JP2004042485A - 光記録媒体及び炭化水素化合物 - Google Patents

Abstract

【課題】波長３００〜５００ｎｍのレーザーで良好な記録及び再生が可能な光記録媒体を提供する。
【解決手段】フルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物を記録層に含有する光記録媒体。
【選択図】　なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に関するものであり、特に可視レーザーの一種である青色レーザー光により記録・再生可能である光記録媒体に関する。また本発明は、光記録媒体用の記録層材料として好適な新規炭化水素化合物にも関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応した追記型光記録媒体としてＣＤ−Ｒ（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）が広く普及している。ＣＤ−Ｒの記憶容量は６８０ＭＢ程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対する高密度化及び大容量化への要求は高まっている。
【０００３】
記録媒体の高密度化を行う手段としては、記録・再生に用いるレーザー波長の短波長化及び対物レンズの開口数（Ｎ．Ａ．：Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ　Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を大きくすることにより、ビームスポットを小さくすることが挙げられる。そして、光ディスクシステムに利用される短波長レーザーとして、５００ｎｍ〜７００ｎｍ、さらには６３０ｎｍ〜６９０ｎｍ前後、具体的には、６８０ｎｍ、６７０ｎｍ、６６０ｎｍ、６５０ｎｍ、６３５ｎｍ等の赤色レーザーが実用化されてきた。こうして半導体レーザーの短波長化、対物レンズの開口数大化、データ圧縮技術等により、動画記録及び大容量の情報の記録を可能にした光記録媒体の作製が可能となってきた。
【０００４】
今日までに提案されている光記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録媒体等があるが、これらの中で、安価かつプロセス上容易であるという点から、有機色素系光記録媒体は優位性を有すると考えられる。
【０００５】
こうした状況を踏まえ、ＣＤよりも高密度でＴＶ品質並の動画の記録・再生が可能な光記録媒体として、普及しつつある市販のＤＶＤビデオプレーヤーやＤＶＤ−ＲＯＭプレーヤーで再生できる、発振波長６３０〜６９０ｎｍの赤色半導体レーザーで記録を施すことが可能な追記型光記録媒体として開発されたのが、追記型のデジタル多目的ディスク（以下、ＤＶＤ−Ｒと略す）である。ＤＶＤ−Ｒは、３．９ＧＢあるいは４．７ＧＢの記録容量を有する一度書き込み可能な光記録媒体であり、特にここ最近となって、片面４．７ＧＢ容量のＤＶＤ−Ｒ媒体が市場に供給され始めている。該ＤＶＤ−Ｒ媒体も、シアニン系色素、アゾ系色素等を記録層に用い、反射層を設けた積層構造を採用しており、０．６ｍｍ厚の基板を２枚貼り合わせたディスク構造を特徴としている。この容量に合った記録特性良好な光ディスクについて、現在では高速記録対応の媒体開発が活発に進められている。
【０００６】
さらに、将来的にはより高密度な記録が求められることが予想され、その情報量はディスク１枚あたり１５〜３０ＧＢにも達すると予想される。その記録密度を実現する為の手段として、より波長の短いレーザーを使用することは避けられない。従って、将来の有機色素系光記録媒体に用いる記録用色素としては、３００ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲において良好な記録特性を有する色素が望まれる。
【０００７】
ところで、有機色素を記録層としたＤＶＤ−Ｒよりも高密度記録可能な媒体に関して、特開平１０−３０２３１０号公報には、発振波長６８０ｎｍ以下のレーザーを用い、記録容量８ＧＢ以上の密度を達成したとの開示がある。該公報の提案では、１０〜１７７μｍ厚さの光透過層越しに０．７以上の高開口数を有する対物レンズで６８０ｎｍ以下のレーザー光を収束することで、８ＧＢ以上の大容量記録を達成している。
【０００８】
その一方で、ここ近年、発振波長３９０〜４３０ｎｍの青色レーザーとしてＧａＮ系材料を用いた４１０ｎｍのレーザーや、半導体レーザーと光導波路素子の組合せによる波長４２５ｎｍのＳＨＧレーザーが開発されてきており〔例えば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．７０８、ｐ．１１７、１９９８年１月２６日号〕、このようなレーザーに合わせた青色半導体レーザー対応色素の開発が現在展開されている。
【０００９】
更に、１９９９年初頭から発振波長４００〜４１０ｎｍの青紫色発光のＧａＮ系半導体レーザーが試供（日亜化学工業）されるに当たり、片面１５ＧＢ以上の更なる高密度容量を有するＨＤＴＶ（ｈｉｇｈ　ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ　ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）放送並の画質で、２時間程度の動画の記録が可能となる媒体（以下、ＨＤ−ＤＶＤ−Ｒ媒体と称す）の検討が始められている。この様な高密度容量を有するＨＤ−ＤＶＤ−Ｒ媒体では、現行放送並の画質であれば６時間程度の録画も可能であるため、家庭用ＶＴＲに代わる新しい記録メディアとしても注目されている。すでに、相変化系の無機記録膜を用いた提案として、日経エレクトロニクス１９９９年９月６日号（Ｎｏ．７５１）の１１７頁に技術概要が紹介されている。
【００１０】
現在のところ、４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色レーザーで記録できる有機色素化合物として、特開平４−７４６９０号公報、特開平６−４０１６１号公報、特開２００１−２３２９４５号公報、特開２００１−２４６８５１号公報、特開２００１−２６０５３６号公報及び特開２００１−３０１３３３号公報記載のシアニン系色素化合物や、特開平７−３０４２５６号公報、特開平７−３０４２５７号公報、特開平８−１２７１７４号公報、特開平１１−３３４２０７号公報、特開２００１−３９０３２号公報、特開２００１−８０２１７号公報、特開２００１−８４５９４号公報、特開２００１−１３８６３３号公報、特開２００１−１３８６３４号公報、特開２００１−１４３３１７号公報、特開２００１−１８０１１７号公報、特開２００１−１８１５２４号公報及び特開２００１−２８７４６２号公報記載のポルフィリン系色素化合物の他、特開平４−７８５７６号公報及び特開平４−８９２７９号公報記載のポリエン系色素化合物、特開平１１−３３４２０４号公報、特開平１１−３３４２０５公報及び特開２００１−２７１００１号公報記載のアゾ系色素化合物、特開平１１−３０４２０６号公報記載のジシアノビニルフェニル色素化合物、特開２０００−４３４２３号公報及び特開２００１−９６９１８号公報記載のクマリン化合物、特開２０００−１６３７９９号公報記載のピリミジン化合物、特開２０００−２２８０２８号公報記載のナフタロシアニン化合物、特開２０００−３３５１１０号公報記載のヘテロ５員環化合物、特開２０００−３４３８２４号公報記載のビスアゾール化合物、特開２０００−３４３８２５号公報記載のアミノピリジン化合物、特開２００１−６３２１１号公報記載のビスピリジニウム化合物、特開２００１−７１６３８号公報及び特開２００１−３２８３５１号公報記載のオキソノール化合物、特開２００１−７１６３９号公報及び特開２００２−２１１０号公報記載のスチリル化合物、特開２００１−１４６０７４号公報記載のアミノブタジエン化合物、特開２００１−１５８８６２号公報、特開２００１−２１４０８４号公報及び特開２００２−３６７２７号公報記載の金属キレート化合物、特開２００１−２３２９４４号公報記載のキノン化合物又はキノジメタン化合物、特開２００１−２３４１５４号公報記載のヒドラゾン化合物、特開２００１−２７７７２０号公報記載のトリアジン化合物、特開２００１−２８７４６６号公報記載のカルボスチリル化合物又はナフチリジン化合物、特開２００１−３０１３２９号公報記載の縮合複素環化合物、特開２００２−２１１７号公報記載のスチルベン化合物等が提案されている。
【００１１】
また、記録層形成用の有機色素としてポルフィリン系色素やシアニン系色素等を主とする記録層及び銀を主体とする金属反射層の２層が構成された特開平１１−５３７５８号公報に記載の光記録媒体や、媒体構成に工夫したものとして、青色レーザーに感応するシアニン系色素を含有した青色レーザー感応色素層ならびに赤色レーザー感応色素層を有することで、２波長領域の記録を可能とする特開平１１−２０３７２９号公報記載の光記録媒体や、青色レーザー用色素及び赤色レーザー用色素の２種の色素を混合することで２波長領域の記録を可能とするインジゴイド系色素化合物を用いた特開平１１−７８２３９号公報記載の光記録媒体、シアノエテン系色素を用いた特開平１１−１０５４２３号公報記載の光記録媒体、スクアリリウム系色素化合物を用いた特開平１１−１１０８１５号公報記載の光記録媒体等が提案されている。
【００１２】
一方、４００〜５００ｎｍの青色領域で有機色素膜を記録に行う例として、特開平７−３０４２５６号公報、特開平７−３０４２５７号公報では、ポルフィリン系化合物の中心金属に配位する分子化合物及び高分子、あるいは中心金属を配位する分子構造を側鎖に有する高分子と混合することで、該ポルフィリン系化合物のソーレー（Ｓｏｒｅｔ）帯を長波長側にシフトさせて、４８８ｎｍのＡｒレーザーに対応させると共に、スピンコーティングによる成膜を可能ならしめて製造コストの低減を図る提案がなされている。又、特開平４−７８５７６号公報、特開平４−８９２７９号公報等に開示のポリエン系色素化合物は、本発明者らの検討によれば、光安定性が悪く、実用化にはクエンチャーのブレンド等の工夫が必要である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
最近の状況として、波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの青紫色半導体レーザーの実用化に目処がついたことで、該レーザーを用いた大容量追記型光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良好な高速記録特性を有する色素の開発が望まれている。
【００１４】
しかしながら、前述の光記録媒体では波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍのレーザー光に対して十分に適応していないのが実情である。すなわち、前述の有機色素を使用した媒体では、記録した信号の再生について、搬送波（Ｃａｒｅｅｒ）と雑音（Ｎｏｉｓｅ）の比（Ｃ／Ｎ）が必ずしも良好な値でないために、信号の読み出しが必ずしも満足に行えない等の問題を我々は見い出した。この問題を克服し、波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍのレーザー光で高密度記録・再生可能な光記録媒体の開発が急務となっている。
【００１５】
本発明者らは、追記型光記録媒体に適した記録材料について検討したところ、次の２点の知見を得た。
【００１６】
（１）大容量追記型光記録媒体は、記録の書き込み及び読み出しに３００〜５００ｎｍのレーザー光を利用するので記録材料としてはレーザー波長近傍における吸光係数、屈折率、反射率の制御が重要である。
【００１７】
（２）上記のように、該レーザーを用いた大容量追記型光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良好な高速記録特性を有する色素の開発が望まれているにもかかわらず、該波長領域のレーザー光に対して記録・再生が可能な記録材料として前述の色素化合物は、未だ十分な特性が得られておらず、改善の余地があるのが現状である。また、記録膜形成が簡便なスピンコート法等の塗布法による媒体製造の際には、有利な特性の１つとして、塗布溶媒への高溶解性を有することが挙げられ、この点についても配慮することが必要である。
【００１８】
また一般に、記録容量の増大を図るには、より高密度に記録を行う必要があり、そのため、記録に使用する光学ビームを絞るための対物レンズの開口数を高め、光学系のレーザー波長をより短波長化することが必須となる。ところが、絞り込んだ光学ビームは回折限界でその最小のビーム径が定められる。
【００１９】
ところで、記録はビーム強度がある閾値を超えたところで成されるので、図１（ａ）に示すように、絞り込んだビームスポットよりも小さな記録ピットが得られる。この記録ピットの周囲はビームの強度ピークのすそ野にあたるが、より短波長化が進む現況では、記録ピットの周囲でも記録層の光化学反応を助長し、殊に、前述の青紫色レーザーの波長領域では、有機化合物の光化学反応が容易に生じる波長領域となるため、記録時にはピットエッジが劣化し、信号特性が悪化するという問題がある。すなわち、図１（ｂ）に示すように、本来矩形波に対応して形成せねばならない記録情報（図１（ｂ）の実線）が、ピットエッジの劣化によりブロードな波形（図１（ｂ）の破線部）となってしまう。又、記録時と同一の青紫色レーザー波長で再生を行うと、再生光のような微弱な光照射でも光反応が促進され、再生の度に劣化が進むという問題もあり、前記特開平７−３０４２５６号公報、特開平７−３０４２５７号公報でも、記録光と再生光とを異なる波長、実質的には、再生光を記録光よりも長波長とする対策を講じねばならなくなり、結果として、十分な高密度化の要求に応えられないのが現状である。又、記録波長と再生光波長を異ならしめることは、記録装置と再生装置を個別に用意するか、１つの装置に２つの光学系及びその制御系を設けなければならず、光記録媒体としての用途が限定されたり、装置の大型化、コストの増大を招いたりと、汎用性の乏しいものとなってしまう。また、従来、ＣＤ−Ｒなどの光記録媒体においては、有機色素膜の融点、昇華点、相転移点或いは熱分解点などの物性上の明確な熱的閾値を境に記録のオン・オフが成されてきたものに対し、青紫色レーザー励起による光劣化モードの介在は、このコントラストを曖昧にし、とりわけ光学ビームよりも小さい細密記録ピットを形成せねばならない高密度記録系においては、著しく記録信号品位を損なう懸念があった。
【００２０】
本発明の目的は、青色半導体レーザー光、殊に波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される可視光域のレーザー光で良好な記録及び再生が可能な超高密度記録に適した記録層を有する光記録媒体を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、
【００２２】
〔１〕フルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物より少なくとも１種以上の化合物を選択して、少なくとも一層の記録層に含有する光記録媒体、
【００２３】
〔２〕フルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物が一般式（１）で表される化合物である前記〔１〕に記載の光記録媒体、
【００２４】
【化９】

（式中、Ａ_１及びＡ_２はそれぞれ独立に、置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｆ_１、Ｆ_２及びＦ_３はそれぞれ独立に、置換又は無置換のフルオレンジイル基を表し、Ｘ_１及びＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表し、ｊ、ｍ及びｎは０又は１を表し、ｋ及びｌは１又は２を表し、ｋが２であるときＡ_１同士は同一でも異なるものであってもよく、ｌが２であるときＦ_２同士は同一でも異なるものであってもよい。）
【００２５】
〔３〕フルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物が一般式（２）で表される化合物である前記〔１〕又は〔２〕に記載の光記録媒体、
【００２６】
【化１０】

【００２７】
（式中、Ａ_３及びＡ_４はそれぞれ独立に、置換又は無置換の一価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_２１及びＲ_２２はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_２１〜Ｘ_２６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｒ_２１、Ｒ_２２及びＸ_２１〜Ｘ_２６は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
【００２８】
〔４〕フルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物が一般式（３）で表される化合物である前記〔１〕又は〔２〕に記載の光記録媒体、
【００２９】
【化１１】

【００３０】
（式中、Ａ_１は置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_３１〜Ｒ_３４はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_３０１〜Ｘ_３１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｒ_３１〜Ｒ_３４及びＸ_３０１〜Ｘ_３１４は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
【００３１】
〔５〕フルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物が一般式（４）で表される化合物である前記〔１〕又は〔２〕に記載の光記録媒体、
【００３２】
【化１２】

【００３３】
（式中、Ａ_５は置換又は無置換の一価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_４１及びＲ_４２はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_４１〜Ｘ_４７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｒ_４１、Ｒ_４２及びＸ_４１〜Ｘ_４７は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
【００３４】
〔６〕縮合多環式芳香族環がナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオランテン環、ピレン環、クリセン環又はペリレン環より選ばれるいずれかの環である前記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の光記録媒体、
【００３５】
〔７〕波長３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録及び再生が可能である前記〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の光記録媒体、
【００３６】
〔８〕波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録及び再生が可能である前記〔７〕に記載の光記録媒体、
【００３７】
〔９〕波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録及び再生が可能である前記〔８〕に記載の光記録媒体、
【００３８】
〔１０〕一般式（１’）で表される炭化水素化合物、
【化１３】

【００３９】
（式中、Ａ_１及びＡ_２はそれぞれ独立に、置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｆ_１、Ｆ_２及びＦ_３はそれぞれ独立に、置換又は無置換のフルオレンジイル基を表し、Ｘ_１及びＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表し、但し、Ｘ_１及びＸ_２の少なくとも一方は、置換アルキル基、置換又は無置換のメタロセニル基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、あるいは置換又は無置換のアリールチオ基より選ばれる基である。ｊ、ｍ及びｎは０又は１を表し、ｋ及びｌは１又は２を表し、ｋが２であるときＡ_１同士は同一でも異なるものであってもよく、ｌが２であるときＦ_２同士は同一でも異なるものであってもよい。）
【００４０】
〔１１〕一般式（２’）で表される炭化水素化合物、
【化１４】

【００４１】
（式中、Ａ_３及びＡ_４はそれぞれ独立に、置換又は無置換の一価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_２１及びＲ_２２はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_２１〜Ｘ_２６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｘ_２１〜Ｘ_２６の少なくとも一つは、置換アルキル基、置換又は無置換のメタロセニル基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、あるいは置換又は無置換のアリールチオ基より選ばれる基であり、Ｒ_２１、Ｒ_２２及びＸ_２１〜Ｘ_２６は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
【００４２】
〔１２〕一般式（３’）で表される炭化水素化合物、
【化１５】

【００４３】
（式中、Ａ_１は置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_３１〜Ｒ_３４はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_３０１〜Ｘ_３１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｘ_３０１〜Ｘ_３１４の少なくとも一つは、置換アルキル基、置換又は無置換のメタロセニル基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、あるいは置換又は無置換のアリールチオ基より選ばれる基であり、Ｒ_３１〜Ｒ_３４及びＸ_３０１〜Ｘ_３１４は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
【００４４】
〔１３〕一般式（４’）で表される炭化水素化合物、
【化１６】

【００４５】
（式中、Ａ_５は置換又は無置換の一価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_４１及びＲ_４２はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_４１〜Ｘ_４７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｘ_４１〜Ｘ_４７の少なくとも一つは、置換アルキル基、置換又は無置換のメタロセニル基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、あるいは置換又は無置換のアリールチオ基より選ばれる基であり、Ｒ_４１、Ｒ_４２及びＸ_４１〜Ｘ_４７は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）に関する。
【００４６】
【発明の実施の形態】
本発明は、光記録媒体の記録層中にフルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物（以下、本発明に係る化合物Ａと略記する）を含有することを特徴とする光記録媒体に関し、波長３００ｎｍ〜５００ｎｍ、特に波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍ、更には波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録及び再生が可能である新規な光記録媒体に関するものである。
【００４７】
本発明に係る光記録媒体とは、情報を記録して再生することのできる光記録媒体を示すものである。但し、ここでは適例として基板上に記録層、反射層を有する本発明の光記録媒体に関して説明する。尚、以下の説明では、光記録媒体として、光ディスクであって、支持基板上に例えば案内溝と、この案内溝上に反射膜と有機色素を主成分とする記録層とを有し、波長３００〜５００ｎｍのレーザー光を照射して信号の記録再生を行う媒体に関して説明するが、本発明の光記録媒体は、この様な形状や構成に限定されるものではなく、カード状、シート状等その他各種の形状のもの、又、反射層を有さないもの、更に将来開発されるであろうより短波長のレーザーでの記録再生にも適用し得るものである。
【００４８】
本発明の光記録媒体は、例えば、図２に示すような基板１、記録層２、反射層３、及び保護層４が順次積層している４層構造を有しているか、図３に示すような貼り合わせ構造を有している。即ち、基板１上に記録層２が形成されており、その上に密着して反射層３が設けられており、さらにその上に接着層５を介して保護層４が貼り合わされている。但し、記録層２の下又は上に別の層があっても良く、反射層３の上に別の層があっても構わない。また、図４に示すように基板１、反射層３、記録層２、保護層４の順に積層し、保護層側から記録再生する構造であっても良い。また、特開平１０−３２６４３５号公報記載のように光透過層の厚みが、光学系の開口数Ｎ．Ａ．及びレーザー波長λにより規定された媒体構造であっても構わない。また、本発明の光記録媒体は、必要に応じて特開平１１−２０３７２９号公報記載のように記録層を２種以上有する構造であっても構わない。
【００４９】
また、本発明を光ディスクに適用した例として、図５に示すような、基板１１、記録層１２、反射層１３及び保護層１４がこの順で積層され、更に接着層を兼ねる保護層１４上にダミー基板１５を貼り合わせたものが挙げられる。もちろん、基板１５の無い構成であっても良く、基板１１と記録層１２の間、記録層１２と反射層１３の間、反射層１３と保護層１４との間、保護層１４とダミー基板１５との間に、他の層が存在していても良い。図５の光ディスクにおいては、基板１１側から記録再生が行われる。
【００５０】
又、別の実施形態として、特開平１０−３０２３１０号公報に開示の構成、例えば、図６に示すように、案内溝の形成された支持基板１１’上に、反射層１３’、有機色素を主成分とする記録層１２’がこの順で成膜され、この記録層１２’上に任意に形成される透明保護層１４’を介して光透過層１５’が形成され、情報の記録及び再生は、光透過層１５’側から実施される。尚、逆に光透過層１５’側に案内溝を形成し、その上に透明保護層１４’、記録層１２’、反射層１３’を積層し、支持基板１１’と貼り合わせる構成としても良い。
【００５１】
本発明においては、基板上に記録層を設けるが、本発明の記録層は、本発明に係る化合物Ａ、特に一般式（１）で表される化合物を記録用色素として少なくとも１種含有するものである。ここで記録用色素とは、レーザー光の照射によりそれ自体の熱分解、昇華等が誘発され、記録層の変化、あるいは形状変化（ピット形成）等により反射率の変化する部分を形成できる色素である。本発明の光記録媒体は、特に３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択される記録レーザー波長に対して記録・再生が可能であり、中でも、波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して良好な信号特性が得られる光記録媒体である。
【００５２】
本発明に係る化合物Ａは、置換基の選択により吸光係数を保持した状態で吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において、記録層に必要な光学定数を満足することのできる極めて有用な有機色素である。
【００５３】
以下、本発明についてさらに詳細を述べる。
本発明の光記録媒体においては、本発明に係る化合物Ａを１種以上記録層に含有するが、該本発明に係る化合物Ａは、重合体を含むものではなく、好ましくは、分子量２０００以下の化合物であり、より好ましくは、分子量１０００以下の化合物である。本発明に係る化合物Ａとしては、一般式（１）で表される化合物が好ましい例として挙げられる。
【００５４】
【化１７】

（式中、Ａ_１及びＡ_２はそれぞれ独立に、置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｆ_１、Ｆ_２及びＦ_３はそれぞれ独立に、置換又は無置換のフルオレンジイル基を表し、Ｘ_１及びＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表し、ｊ、ｍ及びｎは０又は１を表し、ｋ及びｌは１又は２を表し、ｋが２であるときＡ_１同士は同一でも異なるものであってもよく、ｌが２であるときＦ_２同士は同一でも異なるものであってもよい。）
【００５５】
一般式（１）で表される化合物において、Ｘ_１及びＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。
【００５６】
尚、アリール基とは、フェニル基、ナフチル基等の炭素環式芳香族基、フリル基、チエニル基、ピリジル基等の複素環式芳香族基、さらにフェロセニル基、コバルトセニル基等のメタロセニル基を表す。
【００５７】
Ｘ_１及びＸ_２の具体例としては、水素原子、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子が挙げられ、
【００５８】
Ｘ_１及びＸ_２の置換又は無置換のアルキル基の具体例としては、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等の炭素数１〜１５の無置換のアルキル基；
【００５９】
クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−ブロモエチル基、２−ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換された炭素数１〜１０のアルキル基；
【００６０】
ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシプロピル基、３−ブチルオキシ−２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシデカリル基等のヒドロキシル基で置換された炭素数１〜１０のアルキル基；
【００６１】
ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、２−（２’−ヒドロキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、２−（３’−フルオロ−２’−ヒドロキシプロピルオキシ）エチル基、２−（３’−クロロ−２’−ヒドロキシプロピルオキシ）エチル基、ヒドロキシブチルオキシシクロヘキシル基等のヒドロキシアルコキシ基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；
【００６２】
ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、［２’−（２’−ヒドロキ−１’−メチルエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−フルオロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２’−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシエトキシ）−１’−メチルエトキシ］エトキシエチル基等のヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置換された炭素数３〜１０のアルキル基；
【００６３】
シアノメチル基、２−シアノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シアノブチル基、２−シアノ−３−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブチルオキシ２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−シクロヘキシルプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチル基等のシアノ基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；
【００６４】
メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｎ−プロピルオキシメチル基、ｎ−ブチルオキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｎ−プロピルオキシエチル基、ｎ−ブチルオキシエチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、（４−メチルペンチルオキシ）エチル基、（１，３−ジメチルブチルオキシ）エチル基、（２−エチルヘキシルオキシ）エチル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）エチル基、（２−メチル−１−イソプロピルプロピルオキシ）エチル基、（３−メチル−１−イソプロピルブチルオキシ）エチル基、２−エトキシ−１−メチルエチル基、３−メトキシブチル基、（３，３，３−トリフルオロプロピルオキシ）エチル基、（３，３，３−トリクロロプロピルオキシ）エチル基等のアルコキシ基で置換された炭素数２〜１５のアルキル基；
【００６５】
メトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、ｎ−プロピルオキシエトキシエチル基、ｎ−ブチルオキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロピルオキシエトキシ基、（１，２−ジメチルプロピルオキシ）エトキシエチル基、（３−メチル−１−イソブチルブチルオキシ）エトキシエチル基、（２−メトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、（２−ブチルオキシ１−メチルエトキシ）エチル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、（３，３，３−トリフルオロプロピルオキシ）エトキシエチル基、（３，３，３−トリクロロプロピルオキシ）エトキシエチル基等のアルコキシアルコキシ基で置換された炭素数３〜１５のアルキル基；
【００６６】
メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ｎ−ブチルオキシエトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエトキシエチル基、ｎ−プロピルオキシプロピルオキシプロピルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシエトキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシエトキシエチル基等のアルコキシアルコキシアルコキシ基で置換された炭素数４〜１５のアルキル基；
【００６７】
ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、２，６−ジオキソシクロヘキサン−１−イル基、２−オキソ−５−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン−１−イル基等のアシル基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；
【００６８】
ホルミルオキシメチル基、アセトキシエチル基、ｎ−プロピオニルオキシエチル基、ｎ−ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）ヘキシル基、（３−フルオロブチリルオキシ）エチル基、（３−クロロブチリルオキシ）エチル基等のアシルオキシ基で置換された炭素数２〜１５のアルキル基；
【００６９】
ホルミルオキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエチル基、ｎ−プロピオニルオキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）オキシブチルオキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基等のアシルオキシアルコキシ基で置換された炭素数３〜１５のアルキル基；
【００７０】
アセトキシメトキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエトキシエチル基、ｎ−プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基等のアシルオキシアルコキシアルコキシ基で置換された炭素数５〜１５のアルキル基；
【００７１】
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−ブチルオキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ｎ−ブチルオキシカルボニルエチル基、（４−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）シクロヘキシル基、（２，２，３，３−テトラフルオロプロピルオキシカルボニル）メチル基、（２，２，３，３−テトラクロロプロピルオキシカルボニル）メチル基等のアルコキシカルボニル基で置換された炭素数３〜１５のアルキル基；
【００７２】
フェノキシカルボニルメチル基、（２−メチルフェニキシカルボニル）メチル基、（３−メチルフェニキシカルボニル）メチル基、（４−メチルフェニキシカルボニル）メチル基、（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル）メチル基、フェノキシカルボニルエチル基、（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル）エチル基、（１−ナフチルオキシカルボニ）メチル基、（２−ナフチルオキシカルボニ）メチル基、（２−フェニルフェニルオキシカルボニル）エチル基、（３−フェニルフェニルオキシカルボニル）エチル基、（４−フェニルフェニルオキシカルボニル）エチル基等のアリールオキシカルボニル基で置換された炭素数８〜１５のアルキル基；
【００７３】
ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカルボニルメチル基、（４−シクロヘキシルオキシベンジルオキシカルボニル）メチル基等のアラルキルオキシカルボニル基で置換された炭素数９〜１５のアルキル基；
【００７４】
ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメチル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニルメチル基、オクテノキシカルボニルメチル基等のアルケニルオキシカルボニル基で置換された炭素数４〜１０のアルキル基；
【００７５】
メトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエチル基、ブチルオキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキシ）エチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシカルボニルオキシ）エチル基等のアルコキシカルボニルオキシ基で置換された炭素数３〜１５のアルキル基；
【００７６】
メトキシメトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ｎ−ブチルオキシエトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基等のアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換された炭素数４〜１５のアルキル基；
【００７７】
ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（ｎ−プロピルオキシエチル）アミノメチル基、ジ（ｎ−ブチルオキシエチル）アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキシエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ（ｎ−プロピルオキシエチル）アミノエチル基、ジ（ｎ−ブチルオキシエチル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノプロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（ｎ−プロピルオキシエチル）アミノプロピル基、ジ（ｎ−ブチルオキシエチル）アミノプロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブチル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエチル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブチル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（ｎ−プロピルオキシエチル）アミノブチル基、ジ（ｎ−ブチルオキシエチル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基で置換された炭素数３〜２０のアルキル基；
【００７８】
アセチルアミノメチル基、アセチルアミノエチル基、ｎ−プロピオニルアミノエチル基、ｎ−ブタノイルアミノエチル基、シクロヘキシルカルボニルアミノエチル基、４−メチルシクロヘキシルカルボニルアミノエチル基、スクシンイミノエチル基等のアシルアミノ基で置換された炭素数３〜１０のアルキル基；
【００７９】
メチルスルホンアミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル基、ｎ−プロピルスルホンアミノエチル基、ｎ−オクチルスルホンアミノエチル基等のアルキルスルホンアミノ基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；
【００８０】
メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ｎ−ブチルスルホニルエチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホニルメチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスルホニルメチル基等のアルキルスルホニル基で置換された炭素数２〜１０のアルキル基；
【００８１】
フェニルスルホニルメチル基、フェニルスルホニルエチル基、フェニルスルホニルプロピル基、フェニルスルホニルブチル基、２−メチルフェニルスルホニルメチル基、３−メチルフェニルスルホニルメチル基、４−メチルフェニルスルホニルメチル基、４−メチルフェニルスルホニルエチル基、４−メチルフェニルスルホニルプロピル基、４−メチルフェニルスルホニルブチル基、２，４−ジメチルフェニルスルホニルメチル基、２，６−ジメチルフェニルスルホニルメチル基、２，４−ジメチルフェニルスルホニルエチル基、２，４−ジメチルフェニルスルホニルプロピル基、２，４−ジメチルフェニルスルホニルブチル基等のアリールスルホニル基で置換された炭素数７〜１２のアルキル基；
【００８２】
チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基等の複素環基で置換された炭素数２〜１３のアルキル基；
【００８３】
フェロセニルメチル基、フェロセニルエチル基、フェロセニル−ｎ−プロピル基、フェロセニル−イソプロピル基、フェロセニル−ｎ−ブチル基、フェロセニル−イソブチル基、フェロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、フェロセニル−ｔｅｒｔ−ブチル基、フェロセニル−ｎ−ペンチル基、フェロセニル−イソペンチル基、フェロセニル−２−メチルブチル基、フェロセニル−１−メチルブチル基、フェロセニルネオペンチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、フェロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、フェロセニルシクロペンチル基、フェロセニル−ｎ−ヘキシル基、フェロセニル−４−メチルペンチル基、フェロセニル−３−メチルペンチル基、フェロセニル−２−メチルペンチル基、フェロセニル−１−メチルペンチル基、フェロセニル−３，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，３−ジメチルブチル基、フェロセニル−２，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，２−ジメチルブチル基、フェロセニル−１，１−ジメチルブチル基、フェロセニル−３−エチルブチル基、フェロセニル−２−エチルブチル基、フェロセニル−１−エチルブチル基、フェロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、フェロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、フェロセニルシクロヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ヘプチル基、フェロセニル−２−メチルヘキシル基、フェロセニル−３−メチルヘキシル基、フェロセニル−４−メチルヘキシル基、フェロセニル−５−メチルヘキシル基、フェロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、フェロセニル−ｎ−オクチル基、フェロセニル−２−エチルヘキシル基、フェロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、フェロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、フェロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、フェロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、フェロセニル−ｎ−ノニル基、フェロセニル−ｎ−デシル基、
【００８４】
コバルトセニルメチル基、コバルトセニルエチル基、コバルトセニル−ｎ−プロピル基、コバルトセニル−イソプロピル基、コバルトセニル−ｎ−ブチル基、コバルトセニル−イソブチル基、コバルトセニル−ｓｅｃ−ブチル基、コバルトセニル−ｔｅｒｔ−ブチル基、コバルトセニル−ｎ−ペンチル基、コバルトセニル−イソペンチル基、コバルトセニル−２−メチルブチル基、コバルトセニル−１−メチルブチル基、コバルトセニルネオペンチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルプロピル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルプロピル基、コバルトセニルシクロペンチル基、コバルトセニル−ｎ−ヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルペンチル基、コバルトセニル−３−メチルペンチル基、コバルトセニル−２−メチルペンチル基、コバルトセニル−１−メチルペンチル基、コバルトセニル−３，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，３−ジメチルブチル基、コバルトセニル−２，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，２−ジメチルブチル基、コバルトセニル−１，１−ジメチルブチル基、コバルトセニル−３−エチルブチル基、コバルトセニル−２−エチルブチル基、コバルトセニル−１−エチルブチル基、コバルトセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、コバルトセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、コバルトセニルシクロヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ヘプチル基、コバルトセニル−２−メチルヘキシル基、コバルトセニル−３−メチルヘキシル基、コバルトセニル−４−メチルヘキシル基、コバルトセニル−５−メチルヘキシル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルペンチル基、コバルトセニル−ｎ−オクチル基、コバルトセニル−２−エチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、コバルトセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、コバルトセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、コバルトセニル−ｎ−ノニル基、コバルトセニル−ｎ−デシル基、
【００８５】
ニッケロセニルメチル基、ニッケロセニルエチル基、ニッケロセニル−ｎ−プロピル基、ニッケロセニル−イソプロピル基、ニッケロセニル−ｎ−ブチル基、ニッケロセニル−イソブチル基、ニッケロセニル−ｓｅｃ−ブチル基、ニッケロセニル−ｔｅｒｔ−ブチル基、ニッケロセニル−ｎ−ペンチル基、ニッケロセニル−イソペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルブチル基、ニッケロセニル−１−メチルブチル基、ニッケロセニルネオペンチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルプロピル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルプロピル基、ニッケロセニルシクロペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３−メチルペンチル基、ニッケロセニル−２−メチルペンチル基、ニッケロセニル−１−メチルペンチル基、ニッケロセニル−３，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，３−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−２，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，２−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１−ジメチルブチル基、ニッケロセニル−３−エチルブチル基、ニッケロセニル−２−エチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチルブチル基、ニッケロセニル−１，２，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１，１，２−トリメチルブチル基、ニッケロセニル−１−エチル−２−メチルプロピル基、ニッケロセニルシクロヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ヘプチル基、ニッケロセニル−２−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−３−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−４−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−５−メチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルペンチル基、ニッケロセニル−ｎ−オクチル基、ニッケロセニル−２−エチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，５，５−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−２，４−ジメチルヘキシル基、ニッケロセニル−２，２，４−トリメチルペンチル基、ニッケロセニル−３，５，５−トリメチルヘキシル基、ニッケロセニル−ｎ−ノニル基、ニッケロセニル−ｎ−デシル基、
【００８６】
ジクロロチタノセニルメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメチル基、ビス（トリフルオメタンスルホナト）チタノセンメチル基、ジクロロジルコノセニルメチル基、ジメチルジルコノセニルメチル基、ジエトキシジルコノセニルメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロモリブデンメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメチル基等のメタロセニル基で置換された炭素数１１〜２０のアルキル基；
【００８７】
フェロセニルメトキシメチル基、フェロセニルメトキシエチル基、フェロセニルメトキシプロピル基、フェロセニルメトキシブチル基、フェロセニルメトキシペンチル基、フェロセニルメトキシヘキシル基、フェロセニルメトキシヘプチル基、フェロセニルメトキシオクチル基、フェロセニルメトキシノニル基、フェロセニルメトキシデシル基、フェロセニルエトキシメチル基、フェロセニルエトキシエチル基、フェロセニルエトキシプロピル基、フェロセニルエトキシブチル基、フェロセニルエトキシペンチル基、フェロセニルエトキシヘキシル基、フェロセニルエトキシヘプチル基、フェロセニルエトキシオクチル基、フェロセニルエトキシノニル基、フェロセニルエトキシデシル基、フェロセニルプロピルオキシメチル基、フェロセニルプロピルオキシエチル基、フェロセニルプロピルオキシプロピル基、フェロセニルプロピルオキシブチル基、フェロセニルプロピルオキシペンチル基、フェロセニルプロピルオキシヘキシル基、フェロセニルプロピルオキシヘプチル基、フェロセニルプロピルオキシオクチル基、フェロセニルプロピルオキシノニル基、フェロセニルプロピルオキシデシル基、フェロセニルブチルオキシメチル基、フェロセニルブチルオキシエチル基、フェロセニルブチルオキシプロピル基、フェロセニルブチルオキシブチル基、フェロセニルブチルオキシペンチル基、フェロセニルブチルオキシヘキシル基、フェロセニルブチルオキシヘプチル基、フェロセニルブチルオキシオクチル基、フェロセニルブチルオキシノニル基、フェロセニルブチルオキシデシル基、フェロセニルデシルオキシメチル基、フェロセニルデシルオキシエチル基、フェロセニルデシルオキシプロピル基、フェロセニルデシルオキシブチル基、フェロセニルデシルオキシペンチル基、フェロセニルデシルオキシヘキシル基、フェロセニルデシルオキシヘプチル基、フェロセニルデシルオキシオクチル基、フェロセニルデシルオキシノニル基、フェロセニルデシルオキシデシル基、
【００８８】
コバルトセニルメトキシメチル基、コバルトセニルメトキシエチル基、コバルトセニルメトキシプロピル基、コバルトセニルメトキシブチル基、コバルトセニルメトキシペンチル基、コバルトセニルメトキシヘキシル基、コバルトセニルメトキシヘプチル基、コバルトセニルメトキシオクチル基、コバルトセニルメトキシノニル基、コバルトセニルメトキシデシル基、コバルトセニルエトキシメチル基、コバルトセニルエトキシエチル基、コバルトセニルエトキシプロピル基、コバルトセニルエトキシブチル基、コバルトセニルエトキシペンチル基、コバルトセニルエトキシヘキシル基、コバルトセニルエトキシヘプチル基、コバルトセニルエトキシオクチル基、コバルトセニルエトキシノニル基、コバルトセニルエトキシデシル基、コバルトセニルプロピルオキシメチル基、コバルトセニルプロピルオキシエチル基、コバルトセニルプロピルオキシプロピル基、コバルトセニルプロピルオキシブチル基、コバルトセニルプロピルオキシペンチル基、コバルトセニルプロピルオキシヘキシル基、コバルトセニルプロピルオキシヘプチル基、コバルトセニルプロピルオキシオクチル基、コバルトセニルプロピルオキシノニル基、コバルトセニルプロピルオキシデシル基、コバルトセニルブチルオキシメチル基、コバルトセニルブチルオキシエチル基、コバルトセニルブチルオキシプロピル基、コバルトセニルブチルオキシブチル基、コバルトセニルブチルオキシペンチル基、コバルトセニルブチルオキシヘキシル基、コバルトセニルブチルオキシヘプチル基、コバルトセニルブチルオキシオクチル基、コバルトセニルブチルオキシノニル基、コバルトセニルブチルオキシデシル基、コバルトセニルデシルオキシメチル基、コバルトセニルデシルオキシエチル基、コバルトセニルデシルオキシプロピル基、コバルトセニルデシルオキシブチル基、コバルトセニルデシルオキシペンチル基、コバルトセニルデシルオキシヘキシル基、コバルトセニルデシルオキシヘプチル基、コバルトセニルデシルオキシオクチル基、コバルトセニルデシルオキシノニル基、コバルトセニルデシルオキシデシル基、
【００８９】
ニッケロセニルメトキシメチル基、ニッケロセニルメトキシエチル基、ニッケロセニルメトキシプロピル基、ニッケロセニルメトキシブチル基、ニッケロセニルメトキシペンチル基、ニッケロセニルメトキシヘキシル基、ニッケロセニルメトキシヘプチル基、ニッケロセニルメトキシオクチル基、ニッケロセニルメトキシノニル基、ニッケロセニルメトキシデシル基、ニッケロセニルエトキシメチル基、ニッケロセニルエトキシエチル基、ニッケロセニルエトキシプロピル基、ニッケロセニルエトキシブチル基、ニッケロセニルエトキシペンチル基、ニッケロセニルエトキシヘキシル基、ニッケロセニルエトキシヘプチル基、ニッケロセニルエトキシオクチル基、ニッケロセニルエトキシノニル基、ニッケロセニルエトキシデシル基、ニッケロセニルプロピルオキシメチル基、ニッケロセニルプロピルオキシエチル基、ニッケロセニルプロピルオキシプロピル基、ニッケロセニルプロピルオキシブチル基、ニッケロセニルプロピルオキシペンチル基、ニッケロセニルプロピルオキシヘキシル基、ニッケロセニルプロピルオキシヘプチル基、ニッケロセニルプロピルオキシオクチル基、ニッケロセニルプロピルオキシノニル基、ニッケロセニルプロピルオキシデシル基、ニッケロセニルブチルオキシメチル基、ニッケロセニルブチルオキシエチル基、ニッケロセニルブチルオキシプロピル基、ニッケロセニルブチルオキシブチル基、ニッケロセニルブチルオキシペンチル基、ニッケロセニルブチルオキシヘキシル基、ニッケロセニルブチルオキシヘプチル基、ニッケロセニルブチルオキシオクチル基、ニッケロセニルブチルオキシノニル基、ニッケロセニルブチルオキシデシル基、ニッケロセニルデシルオキシメチル基、ニッケロセニルデシルオキシエチル基、ニッケロセニルデシルオキシプロピル基、ニッケロセニルデシルオキシブチル基、ニッケロセニルデシルオキシペンチル基、ニッケロセニルデシルオキシヘキシル基、ニッケロセニルデシルオキシヘプチル基、ニッケロセニルデシルオキシオクチル基、ニッケロセニルデシルオキシノニル基、ニッケロセニルデシルオキシデシル基、
【００９０】
ジクロロチタノセニルメトキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセニルメトキシブチル基、ジメチルジルコノセニルメトキシペンチル基、ジエトキシジルコノセニルメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシエチル基、オスモセニルメトキシエチル基等のメタロセニルアルキルオキシ基で置換された炭素数１２〜３０のアルキル基；
【００９１】
フェロセンカルボニルオキシメチル基、フェロセンカルボニルオキシエチル基、フェロセンカルボニルオキシプロピル基、フェロセンカルボニルオキシブチル基、フェロセンカルボニルオキシペンチル基、フェロセンカルボニルオキシヘキシル基、フェロセンカルボニルオキシヘプチル基、フェロセンカルボニルオキシオクチル基、フェロセンカルボニルオキシノニル基、フェロセンカルボニルオキシデシル基、
【００９２】
コバルトセンカルボニルオキシメチル基、コバルトセンカルボニルオキシエチル基、コバルトセンカルボニルオキシプロピル基、コバルトセンカルボニルオキシブチル基、コバルトセンカルボニルオキシペンチル基、コバルトセンカルボニルオキシヘキシル基、コバルトセンカルボニルオキシヘプチル基、コバルトセンカルボニルオキシオクチル基、コバルトセンカルボニルオキシノニル基、コバルトセンカルボニルオキシデシル基、
【００９３】
ニッケロセンカルボニルオキシメチル基、ニッケロセンカルボニルオキシエチル基、ニッケロセンカルボニルオキシプロピル基、ニッケロセンカルボニルオキシブチル基、ニッケロセンカルボニルオキシペンチル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘキシル基、ニッケロセンカルボニルオキシヘプチル基、ニッケロセンカルボニルオキシオクチル基、ニッケロセンカルボニルオキシノニル基、ニッケロセンカルボニルオキシデシル基、
【００９４】
ジクロロチタノセニルカルボニルオキシメチル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルカルボニルオキシエチル基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセンカルボニルオキシメトキシプロピル基、ジクロロジルコノセンカルボニルオキシブチル基、ジメチルジルコノセンカルボニルオキシペンチル基、ジエトキシジルコノセンカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムカルボニルオキシヘキシル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブカルボニルオキシオクチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムカルボニルオキシメチル基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムカルボニルオキシエチル基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムカルボニルオキシエチル基等のメタロセニルカルボニルオキシ基で置換された炭素数１２〜３０のアルキル基；
等が挙げられる。
【００９５】
Ｘ_１及びＸ_２の置換又は無置換のアラルキル基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアラルキル基、又は前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、フルフリル基、２−メチルベンジル基、３−メチルベンジル基、４−メチルベンジル基、４−エチルベンジル基、４−イソプロピルベンジル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンジル基、４−ｎ−ヘキシルベンジル基、４−ｎ−ノニルベンジル基、３，４−ジメチルベンジル基、３−メトキシベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−エトキシベンジル基、４−ｎ−ブチルオキシベンジル基、４−ｎ−ヘキシルオキシベンジル基、４−ｎ−ノニルオキシベンジル基、３−フルオロベンジル基、４−フルオロベンジル基、２−クロロベンジル基、４−クロロベンジル基等の置換又は無置換のアラルキル基等が挙げられる。
【００９６】
Ｘ_１及びＸ_２の置換又は無置換のアリール基とは、無置換の炭素環式芳香族基、複素環式芳香族基、メタロセニル基、あるいは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有する炭素環式芳香族基、複素環式芳香族基、メタロセニル基、又は前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有する炭素環式芳香族基、複素環式芳香族基、メタロセニル基であり、好ましくは、フェニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、２−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、４−ネオペンチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−（２’−エチルブチル）フェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−（２’−エチルヘキシル）フェニル基、４−ｎ−ノニルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ウンデシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−テトラデシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−（４’−メチルシクロヘキシル）フェニル基、４−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル）フェニル基、３−シクロヘキシルフェニル基、２−シクロヘキシルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，５−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェニル基、５−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−６−ナフチル基、４−エチル−１−ナフチル基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、５−インダニル基、
【００９７】
４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、２−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロピルオキシフェニル基、３−ｎ−プロピルオキシフェニル基、４−イソプロピルオキシフェニル基、２−イソプロピルオキシフェニル基、４−ｎ−ブチルオキシフェニル基、４−イソブチルオキシフェニル基、２−ｓｅｃ−ブチルオキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−イソペンチルオキシフェニル基、２−イソペンチルオキシフェニル基、４−ネオペンチルオキシフェニル基、２−ネオペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、４−（２’−エチルブチル）オキシフェニル基、４−ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−ノニルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ウンデシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−シクロヘキシルオキシフェニル基、２，３−ジメトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、２−メトキシ−５−メチルフェニル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、２−メトキシ−１−ナフチル基、４−メトキシ−１−ナフチル基、４−ｎ−ブチルオキシ−１−ナフチル基、５−エトキシ−１−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、６−エトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ブチルオキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ヘキシルオキシ−２−ナフチル基、７−メトキシ−２−ナフチル基、７−ｎ−ブチルオキシ−２−ナフチル基、
【００９８】
４−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、２−フェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェニル基、４−（３’−メチルフェニル）フェニル基、４−（４’−エチルフェニル）フェニル基、４−（４’−イソプロピルフェニル）フェニル基、４−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フェニル基、４−（４’−ｎ−ヘキシルフェニル）フェニル基、４−（４’−ｎ−オクチルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−ｎ−ブチルオキシフェニル）フェニル基、２−（２’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−クロロフェニル）フェニル基、３−メチル−４−フェニルフェニル基、３−メトキシ−４−フェニルフェニル基、９−フェニル−２−フルオレニル基、９，９−ジフェニル−２−フルオレニル基、９−メチル−９−フェニル−２−フルオレニル基、９−エチル−９−フェニル−２−フルオレニル基、
【００９９】
４−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２，５−ジブロモフェニル基、２，４，６−トリクロロフェニル基、２−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−フルオロ−５−メチルフェニル基、３−フルオロ−２−メチルフェニル基、３−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−メチル−４−フルオロフェニル基、２−メチル−５−フルオロフェニル基、３−メチル−４−フルオロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−５−メチルフェニル基、２−クロロ−６−メチルフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、２−メチル−３−クロロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、３−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４，６−ジメチルフェニル基、２，４−ジクロロ−１−ナフチル基、１，６−ジクロロ−２−ナフチル基、２−メトキシ−４−フルオロフェニル基、３−メトキシ−４−フルオロフェニル基、２−フルオロ−４−メトキシフェニル基、２−フルオロ−４−エトキシフェニル基、２−フルオロ−６−メトキシフェニル基、３−フルオロ−４−メトキシフェニル基、３−フルオロ−４−エトキシフェニル基、２−クロロ−４−メトキシフェニル基、３−クロロ−４−メトキシフェニル基、２−メトキシ−５−クロロフェニル基、３−メトキシ−４−クロロフェニル基、３−メトキシ−６−クロロフェニル基、５−クロロ−２，４−ジメトキシフェニル基等の置換又は無置換の炭素環式芳香族基；
【０１００】
４−キノリル基、３−キノリル基、４−メチル−２−キノリル基、４−ピリジル基、３−ピリジル基、２−ピリジル基、４−メチル−２−ピリジル基、５−メチル−２−ピリジル基、６−メチル−２−ピリジル基、６−フルオロ−３−ピリジル基、６−メトキシ−３−ピリジル基、６−メトキシ−２−ピリジル基、３−フリル基、２−フリル基、３−チエニル基、２−チエニル基，４−メチル−３−チエニル基、５−メチル−２−チエニル基、３−メチル−２−チエニル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、２−ベンゾイミダゾリル基等の置換又は無置換の複素環式芳香族基；
【０１０１】
フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロセニル基、ジクロロチタノセニル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニル基、ビス（トリフルオメタンスルホナト）チタノセニル基、ジクロロジルコノセニル基、ジメチルジルコノセニル基、ジエトキシジルコノセニル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロム基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロモリブデン基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウム基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブ基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウム基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウム基、オクタメチルフェロセニル基、オクタメチルコバルトセニル基、オクタメチルニッケロセニル基等の置換又は無置換のメタロセニル基；
等が挙げられる。
【０１０２】
Ｘ_１及びＸ_２の置換又は無置換のアルコキシ基とは、前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有しても良いアルコキシ基であり、具体例としては、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチルペンチルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、１，１−ジメチルブチルオキシ基、１，２−ジメチルブチルオキシ基、１，３−ジメチルブチルオキシ基、２，３−ジメチルブチルオキシ基、１，１，２−トリメチルプロピルオキシ基、１，２，２−トリメチルプロピルオキシ基、１−エチルブチルオキシ基、２−エチルブチルオキシ基、１−エチル−２−メチルプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、メチルシクロペンチルオキシ基、ｎ−へプチルオキシ基、１−メチルヘキシルオキシ基、２−メチルヘキシルオキシ基、３−メチルヘキシルオキシ基、４−メチルヘキシルオキシ基、５−メチルヘキシルオキシ基、１，１−ジメチルペンチルオキシ基、１，２−ジメチルペンチルオキシ基、１，３−ジメチルペンチルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキシ基、２，２−ジメチルペンチルオキシ基、２，３−ジメチルペンチルオキシ基、２，４−ジメチルペンチルオキシ基、３，３−ジメチルペンチルオキシ基、３，４−ジメチルペンチルオキシ基、１−エチルペンチルオキシ基、２−エチルペンチルオキシ基、３−エチルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルブチルオキシ基、１，１，３−トリメチルブチルオキシ基、１，２，３−トリメチルブチルオキシ基、１，２，２−トリメチルブチルオキシ基、１，３，３−トリメチルブチルオキシ基、２，３，３−トリメチルブチルオキシ基、１−エチル−１−メチルブチルオキシ基、１−エチル−２−メチルブチルオキシ基、１−エチル−３−メチルブチルオキシ基、２−エチル−１−メチルブチルオキシ基、２−エチル−３−メチルブチルオキシ基、１−ｎ−プロピルブチルオキシ基、１−イソプロピルブチルオキシ基、１−イソプロピル−２−メチルプロピルオキシ基、メチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、１−メチルヘプチルオキシ基、２−メチルヘプチルオキシ基、３−メチルヘプチルオキシ基、４−メチルヘプチルオキシ基、５−メチルヘプチルオキシ基、６−メチルヘプチルオキシ基、１，１−ジメチルヘキシルオキシ基、１，２−ジメチルヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルヘキシルオキシ基、１，５−ジメチルヘキシルオキシ基、２，２−ジメチルヘキシルオキシ基、２，３−ジメチルヘキシルオキシ基、２，４−ジメチルヘキシルオキシ基、２，５−ジメチルヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルヘキシルオキシ基、３，４−ジメチルヘキシルオキシ基、３，５−ジメチルヘキシルオキシ基、４，４−ジメチルヘキシルオキシ基、４，５−ジメチルヘキシルオキシ基、１−エチルヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３−エチルヘキシルオキシ基、４−エチルヘキシルオキシ基、１−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、２−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、１−イソプロピルペンチルオキシ基、２−イソプロピルペンチルオキシ基、１−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルペンチルオキシ基、１，１，３−トリメチルペンチルオキシ基、１，１，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，２−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、２，２，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，３，３−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，３−トリメチルペンチルオキシ基、３，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、３，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、１−ｎ−ブチルブチルオキシ基、１−イソブチルブチルオキシ基、１−ｓｅｃ−ブチルブチルオキシ基、１−ｔｅｒｔ−ブチルブチルオキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチルブチルオキシ基、１−ｎ−プロピル−１−メチルブチルオキシ基、１−ｎ−プロピル−２−メチルブチルオキシ基、１−ｎ−プロピル−３−メチルブチルオキシ基、１−イソプロピル−１−メチルブチルオキシ基、１−イソプロピル−２−メチルブチルオキシ基、１−イソプロピル−３−メチルブチルオキシ基、１，１−ジエチルブチルオキシ基、１，２−ジエチルブチルオキシ基、１−エチル−１，２−ジメチルブチルオキシ基、１−エチル−１，３−ジメチルブチルオキシ基、１−エチル−２，３−ジメチルブチルオキシ基、２−エチル−１，１−ジメチルブチルオキシ基、２−エチル−１，２−ジメチルブチルオキシ基、２−エチル−１，３−ジメチルブチルオキシ基、２−エチル−２，３−ジメチルブチルオキシ基、１，１，３，３−テトラメチルブチルオキシ基、１，２−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基等の炭素数１〜１５の直鎖、分岐又は環状の無置換アルコキシ基；
【０１０３】
メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、ｎ−プロピルオキシエトキシ基、イソプロピルオキシエトキシ基、ｎーブチルオキシエトキシ基、イソブチルオキシエトキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシエトキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシエトキシ基、ｎーペンチルオキシエトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシエトキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシエトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシエトキシ基、ｎ−ノニルオキシエトキシ基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）エトキシ基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）ブチルオキシ基、ｎ−デシルオキシエトキシ基、ｎ−ウンデシルオキシエトキシ基、ｎ−ドデシルオキシエトキシ基、３−メトキシプロピルオキシ基、３−エトキシプロピルオキシ基、３−（ｎ−プロピルオキシ）プロピルオキシ基、２−イソプロピルオキシプロピルオキシ基、２−メトキシブチルオキシ基、２−エトキシブチルオキシ基、２−（ｎ−プロピルオキシ）ブチルオキシ基、４−イソプロピルオキシブチルオキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマンチルオキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換された炭素数２〜１５のアルコキシ基；
【０１０４】
メトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、プロピルオキシメトキシメトキシ基、ブチルオキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基、プロピルオキシエトキシメトキシ基、ブチルオキシエトキシメトキシ基、メトキシプロピルオキシメトキシ基、エトキシプロピルオキシメトキシ基、プロピルオキシプロピルオキシメトキシ基、ブチルオキシプロピルオキシメトキシ基、メトキシブチルオキシメトキシ基、エトキシブチルオキシメトキシ基、プロピルオキシブチルオキシメトキシ基、ブチルオキシブチルオキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、プロピルオキシメトキシエトキシ基、ブチルオキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロピルオキシエトキシエトキシ基、ブチルオキシエトキシエトキシ基、メトキシプロピルオキシエトキシ基、エトキシプロピルオキシエトキシ基、プロピルオキシプロピルオキシエトキシ基、ブチルオキシプロピルオキシエトキシ基、メトキシブチルオキシエトキシ基、エトキシブチルオキシエトキシ基、プロピルオキシブチルオキシエトキシ基、ブチルオキシブチルオキシエトキシ基、メトキシメトキシプロピルオキシ基、エトキシメトキシプロピルオキシ基、プロピルオキシメトキシプロピルオキシ基、ブチルオキシメトキシプロピルオキシ基、メトキシエトキシプロピルオキシ基、エトキシエトキシプロピルオキシ基、プロピルオキシエトキシプロピルオキシ基、ブチルオキシエトキシプロピルオキシ基、メトキシプロピルオキシプロピルオキシ基、エトキシプロピルオキシプロピルオキシ基、プロピルオキシプロピルオキシプロピルオキシ基、ブチルオキシプロピルオキシプロピルオキシ基、メトキシブチルオキシプロピルオキシ基、エトキシブチルオキシプロピルオキシ基、プロピルオキシブチルオキシプロピルオキシ基、ブチルオキシブチルオキシプロピルオキシ基、メトキシメトキシブチルオキシ基、エトキシメトキシブチルオキシ基、プロピルオキシメトキシブチルオキシ基、ブチルオキシメトキシブチルオキシ基、メトキシエトキシブチルオキシ基、エトキシエトキシブチルオキシ基、プロピルオキシシエトキシブチルオキシ基、ブチルオキシエトキシブチルオキシ基、メトキシプロピルオキシブチルオキシ基、エトキシプロピルオキシブチルオキシ基、プロピルオキシプロピルオキシブチルオキシ基、ブチルオキシプロピルオキシブチルオキシ基、メトキシブチルオキシブチルオキシ基、エトキシブチルオキシブチルオキシ基、プロピルオキシブチルオキシブチルオキシ基、ブチルオキシブチルオキシブチルオキシ基、（４−エチルシクロへキシルオキシ）エトキシエトキシ基、（２−エチル−１−へキシルオキシ）エトキシプロピルオキシ基、〔４−（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）ブチルオキシ〕エトキシ基等の、アルコキシアルコキシ基で置換された直鎖、分岐又は環状の炭素数３〜１５のアルコキシ基；
【０１０５】
メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシカルボニルメトキシ基、ｎ−プロピルオキシカルボニルメトキシ基、イソプロピルオキシカルボニルメトキシ基、（４’−エチルシクロヘキシルオキシ）カルボニルメトキシ基等のアルコキシカルボニル基で置換された炭素数３〜１０のアルコキシ基；
【０１０６】
アセチルメトキシ基、エチルカルボニルメトキシ基、ｎ−オクチルカルボニルメトキシ基、フェナシルオキシ基等のアシル基で置換された炭素数３〜１０のアルコキシ基；
【０１０７】
アセチルオキシメトキシ基、アセチルオキシエトキシ基、アセチルオキシヘキシルオキシ基、ｎ−ブタノイルオキシシクロヘキシルオキシ基等のアシルオキシ基で置換された炭素数３〜１０のアルコキシ基；
【０１０８】
メチルアミノメトキシ基、２−メチルアミノエトキシ基、２−（２−メチルアミノエトキシ）エトキシ基、４−メチルアミノブチルオキシ基、１−メチルアミノプロパン−２−イルオキシ基、３−メチルアミノプロピルオキシ基、２−メチルアミノ−２−メチルプロピルオキシ基、２−エチルアミノエトキシ基、２−（２−エチルアミノエトキシ）エトキシ基、３−エチルアミノプロピルオキシ基、１−エチルアミノプロピルオキシ基、２−イソプロピルアミノエトキシ基、２−（ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、３−（ｎ−ヘキシルアミノ）プロピルオキシ基、４−（シクロヘキシルアミノ）ブチルオキシ基等のアルキルアミノ基で置換された炭素数２〜１０のアルコキシ基；
【０１０９】
メチルアミノメトキシメトキシ基、メチルアミノエトキシエトキシ基、メチルアミノエトキシプロピルオキシ基、エチルアミノエトキシプロピルオキシ基、４−（２’−イソブチルアミノプロピルオキシ）ブチルオキシ基等のアルキルアミノアルコキシ基で置換された炭素数３〜１０のアルコキシ基；
【０１１０】
ジメチルアミノメトキシ基、２−ジメチルアミノエトキシ基、２−（２−ジメチルアミノエトキシ）エトキシ基、４−ジメチルアミノブチルオキシ基、１−ジメチルアミノプロパン−２−イルオキシ基、３−ジメチルアミノプロピルオキシ基、２−ジメチルアミノ−２−メチルプロピルオキシ基、２−ジエチルアミノエトキシ基、２−（２−ジエチルアミノエトキシ）エトキシ基、３−ジエチルアミノプロピルオキシ基、１−ジエチルアミノプロピルオキシ基、２−ジイソプロピルアミノエトキシ基、２−（ジ−ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、２−ピペリジルエトキシ基、３−（ジ−ｎ−ヘキシルアミノ）プロピルオキシ基等のジアルキルアミノ基で置換された炭素数３〜１５のアルコキシ基；
【０１１１】
ジメチルアミノメトキシメトキシ基、ジメチルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエトキシプロピルオキシ基、ジエチルアミノエトキシプロピルオキシ基、４−（２’−ジイソブチルアミノプロピルオキシ）ブチルオキシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換された炭素数４〜１５のアルコキシ基；
【０１１２】
メチルチオメトキシ基、２−メチルチオエトキシ基、２−エチルチオエトキシ基、２−ｎ−プロピルチオエトキシ基、２−イソプロピルチオエトキシ基、２−ｎ−ブチルチオエトキシ基、２−イソブチルチオエトキシ基、（３，５，５−トリメチルヘキシルチオ）ヘキシルオキシ基等のアルキルチオ基で置換された炭素数２〜１５のアルコキシ基；
【０１１３】
フェロセニルメトキシ基、フェロセニルエトキシ基、フェロセニルプロピルオキシ基、フェロセニルブチルオキシ基、フェロセニルペンチルオキシ基、フェロセニルヘキシルオキシ基、フェロセニルヘプチルオキシ基、フェロセニルオクチルオキシ基、フェロセニルノニルオキシ基、フェロセニルデシルオキシ基、
【０１１４】
コバルトセニルメトキシ基、コバルトセニルエトキシ基、コバルトセニルプロピルオキシ基、コバルトセニルブチルオキシ基、コバルトセニルペンチルオキシ基、コバルトセニルヘキシルオキシ基、コバルトセニルヘプチルオキシ基、コバルトセニルオクチルオキシ基、コバルトセニルノニルオキシ基、コバルトセニルデシルオキシ基、
【０１１５】
ニッケロセニルメトキシ基、ニッケロセニルエトキシ基、ニッケロセニルプロピルオキシ基、ニッケロセニルブチルオキシ基、ニッケロセニルペンチルオキシ基、ニッケロセニルヘキシルオキシ基、ニッケロセニルヘプチルオキシ基、ニッケロセニルオクチルオキシ基、ニッケロセニルノニルオキシ基、ニッケロセニルデシルオキシ基、
【０１１６】
ジクロロチタノセニルメトキシ基、トリクロロチタンシクロペンタジエニルメトキシ基、ビス（トリフルオロメタンスルホナト）チタノセニルメトキシ基、ジクロロジルコノセニルメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）クロムメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウムメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウムメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウムメトキシ基、ビス（シクロペンタジエニル）オスミウムメトキシ基等のメタロセニル基で置換された炭素数１１〜２０のアルコキシ基；
【０１１７】
等が挙げられ、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、２−メチルブチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、デカリルオキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、フェロセニルメトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基が挙げられる。
【０１１８】
Ｘ_１及びＸ_２の置換又は無置換のアラルキルオキシ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアラルキルオキシ基、又は前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアラルキルオキシ基であり、好ましくは、ベンジルオキシ基、４−ニトロベンジルオキシ基、４−シアノベンジルオキシ基、４−ヒドロキシベンジルオキシ基、２−メチルベンジルオキシ基、３−メチルベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、４−トリフルオロメチルベンジルオキシ基、１−ナフチルメトキシ基、２−ナフチルメトキシ基、４−シアノ−１−ナフチルメトキシ基、４−ヒドロキシ−１−ナフチルメトキシ基、６−ヒドロキシ−２−ナフチルメトキシ基、４−メチル−１−ナフチルメトキシ基、６−メチル−２−ナフチルメトキシ基、４−トリフルオロメチル−１−ナフチルメトキシ基、フルオレン−９−イルエトキシ基等の炭素数７〜１５のアラルキルオキシ基等が挙げられる。
【０１１９】
Ｘ_１及びＸ_２の置換又は無置換のアリールオキシ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアリールオキシ基、又は前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアリールオキシ基であり、好ましくは、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−イソプロピルフェノキシ基、ナフチルオキシ基、フェロセニルオキシ基、コバルトセニルオキシ基、ニッケロセニルオキシ基、オクタメチルフェロセニルオキシ基、オクタメチルコバルトセニルオキシ基、オクタメチルニッケロセニルオキシ基等の炭素数６〜１８のアリールオキシ基等が挙げられる。
【０１２０】
Ｘ_１及びＸ_２の置換又は無置換のアルキルチオ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアルキルチオ基、又は前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，５，５−トリメチルヘキシルチオ基、デカリルチオ基等の炭素数１〜１０のアルキルチオ基等が挙げられる。
【０１２１】
Ｘ_１及びＸ_２の置換又は無置換のアラルキルチオ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアラルキルチオ基、又は前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアラルキルチオ基であり、好ましくは、ベンジルチオ基、４−シアノベンジルチオ基、４−ヒドロキシベンジルチオ基、２−メチルベンジルチオ基、３−メチルベンジルチオ基、４−メチルベンジルチオ基、４−トリフルオロメチルベンジルチオ基、１−ナフチルメチルチオ基、４−ニトロ−１−ナフチルメチルチオ基、４−シアノ−１−ナフチルメチルチオ基、４−ヒドロキシ−１−ナフチルメチルチオ基、４−メチル−１−ナフチルメチルチオ基、４−トリフルオロメチル−１−ナフチルメチルチオ基、フルオレン−９−イルエチルチオ基等の炭素数７〜１２のアラルキルチオ基等が挙げられる。
【０１２２】
Ｘ_１及びＸ_２の置換又は無置換のアリールチオ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアリールチオ基、又は前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアリールチオ基であり、好ましくは、フェニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基、フェロセニルチオ基、コバルトセニルチオ基、ニッケロセニルチオ基、オクタメチルフェロセニルチオ基、オクタメチルコバルトセニルチオ基、オクタメチルニッケロセニルチオ基等の炭素数６〜１０のアリールチオ基等が挙げられる。
【０１２３】
Ｘ_１及びＸ_２の置換又は無置換のアミノ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアミノ基、又は前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアルキルアミノ基であり、好ましくは、アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基等の炭素数１〜１０のモノアルキルアミノ基やジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノ基等の炭素数２〜１０のジアルキルアミノ基；
【０１２４】
前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアラルキルアミノ基、又は前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアラルキルアミノ基であり、好ましくは、ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基、３−フェニルプロピルアミノ基、４−エチルベンジルアミノ基、４−イソプロピルベンジルアミノ基等の炭素数７〜１０のモノアラルキルアミノ基や、ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノ基等の炭素数１４〜２０のジアラルキルアミノ基；
【０１２５】
前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアリールアミノ基、又は前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアリールアミノ基であり、好ましくは、フェニルアミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、２−メチルフェニルアミノ基、３−メチルフェニルアミノ基、４−メチルフェニルアミノ基、２，４−ジメチルフェニルアミノ基、２，６−ジメチルフェニルアミノ基、４−エチルフェニルアミノ基、４−イソプロピルフェニルアミノ基、４−メトキシフェニルアミノ基、４−クロロフェニルアミノ基、４−アセチルフェニルアミノ基、４−メトキシカルボニルフェニルアミノ基、４−エトキシカルボニルフェニルアミノ基、４−プロピルオキシカルボニルフェニルアミノ基等、炭素数６〜１０のモノアリールアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（３−メチルフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−メチルフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−エチルフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−ｎ−ヘキシルフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−メトキシフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−エトキシフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−ｎ−ブチルオキシフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（１−ナフチル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（３−メチルフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−ｎ−オクチルフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−メトキシフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−エトキシフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−フルオロフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−フェニルフェニル）アミノ基等の炭素数１２〜２０のジアリールアミノ基；
等が挙げられる。
【０１２６】
一般式（１）で表される化合物において、Ａ_１及びＡ_２はそれぞれ独立に、置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｆ_１、Ｆ_２及びＦ_３はそれぞれ独立に、置換又は無置換のフルオレンジイル基を表す。
【０１２７】
Ａ_１、Ａ_２、Ｆ_１、Ｆ_２及びＦ_３が置換基を有する場合の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基が挙げられる。
【０１２８】
Ａ_１、Ａ_２、Ｆ_１、Ｆ_２及びＦ_３が置換基を有する場合の置換基の具体例としては、Ｘ_１及びＸ_２の具体例として挙げたハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を挙げることができる。
【０１２９】
Ａ_１及びＡ_２は、置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表す。縮合多環式芳香族環とは、少なくとも二つの芳香族環が縮合した構造を有する炭素環式芳香族環であり、好ましくは、２〜６個の芳香族環が縮合した炭素環式芳香族環であり、より好ましくは、２〜４個の芳香族環が縮合した炭素環式芳香族環である。
【０１３０】
Ａ_１及びＡ_２の具体例としては、例えば、置換または無置換のナフタレンジイル基、置換または無置換のアセナフチレンジイル基、置換または無置換のアントラセンジイル基、置換または無置換のフェナントレンジイル基、置換または無置換のフルオランテンジイル基、置換または無置換のアセフェナントリレンジイル基、置換または無置換のトリフェニレンジイル基、置換または無置換のピレンジイル基、置換または無置換のクリセンジイル基、置換または無置換のナフタセンジイル基、置換または無置換のペリレンジイル基、置換または無置換のベンゾ［ａ］アントラセンジイル基、置換または無置換のペンタフェンジイル基、置換または無置換のペンタセンジイル基、であり、好ましくは、置換または無置換のナフタレンジイル基、置換または無置換のアントラセンジイル基、置換または無置換のフェナントレンジイル基、置換または無置換のフルオランテンジイル基、置換または無置換のピレンジイル基、置換または無置換のクリセンジイル基、置換または無置換のペリレンジイル基であり、より好ましくは、置換または無置換のナフタレン−１，３−ジイル基、置換または無置換のナフタレン−１，４−ジイル基、置換または無置換のナフタレン−１，５−ジイル基、置換または無置換のナフタレン−１，６−ジイル基、置換または無置換のナフタレン−１，７−ジイル基、置換または未置換のアントラセン−１，４−ジイル基、置換または未置換のアントラセン−１，５−ジイル基、置換または未置換のアントラセン−２，６−ジイル基、置換または未置換のアントラセン−２，７−ジイル基、置換または未置換のアントラセン−９，１０−ジイル基、置換または無置換のフェナントレン−２，１０−ジイル基、置換または無置換のフェナントレン−９，１０−ジイル基、置換または無置換のフルオランテン−３，８−ジイル基、置換または無置換のピレン−１，５−ジイル基、置換または無置換のピレン−１，６−ジイル基、置換または無置換のピレン−１，８−ジイル基、置換または無置換のクリセン−６，１２−ジイル基、置換または無置換のペリレン−１，７−ジイル基である。
【０１３１】
Ｆ_１、Ｆ_２及びＦ_３はそれぞれ独立に、置換又は無置換のフルオレンジイル基を表し、好ましくは、置換又は無置換のフルオレン−１，３−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−１，６−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−１，７−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−１，８−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−２，６−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−２，７−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−３，６−ジイル基であり、より好ましくは、置換又は無置換のフルオレン−１，６−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−１，７−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−１，８−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−２，６−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−２，７−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−３，６−ジイル基であり、さらに好ましくは、、置換又は無置換のフルオレン−１，８−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−２，７−ジイル基、置換又は無置換のフルオレン−３，６−ジイル基であり、特に好ましくは、置換又は無置換のフルオレン−２，７−ジイル基である。
【０１３２】
一般式（１）で表される化合物において、ｊ、ｍ及びｎは０又は１を表し、ｋ及びｌは１又は２を表す。好ましくは、▲１▼ｋが１である、▲２▼ｊ及びｎが０であり、ｌが１であり、ｋ＋ｍが２である、▲３▼ｊ＋ｌ＋ｎが２であり、ｋが１であり、ｍが０である、及び▲４▼ｊ、ｍ及びｎが０であり、ｋ及びｌが１である場合を挙げることができる。
【０１３３】
一般式（１）で表される化合物は、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ及びｎの値により以下の構造に大別することができる。
【０１３４】
【化１８】

〔式中、Ａ_１、Ａ_２、Ｆ_１、Ｆ_２、Ｆ_３、Ｘ_１及びＸ_２は一般式（１）の場合と同じ意味を表す。〕
【０１３５】
これらの構造のうち、好ましくは、（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）、（１ｄ）、（１ｆ）、（１ｇ）、（１ｉ）、（１ｌ）、（１ｍ）、（１ｎ）、（１ｒ）、（１ｖ）及び（１ｙ）で表される構造であり、より好ましくは、（１ａ）、（１ｂ）、（１ｃ）、（１ｆ）、（１ｇ）、（１ｉ）、（１ｍ）、及び（１ｖ）で表される構造であり、さらに好ましくは、（１ａ）、（１ｂ）及び（１ｃ）で表される構造である。
【０１３６】
さらに、一般式（１）で表される化合物の好ましい形態としては、下記一般式（２）、下記一般式（３）及び下記一般式（４）で表される化合物を挙げることができる。
【０１３７】
【化１９】

【０１３８】
（式中、Ａ_３及びＡ_４はそれぞれ独立に、置換又は無置換の一価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_２１及びＲ_２２はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_２１〜Ｘ_２６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｒ_２１、Ｒ_２２及びＸ_２１〜Ｘ_２６は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
【０１３９】
【化２０】

【０１４０】
（式中、Ａ_１は置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_３１〜Ｒ_３４はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_３０１〜Ｘ_３１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｒ_３１〜Ｒ_３４及びＸ_３０１〜Ｘ_３１４は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
【０１４１】
【化２１】

【０１４２】
（式中、Ａ_５は置換又は無置換の一価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_４１及びＲ_４２はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_４１〜Ｘ_４７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｒ_４１、Ｒ_４２及びＸ_４１〜Ｘ_４７は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
【０１４３】
一般式（２）、一般式（３）及び一般式（４）で表される化合物において、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_３１〜Ｒ_３４、Ｒ_４１及びＲ_４２はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表す。但し、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_３１〜Ｒ_３４、Ｒ_４１及びＲ_４２は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。
【０１４４】
Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_３１〜Ｒ_３４、Ｒ_４１及びＲ_４２は、好ましくは、水素原子、炭素数１〜１５の無置換のアルキル基、炭素数６〜２５の置換又は無置換の炭素環式芳香族基、炭素数３〜２５の置換又は無置換の複素環式芳香族基、あるいは炭素数５〜１６の置換又は無置換のアラルキル基であり、より好ましくは、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、炭素数６〜１２の置換又は無置換の炭素環式芳香族基、炭素数４〜１２の置換又は無置換の複素環式芳香族基、あるいは炭素数７〜１２の置換又は無置換のアラルキル基であり、
【０１４５】
さらに好ましくは、水素原子、炭素数１〜８の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０の置換又は無置換の炭素環式芳香族基、炭素数４〜１０の置換又は無置換の複素環式芳香族基、あるいは炭素数７〜１０の置換又は無置換のアラルキル基である。
【０１４６】
Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_３１〜Ｒ_３４、Ｒ_４１及びＲ_４２の具体例としては、水素原子、又はＸ_１及びＸ_２の具体例として挙げた置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換の炭素環式芳香族基、置換又は無置換の複素環式芳香族基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を挙げることができる。
【０１４７】
一般式（２）、一般式（３）及び一般式（４）で表される化合物において、Ｘ_２１〜Ｘ_２６、Ｘ_３０１〜Ｘ_３１４及びＸ_４１〜Ｘ_４７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｘ_２１〜Ｘ_２６、Ｘ_３０１〜Ｘ_３１４及びＸ_４１〜Ｘ_４７は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。
【０１４８】
Ｘ_２１〜Ｘ_２６、Ｘ_３０１〜Ｘ_３１４及びＸ_４１〜Ｘ_４７は、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１５の置換又は無置換のアルキル基、炭素数１〜１６の置換又は無置換のアルコキシ基、炭素数６〜２５の置換又は無置換の炭素環式芳香族基、炭素数３〜２５の置換又は無置換の複素環式芳香族基、炭素数１０〜２０の置換又は無置換のメタロセニル基であり、より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基、炭素数６〜１２の置換又は無置換の炭素環式芳香族基、あるいは炭素数４〜１２の置換又は無置換の複素環式芳香族基、炭素数１０〜１６の置換又は無置換のメタロセニル基であり、さらに好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、炭素数１〜８の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基、炭素数６〜１０の置換又は無置換の炭素環式芳香族基、あるいは炭素数４〜１０の置換又は無置換の複素環式芳香族基、炭素数１０〜１４の置換又は無置換のメタロセニル基である。
【０１４９】
Ｘ_２１〜Ｘ_２６、Ｘ_３０１〜Ｘ_３１４及びＸ_４１〜Ｘ_４７の具体例としては、水素原子、又はＸ_１及びＸ_２の具体例として挙げたハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を挙げることができる。
【０１５０】
式（２）におけるＡ_３及び式（４）におけるＡ_５は、それぞれ独立に、置換または無置換の一価の縮合多環式芳香族環基を表す。
【０１５１】
Ａ_３及びＡ_５の具体例としては、例えば、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のアセナフチレニル基、置換又は無置換のアントリル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のフルオランテニル基、置換又は無置換のアセフェナントリレニル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のピレニル基、置換又は無置換のクリセニル基、置換又は無置換のナフタセニル基、置換又は無置換のペリレニル基、置換又は無置換のベンゾ［ａ］アントラセニル基、置換又は無置換のペンタフェニル基、置換又は無置換のペンタセニル基であり、好ましくは、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のアントリル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のフルオランテニル基、置換又は無置換のピレニル基、置換又は無置換のクリセニル基、置換又は無置換のペリレニル基であり、より好ましくは、置換又は無置換の１−ナフチル基、置換又は無置換の２−ナフチル基、置換又は無置換の１−アントリル基、置換又は無置換の２−アントリル基、置換又は無置換の９−アントリル基、置換又は無置換の２−フェナントリル基、置換又は無置換の９−フェナントリル基、置換又は無置換の３−フルオランテニル基、置換又は無置換の８−フルオランテニル基、置換又は無置換の１−ピレニル基、置換又は無置換の５−ピレニル基、置換又は無置換の９−ピレニル基、置換又は無置換の６−クリセニル基、置換又は無置換の１−ペリレニル基である。
一般式（３）におけるＡ_１は一般式（１）におけるＡ_１と同じ意味を表す。
【０１５２】
本発明の光記録媒体に用いられる本発明に係る化合物Ａの具体例としては、例えば、以下のＡ−１〜Ａ−４５、Ｂ−１〜Ｂ−３５、Ｃ−１〜Ｃ−３０、Ｄ−１〜Ｄ−３０およびＥ−１〜Ｅ−３０の化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１５３】
【表１】

【０１５４】
【表２】

【０１５５】
【表３】

【０１５６】
【表４】

【０１５７】
【表５】

【０１５８】
【表６】

【０１５９】
【表７】

【０１６０】
【表８】

【０１６１】
【表９】

【０１６２】
【表１０】

【０１６３】
【表１１】

【０１６４】
【表１２】

【０１６５】
【表１３】

【０１６６】
【表１４】

【０１６７】
【表１５】

【０１６８】
【表１６】

【０１６９】
【表１７】

【０１７０】
【表１８】

【０１７１】
【表１９】

【０１７２】
【表２０】

【０１７３】
【表２１】

【０１７４】
【表２２】

【０１７５】
【表２３】

【０１７６】
【表２４】

【０１７７】
【表２５】

【０１７８】
【表２６】

【０１７９】
【表２７】

【０１８０】
【表２８】

【０１８１】
【表２９】

【０１８２】
【表３０】

【０１８３】
【表３１】

【０１８４】
【表３２】

【０１８５】
【表３３】

【０１８６】
【表３４】

【０１８７】
本発明の光記録媒体に用いられる本発明に係る化合物Ａは、例えば、以下の方法により製造することができる。すなわち、例えば、縮合多環式芳香族化合物のハロゲン化物を、フルオレニルホウ酸誘導体と、例えば、パラジウム化合物〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド〕及び塩基（例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン）の存在下で反応させる〔例えば、Ｃｈｅｍ．　Ｒｅｖ．，　９５，　２４５７（１９９５）に記載の方法を参考にすることができる〕ことにより製造することができる。
【０１８８】
また、例えば、縮合多環式芳香族化合物のホウ酸誘導体を、ハロゲノフルオレン誘導体と、例えば、パラジウム化合物〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド〕及び塩基（例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン）の存在下で反応させる〔例えば、Ｃｈｅｍ．　Ｒｅｖ．，　９５，　２４５７（１９９５）に記載の方法を参考にすることができる〕ことにより製造することができる。
【０１８９】
本発明の光記録媒体に用いられる一般式（１）で表わされる化合物は、例えば、以下の方法により製造することができる。すなわち、例えば、下記一般式（５）で表されるホウ酸化合物を、下記一般式（６）で表される化合物と、例えば、パラジウム化合物〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド〕及び塩基（例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン）の存在下で反応させる〔例えば、Ｃｈｅｍ．　Ｒｅｖ．，　９５，　２４５７（１９９５）に記載の方法を参考にすることができる〕ことにより製造することができる。
【０１９０】
【化２２】

〔上式中、Ａ_１、Ａ_２、Ｆ_１、Ｆ_２、Ｆ_３、Ｘ_１、Ｘ_２、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、一般式（１）の場合と同じ意味を表し、Ｙ_１はハロゲン原子を表す〕
【０１９１】
一般式（６）において、Ｙ_１はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。
【０１９２】
また、一般式（１）で表される化合物は、例えば、下記一般式（７）で表される化合物を、下記一般式（８）で表されるホウ酸化合物と、例えば、パラジウム化合物〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムジクロライド〕及び塩基（例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン）の存在下で反応させる〔例えば、Ｃｈｅｍ．　Ｒｅｖ．，　９５，　２４５７（１９９５）に記載の方法を参考にすることができる〕ことにより製造することができる。
【０１９３】
【化２３】

〔上式中、Ａ_１、Ａ_２、Ｆ_１、Ｆ_２、Ｆ_３、Ｘ_１、Ｘ_２、ｊ、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、一般式（１）の場合と同じ意味を表し、Ｙ_２はハロゲン原子を表す〕
【０１９４】
一般式（７）において、Ｙ_２はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。
【０１９５】
尚、一般式（５）及び一般式（８）で表される化合物は、例えば、それぞれ一般式（７）及び一般式（６）で表される化合物に、例えば、ｎ−ブチルリチウム、金属マグネシウムを作用させて調製できるリチオ化合物又はグリニヤール試薬と、例えば、トリメトキシホウ素、トリイソプロピルオキシホウ素等を反応させることにより製造することができる。
【０１９６】
本発明の光記録媒体においては基板上に記録層を設けるが、該記録層は、本発明に係る化合物Ａを少なくとも１種含有するものである。本発明の光記憶媒体は、波長３００ｎｍ〜５００ｎｍから選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して記録・再生が可能であり、中でも、波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍ、更には波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される記録レーザー波長及び再生レーザー波長に対して良好なＣ／Ｎ比を得ることができ、また、再生光安定性も良く、高品位な信号特性が得られるものである。
【０１９７】
本発明の光記録媒体を構成している記録層の色素は、実質的に１種又はそれ以上の本発明に係る化合物Ａからなるものであるが、波長２９０ｎｍ〜６９０ｎｍに吸収極大を持ち、３００ｎｍ〜７００ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混合しても良い。具体的には、シアニン系化合物、スクアリリウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、インドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニルメタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物、オキサゾール系化合物、アザポルフィリン系化合物、ポルフィリン系化合物等があり、複数の化合物の混合であっても良い。これらの化合物の混合割合は、０．１質量％〜３０質量％程度である。
【０１９８】
記録層を成膜する際に、必要に応じて本発明に係る化合物Ａに、クエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤、吸熱性又は吸熱分解性化合物、あるいは溶解性を向上させる高分子等の添加剤を混合するか、あるいは、そのような効果を有する化合物を本発明に係る化合物Ａの置換基として導入することも可能である。
【０１９９】
クエンチャーの具体例としては、アセチルアセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフェニルジチオール系等のビスジチオール系、チオカテコナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフェノレート系等の金属錯体が好ましい。また、アミン系も好適である。
【０２００】
化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析（ＴＧ分析）等により、化合物の熱分解の促進が確認できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系アンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセトナート系金属錯体等の金属化合物が挙げられる。
【０２０１】
吸熱性又は吸熱分解性化合物としては、特開平１０−２９１３６６号公報記載の化合物、又は、該公報に記載される置換基を有する化合物等が挙げられる。
【０２０２】
上述した各種のクエンチャー、化合物熱分解促進剤及び吸熱性又は吸熱分解性化合物は、必要に応じて、１種類で用いても、２種類以上を混合して用いても良い。
【０２０３】
さらに、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤等の添加物質を加えても良い。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられる。
【０２０４】
記録層を基板の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感度等を向上させるために、基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
【０２０５】
ここで、記録層における本発明に係る化合物Ａの含有量は、記録・再生が可能な任意の量を選択することができるが、通常、３０％以上、好ましくは６０％以上である。尚、実質的に１００％であることも好ましい。
【０２０６】
記録層を設ける方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬法等の塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法が挙げられるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
【０２０７】
スピンコート法等の塗布法を用いる場合には、本発明に係る化合物Ａを１〜４０質量％、好ましくは３〜３０質量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。塗布法に用いる溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノール等のアルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等の脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタン、ジブロモエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチル等のエステル系溶媒、水等が挙げられる。これらは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良い。
【０２０８】
なお、必要に応じて、記録層の化合物を高分子薄膜等に分散して用いたりすることもできる。
【０２０９】
また、基板にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法等が有効である。
【０２１０】
記録層の膜厚は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍであるが、好ましくは２０ｎｍ〜３００ｎｍである。記録層の膜厚を１０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が１０００ｎｍより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化する場合がある。
【０２１１】
次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高めるためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｇ、Ａｌは反射率が高く反射層の材料として適している。青色レーザーでの記録・再生を行う場合には、Ａｌ又はＡｇが好適である。これ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉの金属及び半金属を挙げることができる。また、Ａｇ又はＡｌを主成分とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【０２１２】
反射層を形成する方法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、再生光安定性の改善、密着性の向上等のために公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【０２１３】
さらに、反射層の上に形成する保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。無機物質としては、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２、ＡｌＮ、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２等が挙げられる。また、有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等を挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等は適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート等のアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
【０２１４】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。
【０２１５】
保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜３０μｍであり、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍである。
【０２１６】
保護層の上にさらにレーベル、バーコード等の印刷を行うこともできる。
【０２１７】
また、反射層面に保護シート又は基板を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせる等の手段を用いても良い。
【０２１８】
基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜しても良い。
【０２１９】
また、図４のような光記録媒体を作製する場合、基板の上に、好ましくは１ｎｍ〜３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高めるためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ及びＰｔの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｇ、Ａｌは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも必要に応じて下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔａの金属及び半金属を挙げることができる。Ａｇ又はＡｌを主成分とするもので反射率の高い反射層が容易に得られるものが好適である。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【０２２０】
反射層を形成する方法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【０２２１】
次に、記録層を反射層の上に成膜する際に、反射層の耐溶剤性や反射率、記録感度等を向上させるために、反射層の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
【０２２２】
ここで、記録層における本発明に係る化合物Ａの含有量は、記録・再生が可能な任意の量を選択することができるが、通常、３０質量％以上、好ましくは６０質量％以上である。尚、実質的に１００質量％であることも好ましい。
【０２２３】
記録層を設ける方法は、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬法等の塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
【０２２４】
スピンコート法等の塗布法を用いる場合には本発明に係る化合物Ａを１〜４０質量％、好ましくは３〜３０質量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は反射層にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。塗布法に用いる溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノール等のアルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等の脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタン、ジブロモエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチル等のエステル系溶媒、水等が挙げられる。これらは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良い。
【０２２５】
なお、必要に応じて、記録層の化合物を高分子薄膜等に分散して用いたりすることもできる。
【０２２６】
また、反射層にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法等が有効である。
【０２２７】
記録層の膜厚は、通常１ｎｍ〜１０００ｎｍであるが、好ましくは５ｎｍ〜３００ｎｍである。記録層の膜厚を１ｎｍより薄くすると、記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が１０００ｎｍより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化する場合がある。
【０２２８】
さらに、記録層の上に形成する保護層の材料としては記録層を外力や雰囲気等、外部からの悪影響保護するものであれば特に限定しない。無機物質としては、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２、ＡｌＮ、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２等が挙げられる。また、有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等を挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等は適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート等のアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
【０２２９】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。
【０２３０】
保護層の膜厚は、一般には０．０１μｍ〜１０００μｍの範囲であるが、場合により０．１μｍ〜１００μｍ、さらには、１μｍ〜２０μｍとすることができる。
【０２３１】
また、基板面に保護シート又は反射層を貼り合わせる、あるいは基板面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせる等の手段を用いても良い。
【０２３２】
保護層面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜しても良い。
【０２３３】
本発明の光記録媒体において、媒体全体を保護する目的で、例えば、フロッピーディスクや光磁気ディスク等に見られるようにディスクを保護するケース型の保護ユニットを設置しても構わない。材質はプラスチックや、アルミニウム等の金属を使用することができる。
【０２３４】
基材の材質としては、基本的には記録光及び再生光の波長で透明であればよい。支持基板の材質としては、図５に示すように基板１１を通じて青紫色レーザーの照射が行われる場合も加味すると、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料等の透明な材料が利用される。一方、図６に示す構成のように、基板１１’とは逆の光透過層１５’側からレーザー照射が行われる場合、基板の材質としては光学的諸要件を満たす必要はなく、より広範な材料から選択することができる。基板に要求される機械的特性、また基板生産性の観点からは、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の射出成型或いはキャスト成型可能な材料が好ましい。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形してもよい。
【０２３５】
また、必要に応じて、これらの基板の表層には、サブミクロンオーダーの案内溝及び／又はプレピットが螺旋状又は同心円上に形成されていても良い。これら案内溝及びプレピットは、基板形成時に付与されているのが好ましく、スタンパー原盤を用いての射出成型や、フォトポリマーを用いた熱転写法により付与することができる。尚、図６における光透過層１５’に案内溝及び／又はプレピットを形成しても良く、付与する場合も同様の方法を適用できる。案内溝のピッチ及び深さは、ＤＶＤよりも高密度記録を行うＨＤ−ＤＶＤ−Ｒの場合、ピッチとして０．２５〜０．８０μｍ、深さとして２０〜１５０ｎｍの範囲から選択するのが好ましい。
【０２３６】
通常、光ディスクとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径８０ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であってもよく、中央に直径１５ｍｍ程度の穴が開いていても構わない。
【０２３７】
ここで、本発明で言う波長３００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、可視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや、窒素レーザー（３３７ｎｍ）等のガスレーザー、波長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波長４５７ｎｍあるいは波長４８８ｎｍのアルゴンレーザー等のイオンレーザー、波長４００〜４１０ｎｍのＧａＮ系レーザー、ＣｒドープしたＬｉＳｎＡｌＦ_６を用いた波長８６０ｎｍの赤外線レーザーの第２高調波４３０ｎｍを発振するレーザー他、波長４１５ｎｍ、波長４２５ｎｍ等の可視半導体レーザー等の半導体レーザー等があげられる。本発明では、上述のレーザー等を記録又は再生を行う記録層の感応する波長に応じて適宜選択することができる。高密度記録及び再生は各々、上述の該レーザーから選択される１波長又は複数波長において可能となる。
【０２３８】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれによりなんら限定されるものではない。
【０２３９】
製造例１　例示化合物番号Ａ−５の化合物の製造
９，９−ジメチルフルオレン−２−イルほう酸２．３８部、１−ブロモ−４−フェニルオキシナフタレン２．９９部、炭酸ナトリウム２．１２部およびテトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム０．３５部、トルエン１００部および水５０部からなる混合物を５時間加熱還流した。反応混合物よりトルエンを留去した後、析出している固体を濾過した。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン）で処理した。トルエンを減圧下留去した後、残渣をトルエンとアセトンの混合溶媒より再結晶し、淡黄色結晶３．３５部を得た。質量分析測定により例示化合物番号Ａ−５の化合物であることを確認した。
【０２４０】
製造例２　例示化合物番号Ａ−６の化合物の製造
製造例１において、１−ブロモ−４−フェニルオキシナフタレン２．９９部を使用する代わりに、１−ブロモ−４−フェロセニルナフタレン３．９１部を使用した以外は、製造例１に記載した方法に従い、淡黄色結晶３．８６部を得た。
質量分析測定により例示化合物番号Ａ−６の化合物であることを確認した。
【０２４１】
製造例３　例示化合物番号Ａ−１３の化合物の製造
製造例１において、１−ブロモ−４−フェニルオキシナフタレン２．９９部を使用する代わりに、９−ブロモ−１０−フェニルチオアントラセン３．６５部を使用した以外は、製造例１に記載した方法に従い、淡黄色結晶３．４１部を得た。
質量分析測定により例示化合物番号Ａ−１３の化合物であることを確認した。
【０２４２】
製造例４　例示化合物番号Ａ−３０の化合物の製造
製造例１において、９，９−ジメチルフルオレン−２−イルほう酸２．３８部を使用する代わりに、アントラセン−９−イルほう酸２．２２部を使用し、１−ブロモ−４−フェニルオキシナフタレン２．９９部を使用する代わりに、２−ブロモ−７−フェロセニル−９，９−ジメチルフルオレン４．５７部を使用した以外は、製造例１に記載した方法に従い、淡黄色結晶４．２６部を得た。質量分析測定により例示化合物番号Ａ−３０の化合物であることを確認した。
【０２４３】
製造例５　例示化合物番号Ａ−４５の化合物の製造
製造例１において、１−ブロモ−４−フェニルオキシナフタレン２．９９部を使用する代わりに、２−ブロモ−６−ベンジルチオナフタレン３．２９部を使用した以外は、製造例１に記載した方法に従い、淡黄色結晶３．５２部を得た。質量分析測定により例示化合物番号Ａ−４５の化合物であることを確認した。
【０２４４】
実施例１
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４μｍ）を有する外径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、例示化合物番号Ａ−２の化合物を真空蒸着法にて厚さ７０ｎｍとなるように成膜し、記録層を形成した。
【０２４５】
この記録層の上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用いて銀をスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスにはアルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．３３Ｐａ（１．０×１０^−２Ｔｏｒｒ）で行った。
【０２４６】
さらに、反射層の上に紫外線硬化樹脂「ＳＤ−１７００」（商品名、大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ５μｍの保護層を形成した。更に、保護層の上に紫外線硬化樹脂「デフライトＫＺ−８６８１」（商品名、ＪＳＲ株式会社製）をスピンコートした後、前記基板と同様な案内溝のないポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
【０２４７】
以上のようにして記録層が形成された光記録媒体について、以下のように評価試験を行った。
【０２４８】
波長４０３ｎｍ、開口数０．６５の青色レーザーヘッドを搭載した評価機により記録周波数９．７ＭＨｚ、記録レーザーパワー８．０ｍＷ、線速９．０ｍ／ｓ、最短ピット長０．３０μｍとして記録を行った。良好な形状のピットが規則正しく形成され、高密度に記録できた。記録後、同評価装置により、再生レーザーパワー０．６ｍＷにて線速９．０ｍ／ｓで再生を行ったところ、ピットを読み取ることができた。、再生を繰り返し１０００回以上行ったが、ピットを読み取ることができ、再生光安定性に優れていた。
【０２４９】
また、４万ルクスのＸｅ光を当てる耐光性試験を行った。試験後も、ピットを読み取ることができた。
【０２５０】
更に湿度８５％ＲＨ、８０℃の雰囲気下で放置する耐湿熱性試験を行った。試験後もピットを読み取ることができた。
【０２５１】
実施例２〜４６
実施例１において、記録層の形成に際して、例示化合物番号Ａ−２の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号Ａ−５の化合物（実施例２）、例示化合物番号Ａ−６の化合物（実施例３）、例示化合物番号Ａ−８の化合物（実施例４）、例示化合物番号Ａ−１０の化合物（実施例５）、例示化合物番号Ａ−１３の化合物（実施例６）、例示化合物番号Ａ−１５の化合物（実施例７）、例示化合物番号Ａ−１６の化合物（実施例８）、例示化合物番号Ａ−２３の化合物（実施例９）、例示化合物番号Ａ−３０の化合物（実施例１０）、例示化合物番号Ａ−３８の化合物（実施例１１）、例示化合物番号Ａ−４０の化合物（実施例１２）、例示化合物番号Ａ−４１の化合物（実施例１３）、例示化合物番号Ａ−４５の化合物（実施例１４）、例示化合物番号Ｂ−１の化合物（実施例１５）、例示化合物番号Ｂ−３の化合物（実施例１６）、例示化合物番号Ｂ−４の化合物（実施例１７）、例示化合物番号Ｂ−６の化合物（実施例１８）、例示化合物番号Ｂ−１０の化合物（実施例１９）、例示化合物番号Ｂ−１３の化合物（実施例２０）、例示化合物番号Ｂ−１９の化合物（実施例２１）、例示化合物番号Ｂ−２３の化合物（実施例２２）、例示化合物番号Ｂ−２５の化合物（実施例２３）、例示化合物番号Ｂ−２６の化合物（実施例２４）、例示化合物番号Ｂ−２９の化合物（実施例２５）、例示化合物番号Ｂ−３３の化合物（実施例２６）、例示化合物番号Ｃ−１の化合物（実施例２７）、例示化合物番号Ｃ−２の化合物（実施例２８）、例示化合物番号Ｃ−３の化合物（実施例２９）、例示化合物番号Ｃ−１０の化合物（実施例３０）、例示化合物番号Ｃ−１４の化合物（実施例３１）、例示化合物番号Ｃ−１５の化合物（実施例３２）、例示化合物番号Ｃ−２０の化合物（実施例３３）、例示化合物番号Ｃ−２２の化合物（実施例３４）、例示化合物番号Ｃ−２５の化合物（実施例３５）、例示化合物番号Ｃ−２８の化合物（実施例３６）、例示化合物番号Ｃ−３０の化合物（実施例３７）、例示化合物番号Ｄ−２（実施例３８）、例示化合物番号Ｄ−３（実施例３９）、例示化合物番号Ｄ−１２（実施例４０）、例示化合物番号Ｄ−２５（実施例４１）、例示化合物番号Ｅ−１（実施例４２）、例示化合物番号Ｅ−３（実施例４３）、例示化合物番号Ｅ−１１（実施例４４）、例示化合物番号Ｅ−２２（実施例４５）、例示化合物番号Ｅ−２５（実施例４６）を使用した以外は、実施例１に記載の方法により光記録媒体を作製し、実施例１と同様に記録と再生を行った。良好な形状のピットが形成され、ピットを読み取ることができた。また、再生光安定性に優れていた。
耐光性試験および耐湿熱性試験後もピットを読み取ることができた。
【０２５２】
比較例１
実施例１において、記録層の形成に際して、例示化合物番号Ａ−２の化合物を使用する代わりに、式（ａ）
【０２５３】
【化２４】

の化合物を使用した以外は、実施例１に記載の方法により光記録媒体を作製し、実施例１と同様に記録と再生を行った。Ｃ／Ｎ比が２０ｄＢ以下と低く再生が困難であった。
【０２５４】
実施例１〜４６に記載されるように、本発明の光記録媒体は、青色レーザー波長領域において、記録再生が可能であり、記録特性に優れている。
【０２５５】
このことから、本発明で規定する構造の化合物を含有する記録層は、波長３００〜５００ｎｍから選択されるレーザー光による信号記録が可能であり、本発明の光記録媒体は波長３００〜５００ｎｍから選択されるレーザー光を記録再生に用いる光記録媒体に用いることができる。
【０２５６】
【発明の効果】
本発明によれば、本発明のフルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物を記録層に用いることにより、高密度光記録媒体として非常に注目されている波長３００〜５００ｎｍレーザー、特に波長４００〜４１０ｎｍ青紫色レーザーでの記録及び再生が可能な光記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の課題を説明する概念図である。
【図２】本発明の光記録媒体の一構成例を示す模式図である。
【図３】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式図である。
【図４】本発明の光記録媒体の更に他の一構成例を示す模式図である。
【図５】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式図である。
【図６】本発明の光記録媒体の更に他の一構成例を示す模式図である。
【符号の説明】
１　：基板
２　：記録層
３　：反射層
４　：保護層
５　：接着層
１１　：基板
１２　：記録層
１３　：反射層
１４　：保護層
１５　：ダミー基板層
１１’：支持基板
１２’：記録層
１３’：反射層
１４’：透明保護層
１５’：光透過層

Claims (13)

1. フルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物より少なくとも１種以上の化合物を選択して、少なくとも一層の記録層に含有する光記録媒体。
2. フルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物が一般式（１）で表される化合物である請求項１に記載の光記録媒体。
   

   

   （式中、Ａ_１及びＡ_２はそれぞれ独立に、置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｆ_１、Ｆ_２及びＦ_３はそれぞれ独立に、置換又は無置換のフルオレンジイル基を表し、Ｘ_１及びＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表し、ｊ、ｍ及びｎは０又は１を表し、ｋ及びｌは１又は２を表し、ｋが２であるときＡ_１同士は同一でも異なるものであってもよく、ｌが２であるときＦ_２同士は同一でも異なるものであってもよい。）
3. フルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物が一般式（２）で表される化合物である請求項１又は２に記載の光記録媒体。
   

   

   （式中、Ａ_３及びＡ_４はそれぞれ独立に、置換又は無置換の一価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_２１及びＲ_２２はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_２１〜Ｘ_２６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｒ_２１、Ｒ_２２及びＸ_２１〜Ｘ_２６は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
4. フルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物が一般式（３）で表される化合物である請求項１又は２に記載の光記録媒体。
   

   

   （式中、Ａ_１は置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_３１〜Ｒ_３４はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_３０１〜Ｘ_３１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｒ_３１〜Ｒ_３４及びＸ_３０１〜Ｘ_３１４は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
5. フルオレン環と縮合多環式芳香族環が直接結合している炭化水素化合物が一般式（４）で表される化合物である請求項１又は２に記載の光記録媒体。
   

   

   （式中、Ａ_５は置換又は無置換の一価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_４１及びＲ_４２はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_４１〜Ｘ_４７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｒ_４１、Ｒ_４２及びＸ_４１〜Ｘ_４７は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
6. 縮合多環式芳香族環がナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオランテン環、ピレン環、クリセン環又はペリレン環より選ばれるいずれかの環である請求項１〜５のいずれかに記載の光記録媒体。
7. 波長３００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録及び再生が可能である請求項１〜６のいずれかに記載の光記録媒体。
8. 波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録及び再生が可能である請求項７に記載の光記録媒体。
9. 波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録及び再生が可能である請求項８に記載の光記録媒体。
10. 一般式（１’）で表される炭化水素化合物。
    

    

    （式中、Ａ_１及びＡ_２はそれぞれ独立に、置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｆ_１、Ｆ_２及びＦ_３はそれぞれ独立に、置換又は無置換のフルオレンジイル基を表し、Ｘ_１及びＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表し、但し、Ｘ_１及びＸ_２の少なくとも一方は、置換アルキル基、置換又は無置換のメタロセニル基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、あるいは置換又は無置換のアリールチオ基より選ばれる基である。ｊ、ｍ及びｎは０又は１を表し、ｋ及びｌは１又は２を表し、ｋが２であるときＡ_１同士は同一でも異なるものであってもよく、ｌが２であるときＦ_２同士は同一でも異なるものであってもよい。）
11. 一般式（２’）で表される炭化水素化合物。
    

    

    （式中、Ａ_３及びＡ_４はそれぞれ独立に、置換又は無置換の一価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_２１及びＲ_２２はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_２１〜Ｘ_２６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｘ_２１〜Ｘ_２６の少なくとも一つは、置換アルキル基、置換又は無置換のメタロセニル基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、あるいは置換又は無置換のアリールチオ基より選ばれる基であり、Ｒ_２１、Ｒ_２２及びＸ_２１〜Ｘ_２６は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
12. 一般式（３’）で表される炭化水素化合物。
    

    

    （式中、Ａ_１は置換又は無置換の二価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_３１〜Ｒ_３４はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_３０１〜Ｘ_３１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｘ_３０１〜Ｘ_３１４の少なくとも一つは、置換アルキル基、置換又は無置換のメタロセニル基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、あるいは置換又は無置換のアリールチオ基より選ばれる基であり、Ｒ_３１〜Ｒ_３４及びＸ_３０１〜Ｘ_３１４は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）
13. 一般式（４’）で表される炭化水素化合物。
    

    

    （式中、Ａ_５は置換又は無置換の一価の縮合多環式芳香族環基を表し、Ｒ_４１及びＲ_４２はそれぞれ独立に、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、あるいは置換又は無置換のアラルキル基を表し、Ｘ_４１〜Ｘ_４７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、置換又は無置換のアリールチオ基、あるいは置換又は無置換のアミノ基を表す。但し、Ｘ_４１〜Ｘ_４７の少なくとも一つは、置換アルキル基、置換又は無置換のメタロセニル基、置換又は無置換のアラルキルオキシ基、置換又は無置換のアリールオキシ基、置換又は無置換のアルキルチオ基、置換又は無置換のアラルキルチオ基、あるいは置換又は無置換のアリールチオ基より選ばれる基であり、Ｒ_４１、Ｒ_４２及びＸ_４１〜Ｘ_４７は縮合多環式芳香族環基及びフルオレニル基ではない。）

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