CN110444751B - Li-Si-N纳米复合薄膜及其制备方法、负极结构及锂电池 - Google Patents
Li-Si-N纳米复合薄膜及其制备方法、负极结构及锂电池 Download PDFInfo
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- 229910008371 Li-Si-N Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 106
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 40
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- ZVLDJSZFKQJMKD-UHFFFAOYSA-N [Li].[Si] Chemical compound [Li].[Si] ZVLDJSZFKQJMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N lithium nitride Chemical compound [Li]N([Li])[Li] IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 45
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 29
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 26
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 23
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 14
- KENLFYVFRAQGGV-UHFFFAOYSA-N [Li].[N].[Si] Chemical compound [Li].[N].[Si] KENLFYVFRAQGGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 12
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 106
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 24
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 8
- UMUXBDSQTCDPJZ-UHFFFAOYSA-N chromium titanium Chemical compound [Ti].[Cr] UMUXBDSQTCDPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002641 lithium Chemical class 0.000 description 3
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 3
- 229910001199 N alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- JDZCKJOXGCMJGS-UHFFFAOYSA-N [Li].[S] Chemical compound [Li].[S] JDZCKJOXGCMJGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/134—Electrodes based on metals, Si or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/362—Composites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/386—Silicon or alloys based on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/38—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
- H01M4/40—Alloys based on alkali metals
- H01M4/405—Alloys based on lithium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
- H01M4/628—Inhibitors, e.g. gassing inhibitors, corrosion inhibitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Abstract
本发明公开一种Li‑Si‑N纳米复合薄膜及其制备方法、以及以该Li‑Si‑N纳米复合薄膜为负极的锂电池。所述Li‑Si‑N纳米复合薄膜的结构包括氮化锂固态电解质和作为活性材料的锂硅合金纳米颗粒。本发明的技术方案能够有效抑制现有硅负极材料的体积膨胀效应，并且提高锂离子在负极中的电导率。
Description
技术领域
本发明涉及锂电池技术领域，特别涉及一种Li-Si-N纳米复合薄膜及其制备方法、负极结构及锂电池。
背景技术
锂电池因具有高电压、高比能量、长循环寿命等优点，已经广泛应用于各种电子产品和电动汽车领域。目前，锂电池的负极材料主要以碳基材料为主，为提高能量密度，硅基材料正在逐步引入负极结构中，但硅基材料面临较大的体积膨胀效应、硅表面固态电解质界面膜形成导致的锂缺失以及较低的锂离子电导率等诸多问题。锂硅合金可以提供锂源，不需要额外的补锂工艺过程，但仍需要解决体积膨胀和较低锂离子电导率的问题。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种Li-Si-N纳米复合薄膜及其制备方法、负极结构及锂电池，旨在能够抑制现有硅基负极材料的体积膨胀效应，提高锂离子的电导率。
为实现上述目的，本发明提出的Li-Si-N纳米复合薄膜，其结构包括氮化锂固态电解质和锂硅合金纳米颗粒。
可选地，所述Li-Si-N纳米复合薄膜材料的化学式为(LixSi1-x)1-y-(Li3N)y，其中，x取值范围为0-0.82；y的取值范围为0.001-0.9。
可选地，x取值范围为0.1-0.82，y的取值范围为0.001-0.1。
可选地，所述Li-Si-N纳米复合薄膜的厚度范围为0.1μm-100μm；和/或，所述锂硅合金纳米颗粒沿膜面方向的直径范围为1nm-10000nm。
本发明还提出了一种Li-Si-N纳米复合薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
提供一洁净的基底，所述基底为金属基底；
采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜。
可选地，在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤中，包括：以锂硅合金靶为溅射靶材，于氩气和氮气的氛围下，在基底的表面沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜；或者，
在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤中，包括：以锂硅氮复合合金靶为溅射靶材，于氩气的氛围下，在基底的表面沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜；或者，
在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤中，包括：以锂硅氮复合合金靶为溅射靶材，于氩气和氮气的氛围下，在基底的表面沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜。
可选地，在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤之前，还包括：采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积形成附着层，以改善Li-Si-N纳米复合薄膜与基底的结合。
可选地，所述真空溅射镀膜方法选用直流磁控溅射方法；和/或，所述基底选用铜箔。
本发明还提出了一种负极结构，所述负极结构包括基底、Li-Si-N纳米复合薄膜以及保护层，所述Li-Si-N纳米复合薄膜沉积在所述基底的表面，所述保护层沉积在所述Li-Si-N纳米复合薄膜背向所述基底的表面，所述Li-Si-N纳米复合薄膜包括氮化锂固态电解质和锂硅合金纳米颗粒。
本发明还提出了锂电池，锂电池包括负极结构，所述负极结构包括基底、Li-Si-N纳米复合薄膜以及保护层，所述Li-Si-N纳米复合薄膜沉积在所述基底的表面，所述保护层沉积在所述Li-Si-N纳米复合薄膜背向所述基底的表面，所述Li-Si-N纳米复合薄膜包括氮化锂固态电解质和锂硅合金纳米颗粒。
本发明的技术方案至少能够取得以下有益效果：本发明的Li-Si-N纳米复合薄膜中，氮化锂固态电解质作为一种优良的固态电解质，可以明显地改善复合薄膜层的锂离子电导率，锂离子电导率室温下可达到2×10-4Ω-1cm-1，从而改善锂硅负极材料的倍率性能。锂硅合金纳米颗粒作为负极材料的活性成分，能够显著增加锂硅相的表面积，有效降低锂离子传输过程的界面电阻；同时还可以有效抑制电池放电过程中硅负极通常有的体积膨胀问题，显著改性电池的循环特性。此外，本发明的Li-Si-N纳米复合薄膜中，锂硅合金相与氮化锂相形成了稳定的界面，不再消耗锂源形成固态电解质界面膜层，因此不需要额外补充锂，大大简化了电池的组装工艺流程。本发明Li-Si-N纳米复合薄膜中锂硅合金颗粒的纳米化和氮化锂电解质的存在，有利于充电电流的均匀分布，从而从根本上抑制负极锂枝晶的生长。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提出一种Li-Si-N纳米复合薄膜，可应用于锂电池的负极材料。
本发明的Li-Si-N纳米复合薄膜的结构包括氮化锂固态电解质和锂硅合金纳米颗粒。
本发明的Li-Si-N纳米复合薄膜中，氮化锂固态电解质作为一种优良的固态电解质，可以明显地改善复合薄膜层的锂离子电导率率，锂离子电导率室温下可达到2×10-4Ω-1cm-1，从而改善锂硅负极材料的倍率性能。锂硅合金纳米颗粒作为负极材料的活性成分，能够显著增加锂硅相的表面积，有效降低锂离子传输过程的界面电阻；同时还可以有效抑制电池放电过程中硅负极通常有的体积膨胀问题，显著改性电池的循环特性。此外，本发明的Li-Si-N纳米复合薄膜中，锂硅合金相与氮化锂相形成了稳定的界面，不再消耗锂源形成固态电解质界面膜层，因此不需要额外补充锂，大大简化了电池的组装工艺流程。本发明Li-Si-N纳米复合薄膜中锂硅合金颗粒的纳米化和氮化锂电解质的存在，有利于充电电流的均匀分布，从而从根本上抑制负极锂枝晶的生长。
需要说明的是，这里氮硅合金纳米颗粒可以是非晶相或者结晶相，氮化锂固态电解质也可以是非晶相或者结晶相。
可选地，Li-Si-N纳米复合薄膜材料的化学式为(LixSi1-x)1-y-(Li3N)y，其中，x取值范围为0-0.82；y的取值范围为0.001-0.9。这里x、y表示原子数，可以取范围值的任意个数值。可以理解的，Li-Si-N纳米复合薄膜中化学成分是可以变化的，即其中的锂、硅、氮元素的含量是可以变化的，也即是，Li-Si-N纳米复合薄膜中氮化锂和锂硅合金的含量是发生变化的。
优选地，x取值范围为0.1-0.82；y的取值范围为0.001-0.1。
可选地，Li-Si-N纳米复合薄膜的厚度范围为0.1μm-100μm。Li-Si-N纳米复合薄膜的厚度值可以取其中的一个，比如0.1μm、10μm、50μm、或者100μm。优选地，Li-Si-N纳米复合薄膜的厚度范围为1μm-10μm。
可选地，锂硅合金纳米颗粒沿膜面方向的直径范围为1nm-10000nm。可以理解的是，锂硅合金纳米颗粒和氮化锂形成一种复合薄膜，这里锂硅合金颗粒为纳米颗粒，其沿膜面方向的直径值可选为1nm-10000nm范围的一个数值，比如可选为1nm、10nm、100nm、1000nm、或10000nm。优选地，锂硅合金纳米颗粒沿膜面方向的直径范围为10nm-100nm。
本发明还提出如前所述的Li-Si-N纳米复合薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
提供一洁净的基底，基底为金属基底；
采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜。
这里基底一般选用金属基底，可选用铜箔作为基底。洁净的基底一般采用干法等离子体清洗工艺得到，即：将基底放入真空腔室内，并对基底的表面施加一负偏压，并通入氩气后，产生等离子氩离子，在负偏压的作用，氩离子轰击基底表面，以去除表面物理吸附和化学吸附的脏污、杂质，便可得到清新、洁净的基底。采用干法等离子体工艺方法对基底进行预处理，有利于后续膜层与基底之间的结合，改善电流的传输。然后采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜。这里真空溅射镀膜方法包括直流磁控溅射镀膜方法、射频磁控溅射镀膜方法、离子束溅射镀膜方法，在使用时可选用其中的一种方法。
在本发明的一实施例中，在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤中，包括：
以锂硅合金靶为溅射靶材，于氩气和氮气的氛围下，在基底的表面沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜。
这里采用锂硅合金靶作为溅射靶材，可以提供锂硅合金相，该锂硅合金靶是从市面上购买得到的，一般地，锂硅合金靶是以高纯锂硅合金粉末或者锂粉和硅粉为原料，先在真空中高压压制成型，再在500℃以上的高温热处理制备得到。氩气和氮气作为工艺气体一起通入，在溅射过程中，氮优先与锂结合形成氮化锂，由于氮化锂相的存在，可以抑制锂硅合金颗粒的生长，形成纳米尺寸的锂硅合金颗粒，氮化锂相和锂硅合金相具有不同的表面能，在成膜过程中两相自动分离，最终形成Li-Si-N纳米复合薄膜。需要说明的是，可以通过调整靶材中所含锂硅的成分比例，获得不同锂含量的Li-Si-N纳米复合薄膜，通过调整镀膜过程中氮气流量，可以获得不同固态电解质含量的Li-Si-N纳米复合薄膜。
在本发明的另一实施例中，在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤中，包括：
以锂硅氮复合合金靶为溅射靶材，于氩气的氛围下，在基底的表面沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜。
这里采用锂硅氮复合合金靶作为溅射靶材，由于该靶材中含有锂、硅、氮，可以不通入氮气，如此可以简化工艺流程，同时节约材料成本。该锂硅氮复合合金靶是从市面上购买得到的，一般地，锂硅氮复合合金靶是采用锂粉、硅粉及氮化锂粉的原料或者锂硅合金粉和氮化锂粉的原料，先在真空中高压压制成型，再在500℃以上的高温热处理制备得到。同样地，在溅射过程中，氮优先与锂结合形成氮化锂，由于氮化锂相的存在，可以抑制锂硅合金颗粒的生长，形成纳米尺寸的锂硅合金颗粒，氮化锂相和锂硅合金相具有不同的表面能，在成膜过程中两相自动分离，最终也形成Li-Si-N纳米复合薄膜。需要说明的是，可以通过调整靶材中所含锂硅的成分比例，获得不同锂含量的Li-Si-N纳米复合薄膜，可以通过调整靶材中所含氮化锂的含量或者调整镀膜过程中氮气流量，可以获得不同固态电解质含量的Li-Si-N纳米复合薄膜。
当然，在本发明的又一实施例中，在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤中，包括：
以锂硅氮复合合金靶为溅射靶材，于氩气和氮气的氛围下，在基底的表面沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜。这里采用锂硅氮复合合金靶作为溅射靶材，由于该靶材中含有锂、硅、氮，可以通入少量氮气，如此既可以节约材料成本，又能提升Li-Si-N纳米复合薄膜的性能。
在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤之前，还包括：
采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积形成附着层，以改善Li-Si-N纳米复合薄膜与基底的结合。这里附着层的作用主要是改善Li-Si-N纳米复合薄膜与基底之间的结合，在选择附着层材料时，需要考虑到材料本身的膨胀系数、晶格结构、导电性等，可选铬钛薄膜，该铬钛薄膜一般采用真空磁控镀膜方法制备得到，且该附着层的厚度一般为纳米级。
由于在采用真空溅射镀膜方法制备Li-Si-N纳米复合薄膜时，采用锂硅合金靶或者锂硅氮复合合金靶作为溅射靶，这些靶材本身具有良好的导电性，则真空溅射镀膜方法优先选用直流磁控溅射方法。
需要说明的是，本发明采用的锂硅合金靶或者锂硅氮复合合金靶有利于大功率快速镀膜，适合膜层厚度微米级的锂电池负极薄膜材料的规模化生产。
本发明还提出了一种负极结构，负极结构包括基底、Li-Si-N纳米复合薄膜以及保护层，Li-Si-N纳米复合薄膜沉积在基底的表面，保护层沉积在Li-Si-N纳米复合薄膜背向基底的表面，Li-Si-N纳米复合薄膜为如前所述的Li-Si-N纳米复合薄膜。
由于Li-Si-N纳米复合薄膜暴露空气后易与空气中的水、氧气、二氧化碳等发生反应而失去化学活性，则本发明在Li-Si-N纳米复合薄膜的表面沉积有保护层，以使得Li-Si-N纳米复合薄膜隔绝空气，保证短时间内可以在普通环境里组装电池，也即，降低了对锂电池组装环境的苛刻要求。这里保护层可选用非晶碳膜层，非晶碳膜层一般采用真空溅射镀膜方法制备得到，保护层的厚度一般为纳米级。
本发明还提出了一种锂电池，锂电池包括如前所述的负极结构。此外，锂电池还包括正极结构和电解质，这里电解质可以液态电解质或者固态电解质。
由于本发明Li-Si-N纳米复合薄膜作为负极材料含有大量的锂源，则对正极的锂源要求大大降低，甚至可以采用无锂源正极材料，比如锂空气、锂硫电池等，从而极大地提高了正极材料的选择窗口。
以下通过具体实施例对本发明Li-Si-N纳米复合薄膜及其制备方法、负极结构及锂电池进行详细说明。
实施例1
采用卷对卷双面镀膜设备，以铜箔为基底，采用以下步骤进行镀膜：
(1)基底的清洗：采用干法等离子体清洗方法对铜箔进行清洗，即将铜箔放入真空镀膜腔室一(真空度小于10-6Torr)中，对铜箔基底表面施加一负偏压，该负偏压设定为-300V，通入氩气后，产生等离子体氩离子，在负偏压的作用下，氩离子轰击铜箔基底表面，以除掉表面物理吸附和化学吸附的脏污和杂质，得到清新、洁净的铜箔表面。
(2)附着层的镀膜：将洁净的铜箔放入真空镀膜腔室二中，采用直流磁控镀膜方法，镀膜供料设置为1kW，氩气为工作气体，氩气流量为300sccm，在铜箔的表面沉积形成铬钛薄膜，即为附着层，该铬钛薄膜的厚度为50nm。
(3)Li-Si-N纳米复合薄膜的镀膜：将附着层镀膜完成后的铜箔放入真空镀膜腔室三中，以Li6Si2合金靶为靶材，工艺气体为Ar和N2的混合气体，Ar的流量为300sccm，N2的流量为30sccm。采用直流磁控溅射方法，直流功率为2kW，沉积形成的Li-Si-N纳米复合薄膜的膜层厚度为6μm。其中，为了促进膜层生长过程中Li-Si相与Li3N相的分离，在基底表面加了-200V的负偏压。
(4)保护层的镀膜：将沉积有Li-Si-N纳米复合薄膜的铜箔放入真空镀膜腔室四中，采用直流磁控溅射方法，以纯碳靶为靶材，所加直流功率为1kW，工艺气体为Ar和H2的混合气体，Ar的流量为300sccm，H2的流量为20sccm，在Li-Si-N纳米复合薄膜的表面沉积形成非晶碳保护层，该保护层的厚度为10nm。
完成双面镀膜的铜箔可以作为锂电池的负极结构，可与正极结构、液体电解液组装成锂离子电池，当然地，也可以和固态电解质以及含有固态电解质的正极材料组装成全固态锂离子电池。
实施例2
采用卷对卷双面镀膜设备，以铜箔为基底，采用以下步骤进行镀膜：
(1)基底的清洗：采用干法等离子体清洗方法对铜箔进行清洗，即将铜箔放入真空镀膜腔室一(真空度小于10-6Torr)中，对铜箔基底表面施加一负偏压，该负偏压设定为-300V，通入氩气后，产生等离子体氩离子，在负偏压的作用下，氩离子轰击铜箔基底表面，以除掉表面物理吸附和化学吸附的脏污和杂质，得到清新、洁净的铜箔表面。
(2)附着层的镀膜：将洁净的铜箔放入真空镀膜腔室二中，采用直流磁控镀膜方法，镀膜供料设置为1kW，氩气为工作气体，氩气流量为300sccm，在铜箔的表面沉积形成铬钛薄膜，即为附着层，该铬钛薄膜的厚度为50nm。
(3)Li-Si-N纳米复合薄膜的镀膜：将附着层镀膜完成后的铜箔放入真空镀膜腔室三中，以(Li6Si2)-10atm％Li3N合金靶为靶材，工艺气体为Ar，Ar的流量为300sccm，采用直流磁控溅射方法，直流功率为2kW，沉积形成的Li-Si-N纳米复合薄膜的膜层厚度为6μm。其中，为了促进膜层生长过程中Li-Si相与Li3N相的分离，在基底表面加了-200V的负偏压。
(4)保护层的镀膜：将沉积有Li-Si-N纳米复合薄膜的铜箔放入真空镀膜腔室四中，采用直流磁控溅射方法，以纯碳靶为靶材，所加直流功率为1kW，工艺气体为Ar和H2的混合气体，Ar的流量为300sccm，H2的流量为20sccm，在Li-Si-N纳米复合薄膜的表面沉积形成非晶碳保护层，该保护层的厚度为10nm。
完成双面镀膜的铜箔可以作为锂电池的负极结构，可与正极结构、液体电解液组装成锂离子电池，当然地，也可以和固态电解质以及含有固态电解质的正极材料组装成全固态锂离子电池。
实施例3
采用卷对卷双面镀膜设备，以铜箔为基底，采用以下步骤进行镀膜：
(1)基底的清洗：采用干法等离子体清洗方法对铜箔进行清洗，即将铜箔放入真空镀膜腔室一(真空度小于10-6Torr)中，对铜箔基底表面施加一负偏压，该负偏压设定为-300V，通入氩气后，产生等离子体氩离子，在负偏压的作用下，氩离子轰击铜箔基底表面，以除掉表面物理吸附和化学吸附的脏污和杂质，得到清新、洁净的铜箔表面。
(2)附着层的镀膜：将洁净的铜箔放入真空镀膜腔室二中，采用直流磁控镀膜方法，镀膜供料设置为1kW，氩气为工作气体，氩气流量为300sccm，在铜箔的表面沉积形成铬钛薄膜，即为附着层，该铬钛薄膜的厚度为50nm。
(3)Li-Si-N纳米复合薄膜的镀膜：将附着层镀膜完成后的铜箔放入真空镀膜腔室三中，以(Li6Si2)-10atm％Li3N合金靶为靶材，工艺气体为Ar和N2的混合气体，Ar的流量为300sccm，N2的流量为10sccm，采用直流磁控溅射方法，直流功率为2kW，沉积形成的Li-Si-N纳米复合薄膜的膜层厚度为6μm。其中，为了促进膜层生长过程中Li-Si相与Li3N相的分离，在基底表面加了-200V的负偏压。
(4)保护层的镀膜：将沉积有Li-Si-N纳米复合薄膜的铜箔放入真空镀膜腔室四中，采用直流磁控溅射方法，以纯碳靶为靶材，所加直流功率为1kW，工艺气体为Ar和H2的混合气体，Ar的流量为300sccm，H2的流量为20sccm，在Li-Si-N纳米复合薄膜的表面沉积形成非晶碳保护层，该保护层的厚度为10nm。
完成双面镀膜的铜箔可以作为锂电池的负极结构，可与正极结构、液体电解液组装成锂离子电池，当然地，也可以和固态电解质以及含有固态电解质的正极材料组装成全固态锂离子电池。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种Li-Si-N纳米复合薄膜，其特征在于，所述Li-Si-N纳米复合薄膜的结构包括氮化锂固态电解质和作为活性材料的锂硅合金纳米颗粒，所述Li-Si-N纳米复合薄膜材料的化学式为(LixSi1-x)1-y-(Li3N)y，其中，x取值范围为0.1-0.82，y的取值范围为0.001-0.1。
2.如权利要求1所述的Li-Si-N纳米复合薄膜，其特征在于，所述Li-Si-N纳米复合薄膜的厚度范围为0.1μm-100μm；和/或，
所述锂硅合金纳米颗粒沿膜面方向的直径范围为1nm-10000nm。
3.一种权利要求1至2中任一项所述的Li-Si-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：
提供一洁净的基底，所述基底为金属基底；
采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜。
4.如权利要求3所述的Li-Si-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于，在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤中，包括：
以锂硅合金靶为溅射靶材，于氩气和氮气的氛围下，在基底的表面沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜；或者，
在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤中，包括：
以锂硅氮复合合金靶为溅射靶材，于氩气的氛围下，在基底的表面沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜；或者，
在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤中，包括：
以锂硅氮复合合金靶为溅射靶材，于氩气和氮气的氛围下，在基底的表面沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜。
5.如权利要求3所述的Li-Si-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于，在“采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积得到Li-Si-N纳米复合薄膜”步骤之前，还包括：
采用真空溅射镀膜方法在洁净的基底表面溅射沉积形成附着层，以改善Li-Si-N纳米复合薄膜与基底的结合。
6.如权利要求3至5中任一项所述的Li-Si-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述真空溅射镀膜方法选用直流磁控溅射方法；和/或，
所述基底选用铜箔。
7.一种负极结构，其特征在于，所述负极结构包括基底、Li-Si-N纳米复合薄膜以及保护层，所述Li-Si-N纳米复合薄膜沉积在所述基底的表面，所述保护层沉积在所述Li-Si-N纳米复合薄膜背向所述基底的表面，所述Li-Si-N纳米复合薄膜为权利要求1至2中任一项所述Li-Si-N纳米复合薄膜。
8.一种锂电池，其特征在于，所述锂电池包括如权利要求7所述的负极结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910737631.4A CN110444751B (zh) | 2019-08-05 | 2019-08-05 | Li-Si-N纳米复合薄膜及其制备方法、负极结构及锂电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910737631.4A CN110444751B (zh) | 2019-08-05 | 2019-08-05 | Li-Si-N纳米复合薄膜及其制备方法、负极结构及锂电池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110444751A CN110444751A (zh) | 2019-11-12 |
| CN110444751B true CN110444751B (zh) | 2021-06-01 |
Family
ID=68434459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910737631.4A Expired - Fee Related CN110444751B (zh) | 2019-08-05 | 2019-08-05 | Li-Si-N纳米复合薄膜及其制备方法、负极结构及锂电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110444751B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111519141B (zh) * | 2020-03-30 | 2022-05-27 | 维达力实业(深圳)有限公司 | 锂合金靶材及其制备方法与应用 |
| CN112151759A (zh) * | 2020-09-24 | 2020-12-29 | 清华大学深圳国际研究生院 | 锂金属负极、制备方法及锂离子电池 |
| CN113036089B (zh) * | 2021-03-10 | 2022-04-01 | 清华大学 | 一种锂离子电池负极制备方法、负极和锂离子电池 |
| CN115117331A (zh) * | 2021-03-19 | 2022-09-27 | 比亚迪股份有限公司 | 复合硅基负极材料、负极片及全固态锂电池 |
| CN113258048A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-08-13 | 南京工业大学 | 一种熔融态锂电池负极材料、制备方法以及全固态锂电池 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106684387A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-17 | 深圳先进技术研究院 | 一种含类金刚石薄膜层的锂离子电池负极及其制备方法和锂离子电池 |
| CN107834049A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-03-23 | 中航锂电（洛阳）有限公司 | 一种锂电池用硅复合材料及其制备方法、锂电池 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002027825A1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-04-04 | Hitachi Maxell, Ltd. | Composite electrode material and method for producing the same, and electrochemical element using the same |
| CN1300871C (zh) * | 2004-05-28 | 2007-02-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用于锂离子电池负极的可逆脱嵌锂材料及制备方法 |
| JP4802570B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2011-10-26 | パナソニック株式会社 | リチウムイオン二次電池用負極、その製造方法、およびそれを用いたリチウムイオン二次電池 |
| CN101222041B (zh) * | 2007-12-20 | 2010-12-15 | 复旦大学 | 用于锂离子电池的纳米复合电极材料Li3N/Si及其制备方法 |
| US9334557B2 (en) * | 2007-12-21 | 2016-05-10 | Sapurast Research Llc | Method for sputter targets for electrolyte films |
| CN101667638B (zh) * | 2009-09-04 | 2011-08-31 | 上海交通大学 | 一种锂离子电池用锂硅合金薄膜电极的制备方法 |
| CN107293701A (zh) * | 2016-03-31 | 2017-10-24 | 比亚迪股份有限公司 | 一种锂离子电池负极活性材料及其制备方法、负极和包含该负极的锂离子电池 |
-
2019
- 2019-08-05 CN CN201910737631.4A patent/CN110444751B/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN107834049A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-03-23 | 中航锂电（洛阳）有限公司 | 一种锂电池用硅复合材料及其制备方法、锂电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110444751A (zh) | 2019-11-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20210601 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |