JP2011509502A - 電解質膜のための標的をスパッタリングする方法 - Google Patents

電解質膜のための標的をスパッタリングする方法 Download PDF

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Abstract

薄膜電解質のための代替のスパッタ標的の組成または構成が提案され、この場合、スパッタ標的材料システムは、スパッタ堆積のための（パルス）ＤＣ標的電力の使用を可能にする十分な電気伝導性を所有する。電解質膜材料は、電気伝導性スパッタ標的材料システムから反応性スパッタ堆積後、必要とされる電気絶縁性およびリチウムイオン伝導性特性を採用する。リチウムイオン薄膜電解質を作製する方法は、伝導性スパッタ標的を提供することと、真空蒸着チャンバを提供することと、伝導性スパッタ標的をスパッタリングすることと、反応性スパッタ気体雰囲気においてリチウムイオン薄膜電解質を堆積させることとを包含する。

Description

（関連出願）
本出願は、２００７年１２月２１日に出願された、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＳＰＵＴＴＥＲ ＴＡＲＧＥＴＳ ＦＯＲ ＥＬＥＣＴＲＯＬＹＴＥ ＦＩＬＭＳ」の米国仮出願第６１／０１６，０３８号に関連し、３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９の下において、該仮出願の利益を主張し、該仮出願は、その全体が本明細書に参考として援用される。
（発明の分野）
本発明は、薄膜電気化学エネルギの貯蔵および変換デバイスに使用するリチウムイオン薄膜電解質の作製に関する。
(発明の背景）
現在、リチウムイオン電解質層は、ＲＦチューナおよびＲＦ適合のネットワークと共に、スパッタ標的上の無線周波数（ＲＦ）励起（１ＭＨｚ〜１ＧＨｚ）を用いて、セラミックで絶縁体のスパッタ標的から堆積される。このアプローチの主な理由は、セラミック標的の組成または化学量論が、堆積されるリチウムイオン電解質層の化学量論と同一に、または少なくとも最も類似して作製され得るという事実にある。しかしながら、セラミックで絶縁体のスパッタ標的およびＲＦスパッタ方法の両方を用いることは、それらに関連する高コストと、堆積面積および堆積速度の制限と、ハードウェアの精巧さおよび困難さとにより、望ましくない場合がある。
電気絶縁性タイプの標的は、スパッタリングするときに、典型的にはＲＦ励起を使用することを必要とする。さもなければ、直流（ＤＣ）励起、パルスＤＣ（例えば、２５０ｋＨｚ）励起、または低周波数（ＡＣ、例えば、１００ｋＨｚ）を有する交流励起などのＲＦ励起を用いない場合、標的表面は、実質的に十分に帯電し、増加した電荷を電気アークの形態で基板、チャンバ壁、および／または暗部シールドに放出する。電気アークは、あまりに激しく、スパッタ標的に接続された電源の電子回路がこの事象が発生するのを防げないことがあり得、このことが基板上の膜成長に不利に影響を及ぼすか、またはスパッタプロセスが電源の妨害電子回路によってあまりに頻繁に妨げられ得るので、スパッタ堆積が行われないことがあり得る。不都合なことに、スパッタ標的の周りの全体のＲＦ電子回路は、かなり高価であり、かつ真空蒸着チャンバがＲＦ適合であることを必要とする。半導体製造において用いられるほとんどの大型のスパッタ堆積ツールは、ＲＦ適合ではないが、ただ、直流（ＤＣ）またはパルスＤＣ適合であるだけである。新しい大型の真空蒸着チャンバの設計および製作は、相当な時間および金額を要する。なぜなら、これらのチャンバは、多数製作され、そして販売されることが見込めないからである。
ＲＦスパッタリングにおける別の問題は、酸化誘電性膜の堆積のためにセラミック標的が、典型的にはスパッタプロセスにおける使用に適切な厚さ（例えば、１／４インチ）で大面積のセラミックスパッタ標的を作製する際の制限のために、複数のより小さいタイルから形成されることである。さらに、ＲＦスパッタリングに必要とされる反応器は、かなり複雑になる傾向がある。特に、スパッタカソードへのＲＦ電力の低静電容量の効率的な分配の工学技術は、ＲＦシステムにおいて困難である。反応性チャンバの真空容器の中への低静電容量の前方電力および戻り電力の伝送は、しばしば、適合するネットワークのインピーダンス調整の一部の条件の下で、拡散プラズマ放電が可能になるような仕方で電力経路を露出させる。
典型的には、大面積の絶縁のセラミックスパッタ標的を作製することは困難であった。なぜなら、高速スパッタ堆積の熱応力の下でスパッタリングされたときのスパッタ標的タイルに対する性能要求を考慮すると、スパッタ標的の構成物質のタイルサイズは、単一のタイルにせよ複数のタイルにせよ、今日の利用可能なセラミックプロセス方法（コールドプレス、加えてその後の焼結、または代わりに、適切な開始粉のホットプレス）によって制限される。しかしながら、マグネトロンの磁界がスパッタ標的タイルの厚さをうまく通過する必要がある場合において、マグネトロンスパッタ標的（典型的な厚さは実用上の使用目的において約１／２〜１／４インチ）に用いられるときのセラミックタイルの固有のもろさおよびセラミックタイルの制限された実用上の厚さのために、タイル製造業者は、標的タイルをできるだけ大きくし、一方、タイルの厚さは制限されるという困難な課題に直面する。従って、標的製造業者は、すべての標的タイル材料に対する面積／厚さ率に関してゆるく画定された限界に遭遇し、該限界を超えた場合、標的タイル作製の産出は、低くなり過ぎて経済的に採算がとれなくなる。実用的なＬｉ３ＰＯ４スパッタ標的タイルのためにそして該標的タイルをうまく実行するために、１／４インチ厚さ標的の今日のタイルサイズ限界は、直径１０”または非円盤形状の場合７”×７”のオーダーである。
高速スパッタ堆積において機械的に十分に弾性があることが判明した、大面積の絶縁のセラミックスパッタ標的の困難なまたは不可能でさえある作製の他に、局所の帯電／電弧形成、他の領域とのクロストーク、および電源と堆積環境との間の厳しい可変のインピーダンス不適合などの問題が、重なって、Ａｌ２Ｏ３などの十分に確立されたセラミックスパッタ材料に対して約１０００ｃｍ２、Ｌｉ３ＰＯ４などの十分には確立されていないセラミック材料に対して約５００ｃｍ２未満に公称の実用スパッタ標的面積を制限する。
セラミックタイル作製およびＲＦ標的励起の関連する使用に伴う問題を考慮して、金属タイルの場合、必要な反応性スパッタ堆積に関して可能ならセラミック標的タイルから金属標的タイルに切り替えることが望ましい。なぜなら、厚さ約１／４インチの金属プレートは、大面積で容易に作製され得るからである。セラミック標的よりも金属標的を用いることの別の固有の利益は、はるかに延性のある金属標的が高い堆積電力および堆積速度でスパッタリングされ得、このことが、スパッタ標的タイル内に応力のある温度勾配を作り、金属標的タイルがもろいセラミックタイルと比較してより容易に該温度勾配に対抗し得るという事実に基づく。
リチウムイオン薄膜電気化学の貯蔵および変換デバイスを大量生産する経済問題は、所与の生産処理量に対する主要な経費に強く依存し、主要な経費は、次に堆積速度と、堆積面積と、堆積産出と、装置の実働時間とによって影響される。この点において、ＲＦスパッタ標的励磁と協働して比較的小さくもろいセラミックスパッタ標的または標的タイルを用いなければならない問題は、リチウムイオン薄膜電気化学の貯蔵および変換デバイスの生産プロセスを産業レベルに引き上げる際の重大な経済的障壁を表す。
ＲＦスパッタリングに伴うコストおよびツールの問題を避けるために、ＤＣまたはパルスＤＣの標的励磁電力を用いて電気伝導性スパッタ標的から該電解質層または誘電層をスパッタリング堆積するように行われ得る。この場合、帯電および電弧形成の問題は、より小さく典型的には管理可能である。これらのＤＣスパッタ方法の両方とも、ＲＦより費用がかからず、真空蒸着システムにおいて実装がより単純である。しかしながら、電気伝導性スパッタ標的から電気絶縁性であるがイオン（ここでは、リチウムイオン）伝導性の電解質層または誘電性層を達成するために、反応性雰囲気において標的材料をスパッタ堆積し、正しい化学量論の電気絶縁性膜組成が成し遂げられなければならない。一部の場合において、適切な第２のスパッタ標的から同時スパッタリング（ｃｏ−ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によって正しい膜化学量論を達成することが選ばれ得、該第２のスパッタ標的は、電気絶縁性の場合、ＲＦ電力励磁を必要とし、一方、電気伝導性の場合、ＤＣまたはパルスＤＣ励磁によって同様にスパッタリングされ得る。
ＤＣまたはパルスＤＣ堆積を受け入れるスパッタ堆積標的を作る場において実質的なトラック記録はなく、一方、堆積されたとき電解質特性を有する膜を含む絶縁／誘電性リチウムを生成する。また、代わりのスパッタ標的の組成または構成を用いる主題に関する公開された実質的な量の作業はなく、該代わりのスパッタ標的の組成または構成は、具体的には、同様に堆積されたとき、電気絶縁性およびイオン伝導性になることによって、電解質に変わるスパッタリングされた材料のＤＣ堆積を可能にする。公開された情報または特許のこの不足は、リチウムイオンのみならずすべての電解質に及ぶ。この領域における公開された作業のほとんどは、標的面積を増加させる方法またはハードウェアを改良する方法を重点的に扱う。しかるに、本発明の動機は、ＤＣまたはパルスＤＣ標的スパッタ電力を用いて、より安く、より速くリチウムイオン電解質薄膜を達成することを可能にする伝導性標的組成を作製することである。
特許文献１は、金属標的材料からＤＣスパッタ方法によって与えられ、堆積された酸化膜およびオキシナイトライド膜を開示する。しかしながら、この開示は、スパッタハードウェアを重点的に扱い、例えば、標的の組成／構造を修正し、物理蒸着堆積膜が薄膜電解質に変わるスパッタ材料のＤＣ電力の堆積を容易にする問題に対処しない。
特許文献２（「‘３８５特許」）は、ジルコニウムおよびイットリウムの金属スパッタ標的を用いて酸化物を形成し、該酸化物は、固体の酸化燃料電池における高温の酸素イオン伝導性薄膜として用いられる。これらの薄膜は、電解質特性を有するが、これらの電解質特性は、高温電解質特性のみであり、酸素イオンだけに関する。本発明は、対照的に、例えば周囲温度のリチウムイオン電解質を重点的に扱う。酸素イオン電解質およびリチウムイオン電解質を形成する基礎となる化学および物理パラメータは、非常に異なる。例えば、高温酸素イオン電解質は結晶構造である必要があり、一方、本発明のリチウムイオン電解質は、ガラス質または非結晶質であることが必要であるのみである。実際に、本発明のリチウムイオン電解質は、その作製中にまたは作製後のその寿命中の任意の時に、結晶構造であるかまたは結晶構造になる場合、該リチウムイオン電解質は、関連するリチウム薄膜電気化学の貯蔵および変換デバイスを非金属リチウムイオンアノードのみの使用に厳しく限定する。なぜなら、金属リチウムアノードは、結晶構造の電解質内の粒界拡散を介してアノードからカソードへの電気化学的短絡を作ることによって、リチウム薄膜電気化学の貯蔵および変換デバイスを短絡し得るからである。（ガラス質または非結晶質のリチウムイオン電解質）がないか、または事実上（ナノ結晶構造のリチウムイオン電解質）粒界が存在しない場合、電気化学短絡通路の不慮の形成および望ましくない形成は起らない場合がある。‘３８５特許が（高温酸素イオン）結晶構造の電解質の使用を可能にし得る理由は、多くは、燃料電池が、クリーピングと、容易な拡散と、短絡作製と、金属リチウムアノードとを所有しないという事実にある。本発明と‘３８５特許との間の動機および利益における大幅な相違のために、当業者は、例えば‘３８５特許に基づく非ＲＦスパッタ堆積技術によるリチウムイオン薄膜電解質を作製する方法を見出さない。
特許文献３は、反応性スパッタリングに最適化された混成アプローチを開示し、該アプローチにおいて、マグネトロンヘッドは、ＤＣおよびＲＦコントローラの両方によって同時に駆動される。しかしながら、該アプローチは、リチウム電解質膜を達成するために、スパッタハードウェア修正を重点的に扱い、標的組成を重点的に扱わない。
電池および燃料電池の薄膜電解質は、２０年以上の間、堆積された無線周波数（ＲＦ）スパッタであったが、これらの成長に用いられる器具は比較的小型で、研究開発またはパイロットラインシステムのみであった。この技術が必要な（利益のある）完全に産業レベルに引き上げられると、より経済的な装置およびよりコストのかからない消耗品に対するニーズがある。従って、より大きな金属標的およびより費用のかからないＤＣタイプのスパッタ標的励磁を用いることによって、非常に広い面積にわたりより速く、より費用がかからず、電解質および誘電性層をスパッタ堆積する能力は、非常に魅力的であり、適切な解決策は、大量生産時に時間および金の両方の実質的な節約という結果となる。
米国特許出願第２００６／００５４４９６号明細書 米国特許第５，７５３，３８５号明細書 米国特許第７，１７９，３５０号明細書
（発明の概要）
下記に、より詳細にそして例によって説明されるように、本発明の様々な局面および実施形態は、背景技術の欠損の中のいくつかおよび関連する産業において現れるニーズに対処する。従って、本発明は、例えば、スパッタ標的、ならびに関連技術の制限および不利な点による１以上の欠点または問題を実質的に除去する、スパッタ標的を形成する方法に関する。
材料を説明するときの用語「電気伝導性」および「電気絶縁性」の本明細書における使用は、それぞれ用語「電子伝導性」および「電子絶縁性」と交換可能である。材料を説明するときのこれらの用語の各々の使用は、該材料がイオンを伝導するかまたはしないかどうかということを排除することでもないし、包括することでもない。
薄膜電気化学の貯蔵および変換デバイスは、電気絶縁性であるがイオン伝導性層であり、いわゆる電解質または誘電性層を含む。これらの層をスパッタ堆積するとき、電気絶縁性スパッタ標的または電気伝導性スパッタ標的のいずれかが用いられ得る。本発明の薄膜電気化学の貯蔵および変換デバイスは、主としてリチウムイオンを伝導するリチウムイオン電解質層（イオン伝導性層の一タイプ）を用いる。
本発明の一実施形態の一局面は、より費用のかからないＤＣ法またはパルスＤＣ法を用いる、電気絶縁性であるがリチウムイオン伝導性膜（伝導性セラミック膜）のスパッタ堆積を伴い、ＤＣ法およびパルスＤＣ法の両方とも、任意の真空蒸着ツール／チャンバにおいて、より精巧でより費用のかかるＲＦ法と比較して、より簡単にかつ信頼性を持って実装され得る。このＤＣアプローチまたはパルスＤＣアプローチは、電気伝導性スパッタ標的を用い、反応性スパッタ堆積によって該標的の組成を正しい膜化学量論に変換する。
本発明の一実施形態の別の局面は、表面積および厚さの両方におけるスパッタ標的サイズ、および／または必要とされる電気絶縁性のリチウムイオン伝導性電解質または誘電性層を堆積させるために用いられ得るマルチタイルのスパッタ標的内のスパッタタイルサイズの実用上の制限を克服することに関する。
本発明の一実施形態のさらなる局面は、セラミック標的と比較して、金属標的の概してより高い熱伝導性を伴う。このことは、より厚い金属スパッタ標的の使用を可能にする。なぜなら、所与のスパッタ標的厚さに対して、冷却標的支持プレートからスパッタ標的の全量を介する標的冷却は、金属標的にとってより効率的であり、一方さらに、金属標的の熱勾配は典型的にははるかに小さい。より厚い金属標的を用いることの利益ある選択に関連することは、より頻度の少ないメンテナンス予定と、生産設備の停止時間の減少とであり、従って、薄膜電気化学の貯蔵および変換デバイスの作製コストの低下である。なぜなら、より厚いスパッタ標的は、それが交換されなければならないまで、より長い期間動作させられ得るからである。標的の厚さと、スパッタ標的表面におけるマグネトロンの動作との妥協は、生産スパッタ設備の性能を最適化するためになされる必要があり得る。
本発明の一部の特徴および利点は、特定の好ましい実施形態の図面を参照して説明され、該特定の好ましい実施形態は、本発明を例示することが意図され、本発明を限定することは意図されない。
本発明のさらなる理解を提供するために含められ、本明細書に組み込まれかつ本明細書の一部を構成する添付の図面は、本発明の例示的実施形態を示し、説明と共に本発明の原理を説明するのに役立つ。図面は以下のとおりである。
図１は、本発明の実施形態に従って、薄膜電気化学エネルギの貯蔵および変換デバイスに使用するリチウムイオン薄膜電解質を作製するために用いられ得るプロセステップのシーケンスを例示する。 図２は、基板が浸され、従って基板への電解質膜の堆積を引き起こすＯ２／Ｎ２反応性のプラズマスパッタプルームにおける、Ｌｉ３Ｐスパッタ標的からの電解質膜のスパッタ堆積の実施形態を例示する。 図３は、ＬｉｘＰフェーズとＬｉ２Ｏとから成る合成されたスパッタ標的からの電解質膜のスパッタ堆積の実施形態を例示する。 図４は、Ｌｉ２ＯがＬｉ３Ｎに置き換えられたときの図３からのスパッタ堆積の実施形態を例示する。 図５は、２つの異なるスパッタ標的から形成される２つのプラズマに浸された基板への電解質膜のスパッタ堆積の実施形態を例示する。 図６は、スパッタ堆積のプラズマスパッタプルームおよび抵抗蒸着プロセスの蒸着プルームの両方を基板に向けることによって作成される基板への電解質膜の堆積の実施形態を例示する。 図７は、電解質膜のスパッタ堆積のための厚い金属スパッタ標的の方法の実施形態を例示する。
（好ましい実施形態の詳細な説明）
本発明のこれらおよび他の局面は、添付の図面において例証される例示的実施形態に関連してより詳細にここで説明される。
本明細書において説明される特定の方法論、化合物、材料、製造技術、使用法、および用途は変化し得るので、本発明がそれらに限定されないことは理解されるべきである。本明細書において用いられる用語は特定の実施形態を説明する目的のみのために用いられ、本発明の範囲を限定する意図はないこともまた理解されるべきである。本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられるように、単数形「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、文脈が明らかに別のことを指示しない限り、複数の参照を含むことは注意されなければならない。従って例えば、「１つの要素」への参照は１以上の要素への参照であり、当業者にとって公知である要素の均等物を含む。同様に、別の例では、「１つのステップ」または「１つの手段」への参照は、１以上のステップまたは手段への参照であり、サブステップおよび補助の手段を含み得る。用いられるすべての接続詞は、可能な限り最も包括的な意味で理解されるべきである。従って単語「または」は、文脈が明らかに別のことを必要としない限り、論理「排他的または」の定義よりはむしろ論理「または」の定義を有するように理解されるべきである。本明細書に説明される構造は、そのような構造の機能上の均等物もまた参照するように理解されるべきである。近似を表現するように解釈されるべき言語は、文脈が明らかに別のことを指示しない限り、そのように理解されるべきである。
別に定義されない限り、本明細書において用いられるすべての科学技術用語は、本発明が属する分野の当業者によって共通に理解される意味と同じ意味を有する。好ましい方法、技術、デバイスおよび材料が説明されるが、但し、本明細書において説明されるものに類似するかまたは均等な任意の方法、技術、デバイスまたは材料が、本発明の実施または試験において用いられ得る。本明細書において説明される構造は、そのような構造の機能上の均等物も参照するように理解されるべきである。本開示または特許請求の範囲の文脈が別のことを指示しない限り、例えば、用語「標的」および「標的タイトル」は交換可能に用いられ得る。
確認されるすべての特許および他の刊行物は、例えば、本発明に関連して用いられ得る、そのような刊行物において説明される方法論を説明し開示する目的のために、本明細書に参考として援用される。これらの刊行物は、それらの刊行物の開示が本出願の出願日の前の場合のみ提供される。この点に関して、先行の発明または任意の他の理由で、本発明がそのような開示に先行する権利がないということを承認するものとして解釈されるべきでは全くない。
図１は、本発明の一部の実施形態に従う、薄膜電気化学エネルギの貯蔵および変換デバイスにおいて用いられるリチウムイオン薄膜電解質を作製する例示的プロセス１００の一実施形態を例示する。プロセス１００は、例えば、機械的に頑丈で実質的に伝導性のスパッタ標的を作製するステップ１０１と、真空蒸着チャンバを提供するステップ１０３と、機械的に頑丈で実質的に伝導性のスパッタ標的をスパッタリングするステップ１０５と、反応性スパッタ気体雰囲気にリチウムイオン薄膜電解質を堆積させるステップ１０７とを含む。
ステップ１０１において、本発明の実施形態に従って、スパッタ標的は、室温で約１０−４Ｓ／ｃｍより大きい伝導率を有する電気伝導性の標的材料または少なくとも半伝導性の標的材料から作られる。本発明に対して、伝導率は好ましくは室温で少なくとも１０−８Ｓ／ｃｍであり、最も好ましくは室温で１Ｓ／ｃｍである。スパッタ標的のために適切な材料を用い、反応性気体環境においてスパッタ標的を動作させることによって、電気絶縁性であるがリチウムイオン導電性膜が堆積され得る。この効果は反応性スパッタ気体環境を用いることに依存し、この場合、排出された標的材料は、互いに反応し、そしてスパッタプラズマの中性および／またはイオン化した構成物質の一部の部分集合と反応し、基板上に新しい化合物を形成する。ステップ１０７において、反応性スパッタ気体雰囲気における堆積は、リチウムイオン導電性スパッタ標的からスパッタリングされた材料を電気絶縁性のリチウムイオン導電性電解質膜に変換し得る。ステップ１０７において、あり得る気体構成物質は、酸素と、窒素と、フッ素と、塩素と、臭素と、ヨウ素と、硫黄と、セレンと、テルルと、リンと、ヒ素と、アンチモンと、ビスマスと、鉛と、炭素と、水素と、ケイ素と、リチウムと、ナトリウムと、マグネシウムと、ジルコニウムとを含み、これらは、化学元素または化合物のいずれかとして気体状態でスパッタ反応器に導入される。あり得る標的構成物質は、リチウムと、リンと、酸素と、窒素と、フッ素と、塩素と、臭素と、ヨウ素と、硫黄と、セレンと、テルルと、ヒ素と、アンチモンと、ビスマスと、鉛と、炭素と、水素と、ケイ素と、ナトリウムと、マグネシウムと、ジルコニウムとを含み、同様に、リン酸リチウム（Ｌｉ３ＰＯ４）、窒化リン酸リチウム、リチウムリン化物および亜リン化物（ＬｉｘＰ、ここで１≦ｘ≦１００）、リチウム窒化物および亜窒化物（ＬｉｘＮ、ここで３≦ｘ≦１００）、リン酸化物および亜酸化物（ＰＯｘ、ここでｘ≦２．５）、リン窒化物および亜窒化物（ＰＮｘ、ここでｘ≦１．７）、ならびにリチウム酸化物および亜酸化物（ＬｉｘＯ、ここで１≦ｘ≦１００）の群から選択される材料を含む。材料システムもまた、スパッタ気体との反応の結果として標的の表面に形成され得る任意の絶縁膜が後の堆積を実質的に妨げないように選択される。スパッタリングされた構成物質および気体構成物質の電解質膜への変換を引き起こす反応は、膜が堆積されると、膜の表面において起る。
標的を電気伝導性にすることによって、標的励起のタイプは、もはやＲＦ電力に限定されない。従って、ステップ１０３において、提供される真空蒸着チャンバは、別のやり方では大型の製造ツールにとって困難であるＲＦ適合性である必要はない。同様にステップ１０５におけるスパッタリングプロセスは、ＲＦと比較して、より高い速度のより安いＤＣまたはパルスＤＣ電力の電子回路を用いて行なわれ得る。さらに、ステップ１０７における堆積プロセスは、以前のＲＦ方法と比較して、より速くかつ安く終了され得る。
本発明の実施形態に従って、ステップ１０３、１０５、および１０７は、対象とする膜を生成するために、ＲＦ（１ＭＨｚ〜１ＧＨｚの範囲である）、ＡＣ、パルスＤＣ、およびＤＣ電力（単独で、または様々な組み合わせで）の任意の組み合わせを用いて実行され得る。ステップ１０７において、２つ以上の膜構成物質が、熱蒸発法、化学蒸着法、またはカソードアーク蒸着法などの非スパッタ技術を用いて順に堆積されることも可能である。この非スパッタ構成物質は、電気絶縁性供給源または電気伝導性供給源から堆積され得る。後者の供給源材料は、最も好ましくは、供給源材料の化学反応性に関する反応性雰囲気において実行される堆積を含む。
本発明の実施形態に従って、ステップ１０１におけるスパッタ標的は、単一の混合物、多種構成物質の複合物、または実質的に異なる組成物を有する標的の範囲内の標的タイルの集積から作られ得る。すべての場合において、個々のタイルセグメントは、好ましくは３００ｃｍ２より大きい。所望の膜を作るために、２つ以上の異なる種類の標的が必要である場合、複数のスパッタカソードからのオプションの標的切り替えおよび／または堆積と協働する基板の平行移動が用いられ得、該複数のスパッタカソードのスパッタリングされた種は、基板上に成長する膜の方に同時に向けられる。本発明のさらなる利点は、電気伝導性標的が必然的に、典型的な電気絶縁性標的より多く熱電導性であることである。熱伝導性におけるこの増加は、以前のより薄い標的（０．６ｃｍ）と比較してより厚い標的（最大５ｃｍ）の実装を可能にし、それによって標的の取り替え頻度を減少させる（作製の全コストを低減させる）。
以下の例は、本発明のさらなる理解を提供するために含められ、本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成し、本発明の例示的実施形態を例証する。
例１（図２）は、プロセス１００の例示的実施形態を提供し、該例示的実施形態において、組成物Ｌｉ２．９ＰＯ３．３Ｎ０．４６ ２０５のＬＩＰＯＮ電解質膜は、アルゴンなどの不活性気体の追加有りまたは無しで、スパッタリングされた材料と、酸素および窒素の反応性気体の混合とを含むスパッタプラズマプルーム２０３に基板２０７が浸されたとき、組成物Ｌｉ３Ｐ ２０１の半伝導性標的からＤＣ、パルスＤＣ、ＡＣ、またはＲＦ反応性スパッタリングによって、基板２０７上に堆積され得る。Ｏ２／Ｎ２の比は、窒素と比較して酸素と結合する、堆積するＬｉおよびＰ種のはるかに高い親和力により、１／１００未満に適合されるべきである。真空蒸着反応器内の所与の酸素／窒素の比（例えば、１／１０００）に対して、動力学的因子および熱力学的因子の両方は、成長するＬｉｘＰＯｙＮｚ膜における最終化学量論パラメータｘ、ｙ、およびｚを決定する。動力学的パラメータには、標的スパッタ電力（例えば、直径１０インチのＬｉ３Ｐ標的に対して２０００Ｗ）と、パルス衝撃係数（例えば、２μｓ電源オン期間および２μｓ電源オフ期間）と、標的から基板までの距離（例えば、７．５ｃｍ）と、堆積速度（例えば、３μｍ／ｈ）と、基板温度（例えば、１５０℃）と、基板バイアス（例えば、−７０Ｖ）と、窒素流量（例えば、３００ｓｃｃｍ）と、酸素流量（０．１容量％のＯ２を含むＮ２気体供給によって間接的に得られ得るように、例えば、０．３ｓｃｃｍ）とがある。動力学的パラメータと協働して、基板温度などの熱力学的因子（他の因子の中にはスパッタ標的電力の関数がある）および成長する膜表面における酸素／窒素の比は、成長するＬＩＰＯＮ膜の化学量論において機能を果たす。
例２（図３）は、プロセス１００の例示的実施形態を提供し、該例示的実施形態において、Ｌｉ２．９ＰＯ３．３Ｎ０．４６２０５のＬＩＰＯＮ電解質膜は、微視的レベルまたはセンチメートルスケールのいずれかでＬｉｘＰタイルおよびＬｉ２Ｏタイルを互いに実質的に接近して交互に配置することによって合成される、リチウム豊富なＬｉｘＰ（ｘ＞＞３）３０５と、Ｌｉ２Ｏ、３０７とから構成される複合標的３０１からＤＣ、パルスＤＣ、ＡＣ、またはＲＦ反応性スパッタリングによって堆積され得、その結果、アルゴンなどの不活性気体の追加有りまたは無しで、反応性の少なくとも窒素含有スパッタプラズマプルーム３０３においてそのような標的をスパッタリングしたとき、Ｌｉ／Ｐの濃度比は約２．９をもたらし、Ｏ／Ｐ比は約３．３をもたらし、一方、Ｎ／Ｐ比は約０．４６に達する。ＬｉｘＰ（ｘ＞＞３）３０５およびＬｉ２Ｏ ３０７の微視的組成は、センチメートルスケール複合物より好ましくあり得る。なぜなら、微視的組成は、ＤＣまたはパルススパッタ条件の下で標的を動作させるのに有用であるスパッタ標的３０１の半伝導性表面を提供するからである。
例３（図４）は、プロセス１００の例示的実施形態を提供し、該例示的実施形態において、スパッタ標的４０１は、例２によって例示されるように、Ｌｉ２Ｏ ３０７の代わりにＬｉ３Ｎ ４０７を含み、そのように作製されたスパッタ標的４０１は、ＤＣ、パルスＤＣ、ＡＣ、または少なくとも窒素と酸素とを含むプラズマプルーム４０３においてスパッタリングされたＲＦである。
例４は、プロセス１００の例示的実施形態を提供し、該例示的実施形態において、スパッタ標的は、例３（図４）によって提供されるように、ＬｉｘＰ（ｘ＞＞３）の代わりにＰ２Ｏ５を含み、そのように作製されたスパッタ標的は、ＤＣ、パルスＤＣ、ＡＣ、または少なくとも窒素を含む雰囲気においてスパッタリングされたＲＦである。
例５は、プロセス１００の例示的実施形態を提供し、該例示的実施形態において、スパッタ標的は、例４によって提供されるように、Ｐ２Ｏ５の代わりにＰＮを含み、そのように作製されたスパッタ標的は、ＤＣ、パルスＤＣ、ＡＣ、または少なくとも窒素と酸素とを含む雰囲気においてスパッタリングされたＲＦである。
例６は、プロセス１００の例示的実施形態を提供し、該例示的実施形態において、スパッタ標的は、金属リチウムとＰＮとの微視的複合物から作製され、そのように作製されたスパッタ標的は、ＤＣ、パルスＤＣ、ＡＣ、または少なくとも窒素と酸素とを含む雰囲気においてスパッタリングされたＲＦである。
例７（図５）は、プロセス１００の例示的実施形態を提供し、該例示的実施形態において、組成物Ｌｉ２．９ＰＯ３．３Ｎ０．４６２０５のＬＩＰＯＮ電解質膜は、ＤＣ、パルスＤＣ、ＡＣ、または少なくとも２つの分離したスパッタ標的２０１および５０１からのＲＦ反応性スパッタリングによって堆積され得、スパッタ標的２０１および５０１のスパッタプルーム５０３および５０３Ａは両方とも基板２０７の方に向けられ、基板２０７においてＬｉ２．９ＰＯ３．３Ｎ０．４６電解質膜２０５は成長する。第１のスパッタ標的２０１は例１（図２）によって提供されるように作製され得、一方、第２のスパッタ標的５０１は例５によって提供されるように作製され得る。厚さなどの他の望ましい一様性特徴の中で組成の観点における膜の一様性を改善するために、わずかに異なり構成されたスパッタプラズマプルーム５０３および５０３Ａ内において基板２０７はその垂直軸５０５の周りに回転され得る。第３のスパッタ標的は、第１もしくは第２の標的の組成物を有するかまたは例６に提供される標的などの異なる組成物を有し得るかのいずれかの真空蒸着反応器に追加され得る。
例８（図６）は、プロセス１００の例示的実施形態を提供し、該例示的実施形態において、例３（図４）によって提供されるＬＩＰＯＮ膜２０５の堆積は、Ｔａなどの適切なるつぼ６０１からの金属リチウムの抵抗蒸着などの非スパッタ堆積プロセス６００によって支持され得る。成長するＬＩＰＯＮ膜２０５の方に向けられるリチウム蒸気６０３は、膜２０５におけるリチウム濃度を調整するのみならず、雰囲気４０３と６０５とを含む、窒素および酸素におけるリチウムの堆積による膜の中へ共に堆積される酸素および窒素の濃度もまた変化させ得る。厚さなどの他の望ましい一様性特徴の中で組成の観点における膜の一様性を改善するために、基板２０７はその垂直軸５０５の周りに回転され得る。
例９は、プロセス１００の例示的実施形態を提供し、該例示的実施形態において、図８によって提供される堆積は、シャッタ機構を備え得、該シャッタ機構は、スパッタ堆積または非スパッタ堆積のいずれかを何秒〜何分の間一時的に妨げ得、その結果、異なる電解質の活性層の層状スタックを作り、該層状スタックは、堆積中または堆積後のいずれかにおいて、ＬＩＰＯＮ膜の熱処理によって互いの中に拡散され得るかまたは拡散されない場合がある。
例１０（図７）は、プロセス１００の例示的実施形態を提供し、該例示的実施形態において、スパッタ標的７０１は、Ｌｉ５０Ａｌ５０合金、および、ＤＣ、パルスＤＣ、ＡＣ、または、スパッタリングされた材料とＦ２−Ａｒ反応性気体の混合とから成るスパッタプラズマプルーム７０３において堆積されスパッタリングされたＲＦから作製され、その結果、ガラス状イチウムイオン電解質ＬｉＡｌＦ４７０５が生じる。Ｌｉ５０Ａｌ５０合金は、金属的に伝導性であり、アルゴンなどの不活性雰囲気内において標準の冶金法によって最大厚さ５ｃｍに作られ得る。そのような厚い標的７０１をスパッタリングすることは、なおも可能である。なぜなら、標的７０１は高い熱伝導性を有し、該高い熱伝導性は標的支持プレート７０９を介して標的後部７０７の冷却７１１を可能状態にするからである。そのような厚い標的は、より薄い標的より取り替え頻度の必要が少なくなり、従って、（ｉ）真空蒸着反応器のメンテナンス間隔と、（ｉｉ）運用コストとを減少させる。
上に説明された実施形態および例は、例示にすぎない。当業者は、ここに具体的に説明された実施形態から変形を認識し得、該変形は、本開示および発明の範囲内にあることが意図される。そのようなものとして、本発明は、以下の特許請求の範囲によってのみ限定される。従って、本発明の修正が添付の特許請求の範囲およびその均等物の範囲内に入る限り、本発明が該修正を含むことが意図される。

Claims (26)

  1. リチウムイオン薄膜電解質を作製する方法であって、
    伝導性スパッタ標的を提供することと、
    真空蒸着チャンバを提供することと、
    該伝導性スパッタ標的をスパッタリングすることと、
    反応性スパッタ気体雰囲気においてリチウムイオン薄膜電解質を堆積させることと
    を包含する、方法。
  2. 前記薄膜電解質は、リン酸リチウムオキシナイトライドを含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記リチウムイオン薄膜電解質は、酸素、窒素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、硫黄、セレン、テルル、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、鉛、炭素、水素、ケイ素、ナトリウム、マグネシウム、およびジルコニウムの群から選択される少なくとも１つの元素を含む、請求項１に記載の方法。
  4. 前記真空蒸着チャンバは、ＲＦ適合性ではない、請求項１に記載の方法。
  5. 前記反応性スパッタ気体雰囲気は、酸素、窒素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、硫黄、セレン、テルル、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、鉛、炭素、水素、ケイ素、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、およびジルコニウムの群から選択される少なくとも１つの元素を含む、請求項１に記載の方法。
  6. スパッタ堆積プロセス条件の下で、前記反応性スパッタ気体雰囲気に気体化学元素の形態で提供される前記少なくとも１つの元素を提供することをさらに包含する、請求項５に記載の方法。
  7. スパッタ堆積プロセス条件の下で、前記反応性スパッタ気体雰囲気に気体化合物の形態で提供される前記少なくとも１つの元素を提供することをさらに包含する、請求項５に記載の方法。
  8. 前記伝導性スパッタ標的は、酸素、窒素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、硫黄、セレン、テルル、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、鉛、炭素、水素、ケイ素、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、およびジルコニウムの群から選択される少なくとも１つの元素を含む、請求項１に記載の方法。
  9. 前記伝導性スパッタ標的は、リチウムリン化物および亜リン化物（ＬｉｘＰ、ここで１≦ｘ≦１００）、リチウム窒化物および亜窒化物（ＬｉｘＮ、ここで３≦ｘ≦１００）、リン酸化物および亜酸化物（ＰＯｘ、ここでｘ≦２．５）、リン窒化物および亜窒化物（ＰＮｘ、ここでｘ≦１．７）、リチウム酸化物および亜酸化物（ＬｉｘＯ、ここで１≦ｘ≦１００）、ならびに元素のリンの群から選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項１に記載の方法。
  10. １ＭＨｚと１ＧＨｚとの間の周波数範囲内の無線周波数（ＲＦ）電力を用いて前記伝導性スパッタ標的に電圧を付加することをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  11. １Ｈｚと１ＭＨｚとの間の周波数範囲内の交流（ＡＣ）電力を用いて前記伝導性スパッタ標的に電圧を付加することをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  12. 直流（ＤＣ）電力を用いて前記伝導性スパッタ標的に電圧を付加することをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  13. パルス直流（ｐｕｌｓｅｄ ＤＣ）電力を用いて前記伝導性スパッタ標的に電圧を付加することをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  14. ＲＦ、ＡＣ、パルスＤＣ、およびＤＣの組み合わせから成る混合電力を用いて前記伝導性スパッタ標的に電圧を付加することをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  15. 前記伝導性スパッタ標的は、室温で１０−８Ｓ／ｃｍ以上の電子伝導性を示す、請求項１に記載の方法。
  16. 前記伝導性スパッタ標的は、室温で１０−４Ｓ／ｃｍを超える電子伝導性を示す、請求項１に記載の方法。
  17. 前記伝導性スパッタ標的は、室温で１Ｓ／ｃｍを超える電子伝導性を示す、請求項１に記載の方法。
  18. 基板表面において前記伝導性スパッタ標的材料を薄膜電解質材料に変換することをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  19. 前記薄膜電解質を堆積させるために２つ以上の伝導性スパッタ標的を用いることをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  20. 成長膜領域に１以上の非スパッタ堆積層を提供することをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  21. 交流周期方法で成長膜領域に１以上の非スパッタ堆積層を提供することをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
  22. 電気伝導性であるか絶縁性であるかのいずれかである材料供給源から前記非スパッタ堆積を提供することをさらに包含する、請求項２０に記載の方法。
  23. 前記伝導性スパッタ標的は、０．６ｃｍ〜５ｃｍの厚さを備えている、請求項１に記載の方法。
  24. 前記伝導性スパッタ標的は、標的タイルセグメントを備えている、請求項１に記載の方法。
  25. 前記標的タイルセグメントは、単相材料、多相材料、材料複合物の群から選択される少なくとも１つの元素を含む、請求項２４に記載の方法。
  26. 前記標的タイルセグメントのうちの少なくとも１つは、３００ｃｍ２より大きい請求項２４に記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018010849A (ja) * 2016-07-04 2018-01-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 酸窒化物を含む固体電解質、及びそれを用いた二次電池
US10693186B2 (en) 2016-07-04 2020-06-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solid electrolyte containing oxynitride, and secondary battery including the solid electrolyte

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030002043A1 (en) * 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment
US20080078268A1 (en) 2006-10-03 2008-04-03 H.C. Starck Inc. Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof
US20080145688A1 (en) 2006-12-13 2008-06-19 H.C. Starck Inc. Method of joining tantalum clade steel structures
US8197894B2 (en) 2007-05-04 2012-06-12 H.C. Starck Gmbh Methods of forming sputtering targets
US8246903B2 (en) 2008-09-09 2012-08-21 H.C. Starck Inc. Dynamic dehydriding of refractory metal powders
US10852613B2 (en) 2009-03-31 2020-12-01 View, Inc. Counter electrode material for electrochromic devices
US9261751B2 (en) 2010-04-30 2016-02-16 View, Inc. Electrochromic devices
US8432603B2 (en) 2009-03-31 2013-04-30 View, Inc. Electrochromic devices
US10591795B2 (en) 2009-03-31 2020-03-17 View, Inc. Counter electrode for electrochromic devices
US11187954B2 (en) 2009-03-31 2021-11-30 View, Inc. Electrochromic cathode materials
US8582193B2 (en) 2010-04-30 2013-11-12 View, Inc. Electrochromic devices
US10261381B2 (en) 2009-03-31 2019-04-16 View, Inc. Fabrication of low defectivity electrochromic devices
US10156762B2 (en) 2009-03-31 2018-12-18 View, Inc. Counter electrode for electrochromic devices
US8736947B2 (en) 2009-10-23 2014-05-27 Applied Materials, Inc. Materials and device stack for market viable electrochromic devices
TWI425103B (zh) * 2009-12-24 2014-02-01 Metal Ind Res Anddevelopment Ct Method and product of making zirconium - based metallic glass coating by multi - independent target
US9759975B2 (en) 2010-04-30 2017-09-12 View, Inc. Electrochromic devices
TWI402370B (zh) * 2010-06-11 2013-07-21 Ind Tech Res Inst 濺鍍含高蒸氣壓材料之鍍膜的方法與裝置
WO2012138498A1 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Sage Electrochromics, Inc. Improved method of controlling lithium uniformity
US9771646B2 (en) 2011-04-21 2017-09-26 View, Inc. Lithium sputter targets
WO2013003065A2 (en) 2011-06-30 2013-01-03 Soladigm, Inc. Sputter target and sputtering methods
US8734896B2 (en) 2011-09-29 2014-05-27 H.C. Starck Inc. Methods of manufacturing high-strength large-area sputtering targets
US8864954B2 (en) * 2011-12-23 2014-10-21 Front Edge Technology Inc. Sputtering lithium-containing material with multiple targets
US9077000B2 (en) 2012-03-29 2015-07-07 Front Edge Technology, Inc. Thin film battery and localized heat treatment
FR2995454B1 (fr) * 2012-09-07 2014-08-22 Commissariat Energie Atomique Procede pour la realisation d'un electrolyte a base de lithium pour micro-batterie solide
US9159964B2 (en) 2012-09-25 2015-10-13 Front Edge Technology, Inc. Solid state battery having mismatched battery cells
US8753724B2 (en) 2012-09-26 2014-06-17 Front Edge Technology Inc. Plasma deposition on a partially formed battery through a mesh screen
CN103066228A (zh) * 2012-12-27 2013-04-24 广东工业大学 一种无机/有机多层复合隔膜的制备方法
TWI611032B (zh) * 2013-09-05 2018-01-11 攀時歐洲公司 導電靶材
DE102014105531A1 (de) * 2014-04-17 2015-10-22 Schmid Energy Systems Gmbh LiPON oder LiPSON Festelektrolyt-Schichten und Verfahren zur Herstellung solcher Schichten
US11891327B2 (en) 2014-05-02 2024-02-06 View, Inc. Fabrication of low defectivity electrochromic devices
EP3189373B1 (en) 2014-09-05 2019-11-06 View, Inc. Electrochromic stack with particular counter electrode and method for fabricating such stack
CN107111197A (zh) 2014-11-26 2017-08-29 唯景公司 用于电致变色装置的对电极
US10008739B2 (en) 2015-02-23 2018-06-26 Front Edge Technology, Inc. Solid-state lithium battery with electrolyte
ES2584961B1 (es) * 2015-03-31 2017-07-04 Advanced Nanotechnologies, S.L. Elemento fungible para bombardeo con partículas y procedimiento de determinación de grabado de dicho elemento
US20170073805A1 (en) * 2015-04-30 2017-03-16 E-Chromic Technologies, Inc. Fabrication methodology for thin film lithium ion devices
KR102010240B1 (ko) * 2016-01-28 2019-08-13 한국화학연구원 발수 특성을 가지는 반사방지 필름 및 이의 제조방법
KR102361083B1 (ko) * 2015-09-01 2022-02-11 한국화학연구원 탄화불소 박막의 제조방법 및 이의 제조장치
WO2018005365A1 (en) 2016-06-27 2018-01-04 Board Of Regents, The University Of Texas System Softening nerve cuff electrodes
BE1025799B1 (nl) 2017-12-18 2019-07-19 Soleras Advanced Coatings Bvba Gespoten lithiumcobaltoxide-targets
WO2020036927A1 (en) * 2018-08-14 2020-02-20 Massachusetts Institute Of Technology Lithium-containing thin films
CN110120547B (zh) * 2019-05-20 2021-03-09 河南固锂电技术有限公司 用于全固态锂离子电池电解质膜的制备方法及电解质膜
CN110444751B (zh) * 2019-08-05 2021-06-01 张振刚 Li-Si-N纳米复合薄膜及其制备方法、负极结构及锂电池
GB2588946B (en) * 2019-11-15 2022-08-17 Dyson Technology Ltd Method of manufacturing crystalline material from different materials
GB2588944B (en) * 2019-11-15 2022-08-17 Dyson Technology Ltd Method of forming crystalline layer, method of forming a battery half cell
US20220056571A1 (en) * 2019-11-28 2022-02-24 Ulvac, Inc. Film Forming Method
US20210184200A1 (en) * 2019-12-11 2021-06-17 GM Global Technology Operations LLC Homogenous film coating of a particle
CN111430787B (zh) * 2020-03-03 2022-03-15 桂林电子科技大学 复合薄膜固体电解质及其制备方法与应用

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1030181A (ja) * 1996-03-27 1998-02-03 Saint Gobain Vitrage 電気化学装置
JP2000294291A (ja) * 1999-02-03 2000-10-20 Sanyo Electric Co Ltd ポリマー電解質電池
WO2002065573A1 (fr) * 2001-02-15 2002-08-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Cellule d'electrolyse solide et procede de production de cette derniere
WO2002095849A2 (en) * 2001-05-23 2002-11-28 Moltech Corporation Lithium anodes for electrochemical cells
WO2003036670A2 (fr) * 2001-10-22 2003-05-01 Commissariat A L'energie Atomique Dispositif de stockage d'energie a recharge rapide, sous forme de films minces
JP2004179161A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Samsung Electronics Co Ltd 固体電解質及びこれを採用した電池
JP2004193112A (ja) * 2002-11-27 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解質およびそれを用いた全固体電池
JP2004527068A (ja) * 2000-12-21 2004-09-02 モルテック・コーポレーション 電気化学電池のためのリチウム負極
US6818356B1 (en) * 2002-07-09 2004-11-16 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Thin film battery and electrolyte therefor
WO2006043470A1 (ja) * 2004-10-21 2006-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電池用負極とこれを用いた電池
JP2006120437A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解質電池
WO2006063308A2 (en) * 2004-12-08 2006-06-15 Symmorphix, Inc. DEPOSITION OF LICoO2
JP2006156284A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd リチウムイオン導電体およびそれを用いた二次電池
JP2007005219A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> リチウム２次電池及びその製造方法
WO2007042394A1 (en) * 2005-10-13 2007-04-19 Nv Bekaert Sa A method to deposit a coating by sputtering
JP2007188877A (ja) * 2005-12-14 2007-07-26 Mitsubishi Chemicals Corp 電極及びその製造方法、並びに非水電解質二次電池

Family Cites Families (737)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US712316A (en) 1899-10-26 1902-10-28 Francois Loppe Electric accumulator.
US2970180A (en) 1959-06-17 1961-01-31 Union Carbide Corp Alkaline deferred action cell
US3309302A (en) 1963-10-07 1967-03-14 Varian Associates Method of preparing an electron tube including sputtering a suboxide of titanium on dielectric components thereof
US3616403A (en) 1968-10-25 1971-10-26 Ibm Prevention of inversion of p-type semiconductor material during rf sputtering of quartz
US3790432A (en) 1971-12-30 1974-02-05 Nasa Reinforced polyquinoxaline gasket and method of preparing the same
US3797091A (en) 1972-05-15 1974-03-19 Du Pont Terminal applicator
US3850604A (en) 1972-12-11 1974-11-26 Gte Laboratories Inc Preparation of chalcogenide glass sputtering targets
US4111523A (en) 1973-07-23 1978-09-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Thin film optical waveguide
JPS559305Y2 (ja) 1974-12-10 1980-02-29
US3939008A (en) 1975-02-10 1976-02-17 Exxon Research And Engineering Company Use of perovskites and perovskite-related compounds as battery cathodes
US4127424A (en) 1976-12-06 1978-11-28 Ses, Incorporated Photovoltaic cell array
US4082569A (en) 1977-02-22 1978-04-04 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Solar cell collector
DE2849294C3 (de) 1977-11-22 1982-03-04 Asahi Kasei Kogyo K.K., Osaka Dünne Metall-Halogen-Zelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
IE49121B1 (en) 1978-12-11 1985-08-07 Triplex Safety Glass Co Producing glass sheets of required curved shape
US4318938A (en) 1979-05-29 1982-03-09 The University Of Delaware Method for the continuous manufacture of thin film solar cells
JPS5920374Y2 (ja) 1979-11-16 1984-06-13 技術資源開発株式会社 ロ−タ−式吹付機
JPS56156675U (ja) 1980-04-21 1981-11-21
US4395713A (en) 1980-05-06 1983-07-26 Antenna, Incorporated Transit antenna
US4442144A (en) 1980-11-17 1984-04-10 International Business Machines Corporation Method for forming a coating on a substrate
US4467236A (en) 1981-01-05 1984-08-21 Piezo Electric Products, Inc. Piezoelectric acousto-electric generator
US4328297A (en) 1981-03-27 1982-05-04 Yardngy Electric Corporation Electrode
US5055704A (en) 1984-07-23 1991-10-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with battery housing
US4664993A (en) 1981-08-24 1987-05-12 Polaroid Corporation Laminar batteries and methods of making the same
US4756717A (en) 1981-08-24 1988-07-12 Polaroid Corporation Laminar batteries and methods of making the same
JPS58216476A (ja) 1982-06-11 1983-12-16 Hitachi Ltd 光発電蓄電装置
JPS5950027A (ja) 1982-09-13 1984-03-22 Hitachi Ltd 二硫化チタン薄膜およびその形成法
US4518661A (en) 1982-09-28 1985-05-21 Rippere Ralph E Consolidation of wires by chemical deposition and products resulting therefrom
US4437966A (en) 1982-09-30 1984-03-20 Gte Products Corporation Sputtering cathode apparatus
JPS59217964A (ja) 1983-05-26 1984-12-08 Hitachi Ltd 薄膜電池の正極構造
JPS59227090A (ja) 1983-06-06 1984-12-20 Hitachi Ltd 不揮発性メモリ装置
DE3345659A1 (de) 1983-06-16 1984-12-20 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Keramikkoerper aus zirkoniumdioxid (zro(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)) und verfahren zu seiner herstellung
JPS6061217A (ja) 1983-09-14 1985-04-09 シナージスティクス　インダストリーズ　リミテッド 発泡プラスチック製品の製造方法
EP0140638B1 (en) 1983-10-17 1988-06-29 Tosoh Corporation High-strength zirconia type sintered body and process for preparation thereof
JPS6068558U (ja) 1983-10-17 1985-05-15 株式会社リコー 記録装置の作用剤移送装置
DE3417732A1 (de) 1984-05-12 1986-07-10 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum aufbringen von siliziumhaltigen schichten auf substraten durch katodenzerstaeubung und zerstaeubungskatode zur durchfuehrung des verfahrens
GB8414878D0 (en) 1984-06-11 1984-07-18 Gen Electric Co Plc Integrated optical waveguides
JPH06101335B2 (ja) 1984-11-26 1994-12-12 株式会社日立製作所 全固体リチウム電池
US4785459A (en) 1985-05-01 1988-11-15 Baer Thomas M High efficiency mode matched solid state laser with transverse pumping
JPS61269072A (ja) 1985-05-23 1986-11-28 Nippon Denki Sanei Kk 圧電式加速度センサ−
US4710940A (en) 1985-10-01 1987-12-01 California Institute Of Technology Method and apparatus for efficient operation of optically pumped laser
JPH0336962Y2 (ja) 1985-10-31 1991-08-06
US5173271A (en) 1985-12-04 1992-12-22 Massachusetts Institute Of Technology Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus
US5296089A (en) 1985-12-04 1994-03-22 Massachusetts Institute Of Technology Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus
US4964877A (en) 1986-01-14 1990-10-23 Wilson Greatbatch Ltd. Non-aqueous lithium battery
JPS62267944A (ja) 1986-05-16 1987-11-20 Hitachi Ltd 磁気記録媒体
US4668593A (en) 1986-08-29 1987-05-26 Eltron Research, Inc. Solvated electron lithium electrode for high energy density battery
US4977007A (en) 1986-09-19 1990-12-11 Matsushita Electrical Indust. Co. Solid electrochemical element and production process therefor
JPH07107752B2 (ja) 1986-10-24 1995-11-15 株式会社日立製作所 光学的情報記録担体
US4740431A (en) 1986-12-22 1988-04-26 Spice Corporation Integrated solar cell and battery
JPS63215842A (ja) 1987-03-05 1988-09-08 Takuma Co Ltd ガスタ−ビン発電システム
JPS63290922A (ja) 1987-05-22 1988-11-28 Matsushita Electric Works Ltd 体重計
US4728588A (en) 1987-06-01 1988-03-01 The Dow Chemical Company Secondary battery
US4865428A (en) 1987-08-21 1989-09-12 Corrigan Dennis A Electrooptical device
JPH0610127Y2 (ja) 1987-08-21 1994-03-16 三菱自動車工業株式会社 排出ガス後処理装置の再生用電気ヒ−タ
JP2692816B2 (ja) 1987-11-13 1997-12-17 株式会社きもと 薄型一次電池
US4826743A (en) 1987-12-16 1989-05-02 General Motors Corporation Solid-state lithium battery
US4878094A (en) 1988-03-30 1989-10-31 Minko Balkanski Self-powered electronic component and manufacturing method therefor
US4915810A (en) 1988-04-25 1990-04-10 Unisys Corporation Target source for ion beam sputter deposition
US4903326A (en) 1988-04-27 1990-02-20 Motorola, Inc. Detachable battery pack with a built-in broadband antenna
US5096852A (en) 1988-06-02 1992-03-17 Burr-Brown Corporation Method of making plastic encapsulated multichip hybrid integrated circuits
US5403680A (en) 1988-08-30 1995-04-04 Osaka Gas Company, Ltd. Photolithographic and electron beam lithographic fabrication of micron and submicron three-dimensional arrays of electronically conductive polymers
FR2638764B1 (fr) 1988-11-04 1993-05-07 Centre Nat Rech Scient Element composite comportant une couche en chalcogenure ou oxychalcogenure de titane, utilisable en particulier comme electrode positive dans une cellule electrochimique en couches minces
JPH02133599A (ja) 1988-11-11 1990-05-22 Agency Of Ind Science & Technol 酸化イリジウム膜の製造方法
JPH06100333B2 (ja) 1989-02-21 1994-12-12 三國工業株式会社 燃焼機器の炎検知回路
JPH02230662A (ja) 1989-03-03 1990-09-13 Tonen Corp リチウム電池
US5100821A (en) 1989-04-24 1992-03-31 Motorola, Inc. Semiconductor AC switch
US5006737A (en) 1989-04-24 1991-04-09 Motorola Inc. Transformerless semiconductor AC switch having internal biasing means
JP2808660B2 (ja) 1989-05-01 1998-10-08 ブラザー工業株式会社 薄膜電池内蔵プリント基板の製造方法
US5217828A (en) 1989-05-01 1993-06-08 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Flexible thin film cell including packaging material
US5540742A (en) 1989-05-01 1996-07-30 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Method of fabricating thin film cells and printed circuit boards containing thin film cells using a screen printing process
US5221891A (en) 1989-07-31 1993-06-22 Intermatic Incorporated Control circuit for a solar-powered rechargeable power source and load
US5119269A (en) 1989-08-23 1992-06-02 Seiko Epson Corporation Semiconductor with a battery unit
US5223457A (en) * 1989-10-03 1993-06-29 Applied Materials, Inc. High-frequency semiconductor wafer processing method using a negative self-bias
US5792550A (en) 1989-10-24 1998-08-11 Flex Products, Inc. Barrier film having high colorless transparency and method
JP2758948B2 (ja) 1989-12-15 1998-05-28 キヤノン株式会社 薄膜形成方法
DE4022090A1 (de) 1989-12-18 1991-06-20 Forschungszentrum Juelich Gmbh Elektro-optisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
US5252194A (en) 1990-01-26 1993-10-12 Varian Associates, Inc. Rotating sputtering apparatus for selected erosion
US5124782A (en) 1990-01-26 1992-06-23 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with molded cell
US5196374A (en) 1990-01-26 1993-03-23 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with molded cell
US5169408A (en) 1990-01-26 1992-12-08 Fsi International, Inc. Apparatus for wafer processing with in situ rinse
US5085904A (en) 1990-04-20 1992-02-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Barrier materials useful for packaging
US5306569A (en) 1990-06-15 1994-04-26 Hitachi Metals, Ltd. Titanium-tungsten target material and manufacturing method thereof
JP2755471B2 (ja) 1990-06-29 1998-05-20 日立電線株式会社 希土類元素添加光導波路及びその製造方法
US5645626A (en) 1990-08-10 1997-07-08 Bend Research, Inc. Composite hydrogen separation element and module
US5225288A (en) 1990-08-10 1993-07-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solvent blockers and multilayer barrier coatings for thin films
US5147985A (en) 1990-08-14 1992-09-15 The Scabbard Corporation Sheet batteries as substrate for electronic circuit
JPH0458456U (ja) 1990-09-28 1992-05-19
US5110694A (en) 1990-10-11 1992-05-05 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Secondary Li battery incorporating 12-Crown-4 ether
US5110696A (en) 1990-11-09 1992-05-05 Bell Communications Research Rechargeable lithiated thin film intercalation electrode battery
US5273608A (en) 1990-11-29 1993-12-28 United Solar Systems Corporation Method of encapsulating a photovoltaic device
US5493177A (en) 1990-12-03 1996-02-20 The Regents Of The University Of California Sealed micromachined vacuum and gas filled devices
US5057385A (en) 1990-12-14 1991-10-15 Hope Henry F Battery packaging construction
NL9002844A (nl) 1990-12-21 1992-07-16 Philips Nv Systeem omvattende een apparaat en een cassette, alsmede een apparaat en een cassette geschikt voor toepassing in een dergelijk systeem.
CA2056139C (en) 1991-01-31 2000-08-01 John C. Bailey Electrochromic thin film state-of-charge detector for on-the-cell application
US5227264A (en) 1991-02-14 1993-07-13 Hydro-Quebec Device for packaging a lithium battery
US6110531A (en) 1991-02-25 2000-08-29 Symetrix Corporation Method and apparatus for preparing integrated circuit thin films by chemical vapor deposition
US5180645A (en) 1991-03-01 1993-01-19 Motorola, Inc. Integral solid state embedded power supply
US5119460A (en) 1991-04-25 1992-06-02 At&T Bell Laboratories Erbium-doped planar optical device
US5200029A (en) 1991-04-25 1993-04-06 At&T Bell Laboratories Method of making a planar optical amplifier
US5107538A (en) 1991-06-06 1992-04-21 At&T Bell Laboratories Optical waveguide system comprising a rare-earth Si-based optical device
US5208121A (en) 1991-06-18 1993-05-04 Wisconsin Alumni Research Foundation Battery utilizing ceramic membranes
US5187564A (en) 1991-07-26 1993-02-16 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Application of laminated interconnect media between a laminated power source and semiconductor devices
US5153710A (en) 1991-07-26 1992-10-06 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with laminated backup cell
US5171413A (en) 1991-09-16 1992-12-15 Tufts University Methods for manufacturing solid state ionic devices
US5196041A (en) 1991-09-17 1993-03-23 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method of forming an optical channel waveguide by gettering
US5355089A (en) 1992-07-22 1994-10-11 Duracell Inc. Moisture barrier for battery with electrochemical tester
JP2755844B2 (ja) 1991-09-30 1998-05-25 シャープ株式会社 プラスチック基板液晶表示素子
US5702829A (en) 1991-10-14 1997-12-30 Commissariat A L'energie Atomique Multilayer material, anti-erosion and anti-abrasion coating incorporating said multilayer material
EP0570590B1 (en) 1991-12-06 1997-03-26 Yuasa Corporation Thin battery and monolithic thin battery
ATE153912T1 (de) 1991-12-11 1997-06-15 Mobil Oil Corp Hoch sperrender film
US5287427A (en) 1992-05-05 1994-02-15 At&T Bell Laboratories Method of making an article comprising an optical component, and article comprising the component
US5497140A (en) 1992-08-12 1996-03-05 Micron Technology, Inc. Electrically powered postage stamp or mailing or shipping label operative with radio frequency (RF) communication
US6144916A (en) 1992-05-15 2000-11-07 Micron Communications, Inc. Itinerary monitoring system for storing a plurality of itinerary data points
SE9201585L (sv) 1992-05-19 1993-11-01 Gustavsson Magnus Peter M Elektriskt uppvärmt plagg eller liknande
US6045652A (en) 1992-06-17 2000-04-04 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
US5779839A (en) 1992-06-17 1998-07-14 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
US5776278A (en) 1992-06-17 1998-07-07 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
US5326652A (en) 1993-01-25 1994-07-05 Micron Semiconductor, Inc. Battery package and method using flexible polymer films having a deposited layer of an inorganic material
US6741178B1 (en) 1992-06-17 2004-05-25 Micron Technology, Inc Electrically powered postage stamp or mailing or shipping label operative with radio frequency (RF) communication
DE4319878A1 (de) 1992-06-17 1993-12-23 Micron Technology Inc Hochfrequenz-Identifikationseinrichtung (HFID) und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5338625A (en) 1992-07-29 1994-08-16 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Thin film battery and method for making same
US7158031B2 (en) 1992-08-12 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Thin, flexible, RFID label and system for use
JP3214910B2 (ja) 1992-08-18 2001-10-02 富士通株式会社 平面導波路型光増幅器の製造方法
US5538796A (en) 1992-10-13 1996-07-23 General Electric Company Thermal barrier coating system having no bond coat
US5597661A (en) 1992-10-23 1997-01-28 Showa Denko K.K. Solid polymer electrolyte, battery and solid-state electric double layer capacitor using the same as well as processes for the manufacture thereof
JP3231900B2 (ja) 1992-10-28 2001-11-26 株式会社アルバック 成膜装置
US5326653A (en) 1992-10-29 1994-07-05 Valence Technology, Inc. Battery unit with reinforced current collector tabs and method of making a battery unit having strengthened current collector tabs
JP3214107B2 (ja) 1992-11-09 2001-10-02 富士電機株式会社 電池搭載集積回路装置
US5942089A (en) 1996-04-22 1999-08-24 Northwestern University Method for sputtering compounds on a substrate
JPH06158308A (ja) 1992-11-24 1994-06-07 Hitachi Metals Ltd インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
US5279624A (en) 1992-11-27 1994-01-18 Gould Inc. Solder sealed solid electrolyte cell housed within a ceramic frame and the method for producing it
US5307240A (en) 1992-12-02 1994-04-26 Intel Corporation Chiplid, multichip semiconductor package design concept
US6022458A (en) 1992-12-07 2000-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Method of production of a semiconductor substrate
AU669754B2 (en) 1992-12-18 1996-06-20 Becton Dickinson & Company Barrier coating
US5303319A (en) 1992-12-28 1994-04-12 Honeywell Inc. Ion-beam deposited multilayer waveguides and resonators
SE500725C2 (sv) 1992-12-29 1994-08-15 Volvo Ab Anordning vid paneler för farkoster
US5718813A (en) 1992-12-30 1998-02-17 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced reactive DC sputtering system
US5427669A (en) 1992-12-30 1995-06-27 Advanced Energy Industries, Inc. Thin film DC plasma processing system
US5547780A (en) 1993-01-18 1996-08-20 Yuasa Corporation Battery precursor and a battery
US5300461A (en) 1993-01-25 1994-04-05 Intel Corporation Process for fabricating sealed semiconductor chip using silicon nitride passivation film
US5338624A (en) 1993-02-08 1994-08-16 Globe-Union Inc. Thermal management of rechargeable batteries
JPH06279185A (ja) 1993-03-25 1994-10-04 Canon Inc ダイヤモンド結晶およびダイヤモンド結晶膜の形成方法
US5262254A (en) 1993-03-30 1993-11-16 Valence Technology, Inc. Positive electrode for rechargeable lithium batteries
US5302474A (en) 1993-04-02 1994-04-12 Valence Technology, Inc. Fullerene-containing cathodes for solid electrochemical cells
US5613995A (en) 1993-04-23 1997-03-25 Lucent Technologies Inc. Method for making planar optical waveguides
US5665490A (en) 1993-06-03 1997-09-09 Showa Denko K.K. Solid polymer electrolyte, battery and solid-state electric double layer capacitor using the same as well as processes for the manufacture thereof
US5464692A (en) 1993-06-17 1995-11-07 Quality Manufacturing Incorporated Flexible masking tape
SG74667A1 (en) 1993-07-28 2000-08-22 Asahi Glass Co Ltd Method of an apparatus for sputtering
US5499207A (en) 1993-08-06 1996-03-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device having improved isolation between electrodes, and process for fabricating the same
US5360686A (en) 1993-08-20 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration Thin composite solid electrolyte film for lithium batteries
US5599355A (en) 1993-08-20 1997-02-04 Nagasubramanian; Ganesan Method for forming thin composite solid electrolyte film for lithium batteries
JP2642849B2 (ja) 1993-08-24 1997-08-20 株式会社フロンテック 薄膜の製造方法および製造装置
US5478456A (en) 1993-10-01 1995-12-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sputtering target
US5314765A (en) * 1993-10-14 1994-05-24 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Protective lithium ion conducting ceramic coating for lithium metal anodes and associate method
EP0652308B1 (en) 1993-10-14 2002-03-27 Neuralsystems Corporation Method of and apparatus for forming single-crystalline thin film
US5411537A (en) 1993-10-29 1995-05-02 Intermedics, Inc. Rechargeable biomedical battery powered devices with recharging and control system therefor
US5445856A (en) 1993-11-10 1995-08-29 Chaloner-Gill; Benjamin Protective multilayer laminate for covering an electrochemical device
US5512387A (en) 1993-11-19 1996-04-30 Ovonic Battery Company, Inc. Thin-film, solid state battery employing an electrically insulating, ion conducting electrolyte material
US5738731A (en) 1993-11-19 1998-04-14 Mega Chips Corporation Photovoltaic device
US5985485A (en) 1993-11-19 1999-11-16 Ovshinsky; Stanford R. Solid state battery having a disordered hydrogenated carbon negative electrode
US5433835B1 (en) 1993-11-24 1997-05-20 Applied Materials Inc Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid
US5487822A (en) 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
US5387482A (en) 1993-11-26 1995-02-07 Motorola, Inc. Multilayered electrolyte and electrochemical cells used same
US5654984A (en) 1993-12-03 1997-08-05 Silicon Systems, Inc. Signal modulation across capacitors
US5419982A (en) 1993-12-06 1995-05-30 Valence Technology, Inc. Corner tab termination for flat-cell batteries
US6242128B1 (en) 1993-12-06 2001-06-05 Valence Technology, Inc. Fastener system of tab bussing for batteries
US5569520A (en) 1994-01-12 1996-10-29 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Rechargeable lithium battery for use in applications requiring a low to high power output
JPH07224379A (ja) 1994-02-14 1995-08-22 Ulvac Japan Ltd スパッタ方法およびそのスパッタ装置
US5961672A (en) 1994-02-16 1999-10-05 Moltech Corporation Stabilized anode for lithium-polymer batteries
JP3836163B2 (ja) 1994-02-22 2006-10-18 旭硝子セラミックス株式会社 高屈折率膜の形成方法
US5561004A (en) 1994-02-25 1996-10-01 Bates; John B. Packaging material for thin film lithium batteries
US5547781A (en) 1994-03-02 1996-08-20 Micron Communications, Inc. Button-type battery with improved separator and gasket construction
US5464706A (en) 1994-03-02 1995-11-07 Dasgupta; Sankar Current collector for lithium ion battery
US6408402B1 (en) 1994-03-22 2002-06-18 Hyperchip Inc. Efficient direct replacement cell fault tolerant architecture
US5475528A (en) 1994-03-25 1995-12-12 Corning Incorporated Optical signal amplifier glasses
US5470396A (en) 1994-04-12 1995-11-28 Amoco Corporation Solar cell module package and method for its preparation
US5805223A (en) 1994-05-25 1998-09-08 Canon Kk Image encoding apparatus having an intrapicture encoding mode and interpicture encoding mode
US5411592A (en) 1994-06-06 1995-05-02 Ovonic Battery Company, Inc. Apparatus for deposition of thin-film, solid state batteries
WO1995034515A1 (en) 1994-06-13 1995-12-21 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Lithium ion-conductive glass film and thin carbon dioxide gas sensor using the same film
US5472795A (en) 1994-06-27 1995-12-05 Board Of Regents Of The University Of The University Of Wisconsin System, On Behalf Of The University Of Wisconsin-Milwaukee Multilayer nanolaminates containing polycrystalline zirconia
US5457569A (en) 1994-06-30 1995-10-10 At&T Ipm Corp. Semiconductor amplifier or laser having integrated lens
WO1996000996A1 (en) 1994-06-30 1996-01-11 The Whitaker Corporation Planar hybrid optical amplifier
JP3407409B2 (ja) 1994-07-27 2003-05-19 富士通株式会社 高誘電率薄膜の製造方法
US6181283B1 (en) 1994-08-01 2001-01-30 Rangestar Wireless, Inc. Selectively removable combination battery and antenna assembly for a telecommunication device
US5504041A (en) 1994-08-01 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials
US5445906A (en) 1994-08-03 1995-08-29 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Method and system for constructing a rechargeable battery and battery structures formed with the method
US5458995A (en) 1994-08-12 1995-10-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Solid state electrochemical cell including lithium iodide as an electrolyte additive
US5483613A (en) 1994-08-16 1996-01-09 At&T Corp. Optical device with substrate and waveguide structure having thermal matching interfaces
US5909346A (en) 1994-08-26 1999-06-01 Aiwa Research & Development, Inc. Thin magnetic film including multiple geometry gap structures on a common substrate
JP3042333B2 (ja) 1994-10-18 2000-05-15 オムロン株式会社 電気信号変位変換装置、当該変換装置を用いた機器、および当該変換装置を用いた流体搬送装置の駆動方法
US5437692A (en) 1994-11-02 1995-08-01 Dasgupta; Sankar Method for forming an electrode-electrolyte assembly
US5498489A (en) 1995-04-14 1996-03-12 Dasgupta; Sankar Rechargeable non-aqueous lithium battery having stacked electrochemical cells
JPH08148709A (ja) 1994-11-15 1996-06-07 Mitsubishi Electric Corp 薄型太陽電池の製造方法及び薄型太陽電池の製造装置
US7162392B2 (en) 1994-11-21 2007-01-09 Phatrat Technology, Inc. Sport performance systems for measuring athletic performance, and associated methods
US6025094A (en) 1994-11-23 2000-02-15 Polyplus Battery Company, Inc. Protective coatings for negative electrodes
US6204111B1 (en) 1994-12-28 2001-03-20 Matsushita Electronics Corporation Fabrication method of capacitor for integrated circuit
CN1075243C (zh) 1994-12-28 2001-11-21 松下电器产业株式会社 集成电路用电容元件及其制造方法
US5555342A (en) 1995-01-17 1996-09-10 Lucent Technologies Inc. Planar waveguide and a process for its fabrication
US5607789A (en) 1995-01-23 1997-03-04 Duracell Inc. Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same
JP3804974B2 (ja) 1995-01-25 2006-08-02 アプライド コマツ テクノロジー株式会社 スパッタリングターゲット組立体のオートクレーブボンディング
US5755831A (en) 1995-02-22 1998-05-26 Micron Communications, Inc. Method of forming a button-type battery and a button-type battery with improved separator construction
US6444750B1 (en) 1995-03-06 2002-09-03 Exxonmobil Oil Corp. PVOH-based coating solutions
US5612153A (en) 1995-04-13 1997-03-18 Valence Technology, Inc. Battery mask from radiation curable and thermoplastic materials
EP0822996B1 (en) 1995-04-25 2003-07-02 VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GmbH Sputtering system using cylindrical rotating magnetron electrically powered using alternating current
US5771562A (en) 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
DE69633823T2 (de) 1995-05-18 2005-10-27 Asahi Glass Co., Ltd. Verfahren zur herstellung eines sputtertargets
US5645960A (en) 1995-05-19 1997-07-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Thin film lithium polymer battery
US5601952A (en) 1995-05-24 1997-02-11 Dasgupta; Sankar Lithium-Manganese oxide electrode for a rechargeable lithium battery
US5758575A (en) 1995-06-07 1998-06-02 Bemis Company Inc. Apparatus for printing an electrical circuit component with print cells in liquid communication
US5625202A (en) 1995-06-08 1997-04-29 University Of Central Florida Modified wurtzite structure oxide compounds as substrates for III-V nitride compound semiconductor epitaxial thin film growth
US6265652B1 (en) 1995-06-15 2001-07-24 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kabushiki Kaisha Integrated thin-film solar battery and method of manufacturing the same
KR100342189B1 (ko) 1995-07-12 2002-11-30 삼성전자 주식회사 휘발성복합체를사용한희토류원소첨가광섬유제조방법
US6639578B1 (en) 1995-07-20 2003-10-28 E Ink Corporation Flexible displays
US6459418B1 (en) 1995-07-20 2002-10-01 E Ink Corporation Displays combining active and non-active inks
US6118426A (en) 1995-07-20 2000-09-12 E Ink Corporation Transducers and indicators having printed displays
US5677784A (en) 1995-07-24 1997-10-14 Ellis D. Harris Sr. Family Trust Array of pellicle optical gates
ATE204029T1 (de) 1995-08-18 2001-08-15 Heraeus Gmbh W C Target für die kathodenzerstäubung und verfahren zur herstellung eines solchen targets
US5563979A (en) 1995-08-31 1996-10-08 Lucent Technologies Inc. Erbium-doped planar optical device
US5582935A (en) 1995-09-28 1996-12-10 Dasgupta; Sankar Composite electrode for a lithium battery
US5689522A (en) 1995-10-02 1997-11-18 The Regents Of The University Of California High efficiency 2 micrometer laser utilizing wing-pumped Tm3+ and a laser diode array end-pumping architecture
US5716736A (en) 1995-10-06 1998-02-10 Midwest Research Institute Solid lithium-ion electrolyte
US5616933A (en) 1995-10-16 1997-04-01 Sony Corporation Nitride encapsulated thin film transistor fabrication technique
US5719976A (en) 1995-10-24 1998-02-17 Lucent Technologies, Inc. Optimized waveguide structure
JP3298799B2 (ja) 1995-11-22 2002-07-08 ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド クラッディングポンプファイバとその製造方法
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5811177A (en) 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US6608464B1 (en) 1995-12-11 2003-08-19 The Johns Hopkins University Integrated power source layered with thin film rechargeable batteries, charger, and charge-control
US5644207A (en) 1995-12-11 1997-07-01 The Johns Hopkins University Integrated power source
US5897522A (en) 1995-12-20 1999-04-27 Power Paper Ltd. Flexible thin layer open electrochemical cell and applications of same
GB9601236D0 (en) 1996-01-22 1996-03-20 Atraverda Ltd Conductive coating
US5955161A (en) 1996-01-30 1999-09-21 Becton Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5637418A (en) 1996-02-08 1997-06-10 Motorola, Inc. Package for a flat electrochemical device
US5721067A (en) 1996-02-22 1998-02-24 Jacobs; James K. Rechargeable lithium battery having improved reversible capacity
US5845990A (en) 1996-03-11 1998-12-08 Hilite Systems, L.L.C. High signal lights for automotive vehicles
DE19609647A1 (de) * 1996-03-12 1997-09-18 Univ Sheffield Hartstoffschicht
AU1978497A (en) 1996-03-22 1997-10-10 Materials Research Corporation Method and apparatus for rf diode sputtering
US5930584A (en) 1996-04-10 1999-07-27 United Microelectronics Corp. Process for fabricating low leakage current electrode for LPCVD titanium oxide films
JPH1010675A (ja) 1996-04-22 1998-01-16 Fuji Photo Film Co Ltd 記録材料
JP3346167B2 (ja) 1996-05-27 2002-11-18 三菱マテリアル株式会社 高強度誘電体スパッタリングターゲットおよびその製造方法並びに膜
DE69731632D1 (de) 1996-06-12 2004-12-23 Treofan Germany Gmbh & Co Kg Durchsichtige sperrüberzüge mit verringerter dünnfilm-interferenz
EP0814529A1 (fr) 1996-06-19 1997-12-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carte mince comprenant un accumulateur plat et des contacts
US5948464A (en) 1996-06-19 1999-09-07 Imra America, Inc. Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
US5731661A (en) 1996-07-15 1998-03-24 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5855744A (en) 1996-07-19 1999-01-05 Applied Komatsu Technology, Inc. Non-planar magnet tracking during magnetron sputtering
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
JP3825843B2 (ja) 1996-09-12 2006-09-27 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
CN1716663A (zh) 1996-10-11 2006-01-04 马萨诸塞州技术研究院 电池用的聚合物电解质，嵌入式化合物和电极
US6007945A (en) 1996-10-15 1999-12-28 Electrofuel Inc. Negative electrode for a rechargeable lithium battery comprising a solid solution of titanium dioxide and tin dioxide
JP3631341B2 (ja) 1996-10-18 2005-03-23 Ｔｄｋ株式会社 積層型複合機能素子およびその製造方法
US5716728A (en) 1996-11-04 1998-02-10 Wilson Greatbatch Ltd. Alkali metal electrochemical cell with improved energy density
US5841931A (en) 1996-11-26 1998-11-24 Massachusetts Institute Of Technology Methods of forming polycrystalline semiconductor waveguides for optoelectronic integrated circuits, and devices formed thereby
US5783333A (en) 1996-11-27 1998-07-21 Polystor Corporation Lithium nickel cobalt oxides for positive electrodes
DE69735551T2 (de) 1996-12-11 2006-12-21 Tonen Chemical Corp. Dünner, aprotischer Elektrolytfilm, immobilisierter Flüssigfilmleiter und Polymerzelle
US6144795A (en) 1996-12-13 2000-11-07 Corning Incorporated Hybrid organic-inorganic planar optical waveguide device
US6289209B1 (en) 1996-12-18 2001-09-11 Micron Technology, Inc. Wireless communication system, radio frequency communications system, wireless communications method, radio frequency communications method
US5842118A (en) 1996-12-18 1998-11-24 Micron Communications, Inc. Communication system including diversity antenna queuing
JPH10195649A (ja) 1996-12-27 1998-07-28 Sony Corp マグネトロンスパッタ装置および半導体装置の製造方法
US5705293A (en) 1997-01-09 1998-01-06 Lockheed Martin Energy Research Corporation Solid state thin film battery having a high temperature lithium alloy anode
US5882812A (en) 1997-01-14 1999-03-16 Polyplus Battery Company, Inc. Overcharge protection systems for rechargeable batteries
US5790489A (en) 1997-01-21 1998-08-04 Dell Usa, L.P. Smart compact disk including a processor and a transmission element
JP4104187B2 (ja) 1997-02-06 2008-06-18 株式会社クレハ 二次電池電極用炭素質材料
US5944964A (en) 1997-02-13 1999-08-31 Optical Coating Laboratory, Inc. Methods and apparatus for preparing low net stress multilayer thin film coatings
JPH10229201A (ja) 1997-02-14 1998-08-25 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
JP3345878B2 (ja) 1997-02-17 2002-11-18 株式会社デンソー 電子回路装置の製造方法
US5847865A (en) 1997-02-18 1998-12-08 Regents Of The University Of Minnesota Waveguide optical amplifier
US5970393A (en) 1997-02-25 1999-10-19 Polytechnic University Integrated micro-strip antenna apparatus and a system utilizing the same for wireless communications for sensing and actuation purposes
JP3767151B2 (ja) 1997-02-26 2006-04-19 ソニー株式会社 薄型電池
JPH10302843A (ja) 1997-02-28 1998-11-13 Mitsubishi Electric Corp 電池用接着剤及びそれを用いた電池とその製造法
JP3228168B2 (ja) 1997-02-28 2001-11-12 株式会社豊田中央研究所 回転速度検出装置及びタイヤ発生力検出装置
JP3098204B2 (ja) 1997-03-07 2000-10-16 ティーディーケイ株式会社 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法
JP2975907B2 (ja) 1997-03-10 1999-11-10 株式会社ワコー 力・加速度・磁気の検出装置
US5952778A (en) 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
JPH10265948A (ja) 1997-03-25 1998-10-06 Rohm Co Ltd 半導体装置用基板およびその製法
EP0867985B1 (en) 1997-03-27 2001-02-14 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Erbium-doped planar waveguide
US6106933A (en) 1997-04-03 2000-08-22 Toray Industries, Inc. Transparent gas barrier biaxially oriented polypropylene film, a laminate film, and a production method thereof
US6242132B1 (en) 1997-04-16 2001-06-05 Ut-Battelle, Llc Silicon-tin oxynitride glassy composition and use as anode for lithium-ion battery
US5948215A (en) 1997-04-21 1999-09-07 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized sputtering
DE69802134T2 (de) 1997-04-23 2002-03-07 Hydro Quebec Dünnschicht Feststoff Lithiumzellen und Verfahren zur Herstellung
US6422698B2 (en) 1997-04-28 2002-07-23 Binney & Smith Inc. Ink jet marker
US6394598B1 (en) 1997-04-28 2002-05-28 Binney & Smith Inc. Ink jet marker
US5882721A (en) 1997-05-01 1999-03-16 Imra America Inc Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
US6329213B1 (en) 1997-05-01 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Methods for forming integrated circuits within substrates
JP3290375B2 (ja) 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JP4326041B2 (ja) 1997-05-15 2009-09-02 エフエムシー・コーポレイション ドープされた層間化合物およびその作製方法
US5895731A (en) 1997-05-15 1999-04-20 Nelson E. Smith Thin-film lithium battery and process
US5830330A (en) 1997-05-22 1998-11-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for low pressure sputtering
US5977582A (en) 1997-05-23 1999-11-02 Lucent Technologies Inc. Capacitor comprising improved TaOx -based dielectric
US6000603A (en) 1997-05-23 1999-12-14 3M Innovative Properties Company Patterned array of metal balls and methods of making
US6316563B2 (en) 1997-05-27 2001-11-13 Showa Denko K.K. Thermopolymerizable composition and use thereof
US6077106A (en) 1997-06-05 2000-06-20 Micron Communications, Inc. Thin profile battery mounting contact for printed circuit boards
US20010055719A1 (en) 1997-06-20 2001-12-27 Hiroyuki Akashi Cell
US5865860A (en) 1997-06-20 1999-02-02 Imra America, Inc. Process for filling electrochemical cells with electrolyte
US6051114A (en) 1997-06-23 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition
US5831262A (en) 1997-06-27 1998-11-03 Lucent Technologies Inc. Article comprising an optical fiber attached to a micromechanical device
JP3813740B2 (ja) 1997-07-11 2006-08-23 Ｔｄｋ株式会社 電子デバイス用基板
US5982144A (en) 1997-07-14 1999-11-09 Johnson Research & Development Company, Inc. Rechargeable battery power supply overcharge protection circuit
JP3335884B2 (ja) 1997-07-16 2002-10-21 株式会社荏原製作所 腐食・防食解析方法
US6046514A (en) 1997-07-25 2000-04-04 3M Innovative Properties Company Bypass apparatus and method for series connected energy storage devices
US5973913A (en) 1997-08-12 1999-10-26 Covalent Associates, Inc. Nonaqueous electrical storage device
KR100250855B1 (ko) 1997-08-28 2000-04-01 손욱 하이브리드 폴리머 전해질, 그 제조 방법 및 이를 사용하여제조한 리튬 전지
US6252564B1 (en) 1997-08-28 2001-06-26 E Ink Corporation Tiled displays
JPH11111273A (ja) 1997-09-29 1999-04-23 Furukawa Battery Co Ltd:The リチウム二次電池用極板の製造法及びリチウム二次電池
CN1121072C (zh) 1997-10-07 2003-09-10 松下电器产业株式会社 非水电解质二次电池
US5916704A (en) 1997-10-10 1999-06-29 Ultralife Batteries Low pressure battery vent
ATE434259T1 (de) 1997-10-14 2009-07-15 Patterning Technologies Ltd Methode zur herstellung eines elektrischen kondensators
US6094292A (en) 1997-10-15 2000-07-25 Trustees Of Tufts College Electrochromic window with high reflectivity modulation
US6982132B1 (en) 1997-10-15 2006-01-03 Trustees Of Tufts College Rechargeable thin film battery and method for making the same
US6084285A (en) 1997-10-20 2000-07-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lateral flux capacitor having fractal-shaped perimeters
US5985484A (en) 1997-10-20 1999-11-16 Amtek Research International Llc Battery separation
ATE223091T1 (de) 1997-10-22 2002-09-15 Cambridge Consultants Tragbare chipkarte
US5948562A (en) 1997-11-03 1999-09-07 Motorola, Inc. Energy storage device
US6041734A (en) 1997-12-01 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Use of an asymmetric waveform to control ion bombardment during substrate processing
US6052397A (en) 1997-12-05 2000-04-18 Sdl, Inc. Laser diode device having a substantially circular light output beam and a method of forming a tapered section in a semiconductor device to provide for a reproducible mode profile of the output beam
US6042965A (en) 1997-12-12 2000-03-28 Johnson Research & Development Company, Inc. Unitary separator and electrode structure and method of manufacturing separator
US5976327A (en) 1997-12-12 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Step coverage and overhang improvement by pedestal bias voltage modulation
US6120890A (en) 1997-12-12 2000-09-19 Seagate Technology, Inc. Magnetic thin film medium comprising amorphous sealing layer for reduced lithium migration
US6045942A (en) 1997-12-15 2000-04-04 Avery Dennison Corporation Low profile battery and method of making same
JPH11204088A (ja) 1998-01-07 1999-07-30 Toshiba Battery Co Ltd シート形電池
US6019284A (en) 1998-01-27 2000-02-01 Viztec Inc. Flexible chip card with display
US6137671A (en) 1998-01-29 2000-10-24 Energenius, Inc. Embedded energy storage device
US6608470B1 (en) 1998-01-31 2003-08-19 Motorola, Inc. Overcharge protection device and methods for lithium based rechargeable batteries
EP1055020A2 (en) 1998-02-12 2000-11-29 ACM Research, Inc. Plating apparatus and method
US6402795B1 (en) 1998-02-18 2002-06-11 Polyplus Battery Company, Inc. Plating metal negative electrodes under protective coatings
US6753108B1 (en) 1998-02-24 2004-06-22 Superior Micropowders, Llc Energy devices and methods for the fabrication of energy devices
US6223317B1 (en) 1998-02-28 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Bit synchronizers and methods of synchronizing and calculating error
US6080508A (en) 1998-03-06 2000-06-27 Electrofuel Inc. Packaging assembly for a lithium battery
US6610440B1 (en) 1998-03-10 2003-08-26 Bipolar Technologies, Inc Microscopic batteries for MEMS systems
US6004660A (en) 1998-03-12 1999-12-21 E.I. Du Pont De Nemours And Company Oxygen barrier composite film structure
US5889383A (en) 1998-04-03 1999-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for charging batteries with ambient acoustic energy
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
US6563998B1 (en) 1999-04-15 2003-05-13 John Farah Polished polymide substrate
US6753114B2 (en) 1998-04-20 2004-06-22 Electrovaya Inc. Composite electrolyte for a rechargeable lithium battery
US6175075B1 (en) 1998-04-21 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module excelling in reliability
US6169474B1 (en) 1998-04-23 2001-01-02 Micron Technology, Inc. Method of communications in a backscatter system, interrogator, and backscatter communications system
US6459726B1 (en) 1998-04-24 2002-10-01 Micron Technology, Inc. Backscatter interrogators, communication systems and backscatter communication methods
US6324211B1 (en) 1998-04-24 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Interrogators communication systems communication methods and methods of processing a communication signal
US6905578B1 (en) 1998-04-27 2005-06-14 Cvc Products, Inc. Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure
US6214061B1 (en) 1998-05-01 2001-04-10 Polyplus Battery Company, Inc. Method for forming encapsulated lithium electrodes having glass protective layers
US6420961B1 (en) 1998-05-14 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Wireless communication systems, interfacing devices, communication methods, methods of interfacing with an interrogator, and methods of operating an interrogator
US6075973A (en) 1998-05-18 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Method of communications in a backscatter system, interrogator, and backscatter communications system
US6115616A (en) 1998-05-28 2000-09-05 International Business Machines Corporation Hand held telephone set with separable keyboard
DE19824145A1 (de) 1998-05-29 1999-12-16 Siemens Ag Integrierte Antennenanordnung für mobile Telekommunikations-Endgeräte
JP3126698B2 (ja) 1998-06-02 2001-01-22 富士通株式会社 スパッタ成膜方法、スパッタ成膜装置及び半導体装置の製造方法
US6093944A (en) 1998-06-04 2000-07-25 Lucent Technologies Inc. Dielectric materials of amorphous compositions of TI-O2 doped with rare earth elements and devices employing same
US7854684B1 (en) 1998-06-24 2010-12-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Wearable device
KR100287176B1 (ko) 1998-06-25 2001-04-16 윤종용 고온산화를이용한반도체소자의커패시터형성방법
US6058233A (en) 1998-06-30 2000-05-02 Lucent Technologies Inc. Waveguide array with improved efficiency for wavelength routers and star couplers in integrated optics
GB9814123D0 (en) 1998-07-01 1998-08-26 British Gas Plc Electrochemical fuel cell
EP0969521A1 (de) 1998-07-03 2000-01-05 ISOVOLTAÖsterreichische IsolierstoffwerkeAktiengesellschaft Fotovoltaischer Modul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE19831719A1 (de) 1998-07-15 2000-01-20 Alcatel Sa Verfahren zur Herstellung planarer Wellenleiterstrukturen sowie Wellenleiterstruktur
US6358810B1 (en) 1998-07-28 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Method for superior step coverage and interface control for high K dielectric capacitors and related electrodes
US6146225A (en) 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
US6129277A (en) 1998-08-03 2000-10-10 Privicon, Inc. Card reader for transmission of data by sound
US6579728B2 (en) 1998-08-03 2003-06-17 Privicom, Inc. Fabrication of a high resolution, low profile credit card reader and card reader for transmission of data by sound
US6160373A (en) 1998-08-10 2000-12-12 Dunn; James P. Battery operated cableless external starting device and methods
KR100305903B1 (ko) 1998-08-21 2001-12-17 박호군 수직으로통합연결된박막형전지를구비하는전기및전자소자와그제작방법
JP2000067852A (ja) 1998-08-21 2000-03-03 Pioneer Electronic Corp リチウム二次電池
US6480699B1 (en) 1998-08-28 2002-11-12 Woodtoga Holdings Company Stand-alone device for transmitting a wireless signal containing data from a memory or a sensor
JP3386756B2 (ja) 1998-08-31 2003-03-17 松下電池工業株式会社 薄膜形成方法および薄膜形成装置
US6210832B1 (en) 1998-09-01 2001-04-03 Polyplus Battery Company, Inc. Mixed ionic electronic conductor coatings for redox electrodes
US6192222B1 (en) 1998-09-03 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Backscatter communication systems, interrogators, methods of communicating in a backscatter system, and backscatter communication methods
JP4014737B2 (ja) 1998-09-17 2007-11-28 昭和電工株式会社 熱重合性組成物及びその用途
US6236793B1 (en) 1998-09-23 2001-05-22 Molecular Optoelectronics Corporation Optical channel waveguide amplifier
US6362916B2 (en) 1998-09-25 2002-03-26 Fiver Laboratories All fiber gain flattening optical filter
US6159635A (en) 1998-09-29 2000-12-12 Electrofuel Inc. Composite electrode including current collector
KR100283954B1 (ko) 1998-10-13 2001-03-02 윤종용 광증폭기용 광섬유
US7323634B2 (en) 1998-10-14 2008-01-29 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
KR100282487B1 (ko) 1998-10-19 2001-02-15 윤종용 고유전 다층막을 이용한 셀 캐패시터 및 그 제조 방법
US6605228B1 (en) 1998-10-19 2003-08-12 Nhk Spring Co., Ltd. Method for fabricating planar optical waveguide devices
JP4126711B2 (ja) 1998-10-23 2008-07-30 ソニー株式会社 非水電解質電池
JP3830008B2 (ja) 1998-10-30 2006-10-04 ソニー株式会社 非水電解質電池
US6157765A (en) 1998-11-03 2000-12-05 Lucent Technologies Planar waveguide optical amplifier
KR100280705B1 (ko) 1998-11-05 2001-03-02 김순택 리튬 이온 폴리머 전지용 전극 활물질 조성물 및 이를 이용한리튬 이온 폴리머 전지용 전극판의 제조방법
US6797429B1 (en) 1998-11-06 2004-09-28 Japan Storage Battery Co, Ltd. Non-aqueous electrolytic secondary cell
DE69932304T2 (de) 1998-11-09 2007-12-06 Ballard Power Systems Inc., Burnaby Elektrische Kontaktvorrichtung für eine Brennstoffzelle
US6384573B1 (en) 1998-11-12 2002-05-07 James Dunn Compact lightweight auxiliary multifunctional reserve battery engine starting system (and methods)
US6117279A (en) 1998-11-12 2000-09-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for increasing the metal ion fraction in ionized physical vapor deposition
JP2000162234A (ja) 1998-11-30 2000-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電センサ回路
DE69936706T2 (de) 1998-12-03 2008-04-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Lithiumspeicherbatterie
TW439308B (en) 1998-12-16 2001-06-07 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP2000188099A (ja) 1998-12-22 2000-07-04 Mitsubishi Chemicals Corp 薄膜型電池の製造方法
GB9900396D0 (en) 1999-01-08 1999-02-24 Danionics As Arrangements of electrochemical cells
US6599662B1 (en) 1999-01-08 2003-07-29 Massachusetts Institute Of Technology Electroactive material for secondary batteries and methods of preparation
JP4074418B2 (ja) 1999-01-11 2008-04-09 三菱化学株式会社 薄膜型リチウム二次電池
US6379835B1 (en) 1999-01-12 2002-04-30 Morgan Adhesives Company Method of making a thin film battery
US6290822B1 (en) 1999-01-26 2001-09-18 Agere Systems Guardian Corp. Sputtering method for forming dielectric films
US6302939B1 (en) 1999-02-01 2001-10-16 Magnequench International, Inc. Rare earth permanent magnet and method for making same
US6306265B1 (en) 1999-02-12 2001-10-23 Applied Materials, Inc. High-density plasma for ionized metal deposition capable of exciting a plasma wave
AU768057B2 (en) 1999-02-25 2003-11-27 Kaneka Corporation Integrated thin-film solar battery
US6210544B1 (en) 1999-03-08 2001-04-03 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic film forming method
US6603391B1 (en) 1999-03-09 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Phase shifters, interrogators, methods of shifting a phase angle of a signal, and methods of operating an interrogator
US6356764B1 (en) 1999-03-09 2002-03-12 Micron Technology, Inc. Wireless communication systems, interrogators and methods of communicating within a wireless communication system
US6379846B1 (en) 1999-03-16 2002-04-30 Sumitomo Chemical Company, Limited Non-aqueous electrolyte and lithium secondary battery using the same
US6277520B1 (en) 1999-03-19 2001-08-21 Ntk Powerdex, Inc. Thin lithium battery with slurry cathode
US6280875B1 (en) 1999-03-24 2001-08-28 Teledyne Technologies Incorporated Rechargeable battery structure with metal substrate
EP1039554B1 (en) 1999-03-25 2003-05-14 Kaneka Corporation Method of manufacturing thin film solar cell-modules
US6160215A (en) 1999-03-26 2000-12-12 Curtin; Lawrence F. Method of making photovoltaic device
US6148503A (en) 1999-03-31 2000-11-21 Imra America, Inc. Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
US6398824B1 (en) 1999-04-02 2002-06-04 Excellatron Solid State, Llc Method for manufacturing a thin-film lithium battery by direct deposition of battery components on opposite sides of a current collector
US6242129B1 (en) 1999-04-02 2001-06-05 Excellatron Solid State, Llc Thin lithium film battery
US6168884B1 (en) 1999-04-02 2001-01-02 Lockheed Martin Energy Research Corporation Battery with an in-situ activation plated lithium anode
US6855441B1 (en) 1999-04-14 2005-02-15 Power Paper Ltd. Functionally improved battery and method of making same
AU3985200A (en) 1999-04-14 2000-11-14 Power Paper Ltd. Functionally improved battery and method of making same
US6416598B1 (en) 1999-04-20 2002-07-09 Reynolds Metals Company Free machining aluminum alloy with high melting point machining constituent and method of use
KR100296741B1 (ko) 1999-05-11 2001-07-12 박호군 트렌치 구조를 갖는 전지 및 그 제조방법
US6281142B1 (en) 1999-06-04 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Dielectric cure for reducing oxygen vacancies
JP3736205B2 (ja) 1999-06-04 2006-01-18 三菱電機株式会社 バッテリ蓄電装置
US6046081A (en) 1999-06-10 2000-04-04 United Microelectronics Corp. Method for forming dielectric layer of capacitor
US6133670A (en) 1999-06-24 2000-10-17 Sandia Corporation Compact electrostatic comb actuator
US6413676B1 (en) 1999-06-28 2002-07-02 Lithium Power Technologies, Inc. Lithium ion polymer electrolytes
JP2001020065A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Hitachi Metals Ltd スパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料
JP2001021744A (ja) 1999-07-07 2001-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 光導波路基板の製造方法
JP2001025666A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Nippon Sheet Glass Co Ltd 積層体およびその製造方法
US6290821B1 (en) 1999-07-15 2001-09-18 Seagate Technology Llc Sputter deposition utilizing pulsed cathode and substrate bias power
KR100456647B1 (ko) 1999-08-05 2004-11-10 에스케이씨 주식회사 리튬 이온 폴리머 전지
US6344795B1 (en) 1999-08-17 2002-02-05 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for generating temperature based alerting signals
US6249222B1 (en) 1999-08-17 2001-06-19 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for generating color based alerting signals
US6356230B1 (en) 1999-08-20 2002-03-12 Micron Technology, Inc. Interrogators, wireless communication systems, methods of operating an interrogator, methods of monitoring movement of a radio frequency identification device, methods of monitoring movement of a remote communication device and movement monitoring methods
US6414626B1 (en) 1999-08-20 2002-07-02 Micron Technology, Inc. Interrogators, wireless communication systems, methods of operating an interrogator, methods of operating a wireless communication system, and methods of determining range of a remote communication device
US6537428B1 (en) 1999-09-02 2003-03-25 Veeco Instruments, Inc. Stable high rate reactive sputtering
US6645675B1 (en) 1999-09-02 2003-11-11 Lithium Power Technologies, Inc. Solid polymer electrolytes
US6664006B1 (en) 1999-09-02 2003-12-16 Lithium Power Technologies, Inc. All-solid-state electrochemical device and method of manufacturing
US6392565B1 (en) 1999-09-10 2002-05-21 Eworldtrack, Inc. Automobile tracking and anti-theft system
US6528212B1 (en) 1999-09-13 2003-03-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Lithium battery
US6344366B1 (en) 1999-09-15 2002-02-05 Lockheed Martin Energy Research Corporation Fabrication of highly textured lithium cobalt oxide films by rapid thermal annealing
US6296949B1 (en) 1999-09-16 2001-10-02 Ga-Tek Inc. Copper coated polyimide with metallic protective layer
JP4240679B2 (ja) 1999-09-21 2009-03-18 ソニー株式会社 スパッタリング用ターゲットの製造方法
US6296967B1 (en) 1999-09-24 2001-10-02 Electrofuel Inc. Lithium battery structure incorporating lithium pouch cells
TW457767B (en) 1999-09-27 2001-10-01 Matsushita Electric Works Ltd Photo response semiconductor switch having short circuit load protection
JP4460742B2 (ja) 1999-10-01 2010-05-12 日本碍子株式会社 圧電／電歪デバイス及びその製造方法
US6368275B1 (en) 1999-10-07 2002-04-09 Acuson Corporation Method and apparatus for diagnostic medical information gathering, hyperthermia treatment, or directed gene therapy
DE19948839A1 (de) 1999-10-11 2001-04-12 Bps Alzenau Gmbh Leitende transparente Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6500287B1 (en) 1999-10-14 2002-12-31 Forskarpatent I Uppsala Ab Color-modifying treatment of thin films
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US20070196682A1 (en) 1999-10-25 2007-08-23 Visser Robert J Three dimensional multilayer barrier and method of making
US6573652B1 (en) 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6548912B1 (en) 1999-10-25 2003-04-15 Battelle Memorial Institute Semicoductor passivation using barrier coatings
US6623861B2 (en) 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6413284B1 (en) 1999-11-01 2002-07-02 Polyplus Battery Company Encapsulated lithium alloy electrodes having barrier layers
US6413285B1 (en) 1999-11-01 2002-07-02 Polyplus Battery Company Layered arrangements of lithium electrodes
US6529827B1 (en) 1999-11-01 2003-03-04 Garmin Corporation GPS device with compass and altimeter and method for displaying navigation information
US6271793B1 (en) 1999-11-05 2001-08-07 International Business Machines Corporation Radio frequency (RF) transponder (Tag) with composite antenna
WO2001035471A2 (en) 1999-11-11 2001-05-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lithium battery comprising a gel-eletrolyte
US6340880B1 (en) 1999-11-11 2002-01-22 Mitsumi Electric Co., Ltd. Method of protecting a chargeable electric cell
JP3999424B2 (ja) 1999-11-16 2007-10-31 ローム株式会社 端子基板、端子基板を備えた電池パック、および端子基板の製造方法
US6733924B1 (en) 1999-11-23 2004-05-11 Moltech Corporation Lithium anodes for electrochemical cells
US6797428B1 (en) 1999-11-23 2004-09-28 Moltech Corporation Lithium anodes for electrochemical cells
US6511516B1 (en) 2000-02-23 2003-01-28 Johnson Research & Development Co., Inc. Method and apparatus for producing lithium based cathodes
US6582481B1 (en) 1999-11-23 2003-06-24 Johnson Research & Development Company, Inc. Method of producing lithium base cathodes
US6350353B2 (en) 1999-11-24 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Alternate steps of IMP and sputtering process to improve sidewall coverage
US6426863B1 (en) 1999-11-25 2002-07-30 Lithium Power Technologies, Inc. Electrochemical capacitor
US6294288B1 (en) 1999-12-01 2001-09-25 Valence Technology, Inc. Battery cell having notched layers
EP1234199A1 (en) 1999-12-02 2002-08-28 Gemfire Corporation Photodefinition of optical devices
US6344419B1 (en) 1999-12-03 2002-02-05 Applied Materials, Inc. Pulsed-mode RF bias for sidewall coverage improvement
JP3611765B2 (ja) 1999-12-09 2005-01-19 シャープ株式会社 二次電池及びそれを用いた電子機器
JP2001176464A (ja) 1999-12-17 2001-06-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 非水電解質電池
US6426163B1 (en) 1999-12-21 2002-07-30 Alcatel Electrochemical cell
JP2001171812A (ja) 1999-12-22 2001-06-26 Tokyo Gas Co Ltd 岩盤内貯蔵施設およびその施工方法
US6576546B2 (en) 1999-12-22 2003-06-10 Texas Instruments Incorporated Method of enhancing adhesion of a conductive barrier layer to an underlying conductive plug and contact for ferroelectric applications
US6534809B2 (en) 1999-12-22 2003-03-18 Agilent Technologies, Inc. Hardmask designs for dry etching FeRAM capacitor stacks
CN1307376A (zh) 2000-01-27 2001-08-08 钟馨稼 一种可反复充放电的铬氟锂固体动力电池
US6372383B1 (en) 2000-01-31 2002-04-16 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for preparing electrodes for Ni/Metal hydride secondary cells using Cu
US6627056B2 (en) 2000-02-16 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for ionized plasma deposition
TW523615B (en) 2000-02-17 2003-03-11 L3 Optics Inc Guided wave optical switch based on an active semiconductor amplifier and a passive optical component
ATE391323T1 (de) 2000-02-18 2008-04-15 Cypak Ab Verfahren und vorrichtung zur identifizierung und authentisierung
JP5479659B2 (ja) 2000-02-23 2014-04-23 エスアールアイ インターナショナル 生体によって動力を供給される電気活性ポリマジェネレータ
TW584905B (en) 2000-02-25 2004-04-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for depositing films
US6410471B2 (en) 2000-03-07 2002-06-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for preparation of sintered body of rare earth oxide
EP1297577B1 (de) 2000-03-09 2008-09-03 Isovolta Ag Verfahren zum herstellen eines photovoltaischen dünnfilm-moduls
FR2806198B1 (fr) 2000-03-13 2003-08-15 Sagem Dispositif radio d'echange d'informations
CN1225057C (zh) 2000-03-15 2005-10-26 阿苏拉布股份有限公司 用于小尺寸的设备的多频率天线
JP2001259494A (ja) 2000-03-17 2001-09-25 Matsushita Battery Industrial Co Ltd 薄膜形成方法
AU2001250958A1 (en) 2000-03-24 2001-10-08 Cymbet Corporation Continuous processing of thin-film batteries and like devices
US6387563B1 (en) 2000-03-28 2002-05-14 Johnson Research & Development, Inc. Method of producing a thin film battery having a protective packaging
JP4106644B2 (ja) 2000-04-04 2008-06-25 ソニー株式会社 電池およびその製造方法
US6423106B1 (en) 2000-04-05 2002-07-23 Johnson Research & Development Method of producing a thin film battery anode
US6709778B2 (en) 2000-04-10 2004-03-23 Johnson Electro Mechanical Systems, Llc Electrochemical conversion system
GB2361244B (en) 2000-04-14 2004-02-11 Trikon Holdings Ltd A method of depositing dielectric
US6365319B1 (en) 2000-04-20 2002-04-02 Eastman Kodak Company Self-contained imaging media comprising opaque laminated support
US20010052752A1 (en) 2000-04-25 2001-12-20 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
KR100341407B1 (ko) 2000-05-01 2002-06-22 윤덕용 플라즈마 처리에 의한 리튬전이금속 산화물 박막의 결정화방법
US6433465B1 (en) 2000-05-02 2002-08-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Energy-harvesting device using electrostrictive polymers
US6423776B1 (en) 2000-05-02 2002-07-23 Honeywell International Inc. Oxygen scavenging high barrier polyamide compositions for packaging applications
US6760520B1 (en) 2000-05-09 2004-07-06 Teralux Corporation System and method for passively aligning and coupling optical devices
US6261917B1 (en) 2000-05-09 2001-07-17 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. High-K MOM capacitor
US6384473B1 (en) 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
JP4432206B2 (ja) 2000-05-18 2010-03-17 株式会社ブリヂストン 積層膜の形成方法
US6436156B1 (en) 2000-05-25 2002-08-20 The Gillette Company Zinc/air cell
EP1160900A3 (en) 2000-05-26 2007-12-12 Kabushiki Kaisha Riken Embossed current collector separator for electrochemical fuel cell
US6284406B1 (en) 2000-06-09 2001-09-04 Ntk Powerdex, Inc. IC card with thin battery
US6524750B1 (en) 2000-06-17 2003-02-25 Eveready Battery Company, Inc. Doped titanium oxide additives
US6432577B1 (en) 2000-06-29 2002-08-13 Sandia Corporation Apparatus and method for fabricating a microbattery
JP2002026173A (ja) 2000-07-10 2002-01-25 Fuji Photo Film Co Ltd Ｉｃ装置、基板、およびｉｃ組付基板
US20040247921A1 (en) 2000-07-18 2004-12-09 Dodsworth Robert S. Etched dielectric film in hard disk drives
US6524466B1 (en) 2000-07-18 2003-02-25 Applied Semiconductor, Inc. Method and system of preventing fouling and corrosion of biomedical devices and structures
KR100336407B1 (ko) 2000-07-19 2002-05-10 박호군 박막 전지를 위한 전해질용 리튬인산염 스퍼터링 타겟제조방법
JP3608507B2 (ja) 2000-07-19 2005-01-12 住友電気工業株式会社 アルカリ金属薄膜部材の製造方法
US6402796B1 (en) 2000-08-07 2002-06-11 Excellatron Solid State, Llc Method of producing a thin film battery
US6506289B2 (en) 2000-08-07 2003-01-14 Symmorphix, Inc. Planar optical devices and methods for their manufacture
US20020110733A1 (en) 2000-08-07 2002-08-15 Johnson Lonnie G. Systems and methods for producing multilayer thin film energy storage devices
WO2002049405A2 (en) 2000-08-15 2002-06-20 World Properties, Inc. Multi-layer circuits and methods of manufacture thereof
US6572173B2 (en) 2000-08-28 2003-06-03 Mueller Hermann-Frank Sun shield for vehicles
KR100387121B1 (ko) 2000-08-31 2003-06-12 주식회사 애니셀 수직 방향으로 집적된 다층 박막전지 및 그의 제조방법
US6866963B2 (en) 2000-09-04 2005-03-15 Samsung Sdi Co., Ltd. Cathode active material and lithium battery employing the same
US7056620B2 (en) 2000-09-07 2006-06-06 Front Edge Technology, Inc. Thin film battery and method of manufacture
US6632563B1 (en) 2000-09-07 2003-10-14 Front Edge Technology, Inc. Thin film battery and method of manufacture
CA2422212A1 (en) 2000-09-14 2003-03-13 Ulf Zum Felde Electrochemically activatable layer or film
US6628876B1 (en) 2000-09-15 2003-09-30 Triquint Technology Holding Co. Method for making a planar waveguide
TW448318B (en) 2000-09-18 2001-08-01 Nat Science Council Erbium, Yttrium co-doped Titanium oxide thin film material for planar optical waveguide amplifier
DE10146227B4 (de) 2000-09-20 2015-01-29 Hitachi Metals, Ltd. Siliciumnitrid-Sinterkörper, Leiterplatte und thermoelektrisches Modul
US6637916B2 (en) 2000-10-05 2003-10-28 Muellner Hermann-Frank Lamp for vehicles
US6660660B2 (en) 2000-10-10 2003-12-09 Asm International, Nv. Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit
JP4532713B2 (ja) 2000-10-11 2010-08-25 東洋鋼鈑株式会社 多層金属積層フィルム及びその製造方法
KR100389655B1 (ko) 2000-10-14 2003-06-27 삼성에스디아이 주식회사 우수한 사이클링 안정성과 높은 이온 전도도를 갖는리튬-이온 이차 박막 전지
US6622049B2 (en) 2000-10-16 2003-09-16 Remon Medical Technologies Ltd. Miniature implantable illuminator for photodynamic therapy
US6488822B1 (en) 2000-10-20 2002-12-03 Veecoleve, Inc. Segmented-target ionized physical-vapor deposition apparatus and method of operation
US6525976B1 (en) 2000-10-24 2003-02-25 Excellatron Solid State, Llc Systems and methods for reducing noise in mixed-mode integrated circuits
JP2002140776A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 人体状態検出装置及び人体状態確認システム
US6413382B1 (en) 2000-11-03 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Pulsed sputtering with a small rotating magnetron
US6863699B1 (en) 2000-11-03 2005-03-08 Front Edge Technology, Inc. Sputter deposition of lithium phosphorous oxynitride material
JP3812324B2 (ja) 2000-11-06 2006-08-23 日本電気株式会社 リチウム二次電池とその製造方法
US6494999B1 (en) 2000-11-09 2002-12-17 Honeywell International Inc. Magnetron sputtering apparatus with an integral cooling and pressure relieving cathode
ATE356444T1 (de) 2000-11-18 2007-03-15 Samsung Sdi Co Ltd Dünnschicht anode für lithium enthaltende sekundärbatterie
KR100389908B1 (ko) 2000-11-18 2003-07-04 삼성에스디아이 주식회사 리튬 2차 전지용 음극 박막
US20020106297A1 (en) 2000-12-01 2002-08-08 Hitachi Metals, Ltd. Co-base target and method of producing the same
NL1016779C2 (nl) 2000-12-02 2002-06-04 Cornelis Johannes Maria V Rijn Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
JP4461656B2 (ja) 2000-12-07 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子
US20020071989A1 (en) 2000-12-08 2002-06-13 Verma Surrenda K. Packaging systems and methods for thin film solid state batteries
US20020091929A1 (en) 2000-12-19 2002-07-11 Jakob Ehrensvard Secure digital signing of data
US6444336B1 (en) 2000-12-21 2002-09-03 The Regents Of The University Of California Thin film dielectric composite materials
US6620545B2 (en) 2001-01-05 2003-09-16 Visteon Global Technologies, Inc. ETM based battery
US6650000B2 (en) 2001-01-16 2003-11-18 International Business Machines Corporation Apparatus and method for forming a battery in an integrated circuit
US6533907B2 (en) 2001-01-19 2003-03-18 Symmorphix, Inc. Method of producing amorphous silicon for hard mask and waveguide applications
US6673716B1 (en) 2001-01-30 2004-01-06 Novellus Systems, Inc. Control of the deposition temperature to reduce the via and contact resistance of Ti and TiN deposited using ionized PVD techniques
US6558836B1 (en) 2001-02-08 2003-05-06 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Structure of thin-film lithium microbatteries
US6589299B2 (en) 2001-02-13 2003-07-08 3M Innovative Properties Company Method for making electrode
WO2002071506A1 (en) 2001-02-15 2002-09-12 Emagin Corporation Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
US20020139662A1 (en) 2001-02-21 2002-10-03 Lee Brent W. Thin-film deposition of low conductivity targets using cathodic ARC plasma process
US20020164441A1 (en) 2001-03-01 2002-11-07 The University Of Chicago Packaging for primary and secondary batteries
US7048400B2 (en) 2001-03-22 2006-05-23 Lumimove, Inc. Integrated illumination system
US7164206B2 (en) 2001-03-28 2007-01-16 Intel Corporation Structure in a microelectronic device including a bi-layer for a diffusion barrier and an etch-stop layer
US6797137B2 (en) 2001-04-11 2004-09-28 Heraeus, Inc. Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal
US7914755B2 (en) 2001-04-12 2011-03-29 Eestor, Inc. Method of preparing ceramic powders using chelate precursors
US7033406B2 (en) 2001-04-12 2006-04-25 Eestor, Inc. Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
US7595109B2 (en) 2001-04-12 2009-09-29 Eestor, Inc. Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
US6677070B2 (en) 2001-04-19 2004-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hybrid thin film/thick film solid oxide fuel cell and method of manufacturing the same
US6782290B2 (en) 2001-04-27 2004-08-24 Medtronic, Inc. Implantable medical device with rechargeable thin-film microbattery power source
US7744735B2 (en) 2001-05-04 2010-06-29 Tokyo Electron Limited Ionized PVD with sequential deposition and etching
US6743488B2 (en) 2001-05-09 2004-06-01 Cpfilms Inc. Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide
JP2002344115A (ja) 2001-05-16 2002-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 成膜方法及びプリント基板の製造方法
US6650942B2 (en) 2001-05-30 2003-11-18 Medtronic, Inc. Implantable medical device with dual cell power source
US6517968B2 (en) 2001-06-11 2003-02-11 Excellatron Solid State, Llc Thin lithium film battery
US6752842B2 (en) 2001-06-18 2004-06-22 Power Paper Ltd. Manufacture of flexible thin layer electrochemical cell
JP3737389B2 (ja) 2001-06-19 2006-01-18 京セラ株式会社 バッテリー
JP3929839B2 (ja) 2001-06-28 2007-06-13 松下電器産業株式会社 電池及び電池パック
JP4183401B2 (ja) 2001-06-28 2008-11-19 三洋電機株式会社 リチウム二次電池用電極の製造方法及びリチウム二次電池
US6768855B1 (en) 2001-07-05 2004-07-27 Sandia Corporation Vertically-tapered optical waveguide and optical spot transformer formed therefrom
US7469558B2 (en) 2001-07-10 2008-12-30 Springworks, Llc As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US6758404B2 (en) 2001-08-03 2004-07-06 General Instrument Corporation Media cipher smart card
DE10140514A1 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 Heraeus Gmbh W C Sputtertarget auf Basis von Titandioxid
US7335441B2 (en) 2001-08-20 2008-02-26 Power Paper Ltd. Thin layer electrochemical cell with self-formed separator
US7022431B2 (en) 2001-08-20 2006-04-04 Power Paper Ltd. Thin layer electrochemical cell with self-formed separator
US6500676B1 (en) 2001-08-20 2002-12-31 Honeywell International Inc. Methods and apparatus for depositing magnetic films
CA2426641C (en) 2001-08-24 2010-10-26 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Multi-face forming mask device for vacuum deposition
KR100382767B1 (ko) 2001-08-25 2003-05-09 삼성에스디아이 주식회사 리튬 2차 전지용 음극 박막 및 그의 제조방법
CN1295710C (zh) 2001-08-28 2007-01-17 Tdk株式会社 薄膜电容元件用组合物、绝缘膜、薄膜电容元件和电容器
JP4249616B2 (ja) 2001-09-03 2009-04-02 パナソニック株式会社 電気化学素子の製造方法
US7118825B2 (en) 2001-09-05 2006-10-10 Omnitek Partners Llc Conformal power supplies
US6637906B2 (en) 2001-09-11 2003-10-28 Recot, Inc. Electroluminescent flexible film for product packaging
TW560102B (en) 2001-09-12 2003-11-01 Itn Energy Systems Inc Thin-film electrochemical devices on fibrous or ribbon-like substrates and methd for their manufacture and design
US20030068559A1 (en) 2001-09-12 2003-04-10 Armstrong Joseph H. Apparatus and method for the design and manufacture of multifunctional composite materials with power integration
US6838209B2 (en) 2001-09-21 2005-01-04 Eveready Battery Company, Inc. Flexible thin battery and method of manufacturing same
CA2406500C (en) 2001-10-01 2008-04-01 Research In Motion Limited An over-voltage protection circuit for use in a charging circuit
US7115516B2 (en) 2001-10-09 2006-10-03 Applied Materials, Inc. Method of depositing a material layer
JP2003124491A (ja) 2001-10-15 2003-04-25 Sharp Corp 薄膜太陽電池モジュール
JP4015835B2 (ja) 2001-10-17 2007-11-28 松下電器産業株式会社 半導体記憶装置
US6666982B2 (en) 2001-10-22 2003-12-23 Tokyo Electron Limited Protection of dielectric window in inductively coupled plasma generation
US6750156B2 (en) 2001-10-24 2004-06-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming an anti-reflective coating on a substrate
KR100424637B1 (ko) 2001-10-25 2004-03-24 삼성에스디아이 주식회사 리튬 이차 전지용 박막 전극 및 그 제조방법
US7404877B2 (en) 2001-11-09 2008-07-29 Springworks, Llc Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
US6805999B2 (en) 2001-11-13 2004-10-19 Midwest Research Institute Buried anode lithium thin film battery and process for forming the same
KR100425585B1 (ko) 2001-11-22 2004-04-06 한국전자통신연구원 가교 고분자 보호박막을 갖춘 리튬 고분자 이차 전지 및그 제조 방법
US20030097858A1 (en) 2001-11-26 2003-05-29 Christof Strohhofer Silver sensitized erbium ion doped planar waveguide amplifier
US6830846B2 (en) 2001-11-29 2004-12-14 3M Innovative Properties Company Discontinuous cathode sheet halfcell web
US20030109903A1 (en) 2001-12-12 2003-06-12 Epic Biosonics Inc. Low profile subcutaneous enclosure
US6683749B2 (en) 2001-12-19 2004-01-27 Storage Technology Corporation Magnetic transducer having inverted write element with zero delta in pole tip width
US6737789B2 (en) 2002-01-18 2004-05-18 Leon J. Radziemski Force activated, piezoelectric, electricity generation, storage, conditioning and supply apparatus and methods
US20040081415A1 (en) 2002-01-22 2004-04-29 Demaray Richard E. Planar optical waveguide amplifier with mode size converter
US20030143853A1 (en) 2002-01-31 2003-07-31 Celii Francis G. FeRAM capacitor stack etch
DE10204138B4 (de) 2002-02-01 2004-05-13 Robert Bosch Gmbh Kommunikationsgerät
US20030152829A1 (en) 2002-02-12 2003-08-14 Ji-Guang Zhang Thin lithium film battery
JP3565207B2 (ja) 2002-02-27 2004-09-15 日産自動車株式会社 電池パック
US6713987B2 (en) 2002-02-28 2004-03-30 Front Edge Technology, Inc. Rechargeable battery having permeable anode current collector
US7081693B2 (en) 2002-03-07 2006-07-25 Microstrain, Inc. Energy harvesting for wireless sensor operation and data transmission
US20030175142A1 (en) 2002-03-16 2003-09-18 Vassiliki Milonopoulou Rare-earth pre-alloyed PVD targets for dielectric planar applications
US20030174391A1 (en) 2002-03-16 2003-09-18 Tao Pan Gain flattened optical amplifier
US7378356B2 (en) 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US6884327B2 (en) 2002-03-16 2005-04-26 Tao Pan Mode size converter for a planar waveguide
TWI283031B (en) 2002-03-25 2007-06-21 Epistar Corp Method for integrating compound semiconductor with substrate of high thermal conductivity
US6885028B2 (en) 2002-03-25 2005-04-26 Sharp Kabushiki Kaisha Transistor array and active-matrix substrate
JP2003282142A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜積層体、薄膜電池、コンデンサ、及び薄膜積層体の製造方法と製造装置
US6792026B2 (en) 2002-03-26 2004-09-14 Joseph Reid Henrichs Folded cavity solid-state laser
US7208195B2 (en) 2002-03-27 2007-04-24 Ener1Group, Inc. Methods and apparatus for deposition of thin films
KR100454092B1 (ko) 2002-04-29 2004-10-26 광주과학기술원 급속 열처리법을 이용한 박막전지용 양극박막의 제조방법
DE10318187B4 (de) 2002-05-02 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verkapselungsverfahren für organische Leuchtdiodenbauelemente
US6949389B2 (en) 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices
KR100533933B1 (ko) 2002-06-07 2005-12-06 강원대학교산학협력단 고체 전해질 및 그 제조 방법
JP4043296B2 (ja) 2002-06-13 2008-02-06 松下電器産業株式会社 全固体電池
US6700491B2 (en) 2002-06-14 2004-03-02 Sensormatic Electronics Corporation Radio frequency identification tag with thin-film battery for antenna
US6780208B2 (en) 2002-06-28 2004-08-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of making printed battery structures
US7410730B2 (en) 2002-07-09 2008-08-12 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Thin film battery and electrolyte therefor
US7362659B2 (en) 2002-07-11 2008-04-22 Action Manufacturing Company Low current microcontroller circuit
US6835493B2 (en) 2002-07-26 2004-12-28 Excellatron Solid State, Llc Thin film battery
US6770176B2 (en) 2002-08-02 2004-08-03 Itn Energy Systems. Inc. Apparatus and method for fracture absorption layer
JP2004071305A (ja) 2002-08-05 2004-03-04 Hitachi Maxell Ltd 非水電解質二次電池
JP3729164B2 (ja) 2002-08-05 2005-12-21 日産自動車株式会社 自動車用電池
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US6916679B2 (en) 2002-08-09 2005-07-12 Infinite Power Solutions, Inc. Methods of and device for encapsulation and termination of electronic devices
US20080003496A1 (en) 2002-08-09 2008-01-03 Neudecker Bernd J Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8021778B2 (en) * 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US20070264564A1 (en) 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
KR20040017478A (ko) 2002-08-21 2004-02-27 한국과학기술원 인쇄회로기판의 제조방법 및 다층 인쇄회로기판
TWI274199B (en) 2002-08-27 2007-02-21 Symmorphix Inc Optically coupling into highly uniform waveguides
US20040048157A1 (en) * 2002-09-11 2004-03-11 Neudecker Bernd J. Lithium vanadium oxide thin-film battery
US6994933B1 (en) 2002-09-16 2006-02-07 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Long life thin film battery and method therefor
JP4614625B2 (ja) 2002-09-30 2011-01-19 三洋電機株式会社 リチウム二次電池の製造方法
US7282302B2 (en) * 2002-10-15 2007-10-16 Polyplus Battery Company Ionically conductive composites for protection of active metal anodes
US20040081860A1 (en) 2002-10-29 2004-04-29 Stmicroelectronics, Inc. Thin-film battery equipment
JP2004149849A (ja) 2002-10-30 2004-05-27 Hitachi Chem Co Ltd 金属薄膜の形成方法及び電極付基板
US20040085002A1 (en) 2002-11-05 2004-05-06 Pearce Michael Baker Method and apparatus for an incidental use piezoelectric energy source with thin-film battery
JP2004158268A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Sony Corp 成膜装置
AU2002340506A1 (en) 2002-11-07 2004-06-07 Fractus, S.A. Integrated circuit package including miniature antenna
KR100575329B1 (ko) 2002-11-27 2006-05-02 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 고체전해질 및 그것을 사용한 전고체전지
JP4777593B2 (ja) 2002-11-29 2011-09-21 株式会社オハラ リチウムイオン二次電池の製造方法
ATE348204T1 (de) 2002-12-16 2007-01-15 Basf Ag Verfahren zur gewinnung von lithium
TWI261045B (en) 2002-12-30 2006-09-01 Ind Tech Res Inst Composite nanofibers and their fabrications
WO2004061887A1 (en) 2003-01-02 2004-07-22 Cymbet Corporation Solid-state battery-powered devices and manufacturing methods
US6906436B2 (en) 2003-01-02 2005-06-14 Cymbet Corporation Solid state activity-activated battery device and method
TWI341337B (en) 2003-01-07 2011-05-01 Cabot Corp Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
US20040135160A1 (en) 2003-01-10 2004-07-15 Eastman Kodak Company OLED device
IL153895A (en) 2003-01-12 2013-01-31 Orion Solar Systems Ltd Solar cell device
KR100513726B1 (ko) 2003-01-30 2005-09-08 삼성전자주식회사 고체 전해질, 이를 채용한 전지 및 그 고체 전해질의 제조방법
DE10304824A1 (de) 2003-01-31 2004-08-12 Varta Microbattery Gmbh Dünne elektronische Chipkarte
RU2241281C2 (ru) 2003-02-10 2004-11-27 Институт химии и химической технологии СО РАН Способ получения тонких пленок кобальтата лития
JP2004273436A (ja) 2003-02-18 2004-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 全固体薄膜積層電池
KR100691168B1 (ko) 2003-02-27 2007-03-09 섬모픽스, 인코포레이티드 유전 장벽층 필름
US6936407B2 (en) 2003-02-28 2005-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film electronic device module
KR100590376B1 (ko) 2003-03-20 2006-06-19 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 집합전지
CN1274052C (zh) 2003-03-21 2006-09-06 比亚迪股份有限公司 锂离子二次电池的制造方法
JP4635407B2 (ja) 2003-03-25 2011-02-23 三洋電機株式会社 二次電池用非水系電解液及び非水系電解液二次電池
US6955986B2 (en) 2003-03-27 2005-10-18 Asm International N.V. Atomic layer deposition methods for forming a multi-layer adhesion-barrier layer for integrated circuits
US20070141468A1 (en) 2003-04-03 2007-06-21 Jeremy Barker Electrodes Comprising Mixed Active Particles
EP1632999B1 (en) 2003-04-04 2011-03-30 Panasonic Corporation Battery mounted integrated circuit device
WO2004093223A2 (en) 2003-04-14 2004-10-28 Massachusetts Institute Of Technology Integrated thin film batteries on silicon integrated circuits
KR100508945B1 (ko) 2003-04-17 2005-08-17 삼성에스디아이 주식회사 리튬 전지용 음극, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 리튬전지
JP3690684B2 (ja) * 2003-04-18 2005-08-31 松下電器産業株式会社 固体電解質およびそれを含んだ全固体電池
US7088031B2 (en) 2003-04-22 2006-08-08 Infinite Power Solutions, Inc. Method and apparatus for an ambient energy battery or capacitor recharge system
US7045246B2 (en) 2003-04-22 2006-05-16 The Aerospace Corporation Integrated thin film battery and circuit module
US6936377B2 (en) 2003-05-13 2005-08-30 C. Glen Wensley Card with embedded IC and electrochemical cell
KR20040098139A (ko) 2003-05-13 2004-11-20 강원대학교산학협력단 박막 고체 전해질 및 그 제조 방법
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US7238628B2 (en) 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
WO2005008828A1 (en) 2003-07-11 2005-01-27 Excellatron Solid State, Llc System and method of producing thin-film electrolyte
US6852139B2 (en) 2003-07-11 2005-02-08 Excellatron Solid State, Llc System and method of producing thin-film electrolyte
US6886240B2 (en) 2003-07-11 2005-05-03 Excellatron Solid State, Llc Apparatus for producing thin-film electrolyte
EP1665416B1 (en) 2003-08-01 2014-04-30 Bathium Canada Inc. Cathode material for polymer batteries and method of preparing same
US20050070097A1 (en) 2003-09-29 2005-03-31 International Business Machines Corporation Atomic laminates for diffusion barrier applications
US7230321B2 (en) 2003-10-13 2007-06-12 Mccain Joseph Integrated circuit package with laminated power cell having coplanar electrode
US20050079418A1 (en) 2003-10-14 2005-04-14 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for thin film battery fabrication
FR2861218B1 (fr) 2003-10-16 2007-04-20 Commissariat Energie Atomique Couche et procede de protection de microbatteries par une bicouche ceramique-metal
US7211351B2 (en) 2003-10-16 2007-05-01 Cymbet Corporation Lithium/air batteries with LiPON as separator and protective barrier and method
US7674360B2 (en) 2003-12-12 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Mechanism for varying the spacing between sputter magnetron and target
EP1544917A1 (en) 2003-12-15 2005-06-22 Dialog Semiconductor GmbH Integrated battery pack with lead frame connection
JP2005196971A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd リチウム二次電池用負極とその製造方法ならびにリチウム二次電池
JP2007518246A (ja) 2004-01-06 2007-07-05 シンベット コーポーレーション 境界を有する１若しくはそれ以上の層を備える層状のバリア構造及び該バリア構造の製造方法
TWI302760B (en) 2004-01-15 2008-11-01 Lg Chemical Ltd Electrochemical device comprising aliphatic nitrile compound
JP3859645B2 (ja) 2004-01-16 2006-12-20 Ｎｅｃラミリオンエナジー株式会社 フィルム外装電気デバイス
US7968233B2 (en) 2004-02-18 2011-06-28 Solicore, Inc. Lithium inks and electrodes and batteries made therefrom
US7624499B2 (en) 2004-02-26 2009-12-01 Hei, Inc. Flexible circuit having an integrally formed battery
EP1723080B1 (de) 2004-03-06 2014-06-18 Basf Se Chemisch stabiler fester lithiumionenleiter
DE102004010892B3 (de) 2004-03-06 2005-11-24 Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel Chemisch stabiler fester Lithiumionenleiter
JP4418262B2 (ja) 2004-03-12 2010-02-17 三井造船株式会社 基板・マスク固定装置
US20050255828A1 (en) 2004-05-03 2005-11-17 Critical Wireless Corporation Remote terminal unit and remote monitoring and control system
US7052741B2 (en) 2004-05-18 2006-05-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of fabricating a fibrous structure for use in electrochemical applications
US20060021261A1 (en) 2004-07-19 2006-02-02 Face Bradbury R Footwear incorporating piezoelectric energy harvesting system
US7195950B2 (en) 2004-07-21 2007-03-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Forming a plurality of thin-film devices
US7645246B2 (en) 2004-08-11 2010-01-12 Omnitek Partners Llc Method for generating power across a joint of the body during a locomotion cycle
JP4892180B2 (ja) 2004-08-20 2012-03-07 セイコーインスツル株式会社 電気化学セル、その製造方法およびその外観検査方法
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
US7670724B1 (en) 2005-01-05 2010-03-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Alkali-hydroxide modified poly-vinylidene fluoride/polyethylene oxide lithium-air battery
US20060155545A1 (en) 2005-01-11 2006-07-13 Hosanna, Inc. Multi-source powered audio playback system
WO2006078866A2 (en) 2005-01-19 2006-07-27 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Electric current-producing device having sulfone-based electrolyte
EP1847025A2 (en) 2005-01-20 2007-10-24 BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration Inc. Microradio design, manufacturing method and applications for the use of microradios
US20090302226A1 (en) 2005-02-08 2009-12-10 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Solid-state neutron and alpha particles detector and methods for manufacturing and use thereof
DE102005014427B4 (de) 2005-03-24 2008-05-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements
EP1713024A1 (en) 2005-04-14 2006-10-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. A card, a method of manufacturing the card, and a thin type battery for the card
US20060237543A1 (en) 2005-04-20 2006-10-26 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Card, manufacturing method of card, and thin type battery for card
US20070021156A1 (en) 2005-07-19 2007-01-25 Hoong Chow T Compact radio communications device
US8182661B2 (en) 2005-07-27 2012-05-22 Applied Materials, Inc. Controllable target cooling
US7400253B2 (en) 2005-08-04 2008-07-15 Mhcmos, Llc Harvesting ambient radio frequency electromagnetic energy for powering wireless electronic devices, sensors and sensor networks and applications thereof
EP1917689B1 (en) * 2005-08-09 2017-11-08 Polyplus Battery Company Compliant seal structures for protected active metal anodes
WO2007016781A1 (en) 2005-08-10 2007-02-15 Simon Fraser University Methods and apparatus for harvesting biomechanical energy
DK176361B1 (da) 2005-08-12 2007-09-24 Gn As Kommunikationsenhed med indbygget antenne
US7838133B2 (en) 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
US7553582B2 (en) 2005-09-06 2009-06-30 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Getters for thin film battery hermetic package
US7202825B2 (en) 2005-09-15 2007-04-10 Motorola, Inc. Wireless communication device with integrated battery/antenna system
US7345647B1 (en) 2005-10-05 2008-03-18 Sandia Corporation Antenna structure with distributed strip
US20070187836A1 (en) 2006-02-15 2007-08-16 Texas Instruments Incorporated Package on package design a combination of laminate and tape substrate, with back-to-back die combination
DE102006009789B3 (de) 2006-03-01 2007-10-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils aus einer Verbundplatte mit Halbleiterchips und Kunststoffgehäusemasse
KR101362954B1 (ko) 2006-03-10 2014-02-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작방법
JP2009530964A (ja) 2006-03-22 2009-08-27 パワーキャスト コーポレイション 無線パワーサプライの実装のための方法および機器
US8155712B2 (en) 2006-03-23 2012-04-10 Sibeam, Inc. Low power very high-data rate device
US20070235320A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-11 Applied Materials, Inc. Reactive sputtering chamber with gas distribution tubes
DE102006025671B4 (de) 2006-06-01 2011-12-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von dünnen integrierten Halbleitereinrichtungen
US8162230B2 (en) 2006-10-17 2012-04-24 Powerid Ltd. Method and circuit for providing RF isolation of a power source from an antenna and an RFID device employing such a circuit
DE102006054309A1 (de) 2006-11-17 2008-05-21 Dieter Teckhaus Batteriezelle mit Kontaktelementenanordnung
US7466274B2 (en) 2006-12-20 2008-12-16 Cheng Uei Precision Industry Co., Ltd. Multi-band antenna
JP4466668B2 (ja) 2007-03-20 2010-05-26 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US7915089B2 (en) 2007-04-10 2011-03-29 Infineon Technologies Ag Encapsulation method
US7862627B2 (en) * 2007-04-27 2011-01-04 Front Edge Technology, Inc. Thin film battery substrate cutting and fabrication process
US7848715B2 (en) 2007-05-03 2010-12-07 Infineon Technologies Ag Circuit and method
DE102007030604A1 (de) 2007-07-02 2009-01-08 Weppner, Werner, Prof. Dr. Ionenleiter mit Granatstruktur
US8295767B2 (en) 2007-07-30 2012-10-23 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Method of manufacturing a microradio
US20090092903A1 (en) 2007-08-29 2009-04-09 Johnson Lonnie G Low Cost Solid State Rechargeable Battery and Method of Manufacturing Same
US8634773B2 (en) 2007-10-12 2014-01-21 Cochlear Limited Short range communications for body contacting devices
KR101606183B1 (ko) 2008-01-11 2016-03-25 사푸라스트 리써치 엘엘씨 박막 배터리 및 기타 소자를 위한 박막 캡슐화
US8056814B2 (en) 2008-02-27 2011-11-15 Tagsys Sas Combined EAS/RFID tag
TW200952250A (en) 2008-06-12 2009-12-16 Arima Comm Co Ltd Portable electronic device having broadcast antenna
KR102155933B1 (ko) 2008-08-11 2020-09-14 사푸라스트 리써치 엘엘씨 전자기 에너지를 수확하기 위한 일체형 컬렉터 표면을 갖는 에너지 디바이스 및 전자기 에너지를 수확하는 방법
US8389160B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Envia Systems, Inc. Positive electrode materials for lithium ion batteries having a high specific discharge capacity and processes for the synthesis of these materials

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1030181A (ja) * 1996-03-27 1998-02-03 Saint Gobain Vitrage 電気化学装置
JP2000294291A (ja) * 1999-02-03 2000-10-20 Sanyo Electric Co Ltd ポリマー電解質電池
JP2004527068A (ja) * 2000-12-21 2004-09-02 モルテック・コーポレーション 電気化学電池のためのリチウム負極
WO2002065573A1 (fr) * 2001-02-15 2002-08-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Cellule d'electrolyse solide et procede de production de cette derniere
US20030118897A1 (en) * 2001-02-15 2003-06-26 Shinji Mino Solid electrolyte cell and production method thereof
WO2002095849A2 (en) * 2001-05-23 2002-11-28 Moltech Corporation Lithium anodes for electrochemical cells
WO2003036670A2 (fr) * 2001-10-22 2003-05-01 Commissariat A L'energie Atomique Dispositif de stockage d'energie a recharge rapide, sous forme de films minces
JP2005507544A (ja) * 2001-10-22 2005-03-17 コミサリア、ア、レネルジ、アトミク 薄膜状急速充電エネルギ蓄積装置
US6818356B1 (en) * 2002-07-09 2004-11-16 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Thin film battery and electrolyte therefor
JP2004193112A (ja) * 2002-11-27 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解質およびそれを用いた全固体電池
JP2004179161A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Samsung Electronics Co Ltd 固体電解質及びこれを採用した電池
WO2006043470A1 (ja) * 2004-10-21 2006-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電池用負極とこれを用いた電池
JP2006120437A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電解質電池
JP2006156284A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd リチウムイオン導電体およびそれを用いた二次電池
WO2006063308A2 (en) * 2004-12-08 2006-06-15 Symmorphix, Inc. DEPOSITION OF LICoO2
JP2007005219A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> リチウム２次電池及びその製造方法
WO2007042394A1 (en) * 2005-10-13 2007-04-19 Nv Bekaert Sa A method to deposit a coating by sputtering
JP2007188877A (ja) * 2005-12-14 2007-07-26 Mitsubishi Chemicals Corp 電極及びその製造方法、並びに非水電解質二次電池

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018010849A (ja) * 2016-07-04 2018-01-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 酸窒化物を含む固体電解質、及びそれを用いた二次電池
US10693186B2 (en) 2016-07-04 2020-06-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solid electrolyte containing oxynitride, and secondary battery including the solid electrolyte

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