JP2014112461A - 不揮発性メモリのシリアルコアアーキテクチャ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1および第2のページバッファセクションを備え、第1のページバッファセクションは、第1のビット線およびデータ線に結合し第1のビット線をアクセスするよう構成された第1のイネーブラおよび第1のページバッファセグメントを備え、第2のページバッファセクションは、第2のビット線およびデータ線に結合し第2のビット線をアクセスするよう構成された第2のイネーブラおよび第2のページバッファセグメントを備える。
【選択図】図10
Description
本出願は、内容が全体として参照により本明細書に組み込まれている、2006年11月27日に出願した米国特許仮出願第60/867269号の優先権の利益を主張するものである。
きである。次いで、列復号において、データ線に結合するためのページバッファユニットを選択する。感知は選択されたメモリセルによって生成されるセル電流に依存し、セル電流はNANDセルストリング内のセル数に依存する。図2の例では、典型的にはセル電流は、90nmプロセス技術を用いて製造される32個のセルNANDストリングに対して1(μA)未満である。残念ながら、デバイスコストを低減するためにメモリアレー密度を増大する努力は、NANDセルストリング当たりより多くのメモリセルの増加をもたらす。その結果、このセル電流がさらに低減し、それによってより感応性のある感知回路および/または感知時間を必要とすることになる。この問題をさらに悪くするのは、NANDセルストリング当たりのセル数が増大するとき、ビット線の物理長およびNANDセルストリングの接合容量によるビット線のRC遅延である。形状サイズを低減するための高度の製造プロセスと相まってこれらの物理的変化がセル電流問題をさらに悪化させる。セル電流に関するこの問題は、June Leeら、「A 90-nm CMOS 1.8-V 2-Gb NAND Flash Memory for Mass Storage Applications」、IEEE J.Solid-State Circuits、vol.38、1934〜1942頁、2003年11月によって説明されているようによく知られている。高度の製造プロセスを使用することに関する他のさらなる問題は歩留まりであり、この場合、長いビット線がプロセスステップにわたってプロセスの均一性問題をもたらし、それによって欠陥に対するポテンシャルが増大するにつれてウエハ当たりの歩留まりが低減する。
続されたメモリセルを有する。ページバッファは、読出し動作中にビット線のデータをラッチし、ラッチされたデータを所定の数のデータ線に並列に結合する。順次カプラは、所定の数のデータ線のそれぞれを双方向直列データ線に順次結合する。順次カプラは、所定の数のデータ線のそれぞれに結合された端子を有する並列/直列データ変換器を含むことができる。並列/直列データ変換器は、端子のそれぞれを双方向直列データ線に順次結合するために制御可能である。メモリバンクは、第1の並列/直列データ変換器および第2の並列/直列データ変換器を制御するためにクロック信号に応答するカウンタをさらに含むことができる。データ経路セレクタは、第1の並列/直列データ変換器および第2の並列/直列データ変換器によって使用されないカウンタの最上位ビットによって制御される。
るのでサブデコーダ502の論理回路を参照してなされる。サブデコーダ502などの各サブデコーダは、アドレス復号NANDゲート510、シールドイネーブルNANDゲート512、インバータ514および516、並びに局部チャージポンプ515および517を含む。アドレス復号NANDゲート510は、行アドレスR_ADDRおよび列アドレスC_ADDRを受け取り、シールドイネーブルNANDゲート512の1つの入力端子およびインバータ516に供給される出力を供給する。インバータ516の出力は偶数信号A_SELeを供給するために局部チャージポンプ517によって上昇され、偶数信号A_SELeはセグメント400内のすべてのビット線選択回路によって受け取られる。したがって、A_SELeは、R_ADDRおよびC_ADDRの特定の組合せに応答して活性状態の論理レベルに駆動されるアドレス復号信号である。この例ではこれは、R_ADDRおよびC_ADDRの両方が高論理レべルにあるときに生じる。シールドイネーブルNANDゲート512の第2の入力端子はプログラム状態信号PGMを受け取り、プログラム状態信号PGMはアドレス復号NANDゲート510の出力を用いて復号される。NANDゲート512の出力は、信号A_SHLDeを供給するためにインバータ514によって駆動され、局部チャージポンプ515によって上昇される。
応する高論理レベルにパルスされる。COL_BITは、φが高論理レベルにあるときにインバータ704および706によってラッチされる。時間t2ではφは、出力端子「Out」を高論理レベルに駆動するようにCOL_BITをインバータ710および712にシフトするために低論理レベルに遷移する。時間t3では、そのIn_2入力端子がOut_0に接続されているので、クロック信号φは低論理レベルに遷移し、Out_1に現れるCOL_BITは順次イネーブラ2によってラッチされることになる。In_2および後続の順次イネーブラに関する信号トレースは、シーケンス図を簡略化するために示されていない。時間t3では入力端子「In_1」は、各順次イネーブラが復号サイクル当たり1度だけCOL_BITを受け取るので低論理レベルに保持され、ここで1つの復号サイクルは、最後の共通ビット線がデータ線に結合された後に終了することに留意されたい。図10の例では、これはCBL_Sm_nでありうる。これは、クロック信号φの後続の遷移の場合、低論理信号が順次イネーブラの両方のラッチ回路によってラッチされることを意味する。言い換えれば、不活性状態の低論理レベルCOL_BITが順次イネーブラ2によって受け取られる。
モードでは、BANK1_DATAおよびBANK2_DATAは互いに直接結合される。したがって、直接転送動作モードではメモリバンク800および802のページバッファは、1つのメモリバンクのページバッファから供給されるデータが他のメモリバンクのページバッファ内にラッチされるように同期化されることになる。例えば、図12の順次イネーブラ700によって使用される同一のクロック信号は、メモリバンク800と802との間で共用でき、図6の並列/直列データ変換セレクタ216で使用されるCLK信号は、メモリバンク800と802との間で共用できる。
テムの構成図である。メモリシステム900は、第1の直列データ経路902、第2の直列データ経路904、制御ブロック906および908、並びにメモリバンク910、912、914および916を含む。第1の直列転送スイッチ918がメモリバンク910と912との間に配置されている。第2の直列転送スイッチ920がメモリバンク914と916との間に配置されている。第1の直列データ経路902および第2の直列データ経路904が図4Aに示される直列データ経路10に対応し、制御ブロック906および908は図4Aに示される制御ブロック106に対応する。図4Aに示される高電圧生成器は概略図を簡略化するために省略されているが、当業者は、高電圧生成器および他の回路がシステムの適切な機能を可能にするために必要であることを理解する。第1の直列データ経路902は、DATA/CMD_IN_1を受け取り、DATA/CMD_OUT_1を供給し、第2の直列データ経路904は、DATA/CMD_IN_2を受け取り、DATA/CMD_OUT_2を供給する。第1の直列データ経路902および第2の直列データ経路904のそれぞれは、直列I/Oインターフェース922、データアービトレータ924、およびデータ切換器926を含む。すべてのこれらの回路は、それらの機能と同様に前述されている。
102 直列データ経路
104 メモリバンク
106 制御ブロック
108 高電圧生成器
110 双方向直列データ線
112 直列I/Oインターフェース
114 データアービトレータ
116 データ切換器
118 直列転送データ線
120 入力バッファ
122 出力バッファまたは出力ドライバ
124 コマンドデータ変換器
126、128 経路スイッチ
200 メモリバンク
202、204、206、208 セクタ
210 ワード線ドライバブロック
212、214 ページバッファ
216 並列/直列データ変換セレクタ
300 第1の並列/直列データ変換器
302 第2のP/SDC
304 データ経路セレクタ
306 カウンタ
400、402 セグメント
404 高電圧nチャネルトランジスタ
405 ビット線選択回路
406 高電圧nチャネルトランジスタ
407 プログラムディスエーブル回路
408、410 高電圧nチャネルシールドトランジスタ
500 復号回路
502、504、506、508 サブデコーダ
510 アドレス復号NANDゲート
512 シールドイネーブルNANDゲート
514 インバータ
515 局部チャージポンプ
516 インバータ
517 局部チャージポンプ
518、520 インバータ
550 局部チャージポンプ
552 デプレッションモードnチャネルパストランジスタ
554 ネイティブnチャネルダイオード接続昇圧トランジスタ
556 高耐圧nチャネル減結合トランジスタ
558 高耐圧nチャネルクランプトランジスタ
560 NAND論理ゲート
562 コンデンサ
600 自己復号ページバッファ
602、604、606 順次イネーブラ
608、610、612 セグメントページバッファ
614、616、618 ページバッファ段
650、652、654、660 ページバッファユニット
700 マスタ/スレーブフリップフロップ
702 第1の伝達ゲート
704、706 交差結合インバータ
708 第2の伝達ゲート
710、712 交差結合インバータ
714 第1のリセットデバイス
716 第2のリセットデバイス
718 NOR論理ゲート
750 ページバッファユニット
752 プリチャージデバイス
754 ラッチリセットデバイス
756 ラッチセンスイネーブルデバイス
758 ラッチイネーブルデバイス
760、762 交差結合インバータ
764 ビット線分離デバイス
766 列選択デバイス
800、802 メモリバンク
804 直列転送スイッチ
810 データバンクセレクタ
812、814、816 伝達ゲート
900 メモリシステム
902 第1の直列データ経路
904 第2の直列データ経路
906、908 制御ブロック
910、912、914、916 メモリバンク
918 第1の直列転送スイッチ
920 第2の直列転送スイッチ
922 直列I/Oインターフェース
924 データアービトレータ
926 データ切換器
928 単一のビット直接転送線
BL1_e〜BLn_e 偶数ビット線
BL1_o〜BLn_o 奇数ビット線
DATA/CMD_IN 外部入力インターフェースピン
DATA/CMD_OUT 外部出力インターフェースピン
B_CTRL バッファ制御信号
COMMAND 並列コマンド信号
SWTCH 信号
GLOB_DATA 信号
P/SCS 並列/直列データ変換セレクタ
L_DL1〜L_DLn 左側のデータ線
R_DL1〜R_DLn 右側のデータ線
L_DL[1:n] データ線
L_DATA、R_DATA 局部双方向直列データ線
HALF_SEL 選択制御信号
CBL_S1_1〜CBL_S1_n 共通ビット線
CBL_S1_[1:n]〜CBL_Sm_[1:n] 共通ビット線
CBL_S[1:m]_[1:n] 共通ビット線
A_SELe 偶数選択信号
A_SELo 奇数選択信号
A_SHLDe、A_SHLDo シールド信号
B_SELe、B_SELo、B_SHLDe、B_SHLDo 選択信号
PWRBL プログラム禁止電圧レベル
R_ADDR 行アドレス
C_ADDR 列アドレス
PGM プログラム状態信号
PGMb PGMの相補信号
IN、IN_1、IN_2 入力端子
OUT、OUT_1、OUT_2 出力端子
OUT_m 出力端子
φp 制御信号
VH 高電圧
Vtn クランプトランジスタの閾値電圧
COL_BIT 列選択ビット
RST、RSTb 相補リセット信号
YENb 復号イネーブル信号
φ、φb 相補クロック信号
Y-SEL 列イネーブル信号
Y-sel 列選択信号
Y-Sel_[1:m] 列イネーブル信号
RSTPB ラッチリセット信号
LCHD ラッチイネーブル信号
ISOPB 信号
PREb プリチャージ信号
t0、t1、t2、t3、t4、t5 時間
BANK1_DATA、BANK2_DATA 直列データ信号
BANK_SEL 選択信号
DIR、DIRb 相補信号
Claims (15)
- ビット線およびワード線に結合したメモリアレイを備えるメモリバンクのページバッファであって、該ページバッファは第1および第2のページバッファセクションを備え、
前記第1のページバッファセクションは、第1のビット線およびデータ線に結合し前記第1のビット線をアクセスするよう構成された第1のイネーブラおよび第1のページバッファセグメントを備え、
前記第2のページバッファセクションは、第2のビット線および前記データ線に結合し前記第2のビット線をアクセスするよう構成された第2のイネーブラおよび第2のページバッファセグメントを備え、
前記第1のイネーブラは、
入力列選択信号を受け取り、
クロック信号に応じて、前記入力列選択信号から導出される出力列選択信号と、
前記入力列選択信号に応答して、前記第1のページバッファセグメントへの第1のイネーブル信号と、を提供するよう構成されており、該第1のイネーブル信号は前記第1ページバッファセグメントの列選択を可能にし、
前記第2のイネーブラは、
前記第1のイネーブラからその入力列選択信号として前記出力列選択信号を受け取り、
前記入力列選択信号に応答して第2のイネーブル信号を前記第2のページバッファセグメントに提供するよう構成されており、該第2のイネーブル信号は前記第2のページバッファセグメントの列選択を可能にする、
ページバッファ。 - 前記第1のページバッファセクションの前記第1のページバッファセグメントは、
前記第1のビット線からデータを感知し、
前記第1のイネーブル信号によってイネーブルされた前記列選択に応答して、前記感知したデータをデータ線に提供するよう構成されており、
前記第2のページバッファセクションの前記第2のページバッファセグメントは、前記第2のビット線からデータを感知し、
前記第2のイネーブル信号によってイネーブルされた列選択に応答して、前記感知したデータを前記データ線に提供するよう構成されている、
請求項1に記載のページバッファ。 - 前記第1のイネーブラは、前記クロック信号の状態にラッチされた前記入力列選択信号に応答して前記第1のページバッファセグメントに前記第1のイネーブル信号を提供するよう構成されており、
前記第2のイネーブラは、前記クロック信号の次の状態にラッチされている入力列選択信号に応答して前記第2のバッファセグメントに前記第2のイネーブル信号を提供するよう構成されており、前記第2のイネーブラの前記入力列選択信号は前記第1のイネーブラによって受け取られた入力列選択信号の遅延版である、
請求項1または2に記載のページバッファ。 - 前記第1イネーブラは、
前記クロック信号の相補状態に応答してラッチされる前記入力列選択信号を受け取るための入力端子と、
前記ラッチされた列選択信号と前記クロック信号に応答して出力列選択信号を出力するための出力端子と、
前記クロック信号の前記状態中に前記列選択信号に対応する論理状態をもつ前記第1のイネーブル信号を提供するための列選択出力と、
を備え、前記第2のイネーブラは、
前記クロック信号の前記相補状態に応答してラッチされている前記入力列選択信号を受け取るための入力端子と、
前記クロック信号の前記次の状態中に前記列選択信号に対応する論理状態をもつ前記第2のイネーブル信号を提供するための列選択出力と、
を備える、請求項3に記載のページバッファ。 - 前記第1および第2のページバッファセグメントのそれぞれは、少なくとも一つのビット線および対応する少なくとも一つの前記データ線に結合している一つまたは複数のページバッファユニットを備え、
前記第1のページバッファセグメントの少なくとも一つのページバッファユニットは、前記第1のイネーブル信号に応答してイネーブルされ、
前記第2のページバッファセグメントの少なくとも一つのページバッファユニットは、前記第2のイネーブル信号に応答してイネーブルされる、
請求項3または4に記載のページバッファ。 - 前記第1のページバッファセグメントの前記一つのページバッファユニットは、
前記第1のビット線の一つからデータを感知するよう構成されているセンス回路と、
前記センス回路からの感知データを前記第1のイネーブル信号に応答して対応するデータ線に結合するよう構成された結合回路と、を備え、
前記第2のページバッファセグメントの前記一つのページバッファユニットは、
前記第2のビット線の一つからデータを感知するよう構成されたセンス回路と、
前記センス回路からの感知データを前記第2のイネーブル信号に応答して対応するデータ線に結合するよう構成された結合回路と、を備える、
請求項4または5に記載のページバッファ。 - 前記第1のイネーブラは、状態と相補状態をもつ前記クロック信号によってクロックされる双安定回路を備え、該双安定回路は、
前記入力端子で前記入力列選択信号を受け取り、前記クロック信号の相補状態に応答してラッチし、
前記クロック信号に応答して前記出力端子を介して出力列選択信号を提供し、
前記列選択信号に対応する論理状態をもつ第1のイネーブル信号を、前記クロック信号の前記状態中に前記列選択出力を介して提供する、
よう構成されている、請求項2から6のいずれか1項に記載のページバッファ。 - 前記双安定回路が、
制御信号および相補制御信号に応答するよう構成された第1および第2のリセットデバイスにそれぞれ結合された第1および第2の交差結合インバータと、
前記クロック信号の状態および該クロック信号の相補状態にそれぞれ応答するよう構成された第1および第2の伝送ゲートであって、前記第2の伝送ゲートは前記第1の交差結合インバータの論理状態を前記第2の交差結合インバータに伝送するよう構成されている前記第1および第2の伝送ゲートと、
前記第2の交差結合インバータの論理状態およびデコードイネーブル信号に応答してイネーブル信号を提供するよう構成された論理回路と、
を備える請求項7に記載のページバッファ。 - 前記第1のページバッファセグメントの複数のページバッファユニットの少なくとも一つにおいて、
前記センス回路が前記第1ビット線からデータを感知するセンサを備え、
前記結合回路が前記センサを前記第1のイネーブル信号に応答して対応するデータ線に結合するよう構成されている結合デバイスを備え、
前記第2のページバッファセグメントの複数のページバッファユニットの少なくとも一つにおいて、
前記センス回路が前記第1のビット線からデータを感知するよう構成されたセンサを備え、
前記結合回路が前記センサを前記第2のイネーブル信号に応答して対応するデータ線に結合するよう構成された結合デバイスを備える、
請求項6に記載のページバッファ。 - 前記結合回路が、それぞれの前記イネーブル信号に応答して前記センス回路から前記感知した信号を対応するデータ線に提供するデータ提供器を備える、
請求項6から9のいいずれか1項に記載のページバッファ。 - 1組のビット線からデータを感知し感知データを提供するための自己デコーディングページバッファ段を前記第1および第2のページバッファセクションが形成し、前記ページバッファが不揮発性メモリの読みとりおよびプログラム動作の少なくとも一つに使用される、請求項1から10のいずれか1項に記載のページバッファ。
- ビット線およびワード線に結合したメモリアレイを備えるメモリバンクにアクセスする方法であって、該方法は、
前記メモリバンクにページバッファを設けること、
第1のページバッファセクションにおいて、入力列選択信号を受け取り、クロック信号に応答して前記入力列選択信号から導出された出力列選択信号を出力し、前記入力列選択信号に応答して第1のイネーブル信号を出力すること、
第2のページバッファセクションにおいて、前記第1のページバッファセクションの前記出力列選択信号を入力列選択信号として受け取り、前記入力列選択信号に応答して第2のイネーブル信号を出力すること、および
前記第1および第2のイネーブル信号にそれぞれ応答して前記第1及び第2のバッファセグメントの列選択をイネーブルすること、
を含む前記方法。 - 前記第1および第2のビット線からデータを感知すること、および
前記第1および第2のページバッファセクションの列選択をイネーブルすることに応じて前記第1および第2のビット線から感知されたデータをラッチすることと、
を含む請求項12に記載の方法。 - 前記入力列選択信号およびイネーブル信号に応答して前記第1および第2ページバッファセクションからラッチデータを各クロックサイクルにおいてデータ線に順次出力することを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記第1および第2のページバッファセクションについて、前記順次出力することは、
各クロックサイクルにおいて前記第1および第2のページバッファセクションに前記列選択信号をシフトすることを含み、このシフトすることは、
第1のクロックサイクルの第1のクロック信号遷移で前記列選択信号を受け取ること、および
前記第1のクロックサイクルの第2のクロック信号遷移で、前記列選択信号をラッチし次のページバッファセクションに出力すること、
を含む請求項14に記載の方法。
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