WO2004018587A1

WO2004018587A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びアントラセン誘導体

Info

Publication number: WO2004018587A1
Application number: PCT/JP2003/010402
Authority: WO
Inventors: Hidetsugu Ikeda; Motohisa Ido; Masakazu Funahashi
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2002-08-23
Filing date: 2003-08-18
Publication date: 2004-03-04
Anticipated expiration: 2005-02-23
Also published as: US8785006B2; EP1553154B2; JP4448872B2; ATE555182T1; EP2261302A1; US20170125687A1; EP2145937B1; CN1678711A; EP1553154A4; KR100946476B1; TW200408303A; US20110034744A1; US8318324B2; DE60330696D1; JP2008007785A; JP2008235917A; EP1553154A1; JP4864931B2; US20120235561A1; TWI284485B

Abstract

陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、特定構造のアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに非対称型の特定構造を有するアントラセン誘導体であり、発光効率が高く、長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現するアントラセン誘導体を提供する。

Description

有機ェレクト口ルミネッセンス素子及ぴァントラセン誘導体

技術分野

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及びアントラセン誘導体に関し、さらに詳しくは、発光効率が高く長寿命な有機エレクト口ルミネッセンス素子明

、それを実現するアントラセン誘導体に関するものである。

田背景技術

有機エレクトロルミネッセンス素子 (以下エレクトロルミネッセンスを E と略記することがある）は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。ィ一ストマン 'コダック社の C . W. T a n gらによる積層型素子による低電圧駆動有機 E L素子の報告（C. W. Tang, S. A. Vansly ke, アプライドフィジックスレターズ (Appl ied Physics Letters) , 5 1卷、 9 1 3頁、 1 9 8 7年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機 E L素子に関する研究が盛んに行われている。 T a n gらは、トリス（8—ヒドロキシキノリノールアルミニウム）を発光層に、トリフヱニルジァミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機 E L素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の 2層型、または正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の 3層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。また、発光材料としてはトリス（8—キノリノラート）アルミニウム錯体等のキレ一ト錯体、クマリン誘導体、テトラフヱニルブタジエン誘導体、ビススチリルァリ一レン誘導体、ォキサジァゾ一ル誘導体等の発光材料が知られており、それらからは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が期待されている（例えば、特開平 8— 2 3 9 6 5 5号公報、特開平 7— 1 3 8 5 6 1号公報、特開平 3— 2 0 0 2 8 9号公報等）。また、発光材料としてフヱ二ルアントラセン誘導体を用いた素子が特開平 8— 0 1 2 6 0 0号公報に開示されている。.このようなアントラセン誘導体は青色発光材料として用いられるが、素子寿命を伸ばすことが望まれていた。また、アントラセンの 9 , 1 0位にフルオランテン基を有する素子材料が特開 2 0 0 1 - 2 5 7 0 7 4号公報に開示されている。このようなアントラセン誘導体も青色発光材料として用いられるが、やはり素子寿命の改善が求められていた。さらに、特開 2 0 0 0 _ 1 8 2 7 7 6号公報に種々のアントラセン誘導体を正孔輸送材料として用いることが開示されている。しかしながらその合成は実際にされておらず、発光材^ I·としての評価は未だ成されていなかった。発明の開示

本発明は、前記の課題を解決するためなされたもので、発光効率が高く、長寿命な有機 E L素子及びそれを実現するアントラセン誘導体を提供することを目的とする。

. 本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（ 1 ) 又は（ 2 ) で表される非対称型の特定構造を有するアントラセン構造を有する化合物を有機 E L素子の発光材料として用いると、発光効率が高く、寿命が長い有機 E L素子が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機 E L素子において、該有機薄膜層の少なくとも 1層が、下記一般式（ 1 ) 又は（ 2 ) で表されるアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機 E L素子を提供するものである。

(式中、 A rは置換もしくは無置換の核炭素数 1 0〜 5 0の縮合芳香族基である

A r ' は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族基である。

Xは、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0 のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 5 0のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5 〜 5 0のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリールチォ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。 a、 b及び cは、それぞれ 0〜4の整数である。

nは！〜 3の整数である。また、 nが 2以上の場合は、 [ ] 内の

は、同じでも異なっていてもよい。）

また、本発明は、下記一般式（ 2 ) で表されるアントラセン誘導体を提供するものである。

Xは、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0 のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6 ~ 5 0のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5 〜 5 0のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリールチォ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ基、トロ基、ヒドロキシル基である。 a及び bは、それぞれ 0〜4の整数である。

nは 1〜3の整数である。また、 nが 2以上の場合は、 [ ] 内の

は'、同じでも異なっていもよい。）発明を実施するための最良の形態

本発明の有機 E L素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機 E L素子において、該有機薄膜層の少なくとも 1層が、上記一般式（ 1 ) で表されるアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。

一般式（ 1 ) において、 A rは置換もしくは無置換の核炭素数 1 0〜 5 0の縮合芳香族基である。 '

この縮合芳香族基としては、例えば、 1—ナフチル基、 2 _ナフチル基、 1一アントリル基、 2—アントリル基、 9一アントリル基、 1ーフヱナントリル基、 2—フヱナントリル基、 3—フヱナントリル基、 4一フエナントリル基、 9 -フェナントリル基、 1一ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9—ナフタセニル基、 1ーピレニル基、 2—ピレニル基、 4ーピレニル基、 3—メチルー 2—ナフチル基、 4一メチル一 1—ナフチル基、 4 _メチル一 1—アントリル基等が挙げられる。

A rの縮合環芳香族基としては、下記の一般式

( A r , は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族基である。）から選ばれる基であると好ましい。

A r , としては、例えば、フエニル基、 1一ナフチル基、 2—ナフチル基、 1 一アントリル基、 2—アントリル基、 9一アントリル基、 1一フエナントリル基、 2—フヱナントリル基、 3—フヱナントリル基、 4—フエナントリル基、 9一フエナントリル基、 1 一ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9—ナフタセニル基、 1ーピレニル基、 2—ピレニル基、 4ーピレニル基、 2—ビフエ二ルイル基、 3—ビフエ二ルイル基、 4一ビフヱ二ルイル基、 p—夕一フヱニルー 4—ィル基、 p—ターフヱニルー 3—ィル基、 p—ターフヱニルー 2—ィル基、 m—夕一フエ二ルー 4ーィル基、 m—夕一フヱニルー 3—ィル基、 m—ターフヱニルー 2—ィル基、 0—トル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— t—ブチルフェニル基、 p _ ( 2—フヱニルプロピル）フエニル基、 3—メチル _ 2—ナフチル基、 4一メチル一 1 一ナフチル基、 4—メチル一 1 一アントリル基、 4 ' ーメチルビフエ二ルイル基、 4 " — tーブチルー p—ターフェ二ルー 4 _ィル基等が挙げられる。

一般式（ 1 ) において、 A r ' は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族基である。この芳香族基としては、フヱニル基、 1 _ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントリル基、 2—アントリル基、 9—アントリル基、 1 一フエナントリル基、 2—フヱナントリル基、 3—フエナントリル基、 4ーフヱナントリル基、 9ーフヱナントリル基、 1—ナフタセニル基、 2 _ナフタセニル基、 9 —ナフタセニル基、 i—ピレニル基、 2—ピレニル基、 4ーピレニル基、 2—ビフエ二ルイル基、 3 _ビフヱ二ルイル基、 4—ビフヱ二ルイル基、 p—ターフェ二ルー 4ーィル基、 p—ターフェ二ルー 3—ィル基、 p—ターフェ二ルー 2—ィル基、 m—ターフヱニル一 4ーィル基、 m—夕一フエ二ルー 3—ィル基、 m—夕 —フヱ二ルー 2—ィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— t ーブチルフヱニル基、 p— （ 2—フヱニルプロピル）フヱニル基、 3—メチルー 2—ナフチル基、 4ーメチルー 1 一ナフチル基、 4一メチル一 1 _アントリル基、 4，ーメチルビフエ二ルイル基、 4 " 一 tーブチルー p—ターフヱニルー 4一ィル基等が挙げられる。

これらのうち、特に、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 9—フヱナントリル基、 1 一ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9一ナフ夕セニル基、 1ーピレニル基、 2—ピレニル基、 4ーピレニル基、 2—ビフエ二ルイル基、 3—ビフエ二ルイル基、 4ービフエ二ルイル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— t—プチルフヱニル基等の核炭素数 1 0以上の置換もしくは無置換の芳香族基が好ましい。 '

一般式（ 1 ) において、 Xは、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0の芳香族複素環基、 '置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜5 0のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリ一ルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のカルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。

Xにおける置換もしくは無置換の芳香族基の例としては、フヱニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1 一アントリル基、 2—アントリル基、 9一アントリル基、 1—フエナントリル基、 2—フエナントリル基、 3—フヱナントリル基、 4—フエナントリル基、 9ーフヱナントリル基、 1 一ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9一ナフタセニル基、 1ーピレニル基、 2—ピレニル基、 4ーピレニル基、 2—ビフヱ二ルイル基、 3—ビフヱ二ルイル基、 4一ビフヱ二ルイル基、 p—タ一フヱニル一 4—ィル基、 p—夕一フヱニルー 3—ィル基、 p—夕一フエ二ルー 2—ィル基、 m—ターフヱニルー 4ーィル基、 m—ターフヱニルー 3 ーィル基、 m—ターフェ二ルー 2—ィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p - トリル基、 p— t—ブチルフヱニル基、 p— ( 2—フヱニルプロピル）フエニル基、 3—メチルー 2—ナフチル基、 4ーメチルー 1 —ナフチル基、 4ーメチルー 1 _アントリル基、 4，ーメチルビフエ二ルイル基、 4 " - t一ブチル _ p—夕一フヱニルー 4一ィル基等が挙げられる。

Xにおける置換もしくは無置換の芳香族複素環基の例としては、 1 一ピロリル基、 2—ピロリル基、 3 _ピロリル基、ピラジュル基、 2—ピリジニル基、 3— ピリジニル基、 4一ピリジニル基、 1 一インドリル基、 2—インドリル基、 3— インドリル基、 4 _インドリル基、 5—インドリル基、 6—インドリル基、 7— インドリル基、 1 一イソィンドリル基、 2—イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4一イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7—イソインドリル基、 2—フリル基、 3—フリル基、 2 _ベンゾフラニル基、 3—べンゾフラニル基、 4一べンゾフラニル基、 5—べンゾフラニル基、 6— ベンゾフラニル基、 7—べンゾフラニル基、 1 —イソべンゾフラニル基、 3—ィソベンゾフラニル基、 4 _イソべンゾフラニル基、 5—イソべンゾフラニル基、 6—ィソベンゾフラニル基、 7—イソベンゾフラニル基、キノリル基、 3—キノリル基、 4一キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8—キノリル基、 1—イソキノリル基、 3 _イソキノリル基、 4一イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6 _イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—イソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5 _キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1一力ルゾくゾリル基、 2 _カルノゾリル基、 3 —力ルノゾリル基、 4—力ルノゾリル基、 9一力ルノくゾリル基、 1 —フヱナンスリジニル基、 2—フヱナンスリジニル基、 3—フヱナンスリジニル基、 4一フエナンスリジニル基、 6—フェナンスリジニル基、 7 _フエナンスリジニル基、 8 _フエナンスリジニル基、 9ーフヱナンスリジニル基、 1 0—フヱナンスリジニル基、 1—アタリジニル基、 2一ァク.リジ.ニル基、 3—ァクリジニル基、 4—ァクリジニル基、 9一ァクリジニル基、 1 , 7—フヱナンスロリンー 1—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 4—ィル基、し 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 8 —フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 4—ィル基、 1 ， 8—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 6 _ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 7—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 , 9 一フエナンスロリン一

2—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 9—フエナンスロリンー 4—ィル基、 1， 9—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 1， 9—フヱナンス口リン一 6—ィル基、 1， 9 —フヱナンスロリン一 7—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 8—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 1 0 —フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 1 0—フエナンスロリン一 3—ィル基、

1 , 1 0—フヱナンスロリン一 4—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 5— ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 1ーィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一

3—ィル基、 2， 9 _フエナンスロリン一 4—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 9—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2， 9—フエナンス口リン一 7—ィル基、 2， 9—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2， 9—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン _ 1ーィル基、 2， 8— フエナンスロリン一 ·3—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 4ーィル基、 2 ,

8—フエナンスロリン _ 5—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 7—ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 9ーィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 1 ーィル基、 , 7—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン - 4ーィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 8 ίル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 9—ィル基、 2 , 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1—フエナジニル基、 2ーフヱナジュル基、 1ーフエノチアジニル基、 2—フエノチアジ二ル基、 3—フエノチアジニル基、 4 _フヱノチアジニル基、 1 0—フヱノチアジニル基、 1ーフヱノキサジニル基、 2—フヱノキサジニル基、 3 _フヱノキサジニル基、 4ーフヱノキサジニル基、 1 0—フヱノキサジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4一才キサゾリル基、 5—才キサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5 —ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3—チェニル基、 2—メチルピロ一ルー 1 —ィル基、 2—メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2—メチルピロ一ル一 4ーィル基、 2—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3—メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 4一ィル基、 3—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 2— t一ブチルピロ一ルー 4ーィル基、 3— （ 2—フヱニルプロピル）ピロ一ルー 1ーィル基、 2—メチル一 1ーィンドリル基、 4ーメチルー 1ーィンドリル基、 2ーメチルー 3ーィンドリル基、 4ーメチル一 3—ィンドリル基、 1一 t一ブチル 1一インドリル基、 4 _ tーブチル 1—ィンドリル基、 2— t—ブチル 3—インドリル基、 4一 t—ブチル 3— ィンドリル基等が挙げられる。

Xにおける置換もしくは無置換のアルキル基の例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s—ブチル基、イソブチル基、 t—ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—ヘプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1， 2—ジヒドロキシェチル基、 1， 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3—ジヒドロキシ一 t—ブチル基、 1， 2， 3 一トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1一クロ口ェチル基、 2 _クロ口ェチル基、 2 _クロ口イソブチル基、 1， 2—ジクロロェチル基、 1， 3—ジクロ口イソプロピル基、 2， 3—ジクロ口 _ t一ブチル基、 1 , 2， 3—トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、 1一ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1， 2 _ジブロ乇ェチル基、 1， 3—ジブ口モイソプ口ピル基、 2， 3—ジブ口モー t一ブチル基、 1 , 2， 3 _トリブロモプロピル基、ョ一ドメチル基、 1ーョードエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョードィソブチル基、 1， 2 _ジョードエチル基、 1， 3—ジョードイソプロピル基、 2 ， 3—ジョード一 t一ブチル基、 1 , 2， 3—トリョ一ドプロピル基、アミノメチル基、 1—アミノエチル基、 2—アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1， 2—ジアミノエチル基、 1， 3—ジァミノイソプロピル基、 2 , 3—ジアミノー t一ブチル基、 1 , 2， 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1一シァノエチル基、 2ーシァノエチル基、 2一シァノイソブチル基、 1 ， 2—ジシァノエチル基、 1 ， 3—ジシァノイソプロピル基、 2， 3—ジシァノー tーブチル基、 1 , 2， 3—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1—ニトロェチル基、 2—二トロェチル基、 2—ニトロイソブチル基、 1 , 2—ジニトロェチル基、 1， 3—ジニトロイソプロピル基、 2， 3—ジニトロ一 t一ブチル基、 1 ， 2 , 3—トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、 4—メチルシクロへキシル基、 1—ァダマンチル基、 2—ァダマンチル基、 1 _ノルボルニル基、 2 _ノルポルニル基等が挙げられる。

置換又は無置換のアルコキシ基は、一 OYで表される基であり、 Yの例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s—ブチル基、イソブチル基、 t一ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n— ヘプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1 , 2—ジヒドロキシェチル基、 1 , 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3—ジヒドロキシ一 t一ブチル基、 1 , 2 , 3 _トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1 _クロ口ェチル基、 2 _クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1 , 2—ジクロ口ェチル基、 1 , 3—ジクロ口イソプロピル基、 2 , 3—ジクロ口一 t一ブチル基、 1 ， 2 , 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 —ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1 , 2—ジブロ乇ェチル基、 1 , 3—ジブロモイソプロピル基、 2 , 3—ジブ口モー t一ブチル基、 1， 2 , 3 —トリブロモプロピル基、ョードメチル基、 1 —ョ一ドエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョ一ドイソブチル基、 1 , 2—ジョードエチル基、 1， 3—ジョ一ドイソプロピル基、 2 , 3—ジョ一ドー t一ブチル基、 1， 2， 3—トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1 一アミノエチル基、 2—アミノエチル基、 2— ァミノイソブチル基、 1， 2—ジアミノエチル基、 1 , 3—ジァミノイソプロピル基、 2， 3—ジァミノ一 t一ブチル基、 1， 1 , 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1， 2—ジシァノエチル基、 1， 3—ジシァノイソプロピル基、 2， 3 —ジシァノ一 t—ブチル基、 1 , 2， 3—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1一二トロェチル基、 2—二トロェチル基、 2—ニトロイソブチル基、 1， 2—ジニトロェチル基、 1， 3—ジニトロイソプロピル基、 2， 3—ジニトロ一 t _ブチル基、 1 , 2， 3—トリニトロプロピル基等が挙げられる。

置換又は無置換のァラルキル基の例としては、ベンジル基、 1 一フヱニルェチル基、 2—フヱニルェチル基、 1—フエニルイソプロピル基、 2—フエニルイソプロピル基、フエニル _ t一ブチル基、 α—ナフチルメチル基、 1— α—ナフチルェチル基、 2—α—ナフチルェチル基、 1 一 α—ナフチルイソプロピル基、 1 一 α—ナフチルイソプロピル基、 3—ナフチルメチル基、 I一 β—ナフチルェチル基、 2—) 8—ナフチルェチル基、 1 一一ナフチルイソプロピル基、 2 _ β— ナフチルイソプロピル基、 1 _ピロリルメチル基、 2— ( 1 —ピロリル）ェチル基、 ρ—メチルベンジル基、 m—メチルベンジル基、 0—メチルベンジル基、 p 一クロ口べンジル基、 m—クロ口べンジル基、 0—クロ口べンジル基、 p—ブロモベンジル基、 m—ブロモベンジル基、 0—ブロモベンジル基、 p—ョードベンジル基、 m—ョ一ドベンジル基、 0—ョードベンジル基、 p—ヒドロキシベンジル基、 m—ヒドロキシベンジル基、 0—ヒドロキシベンジル基、 p—ァミノベンジル基、 m—ァミノべンジル基、 0—ァミノべンジル基、 p—二トロベンジル基、 m—二トロべンジル基、 0 _ニトロべンジル基、 p—シァノベンジル基、 'm— シァノベンジル基、 0—シァノベンジル基、 1ーヒドロキシ一 2—フエニルイソプロピル基、 1—クロロー 2—フヱニルイソプロピル基等が挙げられる。

置換又は無置換のァリールォキシ基は、一 0 Y，と表され、 Υ，の例としてはフエニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1 一アントリル基、 2—アントリル基、 9一アントリル基、 1 一フエナントリル基、 2—フヱナントリル基、 3 ーフヱナン卜リル基、 4ーフヱナントリル基、 9一フエナントリル基、 1 一ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9—ナフタセニル基、 1—ピレニル基、 2 _ ピレニル基、 4ーピレニル基、 2—ビフヱ二ルイル基、 3 _ビフヱ二ルイル基、 4一ビフヱ二ルイル基、 p—ターフヱニル一 4—ィル基、 p—夕一フヱニルー 3 ーィル基、 p—ターフヱニル— 2—ィル基、 m—ターフヱニルー 4ーィル基、 m 一夕一フヱニルー 3—ィル基、 m—ターフヱニルーーィル基、 0—トリル基、 m—トリル基、 p—トリル基、 p— t—ブチルフヱニル基、 p— （ 2—フユニルプロピル）フヱニル基、 3—メチル一 2 _ナフチル基、 4ーメチルー 1—ナフチル基、 4—メチルー 1 一アントリル基、 4，ーメ,チルビフヱニルイル基、 4 " 一 t一ブチル _ p—ターフェ二ルー 4ーィル基、 2—ピロリル基、 3—ピロリル基、ビラジニル基、 2—ピリジニル基、 3 _ピリジニル基、 4一ピリジニル基、 2 一インドリル基、 3—インドリル基、 4一インドリル基、 5—インドリル基、 6 —インドリル基、 7—インドリル基、 1 一イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4—イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7—イソインドリル基、 2—フリル基、 3—フリル基、 2—べンゾフラニル基、 3—ベンゾフラニル基、 4—ベンゾフラニル基、 5—べンゾフラニル基、 6—べンゾフラニル基、 7—ベンゾフラニル基、 1 一イソベンゾフラニル基、 3—イソベンゾフラニル基、 4ーィソベンゾフラニル基、 5 _イソべンゾフラニル基、 6 一イソべンゾフラニル基、 7—イソべンゾフラニル基、 2—キノリル基、 3—キノリル基、 4—キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8—キノリル基、 1 _イソキノリル基、 3 —イソキノリル基、 4—イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—ィソキノリル基、 2 一キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6一キノキサリニル基、 1 一カルメゾリル基、 2—力ルノゾリル基、 3—力ルノゾリル基、 4 - カルバゾリル基、 1ーフヱナンスリジニル基、 2—フヱナンスリジニル基、 3― フエナンスリジニル基、 4—フヱナンスリジニル基、 6—フエナンスリジニル基、 7—フエナンスリジニル基、 8—フエナンスリジニル基、 9一フエナンスリジニル基、 1 0 —フヱナンスリジニル基、 1 一ァクリジニル基、 2—ァクリジニル基、 3—アタリジニル基、 4—ァクリジニル基、 9一アタリジニル基、 1 , 7— フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 7—フエナンスロリン一 4—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 5—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 9—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 1 0 —ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1， 8—フヱナンスロリン — 3—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 4ーィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 5—ィル基、 I， 8—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 7—ィル基、 1 , 8—フエナンスロリン一 9—ィル基、 1， 8 _フエナンスロリン一 1 0—ィル基、し 9—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1， 9 —フエナンスロリン一 3—ィル基、 1， 9—フエナンスロリン一 4 Oレ基、 1 ， 9ーフヱナンスロリン一 5—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 9ーフヱナンスロリン _ 7—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン _ 8 ( ル基、 1， 9—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 1 0—フヱナンスロリン — 2—ィル基、 1 , 1 0 _フエナンスロリン一 3—^ f ル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 4ーィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 1 —ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 9 —フエナンスロリン一 4—ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 9一フエナンスロリン一 6—ィル基、 2 , 9ーフヱナンスロリン一 7—ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 1 0— ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 1—ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 4—ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2， 8 _フエナンス口リン一 7—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 9ーィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 1ーィル基、 2 , 7— フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 4—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 8—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 9ーィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 1 0—ィル基、 1—フヱナジニル基、 2—フエナジニル基、 1—フヱノチアジニル基、 2—フエノチアジニル基、 3—₃フヱノチアジニル基、 4一フヱノチアジニル基、 1—フエノキサジニル基、 2—フエノキサジニル基、 3—フヱノキサジニル基、 4ーフヱノキサジニル基、 2—才キサゾリル基、 4一才キサゾリル基、 5—才キサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5 _ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3 _チェニル基、 2—メチルピロール一 1—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2—メチルピロ一ルー 4ーィル基、 2—メチルビロール一 5—^ fル基、 3—メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3—メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3—メチルピロ一ルー 4 —ィル基、 3—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 2— t—ブチルビロール一 4ーィル基、 3— （ 2—フヱニルプロピル）ピロ一ルー 1 fル基、 2—メチル一 1— ィンドリル基、 4—メチルー 1 —インドリル基、 1 -メチル一 3 —インドリル基、 4—メチル一 3—ィンドリル基、 2— t一ブチル 1ーィンドリル基、 4一 t一ブチル 1ーィンドリル基、 2— t—ブチル 3—ィンドリル基、 4 一 t—ブチル 3 一インドリル基等が挙げられる。

置換又は無置換のァリールチオ基は、一 S Y" と表され、 Y" の例としてはフェニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1 —アン卜リル基、 2一アン卜リル基、 9—アントリル基、 1ーフヱナントリル基、 2—フエナントリル基、 3— フエナントリル基、 4—フヱナントリル基、 9ーフヱナントリル基、 1—ナフタセニル基、 2—ナフタセニル基、 9—ナフタセニル基、 1—ピレニル基、 2—ピレニル基、 4—ピレニル基、 2—ビフエ二ルイル基、 3—ビフヱ二ルイル基、 4 ービフエ二ルイル基、 p—夕一フエ二ルー 4—ィル基、 p—夕一フヱニルー 3— ィル基、 p—夕一フヱニルー 2—ィル基、 m—夕一フヱニルー 4ーィル基、 m— タ一フヱニル _ 3—ィル基、 m—タ一フヱニル一 2—ィル基、 0—トリル棊、 m 一トリル基、 p—トリル基、 p— t—ブチルフヱニル基、 p— ( 2—フヱニルプ口ピル）フエニル基、 3—メチルー 2—ナフチル基、 4—メチル一 1 一ナフチノ。レ基、 4一メチル一 1 一アントリル基、 ' 4 ' —メチルビフエ二ルイル基、 4 " 一 t ーブチルー p—ターフヱニル— 4ーィル基、 2 _ピロリル基、 3—ピロリル基、ビラジニル基、 2—ピリジニル基、 3—ピリジニル基、 4一ピリジニル基、 2— インドリル基、 3—インドリル基、 4—インドリル基、 5—インドリル基、 6— ィンドリル基、 7—インドリル基、 1 一イソインドリル基、 3 _イソインドリル基、 4一イソインドリル基、 5—^ f ソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7 —イソインドリル基、 2—フリル基、 3—フリル基、 2—ベンゾフラニル基、 3 一べンゾフラニル基、 4 _ベンゾフラニル基、 5—ベンゾフラニル基、 6 _ベンゾフラニル基、 7—べンゾフラニル基、 1 一イソべンゾフラニル基、 3—イソべンゾフラニル基、 4一イソべンゾフラニル基、 5—イソべンゾフラニル基、 6— ィソベンゾフラニル基、 7 _イソべンゾフラニル基、 2—キノリル基、 3—キノリル基、 4一キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8 _キノリル基、 1 一イソキノリル基、 3—イソキノリル基、 4一イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—イソキノリル基、 2—キノキサリニル基、 5—キノキサリニル基、 6—キノキサリニル基、 1一力ルノくゾリル基、 2—カル/ ゾリル基、 3—カル/くゾリル基、 4—力ルバゾリル基、 1ーフヱナンスリジニル基、 2—フヱナンスリジニル基、 3 - 7 ェナンスリジニル基、 4—フエナンスリジニル基、 6—フエナンスリジニル基、 7—フヱナンスリジニル基、 8—フエナンスリジニル基、 9—フヱナンスリジ二ル基、 1 0—フエナンスリジニル基、 1 一アタリジニル基、 2 _ァクリジニル基、 3—アタリジニル基、 4—アタリジニル基、 9一ァクリジニル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 2—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン— 3—ィル基、 1， 7 一フエナンスロリン _ 4—ィル基、 1， 7—フヱナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 7 _フエナンスロリン一 6—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン _ 8—ィル基、 1， 7—フエナンスロリン一 9ーィル基、 1， 7 _フエナンスロリン一 1 0— ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 2—ィル基、 1 , 8—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 8—フヱナンスロリン _ 4ーィル基、 1 , 8—フエナンスロリンー 5—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 6 —ィル基、 1， 8—フエナンス口リン一 7—ィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 9ーィル基、 1， 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン— 2—ィル基、 1 , 9 _ フエナンスロリン一 3—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 4ーィル基、 1 , 9一フエナンスロリン一 5—ィル基、 1 , 9一フエナンスロリン一 6—ィル基、 1 , 9一フエナンスロリン一 7—ィル基、 1 , 9—フエナンスロリン一 8—ィル基、 1， 9一フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 2ーィル基、 1 , 1 0—フヱナンスロリン一 3—ィル基、 1， 1 0—フエナンス口リン一 4ーィル基、 1， 1 0—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 9—フエナンスロリン一 1 —ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 3—ィル基、 2， 9 - フエナンスロリン一 4—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 5—ィル基、 2， 9一フエナンスロリン一 6—ィル基、 2， 9—フヱナンスロリン一 7—ィル基、 2 , 9—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2， 9 —フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 1ーィル基、 2， 8 _フエナンスロリン一 3 —ィル基、 2 , 8—フエナンスロリン一 4ーィル基、 1 , 8—フエナンスロリン — 5—ィル基、 2 , 8—フヱナンスロリン一 6—ィル基、 2， 8—フヱナンスロリン一 7—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 9—ィル基、 2， 8—フエナンスロリン一 1 0—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 1 —ィル基、 2 , 7 - 7 ヱナンスロリン一 3—ィル基、 2， 7—フヱナンスロリン一 4ーィル基、 2， 7 —フエナンスロリン一 5—ィル基、 2 , 7—フエナンスロリン一 6—ィル基、 2 ， 7—フエナンスロリン一 8—ィル基、 2， 7—フエナンスロリン一 9 Tル基、 2 , 7—フヱナンスロリン _ 1 0—ィル基、 1 一フエナジニル基、 2—フヱナジニル基、 1 一フヱノチアジニル基、 2—フヱノチアジニル基、 3—フヱノチアジニル基、 4一フヱノチアジニル基、 1ーフヱノキサジニル基、 2—フヱノキサジニル基、 3—フヱノキサジニル基、 4一フエノキサジニル基、一才キサゾリル基、 4一才キサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2—ォキサジァゾリル基、 5 一ォキサジァゾリル基、 3—フラザニル基、 2—チェニル基、 3 _チェニル基、 2—メチルピロ一ルー 1 —ィル基、 2—メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2—メチルビロール一 4ーィル基、 2—メチルビロール一 5—ィル基、 3—メチルピロ一ル— 1ーィル基、 3—メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3—メチルピロ一ル一 4— ィル基、 3—メチルピロ一ルー 5—ィル基、 2— t—ブチルピロ一ルー 4ーィル基、 3— （ 2—フエニルプロピル）ピロ一ルー 1ーィル基、 2—メチルー 1ーィンドリル基、 4ーメチルー 1 一^ Tンドリル基、 2—メチル— 3—インドリル基、 4—メチルー 3—インドリル基、 2一 t一ブチル 1—ィンドリル基、 4— t—ブチル 1 一インドリル基、 2 - t一ブチル 3—インドリル基、 4 - t—ブチル 3— ィンドリル基等が挙げられる。

置換又は無置換のアルコキシカルボ二ル基は一 C 0 0 Zと表され、 Zの例としてはメチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n—ブチル基、 s—ブチル基、イソブチル基、 t一ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n— ヘプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1， 2—ジヒドロキシェチル基、 1， 3—ジヒドロキシイソプロピル基、 2， 3—ジヒドロキシ一 t一プチル基、 1， 2， 3 _トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1—クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1 , 2—ジクロ口ェチル基、 1， 3 —ジクロロイソプロピル基、 2 , 3—ジクロ口一 t _ブチル基、 1， 2， 3—トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1， 2 _ジブロモェチル基、 1 , 3 —ジブロモイソプロピル基、 2， 3—ジブ口モー t一ブチル基、 1， 2， 3 —トリブロモプロピル基、ョードメチル基、 1ーョードエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1 , 2—ジョ一ドエチル基、 1， 3 —ジョードィソプロピル基、 2， 3—ジョ一ド _ t—プチル基、 1， 2 , 3—トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1 一アミノエチル基、 2—アミノエチル基、 2— ァミノイソブチル基、 1， 2—ジアミノエチル基、 1， 3—ジァミノイソプロピル基、 2 , 3—ジァミノ一 t一ブチル基、 1 , 2 , 3—トリアミノプロピル基、シァノメチル基、 1—シァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1 , 2—ジシァノエチル基、 1 , 3—ジシァノイソプロピル基、 2， 3 —ジシァノ一 t一プチル基、 1， 2， 3—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1一二トロェチル基、 2—ニトロェチル基、 2 _ニトロイソブチル基、 1 , 2—ジニトロェチル基、 1 , 3—ジニトロイソプロピル基、 2， 3—ジニトロ一 t一ブチル基、 1 , 2 , 3—トリニトロプロピル基等が挙げられる。

また、環を形成する 2価基の例としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、へキサメチレン基、ジフエニルメタン一 2， 2 ' 一ジィル基、ジフヱニルェタン一 3， 3，一ジィル基、ジフヱニルプロパン一 4， 4，一ジィル基等が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。

—般式（ 1 ) において、 a、 b及び cは、それぞれ 0〜4の整数であり、 0〜

1であると好ましい。

nは 1〜3の整数である。また nが 2以上の場合は、 [ ] 内の基は、同じでも異なっていてもよい。

前記 A r、 A r ' 及び Xが示す基における置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シァノ基、アルキル基、ァリ一ル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族複素環基、ァラルキル基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシル基などが挙げられる。本発明の一般式（ 1 ) で表されるアントラセン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。なお、 Meはメチル基、 Buはブチル基を示す。

また、一般式（ 1 ) で表されるアントラセン誘導体において、 Ar及び Ar' が共にナフチル基であり、かつ _a = b = c = 0のものが最も好ましい。

ΐ ζ

Z0l70l0/C00idr/X3d .8S8l0/tO0i OAV z z

ZOtO蒙 OOZdf/ェ:) d ■8S8請 OOZ OAV ε ι

zoto蒙 OOZdf/ェ:) d ■8S8請 OOZ OAV

r01-0I0/£00Zdf/13d Ζ.8ί810/^00Ζ OAV 9 Z

Z0tOT0/C00Zdf/X3d

■8S8請 OOZ ΟΛ\

zoto蒙 OOZdf/ェ:) d ■8S8請 OOZ OAV 本発明の上記一般式（ 2 ) で表されるアントラセン誘導体は、上記一般式（ 1 ) に含まれるもののうち、新規な化合物である。

一般式（ 2 ) において、 A rは置換もしくは無置換の核炭素数 1 0〜 5 0の縮合芳香族基である。

一般式（ 2 ) において、 A r ' は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族基である。

一般式（ 2 ) において、は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 5 0のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリ一ルチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒド口キシル基である。，

これら、 A r、 A r ' 及び Xが示す各基の具体例は、前記一般式（ 1 ) にて例示したものと同様である。

また、前記 A r、 A r ' 及び Xが示す基における置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、シァノ基、アルキル基、ァリール基、シクロアルキル基、アルコキシ基、芳香族複素環基、ァラルキル基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシル基などが挙げられる。

一般式（ 2 ) において、 a及び bは、それぞれ 0〜4の整数であり、 0〜 1であると好ましい。

本発明の一般式（ 2 ) で表されるアントラセン誘導体の具体例としては、前記一般式 U ) の具体例のうち、（AN 1 ) 〜（AN4) 、（AN 7) 〜（AN 1 4) 、（AN 1 7) 〜（AN 24) 、（ AN 2 7 ) 〜（ AN 36 ) 、 (AN 3 9 ) 〜 (AN 4.3 ) 及び（AN 46 ) ~ (AN 4 8 ) が挙げられるが、それらの例示化合物に限定されるものではない。

また、本発明の一般式（2) で表されるアントラセン誘導体は、有機 EL素子用材料として用いられると好ましい。

本発明の有機 EL素子に用いる一般式（ 1 ) もしくは（2) のアントラセン誘導体は、市販のァリ一ルポ口ン酸もしくは既知の方法により合成したァリ一ルポロン酸又はその誘導体とハロゲン化アントラセン誘導体を出発原料として、鈴木力ップリング反応 ·ハロゲン化反応 ·ホウ酸化反応を適宜組み合わせて、合成することができる。以下にその合成スキームを示す。

震；.

R¹, R²：水酸基または

R¹, R²は結合して環を

鈴木カップリング反応は、これまでに数多くの報告 (Chem. Rev. , Vo l. 95, No. 7, 2457 ( 1995) 等）がなされており、これらに記載の反応条件で実施することができる。

反応は、通常、常圧下、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性雰囲気下で実施されるが、必要に応じて加圧条件下に実施することも出来る。反応温度は 1 5〜 3 0 0 °Cの範囲であるが、特に好ましくは 3 0〜2 0 0 °Cである。

反応溶媒としては、水、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、 1 , 2—ジメトキシェタン、ジェチルエーテル、メチル一 t _ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジォキサン等のェ一テル類、ペンタン、へキサン、ヘプタン、オクタン、シクロへキサン等の飽和炭化水素類、ジクロロメタン、クロ口ホルム、四塩化炭素、 1， 2—ジクロロエタン、 1 , 1， 1—トリクロロェタンなどのハロゲン類、ァセトニトリル、ベンゾニトリル等の二トリル類、酢酸ェチル、酢酸メチル、酢酸ブチル等のエステル類、 N， N—ジメチルホルムアミド、 N , N—ジメチルァセトアミド、 N—メチルピロリドン等のアミド類などを単一又は混合して使用することができる。これらの中で、好ましくは、トルエン、 1 ， 2 ·—ジメトキシェタン、ジォキサン、水である。溶媒の使用量はァリールポロン酸又はその誘導体に対して、通常 3〜 5 0重量倍、好ましくは 4〜 2 0重量倍である。

反応に用いる塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸力リウム、水酸化ナトリウム水酸化力リウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素力リゥム、炭酸マグネシゥム、、炭酸リチウム、ふつ化カリウム、フッ化セシウム、塩化セシウム、臭化セシウム、炭酸セシウム、リン酸カリウム、メトキシナトリウム、 t—ブトキシカリウム、 t—ブトキシナトリウム、 t一ブトキシリチウム等が挙げられ、好ましくは炭酸ナ卜リウムである。これらの塩基の使用量は、ァリ一ルポ口ン酸又はその誘導体に対して、通常 0 . 7〜 1 0モル当量、好ましくは 0 . 9〜6モル当量である。反応に用いる触媒としては、例えば、テトラキス（トリフヱニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフエニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ [ ビス（ジフエニルホスフイノ）ェタン] パラジウム、ジクロロ [ ビス（ジフエ二ルホスフイノ）フ°口パン] パラジウム、ジクロロ [ ビス（ジフエニルホスフイノ ) ブタン] パラジウム、、ジクロロ [ ビス（ジフエニルホスフイノ）フエ口セン ] パラジウム等のパラジウム触媒、テトラキス（トリフヱニルホスフィン）ニッゲル、ジクロロビス（トリフエニルホスフィン）ニッケル、ジクロロ [ ビス（ジフエニルホスフイノ）ェタン] ニッケル、ジクロロ [ ビス（ジフエニルホスフィノ）フ。ロノン] ニッケル、ジクロロ [ ビス（ジフヱニルホスフイノ）ブタン] 二ッゲル、、ジクロロ [ ビス（ジフエニルホスフイノ）フエ口セン] ニッケル等のニッケル触媒等が挙げられ、好ましくはテトラキス（トリフヱニルホスフィン）パラジウムである。これらの触媒の使用量はハロゲン化アントラセン誘導体に対して、通常 0 . 0 0 1〜 1モル当量、好ましくは 0 . 0 1〜0 . 1モル当量である。

ハロゲン化アントラセン誘導体のハロゲンとしては、例えば、ヨウ素原子、臭素原子、塩素原子等が挙げられ、好ましくはヨウ素原子、臭素原子である。ハロゲン化反応におけるハロゲン化剤は特に限定されるものではな .レヽが、例えば、 N—ハロゲン化コハク酸イミドが好適に用いられる。ハロゲン化剤の使用量はアントラセン誘導体に対し、通常 8〜 1 0モル当量、好ましくは 1〜5乇ル当量である。

反応は、通常、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性雰囲気下、不活性溶媒中で実施される。使用される不活性溶媒としては、例えば、 N , N—ジメチルホルムアミド、 N， N—ジメチルァセトアミド、 N—メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、四塩化炭素、クロ口ベンゼン、ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、キシレンメチルセ口ソルブ、ェチルセ口ソルブ、水等が挙げられ、好ましくは N , N—ジメチルホルムアミド、 N—メチルピロリドンである。溶媒の使用量はァントラセン誘導体に対し、通常 3〜 5 0重量倍、好ましくは 5〜 2 0重量倍である。反応温度は、通常 0 ° (：〜 2 0 0 °Cで実施され、好ましくは 2 0 ΐ；〜 1. 2 0 °Cである。

ホウ酸化反応は、既知の方法（日本化学会編 ·実験化学講座第 4版 2 4卷 6 1 〜9 0頁ゃ丄0 . (¾6111.，¥01. 60，7508 ' ( 1995) 等）により実施することが可能である。例えば、ハロゲン化アントラセン誘導体のリチォ化もしくはグリニャール反応を経由する反応の場合、通常、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性雰囲気下で実施され、反応溶媒としては不活性溶媒が用いられる。例えば、ペンタン、へキサン、ヘプタン、オクタン、シクロへキサン等の飽和炭化水素類、 1 , 2 - ジメトキシェタン、ジェチルエーテル、.メチル一 t一ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジォキサン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類を単一もしくは混合溶媒として用いることができ、好ましくはジェチルエーテル、トルエンである。溶媒の使用量は、ハロゲン化アントラセン誘導体に対し通常 3〜 5 0重量倍、好ましくは 4〜 2 0重量倍である。

リチォ化剤としては、例えば、 n—ブチルリチウム、 t一ブチルリチウム、フェニルリチウム、メチルリチウム等のアルキル金属試薬、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムピストリメチルシリルアミド等のアミド塩基を用いることができ、好ましくは n—ブチルリチウムである。また、グリニャール試薬は、ハロゲン化ァントラセン誘導体と金属マグネシゥムの反応により調製することができる。ホウ酸化剤であるホウ酸トリアルキルとしては、例えば、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリェチル、ホウ酸トリイソプロピル、ホゥ酸トリブチル等を使用することができ、好ましくはホウ酸トリメチル、ホウ酸トリイソプロピルである。リチォ化剤及び金属マグネシウムの使用量は、それぞれハロゲン化アントラセン誘導体に対し、通常 1〜 1 0モル当量、好ましくは 1〜2モル当量であり、ホゥ酸トリアルキルの使用量は、ハロゲン化アントラセン誘導体に対し、通常 1〜 1 0モル当量、好ましくは 1〜 5モル当量である。反応温度は、通常— 1 0 0〜 P T/JP2003/010402

50 °C、好ましくは一 75〜 10 °Cである。

本発明の有機 E L素子は、前記発光層が、一般式（ 1 ) 又は（ 2 ) で表されるアントラセン誘導体を主成分として含有すると好ましい。

また、本発明の有機 E L素子は、前記発光層が、さらにァリールァミン化合物及び/又はスチリルァミン化合物を含有すると好ましい。

スチリルァミン化合物としては、下記一般式（A) で表されるものが好ましい

(式中、 Ar₂ は、フヱニル基、ビフヱニル基、ターフヱニル基、スチルベン基、ジスチリルァリール基から選ばれる基であり、 Ar₃ 及び ΑΓ ₄ は、それぞれ水素原子又は炭素数が 6〜 20の芳香族基であり、 Ar₂ 、 Ar 3 及び A r ₄ は置換されいてもよい。 pは 1〜4の整数である。さらに好ましくは Ar ₃ 又は A r 4 の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。）

ここで、炭素数が 6〜 20の芳香族基としては、フヱニル基、ナフチル基、ァントラニル基、フヱナンスリル基、ターフヱニル基等が挙げられる。

ァリールァミン化合物としては、下記一般式（B) で表されるものが好ましい

(式中、 A r ₅ 〜A r ₇ は、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 4 0のァリール基である。 qは 1〜4の整数である。）

ここで、核炭素数が 5〜4 0のァリール基としては、例えば、フヱニル基、ナフチル基、アントラニル基、フヱナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフヱニル基、ピロ一リル基、フラニル基、チオフヱニル基、ベンゾチォフヱニル基、ォキサジァゾリル基、ジフヱ二ルアントラニル基、ィンドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、ァセナフトフルオランテュル基、スチルべン基等が挙げられる。なお、このァリ —ル基の好ましい置換基としては、炭素数 1〜 6めアルキル基（ェチル基、メチル基、 i一プロピル基、 n—プロピル基、 s—ブチル基、 t一ブチル基、ペンチル基、へキシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基等）、炭素数 1〜6のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、 i—プロポキシ基、 n—プロポキシ基、 s—ブトキシ基、 t一ブトキシ基、ペントキシ基、へキシルォキシ基、シクロペントキシ基、シクロへキシルォキシ基等）、核原子数 5〜4 0のァリール基、核原子数 5〜 4 0のァリール基で置換されたァミノ基、核原子数 5〜 4 0のァリ —ル基を有するエステル基、炭素数 1〜6のアルキル基を有するエステル基、シァノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

以下、本発明の有機 E L素子の素子構成について説明する。

本発明の有機 E L素子の代表的な素子構成としては、

( 1 ) 陽極/発光層/陰極

( 2 ) 陽極/正孔注入層/発光層/陰極

( 3 ) 陽極/発光層/電子注入層/陰極

( 4 ) 陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極

( 5 ) 陽極/有機半導体層/発光層/陰極

( 6 ) 陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰極

( 7 ) 陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰極 ( 8 ) 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極

( 9 ) 陽極 Z絶縁層/発光層/絶縁層/陰極

(1 0) 陽極 Z無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極

(1 1) 陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極

(1 2) 陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極

(1 3) 陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極などの構造を挙げる.ことができる。

これらの中で通常（8) の構成が好ましく用いられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。

この有機 EL素子は、通常透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機 E L素子を支持する基板であり、その透光性については、 400〜 700 n mの可視領域の光の透過率が 50 %以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。

このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いられる。ガラス板としては、特にソ一ダ石灰ガラス、ノリウム ·ストロンチゥム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケィ酸ガラス、ホウゲイ酸ガラス、ノリウムホウゲイ酸ガラス、石英などで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、ァクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレ一ト樹脂、ポリエーテルサルファィド樹脂、ポリサルフォン樹脂などの板か挙げられる。

次に、上記の陽極としては、仕事関数の大きい（4 eV以上）金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、 Auなどの金属， Cu l, I TO (ィンジゥムチンォキシド）， Sn0₂ ， Z nO, I n— Z n— 0などの導電性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これらの電極物質を、蒸着法やスパッ夕リング法等の方法で薄膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が 1 0%より大きくなるような特性を有していることが望ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百 Ω /口以下のものが好ましい。さらに、陽極の膜厚は、材料にもよるが通常 10 nm〜 1 πι、好ましくは 10〜200 nmの範囲で選択される。

次に、陰極としては、仕事関数の小さい（4 eV以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリゥムーカリウム合金、マグネシゥム，リチウム，マグネシウム '銀合金，アルミニウム/酸化アルミニウム， A1 /L i 2 〇， A 1 /L i 0₂ ， A 1 /L i F, アルミニウム · リチウム合金, ィンジゥム，希土類金属などが挙げられる。

この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。

ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は 1 0%より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百 Ω /口以下が好ましく、さらに、膜厚は通常 1' Onm〜l 、好ましくは 5 0〜 200 nmである。

本発明の有機 EL素子においては、このようにして作製された一対の電極の少なくとも一方の表面に、カルコゲナイド層，ハロゲン化金属層又は金属酸化物層 (以下、これらを表面層ということがある。）を配置するのが好ましい。具体的には、発光層側の陽極表面にゲイ素やアルミニウムなどの金属のカルコゲナイド (酸化物を含む）層を、また、発光層側の陰極表面にハロゲン化金属層又は金属酸化物層を配置するのがよい。これにより、駆動の安定化を図ることができる。上記カルコゲナイドとしては、例えば S i Ox ( 1≤X≤ 2) , A 1 Ox ( 1 ≤X≤l. 5) , S i ON, S iAl ONなどが好ましく挙げられ、ハロゲン化金属としては、例えば L i F, MgF₂ ， CaF₂ , フッ化希土類金属などが好ましく挙げられ、金属酸化物としては、例えば C s ₂ 0， L i z 0， Mg 0, S r 0402

〇， B a 0 , C a 0などが好ましく挙げられる。

さらに、本発明の有機 E L素子においては、このようにして作製された一対の電極の少なくとも一方の表面に電子伝達化合物と還元性ドーパントの混合領域又は正孔伝達化合物と酸化性ド一パントの混合領域を配置するのも好ましい。このようにすると、電子伝達化合物が還元され、ァニオンとなり混合領域がより発光層に電子を注入、伝達しやすくなる。また、正孔伝達化合物は酸化され、カチォンとなり混合領域がより発光層に正孔を注入、伝達しやすくなる。好ましい酸化性ドーパントとしては、各種ルイス酸やァクセプタ一化合物がある。好ましい還元性ド一パントとしては、アル力リ金属，アル力リ金属化合物，アル力リ土類金属，希土類金属及びこれらの化合物がある。

本発明の有機 E L素子においては、発光層は、

①注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能

②輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能

③発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有する。

この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、 L B法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、 L B法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。

また特開昭 5 7 - 5 1 7 8 1号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによつても、発光層を形成することができる。本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、発光層に、本発明の発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させてもよく、また、本発明の発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。

次に、正孔注入 ·輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常 5 . 5 e V以下と小さい。このような正孔注入 ·輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば 1 0 ⁴ 〜 1 0 ^s V / c mの電界印加時に、少なくとも 1 0— ⁶ c m² /V '秒であるものが好ましい。このような材料としては、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機 E L素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。

そして、この正孔注入 ·輸送層を形成するには、正孔注入 ·輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、 L B法等の公知の方法により薄膜化すればよい。この場合、正孔注入 .輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は 5 n m〜 5 mである。

次に、電子注入層 ·輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、 8—ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体が好適である。上記 8—ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、才キシン (一般に 8—キノリノール又は 8—ヒドロキシキノリン) のキレートを含む金属キレートォキシノイド化合物、例えばトリス（8—キノリノール）アルミニゥムを電子注入材料として用いることができる。

また、一般に、超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、 —対の電極間に絶縁性の薄膜層を揷入しても良い。

絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシゥム、酸化セシゥム、酸化マグネシゥム、弗化マグネシゥム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテ二ゥム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。

次に、本発明の有機 E L素子を作製する方法については、例えば上記の材料及ぴ方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要 (こ応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、.前記と逆の順序で有機 E L素子を作製することもできる。

以下、透光性基板上に、陽極/正孔注入層/発光層 Z電子注入層/陰極が順次設けられた構成の有機 E L素子の作製例について説明する。

まず、適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を 1 m以下、好ましくは 1 0〜2 0 0 n mの範囲の膜厚になるように、蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、'前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、 L B 法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法によ 'り形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度 5 0〜 4 5 0 °C、真空度 1 0— ⁷〜 1 0—³ t o r r、蒸着速度 0 . 0 1〜 5 0 n m/秒、基板温度— 5 0〜 3 0 0 °C、膜厚 5 η π！〜 5 の範囲で適宜選択することが好ましい。

次に、この正孔注入層上に発光層を設ける。この発光層の形成も、本発明に係る発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。膜厚は 1 0〜4 O n mの範囲が好ましい。

次に、この発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。そして、最後に陰極を積層して有機 E L素子を得ることができる。陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし、下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。以上の有機 E L素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。

この有機 E L素子に直流電圧を印加する場合、陽極を十、陰極を一の極性にして、 3〜4 0 Vの電圧を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加した場合には、陽極が十、陰極が一の極性になった時のみ均一な発光が観測される。この場合、印加する交流の波形は任意でよい。次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。

合成例 1 ( 10- (2-ナフチル）アントラセン- 9- ボロン酸の合成）

Ar雰囲気下、 20リツトルのフラスコに、 2-ナフタレンボロン酸 549g (東京化成社製）、 9-ブロモアントラセン 684g (東京化成社製）、テトラキス（トリフエ二ルホスフィン）パラジウム ( 0 ) 61. 5g (東京化成社製) 、トルエン 4. 9リットル（広島和光社製）及び炭酸ナ卜リゥム 845. 9g (広島和光社製）を水 4. 9リットルに溶解したものを入れ、還流しながら 24時間加熱攪拌を行った。反応後、室温まで冷却し、析出した結晶を濾取した。これをトルエンで再結晶し、 751gの結晶を得た。

Ar雰囲気下、 20リットルのフラスコに、この結晶 750gと脱水処理した DMF (ジメチルホルムアミド） 10リツトル（広島和光社製）を入れ、 80°Cに加熱し、原料を溶解後、 50°Cで N -プロモコハク酸イミド 482. 4g (広島和光社製）を加え、 1 時間攪拌した。反応終了後、精製水 20リットルの中に反応液を注入し、析出した結晶を濾取した。これをトルエンで再結晶し、 689gの結晶を得た。

Ar雰囲気下、 20リツトルのフラスコに、この結晶 588gと脱水処理したエーテル 4. 5リットル（広島和光社製）及び脱水処理したトルエン 4. 5リットル（広島和光社製）を加え、ドライアイスバスにて- 64°Cにした。これに 1. 6Mプチルリチウム /へキサン溶液 1.. 2リツトル（広島和光社製）を 30分かけて滴下し、 - 64°Cにて 2時間反応させた。これにポロン酸トリィソプロピルエステル 866g (東京化成社製）を 20分間かけて滴下した。滴下後室温に戻し、 12時間攪拌した。これを氷冷し、 10°C以下にて 2Nの塩酸を 4リットル添カ卩し、トルエン 1 リットルを加えた。これを分液し、硫酸ナトリゥムで乾燥後、減圧濃縮し、へキサンを加え、析出した結晶を濾取した。これを THF (テトラヒドロフラン） 5リットルに溶解させ、濃塩酸 500ミリリットル、テトラプチルアンモニゥムブロマイド 5gを添加し、 12 時間攪拌した。析出した結晶を濾取し、乾燥後、 431gの結晶が得られた。

この化合物の FD - MS (フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、 C_{2 4}H_{1 7}B0₂ = 348 に対し、 m/z = 348 が得られたことから、この化合物を 10 - (2-ナフチル）アントラセン -9- ボロン酸と同定した（収率 47%) 。

合成例 2 (2- (4- プロモフヱニル) ナフタレンの合成)

Ar雰囲気下、 300ミリリットルのフラスコに、 2-ナフタレンボロン酸 7. lg (東京化成社製）、 4-ョードブロモベンゼン 12. 9g (東京化成社製）、テトラキス（トリフヱニルホスフィン) パラジウム ( 0 ) 0. 6g (東京化成社製) 、炭酸ナトリゥム 12. 7g (広島和光社製）を水 60ミリリットルに溶解したものを入れ、還流しながら 24時間加熱攪拌を行った。反応後、室温まで冷却し、析出した結晶を濾取した。これをトルエンで再結晶し、 9. Ogの結晶を得た。

この化合物の FD - MS を測定したところ、に対し、 m/z=284、 282 が得られたことから、この化合物を 2- (4- プロモフヱニル）ナフタレンと同定した（収率 770/₀)。

合成例 3 (3- (4- プロモフヱニル) フルオランテンの合成)

雰囲気下、 500ミリリットルのフラスコにフルオランテン 62gと脱水処理した DMF250ミリリットル（広島和光社製）を入れ、 80°Cに加熱し、原料を溶解後、 50°Cで N-プロモコハク酸イミド 60g (広島和光社製）を加え、 2時間攪拌した。反応終了後、精製水 500ミリリットルの中に反応液を注入し、析出した結晶を濾取した。これをカラムクロマトグラフィーで精製し、 10. 5g の結晶を得た。

Ar雰囲気下、 500ミリリットルのフラスコにこの結晶 10. Ogと脱水処理したェ一テル 120ミリリットル（広島和光社製）及び脱水処理したトルエン 120ミリリッ卜ル（広島和光社製）を加え、ドライアイスバスにて- 64°Cにした。 L 6Mプチルリチウム/へキサン溶液 25ミリリットル (広島和光社製) を 30分かけて滴下し、 - 64°Cにて 2時間反応させた。これにボロン酸トリィソプロピルエステル 8g ( 東京化成社製）を 20分間かけて滴下した。滴下後室温に戻し、 12時間攪拌した。これを氷冷し、 10°C以下にて 2Nの塩酸を 100ミリリットル添カ卩し、トルエン 25ミリリットルを加えた。これを分液し、硫酸ナ卜リゥムで乾燥後、減圧濃縮し、へキサンを加え、析出した結晶を濾取した。これを THF120ミリリットルに溶解させ、濃塩酸 15ミリリットル、テトラプチルアンモニゥムブロマイド 0. 15gを添加し、 12時間攪持した。析出した結晶を濾取し、乾燥後、 7. 0gの 3-フルオランテンポロン酸の結晶が得られた。 ·

Ar雰囲気下、 300ミリリットルのフラスコに、この結晶 7. 0g (東京化成社製）、 4-ョ一ドブロモベンゼン 9. Og (東京化成社製）、テトラキス（トリフヱニルホスフイン）パラジウム（ 0 ) 0. 6g (東京化成社製）、炭酸ナトリウム 12. 7g (広島和光社製）を水 60ミリリットルに溶解したものを入れ、還流しながら 24時間加熱攪拌を行った。反応後、室温まで冷却し、析出した結晶を濾取した。これをトルェンで再結晶し、 6. 4gの結晶を得た。

この化合物の FD- MS を測定したところ、 C_{2 2}H_{I 5}Br = 357 に対し、 m/z = 358 、 356 が得られたことから、この化合物を 3- (4- ブロモフヱニル) フルオランテンと同定した（収率 6 %) 。

合成例 4 ( 10- (3-フルオランテュル）アントラセン- 9- ボロン酸の合成）

Ar雰囲気下、 300ミリリットルのフラスコに、 3-フルオランテンボロン酸 7. 85 g 、 9-ブロモアントラセン 6. 84g (東京化成社製）、テトラキス（トリフユニルホスフィン）パラジウム（0 ) 0. 6g (東京化成社製）、トルエン 50ミリリットル (広島和光社製）及び炭酸ナトリウム 8. 5g (広島和光社製）を水 50ミリリットルに溶解したものを入れ、還流しながら 24時間加熱攪拌を行った。反応後、室温まで冷却し、析出した結晶を濾取した。これをトルエンで再結晶し、 4. 6gの結晶を得た。

Ar雰囲気下、 300ミリリットルのフラスコにこの結晶 4. 5gと脱水処理した DMF1 00ミリリットル（広島和光社製）を入れ、 80°Cに加熱し、原料を溶解後、 50°Cで N -プロモコハク酸イミド 2. 3g (広島和光社製）を加え、 2時間攪拌した。反応終了後、精製水 200ミリリットルの中に反応液を注入し、析出した結晶を濾取した。これをトルエンで再結晶し、 4. 5gの結晶を得た。

Ar雰囲気下、 300ミリリットルのフラスコにこの結晶 4. 5gと脱水処理したエーテル 50ミリリットル（広島和光社製）及び脱水処理したトルエン 50ミリリットル (広島和光社製）を加え、ドライアイスバスにて- 64°Cにした。 1. 6Mプチルリチゥム /へキサン溶液 7ミリリットル (広島和光社製) を 30分かけて滴下し、 - 64 °Cにて 2時間反応させた。これにポロン酸トリィソプロピルエステル 5. 6g (東京化成社製）を 20分間かけて滴下した。滴下後室温に戻し、 12時間攪拌した。これを氷冷し、 10°C以下にて 2Nの塩酸を 40ミリリットル添力！]し、トルエン 10ミリリットルを加えた。これを分液し、硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮し、へキサンを加え、析出した結晶を濾取した。これを THF 50ミリリットルに溶解させ、濃塩酸 5ミリリットル、テトラプチルアンモニゥムブロマイド 0. lgを添加し、 12時間攪拌した。析出した結晶を濾取し、乾燥後、 3. 6gの結晶が得られた。

この化合物の FD-MS を測定したところ、 C₃。H_{1 9}B0₂ =422 に対し、 m/z=422 が得られたことから、この化合物を 10- (3-フルオランテュル）アントラセン- 9 - ボロン酸と同定した（収率 32%) 。

合成例 5 ( 1- (4- ブロモフニル）ナフタレンの合成）

合成例 2において、 2-ナフタレンボロン酸の代わりに卜ナフタレンボロン酸を用いた以外は同様に実施し、無色の油状物 29. 9g を得た。

この化合物の FD-MS を測定したところ、 C H u Br ^S に対し、 m/z=284 ， 282 が得られたことから、この化合物を卜（4- プロモフヱニル）ナフタレンと同定した（収率 88%) 。

合成例 6 (2- (3- ブロモフエニル）ナフタレンの合成）

合成例 Iにおいて、 4-ョ一ドブロモベンゼンの代わりに 3-ョードブロモベンゼンを用いた以外は同様に実施し、無色の油状物 20. lg を得た。

この化合物の FD - MS を測定したところ、 d eH u Br ^S に対し、 m/z= 284 , 282 が得られたことから、この化合物を 2- (3- プロモフヱニル）ナフタレンと同定した. (収率 75%) 。

実施例 1 (化合物（A N 8 ) の合成）

Ar雰囲気下、 300ミリリットルのフラスコに、合成例 1で得られた 10- (2-ナフチル）アントラセン- 9- ポロン酸 5. 98g 、合成例で得られた 2- (4- ブロモフエニル）ナフタレン 4. 05g 、テトラキス（トリフヱニルホスフィン）パラジウム ( 0 ) 0. 33g (東京化成社製）、 1，2-ジメトキシェタン 60ミリリツトル（広島和光社製）及び炭酸ナトリウム 4. 55g (広島和光社製）を水 21ミリリットルに溶解したものを入れ、還流しながら 24時間加熱攪拌を行った。反応後、室温まで冷却し、析出した結晶を濾取した。この化合物をカラムクロマトグラフィーにて精製し、 3. 4gの淡黄色固体を得た。

この化合物の FD-MS を測定したところ、 C₄。H_{2 6} ='506 に対し、 m/z = 506 が得られたことから、この化合物を AN 8と同定した（収率 47%) 。

実施例 2 (化合物（A N 1 0 ) の合成）

Ar雰囲気下、 300ミリリットルのフラスコに、合成例 1で得られた 10- (2-ナフチル）アントラセン- 9- ポロン酸 5. 98g、合成例 3で得られた 3- (4- プロモフヱニル）フルオランテン 5. 13g 、テトラキス (トリフエニルホスフィン）パラジゥム（0 ) 0. 33g (東京化成社製）、 1，2 -ジメトキシェタン 60ミリリツトル（広島和光社製）及び炭酸ナトリウム 4. 55g (広島和光社製）を水 21ミリリットルに溶解したものを入れ、還流しながら 24時間加熱攪拌を行った。反応後、室温まで冷却し、析出した結晶を濾取した。この化合物をカラムクロマトグラフィーにて精製し、 3. 3gの淡黄色固体を得た。

この化合物の FD- MS を測定したところ、 C₄ 6 H _{2 8} = 580 に対し、 m/z = 580 が得られたことから、この化合物を A N 1 0と同定した（収率 40%) 。

実施例 3 (化合物（AN 2 8 ) の合成）

Ar雰囲気下、 300ミリリツトルのフラスコに、合成例 4で得られた 10- (3-フルオランテュル）アントラセン- 9- ポロン酸 7. 24g、合成例 2で得られた 2- (4- ブ口モフヱニル）ナフタレン 4. 05g、テトラキス（卜リフヱニルホスフィン）パラジゥム（ 0 ) 0. 33g (東京化成社製）、 1，2 -ジメトキシェタン 60ミリリットル（広島和光社製）及び炭酸ナトリウム 4.55g (広島和光社製）を水 21ミリリットルに溶解したものを入れ、還流しながら 24時間加熱攪拌を行った。反応後、室温まで冷ま Pし、析出した結晶を濾取した。この化合物をカラムクロマトグラフィーにて精製し、 3. 6gの淡黄色固体を得た。

この.化合物の FD-MS は ₆H_{2 8} = 580 に対し、 m/z = 580 が得られたことから、この化合物を AN 2 8と同定した（収率 43%)。

実施例 4 (化合物（AN 30) の合成）

Ar雰囲気下、 300ミリリヅトルのフラスコに、合成例 4で得られた 10 -（3-フルオランテュル）アントラセン- 9- ボロン酸 7.24g、合成例 3で得られた 3- (4- ブロモフエニル）フルオランテン 5.13g、テトラキス (トリフエニルホスフィン）パラジウム（0) 0.33g (東京化成社製）、 1，2-ジメトキシェタン 60ミリリットル（広島和光社製）及び炭酸ナトリウム 4.55g (広島和光社製）を水 21ミリリットルに溶解したものを入れ、還流しながら 24時間加熱攪拌を行った。反応後、室温まで冷却し、析出した結晶を濾取した。この化合物をカラムクロマトグラフィ一にて精製し、 3. lgの淡黄色固体を得た。

この化合物の FD- MS は C₅₂H₃。 = 654 に対し、 m/z=654 が得られたことから、この化合物を AN 30と同定した（収率 33%)。

実施例 5 (有機 EL素子の製造）

2 5mmx 7 5mmX 1. 1 mm厚の I T〇透明電極付きガラス基板（ジォマティック社製）をィソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 30分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚 60 nmの下記 Ν, N' —ビス（N ， N，ージフエ二ルー 4 _アミノフヱニル）一 N， N—ジフヱ二ルー 4 , 4，一ジァミノ一 1 , Γ 一ビフヱニル膜（以下、 TPD 2 3 2膜）を成膜した。この TPD 2 3 2膜は、正孔注入層として機能する。続いて、この- TPD 2 3 2膜上に膜厚 2 0 nmの下記 N， N, N，， N' —テトラ（4—ビフエ二ル）ージアミノビフヱニレン膜（以下、 TBDB膜）を成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。さらに TBDB膜上に、発光材料として膜厚 4 O nmの化合物（AN 8) を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有する下記アミン化合物 D 1を AN 8に対し、重量比で AN 8 ： D 1 =4 0 ： 2で蒸着した。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚 1 011111の八1 q膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後、還元性ド-パントである L i (Li源：サエスゲッタ一社製）と Al qを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）として Al q： L i膜（膜厚 1 Onm) を形成した。この Al q： L i膜上に金属 A 1を蒸着させ金属陰極を形成し有機 EL素子を製造した。

得られた有機 EL素子について、発光効率と、初期輝度を lOOOnitで通常の使用環境下での半減寿命を測定した。それらの結果を表 1に示す。

TPD232 TBDB

A 1 q 実施例 6〜 8 (有機 EL素子の製造）

実施例 5において、発光材料として、 AN 8の代わりに表 1に記載の化合物を用いたこと以外は同様にして有機 EL素子を製造し、発光効率と、初期輝度を 10 OOnit で通常の使用環境下での半減寿命を測定した。それらの結果を表 1に示す実施例 9 (有機 E L素子の製造） .

実施例 5において、スチリル基を有するァミン化合物 D 1の代わりに、下記芳香族ァミン D 2を用いたこと以外は同様にして有機 E L素子を製造し、発光効率と、初期輝度を lOOOni t で通常の使用環境下での半減寿命を測定した。それらの結果を表 1に示す。

D 2

実施例 1 0 (化合物（A N 5 ) の合成）

実施例 1において、 2- (4- プロモフヱニル）ナフタレンの代わりに、 3， 5 -ジフヱニルブロモベンゼンを用いた以外は同様に実施し、 5. 6gの淡黄色固体を得た。この化合物の FD- MS を測定したところ、 C_{4 2}H_{2 8}Br = 532 に対し m/z = 532 が得られたことから、この化合物を A N 5と同定した (収率 45%) 。

実施例 1 1 (化合物（A N 7 ) の合成）

実施例 1において、 2- (4- プロモフヱニル）ナフタレンの代わりに、 1- (4- ブ口モフヱニル）ナフタレンを用いた以外は同様に実施し、 7. 8gの淡黄色固体を得た。

この化合物の FD- MS を測定したところ、。 H_{2 6}Br = 506 に対し m/z = 506 が得られたことから、この化合物を A N 7と同定した (収率 54%) 。

実施例 1 2 (化合物（A N 4 9 ) の合成）実施例 1において、 2- (4- ブロモフヱニル）ナフタレンの代わりに、 2- (3- ブロ乇フユニル）ナフタレンを用いた以外は同様に実施し、 6.9gの淡黄色固体を f导: た。

この化合物の FD-MS を測定したところ、 C₄。H₂₆Br=506 に対し m/z=506 が得られたことから、この化合物を AN 4 9と同定した（収率 52%) 。

実施例 1 3〜 1 5 (有機 E L素子の製造）

実施例 5において、発光材料として、 AN 8の代わりに表 1に記載の化合物を用いたこと以外は同様にして有機 EL素子を製造し、発光効率と、初期輝度を 10 OOnit で通常の使用環境下での半減寿命を測定した。それらの結果を表 1に示す比較例 1 (有機 EL素子の製造）

実施例 5において、発光材料として、 AN 8の代わりに a n 1を用いたこと以外は同様にして有機 EL素子を製造し、発光効率と、初期輝度を 1000η で通常の使甩環境下での半減寿命を測定した。それらの結果を表 1に示す。

a n 比較例 2 (有機 EL素子の製造）

実施例 5において、発光材料として、 AN 8の代わりに an 2を用いたこと以外は同様にして有機 EL素子を製造し、発光効率と、初期輝度を lOOOnit で通常の使用環境下での半減寿命を測定した。それらの結果を表 1に示す。

n 2

表 1に示したように、実施例 5〜 9及び 1 3〜 1 5の有機 E L素子は、発光効率が高く、極めて長寿命であった。これに対し、比較例 1及び 2の有機 E L素子は、発光効率が低い上、寿命も短かった。産業上の利用可能性

以上、詳細に説明したように、本発明の有機 E L素子及び本発明のアン卜ラセン誘導体を用いた有機 E L素子は、発光効率が高く、長寿命である。このため、長期間の継続使用が想定される有機 E L素子として有用である。

Claims

請求の範囲

1 . 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも 1層が、下記一般式（ 1 ) で表されるアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

A r ' は置換もしくは無置換の核炭素数 6 - 5 0の芳香族基である。

Xは、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0 のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 5 0のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5 〜5 0のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリールチォ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。 a、 b及び cは、それぞれ 0〜4の整数である。

nは 1〜3の整数である。また、 nが 2以上の場合は、 [ ] 内の

は、同じでも異なっていてもよい。）

2 . 前記一般式（ 1 ) における A rが、下記の一般式

( A I は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜5 0の芳香族基である。）から選ばれる基である請求項 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

3 . 前記発光層が、一般式（ 1 ) で表されるアントラセン誘導体を主成分として含有する請求項 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

4 . 前記発光層が、さらにァリールァミン化合物を含有する請求項 1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

5 . 前記発光層が、さらにスチリルァミン化合物を含有する請求項 1に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。

6 . 下記一般式（ 2 ) で表されるアントラセン誘導体。

A r，は置換もしくは無置換の核炭素数 ·6〜 5 0の芳香族基である。

Xは、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜 5 0 のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜 5 0のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5 〜 5 0のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜 5 0のァリールチォ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜5 0のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。 a及び bは、それぞれ 0〜4の整数である。

nは 1〜3の整数である。また、 nが 2以上の場合は、 [ ] 内の

は、同じでも異なっていてもよい。）

7 . 有機ェレクト口ルミネッセンス素子用材料である請求項 6に記載のァントラセン誘導体。

8 . 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも 1層が、請求項 6に記載の一般式（ 2 ) で表されるアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクト口ルミネッセンス素子。

9 . 前記一般式（ 2 ) における A rが、下記の一般式

(A r , は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族基である。）から選ばれる基である請求項 8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

1 0 . 前記発光層が、一般式（ 2 ) で表されるアントラセン誘導体を主成分として含有する請求項 8に記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。

1 1 . 前記発光層が、さらにァリールァミン化合物を含有する請求項 8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

1 2 . 前記発光層が、さらにスチリルァミン化合物を含有する請求項 8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。