
circuit element
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JP3143299A
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English (en)
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Kenji Sato
健治 佐藤
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Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Publication date
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  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 各種の仕様に対応でき、かつ、高い信頼性の
あるチップ型電子部品を得る。 【解決手段】 基板3の片面かつ表面にのみ回路素子2
が形成され、回路素子2は、絶縁層と導体層を交互に積
層して形成され、その外部端子4a,4b,4c,4d
は、前記回路素子2を形成した面上の片面にだけ形成す
るチップ型電子部品。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタ、キャ
パシタ、抵抗素子等の単一素子部品、およびEMIフィ
ルタ、コモンモードチョークコイル、カレントセンサ、
信号トランスなどのチップ型電子部品及びその製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のチップ型電子部品を、図4に示
す。チップ型電子部品11は、回路素子2と素体となる
基板3から構成されており、回路素子2は、基板3の片
面の表面に絶縁層および導体層をフォトリソグラフィ技
術を用いて加工し、積層することで形成している。
【0003】また、外部端子41a,41b,51a,
51bについては、積層プロセスを完了した基板をチッ
プサイズに切断し、チップ側面および下面が、外部端子
になるよう導体ペーストにて下地端子を形成し、かつ、
めっきを施すことで形成していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、基板をチップ
サイズに切断し、チップ側面および下面が、外部端子に
なるよう導体ペーストにて下地端子を形成し、かつ、め
っきを施す場合、切断したチップの個々に対して外部端
子を形成する必要がある。従って、チップ配列装置およ
び下地端子形成装置、端子めっき装置、チップ選別装
置、外観検査装置、電気検査装置など、各種装置が必要
となり、その結果、製造コストが高くなり、かつ製造工
程が煩雑となり、リードタイムが長く、信頼性を確保で
きないという問題点があった。
【0005】そこで、本発明は、各種の仕様に対応で
き、かつ高い信頼性のあるチップ型電子部品及びその製
造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明では、下記のごと
くチップ型電子部品及びその製造方法を提供する。
【0007】本発明では、回路素子の積層プロセスの最
終にめっきを施すことで、回路素子を形成した面上の1
面だけの外部端子としている。
【0008】回路素子の積層プロセスの最終のCu導体
層は、少なくとも1層以上とし、膜厚は、5μm以上と
している。
【0009】前記記述の手段により、回路素子の積層プ
ロセスの最終プロセスであるCu導体層を5μm以上と
して、めっきを施し、外部端子とすることによって、従
来の電子部品と同様の電気的接続を持ち、かつ、実装面
積については、チップサイズと同等となる。
【0010】即ち、本発明は、チップ型電子部品におい
て、前記電子部品の回路素子を、基板の片面の表面にの
み形成し、かつ外部端子を、前記回路素子を形成した同
一面上にのみ形成するチップ型電子部品である。
【0011】また、本発明は、前記チップ型電子部品の
外部端子は、電解めっきで形成したCu導体層を少なく
とも1層以上積層して形成され、かつ、その膜厚は5μ
m以上であるチップ型電子部品である。
【0012】また、本発明は、前記チップ型電子部品に
おいて、外部実装基板への実装の際、回路素子が基板と
外部実装基板との間に挟まれ、前記基板が実装後の回路
素子の保護を兼ねるチップ型電子部品である。
【0013】また、本発明は、前記チップ型電子部品を
製造する方法であって、回路素子を絶縁樹脂層と導体層
とを交互に積層して形成するチップ型電子部品の製造方
法である。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
【0015】図1は、本発明の実施の形態であるチップ
型電子部品の一例である。チップ型電子部品1は、回路
素子2と素体となる基板3から構成されている。この回
路素子2は、フォトリソグラフィ技術を用いた絶縁樹脂
層および導体層の積層構造になっている。ここで、絶縁
樹脂層は、一例として、BCB樹脂(ベンゾ・ジクロブ
ラン樹脂)を用い、導体層はCuを用いて形成してい
る。
【0016】なお、めっき下地として、Ti−Cu膜を
スパッタにて成膜し、その上にレジスト樹脂を塗布し
て、PR工程により所定のレジストパターンを形状して
いる。
【0017】次に、めっき後には、先のレジストパター
ンを剥離し、めっき膜の必要のない部分の下地は、エッ
チングにて除去して、所要の導体パターンを形成してい
る。ここで、素体となる基板3は、切削加工が容易であ
るセラミック基板を用いた。
【0018】外部端子4a,4b,5a,5bについて
は、回路素子の積層プロセスを完了した基板をチップサ
イズに切断し、チップ側面および下面が、外部端子にな
るよう導体ペーストにて下地端子を形成せずに、回路素
子の積層プロセスの最終積層となる導体層は、少なくと
も1層以上のCu導体であり、かつ、その膜厚を5μm
以上とし、同様のめっきプロセスにてめっきを施し、回
路素子2を形成した面上の1面だけの外部端子とした
後、切断することで、チップ型電子部品とした。ここ
で、Cu導体を5μm以上としたのは、本チップ型電子
部品の実装時での半田処理に対して、十分な強度を保つ
ためである。
【0019】故に、このチップ型電子部品は、回路素子
が実装基板と素体となる基板に挟まれ、実装後の回路素
子の保護を兼ねた構成で実装することになる。
【0020】図2は、本発明の実施の形態であるチップ
型電子部品の製造方法の一例である。基板3の片面にの
み形成される回路素子2は、フォトリソグラフィ技術を
用いて、絶縁樹脂層30d,31d,32d,33d
と、Cu導体層31m,32m,33m,34mを、そ
れぞれ交互に積層して形成している構造である。素体と
なる基板3は、切削加工が容易であるセラミック基板を
用いた。
【0021】また、回路素子2の積層プロセスの最終積
層となる導体層34mについては、少なくとも1層以上
のCu導体を積層して形成しており、かつ、その膜厚を
5μm以上とし、めっきプロセスにてめっきを施すこと
で、外部端子4a,4b,5a,5bを形成している。
【0022】故に、回路素子の積層プロセスを完了した
基板をチップサイズに切断し、チップ側面および下面
が、外部端子になるよう導体ペーストにて下地端子を形
成する必要がない。
【0023】図3は、本発明の実施の形態であるチップ
型電子部品の等価回路の一例である。外部端子4aと4
b、および5aと5bについては、回路素子2を形成す
る積層プロセスの中で、それぞれ電気的な回路が構成さ
れる。
【0024】以上に説明したように、本発明によれば、
回路素子の積層プロセスの最終プロセスである導体層
を、少なくとも1層以上のCu導体とし、かつ5μm以
上としてめっきを施し、外部端子とすることによって、
従来の電子部品と同様の電気的接続を持ち、かつ、実装
面積については、チップサイズと同等となる。
【0025】
【発明の効果】以上のごとく、本発明によれば、各種の
仕様に対応でき、かつ高い信頼性のあるチップ型電子部
品及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態であるチップ型電子部品の
一例を示す図。
【図2】本発明の実施の形態であるチップ型電子部品の
製造方法の一例を示す図。
【図3】本発明の実施の形態であるチップ型電子部品の
等価回路の一例を示す図。
【図4】従来のチップ型電子部品の全体図。
【符号の説明】
1,11 チップ型電子部品 2 回路素子 3 基板 4a,4b,5a,5b 外部端子 41a,41b,51a,51b 外部端子 30d,31d,32d,33d 絶縁樹脂層 31m,32m,33m,34m 導体層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チップ型電子部品において、前記チップ
    型電子部品の回路素子を、基板の片面の表面にのみ形成
    し、かつ外部端子を、前記回路素子を形成した同一面上
    にのみ形成することを特徴とするチップ型電子部品。
  2. 【請求項2】 前記チップ型電子部品の外部端子は、電
    解めっきで形成したCu導体層を少なくとも1層以上積
    層して形成され、かつ、その膜厚は5μm以上であるこ
    とを特徴とする請求項1記載のチップ型電子部品。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載のチップ型電子部
    品であって、外部実装基板への実装の際、回路素子が基
    板と外部実装基板との間に挟まれ、前記基板が実装後の
    回路素子の保護を兼ねることを特徴とするチップ型電子
    部品。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載のチ
    ップ型電子部品を製造する方法において、絶縁樹脂層と
    導体層とを交互に積層して回路素子を形成することを特
    徴とするチップ型電子部品の製造方法。
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