JP5588670B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
また、パワーデバイスの微細化およびオン抵抗の低減のための構造として、トレンチゲート構造が知られている。たとえば、パワーMOSFETでは、トレンチゲート構造を採用したものが主流になりつつある。
半導体装置201は、半導体装置201の基体をなすN+型のSiC基板202を備えている。SiC基板202のSi面(シリコン面)上には、SiC基板202よりもN型不純物が低濃度にドーピングされたSiC(シリコンカーバイト:炭化ケイ素)からなる、N−型のエピタキシャル層203が積層されている。エピタキシャル層203の基層部は、エピタキシャル成長後のままの状態が維持された、N−型のドレイン領域204をなしている。また、エピタキシャル層203には、ドレイン領域204上に、P型のボディ領域205がドレイン領域204に接して形成されている。
ゲートトレンチ206内には、ゲートトレンチ206の内面全域を覆うように、SiO2からなるゲート絶縁膜207が形成されている。
エピタキシャル層203の表層部には、ゲートトレンチ206に対してゲート幅と直交する方向(図15における左右方向)の両側に、N+型のソース領域209が形成されている。ソース領域209は、ゲートトレンチ206に沿ってゲート幅に沿う方向に延び、その底部がボディ領域205に接している。
エピタキシャル層203上には、SiO2からなる層間絶縁膜211が積層されている。層間絶縁膜211上には、ソース配線212が形成されている。ソース配線212は、層間絶縁膜211に形成されたコンタクトホール213を介してソース領域209およびボディコンタクト領域210にコンタクトされるニッケルシリサイド層218と、ニッケルシリサイド層218上に形成されたアルミニウム層219とを有している。
ソース配線212を形成するには、まず、スパッタ法により、エピタキシャル層203における不純物のドーピングされた領域(不純物領域)の表面(ソース領域209およびボディコンタクト領域210の表面)にNiが堆積される。次いで、Niを不純物領域にオーミック接合させるため、高温(たとえば、1000℃程度)の熱処理により、SiC中のSiとNiとを反応させてNiがシリサイド化される。これにより、ニッケルシリサイド層218が形成される。その後、スパッタ法により、ニッケルシリサイド層218上にAlが堆積される。これにより、アルミニウム層219が形成されて、ソース配線212が形成される。なお、ドレイン配線215もソース配線212と同様の方法により形成される。
ポリシリコンは、SiCにおける不純物がドーピングされた領域(不純物領域)との間に良好なオーミック接合を形成することができる。そのため、メタル層が不純物領域に直接にコンタクトされる構造に不可欠なシリサイド化を省略することができる。よって、ポリシリコン層の表面およびポリシリコン層における不純物領域との界面近傍でのカーボン層の発生を防止することができる。
また、前記半導体装置は、前記半導体層の表面から掘り下がったゲートトレンチと、前記半導体層において、前記ゲートトレンチの側方に形成された第1導電型のボディ領域と、前記ゲートトレンチの内面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲートトレンチに埋設されたゲート電極とを含み、前記不純物領域が、前記ボディ領域の表層部において、前記ゲートトレンチに隣接して形成された第2導電型のソース領域であり、前記コンタクト配線が、前記ソース領域にコンタクトされるソース配線であってもよい。
この半導体装置では、ソース領域が前記不純物領域であり、ソース配線が前記コンタクト配線である。すなわち、ソース配線が、ソース領域とのコンタクト部分にポリシリコン層を有する。そして、ポリシリコンがカバレッジ性に優れるため、コンタクトホールを埋め尽くすようにポリシリコン層を形成することにより、ソース配線のカバレッジ性を向上させることができる。その結果、ソース配線の接続信頼性を向上させることができる。
そして、この半導体装置では、ソース領域が前記不純物領域であり、ソース配線が前記コンタクト配線である。すなわち、ソース配線が、ソース領域とのコンタクト部分にポリシリコン層を有する。そして、ポリシリコンがカバレッジ性に優れるため、コンタクトホールを埋め尽くすようにポリシリコン層を形成することにより、ソース配線のカバレッジ性を向上させることができる。その結果、ソース配線の接続信頼性を向上させることができる。
この構成では、ポリシリコン層が高濃度ドープ層であるため、コンタクト配線における抵抗値を低減することができる。
チタンを含有する材料は、ポリシリコン材料およびメタル材料のいずれに対しても優れた密着性を有する。そのため、ポリシリコン層とメタル層との間にチタンを含有する層が介在されている構成を有する半導体装置では、ポリシリコン層とメタル層との密着性を向上させることができる。その結果、コンタクト配線の接続信頼性を一層向上させることができる。
Alは、ポリシリコン層に導電性を付与するための不純物として利用することができるが、適当な量でポリシリコン層に混入しないと、ソース配線として利用されるポリシリコン層の抵抗値が不安定になる場合がある。
ところで、前記ボディ領域および前記ソース領域の活性化や、前記ゲート絶縁膜の形成に際しては、SiCからなる半導体層を1200℃以上で加熱する場合があり、たとえば、SiCからなる半導体層の加熱に関する背景技術として、以下の知見が知られている(たとえば、特開2003−318388号公報)。
このようなMOS構造を作製するには、たとえば、まず、SiC層の表層部に不純物イオンが注入される。次いで、抵抗加熱炉内において、SiC層が加熱されることにより、注入されたイオンが活性化する。イオンの活性化後、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)装置内において、酸素含有ガスの供給により、SiC層の表面にゲー
ト酸化膜が形成される。そして、スパッタ法により、ゲート酸化膜上にゲート電極が形成される。これにより、ゲート電極(Metal)−ゲート酸化膜(Oxide)−SiC層(Semiconductor)の層構造(MOS構造)が作製される。
しかし、このような手法では、高周波誘導加熱炉およびゲート酸化炉の2つの装置が別途必要になるため、装置コストが増加するという不具合を生じる。
カーボン膜は、たとえば、SiC層表面にカーボンを含む膜を形成し、高周波誘導加熱炉内においてカーボンを含む膜を加熱することにより、当該膜からカーボン以外の元素を蒸発させて形成される。
また、イオンの活性化後、カーボン膜は不要となる。この不要になったカーボン膜は、高周波誘導加熱炉とは別の装置において、酸化ガスにより酸化除去される。高周波誘導加熱炉内に酸化ガスを導入し、イオンの活性化に引き続いてカーボン膜を除去することも検討されるが、高周波誘導加熱炉の発熱体にはカーボン材料が使用されているため、酸化ガスが供給されると当該カーボン材料が酸化されてしまう。そのため、カーボン膜除去装置が別途必要不可欠であり、装置コストの増加が不可避であるという課題も見出した。
その発明とは、具体的には、表層部にイオンが注入されたSiC層の表面に有機材料膜を形成する工程と、前記有機材料膜の形成後、抵抗加熱炉内において、前記有機材料膜を加熱することにより、前記有機材料膜をカーボン膜に変質させる工程と、前記抵抗加熱炉内において、前記カーボン膜が形成された前記SiC層を加熱することにより、前記SiC層内のイオンを活性化する工程と、前記抵抗加熱炉内に酸素含有ガスを導入することにより、前記カーボン膜を酸化させて除去する工程と、前記カーボン膜の除去後、引き続き前記抵抗加熱炉内において、前記酸素含有ガスにより、前記SiC層の表面を酸化させて酸化膜を形成する工程とを含む、半導体装置の製造方法である。
なお、酸素および窒素を含有するガスとしては、たとえば、NO(一酸化窒素)、N2O(一酸化二窒素)などを含有するガスを用いることができる。
上記のように、本発明者らは、SiCからなる半導体層の加熱に関する発明として、抵抗加熱炉を利用した発明をした。
したがって、前記ボディ領域および前記ソース領域の活性化、およびゲート絶縁膜を形成するときに、上記した抵抗加熱炉を利用した発明を適用すれば、本発明の作用効果に加えて、上記した抵抗加熱炉を利用した発明による作用効果を享受することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の模式断面図である。
半導体装置1は、トレンチゲート型VDMOSFETの単位セルがマトリクス状に配置された構造を有している。なお、図1では、複数の単位セルのうちの一部が示されている。
SiC基板2の表面21には、SiC基板2よりもN型不純物が低濃度にドーピングされたSiC(シリコンカーバイト:炭化ケイ素)からなる、N−型のエピタキシャル層3が積層されている。Si面である表面21上に形成されるエピタキシャル層3は、Si面を成長主面として成長する。したがって、エピタキシャル層3の表面31は、Si面である。
一方、エピタキシャル層3の表層部には、P型のボディ領域5が形成されている。ボディ領域5は、ドレイン領域4に接している。ボディ領域5のP型不純物濃度は、たとえば、1e16〜1e19cm−3である。
ゲートトレンチ6の内面およびエピタキシャル層3の表面31には、ゲートトレンチ6の内面(側面7および底面8)全域を覆うように、SiO2からなるゲート絶縁膜9が形成されている。ゲート絶縁膜9は、底面8上の部分(絶縁膜底部11)の厚さが、側面7上の部分(絶縁膜側部10)の厚さよりも小さい。たとえば、絶縁膜側部10の厚さに対する絶縁膜底部11の厚さの比(絶縁膜底部11の厚さ/絶縁膜側部10の厚さ)は、0.1〜0.8である。双方の厚さの具体的な大きさは、たとえば、絶縁膜側部10の厚さが400〜600Åであり、絶縁膜底部11の厚さが200〜300Åである。
ボディ領域5の表層部には、ゲートトレンチ6に対してゲート幅と直交する方向(図1における左右方向)の両側に、N+型のソース領域13が形成されている。ソース領域13は、ドレイン領域4のN型不純物濃度よりも高く、N型不純物が高濃度にドーピングされた領域である。ソース領域13のN型不純物濃度は、たとえば、1e18〜1e21cm−3である。ソース領域13は、ゲートトレンチ6に隣接する位置においてゲート幅に沿う方向に延び、その底部がエピタキシャル層3の表面31側からボディ領域5に接している。
層間絶縁膜15上には、ソース配線17が形成されている。ソース配線17は、コンタクトホール16を介してソース領域13およびボディコンタクト領域14にコンタクト(電気的に接続)されている。ソース配線17は、ソース領域13およびボディコンタクト領域14とのコンタクト部分にポリシリコン層18を有し、ポリシリコン層18上にメタル層20を有している。
ソース配線17において、ポリシリコン層18とメタル層20との間には、チタンを含有する中間層19が介在されている。中間層19は、チタン(Ti)を含有する層の単層もしくはその層を有する複数の層からなる。チタンを含有する層は、チタン、窒化チタンなどを用いて形成することができる。また、中間層19の厚さは、たとえば、200〜500Åである。
SiC基板2の裏面22には、ドレイン配線23が形成されている。ドレイン配線23は、SiC基板2にコンタクト(電気的に接続)されている。ドレイン配線23は、SiC基板2とのコンタクト部分にポリシリコン層24を有し、ポリシリコン層24上にメタル層26を有している。
メタル層26は、上記したメタル層20を構成する材料と同様のものを用いて形成することができる。メタル層26は、ドレイン配線23の最表層をなし、たとえば、SiC基板2がリードフレームのダイパッドにボンディングされるとき、ダイパッドに接合される。また、メタル層26の厚さは、たとえば、0.5〜1μmである。
ゲート電極12には、層間絶縁膜15に形成されたコンタクトホール(図示せず)を介して、ゲート配線27がコンタクト(電気的に接続)されている。
まず、図2Aに示すように、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法、LPE(Liquid Phase Epitaxy:液相エピタキシ)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy:分子線エピタキシ)法などのエピタキシャル成長法により、SiC基板2の表面21(Si面)上に、不純物をドーピングしながらSiC結晶が成長させられる。これにより、SiC基板2上に、N−型のエピタキシャル層3が形成される。続いて、P型不純物が、エピタキシャル層3の表面31からエピタキシャル層3の内部にインプランテーション(注入)される。このときの注入条件は、P型不純物の種類により異なるが、たとえば、加速エネルギーが200〜400keVである。
次いで、図2Cに示すように、CVD法により、エピタキシャル層3上にSiO2からなるマスク29が形成される。続いて、マスク29がフォトレジスト(図示せず)を介してエッチングされることにより、ボディコンタクト領域14を形成すべき領域に開口30を有するパターンにパターニングされる。開口30の形成後、P型不純物が、エピタキシャル層3の表面31からエピタキシャル層3の内部にインプランテーション(注入)される。このときの注入条件は、P型不純物の種類により異なるが、たとえば、加速エネルギーが30〜200keVである。これにより、P型インプラ領域28の表層部に、P型不純物が高濃度でインプランテーションされた領域(P+型インプラ領域32)が形成される。P型不純物の注入後、マスク29が除去される。
次いで、図2Fに示すように、CVD法、熱酸化法などにより、エピタキシャル層3の表面31全域にSiO2からなるマスク36が形成される。なお、マスク36は、CVD法を利用することにより、SiNなどで形成することもできる。
次いで、図2Hに示すように、SF6(六フッ化硫黄)およびO2(酸素)を含む混合ガス(SF6/O2ガス)が、開口37を介してエピタキシャル層3の表面31へ入射される。これにより、エピタキシャル層3が表面31(Si面)からドライエッチングされて、表面31に平行な部分(Si面)を有する底面8およびSi面に対して直交する側面7を有するゲートトレンチ6が形成される。ゲートトレンチ6の形成後、マスク36が除去される。
次いで、図2Lに示すように、CVD法により、ポリシリコン材料38がコンタクトホール16を埋め尽くすまで堆積される。
次いで、図2Nに示すように、スパッタ法、蒸着法などの方法により、ポリシリコン層18の表面にチタンおよび窒化チタンがこの順に堆積されて、中間層19が形成される。続いて、スパッタ法、蒸着法などの方法により、中間層19の表面にアルミニウムが堆積されて、メタル層20が形成される。そして、メタル層20、中間層19およびポリシリコン層18が所定の配線パターンにパターニングされることにより、ソース配線17が形成される。続いて、ゲート電極12に接続されるゲート配線27が形成される。その後、ソース配線17と同様の方法により、SiC基板2の裏面22に、ポリシリコン層24、中間層25およびメタル層26を有するドレイン配線23が形成される。
以上のように、半導体装置1によれば、ソース領域13およびボディコンタクト領域14にコンタクトされたソース配線17は、ソース領域13およびボディコンタクト領域14とのコンタクト部分にポリシリコン層18を有し、ポリシリコン層18上にメタル層20を有している。
その結果、ポリシリコン層18とメタル層20との間およびポリシリコン層18とソース領域13およびボディコンタクト領域14との間での層剥がれを抑制することができる。よって、ソース配線17の接続信頼性を向上させることができる。
また、ポリシリコン層18とメタル層20との間に、チタン層および窒化チタン層の積層構造からなる中間層19が介在されている。チタンを含有する材料は、ポリシリコン材料およびメタル材料のいずれに対しても優れた密着性を有する。そのため、ポリシリコン層18とメタル層20との密着性を向上させることができる。その結果、ソース配線17の接続信頼性をより一層向上させることができる。
図3(a)(b)は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の模式平面図であって、図3(a)は全体図、図3(b)は内部拡大図をそれぞれ示す。
半導体装置41は、SiC基板42と、このSiC基板42上に形成され、平面視格子状のゲートトレンチ43により区画された多数の単位セル44とを有している。すなわち、SiC基板42上には、格子状ゲートトレンチ43の各窓部分に配置された直方体状の単位セル44がマトリクス状に整列している。各単位セル44は、たとえば、図3(b)の紙面における左右(上下)方向の長さが10μm以下であり、その中央には表面側からSiC基板42側へ掘り下がった平面視正方形状のソーストレンチ45が形成されている。
図4は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の模式断面図であって、図3(b)の切断線IV−IVでの切断面を示す。
図4を参照して半導体装置41の断面構造を説明する。半導体装置41は、N+型(たとえば、濃度が1e18〜1e21cm−3)のSiC基板42を備えている。このSiC基板42は、その表面49(上面)がSi面であり、その裏面50(下面)がC面である。
そして、ゲート絶縁膜63の内側をN型不純物が高濃度にドーピングされたポリシリコン材料で埋め尽くすことにより、ゲートトレンチ43内にゲート電極66が埋設されている。
層間絶縁膜67上には、ソース配線69が形成されている。ソース配線69は、各コンタクトホール68を介して、すべての単位セル44のソーストレンチ45に一括して入り込んでいて、各単位セル44において、ソーストレンチ45の底側から順にドレイン領域54、ボディコンタクト領域56およびソース領域55に接触している。つまり、ソース配線69は、すべての単位セル44に対して共通の配線となっている。そして、このソース配線69上には層間絶縁膜(図示せず)が形成されており、その層間絶縁膜(図示せず)を介して、ソース配線69がソースパッド46(図3(a)参照)に電気的に接続されている。一方、ゲートパッド48(図3(a)参照)は、当該層間絶縁膜(図示せず)上に引き回されたゲート配線(図示せず)を介して、ゲート電極66に電気的に接続されている。
ポリシリコン層70は、不純物がドーピングされたドープトポリシリコンを用いて形成されたドープ層であり、たとえば、1e19〜1e21cm−3の高濃度で不純物がドーピングされた高濃度ドープ層である。ポリシリコン層70をドープ層(高濃度ドープ層を含む)として形成するときの不純物としては、N(窒素)、P(リン)、As(ひ素)などのN型不純物、Al(アルミニウム)、B(ホウ素)などのP型不純物を用いることができる。また、ポリシリコン層70の厚さは、たとえば、5000〜10000Åである。
ソース配線69におけるドレイン領域54、ボディコンタクト領域56およびソース領域55との接触層にポリシリコンを用いることにより、ソース配線69を、高濃度な不純物領域であるボディコンタクト領域56およびソース領域55の両方に対してオーミック接合させることができる。一方で、低濃度なドレイン領域54に対しては、半導体装置41に内在するボディダイオード73(ボディ領域53とドレイン領域54との接合により形成されるPNダイオード)の拡散電位よりも接合障壁の小さいヘテロジャンクション接合を形成することができる。
メタル層72は、中間層71上に積層されており、たとえば、Al(アルミニウム)、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Mo(モリブデン)、それらの合金およびそれらを含有するメタル材料を用いて形成されている。メタル層72は、ソース配線69の最表層をなしている。また、メタル層72の厚さは、たとえば、1〜5μmである。
SiC基板42の裏面50には、その全域を覆うようにドレイン電極74が形成されている。このドレイン電極74は、すべての単位セル44に対して共通の電極となっている。ドレイン電極74としては、たとえば、SiC基板42側から順にTiおよびAlが積層された積層構造(Ti/Al)が例示できる。
まず、図5Aに示すように、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法、LPE(Liquid Phase Epitaxy:液相エピタキシ)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy:分子線エピタキシ)法などのエピタキシャル成長法により、SiC基板42の表面49(Si面)上に、不純物をドーピングしながらSiC結晶が成長させられる。これにより、SiC基板42上に、N−型のエピタキシャル層51が形成される。
次いで、図5Cに示すように、CVD法により、エピタキシャル層51上にSiO2からなるマスク75が形成される。続いて、マスク75がフォトレジスト(図示せず)を介してエッチングされることにより、ボディコンタクト領域56を形成すべき領域に開口76を有するパターンにパターニングされる。開口76の形成後、P型不純物が、エピタキシャル層51の表面52からエピタキシャル層51の内部にインプランテーション(注入)される。このときの注入条件は、P型不純物の種類により異なるが、たとえば、加速エネルギーが30〜400keVである。P型不純物の注入後、マスク75が除去される。
次いで、図5Eに示すように、CVD法、熱酸化法などにより、エピタキシャル層51の表面52全域にSiO2からなるマスク77が形成される。なお、マスク77は、CVD法を利用することにより、SiNなどで形成することもできる。続いて、マスク77がフォトレジスト(図示せず)を介してエッチングされることにより、ゲートトレンチ43およびソーストレンチ45を形成すべき領域に開口78を有するパターンにパターニングされる。開口78の形成後、たとえば、SF6(六フッ化硫黄)およびO2(酸素)を含む混合ガス(SF6/O2ガス)、SF6、O2およびHBr(臭化水素)を含む混合ガス(SF6/O2/HBrガス)が、開口78を介してエピタキシャル層51の表面52へ入射される。これにより、エピタキシャル層51が表面52(Si面)からドライエッチングされて、ゲートトレンチ43およびソーストレンチ45が同時に形成される。それとともに、エピタキシャル層51に多数の単位セル44が形成される。
その後、図5Gに示すように、エピタキシャル層51の表面52全域に有機材料膜81が形成される。有機材料膜81は、カーボン(炭素)を含有する材料であり、たとえば、フォトレジストとして用いられる有機材料(たとえば、ポリイミドなど)などを適用することができる。このような有機材料膜81は、たとえば、スピンコータなどを用いて形成される。
そして、SiC基板42が抵抗加熱炉82内にセットされた状態で、抵抗加熱炉82内に不活性ガス(たとえば、N2、Arなど)が導入されるとともに、抵抗加熱炉82が昇温制御(第1の昇温制御)される。
この第2の昇温制御では、図6に示すように、加熱温度が、たとえば、30〜60分掛けて1000℃から1600℃まで上昇するように制御される。上昇後、たとえば、5〜10分間、加熱温度が1600℃に保持(第2の温度保持)される。この昇温および温度保持により、エピタキシャル層51の表層部に注入された個々のN型不純物およびP型不純物のイオンが活性化され、図5Iに示すように、注入された箇所に応じて、ボディ領域53、ソース領域55、ボディコンタクト領域56がそれぞれ形成される。また、エピタキシャル層51の基層部には、エピタキシャル成長後のままの状態を維持するドレイン領域54が形成される。
降温制御では、図6に示すように、加熱温度が、たとえば、15〜30分掛けて1600℃から1300℃まで降下するように制限(降温制限)される。降温後、加熱温度が1300℃に保持(第3の温度保持)された状態で、抵抗加熱炉82内に、たとえば、5〜10分間、窒素・酸素含有ガスが導入される。窒素・酸素含有ガスの導入により、図5Jに示すように、カーボン膜83がガス中の酸素と反応して酸化除去される。導入される窒素・酸素含有ガスとしては、少なくともN2O(一酸化二窒素)を含有するガスを用いることができ、NO(一酸化窒素)を含有していてもよい。さらにN2Oガスは、導入されるガスの総流量に対して30%以下、好ましくは、1〜30%の流量比で供給される。
ゲート絶縁膜63の形成後、抵抗加熱炉82内に不活性ガス(たとえば、N2、Arなど)が再度導入されるとともに、加熱温度が、1300℃から300℃まで降下するように制御される。降温後、SiC基板42が抵抗加熱炉82から取り出される。
その後、図5Mに示すように、堆積したポリシリコン材料84が、エッチバック面がエピタキシャル層51の表面52に対して面一になるまでエッチバックされる。
次いで、図5Oに示すように、CVD法により、エピタキシャル層51上にSiO2からなる層間絶縁膜67が積層される。
次いで、図5Qに示すように、CVD法により、ポリシリコン材料がコンタクトホール68を埋め尽くすまで堆積される。この後、堆積されたポリシリコン材料に対してN型またはP型不純物がインプランテーション(注入)される。このときの注入条件は、不純物の種類により異なるが、たとえば、加速エネルギーが10〜100keVである。その後、たとえば、900℃で20分間不純物拡散が行なわれる。これにより、不純物が高濃度にドーピングされたポリシリコン層70が形成される。次いで、スパッタ法、蒸着法などの方法により、ポリシリコン層70の表面にTiおよびTiNがこの順に堆積されて、中間層71が形成される。続いて、スパッタ法、蒸着法などの方法により、中間層71の表面にAlなどの金属が堆積されて、メタル層72が形成される。これにより、ソース配線69が形成される。次いで、SiC基板42の裏面50に、ドレイン電極74が形成される。
以上のように、この半導体装置41によれば、第1の実施形態の半導体装置1と同様に、ソース配線69が、ソース領域55およびボディコンタクト領域56とのコンタクト部分にポリシリコン層70を有しているので、ソース配線69を、高濃度な不純物領域であるボディコンタクト領域56およびソース領域55の両方に対してオーミック接合させることができる。
また、ソーストレンチ45に入り込んでドレイン領域54、ボディコンタクト領域56およびソース領域55に接触する層(ポリシリコン層70)が、カバレッジ性に優れるポリシリコンからなるので、ソース配線69のカバレッジ性を向上させることができる。その結果、ソース配線69の接続信頼性を一層向上させることができる。
また、ポリシリコン層70とメタル層72との間に、Ti層およびTiN層の積層構造からなる中間層71が介在されている。Tiを含有する材料は、ポリシリコン材料およびメタル材料のいずれに対しても優れた密着性を有する。そのため、ポリシリコン層70とメタル層72との密着性を向上させることができる。その結果、ソース配線69の接続信頼性をより一層向上させることができる。
図8(a)(b)は、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の模式平面図であって、図8(a)は全体図、図8(b)は内部拡大図をそれぞれ示す。図8(a)(b)において、図3(a)(b)に示す各部に対応する部分には、それらの各部と同一の参照符号を付している。また、以下では、同一の参照符号を付した部分についての詳細な説明を省略する。
半導体装置86は、SiC基板42と、このSiC基板42上に形成され、平面視格子状のゲート電極87により区画された多数の単位セル88とを有している。すなわち、SiC基板42上には、格子状ゲート電極87の各窓部分に配置された平面視正方形状の単位セル88がマトリクス状に整列している。各単位セル88は、たとえば、図3(b)の紙面における左右(上下)方向の長さが10μm以下であり、その中央には表面側からソース配線89が接続されている。
図9を参照して半導体装置86の断面構造を説明する。半導体装置86は、N+型(たとえば、濃度が1e18〜1e21cm−3)のSiC基板42と、SiC基板42上に積層されたエピタキシャル層51とを含んでいる。
そして、隣接するボディ領域90に跨るように格子状のゲート電極87が形成されており、このゲート電極87とエピタキシャル層51との間にゲート絶縁膜94が介在されている。ゲート電極87は、ソース領域92とドレイン領域91との間に跨っていて、ボディ領域90の表面における反転層(チャネル)の形成を制御する。また、ゲート絶縁膜94は、窒素を含有する酸化膜、たとえば、窒素および酸素を含有するガスを用いた熱酸化により形成される窒化酸化シリコン膜からなる。ゲート絶縁膜94における窒素含有量(窒素濃度)は、たとえば、0.1〜10%である。
層間絶縁膜95上には、ソース配線89が形成されている。ソース配線89は、すべてのコンタクトホール96に一括して入り込んでいて、各単位セル88において、ドレイン領域91、ボディコンタクト領域93およびソース領域92に接触している。つまり、ソース配線89は、すべての単位セル88に対して共通の配線となっている。そして、このソース配線89上には層間絶縁膜(図示せず)が形成されており、その層間絶縁膜(図示せず)を介して、ソース配線89がソースパッド46(図8(a)参照)に電気的に接続されている。一方、ゲートパッド48(図8(a)参照)は、当該層間絶縁膜(図示せず)上に引き回されたゲート配線(図示せず)を介して、ゲート電極87に電気的に接続されている。
ポリシリコン層97は、不純物がドーピングされたドープトポリシリコンを用いて形成されたドープ層であり、たとえば、1e19〜1e21cm−3の高濃度で不純物がドーピングされた高濃度ドープ層である。ポリシリコン層97をドープ層(高濃度ドープ層を含む)として形成するときの不純物としては、N(窒素)、P(リン)、As(ひ素)などのN型不純物、Al(アルミニウム)、B(ホウ素)などのP型不純物を用いることができる。また、ポリシリコン層97の厚さは、たとえば、5000〜10000Åである。
ソース配線89におけるボディコンタクト領域93およびソース領域92との接触層にポリシリコンを用いることにより、ソース配線89を、高濃度な不純物領域であるボディコンタクト領域93およびソース領域92の両方に対してオーミック接合させることができる。
メタル層99は、中間層98上に積層されており、たとえば、Al(アルミニウム)、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Mo(モリブデン)、それらの合金およびそれらを含有するメタル材料を用いて形成されている。メタル層99は、ソース配線89の最表層をなしている。また、メタル層99の厚さは、たとえば、1〜5μmである。
SiC基板42の裏面50には、その全域を覆うようにドレイン電極74が形成されている。
まず、図10Aに示すように、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法、LPE(Liquid Phase Epitaxy:液相エピタキシ)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy:分子線エピタキシ)法などのエピタキシャル成長法により、SiC基板42の表面49(Si面)上に、不純物をドーピングしながらSiC結晶が成長させられる。これにより、SiC基板42上に、N−型のエピタキシャル層51が形成される。
有機材料膜81の形成後、SiC基板42が抵抗加熱炉82に装入される。そして、SiC基板42が抵抗加熱炉82内にセットされた状態で、抵抗加熱炉82内に不活性ガス(たとえば、N2、Arなど)が導入されるとともに、図5Hに示した工程と同様に、抵抗加熱炉82が昇温制御(第1の昇温制御)される(図6参照)。この昇温および温度保持により、有機材料膜81中のカーボン以外の元素が蒸発し、図10Fに示すように、有機材料膜81がカーボン膜83に変質する。
その後、抵抗加熱炉82内に窒素・酸素含有ガスを同じ流量で導入しながら、さらに、たとえば、200〜240分間、加熱温度が1300℃に保持(第4の温度保持)される(図6参照)。これにより、エピタキシャル層51の表面52が酸化されて、図10Iに示すように、表面52全域を覆う窒化酸化シリコン膜(ゲート絶縁膜94)が形成される。
次いで、図10Jに示すように、CVD法により、ドーピングされたポリシリコン材料84がエピタキシャル層51の上方から堆積される。
次いで、図10Lに示すように、CVD法により、エピタキシャル層51上にSiO2からなる層間絶縁膜95が積層される。
そして、図10Mに示すように、層間絶縁膜95およびゲート絶縁膜94が連続してパターニングされることにより、層間絶縁膜95およびゲート絶縁膜94にコンタクトホール96が形成される。
以上のように、この半導体装置86によれば、第1の実施形態の半導体装置1と同様に、ソース配線89が、ソース領域92およびボディコンタクト領域93とのコンタクト部分にポリシリコン層97を有しているので、ソース配線89を、高濃度な不純物領域であるボディコンタクト領域93およびソース領域92の両方に対してオーミック接合させることができる。
また、コンタクトホール96に入り込んでドレイン領域91、ボディコンタクト領域93およびソース領域92に接触する層(ポリシリコン層97)が、カバレッジ性に優れるポリシリコンからなるので、ソース配線89のカバレッジ性を向上させることができる。その結果、ソース配線89の接続信頼性を一層向上させることができる。
また、ポリシリコン層97とメタル層99との間に、Ti層およびTiN層の積層構造からなる中間層98が介在されている。Tiを含有する材料は、ポリシリコン材料およびメタル材料のいずれに対しても優れた密着性を有する。そのため、ポリシリコン層97とメタル層99との密着性を向上させることができる。その結果、ソース配線89の接続信頼性をより一層向上させることができる。
図12は、プレーナゲート型の半導体装置の模式断面図である。
半導体装置101は、プレーナゲート型VDMOSFETの単位セルがマトリクス状に配置された構造を有している。なお、図12では、複数の単位セルのうちの一部が示されている。
また、エピタキシャル層103の表層部には、P型のボディ領域105が形成されている。ボディ領域105は、図12では図示しないが、一定の間隔を空けて複数形成され、それらが互いに平行をなして同一方向(図12の紙面に垂直な方向)に延び、たとえば、ストライプ状、マトリクス状(行列状)に配置されている。そして、互いに隣り合うボディ領域105の間において、ドレイン領域104が露出している。
また、エピタキシャル層103の表面131には、ドレイン領域104、ボディ領域105およびソース領域106に跨るゲート絶縁膜107が形成されている。ゲート絶縁膜107は、SiO2からなる。
エピタキシャル層103上には、SiO2からなる層間絶縁膜109が積層されている。層間絶縁膜109上には、ソース配線111が形成されている。ソース配線111は、層間絶縁膜109に形成されたコンタクトホール110を介して、ボディ領域105およびソース領域106に電気的に接続されている。
SiC基板102の裏面には、ドレイン電極113が形成されている。
ソース配線111を接地し、ドレイン電極113に適当な大きさの正電圧を印加しつつ、ゲート電極108の電位を制御すると、ゲート電極108からの電界によりボディ領域105におけるゲート絶縁膜107との界面近傍にチャネルを形成することができる。これにより、ソース配線111とドレイン電極113との間に電流を流すことができる。
まず、図13Aに示すように、エピタキシャル成長法により、SiC基板102の表面121に、エピタキシャル層103が形成される。このとき、SiC基板102の成長主面(表面121)は、(0001)面である。SiC基板102の表面121が(0001)面であることにより、SiC基板102上にエピタキシャル成長によって形成されるエピタキシャル層103は、やはり(0001)面を主面として形成されることになる。したがって、SiC基板102の表面121に平行なエピタキシャル層103の表面131は、(0001)面となる。
そして、SiC基板102が抵抗加熱炉122内にセットされた状態で、抵抗加熱炉122内に不活性ガス(たとえば、N2、Arなど)が導入されるとともに、抵抗加熱炉122が昇温制御(第1の昇温制御)される。
この第2の昇温制御では、図6に示すように、加熱温度が、たとえば、30〜60分掛けて1000℃から1600℃まで上昇するように制御される。上昇後、たとえば、5〜10分間、加熱温度が1600℃に保持(第2の温度保持)される。この昇温および温度保持により、エピタキシャル層103の表層部に注入されたN型不純物およびP型不純物のイオンが活性化され、図13Fに示すように、エピタキシャル層103の表層部にボディ領域105およびソース領域106が形成される。また、エピタキシャル層103の基層部には、ボディ領域105と分離され、エピタキシャル成長後のままの状態を維持するドレイン領域104が形成される。
降温制御では、図6に示すように、加熱温度が、たとえば、15〜30分掛けて1600℃から1300℃まで降下するように制限(降温制限)される。降温後、加熱温度が1300℃に保持(第3の温度保持)された状態で、抵抗加熱炉122内に、たとえば、5〜10分間、酸素含有ガスが導入される。酸素含有ガスの導入により、図13Gに示すように、カーボン膜119が酸素含有ガスの酸素と反応して酸化除去される。ただし、抵抗加熱炉122内に導入される酸素含有ガスとしては、酸素および窒素を含有するガスを用いることが好ましく、具体的には、NO(一酸化窒素)、N2O(一酸化二窒素)などを含有するガスを用いることができる。
酸化膜120の形成後、抵抗加熱炉122内に不活性ガス(たとえば、N2、Arなど)が再度導入されるとともに、加熱温度が、1300℃から300℃まで降下するように制御される。降温後、SiC基板102が抵抗加熱炉122から取り出される。
その後、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法により、図13Jに示すように、エピタキシャル層103上に層間絶縁膜109が積層される。
次いで、スパッタ法により、エピタキシャル層103上に、導電材料が成膜される。導電材料は、コンタクトホール110を埋め尽くし、層間絶縁膜109上に薄膜を形成するように付着(堆積)される。そして、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、層間絶縁膜109上の導電材料がパターニングされる。これにより、図13Lに示すように、ソース配線111が形成される。また、ゲート電極108と電気的に接続されるゲート配線112が形成される。さらに、SiC基板102の裏面にドレイン電極113が形成される。
上記の製造方法によれば、有機材料膜118の形成後、抵抗加熱炉122の第1の昇温制御により、抵抗加熱炉122内の有機材料膜118が加熱されてカーボン膜119に変質し、エピタキシャル層103の表面131にカーボン膜119が形成される。
カーボン膜119の形成後、抵抗加熱炉122内を不活性雰囲気に維持したまま、抵抗加熱炉122の第2の昇温制御により、エピタキシャル層103が加熱されてエピタキシャル層103内のN型不純物およびP型不純物のイオンが活性化される。
イオン活性のための加熱(第2の昇温制御)に先立って、エピタキシャル層103の表面131にカーボン膜119が形成されるので、エピタキシャル層103の加熱時に、表面131からのSi抜けを防止することができる。そのため、エピタキシャル層103の表面131の荒れを抑制することができ、表面131の平坦性を維持することができる。その結果、エピタキシャル層103とゲート絶縁膜107との界面を滑らかにすることができるので、半導体装置101のチャネル移動度を向上させることができる。
たとえば、O2ガス、H2Oガス(水蒸気)およびN2Oガスにより、SiC層の(0001)面を酸化させて酸化膜を形成した場合、そのSiC層を備えるMOSFETのチャネル移動度は、たとえば、それぞれ1〜5cm2/V・s、5〜15cm2/V・sおよび15〜25cm2/V・sであり、N2Oガスの場合が最もチャネル移動度に優れる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、半導体装置1,41,85,86の各半導体部分の導電型を反転した構成が採用されてもよい。すなわち、半導体装置1において、P型の部分がN型であり、N型の部分がP型であってもよい。
また、半導体装置41,85,86において、ポリシリコン層を有するコンタクト配線を、ドレイン電極74に適用することもできる。
また、SiC基板2,42の表面21,49および裏面22,50の結晶面を反転した構成が採用されてもよい。すなわち、SiC基板2,42において、表面21,49がC面であり、裏面22,50がSi面であってもよい。
実施例1
まず、ウエハ状のSiC基板(Cree社製)のSi面に、SiC結晶を成長させてSiCからなるエピタキシャル層を形成した。次いで、エピタキシャル層の表面(Si面)からN型不純物を30〜200keVの加速エネルギーで多段注入した。これにより、エピタキシャル層の表層部にN型の不純物領域(濃度1e20cm−3)を形成した。
次いで、CVD法により、ポリシリコン材料をコンタクトホール内に堆積することにより、ポリシリコン層を形成して、コンタクト配線を得た。
比較例1
コンタクトホールを形成する工程まで、実施例1と同様の工程を行なった。コンタクトホールの形成後、スパッタ法により、ニッケルをコンタクトホール内に堆積した。次いで、1000℃の熱処理を行なうことにより、ニッケルをシリサイド化させてニッケルシリサイド層を得た。最後に、スパッタ法により、ニッケルシリサイド層上にアルミニウムを堆積させることにより、アルミニウム層を形成して、コンタクト配線を得た。
1)走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)による撮影
実施例1および比較例1により形成されたコンタクト配線に対し、走査型電子顕微鏡を用いて電子線を走査した。電子線走査によって検出された情報を画像処理してSEM画像を得た。得られたSEM画像を図14(図14(a):実施例1、図14(b):比較例1)に示す。
2)層剥がれの有無
図14(a)(b)で示されるSEM画像を視認することにより、コンタクト配線における層剥がれの有無を確認した。
一方、図14(b)によると、ニッケルシリサイド層と不純物領域との間に空孔が生じており、これらの間での層剥がれが明確に確認された。すなわち、コンタクト配線と不純物領域との間にコンタクト不良が発生していることが確認された。
2 SiC基板(半導体層)
3 エピタキシャル層(半導体層)
5 ボディ領域
6 ゲートトレンチ
9 ゲート絶縁膜
12 ゲート電極
13 ソース領域
14 ボディコンタクト領域
17 ソース配線(コンタクト配線)
18 ポリシリコン層
19 中間層(チタンを含有する層)
20 メタル層
23 ドレイン配線(コンタクト配線)
24 ポリシリコン層
25 中間層(チタンを含有する層)
26 メタル層
41 半導体装置
42 SiC基板(半導体層)
43 ゲートトレンチ
51 エピタキシャル層(半導体層)
53 ボディ領域
55 ソース領域
56 ボディコンタクト領域
63 ゲート絶縁膜
66 ゲート電極
69 ソース配線(コンタクト配線)
70 ポリシリコン層
71 中間層(チタンを含有する層)
72 メタル層
85 半導体装置
86 半導体装置
87 ゲート電極
89 ソース配線(コンタクト配線)
90 ボディ領域
92 ソース領域
93 ボディコンタクト領域
97 ポリシリコン層
98 中間層(チタンを含有する層)
99 メタル層
Claims (20)
- SiCからなる半導体層と、
前記半導体層の表層部に形成された第1導電型のボディ領域と、
前記ボディ領域の表層部に形成された第2導電型のソース領域と、
前記ボディ領域に対して前記半導体層の裏面側に形成された第1導電型のドレイン領域と、
前記半導体層上に形成され、前記ドレイン領域にオーミック接合される第1コンタクト配線とを含み、
前記第1コンタクト配線は、前記ドレイン領域との接合部分にポリシリコン層を有し、前記ポリシリコン層上にメタル層を有している、半導体装置。 - 前記第1コンタクト配線の前記ポリシリコン層の厚さが1000〜2000Åであり、前記第1コンタクト配線の前記メタル層の厚さが0.5〜1μmである、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体層上に形成され、前記ソース領域にオーミック接合される第2コンタクト配線をさらに含み、
前記第2コンタクト配線は、前記ソース領域との接合部分にポリシリコン層を有し、前記ポリシリコン層上にメタル層を有している、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記半導体層の表面から前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通するソーストレンチをさらに含み、
前記第2コンタクト配線は、前記ソーストレンチに入り込んで形成されている、請求項3に記載の半導体装置。 - 前記ボディ領域は、前記ソーストレンチの側面に形成されたボディコンタクト領域を含み、
前記第2コンタクト配線の前記ポリシリコン層は、前記ソーストレンチ内で、前記ドレイン領域、前記ボディコンタクト領域および前記ソース領域に接触している、請求項4に記載の半導体装置。 - 前記ソーストレンチは、その深さ方向に沿って前記ソーストレンチを切断したときの断面視において、側面と底面とが湾曲面を介して連続する断面U字状である、請求項4または5に記載の半導体装置。
- 前記第2コンタクト配線の前記メタル層が平坦化されている、請求項3〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体層の表面から前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通するゲートトレンチと、
前記ゲートトレンチの内面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲートトレンチに埋設されたゲート電極とを含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜は、窒素を含有する絶縁材料からなる、請求項8に記載の半導体装置。
- 前記ソーストレンチは、前記ゲートトレンチよりも深い、請求項4〜6のいずれか一項に係る請求項8または9に記載の半導体装置。
- 前記ゲート絶縁膜は、前記ゲートトレンチの底面上の部分の第1厚さ、および前記ゲートトレンチの側面上の部分の第2厚さを有しており、
前記第2厚さに対する前記第1厚さの比(第1厚さ/第2厚さ)は、0.1〜0.8である、請求項8〜10のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1コンタクト配線の前記ポリシリコン層が、1019〜1021cm−3の濃度で不純物がドーピングされた高濃度ドープ層である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1コンタクト配線の前記ポリシリコン層と前記メタル層との間にチタンを含有する層が介在されている、請求項1〜12のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1コンタクト配線の前記メタル層が、Alを含有する層を有し、
前記チタンを含有する層が、前記ポリシリコン層の側からTi層およびTiN層がこの順で積層された構造を有する、請求項13に記載の半導体装置。 - 前記第1コンタクト配線の前記ポリシリコン層には、B、P、Al、Nからなる群から選択される少なくとも一種の導電性不純物がドーピングされている、請求項1〜14のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体層の表面がSi面であり、裏面がC面である、請求項1〜15のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第2コンタクト配線の前記ポリシリコン層が、10 19 〜10 21 cm −3 の濃度で不純物がドーピングされた高濃度ドープ層である、請求項3〜7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第2コンタクト配線の前記ポリシリコン層と前記メタル層との間にチタンを含有する層が介在されている、請求項3〜7および17のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第2コンタクト配線の前記メタル層が、Alを含有する層を有し、
前記チタンを含有する層が、前記ポリシリコン層の側からTi層およびTiN層がこの順で積層された構造を有する、請求項18に記載の半導体装置。 - 前記第2コンタクト配線の前記ポリシリコン層には、B、P、Al、Nからなる群から選択される少なくとも一種の導電性不純物がドーピングされている、請求項3〜7および17〜19のいずれか一項に記載の半導体装置。
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JP5588671B2 (ja) | 2008-12-25 | 2014-09-10 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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CN104617145B (zh) * | 2009-04-13 | 2019-11-19 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置 |
JP2011134910A (ja) | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Rohm Co Ltd | SiC電界効果トランジスタ |
JP5510309B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2014-06-04 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US9184286B2 (en) | 2011-02-02 | 2015-11-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device having a breakdown voltage holding region |
JP5498431B2 (ja) | 2011-02-02 | 2014-05-21 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10367089B2 (en) | 2011-03-28 | 2019-07-30 | General Electric Company | Semiconductor device and method for reduced bias threshold instability |
JP2013004636A (ja) | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP5694096B2 (ja) | 2011-09-08 | 2015-04-01 | 株式会社東芝 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP5802492B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2015-10-28 | 株式会社東芝 | 半導体素子及びその製造方法 |
JP5834801B2 (ja) * | 2011-11-16 | 2015-12-24 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP5811829B2 (ja) | 2011-12-22 | 2015-11-11 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5999678B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP5638558B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2014-12-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8558308B1 (en) * | 2012-06-14 | 2013-10-15 | Infineon Technologies Austria Ag | Method of manufacturing a semiconductor device using a contact implant and a metallic recombination element and semiconductor |
JP2014007310A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 |
US9576868B2 (en) | 2012-07-30 | 2017-02-21 | General Electric Company | Semiconductor device and method for reduced bias temperature instability (BTI) in silicon carbide devices |
JP5792701B2 (ja) | 2012-09-24 | 2015-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR101371491B1 (ko) | 2012-12-28 | 2014-03-10 | 현대자동차주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP2014160720A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP6297783B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2018-03-20 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
CN105393362A (zh) * | 2013-03-13 | 2016-03-09 | D3半导体有限公司 | 用于垂直场效应器件的温度补偿的器件架构和方法 |
US10249721B2 (en) * | 2013-04-04 | 2019-04-02 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device including a gate trench and a source trench |
JP6135364B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2017-05-31 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US9666663B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-05-30 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with cell trench structures and contacts and method of manufacturing a semiconductor device |
US9076838B2 (en) | 2013-09-13 | 2015-07-07 | Infineon Technologies Ag | Insulated gate bipolar transistor with mesa sections between cell trench structures and method of manufacturing |
JP6245118B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-12-13 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9105679B2 (en) | 2013-11-27 | 2015-08-11 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor with barrier regions |
US9385228B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-07-05 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with cell trench structures and contacts and method of manufacturing a semiconductor device |
JP6250379B2 (ja) * | 2013-12-16 | 2017-12-20 | 新日本無線株式会社 | シリコン/シリコンカーバイド半導体装置の製造方法 |
US9553179B2 (en) | 2014-01-31 | 2017-01-24 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor with barrier structure |
JP2015176891A (ja) * | 2014-03-13 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN103904124B (zh) * | 2014-04-10 | 2016-08-17 | 电子科技大学 | 具有u型延伸栅的soi槽型ldmos器件 |
CN104282765B (zh) * | 2014-11-06 | 2017-12-08 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种碳化硅mos器件及其制造方法 |
WO2016114055A1 (ja) | 2015-01-16 | 2016-07-21 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2016125490A1 (ja) | 2015-02-03 | 2016-08-11 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2016164906A (ja) * | 2015-03-06 | 2016-09-08 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
JP6478884B2 (ja) | 2015-09-11 | 2019-03-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2017098294A (ja) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | 株式会社豊田中央研究所 | 炭化珪素半導体装置 |
JP6758097B2 (ja) * | 2016-06-10 | 2020-09-23 | 株式会社アルバック | シリコン酸化層形成方法 |
JP6880669B2 (ja) * | 2016-11-16 | 2021-06-02 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
DE102016124968B4 (de) * | 2016-12-20 | 2024-01-18 | Infineon Technologies Ag | Ausbilden von Siliziumoxidschichten durch Oxidation mit Radikalen |
JP7042217B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2022-03-25 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体装置 |
US9825027B1 (en) * | 2017-01-22 | 2017-11-21 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6226113B1 (ja) | 2017-04-25 | 2017-11-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
CN107248533B (zh) * | 2017-06-09 | 2020-09-29 | 电子科技大学 | 一种碳化硅vdmos器件及其制作方法 |
CN107658340B (zh) * | 2017-09-02 | 2019-05-21 | 西安交通大学 | 一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅mosfet器件与制备方法 |
CN107658341B (zh) * | 2017-09-27 | 2020-09-15 | 上海朕芯微电子科技有限公司 | 一种沟槽型功率mosfet及其制备方法 |
JP6750590B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2020-09-02 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
US11342435B2 (en) | 2017-12-14 | 2022-05-24 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Wide-gap semiconductor device |
JP7282485B2 (ja) * | 2018-05-14 | 2023-05-29 | キオクシア株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102019108062B4 (de) * | 2019-03-28 | 2021-06-10 | Infineon Technologies Ag | Siliziumcarbid-vorrichtung mit graben-gatestruktur und herstellungsverfahren |
CN113990928B (zh) * | 2021-10-28 | 2023-05-26 | 电子科技大学 | 低击穿电压温度系数的Trench MOSFET器件及制备方法 |
CN116504818B (zh) * | 2023-04-18 | 2023-11-03 | 北京贝茵凯微电子有限公司 | 一种沟槽型原胞功率器件制备方法和沟槽型原胞功率器件 |
Family Cites Families (116)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60123060A (ja) | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS60169169A (ja) | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5278099A (en) | 1985-05-13 | 1994-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device having wiring electrodes |
JPS63229852A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH0194672A (ja) | 1987-10-07 | 1989-04-13 | Nissan Motor Co Ltd | 縦形mosfet |
JPH03163832A (ja) | 1989-08-31 | 1991-07-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2950569B2 (ja) | 1990-03-01 | 1999-09-20 | 株式会社東芝 | Mos型電界効果トランジスタ |
JP3413876B2 (ja) | 1992-07-08 | 2003-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
JPH06232074A (ja) | 1993-02-02 | 1994-08-19 | Nippon Steel Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH0864802A (ja) | 1994-06-07 | 1996-03-08 | Mitsubishi Materials Corp | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JPH08204179A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-09 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化ケイ素トレンチmosfet |
JPH09205198A (ja) | 1996-01-24 | 1997-08-05 | Toyota Motor Corp | 電界効果型半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US5719409A (en) * | 1996-06-06 | 1998-02-17 | Cree Research, Inc. | Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor |
JPH1098188A (ja) | 1996-08-01 | 1998-04-14 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 絶縁ゲート半導体装置 |
JP2868006B2 (ja) | 1997-10-17 | 1999-03-10 | 株式会社三洋物産 | パチンコ機 |
US6342709B1 (en) | 1997-12-10 | 2002-01-29 | The Kansai Electric Power Co., Inc. | Insulated gate semiconductor device |
JPH11202022A (ja) | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体装置の故障解析方法および半導体装置の特性測定法 |
US6362495B1 (en) * | 1998-03-05 | 2002-03-26 | Purdue Research Foundation | Dual-metal-trench silicon carbide Schottky pinch rectifier |
US6159839A (en) | 1999-02-11 | 2000-12-12 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for fabricating borderless and self-aligned polysilicon and metal contact landing plugs for multilevel interconnections |
US6228720B1 (en) | 1999-02-23 | 2001-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making insulated-gate semiconductor element |
JP5116910B2 (ja) | 1999-02-23 | 2013-01-09 | パナソニック株式会社 | 絶縁ゲート型半導体素子の製造方法 |
JP3575331B2 (ja) | 1999-05-17 | 2004-10-13 | 日産自動車株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2001119025A (ja) | 1999-10-21 | 2001-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子およびその形成方法 |
US6599644B1 (en) * | 2000-10-06 | 2003-07-29 | Foundation For Research & Technology-Hellas | Method of making an ohmic contact to p-type silicon carbide, comprising titanium carbide and nickel silicide |
US6365942B1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-04-02 | Fairchild Semiconductor Corporation | MOS-gated power device with doped polysilicon body and process for forming same |
US7345342B2 (en) | 2001-01-30 | 2008-03-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | Power semiconductor devices and methods of manufacture |
JP4843854B2 (ja) | 2001-03-05 | 2011-12-21 | 住友電気工業株式会社 | Mosデバイス |
US20020132473A1 (en) * | 2001-03-13 | 2002-09-19 | Applied Materials ,Inc. | Integrated barrier layer structure for copper contact level metallization |
US6649973B2 (en) | 2001-03-28 | 2003-11-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6822288B2 (en) * | 2001-11-20 | 2004-11-23 | General Semiconductor, Inc. | Trench MOSFET device with polycrystalline silicon source contact structure |
JP4025063B2 (ja) | 2001-12-06 | 2007-12-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP4224253B2 (ja) | 2002-04-24 | 2009-02-12 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4004843B2 (ja) | 2002-04-24 | 2007-11-07 | Necエレクトロニクス株式会社 | 縦型mosfetの製造方法 |
US7282739B2 (en) * | 2002-04-26 | 2007-10-16 | Nissan Motor Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
JP2004031471A (ja) | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭化珪素半導体素子及びその製造方法 |
JP4463482B2 (ja) * | 2002-07-11 | 2010-05-19 | パナソニック株式会社 | Misfet及びその製造方法 |
US7217950B2 (en) | 2002-10-11 | 2007-05-15 | Nissan Motor Co., Ltd. | Insulated gate tunnel-injection device having heterojunction and method for manufacturing the same |
TW588460B (en) * | 2003-01-24 | 2004-05-21 | Ind Tech Res Inst | Trench power MOSFET and method of making the same |
CN1251315C (zh) * | 2003-04-15 | 2006-04-12 | 财团法人工业技术研究院 | 碳化硅沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管 |
US7652326B2 (en) | 2003-05-20 | 2010-01-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Power semiconductor devices and methods of manufacture |
US20050012143A1 (en) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Hideaki Tanaka | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7138668B2 (en) * | 2003-07-30 | 2006-11-21 | Nissan Motor Co., Ltd. | Heterojunction diode with reduced leakage current |
EP1519419B1 (en) * | 2003-09-24 | 2018-02-21 | Nissan Motor Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4230869B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2009-02-25 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
US7709403B2 (en) | 2003-10-09 | 2010-05-04 | Panasonic Corporation | Silicon carbide-oxide layered structure, production method thereof, and semiconductor device |
JP4066946B2 (ja) | 2003-12-18 | 2008-03-26 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
CN103199017B (zh) * | 2003-12-30 | 2016-08-03 | 飞兆半导体公司 | 形成掩埋导电层方法、材料厚度控制法、形成晶体管方法 |
JP4039376B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2008-01-30 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP3906213B2 (ja) * | 2004-03-10 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2005285913A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006024880A (ja) | 2004-06-09 | 2006-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4742539B2 (ja) * | 2004-08-30 | 2011-08-10 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
US7247550B2 (en) | 2005-02-08 | 2007-07-24 | Teledyne Licensing, Llc | Silicon carbide-based device contact and contact fabrication method |
US7737522B2 (en) | 2005-02-11 | 2010-06-15 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. | Trench junction barrier controlled Schottky device with top and bottom doped regions for enhancing forward current in a vertical direction |
US8110869B2 (en) | 2005-02-11 | 2012-02-07 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd | Planar SRFET using no additional masks and layout method |
US8836015B2 (en) | 2005-02-11 | 2014-09-16 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Planar SRFET using no additional masks and layout method |
US7453119B2 (en) | 2005-02-11 | 2008-11-18 | Alphs & Omega Semiconductor, Ltd. | Shielded gate trench (SGT) MOSFET cells implemented with a schottky source contact |
US7285822B2 (en) | 2005-02-11 | 2007-10-23 | Alpha & Omega Semiconductor, Inc. | Power MOS device |
AT504998A2 (de) | 2005-04-06 | 2008-09-15 | Fairchild Semiconductor | Trenched-gate-feldeffekttransistoren und verfahren zum bilden derselben |
KR20080002947A (ko) | 2005-04-27 | 2008-01-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 무선 칩 |
GB0508889D0 (en) * | 2005-04-29 | 2005-06-08 | Element Six Ltd | Diamond transistor and method of manufacture thereof |
JP2006332358A (ja) | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US20060273382A1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | M-Mos Sdn. Bhd. | High density trench MOSFET with low gate resistance and reduced source contact space |
JP2007013058A (ja) | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP4125363B2 (ja) | 2005-07-08 | 2008-07-30 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置および電気機器 |
US8692324B2 (en) | 2005-07-13 | 2014-04-08 | Ciclon Semiconductor Device Corp. | Semiconductor devices having charge balanced structure |
US7589378B2 (en) * | 2005-07-13 | 2009-09-15 | Texas Instruments Lehigh Valley Incorporated | Power LDMOS transistor |
JP2007142015A (ja) | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
TWI309066B (en) | 2005-12-19 | 2009-04-21 | Nanya Technology Corp | Semiconductor device having a trench gate the fabricating method of the same |
JP4867333B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-02-01 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置、及び炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP5092244B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2012-12-05 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
US7714352B2 (en) | 2006-02-09 | 2010-05-11 | Nissan Motor Co., Ltd. | Hetero junction semiconductor device |
JP5167593B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2013-03-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4935160B2 (ja) | 2006-04-11 | 2012-05-23 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2008017237A (ja) | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 電子部品およびその電子部品を用いた電力変換器 |
JP4916247B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2012-04-11 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP2008053449A (ja) | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
CN101506958B (zh) * | 2006-09-20 | 2012-02-22 | 富士通株式会社 | 场效应晶体管 |
JP5198752B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2013-05-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5098295B2 (ja) | 2006-10-30 | 2012-12-12 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP4140648B2 (ja) | 2006-11-02 | 2008-08-27 | 住友電気工業株式会社 | SiC半導体用オーミック電極、SiC半導体用オーミック電極の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP5303839B2 (ja) * | 2007-01-29 | 2013-10-02 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート炭化珪素半導体装置とその製造方法 |
JP2008227441A (ja) | 2007-02-15 | 2008-09-25 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7952145B2 (en) | 2007-02-20 | 2011-05-31 | Texas Instruments Lehigh Valley Incorporated | MOS transistor device in common source configuration |
JP2008244455A (ja) | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2008270656A (ja) | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | 半導体製造方法 |
JP2009033036A (ja) | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びこれを用いた電気回路装置 |
JP4365894B2 (ja) | 2007-08-07 | 2009-11-18 | パナソニック株式会社 | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JP5428144B2 (ja) | 2007-10-01 | 2014-02-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2009135360A (ja) | 2007-12-03 | 2009-06-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8084813B2 (en) | 2007-12-03 | 2011-12-27 | Cree, Inc. | Short gate high power MOSFET and method of manufacture |
US7745846B2 (en) | 2008-01-15 | 2010-06-29 | Ciclon Semiconductor Device Corp. | LDMOS integrated Schottky diode |
US7629634B2 (en) * | 2008-02-23 | 2009-12-08 | Force Mos Technology Co., Ltd. | Trenched MOSFET with trenched source contact |
JP2009302510A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-12-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | トレンチゲート型半導体装置およびその製造方法 |
JP5617175B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2014-11-05 | 富士電機株式会社 | ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法 |
US8035112B1 (en) * | 2008-04-23 | 2011-10-11 | Purdue Research Foundation | SIC power DMOSFET with self-aligned source contact |
US7816732B2 (en) * | 2008-06-23 | 2010-10-19 | Force Mos Technology Co., Ltd. | Integrated trench MOSFET and Schottky rectifier with trench contact structure |
US7626231B1 (en) * | 2008-06-23 | 2009-12-01 | Force Mos Technology Co., Ltd. | Integrated trench MOSFET and junction barrier schottky rectifier with trench contact structures |
JP4877286B2 (ja) | 2008-07-08 | 2012-02-15 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US7985986B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-07-26 | Cree, Inc. | Normally-off semiconductor devices |
US7929321B2 (en) | 2008-08-22 | 2011-04-19 | Force-Mos Technology Corp | Depletion mode trench MOSFET for improved efficiency of DC/DC converter applications |
EP2161754A3 (en) | 2008-09-03 | 2010-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A semiconductor device and fabrication method for the same |
JP2010087397A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置 |
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