CN112159956B - 一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜及其制备方法和应用 - Google Patents
一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112159956B CN112159956B CN202010899071.5A CN202010899071A CN112159956B CN 112159956 B CN112159956 B CN 112159956B CN 202010899071 A CN202010899071 A CN 202010899071A CN 112159956 B CN112159956 B CN 112159956B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sputtering
- film
- substrate
- foil
- foil substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜及其制备方法和应用,以Cu箔基片为基体,Al靶为靶材,在Cu箔基片上磁控溅射一层Al薄膜,磁控溅射时间为10s‑5min。本发明解决了充放电过程中Al负极体积膨胀收缩严重,达不到Li离子电池材料的负极使用要求,导致的Al金属粉化、性能失效的问题。
Description
技术领域
本发明属于锂离子电池领域,具体涉及一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜及其制备方法和应用。
背景技术
锂离子电池的负极是由负极活性物质碳材料或非碳材料、粘合剂和导电剂混合制成糊状胶合剂均匀涂抹在铜箔两侧,经干燥、滚压而成。锂离子电池能否成功地制成,关键在于能否制备出可逆地脱/嵌锂离子的负极材料。一般来说,选择一种好的负极材料应遵循以下原则:比能量高;相对锂电极的电极电位低;充放电反应可逆性好;与电解液和粘结剂的兼容性好;比表面积小(<10m2/g),振实密度高(>2g/cm3);嵌锂过程中尺寸和机械稳定性好;资源丰富,价格低廉;在空气中稳定、无毒副作用。
金属铝是一种非常有吸引力的负极材料,根据Al-Li二元相图可知,Al和Li可以形成3种可能的金属间化合物AlLi、Al2Li3和Al4Li9。所以,Al电极的理论最大容锂值是平均每个Al原子吸收2.25个Li原子,也就是对应着富Li相Al4Li9,其理论比容量为2234mAh/g,远远高于商业化石墨的理论比容量372mAh/g。但以纯Al作负极时,由于Al负极的体积膨胀带来表面粉化问题,从而导致循环性能差。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜及其制备方法和应用,解决了充放电过程中Al负极体积膨胀收缩严重,达不到Li离子电池材料的负极使用要求,导致的Al金属粉化、性能失效的问题。
本发明是通过以下技术方案来实现:
一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜的制备方法,以Cu箔基片为基体,Al靶为靶材,在Cu箔基片上磁控溅射一层Al薄膜,磁控溅射时间为10s-5min。
优选的,包括以下步骤:
1)对Cu箔基片进行超声清洗;
2)对清洗后的Cu箔基片进行烘干处理;
3)将烘干处理后的Cu箔基片置于磁控溅射设备的夹具中,在靶基座上装上Al靶,利用氩气调节溅射室的气压在10-3~10-2Pa范围内,在Cu箔基片上磁控溅射一层Al薄膜。
进一步的,步骤1)中,使用无水乙醇对Cu箔基片进行超声清洗至少10min。
进一步的,步骤2)中,对清洗后的Cu箔基片用高纯氩气吹干表面的溶液。
进一步的,步骤3)中,Al靶的纯度为99.99%;氩气纯度为99.99%。
进一步的,步骤3)中,在Cu箔基片上磁控溅射Al薄膜前,先进行至少15min的预溅射。
进一步的,步骤3)中,采用直流溅射方式在Cu箔基片上磁控溅射一层Al薄膜。
一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜,采用上述的制备方法得到,所述Al薄膜的膜层表面形貌为岛状。
优选的,Al薄膜的厚度为10~50nm。
所述的以Cu箔为基片的岛状Al薄膜作为负极在锂离子电池中的应用。
与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:
本发明以Cu箔为基片的岛状Al薄膜制备方法,采用磁控溅射工艺,在Cu箔基片上溅射一层Al薄膜。在溅射过程中,随着时间的推移,材料最先呈现颗粒状,然后逐步汇集呈岛状,如果时间再延长则会完全闭合形成平整的薄膜。而本发明由于采用非常短的溅射时间,因此溅射得到的Al薄膜的膜层表面形貌呈岛状,且薄膜内呈现多孔结构。将得到的岛状Al薄膜作为负极应用于锂离子电池,不但充分利用了Al的高理论比容量,同时薄膜表面岛状结构可以为Li离子的脱嵌提供更大的电解液接触面积、更多的有效反应活性位点,以及三维体积膨胀方向和空间,从而极大的延缓Al负极的体积膨胀,减缓表面粉化的速度,提高其循环性能,解决Al本身体积膨胀过大的粉化问题,显著提高Al的抗粉化性能,进一步提高了锂离子电池的能量密度和使用寿命。本发明制备方法,相比于化学合成法,制备工艺简单、成本低廉、性能优异,更有利于实际应用和大规模生产。
本发明方法制备得到的以Cu箔为基片的岛状Al薄膜,其膜层结构足以提高Li离子电池的电流密度和循环性能,增加电池的电量和使用寿命。
附图说明
图1为实施例1-4和对比例1-5制备的Al薄膜表面形貌;
图2为实施例1制备的岛状Al薄膜截面图;
图3为实施例2制备的岛状Al薄膜截面图;
图4为实施例3制备的岛状Al薄膜截面图;
图5为实施例3和4及对比例2、4和5制备的Al薄膜循环性能。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明,所述是对本发明的解释而不是限定。
本发明所述的以Cu箔为基片的岛状Al薄膜制备方法,包括以下步骤:
1)对Cu箔基片进行超声清洗;
2)对清洗后的Cu箔基片进行烘干处理;
3)将处理好的Cu箔基片置于磁控溅射的夹具中,在靶基座上装上Al靶,并调整靶间距;本底真空控制在10-4Pa,利用氩气调节溅射室的气压在10-3~10-2Pa范围内;采用直流溅射方式溅射得到Al单层膜,溅射时间为30s-5min,优选1-5min。
步骤1)中,依次使用无水乙醇和去离子水对Cu箔基片进行超声清洗至少10min。
步骤2)中,对清洗好的Cu箔基片用高纯氩气吹干表面的溶液。
步骤3)中,Al靶采用纯度为99.99%的Al靶。
步骤3)中,通入纯度为99.99%的氩气;氩气流量30sccm,工作气压为10-3~10- 2Pa;在溅射镀膜之前先进行预溅射,预溅射时间至少15min以除去Al靶表层物质。
采用上述方法Al单层膜的膜层表面形貌为岛状,且具有多孔结构,可用作锂离子电池负极使用。
实施例1
本发明岛状Al薄膜的实施工艺,包括以下步骤:
1)将Cu箔基片依次置于无水乙醇和去离子水对基片进行超声清洗10min;
2)对清洗好的Cu箔基片用纯度为99.99%的高纯氮气进行吹干处理;
3)将处理好的Cu箔基片置于磁控溅射的夹具中,在靶基座上装上Al靶,并调整靶间距;
4)溅射室的本底真空在10-4Pa,Cu箔基片和Al靶先置于进样室内,进样室抽真空,待溅射室和进样室的气压差<10倍时,送入待镀膜的Cu箔基片;利用氩气调节溅射室的气压在10-3~10-2Pa范围内;调整承载Cu箔基片的样品台的转速为20r/min;
6)待气压达到要求后,调整溅射功率,在30W打开基体挡板阀,进行预溅射15min。
7)预溅射结束后,关闭基体挡板阀,调整溅射功率在~100W,辅助偏压为-70V;采用直流溅射方式进行溅射,溅射时间为30s。
实施例2
本发明岛状Al薄膜的实施工艺,包括以下步骤:
1)将Cu箔基片依次置于无水乙醇和去离子水对基片进行超声清洗10min;
2)对清洗好的Cu箔基片用纯度为99.99%的高纯氮气进行吹干处理;
3)将处理好的Cu箔基片置于磁控溅射的夹具中,在靶基座上装上Al靶,并调整靶间距;
4)溅射室的本底真空在10-4Pa,Cu箔基片和Al靶先置于进样室内,进样室抽真空,待溅射室和进样室的气压差<10倍时,送入待镀膜的Cu箔基片;利用氩气调节溅射室的气压在10-3~10-2Pa范围内;调整承载Cu箔基片的样品台的转速为20r/min;
6)待气压达到要求后,调整溅射功率,在30W打开基体挡板阀,进行预溅射15min。
7)预溅射结束后,关闭基体挡板阀,调整溅射功率在~100W,辅助偏压为-70V;采用直流溅射方式进行溅射,溅射时间为60s。
实施例3
本发明岛状Al薄膜的实施工艺,包括以下步骤:
1)将Cu箔基片依次置于无水乙醇和去离子水对基片进行超声清洗10min;
2)对清洗好的Cu箔基片用纯度为99.99%的高纯氮气进行吹干处理;
3)将处理好的Cu箔基片置于磁控溅射的夹具中,在靶基座上装上Al靶,并调整靶间距;
4)溅射室的本底真空在10-4Pa,Cu箔基片和Al靶先置于进样室内,进样室抽真空,待溅射室和进样室的气压差<10倍时,送入待镀膜的Cu箔基片;利用氩气调节溅射室的气压在10-3~10-2Pa范围内;调整承载Cu箔基片的样品台的转速为20r/min;
6)待气压达到要求后,调整溅射功率,在30W打开基体挡板阀,进行预溅射15min。
7)预溅射结束后,关闭基体挡板阀,调整溅射功率在~100W,辅助偏压为-70V;采用直流溅射方式进行溅射,溅射时间为120s。
实施例4
本发明岛状Al薄膜的实施工艺,包括以下步骤:
1)将Cu箔基片依次置于无水乙醇和去离子水对基片进行超声清洗10min;
2)对清洗好的Cu箔基片用纯度为99.99%的高纯氮气进行吹干处理;
3)将处理好的Cu箔基片置于磁控溅射的夹具中,在靶基座上装上Al靶,并调整靶间距;
4)溅射室的本底真空在10-4Pa,Cu箔基片和Al靶先置于进样室内,进样室抽真空,待溅射室和进样室的气压差<10倍时,送入待镀膜的Cu箔基片;利用氩气调节溅射室的气压在10-3~10-2Pa范围内;调整承载Cu箔基片的样品台的转速为20r/min;
6)待气压达到要求后,调整溅射功率,在30W打开基体挡板阀,进行预溅射15min。
7)预溅射结束后,关闭基体挡板阀,调整溅射功率在~100W,辅助偏压为-70V;采用直流溅射方式进行溅射,溅射时间为5min。
对比例1
本发明Al薄膜的实施工艺,包括以下步骤:
1)将Cu箔基片依次置于无水乙醇和去离子水对基片进行超声清洗10min;
2)对清洗好的Cu箔基片用纯度为99.99%的高纯氮气进行吹干处理;
3)将处理好的Cu箔基片置于磁控溅射的夹具中,在靶基座上装上Al靶,并调整靶间距;
4)溅射室的本底真空在10-4Pa,Cu箔基片和Al靶先置于进样室内,进样室抽真空,待溅射室和进样室的气压差<10倍时,送入待镀膜的Cu箔基片;利用氩气调节溅射室的气压在10-3~10-2Pa范围内;调整承载Cu箔基片的样品台的转速为20r/min;
6)待气压达到要求后,调整溅射功率,在30W打开基体挡板阀,进行预溅射15min。
7)预溅射结束后,关闭基体挡板阀,调整溅射功率在~100W,辅助偏压为-70V;采用直流溅射方式进行溅射,溅射时间为10min。
对比例2
本发明Al薄膜的实施工艺,包括以下步骤:
1)将Cu箔基片依次置于无水乙醇和去离子水对基片进行超声清洗10min;
2)对清洗好的Cu箔基片用纯度为99.99%的高纯氮气进行吹干处理;
3)将处理好的Cu箔基片置于磁控溅射的夹具中,在靶基座上装上Al靶,并调整靶间距;
4)溅射室的本底真空在10-4Pa,Cu箔基片和Al靶先置于进样室内,进样室抽真空,待溅射室和进样室的气压差<10倍时,送入待镀膜的Cu箔基片;利用氩气调节溅射室的气压在10-3~10-2Pa范围内;调整承载Cu箔基片的样品台的转速为20r/min;
6)待气压达到要求后,调整溅射功率,在30W打开基体挡板阀,进行预溅射15min。
7)预溅射结束后,关闭基体挡板阀,调整溅射功率在~100W,辅助偏压为-70V;采用直流溅射方式进行溅射,溅射时间为15min。
对比例3
本发明Al薄膜的实施工艺,包括以下步骤:
1)将Cu箔基片依次置于无水乙醇和去离子水对基片进行超声清洗10min;
2)对清洗好的Cu箔基片用纯度为99.99%的高纯氮气进行吹干处理;
3)将处理好的Cu箔基片置于磁控溅射的夹具中,在靶基座上装上Al靶,并调整靶间距;
4)溅射室的本底真空在10-4Pa,Cu箔基片和Al靶先置于进样室内,进样室抽真空,待溅射室和进样室的气压差<10倍时,送入待镀膜的Cu箔基片;利用氩气调节溅射室的气压在10-3~10-2Pa范围内;调整承载Cu箔基片的样品台的转速为20r/min;
6)待气压达到要求后,调整溅射功率,在30W打开基体挡板阀,进行预溅射15min。
7)预溅射结束后,关闭基体挡板阀,调整溅射功率在~100W,辅助偏压为-70V;采用直流溅射方式进行溅射,溅射时间为20min。
对比例4
本发明Al薄膜的实施工艺,包括以下步骤:
1)将Cu箔基片依次置于无水乙醇和去离子水对基片进行超声清洗10min;
2)对清洗好的Cu箔基片用纯度为99.99%的高纯氮气进行吹干处理;
3)将处理好的Cu箔基片置于磁控溅射的夹具中,在靶基座上装上Al靶,并调整靶间距;
4)溅射室的本底真空在10-4Pa,Cu箔基片和Al靶先置于进样室内,进样室抽真空,待溅射室和进样室的气压差<10倍时,送入待镀膜的Cu箔基片;利用氩气调节溅射室的气压在10-3~10-2Pa范围内;调整承载Cu箔基片的样品台的转速为20r/min;
6)待气压达到要求后,调整溅射功率,在30W打开基体挡板阀,进行预溅射15min。
7)预溅射结束后,关闭基体挡板阀,调整溅射功率在~100W,辅助偏压为-70V;采用直流溅射方式进行溅射,溅射时间为30min。
对比例5
本发明Al薄膜的实施工艺,包括以下步骤:
1)将Cu箔基片依次置于无水乙醇和去离子水对基片进行超声清洗10min;
2)对清洗好的Cu箔基片用纯度为99.99%的高纯氮气进行吹干处理;
3)将处理好的Cu箔基片置于磁控溅射的夹具中,在靶基座上装上Al靶,并调整靶间距;
4)溅射室的本底真空在10-4Pa,Cu箔基片和Al靶先置于进样室内,进样室抽真空,待溅射室和进样室的气压差<10倍时,送入待镀膜的Cu箔基片;利用氩气调节溅射室的气压在10-3~10-2Pa范围内;调整承载Cu箔基片的样品台的转速为20r/min;
6)待气压达到要求后,调整溅射功率,在30W打开基体挡板阀,进行预溅射15min。
7)预溅射结束后,关闭基体挡板阀,调整溅射功率在~100W,辅助偏压为-70V;采用直流溅射方式进行溅射,溅射时间为60min。
如图1所示,为实施例1-4和对比例1-5得到的Al薄膜的SEM图。实施例1-4的Al膜层表面微观形貌显示,Al膜层表面为岛状,且具有多孔结构。而对比例1-5,由于溅射时间延长,最终得到的薄膜表面不再是岛状,而是形成表面相对平整的薄膜,形成薄膜之后继续延长溅射时间,薄膜的形貌不会发生变化,厚度会进一步增加。
图2、图3和图4分别为实施例1、实施例2和实施例3得到的Al膜层截面图,可以看出,溅射时间为30s、60s和120s时,Al膜层厚度分别为19.5、23.7和34.52nm,即随着溅射时间的延长,Al膜层厚度逐渐增加。
图5为实施例3和4以及对比例2、4和6得到的Al薄膜的循环性能图,可以看出,溅射时间为1min的Al薄膜在0.2C倍率下容量和循环性能最佳。这是由于溅射时间小于1min,Al单质以颗粒形状存在,作为锂电池负极在充放电过程中发生较大的形变从而容易脱落;随着溅射时间增加,在1-5min左右颗粒汇集形成岛状薄膜,在充放电过程中因为有空隙可以有效缓冲Al材料的体积变化,呈现出最佳的循环特性;随着溅射时间进一步增加,材料呈现薄膜,充放电过程中没有空间释放体积变化导致的应力和形变,从而造成Al粉化,材料循环性能变差。
Claims (1)
1.以Cu箔为基片的岛状Al薄膜作为负极在锂离子电池中的应用,其特征在于,所述以Cu箔为基片的岛状Al薄膜采用如下制备方法得到:以Cu箔基片为基体,Al靶为靶材,在Cu箔基片上磁控溅射一层Al薄膜,磁控溅射时间为10s-5min;所述Al薄膜的膜层表面形貌为岛状。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010899071.5A CN112159956B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010899071.5A CN112159956B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜及其制备方法和应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112159956A CN112159956A (zh) | 2021-01-01 |
CN112159956B true CN112159956B (zh) | 2021-11-19 |
Family
ID=73857663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010899071.5A Active CN112159956B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112159956B (zh) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090152101A1 (en) * | 2007-08-30 | 2009-06-18 | North Carolina Argicultural And Technical State University | Processes for Fabrication of Gold-Aluminum Oxide and Gold-Titanium Oxide Nanocomposites for Carbon Monoxide Removal at Room Temperature |
CN101339989A (zh) * | 2008-06-10 | 2009-01-07 | 华南师范大学 | 锂离子电池负极用铝锡合金薄膜及其制备方法 |
CN101942636A (zh) * | 2009-07-06 | 2011-01-12 | 亚汉科技股份有限公司 | 多层复合镀膜、其制造方法以及具有该多层复合镀膜的基材 |
CN102560384B (zh) * | 2012-02-23 | 2013-12-11 | 成都精密光学工程研究中心 | 在基底表面上沉积纳米点阵的方法 |
CN108987673B (zh) * | 2018-07-23 | 2021-11-30 | 合肥工业大学 | 一种含导电保护薄膜的锂负极及其制备方法和应用 |
-
2020
- 2020-08-31 CN CN202010899071.5A patent/CN112159956B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112159956A (zh) | 2021-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3913490B2 (ja) | リチウム二次電池用電極の製造方法 | |
CN111430684B (zh) | 复合负极及其制备方法和应用 | |
CN110676420A (zh) | 一种锂离子电池的补锂隔膜 | |
CN111653727B (zh) | 一种预锂化硅基薄膜负极材料及其制备方法 | |
WO2013159471A1 (zh) | 高性能锂离子电池多孔薄膜硅基负极材料及其制备方法 | |
CN104347842A (zh) | 一种锂离子二次电池复合负极片及其制备方法和锂离子二次电池 | |
CN110444751B (zh) | Li-Si-N纳米复合薄膜及其制备方法、负极结构及锂电池 | |
CN109817895A (zh) | 一种高安全、高性能锂电池负极电极的制备方法 | |
CN104810505A (zh) | 一种锂离子电池负极片及其二次电池 | |
CN112159956B (zh) | 一种以Cu箔为基片的岛状Al薄膜及其制备方法和应用 | |
CN108899470B (zh) | 一种Li-S电池正极片夹层结构的制备方法 | |
JP2002170555A (ja) | リチウム二次電池用電極の製造方法 | |
CN110380056A (zh) | 一种表面改性集流体、其制备方法及应用 | |
CN113151790B (zh) | 离子/电子共导体薄膜及其制备方法、固态电池及电动车 | |
CN110885073B (zh) | 一种碳纳米角-硅复合材料的制备方法 | |
CN111106334B (zh) | 一种锂离子电池复合负极片及其制备方法 | |
CN114156438A (zh) | 一种高性能多孔Cu-Si合金薄膜负极材料及其制备方法 | |
CN108110222B (zh) | 一种基于锂电池的多层金属-碳负极的制备方法 | |
CN102891281B (zh) | 一种全固态薄膜锂离子电池负极及其制备方法 | |
CN106784723B (zh) | 一种氧化铁基纳米复合物电极材料及其制备方法 | |
JP2009123402A (ja) | リチウム二次電池用負極の製造方法 | |
CN112531146B (zh) | 一种锂离子电池硅薄膜负极材料的改性方法及应用 | |
CN115207297A (zh) | 一种高倍率型三维多孔硅-铌基氧化物复合薄膜负极材料及其制备方法 | |
CN113690402B (zh) | 一种锂离子电池、锂离子电池负极及其制备方法 | |
CN109461908B (zh) | 一种高性能薄膜电极材料及其制备方法和应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |