KR101503144B1 - 박막 인덕터 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 높은 종횡비의 코일배선을 갖는 박막 인덕터 소자를 구현하기 위한 것으로, 코일패턴의 관통홀이 형성된 기판; 및 상기 관통홀 내부에 충진된 금속층;을 포함하는, 박막 인덕터 소자를 제시한다.

Description

박막 인덕터 소자 및 이의 제조방법{THIN FILM TYPE INDUCTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 박막 인덕터 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 코일 패턴의 종횡비를 높일 수 있는 박막 인덕터 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
인덕터 소자는 저항, 커패시터와 더불어 전자 회로를 이루는 중요한 수동 소자 중의 하나로, 주로 전자기기 내 DC-DC 컨버터와 같은 전원회로에 사용되며, 또는 노이즈(noise)를 제거하거나 LC 공진 회로를 이루는 부품으로 폭넓게 사용되고 있다. 이 중에서도 특히, 최근 스마트폰 및 테블릿 PC 등에서 통신, 카메라, 게임등의 멀티 구동이 요구됨에 따라 전류의 손실을 줄이고 효율성을 높이기 위한 파워 인덕터의 사용이 증가하고 있다.
인덕터 소자는 구조에 따라서 적층형, 권선형, 박막형 등 여러 가지로 분류할 수 있고, 최근 전자기기의 소형화 및 박막화가 가속화에 따라 박막 인덕터 소자가 널리 사용되고 있다.
박막 인덕터 소자 내부에는 코일배선을 형성되어 있어 외부로부터 전원이 인가되면 자속이 발생시킨다. 여기서 코일배선은, 자성체 시트 상에 은 혹은 은-팔라듐 도체 페이스트를 스크린 인쇄 공법을 통해 도포한 후 소성함으로써 형성되는데, 이때, 인쇄 정밀도가 떨어지거나 적정 온도로 소성되지 않으면 코일배선이 균일하게 인쇄되지 않게 되고, 이에 따라, 인덕턴스(L) 및 직류저항특성(Rdc) 등의 세밀한 제어가 어렵게 된다.
또한, 전자기기의 소형화 및 박막화에 따라 여기에 사용되는 인덕터 소자에 대해서도 박막화, 소형화 요구가 증대하고 있으며, 이와 동시에 동일 수준 이상의 인덕턴스 및 Q값 등이 요구되고 있다. 이에 따라, 재료적인 측면에서는 보다 더 높은 포화자화값을 갖는 페라이트(Ferrite) 재료를 사용하거나, 공법적인 측면에서는 코일배선의 폭과 두께의 비, 즉 종횡비(Aspect Ratio)를 높일 수 있는 인쇄 공법 또는 높은 종횡비를 형성할 수 있는 구조적인 공법을 통해 코일배선의 면적을 증가시키려는 노력이 계속되고 있다.
특허문헌(공개특허공보 제 10-2003-0020603호)을 참조하면, 코일배선의 종횡비를 높이기 위하여, 소정 두께의 감광제층을 기판 일면에 도포한 후, 이 감광제층에 코일 패턴의 개구부를 형성하고 개구부 내부를 도금 충진함으로써 소정의 종횡비를 만족하는 코일배선을 형성하고 있다.
즉, 특헌문헌에서는 두꺼운 감광제층을 이용하여 소정의 종횡비를 만족하는 코일배선을 형성하겠다는 것이고, 그 과정 중 하나로서 감광제층에 코일 패턴의 개구부를 형성하기 위한 포토리소그라피(photolithography) 공정을 제시하고 있다. 그러나, 이 경우 감광제층의 하부까지 경화되도록 하기 위해서는 노광 및 현상 조건을 상향해야 하는데, 두꺼운 두께로 인하여 감광제층의 상부는 과경화되고 하부는 상대적으로 덜 경화되어 언더컷(undercut)이 발생할 수 있고, 이에 따라 코일배선의 형태가 불균일하게 형성될 수 있다.
또한, 코일배선 하지의 시드층 제거 과정에서, 코일배선의 좁은 패턴 간격과 높은 두께로 인하여 에칭액이 코일배선 패턴 사이로 원할하게 흐르지 않아 시드층이 에칭되지 않고, 그 결과 코일배선의 패턴이 서로 단락하는 문제가 발생할 수 있다.
특허문헌 : 공개특허공보 제 10-2003-0020603호
본 발명은 종횡비를 높이는 동시에 구조적으로 보다 안정된 형태의 코일배선을 갖는 박막 인덕터 소자 및 이의 제조 방법을 제공함으로써 전술한 문제를 해결하고자 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 창안된 본 발명은, 코일패턴의 관통홀이 형성된 기판; 및 상기 관통홀 내부에 충진된 금속층;을 포함하는, 박막 인덕터 소자.
여기서, 상기 기판은 자성체 또는 유전체로 구성되는, 박막 인덕터 소자를 제공한다.
그리고, 상기 금속층은 Ni, Al, Fe, Cu, Ti, Cr, Au, Ag, Pd로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상의 금속으로 이루어지는, 박막 인덕터 소자를 제공한다.
또한, 상기 기판 일면에 상기 금속층의 단부와 전기적으로 접속하는 한 쌍의 외부단자가 더 형성되는, 박막 인덕터 소자를 제공한다.
또한, 상기 기판은 소정의 소자 사이즈와 상응하는 크기를 갖는, 박막 인덕터 소자를 제공한다.
또한, 상기 관통홀 내벽을 포함한 상기 기판 표면에 형성된 절연막;을 더 포함하는, 박막 인덕터 소자를 제공한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 창안된 본 발명의 다른 실시예는, 코일패턴의 관통홀이 형성되고 두께 방향으로 적층된 적어도 2층 이상의 기판; 및 상기 각 층의 관통홀에 충진된 금속층;을 포함하되, 상기 각 층의 금속층은 위아래로 패턴이 정합하여 하나의 코일배선을 이루는, 박막 인덕터 소자를 제공한다.
여기서, 상기 2층 이상의 기판 중 최상층에 위치하는 기판 일면에 상기 코일배선의 단부와 전기적으로 접속하는 한 쌍의 외부단자가 더 형성되는, 박막 인덕터 소자를 제공한다.
한편, 본 발명의 박막 인덕터를 제조하는 방법으로, 기판에 코일패턴의 관통홀을 형성하는 단계; 및 상기 관통홀 내부에 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 기판에 코일패턴의 관통홀을 형성하는 단계는, 상기 기판 일면에 포토 레지스트 패턴을 부착하는 단계; 상기 포토 레지스트 패턴의 개구부를 통해 노출된 기판 부위를 에칭하는 단계; 및 상기 포토 레지스트 패턴을 박리하는 단계;로 이루어지는, 박막 인덕터 소자의 제조방법을 제공한다.
그리고, 상기 관통홀 내부에 금속층을 형성하는 단계는, 일면에 시드층이 형성된 더미기판 상에 상기 관통홀이 형성된 기판을 부착하는 단계; 상기 시드층을 인입선으로 전해도금을 실시하는 단계: 및 상기 더미기판을 제거하는 단계;로 이루어지는, 박막 인덕터 소자의 제조방법을 제공한다.
그리고, 상기 기판에 코일패턴의 관통홀을 형성하는 단계 이후, 상기 관통홀 내벽을 포함한 상기 기판 표면에 절연막을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 관통홀 내부에 금속층을 형성하는 단계 이후, 상기 기판 상면을 평탄화하는 단계;를 더 포함하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 관통홀 내부에 금속층이 형성된 기판을 적어도 2층 이상 적층하되, 상하층의 금속층 패턴이 정합되도록 적층하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 박막 인덕터를 제조하기 위한 또 다른 방법으로, 소정 두께의 기판에 코일패턴의 홈을 형성하는 단계; 상기 홈 내부에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층의 하부면이 노출되도록 더미부에 해당하는 상기 기판의 하부를 제거하는 단계;를 포함하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법을 제공한다.
여기서, 상기 기판의 두께는 소정의 소자 두께와 상기 더미부의 두께의 합으로 설정되는, 박막 인덕터 소자의 제조방법을 제공한다.
그리고, 상기 소정 두께의 기판에 코일패턴의 홈을 형성하는 단계는, 상기 기판 일면에 포토 레지스트 패턴을 부착하는 단계; 상기 포토 레지스트 패턴의 개구부를 통해 노출된 기판 부위를 하프 에칭(half etching)하는 단계; 및 상기 포토 레지스트 패턴을 박리하는 단계;로 이루어지는, 박막 인덕터 소자의 제조방법을 제공한다.
그리고, 상기 홈 내부에 금속층을 형성하는 단계는, 상기 홈 내벽을 포함한 상기 기판 상면에 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층을 인입선으로 전해도금을 실시하는 단계: 및 상기 기판 상면의 시드층을 제거하는 단계;로 이루어지는, 박막 인덕터 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 홈 내부에 금속층이 형성되고 더미부가 제거된 기판을 적어도 2층 이상 적층하되, 상하층의 금속층 패턴이 정합되도록 적층하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 박막 인덕터 소자에 따르면, 소자 본체로서 소정의 소자 사이즈에 상응하는 기판을 이용하므로 정확한 소자 사이즈의 구현이 가능하다.
또한, 기판을 관통하는 금속층으로 코일배선을 구성하므로, 언더컷 등의 불량 없이 보다 간소한 방법으로 코일배선의 종횡비를 높일 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 박막 인덕터 소자의 사시도
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선의 단면도
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 인덕터 소자의 사시도
도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'선의 단면도
도 5 내지 도 9는 본 발명의 박막 인덕터 소자 제조방법을 순서대로 도시한 공정도
도 10 내지 도 14는 또 다른 실시예에 따른 본 발명의 박막 인덕터 소자 제조방법을 순서대로 도시한 공정도
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 기술 등은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 더불어, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 다수형도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용효과를 더욱 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 박막 인덕터 소자의 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선의 단면도이다. 참고로, 도면의 구성요소는 반드시 축척에 따라 그려진 것은 아니고, 예컨대, 본 발명의 이해를 돕기 위해 도면의 일부 구성요소의 크기는 다른 구성요소에 비해 과장될 수 있다. 한편, 각 도면에 걸쳐 표시된 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, 도시의 간략화 및 명료화를 위해, 도면은 일반적 구성 방식을 도시하고, 본 발명의 설명된 실시예의 논의를 불필요하게 불명료하도록 하는 것을 피하기 위해 공지된 특징 및 기술의 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 박막 인덕터 소자(100)는, 기판(110)과 상기 기판(110)을 관통하여 형성된 금속층(120)을 구성으로 이루어질 수 있다.
상기 기판(110)은 세라믹 소재의 육면체로서 소자 본체가 되며, 따라서 그 구성재료로는 예컨대, Ni-Zn계, Ni-Cu-Zn계 및 Mg-Zn계 페라이트 중에서 선택된 1종 이상의 페라이트, 또는 페라이트 유리 복합재료 등의 자성체 세라믹이나, 티탄산바륨, 알루미나, 알루미나 유리 복합 재료 등의 유전체 세라믹을 이용할 수 있다.
또한, 그 크기 역시 소정의 소자 사이즈, 예컨대, 2012(2.0mm×1.2mm×1.2mm), 1005(1.0mm×0.5mm×0.5mm), 0603(0.6mm×0.3mm×0.3mm), 0402(0.4mm×0.2mm×0.2mm) 등에 상응하는 크기로 제작될 수 있다.
상기 금속층(120)은 코일배선이 되는 층으로, 상기 기판(110)을 관통하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 기판(110)에는 코일패턴의 관통홀이 형성되며, 상기 금속층(120)은 여기에 충진되어 형성될 수 있다.
상기 금속층(120)은 전도성이 우수한 Ni, Al, Fe, Cu, Ti, Cr, Au, Ag, Pd로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상의 금속으로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 금속층(120)은 도 1에 도시된 것처럼 사각 형상으로 주회하도록 형성될 수 있으나, 이와 달리, 원 형상으로 주회하도록 형성될 수도 있다. 도 1과 같이 사각 형상으로 주회하는 경우 코일의 단면적을 넓힐 수 있어 고용량의 인덕턴스 구현에 유리하고, 원 형상으로 주회하는 경우 전류의 흐름성이 향상되므로 직류저항특성(Rdc)이 개선될 수 있다.
상기 기판(110) 일면에는 상기 금속층(120)을 외부와 통전하기 위한 한 쌍의 외부단자(130)가 구비될 수 있다. 즉, 상기 외부단자(130)는 상기 금속층(120)의 일단과 전기적으로 접속하는 제1 외부단자(131)와 상기 금속층(120)의 타단과 전기적으로 접속하는 제2 외부단자(132)로 구성될 수 있다. 여기서, 상기 제1 외부단자(131)는 본 발명의 박막 인덕터 소자가 실장되는 PCB기판 내의 회로를 통해 금속층(120)의 일단과 연결될 수 있다.
이처럼, 본 발명의 박막 인덕터 소자(100)는, 소정의 소자 사이즈에 상응하는 일 기판(110)을 이용하므로 정확한 소자 사이즈의 구현이 가능하며, 또한 금속층(120)이 충진되는 관통홀의 패턴폭을 조절함으로써 원하는 종횡비를 갖는 금속층(120)의 형성이 가능하다.
한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 상기 기판(110)과 금속층(120)간의 절연성을 확보하기 위하여, 관통홀 내벽을 포함한 상기 기판(110) 표면에 절연막이 더 구비될 수 있다. 즉, 상기 금속층(120)이 기판(110)의 관통홀에 충진되기 전에 절연막이 관통홀 내벽에 형성되어 있으므로, 이후 관통홀 내부에 충진되어 형성되는 금속층(120)과 상기 기판(110) 사이에는 절연막에 의해 절연된다. 여기서, 절연막은 상기 기판(110)을 아노다이징 공법이나 플라즈마 공법 등을 이용하여 산화 처리함으로써 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 인덕터 소자의 사시도이고, 도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'선의 단면도로서, 이를 참조하면, 본 발명의 박막 인덕터 소자는 두께 방향으로 다층의 기판(110)이 적층된 형태로도 구성 가능하다. 도 3 및 도 4에서는 두 개의 기판(111,112)이 적층된 것을 도시하였으나, 적층되는 기판(110)의 층수는 그 이상이 될 수 있음은 물론이다.
도 1과 마찬가지로, 상기 각 층의 기판(111,112)에는 코일패턴의 관통홀이 형성되고, 각 층의 관통홀에 금속층(121,122)이 충진될 수 있다. 여기서, 각 층의 금속층(120)은 도 4에 도시된 것처럼 위아래로 그 패턴이 정합되어 하나의 코일배선을 형성하게 된다. 이때, 외부와의 통전을 위한 한 쌍의 외부단자(130)는 최상층의 기판(111) 일면에 구비되어 코일배선의 양 단부와 각각 전기적으로 접속한다.
이처럼 복수 개의 기판(110)을 적층하여 박막 인덕터 소자를 구성하는 경우, 다층의 금속층(120)으로 형성되는 코일배선의 종횡비가 적층되는 기판(110)의 층수에 비례하게 되므로, 직류저항(Rdc) 특성 및 Q특성이 크게 개선될 수 있다.
이제, 본 발명의 박막 인덕터 소자를 제조하는 방법에 대해 살펴보기로 한다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 박막 인덕터 소자 제조방법을 순서대로 도시한 공정도로서, 먼저, 기판(110)에 코일패턴의 관통홀(110a)을 형성하는 단계를 진행한다.
상기 관통홀(110a)의 형성 과정을 보다 자세히 살펴보면, 도 5와 같이, 준비된 소정 크기의 기판(110) 일면에 포토 레지스트 패턴(10)을 부착하도록 한다. 구체적으로, 감광성의 포토 레지스트를 기판(110) 일면에 부착한 다음 마스크로 블로킹한 상태에서 자외선 조사 후 현상하면 포토 레지스트에 소정의 패턴이 형성된다.
그 다음, 도 6에 도시된 것처럼, 상기 포토 레지스트 패턴(10) 사이의 개구부를 통해 노출되는 기판(110) 부위를 습식 에칭(wet etching)이나 건식 에칭(dry etching)을 통해 식각하여 관통홀(110a)을 형성한다.
이처럼 관통홀(110a)이 형성되면 상기 포토 레지스트 패턴(10)을 박리하고, 상기 관통홀(110a) 내부에 금속층(120)을 형성하는 단계를 진행한다.
상기 금속층(120)은 전해 도금으로 형성하는데, 먼저, 도 7과 같이, 전해 도금의 인입선이 되는 시드층(21)이 일면에 형성된 더미기판(20) 위에 관통홀(110a)이 형성된 기판(110)을 부착한다. 그 다음, 시드층(21)을 인입선으로 전해 도금을 수행하면 관통홀(110a)의 하부에서부터 금속 물질이 도금 성장하여 관통홀(110a) 내부에 금속층(120)이 형성될 수 있다(도 8).
이때, 과도금으로 인해 금속 물질이 관통홀(110a) 외부로 도금되어 버리면 금속층(120) 패턴이 서로 단락될 수 있다. 따라서, 이와 같은 경우를 대비하여 상기 금속층(120) 형성 이후, 기판(110) 상면을 평탄화하는 과정을 추가로 수행할 수 있다.
이처럼 상기 금속층(120)이 형성되면, 마지막으로, 도 9와 같이, 상기 더미기판(20)을 제거하여 관통홀(110a) 내부에 금속층(120)이 형성된 기판(110)으로 구성되는 본 발명의 박막 인덕터 소자를 최종 완성할 수 있다. 또는, 더미기판(20) 제거 이후 얻어지는 상기 기판(110)을 적어도 2층 이상 적층하되, 각 층의 금속층(120) 패턴이 서로 정합되도록 적층하여 도 3의 박막 인덕터 소자를 제조할 수도 있다.
한편, 상기 관통홀(110a) 형성 이후, 상기 기판(110)과 금속층(120) 사이의 절연을 위해, 상기 관통홀(110a) 내벽을 포함한 상기 기판(110) 표면을 아노다이징 공법이나 플라즈마 공법 등을 이용하여 산화 처리하여 절연막을 형성하는 단계를 추가로 진행할 수 있다.
도 10 내지 도 14는 또 다른 실시예에 따른 본 발명의 박막 인덕터 소자 제조방법을 순서대로 도시한 공정도로서, 본 발명의 박막 인덕터 소자는 풀 에칭(full etching)에 의한 관통홀(110a) 형성없이 기판(110)의 일부 두께만을 에칭하는 공법을 이용하여 제조할 수도 있다.
이를 위해, 먼저 도 10과 같이 소정 두께의 기판(110)을 준비한다. 상기 기판(110)의 두께는 소정의 소자 두께와 더미부(110')의 두께를 합한 값으로 설정될 수 있다. 여기서, 상기 더미부(110')는 후속공정에서 에칭되지 않는 기판(110) 하부 영역으로서, 예컨대, 제조하고자 하는 소자 사이즈가 1005라 하면 상기 기판(110)은 소자의 두께 0.5mm와 임의로 지정되는 더미부(110')의 두께 0.2mm를 합한 0.7mm의 두께로 형성될 수 있다.
이처럼 소정 두께의 기판(110)이 준비되면, 도 11과 같이, 코일패턴의 홈(110b)을 형성하는 단계를 진행한다. 상기 홈(110b)은 포토 레지스트 패턴을 부착한 후, 포토 레지스트 패턴의 개구부를 통해 노출된 기판(110) 부위를 하프 에칭(half etching)함으로써 형성할 수 있다.
하프 에칭은 기판(110) 전체를 관통하도록 에칭을 실시하는 풀 에칭(full etching)과는 달리, 기판(110) 두께의 일부만을 에칭하는 기술로서, 이에 따라, 기판(110) 하부의 더미부(110')는 홈(110b)에 의해 관통되지 않는다.
하프 에칭에 의해 홈(110b)이 형성되면 포토 레지스트 패턴을 박리한 후, 상기 홈(110b) 내부에 금속층(120)을 형성하는 단계를 진행한다. 이는, 도 12와 같이, 상기 홈(110b) 내벽을 포함한 상기 기판(110) 상면에 시드층(21)을 형성하고, 상기 시드층(21)을 인입선으로 전해도금을 실시하여 홈(110b) 내부를 충진 도금하는 것으로 이루어질 수 있다. 홈(110b) 내부에 금속이 완전히 충진되면 패턴간의 단락을 방지하기 위해 기판(110) 상면의 시드층(21)을 제거함으로써 13과 같은 금속층(120)을 얻을 수 있다.
그 다음, 마지막으로 도 14와 같이, 상기 금속층(120)의 하부면이 노출되도록 기판(110)의 더미부(110')를 제거함으로써 본 발명의 박막 인덕터 소자를 최종 완성할 수 있다. 또는, 상기 홈(110b) 내부에 금속층(120)이 형성되고 더미부(110')가 제거된 기판(110)을 적어도 2층 이상 적층하되, 각 층의 금속층(120) 패턴이 정합되도록 적층하여 도 3의 박막 인덕터 소자를 제조할 수도 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 본 발명의 박막 인덕터 소자 110,111,112: 기판
110a: 관통홀 110b: 홈
110': 더미부 120,121,122: 금속층
130: 외부단자 10: 포토 레지스트 패턴
20: 더미기판 21: 시드층

Claims (19)

  1. 연속적으로 연결되는 코일패턴의 관통홀이 형성된 기판; 및 상기 관통홀 내부에 충진된 금속층;을 포함하는, 박막 인덕터 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 자성체 또는 유전체로 구성되는, 박막 인덕터 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속층은 Ni, Al, Fe, Cu, Ti, Cr, Au, Ag, Pd로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상의 금속으로 이루어지는, 박막 인덕터 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 일면에 상기 금속층의 단부와 전기적으로 접속하는 한 쌍의 외부단자가 더 형성되는, 박막 인덕터 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 소정의 소자 사이즈와 상응하는 크기를 갖는, 박막 인덕터 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 관통홀 내벽을 포함한 상기 기판 표면에 형성된 절연막;을 더 포함하는, 박막 인덕터 소자.
  7. 연속적으로 연결되는 코일패턴의 관통홀이 형성되고 두께 방향으로 적층된 적어도 2층 이상의 기판; 및 상기 각 층의 관통홀에 충진된 금속층;을 포함하되, 상기 각 층의 금속층은 위아래로 패턴이 정합하여 하나의 코일배선을 이루는, 박막 인덕터 소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 2층 이상의 기판 중 최상층에 위치하는 기판 일면에 상기 코일배선의 단부와 전기적으로 접속하는 한 쌍의 외부단자가 더 형성되는, 박막 인덕터 소자.
  9. 기판에 연속적으로 연결되는 코일패턴의 관통홀을 형성하는 단계; 및
    상기 관통홀 내부에 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판에 코일패턴의 관통홀을 형성하는 단계는,
    상기 기판 일면에 포토 레지스트 패턴을 부착하는 단계; 상기 포토 레지스트 패턴의 개구부를 통해 노출된 기판 부위를 에칭하는 단계; 및 상기 포토 레지스트 패턴을 박리하는 단계;로 이루어지는, 박막 인덕터 소자의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 관통홀 내부에 금속층을 형성하는 단계는,
    일면에 시드층이 형성된 더미기판 상에 상기 관통홀이 형성된 기판을 부착하는 단계; 상기 시드층을 인입선으로 전해도금을 실시하는 단계: 및 상기 더미기판을 제거하는 단계;로 이루어지는, 박막 인덕터 소자의 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판에 코일패턴의 관통홀을 형성하는 단계 이후, 상기 관통홀 내벽을 포함한 상기 기판 표면에 절연막을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 관통홀 내부에 금속층을 형성하는 단계 이후, 상기 기판 상면을 평탄화하는 단계;를 더 포함하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 관통홀 내부에 금속층이 형성된 기판을 적어도 2층 이상 적층하되, 상하층의 금속층 패턴이 정합되도록 적층하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법.
  15. 소정 두께의 기판에 연속적으로 연결되는 코일패턴의 홈을 형성하는 단계;
    상기 홈 내부에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층의 하부면이 노출되도록 더미부에 해당하는 상기 기판의 하부를 제거하는 단계;를 포함하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 기판의 두께는 소정의 소자 두께와 상기 더미부의 두께의 합으로 설정되는, 박막 인덕터 소자의 제조방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 소정 두께의 기판에 코일패턴의 홈을 형성하는 단계는,
    상기 기판 일면에 포토 레지스트 패턴을 부착하는 단계; 상기 포토 레지스트 패턴의 개구부를 통해 노출된 기판 부위를 하프 에칭(half etching)하는 단계; 및 상기 포토 레지스트 패턴을 박리하는 단계;로 이루어지는, 박막 인덕터 소자의 제조방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 홈 내부에 금속층을 형성하는 단계는,
    상기 홈 내벽을 포함한 상기 기판 상면에 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층을 인입선으로 전해도금을 실시하는 단계: 및 상기 기판 상면의 시드층을 제거하는 단계;로 이루어지는, 박막 인덕터 소자의 제조방법.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 홈 내부에 금속층이 형성되고 더미부가 제거된 기판을 적어도 2층 이상 적층하되, 상하층의 금속층 패턴이 정합되도록 적층하는, 박막 인덕터 소자의 제조방법.
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