JP2014192487A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コイル部品のバンプ電極とその下層の内部端子電極との接合強度を向上させる。
【解決手段】コイル部品１は、基板１０上に設けられた薄膜コイル層１１と、薄膜コイル層１１の表面に設けられたバンプ電極１２ａ〜１２ｄとを備えている。薄膜コイル層１１は、スパイラル導体１６，１７の対応する一端にそれぞれ接続された内部端子電極２４ａ〜２４ｄと、内部端子電極２４ａ〜２４ｄを覆う第４の絶縁層１５ｄと、絶縁層１５ｄに形成され、内部端子電極２４ａ〜２４ｄを露出する開口ｈａ〜ｈｄとを備えている。開口ｈａ〜ｈｄは平面視にて対応する内部端子電極の周縁よりも外側にはみ出した部分を有し、これにより内部端子電極２４ａ〜２４ｄの上面ＴＳと側面ＳＳの両方が対応する開口ｈａ〜ｈｄから露出している。バンプ電極１２ａ〜１２ｄは、開口ｈａ〜ｈｄの内部において内部端子電極２４ａ〜２４ｄの上面ＴＳと側面ＳＳの両方に接している。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、特に、コモンモードフィルタ等のコイル部品及びその製造方法に関するものである。

電子部品の一つであるコモンモードフィルタは、差動伝送ラインのノイズ対策部品として広く用いられている。近年の製造技術の進歩により、コモンモードフィルタも非常に小型な表面実装型チップ部品として提供されるようになり、内蔵されるコイルパターンには非常に小型・狭間隔化されたものが用いられている。

また、いわゆる薄膜タイプのコモンモードフィルタにおいて、外部端子電極をめっきにより厚く形成したものが知られている（例えば特許文献１参照）。この種のコモンモードフィルタでは、外部端子電極と平面コイルパターンとを接続する場合、平面コイルパターンの内周端又は外周端に接続された内部端子電極が外部端子電極に接続される。外部端子電極と内部端子電極との間には絶縁層が介在しており、絶縁層に設けた開口を通じて、外部端子電極は内部端子電極の上面と平面的に接続されている。

特開２０１１−１４７４７号公報

近年のチップサイズの小型化に伴い、内部端子電極の面積も非常に小さくなってきている。外部端子電極をこのような小さな面積の内部端子電極に接続しようとすると、両者の接合強度が不十分となり、熱衝撃等によって電気的な接続不良が発生しやすいという問題がある。このような問題は上述のコモンモードフィルタにおいて顕著であるが、コモンモードフィルタに限らず種々の電子部品の端子電極接続において起こりうる問題であり、その解決が望まれている。

したがって、本発明の目的は、外部端子電極と内部端子電極との接合強度を向上させることが可能な電子部品及びその製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明による電子部品は、第１の端子電極を含む導体層と、前記導体層を覆う絶縁層と、前記第１の端子電極の上面の少なくとも一部と側面の少なくとも一部とがその内部に位置するように前記絶縁層に形成された開口と、前記絶縁層上に設けられ、前記開口を通じて前記第１の端子電極の前記上面と前記側面の両方に接続された第２の端子電極とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、第２の端子電極が第１の端子電極の上面と側面の両方に接続されているので、第１の端子電極と第２の端子電極との接合強度を向上させることができる。したがって信頼性の高い電子部品を提供することができる。

本発明において、前記開口は、平面視にて前記第１の端子電極の周縁よりも外側にはみ出した拡張部分を有することが好ましい。この場合、前記開口は、前記絶縁層のエッジまで延設されていることが好ましい。この構成によれば、第１の端子電極の上面と側面の両方をその内部に位置させた開口を容易に形成することができる。

本発明による電子部品は、基板と、前記基板上に設けられ、前記導体層及び前記絶縁層を有する薄膜コイル層とをさらに備え、前記導体層は、前記第１の端子電極に接続された平面コイルパターンをさらに含み、前記第１の端子電極は、前記薄膜コイル層の内部端子電極であり、前記第２の端子電極は、前記薄膜コイル層の表面に設けられた外部端子電極であることが好ましい。この構成によれば、電子部品であるコイル部品において外部端子電極と内部端子電極との接合強度を向上させることができ、端子電極の接続信頼性の高めることができる。

本発明において、前記内部端子電極は、前記基板の長手方向（第１の方向）と平行な第１の側面と、前記長手方向と直交する方向（第２の方向）と平行な第２の側面とを少なくとも１つずつ有し、前記第１及び第２の側面の少なくとも一方が前記開口の前記内部に位置していることが好ましく、前記第１及び第２の側面の両方が前記開口の前記内部に位置していることが特に好ましい。この構成によれば、第１の端子電極と第２の端子電極との側面による接触を増やすことができ、接続信頼性をさらに高めることができる。

本発明において、前記薄膜コイル層は、前記導体層と前記絶縁層とを交互に複数回積層してなる積層構造を有し、前記複数の絶縁層のうち最上層の絶縁層に形成された開口は、当該開口に対応する第１の端子電極の前記上面と前記側面の両方がその内部に位置するように形成されていることが好ましい。この構成によれば、開口が深くならないので、第２の端子電極を開口の内部に確実に充填することができ、接続信頼性を高めることができる。

本発明において、前記薄膜コイル層は、前記導体層と前記絶縁層とを交互に複数回積層してなる積層構造を有し、前記複数の絶縁層の各々に形成されたすべての開口は、当該開口に対応する第１の端子電極の前記上面と前記側面の両方がその内部に位置するように形成されていることもまた好ましい。この構成によれば、開口が深くなるので、第２の端子電極と第１の端子電極の側面との接触面積を広げることができ、両者の接合強度をさらに向上させることができる。

また、本発明による電子部品の製造方法は、第１の端子電極を含む導体層を形成する工程と、前記導体層を覆う絶縁層を形成する工程と、前記第１の端子電極の上面の少なくとも一部と側面の少なくとも一部とが露出するように前記絶縁層に開口を形成する工程と、前記絶縁層上に第２の端子電極を設けると共に、前記開口を通じて前記第２の端子電極を前記第１の端子電極の前記上面と前記側面の両方に接続させる工程とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、第２の端子電極を第１の端子電極の上面と側面の両方に接続させることができ、第１の端子電極と第２の端子電極との接合強度を向上させることができる。したがって信頼性の高い電子部品を製造することができる。

上記電子部品の製造方法は、基板上に平面コイルパターンを含む薄膜コイル層を形成する工程と、前記薄膜コイル層上に外部端子電極を形成する工程とを備え、前記薄膜コイル層を形成する工程は、前記導体層、前記絶縁層及び前記開口を形成する工程とを含み、前記第１の端子電極は、前記平面コイルパターンに接続された内部端子電極であり、前記第２の端子電極は、前記外部端子電極であることが好ましい。この製造方法によれば、特別な工程を経ることなく、絶縁層に形成する開口の範囲を少し広げるだけで内部端子電極の側面が露出するので、加工が容易であり、これにより外部端子電極と内部端子電極との接合強度を向上させることができる。したがって信頼性の高いコイル部品を製造することができる。

本発明の他の側面による電子部品は、基板と、前記基板上に設けられた薄膜コイル層と、前記薄膜コイル層の上面に設けられた外部端子電極とを備え、前記薄膜コイル層は、平面コイルパターン及び第１の内部端子電極を含む第１の導体層と、前記第１の導体層を覆う第１の絶縁層と、前記第１の内部端子電極の少なくとも上面がその内部に位置するように前記第１の絶縁層に形成された第１の開口と、前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第１の開口を通じて前記第１の内部端子電極の上面に接続された第２の内部端子電極を含む第２の導体層と、前記第２の導体層を覆う第２の絶縁層と、前記第２の内部端子電極の上面と側面の両方がその内部に位置するように前記第２の絶縁層に形成された第２の開口とを備え、前記外部端子電極は、前記第２の絶縁層上に設けられ、前記第２の開口を通じて前記第２の内部端子電極の前記上面と前記側面の両方に接続されていることを特徴とする。

本発明において、前記第１の開口は、前記第１の内部端子電極の側面をもその内部に位置させており、前記外部端子電極は、前記第２及び第１の開口を通じて前記第１の内部端子電極の前記側面に接続されていることが好ましい。この構成によれば、開口が深くなるので、外部端子電極と内部端子電極の側面との接触面積を広げることができ、両者の接合強度をさらに向上させることができる。

本発明において、前記平面コイルパターンはスパイラル導体であり、該スパイラル導体の外周端は、前記第１の内部端子電極に接続されていることが好ましい。この構成によれば、スパイラル導体の外周端と外部端子電極とを確実に接続することができる。

本発明において、前記平面コイルパターンはスパイラル導体であり、前記薄膜コイル層は、前記第２の導体層に設けられた引き出し導体と、前記第１の絶縁層を貫通するスルーホール導体とをさらに含み、前記引き出し導体の一端は前記第２の内部端子電極に接続され、前記引き出し導体の他端は前記スルーホール導体を介して前記スパイラル導体の内周端に接続されていることもまた好ましい。この構成によれば、スパイラル導体の内周端と外部端子電極とを確実に接続することができる。

本発明によれば、絶縁層に形成された開口を通じて互いに接続される第１の端子電極と第２の端子電極との接合強度を向上させることが可能な電子部品及びその製造方法を提供することができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態によるコイル部品１（電子部品）の構造を示す略斜視図である。 図２は、コイル部品１の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。 図３は、各層を分解して示す平面図である。 図４は、外部端子電極であるバンプ電極と内部端子電極との接続関係を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ'線に沿った略断面図である。 図５は、コイル部品１の製造方法を示すフローチャートである。 図６は、多数のコイル部品１が形成された磁性ウェハー（基板）の構成を示す略平面図である。 図７（ａ）〜（ｄ）は、絶縁層１５ｄに形成される開口ｈａ〜ｈｄの形状の変形例を示す平面図である。 図８は、本発明の第２の実施の形態によるコイル部品２の構造であって、各層を分解して示す平面図である。 図９は、コイル部品２の一部断面図であって、図４（ａ）のＡ−Ａ'線に沿った図に対応するものである。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の第１の実施の形態によるコイル部品の構造を示す略斜視図である。

図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１はコモンモードフィルタであって、基板１０と、基板１０の一方の主面（上面）に設けられたコモンモードフィルタ素子を含む薄膜コイル層１１と、薄膜コイル層１１の主面（上面）に設けられた第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄと、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの形成位置を除いた薄膜コイル層１１の主面に設けられた磁性樹脂層１３とを備えている。

コイル部品１は略直方体状の表面実装型チップ部品であり、長手方向（Ｘ方向）と平行な２つの側面１０ａ，１０ｂと、長手方向と直交する他の２つの側面１０ｃ，１０ｄを有している。第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄはコイル部品１のコーナー部に設けられ、コイル部品１の外周面にも露出面を有するように形成されている。このうち、第１のバンプ電極１２ａは、側面１０ａと側面１０ｃの両方に露出面を有し、第２のバンプ電極１２ｂは、側面１０ｂと側面１０ｃの両方に露出面を有している。また、第３のバンプ電極１２ｃは、側面１０ａと側面１０ｄの両方に露出面を有し、第４のバンプ電極１２ｄは、側面１０ｂと側面１０ｄの両方に露出面を有している。なお、実装時には上下反転し、バンプ電極１２ａ〜１２ｄ側を下向きにして使用されるものである。

基板１０は、コイル部品１の機械的強度を確保すると共に、コモンモードフィルタの閉磁路としての役割を果たすものである。基板１０の材料としては例えば焼結フェライト等の磁性セラミック材料を用いることができる。また、要求される特性によっては非磁性材料を用いることもできる。特に限定されるものではないが、チップサイズが０６０５タイプ（０．６×０．５×０．５（ｍｍ））であるとき、基板１０の厚さは０．１〜０．３ｍｍ程度とすることができる。

薄膜コイル層１１は、基板１０と磁性樹脂層１３との間に設けられたコモンモードフィルタ素子を含む層である。詳細は後述するが、薄膜コイル層１１は絶縁層と導体パターンとを交互に積層して形成された多層構造を有している。このように、本実施形態によるコイル部品１はいわゆる薄膜タイプであって、磁性コアに導線を巻回した構造を有する巻線タイプとは区別されるものである。

磁性樹脂層１３は、コイル部品１の実装面（底面）を構成する層であり、基板１０と共に薄膜コイル層１１を保護すると共に、コイル部品１の閉磁路としての役割を果たすものである。ただし、磁性樹脂層１３の機械的強度は基板１０よりも小さいため、強度面では補助的な役割を果たす程度である。磁性樹脂層１３としては、フェライト粉を含有するエポキシ樹脂（複合フェライト）を用いることができる。特に限定されるものではないが、チップサイズが０６０５サイズであるとき、磁性樹脂層１３の厚さは０．０２〜０．１ｍｍ程度とすることができる。

図２は、コイル部品１の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。また、図３は、各層を分解して示す平面図である。

図２に示すように、薄膜コイル層１１は、基板１０側から磁性樹脂層１３側に向かって順に積層された第１〜第４の絶縁層１５ａ〜１５ｄと、第１の絶縁層１５ａ上に形成された平面コイルパターンである第１のスパイラル導体１６及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを含む第１の導体層と、第２の絶縁層１５ｂ上に形成された平面コイルパターンである第２のスパイラル導体１７及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを含む第２の導体層と、第３の絶縁層１５ｃ上に形成された第１及び第２の引き出し導体２０，２１及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを含む第３の導体層とを備えている。第４の絶縁層１５ｄ上にはバンプ電極１２ａ〜１２ｄが設けられており、内部端子電極等の導体パターンは形成されていない。

第１〜第４の絶縁層１５ａ〜１５ｄは、異なる導体層に設けられた導体パターン間を絶縁すると共に、導体パターンが形成される平面の平坦性を確保する役割を果たす。特に、第１の絶縁層１５ａは、基板１０の表面の凹凸を吸収し、スパイラル導体パターンの加工精度を高める役割を果たす。絶縁層１５ａ〜１５ｄの材料としては、電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、微細加工の容易な樹脂を用いることが好ましく、特に限定されるものではないが、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いることができる。

第１のスパイラル導体１６の内周端１６ａは、第２及び第３の絶縁層１５ｂ，１５ｃを貫通する第１のコンタクトホール導体１８、第１の引き出し導体２０及び第１の内部端子電極２４ａを介して、第１のバンプ電極１２ａに接続されている。また、第１のスパイラル導体１６の外周端１６ｂは第２の内部端子電極２４ｂを介して第２のバンプ電極１２ｂに接続されている。

第２のスパイラル導体１７の内周端１７ａは、第３の絶縁層１５ｃを貫通する第２のコンタクトホール導体１９、第２の引き出し導体２１及び第４の内部端子電極２４ｄを介して、第４のバンプ電極１２ｄに接続されている。また、第２のスパイラル導体１７の外周端１７ｂは第３の内部端子電極２４ｃを介して第３のバンプ電極１２ｃに接続されている。

第１及び第２のスパイラル導体１６，１７は実質的に同一の平面形状を有しており、しかも平面視で同じ位置に設けられている。第１及び第２のスパイラル導体１６，１７は重なり合っていることから、両者の間には強い磁気結合が生じている。第１のスパイラル導体１６はその内周端１６ａから外周端１６ｂに向かって反時計回りであり、第２のスパイラル導体１７はその外周端１７ｂから内周端１７ａに向かって同じく反時計回りであるので、第１のバンプ電極１２ａから第２のバンプ電極１２ｂに向かって流れる電流により発生する磁束の向きと、第３のバンプ電極１２ｃから第２のバンプ電極１２ｄに向かって流れる電流により発生する磁束の向きが同じになり、全体の磁束が強まる。以上の構成により、薄膜コイル層１１内の導体パターンはコモンモードフィルタを構成している。

第１及び第２のスパイラル導体１６，１７の外形は共に円形スパイラルである。円形スパイラル導体は高周波信号成分の減衰が少ないため、高周波用インダクタンスとして好ましく用いることができる。なお、本実施形態によるスパイラル導体１６，１７は長円であるが、真円であってもよく、楕円であってもよい。また、略矩形であっても構わない。

第１〜第４の絶縁層１５ａ〜１５ｄの中央領域であって第１及び第２のスパイラル導体１６，１７の内側には、第１〜第４の絶縁層１５ａ〜１５ｄを貫通する開口ｈｇが設けられており、開口ｈｇの内部には、磁路を形成するためのスルーホール磁性体１４が設けられている。スルーホール磁性体１４は磁性樹脂層１３と同一材料からなりこれと一体的に形成されていることが好ましい。

第１及び第２の引き出し導体２０，２１は、第３の絶縁層１５ｃ上に形成されている。第１の引き出し導体２０の一端はコンタクトホール導体１８の上端に接続されており、他端は内部端子電極２４ａに接続されている。また、第２の引き出し導体２１の一端はコンタクトホール導体１９の上端に接続されており、他端は内部端子電極２４ｄに接続されている。

薄膜コイル層１１の表層を構成する第４の絶縁層１５ｄ上には第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄがそれぞれ設けられている。第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄは外部端子電極であって、内部端子電極２４ａ〜２４ｄにそれぞれ接続されている。なお、本明細書において「バンプ電極」とは、フリップチップボンダーを用いてＣｕ，Ａｕ等の金属ボールを熱圧着することにより形成されるものとは異なり、めっき処理により形成された厚膜めっき電極を意味する。バンプ電極の厚さは、磁性樹脂層１３の厚さと同等かそれ以上であり、０．０２〜０．１ｍｍ程度とすることができる。すなわち、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの厚さは薄膜コイル層１１内の導体パターンよりも厚く、特に、薄膜コイル層１１内のスパイラル導体パターンの５倍以上の厚さを有している。

第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄの平面形状は実質的に同一である。この構成によれば、コイル部品１の底面のバンプ電極パターンが対称性を有しているので、実装の方向性に制約がなく見栄えの良い端子電極パターンを提供することができる。

第４の絶縁層１５ｄ上には第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄと共に磁性樹脂層１３が形成されている。磁性樹脂層１３はバンプ電極１２ａ〜１２ｄの周囲を埋めるように設けられている。磁性樹脂層１３と接するバンプ電極１２ａ〜１２ｄの側面は、エッジのない曲面形状であることが好ましい。磁性樹脂層１３は、バンプ電極１２ａ〜１２ｄを形成した後、複合フェライトのペーストを流し込むことにより形成されるが、このときバンプ電極１２ａ〜１２ｄの側面にエッジの効いたコーナー部があるとバンプ電極の周囲にペーストが完全に充填されず、気泡を含む状態となりやすい。しかし、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの側面が曲面である場合には、流動性のある樹脂が隅々まで行き渡るので、気泡を含まない緻密な磁性樹脂層１３を形成することができる。しかも、磁性樹脂層１３とバンプ電極１２ａ〜１２ｄとの密着性が高まるので、バンプ電極１２ａ〜１２ｄに対する補強性を高めることができる。

第２の絶縁層１５ｂには更に、第１〜第４の内部端子電極２４ａ〜２４ｄに対応する開口ｈａ〜ｈｄ及び第１のコンタクトホール導体１８に対応する開口ｈｅが設けられている。開口ｈａ〜ｈｅは、上下の導体層間の電気的接続を確保するために設けられるものである。第２の絶縁層１５ｂ上に形成された内部端子電極２４ａ〜２４ｄの一部は、その直下に設けられた第２の絶縁層１５ｂの開口ｈａ〜ｈｄの内部に埋め込まれており（図４（ｂ）参照）、これにより第１の絶縁層１５ａ上の内部端子電極２４ａ〜２４ｄと電気的に接続される。なお、第１の絶縁層１５ａには内部端子電極に対応する開口ｈａ〜ｈｄは設けられていない。

第３の絶縁層１５ｃには、開口ｈａ〜ｈｅに加えて、第２のコンタクトホール導体１９に対応する開口ｈｆがさらに設けられている。第３の絶縁層１５ｃ上に形成された内部端子電極２４ａ〜２４ｄの一部は、その直下に設けられた第３の絶縁層１５ｃの開口ｈａ〜ｈｄの内部に埋め込まれており（図４（ｂ）参照）、これにより第２の絶縁層１５ｂ上の内部端子電極２４ａ〜２４ｄと電気的に接続される。

第４の絶縁層１５ｄには開口ｈａ〜ｈｄが設けられているが、第１及び第２のコンタクトホール導体１８，１９に対応する開口ｈｅ，ｈｆは設けられていない。バンプ電極１２ａ〜１２ｄの一部は、第４の絶縁層１５ｄの開口ｈａ〜ｈｄの内部に埋め込まれており、これにより第３の絶縁層１５ｃ上の内部端子電極２４ａ〜２４ｄの上面は、第４の絶縁層１５ｄに形成された開口ｈａ〜ｈｄを介して対応するバンプ電極１２ａ〜１２ｄに接続される。

第２及び第３の絶縁層１５ｂ，１５ｃに形成される開口ｈａ〜ｈｄのサイズはその直下に形成される内部端子電極２４ａ〜２４ｄのサイズよりも一回り小さい。図３において、絶縁層１５ｂ〜１５ｄの各々に設けられた開口ｈａ〜ｈｄの周囲に形成された破線は、対応する内部端子電極２４ａ〜２４ｄの大きさ（投影面）を示すものである。図示のように、開口ｈａ〜ｈｄからは内部端子電極２４ａ〜２４ｄの上面だけが露出している。これに対し、第４の絶縁層１５ｄに形成される開口ｈａ〜ｈｄは、その直下に形成される内部端子電極２４ａ〜２４ｄの周縁（輪郭）よりも外側にはみ出した拡張部分を有する。そのため、開口ｈａ〜ｈｄから内部端子電極２４ａ〜２４ｄの上面のみならず、内部端子電極２４ａ〜２４ｄの側面も露出している。

図４は、バンプ電極１２ａ〜１２ｄと内部端子電極２４ａ〜２４ｄとの接続関係を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ'線に沿った略断面図である。

図４（ａ）に示すように、内部端子電極２４ａ〜２４ｄは、第４の絶縁層１５ｄに形成された開口ｈａ〜ｈｄから露出しており、一点鎖線で示すバンプ電極１２ａ〜１２ｄは、対応する内部端子電極２４ａ〜２４ｄを覆っている。図３と同様、破線は内部端子電極２４ａ〜２４ｄの実際のサイズを示しており、またハッチングは開口ｈａ〜ｈｄから露出している内部端子電極２４ａ〜２４ｄを示している。図示のように、例えば開口ｈａは、Ｙ方向の内側から外側（Ａ→Ａ'方向）に向かって延びてエッジまで達しており、内部端子電極２４ａの周縁よりも外側にはみ出している。なお、このような切り欠き形状も開口に含まれる。

これにより、図４（ｂ）に示すように、内部端子電極２４ａは、その上面ＴＳのみならずＸ方向と平行な側面ＳＳまでもが開口ｈａから露出した状態となる。つまり、第４の絶縁層１５ｄに形成された開口ｈａの底面は段差を有している。第２及び第３の絶縁層１５ｂ、１５ｃにそれぞれ形成された開口ｈａ〜ｈｄは、内部端子電極２４ａ〜２４ｄの上面のみが露出する小さな開口である。

このような開口ｈａの上方にバンプ電極１２ａを形成すると、バンプ電極１２ａの一部は開口ｈａの内部に埋め込まれ、バンプ電極１２ａは内部端子電極２４ａの上面ＴＳと側面ＳＳの両方に接するので、バンプ電極１２ａと内部端子電極２４ａとの接合強度を高めることができる。なお、内部端子電極２４ｂ〜２４ｄについても同様である。

バンプ電極１２ａ〜１２ｄは内部端子電極２４ａ〜２４ｄに比べると非常に大きな電極の塊であるため、熱膨張等の影響によって内部端子電極２４ａ〜２４ｄとの間に剥離を生じやすい。しかし、本実施形態によるコイル部品１は、絶縁層１５ｄの開口ｈａ〜ｈｄの内部に内部端子電極２４ａ〜２４ｄの上面ＴＳと側面ＳＳの両方が位置しており、バンプ電極２４ａ〜２４ｄは、対応する開口の内部において内部端子電極２４ａ〜２４ｄの上面と側面の両方に接しているので、バンプ電極と小さな内部端子電極との接合強度を向上させることができ、接続信頼性を高めることができる。

次に、コイル部品１の製造方法について詳細に説明する。コイル部品１の製造では、一枚の大きな磁性基板（磁性ウェハー）上に多数のコモンモードフィルタ素子（コイル導体パターン）を形成した後、各素子を個別に切断することにより多数のチップ部品を製造する量産プロセスが実施される。

図５は、コイル部品１の製造方法を示すフローチャートである。また、図６は、多数のコイル部品１が形成された磁性ウェハーの構成を示す略平面図である。

コイル部品１の製造ではまず磁性ウェハーを用意し、（ステップＳ１１）、磁性ウェハーの表面に多数のコモンモードフィルタ素子がレイアウトされた薄膜コイル層１１を形成する（ステップＳ１２）。

薄膜コイル層１１は、絶縁層を形成した後、絶縁層の表面に導体パターンを形成する工程を繰り返すことにより形成することができる。以下、薄膜コイル層１１の形成工程について詳細に説明する。

薄膜コイル層１１の形成では、まず絶縁層１５ａを形成した後、絶縁層１５ａ上に第１のスパイラル導体１６及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを形成する。次に、絶縁層１５ａ上に絶縁層１５ｂを形成した後、絶縁層１５ｂ上に第２のスパイラル導体１７及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを形成する。次に、絶縁層１５ｂ上に絶縁層１５ｃを形成した後、絶縁層１５ｃ上に第１及び第２の引き出し導体２０，２１及び内部端子電極２４ａ〜２４ｄを形成する。さらに絶縁層１５ｃ上に絶縁層１５ｄを形成する（図２参照）。

ここで、各絶縁層１５ａ〜１５ｄは、下地面に感光性樹脂をスピンコート、または感光性樹脂フィルムを貼り付けし、これを露光及び現像することにより形成することができる。特に、第１の絶縁層１５ａには開口ｈｇが形成され、第２の絶縁層１５ｂには開口ｈａ〜ｈｅ、ｈｇが形成され、第３の絶縁層１５ｃには開口ｈａ〜ｈｇが形成され、第４の絶縁層１５ｄには開口ｈａ〜ｈｄ及び開口ｈｇが形成される。また図６に示すように、第４の絶縁層１５ｄに形成される開口ｈａ〜ｈｄは、Ｙ方向に隣接する２つの素子に対して共通の開口ｈｈとして形成される。

導体パターンの材料にはＣｕを用いることが好ましい。導体パターンは蒸着法又はスパッタリング法により下地導体層を形成した後、その上にパターニングされたレジスト層を形成し、そこに電解めっきを施し、レジスト層及び不要な下地導体層を除去することにより形成することができる。直流抵抗を低減するため第１及び第２のスパイラル導体１６，１７のアスペクト比をさらに高くしたい場合には、レジスト層及び不要な導体層を除去した後、大電流による電解めっきを行えばよい。

このとき、コンタクトホール導体１８，１９を形成するための開口（貫通孔）ｈｅ，ｈｆの内部がめっき材料で埋められ、これによりコンタクトホール導体１８，１９が形成される。また、内部端子電極２４ａ〜２４ｂを形成するための開口ｈａ〜ｈｄの内部もめっき材料で埋められ、これにより内部端子電極２４ａ〜２４ｄが形成される。

次に、薄膜コイル層１１の表層である絶縁層１５ｄ上にバンプ電極１２ａ〜１２ｄの集合体であるバンプ電極１２を形成する（ステップＳ１３）。バンプ電極１２の形成方法は、まず絶縁層１５ｄの全面に下地導体層をスパッタリング法により形成する。下地導体層の材料としてはＣｕ等を用いることができる。その後、ドライフィルムを貼り付け、露光及び現像することにより、バンプ電極１２ａ〜１２ｄ及び第１及び第２の引き出し導体２０，２１を形成すべき位置にあるドライフィルムを選択的に除去してドライフィルム層を形成し、下地導体層を露出する。なお、バンプ電極の形成はドライフィルムを用いた方法に限定するものではない。

さらに電解めっきを行い、下地導体層の露出部分を成長させることにより、肉厚なバンプ電極１２ａ〜１２ｄの集合体を形成する。このとき、絶縁層１５ｄに形成された開口ｈａ〜ｈｄの内部がめっき材料で埋められ、これによりバンプ電極１２ａ〜１２ｄと内部端子電極２４ａ〜２４ｄとが電気的に接続される。

その後、ドライフィルム層を除去し、全面をエッチングして不要な下地導体層を除去することにより、略柱状のバンプ電極１２が完成する。このとき、図６に示すように、略柱状のバンプ電極１２は、Ｘ方向及びＹ方向に隣接する４つのチップ部品に共通の電極として形成される。バンプ電極１２は後述のダイシングによって４分割され、これにより各素子に対応する個別のバンプ電極１２ａ〜１２ｄが形成される。

次に、バンプ電極１２が形成された磁性ウェハー上に複合フェライトのペーストを充填し、硬化させて、磁性樹脂層１３を形成する（ステップＳ１４）。また、複合フェライトのペーストを開口ｈｇの内部にも充填することにより、スルーホール磁性体１４を同時に形成する。このとき、磁性樹脂層１３を確実に形成するため多量のペーストが充填され、これによりバンプ電極１２は磁性樹脂層１３内に埋没した状態となる。そのため、バンプ電極１２の上面が露出するまで磁性樹脂層１３を研磨して所定の厚さにすると共に表面を平滑化する（ステップＳ１５）。さらに、磁性ウェハーについても所定の厚さとなるように研磨する（ステップＳ１５）。

その後、磁性ウェハーのダイシングによって各コモンモードフィルタ素子を個片化（チップ化）する（ステップＳ１６）。このとき、図６に示すように、Ｘ方向に延びる切断ラインＤ１及びＹ方向に延びる切断ラインＤ２はバンプ電極１２の中央を通過し、得られたバンプ電極１２ａ〜１２ｄの切断面は、コイル部品１の側面に露出することになる。バンプ電極１２ａ〜１２ｄの２つの側面は実装時において半田フィレットの形成面となるので、半田実装時の固着強度を高めることができる。なお、側面を使用しない実装形態（ＬＧＡなど）もあり、バンプの形状は実装に応じたものとして良い。

次に、チップ部品のバレル研磨を行ってエッジを除去した後（ステップＳ１７）、電気めっきを行い（ステップＳ１８）、これにより図１に示すバンプ電極１２ａ〜１２ｄが完成する。このように、チップ部品の外表面をバレル研磨することによりチップ欠け等の破損が生じにくいコイル部品を製造することができる。また、チップ部品の外周面に露出するバンプ電極１２ａ〜１２ｄの表面をめっき処理するため、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの表面を平滑面とすることができる。

以上説明したように、本実施形態によるコイル部品１の製造方法によれば、絶縁層に形成された開口を通じて互いに接続される第１の端子電極と第２の端子電極との接合強度を向上させることが可能な小型の電子部品を簡易且つ低コストで製造することができる。また、外部電極端子であるバンプ電極１２ａ〜１２ｄの周囲に磁性樹脂層１３を形成しているので、バンプ電極１２ａ〜１２ｄを補強することができ、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの剥離等を防止することができる。また、本実施形態によるコイル部品１の製造方法は、バンプ電極１２ａ〜１２ｄをめっきにより形成しているので、例えばスパッタリングで形成する場合よりも加工精度の高く安定した外部端子電極を提供することができる。さらに、工数の削減及び低コスト化を図ることができる。

図７（ａ）〜（ｄ）は、絶縁層１５ｄに形成される開口ｈａ〜ｈｄの形状の変形例を示す平面図である。

図７（ａ）に示す絶縁層１５ｄの開口ｈａ〜ｈｄは、Ｙ方向ではなくＸ方向に開口の拡張部分が設けられた構造である。そのため、各開口ｈａ〜ｈｄにはＹ方向と平行な側面が露出している。この構造によれば、図４に示した開口ｈａ〜ｈｄと同様に、バンプ電極１２ａ〜１２ｄと内部端子電極２４ａ〜２４ｄとの接合強度を向上させることができる。

図７（ｂ）に示す開口パターンは、Ｘ方向とＹ方向の両方に開口の拡張部分が設けられた構造であり、図４（ａ）の開口パターンと図７（ａ）の開口パターンとの単純な合成パターンである。そのため、各開口からはＸ方向と平行な側面とＹ方向と平行な側面の両方が露出している。また、図７（ｃ）は、図７（ｂ）の領域を含むコーナー全体に大きな開口を形成したものである。そのため、各開口からはＸ方向と平行な側面とＹ方向と平行な側面の両方が露出している。この構造によれば、バンプ電極１２ａ〜１２ｄと内部端子電極２４ａ〜２４ｄとの接合強度をさらに向上させることができる。

図７（ｄ）に示す開口パターンは、Ｘ方向とＹ方向の両方に開口の拡張部分が設けられた構造であり、図７（ｃ）よりもさらに広げたものである。図７（ｃ）では、拡張部分が絶縁層の外側（外周側）に広がっているだけであるが、図７（ｄ）では、絶縁層の外側と内側の両方に広がっている。この構造によれば、内部端子電極の側面全体が露出することになるので、バンプ電極と内部端子電極との接合強度をさらに向上させることができる。

図８は、本発明の第２の実施の形態によるコイル部品の構造であって、各層を分解して示す平面図である。また、図９は、コイル部品２の一部断面図であって、図４（ａ）のＡ−Ａ'線に沿った図に対応するものである。

図８に示すように、本実施形態によるコイル部品２の特徴は、第４の絶縁層１５ｄのみならず第２及び第３の絶縁層１５ｂ，１５ｃにも大きな開口ｈａ〜ｈｄが設けられている点にある。

図９に示すように、バンプ電極１２ａは絶縁層１５ｂ〜１５ｄの各々に形成されて積層方向に連続する開口ｈａ〜ｈｄ内に深く埋め込まれ、絶縁層１５ｃ上に形成された内部端子電極２４ａの上面ＴＳおよび側面ＳＳ１のみならず、絶縁層１５ｂ上に形成された内部端子電極２４ａの側面ＳＳ２並びに絶縁層１５ａ上に形成された内部端子電極２４ａの側面ＳＳ３に接しているので、バンプ電極１２ａと内部端子電極２４ａとの接合強度をさらに向上させることができる。

本発明は、以上の実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能であり、それらも本発明に包含されるものであることは言うまでもない。

例えば、上記実施形態においては、バンプ電極の周囲に磁性樹脂層を充填しているが、本発明においては、磁性樹脂層に限定されず、磁性のない単なる絶縁体層であってもよい。また、スルーホール磁性体１４を省略することも可能である。

また、上記実施形態においては、内部端子電極と接続される外部端子電極としてバンプ電極１２ａ〜１２ｄを例に挙げたが、本発明はバンプ電極に限定されるものではなく、他の形状又は構造を有する外部端子電極を対象としてもよい。さらには、内部端子電極と外部端子電極との関係に限定されず、内部端子電極同士の接続に適用してもよい。また、コイル導体の形状もスパイラルパターンに限定されず、種々の平面コイルパターンを対象とすることができる。

また、上記実施形態においては、絶縁層１５ａ〜１５ｄからなる３導体層構造の薄膜コイル層１１を例に挙げたが、本発明において絶縁層の積層数はいくつであってもよく、３導体層構造に限定されない。また、上記実施形態においては、コイル部品としてコモンモードフィルタを例に挙げたが、本発明はコモンモードフィルタに限定されるものではなく、他の種々のコイル部品に適用可能であり、さらにはコイル部品以外の種々の電子部品に適用可能である。

１ コイル部品（電子部品）
１０ 基板
１０ａ〜１０ｄ 側面
１１ 薄膜コイル層
１２、１２ａ〜１２ｄ バンプ電極（外部端子電極）
１３ 磁性樹脂層
１４ スルーホール磁性体
１５ａ〜１５ｄ 絶縁層
１６ スパイラル導体
１６ａ 内周端
１６ｂ 外周端
１７ スパイラル導体
１７ａ 内周端
１７ｂ 外周端
１８，１９ コンタクトホール導体
２０，２１ 引き出し導体
２４ａ〜２４ｄ 内部端子電極
ｈａ〜ｈｇ 開口
ＳＳ，ＳＳ１〜ＳＳ３ 内部端子電極の側面
ＴＳ 内部端子電極の上面

Claims (13)

1. 第１の端子電極を含む導体層と、
   前記導体層を覆う絶縁層と、
   前記第１の端子電極の上面の少なくとも一部と側面の少なくとも一部とがその内部に位置するように前記絶縁層に形成された開口と、
   前記絶縁層上に設けられ、前記開口を通じて前記第１の端子電極の前記上面と前記側面の両方に接続された第２の端子電極とを備えることを特徴とする電子部品。
2. 前記開口は、平面視にて前記第１の端子電極の周縁よりも外側にはみ出した拡張部分を有する、請求項１に記載の電子部品。
3. 基板と、
   前記基板上に設けられ、前記導体層及び前記絶縁層を有する薄膜コイル層とをさらに備え、
   前記導体層は、前記第１の端子電極に接続された平面コイルパターンをさらに含み、
   前記第１の端子電極は、前記薄膜コイル層の内部端子電極であり、
   前記第２の端子電極は、前記薄膜コイル層の表面に設けられた外部端子電極である、請求項１又は２に記載の電子部品。
4. 前記内部端子電極は、前記基板の長手方向と平行な第１の側面と、前記長手方向と直交する第２の側面とを少なくとも１つずつ有し、前記第１及び第２の側面の少なくとも一方が前記開口の前記内部に位置している、請求項３に記載の電子部品。
5. 前記第１及び第２の側面の両方が前記開口の前記内部に位置している、請求項４に記載の電子部品。
6. 前記薄膜コイル層は、前記導体層と前記絶縁層とを交互に複数回積層してなる積層構造を有し、
   前記複数の絶縁層のうち最上層の絶縁層に形成された開口は、当該開口に対応する第１の端子電極の前記上面と前記側面の両方がその内部に位置するように形成されている、請求項３乃至５のいずれか一項に記載の電子部品。
7. 前記薄膜コイル層は、前記導体層と前記絶縁層とを交互に複数回積層してなる積層構造を有し、
   前記複数の絶縁層の各々に形成されたすべての開口は、当該開口に対応する第１の端子電極の前記上面と前記側面の両方がその内部に位置するように形成されている、請求項３乃至５のいずれか一項に記載の電子部品。
8. 第１の端子電極を含む導体層を形成する工程と、
   前記導体層を覆う絶縁層を形成する工程と、
   前記第１の端子電極の上面の少なくとも一部と側面の少なくとも一部とが露出するように前記絶縁層に開口を形成する工程と、
   前記絶縁層上に第２の端子電極を設けると共に、前記開口を通じて前記第２の端子電極を前記第１の端子電極の前記上面と前記側面の両方に接続させる工程とを備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
9. 基板上に平面コイルパターンを含む薄膜コイル層を形成する工程と、
   前記薄膜コイル層上に外部端子電極を形成する工程とを備え、
   前記薄膜コイル層を形成する工程は、前記導体層、前記絶縁層及び前記開口を形成する工程とを含み、
   前記第１の端子電極は、前記平面コイルパターンに接続された内部端子電極であり、
   前記第２の端子電極は、前記外部端子電極である、請求項８に記載の電子部品の製造方法。
10. 基板と、
    前記基板上に設けられた薄膜コイル層と、
    前記薄膜コイル層の上面に設けられた外部端子電極とを備え、
    前記薄膜コイル層は、
    平面コイルパターン及び第１の内部端子電極を含む第１の導体層と、
    前記第１の導体層を覆う第１の絶縁層と、
    前記第１の内部端子電極の少なくとも上面がその内部に位置するように前記第１の絶縁層に形成された第１の開口と、
    前記第１の絶縁層上に設けられ、前記第１の開口を通じて前記第１の内部端子電極の上面に接続された第２の内部端子電極を含む第２の導体層と、
    前記第２の導体層を覆う第２の絶縁層と、
    前記第２の内部端子電極の上面と側面の両方がその内部に位置するように前記第２の絶縁層に形成された第２の開口とを備え、
    前記外部端子電極は、前記第２の絶縁層上に設けられ、前記第２の開口を通じて前記第２の内部端子電極の前記上面と前記側面の両方に接続されていることを特徴とする電子部品。
11. 前記第１の開口は、前記第１の内部端子電極の側面をもその内部に位置させており、前記外部端子電極は、前記第２及び第１の開口を通じて前記第１の内部端子電極の前記側面に接続されている、請求項１０に記載の電子部品。
12. 前記平面コイルパターンはスパイラル導体であり、該スパイラル導体の外周端は、前記第１の内部端子電極に接続されている、請求項１０又は１１に記載の電子部品。
13. 前記平面コイルパターンはスパイラル導体であり、前記薄膜コイル層は、前記第２の導体層に設けられた引き出し導体と、前記第１の絶縁層を貫通するスルーホール導体とをさらに含み、前記引き出し導体の一端は前記第２の内部端子電極に接続され、前記引き出し導体の他端は前記スルーホール導体を介して前記スパイラル導体の内周端に接続されている、請求項１０又は１１に記載の電子部品。

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