KR101082702B1 - 무선 ic 디바이스 - Google Patents
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Abstract
무선 IC와, 급전회로기판(20)과, 방사판(52)으로 이루어지는 무선 IC 디바이스. 급전회로기판(20)은, 무선 IC와 전기적으로 접속되고, 인덕턴스 소자(L1, L2, L3, L4)를 포함하는 공진회로 및/또는 정합회로를 가지는 급전회로(21)를 내장하고 있다. 방사판(52)은, 급전회로기판(20)이 접착되어 있고, 급전회로(21)로부터 공급된 송신 신호를 방사하고, 또한 수신한 신호를 급전회로(21)에 공급한다. 인덕턴스 소자(L1, L2)와 인덕턴스 소자(L3, L4)는 서로 반대방향으로 감긴 나선형상으로 형성되어 반대 상으로 결합하고 있다.
Description
도 2는 제1실시예인 무선 IC 디바이스를 구성하는 방사기판을 나타내고, (A)는 평면도, (B)는 급전회로기판을 접착한 상태를 나타내는 평면도이다.
도 3은 제1실시예인 무선 IC 디바이스를 구성하는 급전회로기판상에 무선 IC 칩을 탑재한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 4는 제1실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 적층구조를 나타내는 평면도이다.
도 5는 제2실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 적층구조를 나타내는 평면도이다.
도 6은 제3실시예인 무선 IC 디바이스의 등가 회로도이다.
도 7은 제3실시예인 무선 IC 디바이스의 방사기판을 나타내고, (A)는 평면도, (B)는 이면도, (C)는 이면에 형성한 자성체의 평면도이다.
도 8은 제3실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 적층구조를 나타내는 평면도이다.
도 9는 제4실시예인 무선 IC 디바이스를 나타내는 사시도이다.
도 10은 제4실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 적층구조를 나타내는 평면도이다.
도 11은 제5실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 적층구조를 나타내는 평면도이다.
도 12는 제6실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 적층구조를 나타내는 사시도이다.
도 13은 제7실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 적층구조를 나타내는 사시도이다.
도 14는 제8실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 적층구조를 나타내는 사시도이다.
도 15는 도 14에 나타낸 급전회로기판의 등가 회로도이다.
도 16은 제8실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 다른 적층구조를 나타내는 사시도이다.
도 17은 도 16에 나타낸 급전회로기판의 등가 회로도이다.
도 18은 제9실시예인 무선 IC 디바이스를 나타내는 사시도이다.
도 19는 제9실시예인 무선 IC 디바이스를 금속통에 부착한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 20은 도 19의 부분 확대 단면도이다.
도 21은 제10실시예인 무선 IC 디바이스를 구성하는 급전회로를 나타내는 등가 회로도이다.
도 22는 제10실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 제작 공정을 나타내는 설명도이다.
도 23은 도 22에 나타낸 제작 공정 도중을 나타내는 이면도이다.
도 24는 제11실시예인 무선 IC 디바이스를 구성하는 급전회로를 나타내는 등가 회로도이다.
도 25는 제11실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 제작 공정을 나타내는 설명도이다.
도 26은 도 25에 나타낸 제작 공정 도중을 나타내는 이면도이다.
도 27은 (A)는 제12실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로를 나타내는 등가 회로도, (B)는 제13실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로를 나타내는 등가 회로도이다.
도 28은 (A)는 제14실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로를 나타내는 등가 회로도, (B)는 제15실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로를 나타내는 등가 회로도이다.
도 29는 제12실시예∼제15실시예인 무선 IC 디바이스를 나타내고, (A)는 정면도, (B)는 평면도, (C), (D)는 이면도이다.
도 30은 제12실시예∼제15실시예인 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 적층구조를 나타내는 평면도이다.
도 31은 제12실시예∼제15실시예인 무선 IC 디바이스를 나타내고, (A)는 방사기판상에 급전회로기판을 탑재한 상태의 평면도, (B)는 방사기판의 제1예를 나타내는 평면도, (C)는 방사기판의 제2예를 나타내는 평면도, (D)는 방사기판의 이면도이다.
10 무선 IC 칩
20,220 급전회로기판
21,150,200 급전회로
30,50,130,210 방사기판
32,52,132,212 방사판
33 자성체
46a,46b 배선전극
49a,49b 자성체
66a∼66d 배선전극
75a,75b 배선전극
85a,85b 배선전극
88a,88b 자성체
101a,101b 배선전극
111a,111b 배선전극
112a,112b 자성체
125a,125b 배선전극
128a,128b 자성체
129 보조 정합회로
133 보조전극
204a,204b 배선전극
Claims (25)
- 무선 IC와,
상기 무선 IC와 결합되고, 서로 자기(磁氣) 결합하는 적어도 2개의 인덕턴스 소자를 포함하는 공진회로 및/또는 정합회로를 가지는 급전회로를 형성한 급전회로기판과,
상기 급전회로기판이 접착 또는 근접 배치되어 있고, 상기 급전회로로부터 공급된 송신 신호를 방사하는, 및/또는, 수신한 신호를 상기 급전회로에 공급하는 방사판을 포함하고,
상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자는 각 인덕턴스 소자에 발생하는 자계의 방향이 각각 반대방향이 되도록 나선형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 송신 신호 및/또는 수신 신호의 공진주파수는, 상기 공진회로의 자기(自己) 공진주파수에 실질적으로 상당하는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자는, 상기 급전회로를 평면 투시했을 때에, 다른 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자는 각각 동일 평면상에서 인접하는 2개의 배선전극으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 급전회로기판은 적층체로 이루어지고, 상기 적층체의 최하층의 내부 또는 표면에, 상기 급전회로기판을 평면 투시했을 때에, 상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자의 외형과 같거나 또는 작은 평면전극을 형성한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 급전회로기판은 자성체를 포함하고, 상기 자성체의 내부 및/또는 표면에 상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자의 한쪽 단부(端部)끼리는, 적층체 내의 최상층 근방에 있어서 도통(導通)접속되고, 다른쪽 단부는 각각 상기 무선 IC와 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 방사판은 한쪽 단부와 다른쪽 단부를 가지는 루프형상 전극으로 구성되고, 상기 한쪽 단부와 다른쪽 단부는 각각 다른 상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자와 결합하고 또한 각각 반대방향으로 감긴 나선형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제8항에 있어서,
각각 결합하도록 형성된 상기 인덕턴스 소자와 상기 방사판의 나선형상의 단부는, 상기 급전회로를 평면 투시했을 때에 동일방향으로 감기도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제8항에 있어서,
상기 루프형상 전극의 인덕턴스 값은 상기 급전회로의 인덕턴스 소자의 인덕턴스 값보다도 큰 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제8항에 있어서,
상기 루프형상 전극의 루프의 내측 또는 표면에 자성체가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자는 상기 무선 IC에 대하여 직렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자는 상기 무선 IC에 대하여 병렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자는 각각의 인덕턴스 값이 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 급전회로기판의 주면상에는 상기 무선 IC를 실장하기 위한 복수의 실장전극이 형성되고, 적어도 2개의 실장전극은 상기 급전회로를 통해 전기적으로 도통하고 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제15항에 있어서,
상기 적어도 2개의 실장전극은 평형 입출력 단자전극인 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 급전회로는, 한쪽 단부가 상기 급전회로의 소정 위치에 전기적으로 접속되어 있는 동시에 다른쪽 단부가 전기적으로 개방되어 있는 보조 정합회로를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자의 일부가 상기 급전회로기판의 측면에 노출되어 있고, 상기 노출 부분이 방사판으로서도 기능하는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 급전회로기판은 세라믹 또는 수지로 이루어지는 다층 기판인 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 급전회로기판은 플렉시블한 기판인 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자는 각각 직류적으로 도통하도록 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자는 병렬 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 적어도 2개의 인덕턴스 소자는 직렬 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제1항에 있어서,
상기 2개의 인덕턴스 소자는 코일 소자이고, 상기 코일 소자의 내부를 지나는 자속의 방향이 각각 반대방향인 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스. - 제24항에 있어서,
상기 각 코일 소자는 평면에서 봤을 때, 각각의 코일 개구면이 이웃하도록 인접 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
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