KR101249555B1 - 범프-온-리드 플립 칩 인터커넥션 - Google Patents

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라젠드라 디. 펜드스
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스태츠 칩팩, 엘티디.
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Abstract

플립 칩 인터커넥트는 인터커넥트 범프를 캡처 패드 위로 접합되는 것보다, 리드에 직접 접합함으로써 제작된다. 또한, 플립 칩 패키지는 활성 표면에서 인터커넥트 패드에 부착되는 솔더 범프를 포함하는 다이와, 다이 부착 표면에 있는 전기 전도성 트레이스를 갖는 기판을 포함하며, 이때 상기 접프는 상기 트레이스로 직접 접합된다. 일부 실시예에서, 인터커넥션이 솔더 마스크를 이용하지 않고 형성된다. 일부 바업에서는 , 경화성 부착제가 다이 위에 존재하는 범프나 기판 위에 존재하는 트레이스 위로 배포되며, 상기 부착제는 접합 공정 동안 부분 경화되고, 상기 부분 경화된 부착제는 용융된 솔더를, 리플로우 공정 동안, 제한하는 기능을 수행한다.

Description

범프-온-리드 플립 칩 인터커넥션{BUMP-ON-LEAD FLIP CHIP INTERCONNECTION}
본 출원은 U.S. 가출원 No. 60/518864 "Bump-on-lead flip chip interconnection"(2003년 11월 10일)으로부터 우선권을 주장하며, 본 출원은 U.S. 가출원 No. 60/533918 "Bump-on-lead flip chip interconnection"(2003년
12월 31일)으로부터 우선권을 주장한다. 전술한 가출원이 본원에서 참고로 인용된다.
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것이며, 특히 플립 칩 인터커넥션에 관한 것이다.
플립 칩 패키지는 패키지 기판 위에 구축된 반도체 다이를 포함하고, 이때 상기 다이의 활성 측이 상기 기판과 맞닿아 있다. 기존 기술 방식으로, 다이 위의 인터커넥션 패드의 어레이에 부착되는, 그리고 그에 대응하는 기판상의 인터커넥션 패드의 어레이에 본딩(bonding)되는 범프를 이용하여, 기판의 회로를 갖는 다이의 회로 인터커넥션이 형성된다.
집적 회로상의 전자 특징부의 영역 밀집도는 급격하게 증가하고 있고, 회로 특징부의 더 큰 밀집도를 갖는 칩은 또한 패키지 기판과 인터커넥션되는 사이트(site)의 더 큰 밀집도를 갖는다.
패키지는 사용되는 장치의 아래에 위치하는 회로, 가령 인쇄된 회로 보드(가령, "마더 보드")에 연결되는데, 이때 패키지와 아래 놓인 회로 사이의 제 2 레벨 인터커넥트(가령, 핀)를 통해 연결된다. 제 2 레벨 인터커넥트는 플립 칩 인터커넥트보다 더 큰 피치를 갖고, 따라서 기판 위의 라우팅(routing)은 종래 방식으로 "팬 아웃(fan out)"한다. 명확한 기술의 진보가 바람직한 라인과 공간의 구축을 가능하게 한다. 그러나 종래 방식의 배치에서, 어레이의 더 많은 내부 캡처 패드(capture pad)로부터 탈출할 수 있기보다 인접 패드들 간의 공간은 트레이스(trace)의 수를 제한하고, 다이 아래에 위치하는 상기 캡처 패드들 간의 라우팅이 팬 아웃하고, 패키지의 외부 핀은 종래의 방식으로 패키지 기판의 다중 금속 층 위에 형성된다. 복잡한 인터커넥트 어레이의 경우에 있어서, 다중 층을 갖는 기판은 다이 패드와 패키지상의 제 2 레벨 인터커넥트 간의 라우팅을 지닐 필요가 있다.
다층 기판은 비경제적이며, 종래의 플립 칩은 패키지 비용의 반 이상에 해당(어떤 경우에는 60%)하는 기판을 홀로 구축하는 것이 통상적이다. 다중 층 기판의 고 비용은 주류 제품에 대해 플립 칩 기술의 발전을 제한하는 요인이 되어 왔다.
종래의 플립 칩이 탈출 라우팅 패턴을 구축하는 방식에서, 추가적인 전기 기생(electrical parasitics)이 발생된다. 왜냐하면, 상기 라우팅이 신호 전송 경로에서 와이어링 층(wiring layer) 사이의 차폐되지 않은 와이어링과 비아의 짧은 연결을 포함하기 때문이다. 전기 기생은 패키지 성능을 제한함에 명백하다.
패드 위에 연결하는 것보다 리드 위에 직접 인터커넥트 범프를 연결함으로써, 본 발명에 따르는 플립 칩 인터커넥트가 도출된다. 본 발명에 의해 더 효율적인 트레이스의 라우팅이 기판 위에 제공된다. 특히, 신호 라우팅이 기판의 단일 금속 층에서 전부 형성될 수 있다. 이에 따라 기판의 층의 개수가 감소하고, 단일 층에서 단일 트레이스를 형성하는 것에 의해, 기판이 충족해야 하는 비아, 라인, 공간 설계 룰의 일부가 완화될 수 있다. 기판을 이렇게 단순화하는 것은 플립 칩 패키지의 총 비용을 감소시키는데 큰 역할을 한다. 범프-온-리드(bump-on-lead) 구조도 역시 기판 설계에서의 이러한 특징부(가령 비아와 "스터브(stub)")의 제거를 도우며, 신호 전송에 대해, 마이크로스트립에 의해 제어되는 임피던스 전기 환경이 가능해지고, 이에 따라 성능이 크게 향상된다.
본 발명의 하나의 태양에서, 다이 위의 인터커넥트 패드에 부착되고, 기판 위의 대응하는 트레이스와 짝지워지는 솔더 범프(solder bump)를 갖는 플립 칩 인터커넥션을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에서, 활성 표면에서 인터커넥트 패드에 부착되는 솔더 범프를 갖는 다이를 포함하고, 다이 부착 표면에서 전기적으로 전도성을 띄는 트레이스를 갖고, 이때 범프는 트레이스에 직접 짝지워질 수 있음을 특징으로 하는 기판을 갖는 플립 칩 패키지를 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 방법에 따라서, 일반적으로 범프-온-리드 인터커넥션은 공정상의 재-용융 단계 동안 유용된 솔더를 사용하기 위해 솔더 마스크를 이용하지 않고 형성된다. 솔더 마스크를 사용하지 않는 것은 더 바람직한 인터커넥션 기하학적 요소를 허용한다.
일부 실시예에서, 기판은 리드 위의 인터커넥트 사이트 위로 열린 틈을 갖는 솔더 마스크를 추가로 제공받을 수도 있다. 어떤 실시예에서, 기판은 솔더 패이스트가 인터커넥트 사이트의 리드 위에 제공된다.
본 발명의 또 다른 태양에서, 다이 부착 표면에서 형성된 트레이스를 갖는 기판과, 활성 표면에서 인터커넥트 패드에 부착된 범프를 갖는 다이를 제공하는 단계, 그리고 기판과 다이를 지지하는 단계, 보존할 수 있는 기판 또는 다이의 활성 측상의 부착제의 양을 분배하는 단계, 활성측을 갖는 다이를 기판의 다이 부착 표면쪽으로 배치하는 단계, 다이와 기판을 정렬하고 범프가 기판 위의 대응하는 트레이스에 접촉하도록 하나를 다른 한 쪽으로 이동시키는 단계, 범프와 부합하는 트레이스 사이에서의 부착제를 이동시키기 충분하게, 범프를 부합하는 트레이스 위에 놓고 힘을 가하는 단계, 상기 부착제를 부분적으로 경화시키는 단계, 그 후 솔더를 용융하고 재-응고시키는 단계, 범프와 트레이스 간의 제철 인터커넥션(metallurgical interconnection)을 형성하는 단계를 포함하는 플립 칩 인터커넥션이 형성되는 방법을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에서, 기판의 다이 부착 표면에서 형성된 트레이스를 지니고, 기판 위에 위치하는 상기 트레이스 위에 위치하는 인터커넥트 사이트 위로 존재하는 구멍을 포함하는 솔더 마스크를 지니는 기판과, 다이의 활성 표면에 있는 인터커넥트 패드에 부착된 범프를 지니는 다이를 제공하는 단계, 상기 기판과 상기 다이를 지탱하는 단계, 활성 측부를 갖는 다이를 상기 기판의 다이 부착 표면 쪽으로 배치하고, 상기 다이와 상기 기판을 정렬하여, 상기 범프가 상기 기판 위의 대응하는 트레이스에 접촉하도록 다이나 기판 중 하나를 다른 한쪽으로 이동시키는 단계, 그리고 상기 범프와 상기 트레이스 사이에 인터커넥션을 형성하기 위해 범프를 용융하고, 재-응고하는 단계를 포함하는 플립 칩 인터커넥션을 형성하기 위한 방법을 특징으로 할 수 있다.
일부 실시예에서 상기 솔더 범프는 연성 솔더 부분을 포함하고, 용융 및 응고 단계에서 리드 위에 인터커넥션을 형성하기 위해, 상기 범프를 용융한다. 일부 실시예에서, 상기 기판은 리드 위의 솔더 페이스트와 함께 제공되며, 상기 다이와 상기 기판을 서로쪽으로 이동시키는 단계에서, 리드 위의 솔더와 범프 간의 접촉이 발생하고, 용융 및 응고 단계에서, 인터커넥션을 형성하기 위해 리드 위의 솔더를 용융시킨다.
본 발명의 또 다른 태양에서, 기판의 다이 부착 표면에서 형성된 트레이스를 지니고 리드 위에 위치하는 인터커넥트 사이트 위에 존재하는 구멍을 갖는 솔더 마스크를 지니고 상기 인터커넥트 사이트에서 리드 위에 존재하는 솔더 페이스트를 지니는 기판과, 활성 표면에서 인터커넥트 패드에 부착된 범프를 갖는 다이를 제공하는 단계, 상기 기판과 상기 다이를 지탱하는 단계, 활성 측부를 갖는 다이를 상기 기판의 다이 부착 표면 쪽으로 배치하고, 상기 다이와 상기 기판을 정렬하여, 상기 범프가 상기 기판 위의 대응하는 인터커넥트 사이트에서 가용성 인터커넥트 매체에 접촉하도록 다이나 기판 중 하나를 다른 한쪽으로 이동시키는 단계, 그리고 상기 범프와 상기 트레이스 사이에 인터커넥션을 형성하기 위해 범프를 용융하고, 재-응고하는 단계를 포함하는 플립 칩 인터커넥션을 형성하는 방법을 특징으로 할 수 있다.
도 1은 도 2의 화살표(1-1´)에 의해 지시되는, 패키지 기판 표면의 평면에 평행인 단면도로서, 종래의 범프-온-캡처 패드 플립 칩 인터커넥션을 도시한다.
도 2는 도 1의 화살표(2-2´)에 의해 지시되는, 패키지 기판 표면의 평면에 수직인 단면도로서, 종래의 범프-온-캡처 패드 플립 칩 인터커넥션을 도시한다.
도 3은 패키지 기판 표면의 평면에 수직인 단면도로서, 또 다른 종래의 범프-온 캡처 패드 플립 칩 인터커넥션을 도시한다.
도 4는 패키지 기판 표면의 평면에 수평인 단면도로서, 본 발명을 따르는 범프-온-리드 플립 칩 인터커넥션을 도시한다.
도 5는 도 4의 화살표(6-6´)에 의해 지시되는, 패키지 기판 표면의 평면에 수직인 단면도로서, 도 4에서 나타낸 본 발명에 따르는 범프-온-리드 플립 칩 인터커넥션을 도시한다.
도 6은 패키지 기판 표면의 평면에 수평인 단면도로서, 본 발명을 따르는 또 다른 범프-온-리드 플립 칩 인터커넥션을 도시한다.
도 7은 도 6의 화살표(7-7´)에 의해 지시되는, 패키지 기판 표면의 평면에 수직인 단면도로서, 도 6에서 나타낸 본 발명에 따르는 범프-온-리드 플립 칩 인터커넥션을 도시한다.
도 8 및 도 9는 패키지 기판 표면의 평면에 수평인 단면도로서, 본 발명에 따르는 또 다른 범프-온-리드 플립 칩 인터커넥션의 각각의 부분을 도시한다.
도 10A - 도 10C는 본 발명에 따르는 플립 칩인터커넥션을 제작하기 위한 공정의 단계들을 도시한 도면이다.
도 11A - 도 11D는 본 발명에 따르는 플립 칩 인터커넥션을 제작하는 공정의 단계를 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명에 따르는 플립 칩 인터커넥션을 제작하는 공정에 대한 압력 및 온도 스케줄을 도시한 도면이다.
도 13은 혼합 범프를 갖는 본 발명에 따르는 범프-온-리드 플립 칩 인터커넥션을 도시한 도면이다.
본 발명은 여러 다른 대안 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조하여 보다 더 상세히 설명될 것이다.
종래의 플립 칩 인터커넥션은 범프(종래 기술에서는 솔더 범프)를 대응하는 캡처 패드(capture pad)의 접합 표면에 삽입하기 위한 용융 공정을 이용하여 제작되며 이는 "범프-온-캡처 패드(BOC: Bump-On-Capture pad)" 인터커넥트라고 일컬어진다. BOC 설계에 있어서 두 개의 특징부가 명백히 드러나는데, 첫째로, 비교적 큰 캡처 패드가 다이 위에 위치한 범프에 부합되기 위해 요구되며, 둘째로는 통상적으로 "솔더 마스크"라고 일컬어지는 절연 물질이 인터커넥션 공정 동안 솔더 액을 국한하기 위해 사용된다. 상기 솔더 마스크 구멍은 캡처 패드에서의 용융된 솔더의 외곽선을 정의할 수 있다(SMD: solder mask defined). 또는 솔더 외곽선이 마스크 구멍에 의해 정의되지 않을 수도 있다(NSMD: non-solder mask defined). 후자의 경우가 도 1에서 도시되고, 아래에서 자세히 설명되겠다. 솔더 마스크 구멍이 캡처 패드보다 명확하게 더 클 수 있다. 솔더 마스크의 구멍을 형성하기 위한 기법은 넓은 허용 범위를 가진다. 결과적으로 SMD 범프 구성에 있어서, 상기 마스크 구멍이 패드의 접합 표면 위에 위치할 수 있도록, 상기 캡처 패드는 커야한다(통상적으로 마스크 구멍에 대한 설계 크기보다 상당히 커야 한다). NSMD 범프 구성에 있어서, 상기 솔더 마스크 구멍은 상기 캡처 패드보다 커야 한다. 캡처 패드의 폭(또는 원형 패드의 경우 직경)은 통상적으로 볼(또는 범프)의 직경과 같으며, 트레이스 폭의 2 내지 4배일 수 있다. 이에 따라 가장 상부의 기판 층에서의 라우팅 공간의 상당한 소실이 초래된다. 특히 예를 들어, "탈출 라우팅 피치"는 기판 제조 기술이 제공할 수 있는 가장 바람직한 트레이스 피치보다 더 크다. 하부 기판 층에서, 이는 명확한 수의 패드가 패드로부터 발산되어 다이의 풋프린트 아래에 있는 짧은 스터브와 비아를 통해, 라우팅되어야만함을 의미한다.
도 1 및 2는 종래 기술에서의 플립 칩 패키지의 부분(10, 20)을 도시하며, 도 2의 선(1-1´)을 따르는 도 1은 패키지 기판 표면에 평행한 평면인 부분 단면도이고, 도 1의 선(2-2´)을 따르는 도 2는 패키지 기판 표면에 수직인 평면인 부분 단면도이다. 특정 특징부는 투명한 듯 나타나나 도 1의 많은 특징부들은 덮는 특징부들로 인해 부분적으로 보이지 않는다. 도 1 및 도 2를 참조하여, 패키지 기판의 다이 부착 표면은 유전 층(12) 위에 형성된 금속 또는 층을 포함한다. 금속 층은 리드(13)와 캡처 패드(14)를 형성하기 위해 패턴처리된다. 절연 층(16)은 통상적으로 "솔더 마스크"라고 불리우며, 기판의 다이 부착 표면을 덮고, 상기 솔더 마스크는 광한정성 물질(photodefinable material)로 구성되는 것이 일반적이고, 종래 기술의 포토레지스트 패터닝 기법에 의해 패턴 처리되어 노출된 캡처 패드(14)의 접합 표면은 남게 된다. 다이(18)의 활성 측 위의 패드에 부착된 인터커넥트 범프(15)는 기판 위의 대응하는 캡처 패드(14)의 접합 표면으로 삽입되어 다이 위의 회로와 기판 위의 리드 사이의 적정 전기 인터커넥션을 형성할 수 있다. 리플로우(reflow)된 솔더가 전기 연결을 구축하기 위해 냉각된 후, 인터커넥트를 기계적으로 고정하고, 상기 다이와 상기 기판 사이의 특징부들을 보호하면서, 언더필 물질(underfill material)(17)이 다이(18)와 기판(12) 사이의 공간으로 유입된다.
도 1에서 나타내는 바와 같이, 기판의 상부 금속 층에서의 신호 탈출 트레이스(리드(13)), 각각의 캡처 패드(14)로부터의 리드(11)가 다이 풋프린트로부터 외향으로 다이 모서리 위치를 가로지른다. 통상적인 예에서, 신호 트레이스는 약 112um의 탈출 피치 PE 를 가질 수 있다. 30um/30um 디자인 룰은 도 1에서 도시된 구성에서의 신호 트레이스에 대한 것이 통상적이다. 즉, 상기 트레이스는 명목상으로 폭 30um을 갖고, 그들은 서로 30um만큼 떨어져 있다. 캡처 패드는 트레이스 폭의 3배인 것이 통상적이고, 따라서 본 실시예에서, 캡처 패드는 명목 폭(또는 본 실시예에서 원형일 경우, 직경) 90um을 갖는다. 그리고, 본 실시예에서, 솔더 마스크의 구멍은 135um의 명목 폭(또는 직경)을 갖는 패드보다 크다.
도 1 및 2는 NSMD(Non-Solder Mask Defined) 솔더 외곽선을 도시한다. 다이 위의 범프의 가용성 물질이 용융됨에 따라, 용융된 솔더는 리드 및 캡처 패드의 금속에 습기를 부여하는 경향이 있고, 상기 솔더는 마스킹되지 않은 임의의 연속 금속 표면 위로 가해진다. 상기 솔더는 연속된 리드(13)를 따라 흐르는 경향이 있고, 이때 솔더액이 솔더 마스크(19)에 의해 제한된다(도 1 참조). 패드에서의 NSMD 솔더 외곽선이 도 2에서는 명확히 드러나며, 이때 범프(15)의 물질은 캡처 패드(14)의 측부 너머로, 그리고 기판(12)의 유전 층 표면 아래로 흐르는 것처럼 보인다(29). 이것이 NSMD 외곽선이라 불리우는 것이다. 왜냐하면 상기 솔더 마스크는 v표면에서 넘치는, 그리고 캡처 패드의 측부를 넘는 솔더액을 제한하지 않으며, 그리고 패드에서의 과도한 솔더가 존재하지 않을 경우, 기판의 유전 표면이 용융된 솔더에 의해 습기를 공급받지 못한다는 사실로 인하여 솔더액이 제한된다. 종래 기술을 이용한 배치(도 1)에서 캡처 패드의 밀집도의 하한(lower limit)은 다른 인자들 간에서, 신뢰도가 높은 좁은 마스크 구조물을 제작하는 마스크 형성 기술의 수용력을 제한하고, 인접 마스크 구멍들 사이에 마스크 구조물을 제공할 필요성을 제한함으로써 결정된다. 탈출 밀집도의 하한은 다른 인자들 사이에서, 중앙에 위치된 캡처 패드로부터의 탈출 라인이 외곽에 위치하는 캡처 패드들 사이로 라우팅될 필요에 의해 결정된다.
도 3은 종래 기술을 이용한 SMD(Solder Mask Defined) 솔더 외곽선을 도시한다. 다이(38)는 범프(35)를 통해 트레이스(리드(33))를 따라 기판(32)의 유전 층의 다이 부착 측 위의 금속 층을 패턴처리함으로써 형성된 캡처 패드(34)의 접합 표면에 부착된다. 리플로우(reflow)된 솔더가 전기 연결을 형성하기 위해 냉각된 후, 언더필 물질(underfill material)(37)이 다이(38)와 기판(32) 사이의 공간으로 유입되어, 인터커넥션이 기계적으로 고정되고 상기 다이와 상기 기판 사이의 특징부들이 보호받는다. 캡처 패드(34)는 도 1 및 2의 실시예에서보다 더 넓으며, 솔더 마스크 구멍은 상기 캡처 패드보다 작음으로써, 상기 솔더 마스크 물질은 각각 캡처 패드(39)의 접합 표면의 측부와 일 부분뿐 아니라 리드(33)도 덮을 수 있다. 범프(35)가 각각의 캡처 패드(34)의 접합 표면에 접촉하여 용융될 때, 캡처 패드(34) 위의 솔더 외곽 모양이 마스크 구멍의 모양과 크기로 형성되도록 상기 솔더 마스크 물질(39)은 용융된 솔더액을 제한한다.
도 4 및 6은 본 발명의 실시예에 따르는 각각 범프-온-리드("BOL") 플립 칩 인터커넥션을 도시하며, 도 4 및 6은 각각 선(4-4´)과 선(6-6´)을 따르는 기판 표면에 평행인 평면을 도시한다. 특정 특징부들은 투명한 것처럼 나타난다. 본 발명에 따르는 인터커넥션은 범프를, 좁은 리드 또는 기판 위의 트레이스 위에 각각 접합함으로써 구축되며, 따라서 이를 본원에서는 "범프-온-리드" 인터커넥션("BOL" interconnection)이라고 일컫는다. 솔더 마스크 물질은 보통 바람직한 기하 형태로 용해되지 않으며, 본 발명의 실시예들에 따르면, 솔더 마스크는 사용되지 않는다. 대신, 용융된 솔더액을 한정하는 기능이 솔더 마스크 없이 조합 공정에서 성취된다. 도 5는 도 4의 패키지의 부분 단면도를 도시한 것인데, 이는 선(5-5´)을 따르는, 패키지 기판 표면의 평면도에 수직인 평면이다. 도 7은 도 5의 패키지의 부분 단면도를 도시한 것이며, 이는 선(7-7´)을 따르는, 패키지 기판 표면의 평면도에 수직인 평면이다.
본 발명을 따르는 범프-온-리드(BOL) 기판에 대한 탈출 라우팅 패턴이 도 4 및 6을 통해 도시된다. 인터커넥션 볼에 대한 다이 부착 패드가 다이 외곽부에 가깝게 한 줄로 존재하는 다이를 도시하는 도 4에서, 점선(41)이 지시하는 바와 같이, 범프(45)는 탈출 트레이스(43) 위의 대응하는 인터커넥트 사이트 위로 다이 풋프린트의 모서리에 가깝게 한 줄로 접합된다. 다이 부착 패드가 다이 외곽부에 가깝게 평행한 줄의 어레이로 존재하는 다이를 도시한 도 6에서, 점선(61)으로 지시하는 바와 같이, 범프(65)는 다이 풋프린트의 모서리에 가깝게 상호 보완적인 어레이의 형태로 배치된 탈출 트레이스(63) 위의 대응하는 인터커넥트 사이트 위로 접합된다.
도 4 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따르는 범프-온-리드 인터커넥트를 이용하여 얻어질 수 있는 라우팅 밀집도는 기판 제조 기술이 제공하는 가장 바람직한 피치와 동일할 수 있다. 도시된 특정 경우에 있어서, 이는 종래의 범프-온 캡처 패드 배치에서 얻어지는 것보다 약 90% 더 높은 라우팅 밀집도를 구성한다. BOL의 외곽 줄 구현에 있어서(가령 도 4), 범프는 기판의 가장 정밀한 트레이스와 동일한 정밀 피치에서 위치한다. 이러한 배치는 조합 공정에 있어 해결해야 할 문제이다. 왜냐하면, 범핑 피치(bumping pitch)와 본딩 피치(bonding pitch)는 매우 미세하여야 하기 때문이다. BOL의 외곽 배치(가령 도 6)에 있어서, 더 큰 범핑 및 본딩 피치에 대한 더 큰 공간을 제공하면서, 그리고 조합 공정에 있어서 해결해야할 기술적인 문제들을 해결하면서, 상기 범프는 영역 어레이 위에 배치된다. 어레이 실시예에 있어서, 기판 위의 라우팅 트레이스는 외곽 줄 배치에서의 라우팅 트레이스와 같은 유효 피치이며, 도 6의 배치는 정밀한 탈출 라우팅 피치의 이점을 만족시키지 않고, 미세한 범핑 및 본딩 피치에 대한 부담을 덜어준다.
도 4와 도 5를 참조하여, 기판 유전 층(42)의 다이 부착 표면 위에 금속 층을 패턴처리함으로써 리드(43)가 형성된다. 본 발명에 따라, 다이 위에 존재하는 범프(45)를 리드(43) 위에 직접 접합함으로써, 다이(48)의 전기 인터커넥션이 형성된다. 본 발명에 따르면, 어떤 캡처 패드도 필요하지 않으며, 도 4 및 5에서의 실시예에서, 어떤 솔더 마스크도 요구되지 않으며, 이에 관한 공정이 아래에서 설명된다.
종래 기술의 캡처 패드는, 범프와 같은 폭(또는 직경)을 갖고, 트레이스 또는 리드 폭의 2 내지 4배인 것이 통상적이다. 다음 설명에서 알 수 있는 바와 같이, 리드의 폭에 대한 일부 변화가 있을 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 일반적인(또는 트레이스 디자인 룰의) 폭의 120%만큼의 트레이스 폭의 변화는 캡처 패드를 구성하지 않으며 본 발명에 따르는 범프-온-리드 인터커넥션은 더 넓은 부분의 리드 위에 형성되는 범프를 포함한다.
따라서 인터커넥트 사이트에서의 상기 트레이스의 폭은 트레이스의 설계 폭의 1.2배 미만이다.
이와 유사하게, 도 6 및 7을 참조하여, 금속 층을 기판 유전 층(62)의 다이 부착 표면 위에 패턴처리함으로써 리드(63)는 형성된다. 점선(61)으로 지시되는 바와 같이, 신호 탈출 트레이스 리드는 다이 풋프린트의 외향으로 다이 모서리 위치를 가로지른다. 본 발명에 따라서, 다이 위의 범프(65)를 리드(63)로 직접 접합함으로써 다이(68)의 전기 인터커넥션이 형성된다. 인터커넥션 사이트로부터 다이 풋 프린트의 내부 방향으로 한 줄로 다이 모서리 위치를 가로지르는 특정 탈출 트레이스(가령 66)는 인터커넥트 사이트의 외곽 줄 위의 범프(65) 사이를 통과한다. 어떤 캡처 패드도 본 발명에 따라, 요구되지 않으며(도 6, 7 참조), 어떤 솔더 마스크도 요구되지 않는다. 이에 대한 공정이 다음에서 설명된다.
도 4 및 도 6이 나타내는 바와 같이, 본 발명에 따르는 범프-온-리드 인터커넥트는 명확하게 더 높은 신호 트레이스 탈출 라우팅 밀집도를 제공할 수 있다. 또한 도 4 및 6이 나타내는 바와 같이, 본 발명의 태양을 따르는 상기 BOL 인터커넥트는 인터커넥트 사이트에 솔더 외곽선을 형성하기 위한 솔더 마스크의 사용을 필요로 하지 않는다.
도 4, 5, 6, 7의 실시예를 통해 나타낸 BOL 인터커넥션 구조가 솔더 마스크를 사용하지 않고, 본 발명에 따르는 몇 가지 방법을 이용하여 생성될 수 있다. 일반적으로, 인터커넥트 범프(통상적으로 솔더 범프)는 다이의 활성 측 위의 인터커넥트 패드 위로 부착된다. "상부" 표면이라는 용어로 정의되는 기판의 다이 부착 표면은 트레이스를 제공하기 위해 패턴처리된 상부 금속 층을, 특정 다이 위에 범프의 배열과 함께 갖는다. 어던 캡처 패드도 요구되지 않기 때문에, 패턴처리된 트레이스(리드)는 다이 위의 범프의 배치에 상호 보완적인 패턴에 대응하는 사이트를 통하는 라우트만 요구할 수 있다. 본 발명의 바람직한 방법에 있어서, 인터커넥션 공정의 용융 단계 동안, 캡슐화된 수지 부착제가 솔더액을 한정하기 위해 사용된다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따르는 범프-온-리드 플립 칩 인터커넥션의 부분에 대한 두 가지 실시예를 기판 표면에 대해 평행인 평면으로 취해진 단면도로 도시한다. 특정 특징부는 투명하게 나타난다. 본 발명의 태양에 따라, 80um 내지 90um의 일반적인 마스크 구멍 직경을 갖는 솔더 마스크가 제공된다. 솔더 마스크 물질은 이러한 피치에서 용해될 수 있고, 특히, 기판은 90um 구멍을 갖고 정렬 오차 +/- 25um을 갖는 솔더 마스크를 이용하여 비교적 저렴하게 형성될 수 있다. 일부 실시예에서는, 표준 디자인 룰에 따라 만들어진 박판 기판(laminate substrate)(가령 4 금속 층 박판)이 사용된다. 도 8 및 도 9의 실시예에서, 예를 들어, 점선(81)에 의해 지시되는 바와 같이, 다이 풋프린트의 모서리를 가로지르는 유효 탈출 피치 ~90um을 제공하면서 트레이스는 ~90um 피치에서 존재할 수 있고, 인터커넥션 사이트는 270um 영역 어레이로 존재할 수 있다.
도 8 및 도 9의 실시예에서, 비-유동성 언더필이 요구되지 않으며, 종래 기술의 모세관 언더필이 사용될 수 있다.
도 8의 실시예에서, 범프를, 기판(82)의 다이 부착 표면 위의 유전 층 위의 패턴처리된 좁은 리드 또는 트레이스(83) 위에 위치하는 인터커넥트 사이트(84) 위로 직접 접합함으로써 상기 인터커넥션이 얻어질 수 있다. 본 실시예에서는 패드는 존재하지 않으며, 솔더-습윤성 리드(solder-wettable lead)를 따라 솔더액을 인터커넥트 사이트로부터 제거하면서, 솔더 마스크(86)는 솔더액을 마스크 구멍(88)의 경계부내에서 제한하는 기능을 수행한다. 솔더 마스크가 리드 사이의 용융된 솔더액을 제한하거나, 조합 공정 중에 성취될 수 있다.
도 8과 도 9의 실시예에서, 본 발명에 따라, 인터커넥트 패드가 존재하지 않는다. 좁은 리드 또는 트레이스(93)는 기판(92)의 다이 부착 표면 위에 위치하는 유전 층 위에서 패턴처리된다. 솔더 페이스트가 리드(93) 위에 위치하는 인터커넥트 사이트(94)에서 제공되어, 인터커넥트에 대한 가용성 매체가 제공될 수 있다. 솔더 마스크(96)의 구멍(98)은 페이스트를 형성하는 기능을 수행한다. 가령, 표준 인쇄 공정에 의해, 페이스트가 분포되고, 리플로우(reflow)되고, 볼에 부합하기 위해 균일한 표면이 제공될 필요가 있을 경우, 경화될 수 있다. 도 8을 참조하여 전술한 기판을 이용하여 솔더 페이스트는 조합 과정에서 공급될 수 있다. 또는 기판이 조합 단계 전에 적합하게 패턴처리된 페이스트와 함께 제공될 수 있다. 솔더를 선택적으로 인터커넥트 사이트에 공급하기 위한 또 다른 방법은 본 발명의 솔더-온-리드 실시예를 이용하는 것이며, 이때 무전해도금(electroless plating)과 무전해도금 기법이 포함된다. 솔더-온-리드 구성은 인터커넥트에 대한 부가적인 솔더 볼륨을 제공하고, 따라서 더 높은 제품 생산도가 제공되며, 더 높은 다이 스탠드오프(standoff)가 제공될 수 있다.
따라서 일부 실시예에서, 본 발명에 따르는 솔더-온-리드(solder-on-lead) 구성이 높은 용융 온도 솔더 범프(가령, 종래 기술에서 세라믹 기판과의 인터커넥션을 위해 사용되는 높은-납 함유 솔더)를 갖는 다이와 유기 기판(organic substrate)의 인터커넥션을 위해 사용된다. 상기 솔더 페이스트는 유기 기판이 리플로우 동안 손상되지 않도록 충분히 낮은 용융 온도를 갖도록 선택될 수 있다. 본 실시예에서 인터커넥트를 형성하기 위해, 높은-용융 인터커넥트 범프가 솔더-온-리드 사이트에 접촉하고, 재-용융된 물질이 솔더-온-리드를 상기 범프에 녹일 수 있다. 솔더-온-리드 공정에서, 비-연성 범프(noncollapsible bump)가 사용되면, 아주 적은 양의 솔더만이 각각의 인터커넥트에 공급되고 비-연성 범프는 조합체의 붕괴를 방지한다는 사실에 의해, 제거되거나 솔더액이 제한됨으로써 어떠한 미리 적용되는 부착제도 요구되지 않는다.
또 다른 실시예에서, 본 발명에 따르는 솔더-온-리드 구성이 공융 솔더 범프(eutectic solder bump)를 갖는 다이의 인터커넥션을 위해 사용된다.
범프-온-리드 인터커넥션을 제조하는 바람직한 방법의 한 가지 실시예가 도 10A-10C에서 도시된다.
도면을 참조하여, 다이 부착 표면(113) 위에 하나 이상의 유전 층을 갖고 하나의 금속 층, 회로를 제공하도록 패턴처리된 금속 층, 특히, 다이 부착 표면 위에 인터커넥션을 위한 사이트를 갖는 트레이스 또는 리드(114)을 갖는 기판(112)이 제공된다. 기판 표면을 지지대쪽을 향하고 있는 다이 부착 표면(113)에 반대쪽으로 두고, 기판(112)이 가령, 캐리어 또는 스테이지(116) 위에서 지탱된다. 캡슐화된 수지(122)가 기판의 다이 부착 표면(113) 위로 분포되고, 리드(114) 위의 인터커넥션 사이트를 덮는다. 활성 측(103) 위의 다이 패드에 부착된 범프(104)를 갖는 다이(102)가 제공된다. 상기 범프는 리드의 접합 표면에 접촉하는 가용성 물질을 포함한다. 척(106)을 포함하는 픽-앤-플레이스 툴(pick-and-place tool)(108)은 상기 척(106)을 다이의 후부(101)에 접촉시킴으로써 다이를 들어 올린다. 상기 픽-앤-플레이스 툴을 이용하여, 도 10A에서 도시된 바와 같이, 범프(104)가 기판 위에 위치하는 트레이스(리드)(114) 위의 대응하는 인터커넥트 사이트에 접촉하도록, 기판이 기판의 다이 부착 표면쪽으로 다이의 활성 측을 바라보도록 다이가 배치되고, 다이와 기판은 정렬되며, 하나를 다른 하나 쪽으로 이동시킨다(화살표 M을 참조). 도 10B를 참조하여, 그 후, 리드(115) 위의 인터커넥트 사이트에서 범프(105)를 접합 표면(134) 위에 눌러 붙히기 위해, 압력이 가해진다(화살표 F 참조). 리드(154) 위의 인터커넥션 사이트에서 압력은 부착제(122)를 범프와 접합 표면 사이에서 이동시키기에 충분할 정도여야 한다. 범프의 접촉 표면 또는 리드의 접합 표면 위의 산화 막을 깨뜨리면서 상기 범프가 압력에 의해 변형될 수 있다. 범프의 변형에 의해, 범프의 가용성 물질이 리드 모서리 상부 또는 그 너머에 눌러 붙을 수 있다. 참조 번호(132)가 지시하는 바와 같이, 선택된 온도로 가열됨에 따라, 부착제는 부분적으로 경화될 수 있다. 이러한 스테이지에서, 부착제는 부분적으로만 경화될 필요가 있다. 즉, 부착제와 전도성 트레이스 사이에서의 인터페이스를 따라, 용융된 솔더액을 방지하기 충분한 영역만 경화되면 된다는 뜻이다. 그 후, 범프(105)와 리드(115) 사이에서 제철 인터커넥션(metallurgical interconnection)을 형성하면서 범프(105)의 가용성 물질이 용융되고 재-응고되며, 그리고 도 10C의 참조 번호(140)이 지시하는 바와 같이, 부착제 경화가 완성되어 다이 구축이 완성되고, 접합 표면(인터커넥션 인터페이스)(144)에서의 전기 인터커넥션이 고정될 수 있다. 도 10C가 도시하는 단면도의 평면에서, 특정 범프(145)와, 특정 리드(155) 위의 대응하는 인터커넥트 사이트 사이에서 인터커넥션이 형성된다(도 6의 구성을 참조). 또 다른 리드(156)가 다른 단면도에서는 나타나는 다른 장소에서 존재한다. 비교적 높은 트레이스 밀집도가 나타난다. 부착제 경화가 솔더 용융 단계 전에, 또는 단계 중에, 또는 단계 후에 완성될 수 있다. 부착제는 열에 의해 경화되는 부착제인 것이 통상적이며, 공정에 있어 임의 단계에서의 경화 영역은 온도를 표준화함으로써 제어된다. 예를 들자면, 픽-앤-플레이스 툴(pick-and-place tool)의 척(chuck)의 온도를 상승시키거나, 또는 기판 지지대의 온도를 상승시킴으로써 소자가 가열되고 경화될 수 있다.
도 11A-도 11D는 더 세부적으로 공정을 도시한다. 도 11A에서, 기판(212)은 다이 부착 표면에 전도성(금속) 트레이스(214)와 함께 제공되며, 트레이스 위에 존재하는 인터커넥트 사이트는 부착제(222)로 덮여진다. 다이의 활성 측이 기판의 다이 부착 측을 바라보도록, 다이(202)가 기판에 관련하여 배치되고, 다이 위의 범프(204)가 트레이스(214) 위의 대응하는 접합 표면과 함께 정렬되도록, 다이(202)는 정렬된다(화살표 A). 범프가 트레이스 위의 접합 표면에 각각 접촉하도록, 상기 다이와 상기 기판은 서로를 향해 이동된다. 그 후, 도 11B에서 도시된 바와 같이, 부착제(232)를 이동시키면서, 그리고 범프를 접합 표면(234)과 트레이스의 모서리 위로 변형시키면서, 범프(205)와 트레이스(215)가 서로에 대해 이동되도록 압력이 가해진다. 트레이스 위로 범프가 변형됨에 따라, 바람직한 전기 연결을 형성하면서 범프의 접촉 표면과 트레이스의 접합 표면 위의 산화막이 깨진다. 그리고 트레이스 위로 범프가 변형됨에 따라, 바람직한 임시 기계적 연결이 형성된다. 도 10A-10C의 실시예과 같이, 특정 트레이스(216)의 인터커넥션 사이트가 도 11B의 평면을 벗어난다. 도 11C에서 참조 번호(236)으로 도시되는 바와 같이, 부착제가 부분적으로 경화되도록 열이 가해진다. 그 후, 도 11D에서 도시된 바와 같이, 열이 가해져서, 범프의 가용성 물질이 용융되기 충분하도록 범프의 온도가 상승한다. 이에 따라, 부착제(246)의 경화가 완성되고, 리드(215) 위에 위치하는 인터커넥트 사이트에서의 접합 표면(244)으로의 범프(245) 제철 인터커넥션(metallurgical interconnection)이 완성된다.
바람직한 방법의 또 다른 실시예에서, 부착제는 기판에 제공되는 것보다, 다이 표면이나 다이 표면 위의 범프에 미리 제공될 수 있다. 예를 들어, 많은 양의 상기 부착제가 범프 위로 이동하기 위해, 상기 부착제는 저장소에 채워져, 다이의 활성 측이 상기 저장소에 침수되고 제거될 수 있다. 그 후, 픽-앤-플레이스 툴을 이용하여, 다이의 활성 측을 고정된 기판의 다이 부착 표면과 마주보도록 다이는 위치하며, 상기 다이와 상기 기판은 정렬되고, 범프가 기판 위의 대응하는 트레이스(리드)에 접촉되도록, 서로쪽으로 이동한다. 이러한 방법은 U.S. 특허 No.6780682(2004, 8, 24)에서 설명되어 있으며, 본원에서 이를 참고로 인용하였다. 그 후, 전술한 압력을 가하는 단계, 경화 단계, 용융 단계가 수행된다.
도 12는 본 발명을 따르는 공정에 대한 압력과 온도 스케줄을 도시한다. 상기 차트에서, 시간은 수평선 왼쪽에서 오른쪽으로 진행하고, 압력 프로파일(310)은 두꺼운 검인 선으로 나타나며, 온도 프로파일(320)은 점선으로 나타난다. 상기 온도 프로파일은 약 80℃ - 약 90℃의 범위의 온도에서 시작된다. 상기 압력 프로파일은 필수적으로 0 압력에서 시작된다. 초기 시간 ti에서의 시작되어, 압력이 빠르게(거의 순간적으로) Fi에서 이동/변형 압력 Fd로 상승하는 구간(312)과 다음에서 논의될 시간만큼 압력을 주는 고정된 구간(314)이 있다. Fd는 범프와 리드의 접합 표면 사이로부터 부착제를 제거하기에 충분히 큰 압력이며, 산화 막을 깨뜨리고 바람직한 제철 접촉(metallurgical contact)을 형성하면서, 상기 접합 표면 위로 범프의 가용성 부분을 변형시키기에 충분히 큰 압력이고, 일부 실시예에서는, 리드의 모서리 너머로 범프와 리드의 기계 인터락("크립(creep)" 변형)을 구축하기 충분한 압력이다. 필요한 압력의 총 합은 범프 물질과 크기에 따라 다르며, 범프의 수에 따라 다르고, 불필요한 실험을 거치지 않고 결정될 수 있다. 압력이 상승함에 따라, 온도 역시 최초 온도 Ti로부터 겔 온도(gel temperature) Tg까지 빠르게 상승하는 구간(322)을 갖는다. 상기 겔 온도 Tg는 부착제를 부분 경화(겔화)하기 충분히 높은 온도이다. 짧은 격차 시간 tdef가 존재한 후 Tg에 도달하기 전에 Fd에 도달하도록, 부착제의 부분 경화가 시작되기 전에 상승된 압력에 의해 부착제를 이동시키고 범프를 변형시킬 수 있기에 충분히 긴 시간 동안 압력과 온도 경사(force and temperature ramp)가 설정되는 것이 바람직하다. 조합 공정이 고정 구간(314, 324)에서 이뤄진다. 부착제의 부분 경화에 영향을 주기 충분한 시간 tgel 동안 이동/변형 압력 Fd와 겔 온도 Tg에서 조합 공정은 구간(314, 325)에서 이뤄진다. 솔더 재-용융 단계 동안, 상기 부착제는 바람직한 범프 프로파일을 유지할 수 있도록 충분히 단단하게 될 것이다. 즉, 범프의 용융된 가용성 물질 또는 리드를 따르는 용융된 가용성 물질의 바람직하지 못한 이동을 방지하기에 충분히 단단하게 될 것이다. 부착제가 충분히 부분 경화되면, 어떠한 압력도 가해지지 않도록, 압력이 급격하게 하락하는 구간(318)이 존재할 것이다. 그 후, 온도는 범프의 가용성 부분을 재-용융하기 충분한 온도 Tm까지로 추가적으로 빠르게 상승하는 구간(323)이 존재하며, 재용융 온도 Tm에서 시간 tmelt/cure 동안 조합 공정이 구간(325)에서 이뤄지며, 이때 온도와 시간은 트레이스 위의 재용융되는 솔더를 형성하기 충분하며, 부착제를 경화하기 충분한 것이 바람직하다. 그 후 최초 온도 Ti로 상기 온도가 빠르게 하락하는 구간(328)이 존재한다. 도 12에서 도시된 공정은 시간 주기 5 - 10초에 걸쳐 실행된다.
도 12의 실시예에서의 부착제는 "비-액체 언더필"이라고 불리울 수 있다. 플립 칩 인터커넥션을 구현하는 일부 예에서, 제철 인터커넥션이 우선 형성되고, 언더필 물질이 다이와 기판 사이의 공간으로 유입된다. 본 발명을 따르는 "비-액체 언더필"은 다이와 기판이 서로에게로 이동되기 전에, 적용되고, 상기 비-액체 언더필은 범프가 접근함에 따라, 그리고 다이의 표면과 기판이 대립함에 따라, 리드로 이동한다. 본 발명을 따르는 비-액체 언더필 부착에 대한 부착제는 빠른 겔화 부착제(fast-gelling adhesive)인 것이 바람직하다. 즉, 겔 온도에서 1 - 2초의 시간 주기 동안 충분히 겔화되는 물질인 것이 바람직하다. 비-액체 언더필 부착제의 바람직한 물질은, 예를 들어, 이른바 비-전도성 페이스트를 포함하며, 그 예로는 Toshiba Chemicals사와 Loktite-Henkel사의 물질이 있다.
또 다른 범프 구조가 본 발명을 따르는 범프-온-리드 인터커넥트에서 사용될 수 있다. 특히, 예를 들어, 이른바 혼합 솔더 범프(composite solder bump)가 사용될 수 있다. 혼합 솔더 범프는 서로 다른 범프 물질로 이루어진 둘 이상의 범프 부분을 가지며, 그 중 하나는 리플로우 조건 하에서 연성(collapsible)이고, 또 다른 것은 리플로우 조건 하에서 비-연성(non-collapsible)이다. 상기 비-연성 부분은 다이 위의 인터커넥트에 부착되며, 비-연성 부분에 대한 통상적인 종래의 물질은 높은 납(Pb) 함유량을 지닌 다양한 솔더를 포함한다. 연성 부분은 비-연성 부분에 연결될 수 있으며, 본 발명에 따라는 리드와의 연결을 제공하는 것은 연성 부분이다. 혼합 범프의 연성 부분에 대한 종래의 물질은 공융 솔더들(eutectic solders)을 포함하는 것이 일반적이다.
혼합 범프를 이용하는 범프-온-리드 인터커넥트의 예가 도 13에서 도시된다. 도 13을 참조하여, 다이(302)는 비-연성 부분(345)과 연성 부분(347)을 포함하는 혼합 범프와 함께, 다이의 활성 측에 있는 다이 패드 위에 제공된다. 연성 부분은, 예를 들어, 공용 솔더 또는 비교적 낮은 온도에서 용융되는 솔더일 수 있다. 상기 연성 부분은 리드의 접합 표면에 접촉하고, 이때, 리드 너머로의 범프의 가용성 부분의 변형이 요구되며, 압력이 가해진 조건 하에서 범프의 상기 연성 부분이 변형될 수 있다. 상기 비-연성 부분은, 예를 들어, 높은 납(pb) 함유량을 지니는 솔더일 수 있다. 공정 동안 기판에 대해 압력이 가해지는 조건 하에서, 다이가 이동할 때 상기 비-연성 부분은 변형되지 않고, 공정의 리플로우 단계 중에 용융되지 않는다. 따라서 비-연성 부분은 다이의 활성 표면과 기판의 다이 부착 표면 사이의 스탠드오프 거리을 제공하기 위한 크기를 나타낼 수 있다.
예를 들어 도 4, 5, 6, 7에서 나타낸 실시예에서의 범프는 완전히 연성 범프일 필요는 없다. 도면에서 나타낸 구조들은 혼합 범프를 이용하여 구축되거나, 솔더-온-리드 방법을 이용하여 구축될 수 있다.

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  37. 반도체 장치를 형성하는 방법에 있어서, 상기 방법은:
    반도체 다이(48)를 형성하는 단계;
    반도체 다이 위에 복수의 범프(45)를 제공하는 단계;
    기판(42)을 제공하는 단계;
    기판상에 복수의 전도성 트레이스(43)를 형성하는 단계로서,
    각각의 전도성 트레이스(43)는 범프(45)와 짝이 되는 인터커넥트 사이트(interconnect site)를 가지며, 상기 인터커넥트 사이트는 탈출 라우팅 밀집도를 증가시키기 위해, 범프(45) 아래의 전도성 트레이스(43)의 길이 방향을 따라 평행한 에지를 갖고, 인터커넥트 사이트는 범프(45)의 폭 미만이고 인터커넥트 사이트로부터 떨어져 있는 전도성 트레이스(43)의 폭의 1.2 배 미만인 폭을 갖도록 하며,
    상기 범프는 반도체 다이 상의 접촉 패드에 부착하기 위한 비-연성 범프(noncollapsible bump) 및 인터커넥트 사이트에 부착하기 위한 가용성 범프(fusible bump)를 가지는 단계; 그리고
    (a) 최초 온도(Ti)를 범프에 적용하고,
    (b) 최초 온도(Ti)보다 높은 겔 온도(gel temperature)( Tg)를 가압과 함께 범프에 적용하며,
    (c) 상기 가압을 제거하고,
    (d) 상기 겔 온도(gel temperature)( Tg) 보다 높은 재용융 온도(Tm)를 상기 범프에 적용하며, 그리고
    (e) 상기 재용융 온도(Tm)를 제거하여,
    범프와 인터커넥트 사이트 사이에서 인터커넥션을 제공하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치 형성 방법.
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  39. 제 37 항에 있어서, 상기 가용성 범프는 리플로우 중에 기판에 대한 손상을 방지하는 온도에서 용융되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 형성 방법.
  40. 제 37 항에 있어서, 반도체 다이(48)와 기판(42) 사이의 언더필 물질을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 형성 방법.
  41. 삭제
  42. 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은:
    반도체 다이(48)를 제공하는 단계;
    반도체 다이 위에 범프(45)를 형성하는 단계;
    상기 범프와 짝이 되는 기판(42)의 다이 부착 표면상에 형성된 전도성 트레이스(43)를 가지는 기판을 제공하는 단계로서,
    상기 전도성 트레이스(43)가 범프(45) 아래의 인터커넥트 사이트의 폭이 범프로부터 떨어져 위치한 전도성 트레이스(43)의 폭 1.2배 미만이도록, 범프 아래의 전도성 트레이스의 길이 방향을 따라 평행한 에지를 갖는 인터커넥트 사이트를 가지며, 각각의 인터커넥트 범프는 반도체 다이 상의 접촉 패드에 부착하기 위한 리드 솔더를 포함하는 비-연성 범프(noncollapsible bump) 부분과, 인터커넥트 사이트에 부착하기 위한 공융 솔더(eutectic solder)를 포함하는 가용성 범프를 가지는 단계; 그리고
    (a) 최초 온도(Ti)를 범프에 적용하고,
    (b) 최초 온도(Ti)보다 높은 겔 온도(gel temperature)( Tg)를 가압과 함께 범프에 적용하며,
    (c) 상기 가압을 제거하고,
    (d) 겔 온도(gel temperature)( Tg) 보다 높은 재용융 온도(Tm)를 상기 범프에 적용하며, 그리고
    (e) 상기 재용융 온도(Tm)를 제거하여,
    범프와 인터커넥트 사이트 사이에서 인터커넥션을 제공하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
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  44. 반도체 다이(48);
    반도체 다이 위에 형성된 복수의 범프(45);
    기판(42); 그리고
    기판의 상부에 형성된 복수의 전도성 트레이스(43)로서,
    각각의 전도성 트레이스(43)는 범프(45)와 짝이 되는 인터커넥트 사이트를 가지며, 상기 인터커넥트 사이트는 탈출 라우팅 밀집도를 증가시키기 위해, 범프(45) 아래의 전도성 트레이스의 길이 방향을 따라 평행한 에지를 갖고, 상기 인터커넥트 사이트는 범프로부터 떨어져 위치한 전도성 트레이스의 폭의 1.2 배 미만인 폭을 갖는 상기 복수의 전도성 트레이스(43)를 포함하며,
    상기 범프 중 하나는 반도체 다이 상의 접촉 패드에 부착하기 위한 비-연성 부분과, 인터커넥트 사이트에 부착하기 위한 가용성 부분을 가짐을 특징으로 하는 반도체 장치.
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