JP2000049013A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高Ｑ特性を得ることができ、安定なインダク
タ又はトランスが得られる電子部品を提供すること。 【解決手段】 絶縁基板１１上に絶縁樹脂層１３ａ，１
３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅと複数の導体層とを交互
に積層した積層体１６と、前記導体層中の導体パターン
部１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの引き出し電極部２
０に接続され、前記積層体１６の側面から前記絶縁基板
１１の側面に渡って形成された外部電極端子部２とを備
え、前記導体パターン部１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４
ｄの少なくとも一部を収容する閉磁路構造を備えてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品に関し、
詳しくは、インダクタ（Ｌ）、キャパシタ（Ｃ）、電気
抵抗（Ｒ）素子、薄膜ＥＭＩフィルタ、コモンモードチ
ョークコイル、カレントセンサ、信号用トランス、及び
これらを一つの部品に構成した複合電子部品等の表面実
装部品もしくは、リード部品である電子部品に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、図５に示される電子部品が知られ
ている（特開平３−２０１４１７号公報参照）。この電
子部品１００は、アルミナ等の絶縁基板１０１上に、ポ
リイミド樹脂からなる絶縁樹脂層１０２およびスパッタ
法によって形成されたＴｉ、Ｔｉ−Ａｇ、Ａｇからなる
内部導体パターン１０３，１０４を交互に積層させ、絶
縁樹脂層１０２の端部を取り除くことによって最上部の
導体パターン１０４の端部を露出させて電子部品１００
を形成している。

【０００３】なお、導体パターン１０４の端部に接続す
るように端子下地部を電子部品１００の側面に形成し、
この端子下地を覆うように、電子部品本体の上面端面か
ら、側面を介して下面端部に至る外部電極端子部を形成
して用いられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記電
子部品をコモンモードチョークとして使用した場合にお
いて、小型化されるに従って、所望する減衰特性を備え
た周波数帯域が狭くなるという不具合を生じるという問
題がある。

【０００５】このような不具合を補うためには、別の回
路素子を設ければ良いのであるが、回路段数が増大し、
構成が複雑となり、構成が簡素で製造が容易であるとい
う小形である利点を損なうという問題がある。

【０００６】そこで、本発明の技術課題は、例えばコモ
ンモードチョークにおいて、別段に回路構成等を設けな
くとも減衰特性を簡単な構成で安価に広帯域化すること
ができる電子部品を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁基
板と、該絶縁基板上に複数の絶縁樹脂層と導体パターン
部を有する複数の導体層とを交互に積層した積層体と、
前記導体パターン部の引き出し電極部に接続され、前記
積層体の側面から前記絶縁基板の側面に渡って形成され
た外部電極端子部とを備えた電子部品において、前記導
体パターン部の少なくとも一部を収容する閉磁路構造を
備えていることを特徴とする電子部品が得られる。

【０００８】

【作用】電子部品は、絶縁基板上に、絶縁樹脂層上に導
体パターン部と絶縁樹脂層とを交互に積層する。更に、
絶縁樹脂層上に第２の磁性層を形成し、第２の磁性層上
に絶縁樹脂層と導体パターン部をそれぞれ積層すること
で積層体を形成することによって得られている。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品の一実施
の形態について図面を参照して説明する。図１は本発明
の一実施の形態による電子部品を示す斜視図である。図
２は、図１の電子部品本体の絶縁樹脂層と導体パターン
層の積層体の各層を模式的に分離して示した斜視図であ
る。図３は本発明の一実施の形態による電子部品を示す
断面図である。また、図４は、図１の電子部品本体の完
成図である。

【００１０】図１及び図２を参照して、本発明の実施の
形態における電子部品１は、コモンモードチョークを示
しており、電子部品本体１０を有している。

【００１１】電子部品本体１０は、セラミック基板（絶
縁基板）１１と、磁性層１２と、セラミック基板１１上
に複数の絶縁樹脂層１３ａ〜１３ｅと、複数の導体層
（導体パターン１４ａ〜１４ｄ及び引き出し電極部２
０）とを交互に積層した積層体１６と、導体層中の導体
パターン層１４ａ〜１４ｄの引き出し電極部２０に接続
され、積層体１６の側面からセラミック基板１１の側面
に渡って、電子部品本体１０の両端面及び側面の一部を
覆うように形成された外部電極端子部２（図１を参照）
とを備えている。

【００１２】さらに、電子部品本体１０は、導体パター
ン層１４ａ〜１４ｄの少なくとも一部を収容する閉磁路
構造を備えている。セラミック基板１１の少なくとも一
面には第１磁性層１２ａを備え、少なくとも一部を覆う
と共に、第１磁性層１２ａの一面に接する第２磁性層１
２ｂとを備え、閉磁路構造が第１磁性層１２ａと第２磁
性層１２ｂとによって形成されている。

【００１３】この実施の形態例では、第１及び第２磁性
層１２ａ，１２ｂは、スパッタ又は電解メッキによって
形成された強磁性を備えた金属又は合金からなる。積層
体１６の内少なくとも一層は、実質的にベンゾシクロブ
テンからなる。導体層は、導電金属膜からなる下地層
と、該下地層上に電解めっきによって形成された電解Ｃ
ｕめっき膜とからなる。また、下地層は、スパッタによ
り形成されたＴｉ又はＣｒ膜である。

【００１４】図３をも参照すると、電子部品本体１０
は、セラミック基板１１上に、強磁性を備えた金属又は
合金からなる第１の磁性層１２ａを形成し、次に、第１
の磁性層１２ａ上に絶縁樹脂層１３ａを形成する。更
に、絶縁樹脂層１３ａ上に導体パターン部１４ａ，１４
ｂ，及び１４ｃと絶縁樹脂層１３ｂ，１３ｃ，及び１３
ｄとを交互に積層する。更に、絶縁樹脂層１３ｄ上に第
２の磁性層１２ｂを形成し、第２の磁性層上に、絶縁樹
脂層１３ｅと導体パターン部１４ｄをそれぞれ積層する
ことで、積層体１６を形成することによって得られてい
る。絶縁樹脂層１３ｂ〜１３ｅのそれぞれには、複数の
貫通孔１５が設けられている。

【００１５】ここで、本発明の実施の形態において、セ
ラミック基板１１は、例えば、快削性を有するセラミッ
ク（三井鉱山マテリアル社製 商品名 マセライト）を
用いている。

【００１６】また、絶縁樹脂層１３ａ，１３ｂ，１３
ｃ，１３ｄ，１３ｅは、平坦化が容易であり、かつ紫外
線感光性のベンゾシクロブテン樹脂（ＢＣＢ）を用いて
いる。

【００１７】また、導体パターン部１４ａ，１４ｂ，１
４ｃ，１４ｄは、Ｔｉ膜又はＴｉ膜上にＣｕ膜をスパッ
タ形成し、さらに、電解Ｃｕめっきによって形成した電
解Ｃｕめっき膜を使用している。

【００１８】積層体１６の具体的な形成方法は、まず、
セラミック基板１１を有機洗浄し、更にプラズマアッシ
ングによるドライ洗浄後、強磁性を備えた金属又は合金
からなる第１磁性層１２ａをスパッタ又は電解メッキに
よって形成する。次に、前記第１磁性層１２ａの縁辺部
を除いて覆うように、スピンコーティングによって、紫
外線感光型ＢＣＢ樹脂を塗布して、絶縁樹脂層を得る。

【００１９】さらに、フォトリソグラフィを用い、マス
クを介して露光して、絶縁樹脂層１３ａ，１３ｂ以降の
絶縁樹脂層１３ｂ〜１３ｅのそれぞれに形成される複数
の貫通孔１５を形成する。次に、加熱してハーフキュア
することで、絶縁樹脂層１３ａを得る。

【００２０】次に、絶縁樹脂層１３ａ上に導体パターン
１４ａの下地層としてＴｉ膜又はＴｉ膜上にＣｕ膜をス
パッタ法によって形成する。ここで、Ｔｉ膜の代わり
に、Ｃｒ膜でも良い。次にこの上にレジストを塗布した
後、フォトリソグラフィを用いて、マスクを介して、露
光し、現像して、所望する導体パターン部１４ａ，１４
ｂ，１４ｃ，１４ｄを凹部とするレジストパターンを得
る。

【００２１】次に、電解Ｃｕメッキによって、下地層上
に電解Ｃｕメッキ層を得る。次に、レジストのパターン
を剥離して、中間導体パターンを得て、この中間導体パ
ターンにウェットエッチング（ドライエッチングでも
可）を施し、基板上に形成された孤立した導体パターン
部１４ａを得る。

【００２２】得られた導体パターン部１４ａは、下地層
と、電解Ｃｕメッキ層からなり、厚さ約４〜１５μｍ、
幅約１０〜３０μｍであった。

【００２３】以下、この上に絶縁樹脂層１３ｂ〜１３
ｄ、導体パターン１４ｂ，１４ｃを、更に、第２の磁性
層１２ｂとその上に絶縁樹脂層１３ｅ、導体パターン１
４ｄをそれぞれ上記と同様な方法によって形成し、電子
部品本体１０を得る。

【００２４】次に、外部電極端子部を形成する工程につ
いては、図４より、電子部品本体１０の上面端部には、
引き出し電極部２０が露出した形となっている。この引
き出し電極部２０に接続するようにセラミック基板１１
と積層体１６の側面にＮｉ粉を含むエポキシ樹脂等から
なるＮｉ導電ペーストを塗布して熱硬化させる。

【００２５】次に、電解バレルめっき法にてＮｉめっき
膜を下地層として導電ペースト硬化物上に形成した。こ
こで、Ｎｉは、耐電解マイグレーションに優れており、
半田等が引き出しへ拡散することを防止する。

【００２６】次に、この下地層上に、半田浴からそれぞ
れ電解バレルめっきによって、外部接続膜として半田め
っき膜を形成して、図１に示す電子部品の外部電極端子
部２０が形成され、電子部品１が完成される。

【００２７】尚、本発明の実施の形態においては、電子
部品としてコモンモードチョークを例示したが、ローパ
スフィルタ、トランス、カレントセンサ、ＬＣＲ回路素
子等にも適用できることは明白である。

【００２８】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明の電子部
品においては、高インダクタンスと低抵抗とによって生
じる高Ｑ特性を得ることができる。

【００２９】また、本発明によれば、回路電流と外部磁
界との干渉も大幅に低減された安定なインダクタ又はト
ランスが得られる電子部品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による電子部品を示す斜
視図である。

【図２】図２の電子部品本体の導体パターンと絶縁樹脂
層の各層を分離して模式的に示した斜視図である。

【図３】本発明の一実施の形態による電子部品を示す断
面図である。

【図４】図１に示した電子部品本体の完成した状態を示
す斜視図である。

【図５】従来の電子部品の一例を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 電子部品 ２ 外部電極端子部 １０ 電子部品本体 １１ セラミック基板 １２，１２ａ，１２ｂ 磁性層 １３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ 絶縁樹脂
層 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ 導体パターン部 １５ 貫通穴 １６ 積層体 ２０ 引き出し電極部 １００ 電子部品 １０１ 絶縁基板 １０２ 絶縁樹脂層 １０３，１０４ 内部導体パターン

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、該絶縁基板上に複数の絶縁
   樹脂層と導体パターン部を有する複数の導体層とを交互
   に積層した積層体と、前記導体パターン部の引き出し電
   極部に接続され、前記積層体の側面から前記絶縁基板の
   側面に渡って形成された外部電極端子部とを備えた電子
   部品において、 前記導体パターン部の少なくとも一部を収容する閉磁路
   構造を備えていることを特徴とする電子部品。
2. 【請求項２】 請求項１記載の電子部品において、前記
   絶縁基板の少なくとも一面には第１磁性層を備え、前記
   少なくとも一部を覆うと共に、前記第１磁性層の一面に
   接する第２磁性層を備え、前記閉磁路構造が前記第１磁
   性層と前記第２磁性層とによって形成されていることを
   特徴とする電子部品。
3. 【請求項３】 請求項２の電子部品において、前記第１
   及び第２の磁性層は、スパッタ又は電解メッキによって
   形成された強磁性を備えた金属又は合金からなることを
   特徴とする電子部品。
4. 【請求項４】 請求項１記載の電子部品において、前記
   絶縁樹脂層の内少なくとも一層は、実質的にベンゾシク
   ロブテンからなることを特徴とする電子部品。
5. 【請求項５】 請求項１の電子部品において、前記導体
   層は、導電金属膜からなる下地層と、該下地層上に電解
   めっきによって形成された電解Ｃｕめっき膜とからなる
   ことを特徴とする電子部品。
6. 【請求項６】 請求項５記載の電子部品において、前記
   下地層が、スパッタにより形成されたＴｉ又はＣｒ膜で
   あることを特徴とする電子部品。