JP2007266626A - 基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池 - Google Patents

基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池 Download PDF

Info

Publication number
JP2007266626A
JP2007266626A JP2007159546A JP2007159546A JP2007266626A JP 2007266626 A JP2007266626 A JP 2007266626A JP 2007159546 A JP2007159546 A JP 2007159546A JP 2007159546 A JP2007159546 A JP 2007159546A JP 2007266626 A JP2007266626 A JP 2007266626A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
alkali metal
solar cell
absorption layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007159546A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4646250B2 (ja
Inventor
Volker Probst
プロブスト フォルカー
Joerk Rimmasch
リマシュ イエルク
Hauke Harms
ハルムス ハウケ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SolarWorld Industries Deutschland GmbH
Original Assignee
Shell Solar GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6534667&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2007266626(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Shell Solar GmbH filed Critical Shell Solar GmbH
Publication of JP2007266626A publication Critical patent/JP2007266626A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4646250B2 publication Critical patent/JP4646250B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H01L31/0323—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2 characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】カルコパイライト吸収層（４，５）を有する太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】製造過程でＮａ，Ｋ及びＬｉから選択される元素又は該元素の化合物をドーピング添加することにより、完成した吸収層内に所望のアルカリ金属含量を得る。場合によるアルカリ金属含有基板（１）からのアルカリ金属イオンの付加的拡散侵入は、基板と吸収層の間に拡散遮断層（２）を設けることにより阻止する。
【選択図】図２

Description

本発明は、カルコパイライト吸収層を有する太陽電池に関する。
光電池における主目的は、できるだけ長時間安定かつ高効率を有すると同時に低い製造コストで製造できる太陽電池を開発することである。その際にのみ、この形のエネルギ発生の形は別の方法に対して競合する。
現在、効率及び長時間安定性に関しては単結晶からなるソーラモジュールが標準的である。
廉価かつ長時間安定性の太陽電池を製造するための有望な評価は、現在では単結晶Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2カルコパイライト半導体からなる太陽電池であると推測される。特にＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳ）及びＣｕＩｎ（Ｇａ）Ｓｅ2（Ｓ2）（＝ＣＩＧＳ）からなる同系の合金は、高い吸収係数、直接的帯域遷移及び太陽スペクトルに合った帯域間隔を有する材料である。該材料は、廉価な薄膜析出法で製造されかつ実験室実験で既に１７％を越える効率を有する。
慣用のセル構造は、ガラス基板、モリブデン背面電極、多結晶カルコパイライト半導体からなる厚さ１〜５μｍの吸収層、薄膜の硫化カドミウム窓層及び透明な前面電極からなる。
記録効率は専らアルカリ金属含有ガラス基板、例えばソーダ石灰ガラス（Kalknatronglas）上に製造される太陽電池で達成することができることが判明した。別の材料では、カルコパイライト吸収層の粒子成長に不利な基板影響が確認される。その他は同一の製造条件で、別の基板材料では約２００ｎｍの平均粒子直径を有する微結晶質層が得られる。付加的に、カルコパイライト層の表面に種々の面被覆の特に微結晶質のかつ大きさ最大約５０ｎｍの結晶子が形成される。このことは電池電流、最大達成可能な無負荷電圧、短絡電流密度及び占積率の低下を惹起する。
太陽電池特性の依存性の原因として、基板に由来する不純物が推測される。基板は吸収層の層形成の際に軟化点の近くまで加熱されるので、特にアルカリ金属及びアルカリ土類金属が基板から半導体中に拡散侵入することがある。フロートガラスからなる慣用の基板は、ナトリウム１３〜１５％、カルシウム５〜７％、マグネシウム４〜５％及びカルシウム０．５〜１％の（土類）アルカリ金属濃度を有する。
カルコパイライト吸収層を有する太陽電池を製造する際には、ソーダ石灰ガラスの電池特性に対するプラスの影響が付加的に基板材料の前処理、例えば未被覆の並びにまたモリブデン背面電極により被覆された基板の表面の浄化、湿分、持続時間及び温度に関する貯蔵条件に依存するという問題が生じる。また、モリブデン背面電極の析出条件も、太陽電池特性に影響を及ぼす。種々異なった析出条件が第一にアルカリ金属又はアルカリ土類金属イオンに対する拡散特性に影響を及ぼすと推測される。そのためにはまた、カルコパイライト吸収層を製造するために使用される熱量は太陽電池特性に対するもう１つの影響値であると言える。
もう１つの欠点として、カルコパイライト層はしばしばモリブデン背面電極に対する付着力が悪いことが挙げられる。
カルコパイライト吸収層を有する高価な太陽電池を大規模に製造するために必要である１００％のプロセス制御は、実地においては莫大な費用をかけてのみ可能であるにすぎない。
従って、本発明の課題は、製造後の太陽電池の特性に対する従来制御不可能であった基板影響を排除し、それにもかかわらず最大効率を可能にする良好な電池特性及び形態学的に良好に形成された吸収層を有する太陽電池を生ずる、系ＣｕＩｎ（Ｇａ）Ｓｅ2（Ｓ2）（＝ＣＩＧＳ）からなるカルコパイライト吸収層（４，５）を有する太陽電池の製造方法を提供することである。
前記課題は、本発明により請求項１記載の方法により解決される。
本発明の別の実施態様及び特別に構成された太陽電池は、別の請求項から明らかである。
本発明は、既にカルコパイライト吸収層内にアルカリ金属元素が存在するとそれから製造された太陽電池の効率及び別の特性は改良されるという発見に起因する。しかし、所望のアルカリ金属含量の調整は、本発明では、例えばアルカリ金属含有基板からのアルカリ金属の援助により達成するのではなく、反対に吸収層内へのアルカリ金属拡散を完全に抑制しかつ背面電極の製造中又はその後にアルカリ金属元素又はアルカリ金属元素化合物の計量添加により達成する。
更に、本発明は、プラスの効果は吸収層内のアルカリ金属濃度の一定の閾値において初めて生じるという認識を利用する。この閾値は、本発明による方法で確実に達成されかつそれを上回ることができる。
更に、本発明によれば、吸収層内のアルカリ金属濃度を高めると吸収層とその他の通常使用される層との間の付着力が悪くなるという問題が回避される。
カルコパイライト吸収層内にアルカリ金属含量を有していないその他は同じ構造の太陽電池とは異なり、以下の太陽電池特性の改良が達成される：
太陽電池の最大達成可能な無負荷電圧が、少なくとも８０ｍＶないし５００ｍＶ高められる。
短絡電流密度は、４０ｍＶ／ｃｍ2以上、ひいては理論的に可能な最大値の近くまで達する。
占積率は従来最大６５％から７０％以上に上昇する。
太陽電池の無負荷電圧は、既に最少アルカリ金属含量で高まる。
モリブデン電極に対する吸収層の付着力は、改良される。
本発明に基づき基板とは無関係に製造される吸収層は、太陽電池にとって有利な形態を有する。該吸収層は粗粒子状であり、かつ１〜５μｍである吸収層の層厚さの範囲内の平均粒径を有する。従来アルカリ金属不含の基板上での吸収層で観察されたような、微結晶質の表面層は形成されない。従って、本発明による方法のためには、適当な基板の大きな選択性が提供される。
吸収層のアルカリ金属含量の正確な高さは決定的に太陽電池の効率に関与するので、本発明による方法によれば、まず第一にアルカリ金属含量に関する簡単なプロセス制御が提供される。該方法は確実に、初めて太陽電池の高いかつ最高の効率の達成を可能にする、吸収層内の適当なアルカリ金属含量を有する太陽電池を生じる。
本発明によれば、吸収層の所望のアルカリ金属含量は有利には背面電極に対する境界周辺で調整される。実験により、吸収層の表面からのアルカリ金属元素の侵入は太陽電池の低い効率を惹起することが判明した。それでもなお吸収層の厚さ全体にわたり一定のアルカリ金属含量を有する太陽電池は、アルカリ金属不含のものに比して改良される。
所望のアルカリ金属量の導入は、元素ナトリウム、カリウム又はリチウムの計量した添加により行うことができる。アルカリ金属の添加は、拡散セル又は線形蒸発器からの蒸発により行うことができる。
しかしながら、所望のアルカリ金属含量は、適当なアルカリ金属化合物の計量した添加により行うのが有利である。これらは特に酸素、硫黄、セレンとのそれぞれの化合物又はハロゲン化物である。硫黄及びセレンは既にカルコパイライト半導体の構成成分であるので、そのアルカリ金属との化合物は吸収層内に付加的な不純物をもたらさない。
アルカリ金属化合物の析出は、有利にはスパッタリング又は蒸発により行う。その際には、アルカリ金属化合物ターゲット又はアルカリ金属化合物とセレン化銅ＣｕxＳｅyとの混合ターゲット又はアルカリ金属化合物とセレン化インジウムＩｎxＳｅyとの混合ターゲットを使用することができる。同様に、金属−アルカリ金属混合ターゲット、例えばＣｕ／Ｎａ，Ｃｕ−Ｇａ／Ｎａ又はＩｎ／Ｎａも可能である。
ナトリウム、カリウム又はリチウムの導入は、アルカリ金属元素を加えた金属ターゲットからの背面電極のスパッタリングにより行うこともできる。
適当なアルカリ金属含量は、カルコパイライト吸収層の層厚さ及び製造方法に左右される。出発成分での層構成及び引き続いての急速な調質（Rapid Termal Anealing）による化合物半導体への変換を介する２工程方式製造方法のためには、太陽電池の面積当たりアルカリ金属１０14〜１０16原子／ｃｍ2の量が有利であることが判明した。それ以上の濃度では、付着力の劣化が生じる恐れがある。
析出したアルカリ金属量の制御は、校正した振動石英測定、吸収分光分析又は質量分光分析により行うことができる。
アルカリ金属含有基板、特にガラス基板を使用すると、吸収層内へのその製造中の基板からの付加的なアルカリ金属拡散は拡散遮断層により阻止される。このためには、窒化珪素、窒化チタン、酸化アルミニウム、ＳｉＯ2，ＴｉＯ2又はＺｒＯ2からなる薄い層が適当である。酸化アルミニウム、二酸化珪素又は酸化ジルコニウムからなる電気絶縁性拡散遮断層を、直接基板の上に配置することができる。
該拡散遮断層は、吸収層の製造前に構造化法によって侵害されるべきでない。薄い酸化アルミニウム及び酸化珪素層は可視範囲内で透明であるので、光学的に透明な基板を使用する際には背面から基板を貫通してレーザ構造化を行うことができる。このような方法は、例えば欧州特許出願公開第０５３６４３１号明細書に記載されている。拡散遮断層を侵害しないもう１つの方法は、リフトオフ（Lift off）技術である。背面電極の析出の際にマスク技術を使用することも、拡散遮断層の侵害をもたらさない。
導線性材料からなる拡散遮断材料は、基板と背面電極の間に又は背面電極と吸収層の間に配置することができる。しかしながらその際、直列回路を達成するためには、該拡散遮断層は、背面電極と一緒に構造化すべきである。吸収層の形成中にアルカリの拡散を阻止するためには、背面電極と拡散遮断層の一緒の構造化は吸収層の製造後初めて行うことができる。
十分な遮断作用は、約２０〜１００ｎｍの薄い窒化アルミニウム、窒化チタン、酸化アルミニウム、酸化チタン又は酸化ジルコニウムにより達成される。
該拡散遮断層は、公知の析出法、例えば化合物ターゲットのスパッタリング又は元素ターゲットの反応性スパッタリングにより大面積的、化学量論的にかつ緊密に施すことができる。
本発明のもう１つの実施態様では、アルカリ金属イオンに対して完全に安定な遮断作用を有し、従って拡散遮断層として役立てることができる背面電極を使用することができる。この実施態様においては、付加的な拡散遮断層は不必要である。そのような背面電極は、例えば完全に窒化チタンから形成されていてもよい。また、このような完全な遮断作用を有する背面電極を２つの層から構成することも可能であるが、しかしこのことは既に記載した背面電極／導電性拡散遮断層の組み合わせに相当する。
次に、実施例及び６つの図面につき本発明を詳細に説明する。任意の基板上に高価なカルコパイライト吸収層を製造する本発明の可能性を略示横断面図で示す。
図１において、アルカリ金属含有基板１としては、例えばソーダ石灰ガラスからなるガラス板が利用される。その上に、拡散遮断層２を約２０〜１００ｎｍの層厚さで析出させる。拡散遮断層のために材料としては、酸化アルミニウム、窒化チタン、二酸化珪素、窒化珪素、酸化チタン又は酸化ジルコニウムを利用することができる。
その上に今や、背面電極３、例えば約１μｍのモリブデン層をスパッタリングにより施す。
次の工程で、所望のアルカリ金属含量を有するカルコパイライト吸収層を背面電極３上に製造する。この場合、所望のアルカリ金属含量の導入自体はカルコパイライト吸収層のための製造方法に依存する。
そのためには、２工程法で、化合物半導体の元素をほぼ正確に化学量論的量で含有する、化合物半導体の出発成分よりなる多層構造を製造する。第２工程で、出発成分を化合物半導体に転化させる。この場合、出発成分は銅、インジウム、ガリウム、セレン及び硫黄又はそれらの相互の２元化合物からなっていてもよい。２工程法の１つの変法では、非金属成分(硫黄又はセレン)を少なくとも一部分相応するセレン又は硫黄含有雰囲気を介して供給することができる。
化合物半導体の製造方法に左右されない変法では、アルカリ金属元素を有利には硫化物又はセレン化物の形で背面基板に析出させる。その上に、第２工程で再び化合物半導体の成分からなる多層構造を製造しかつ引き続き調質工程で典型的には５００℃以上の温度で化合物半導体に転化する。
背面電極３の境界面に、アルカリ金属分の少ない半導体層５の下のアルカリ金属分の多い半導体層４が形成された、図１に示した構造が得られる。
選択的に、アルカリ金属化合物の計量供給は、多層構造の別の成分と一緒の同時スパッタリングにより行うこともできる。
吸収層を製造するための１工程式方法では、成分を同時に蒸発させかつ熱い基板上に直接化合物半導体を形成する。この場合には、出発段階で相応するアルカリ金属化合物をその他の成分と同時に蒸発させることができる。
吸収層の製造とは無関係な１つの変法においては、例えば背面電極材料のほかにナトリウム、カリウム又はリチウムを含有する金属ターゲットのスパッタリングによりアルカリ金属含有背面電極３を製造する。次いで、化合物半導体を形成するために必要な調質工程でアルカリ金属イオンの化合物半導体内への拡散を行う。この際に、再び図１に示した構造が得られる。
図２には、背面電極３と拡散遮断層２に関する層順序が図１に比して交換されている１つの変法の結果が示されている。この変法に関しては、拡散遮断層が導電性材料から構成されている点で制限される。背面電極３及び拡散遮断層２のための材料としては、例えばモリブデンと窒化チタン、パラジウム又は白金との組み合わせ及びそれらの特に珪素との化合物が該当する。またチタン又はその他の電極材料と窒化チタンとの組み合わせも好適である。
吸収層の製造もしくはアルカリ金属含量の吸収層４，５への導入は、第１の実施例と同様に行うことができる。
図３は、アルカリ金属吸収層４，５が背面電極６及びアルカリ金属含有基板１の上に配置された層構造を示す。この場合には、背面電極６はアルカリ金属拡散に対して完全な遮断作用を有する、従って同時にアルカリ金属含有基板上の拡散遮断層として役立つ。この電極６のための適当な材料は、特に窒化チタンのほかにまた図２による実施例のために好適な材料である。
カルコパイライト吸収層の製造及びアルカリ金属含量の吸収層内への導入は、既に記載した方法で行うことができる。アルカリ金属元素もしくはアルカリ金属化合物の背面電極６への境界層の周辺への導入は、完成した吸収層４，５においてアルカリ金属分の多い層領域４とアルカリ金属分の少ない層領域５を生ずる。
アルカリ金属含有吸収層４の直ぐ下に拡散層２，６が配置された図２及び図３の実施例においては、該拡散層は別の機能が満足される：該拡散層は、半導体もしくはカルコパイライト吸収層４に対する抵抗接点の製造のために役立ちかつ更に、カルコパイライト吸収層４，５の製造工程において生成しかつ背面電極と反応することができるような元素及び化合物のための拡散及び反応遮断を行う。このことは特にモリブデン背面電極の直ぐ上にカルコパイライト吸収層を形成するような太陽電池に比較して有利である。セレン又は硫黄、従ってカルコパイライト化合物半導体の成分との反応により、カルコパイライト吸収層の製造条件下で、背面電極上の吸収層の付着力、背面電極と半導体の抵抗接触及び別の太陽電池特性に対する不利な影響を有する硫化モリブデン及びセレン化モリブデンが生成する恐れがある。従って、この本発明による実施例によれば、半導体の製造を十分に背面電極の化学的及び物理的特性から解脱させることができる。半導体と背面電極との反応、例えばまた半導体成分銅、ガリウム又はインジウムとの合金形成が残る。この理由から、図２及び図３による実施例は電気絶縁性アルカリ金属不含の基板７のためにも重要である。
図４は、アルカリ金属不含の基板を有するもう１つの層構造を示す。このためにはセラミック及び特に酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム又は酸化チタンが好適である。
本発明によればこの場合アルカリ金属元素のために拡散遮断層が必要でないので、また背面電極３のための材料選択もこのことに関して制限されない。
吸収層の製造は、既に記載したように行う。この場合、背面電極３に対する境界面の周辺におけるアルカリ金属含量の導入によりアルカリ金属分の多い層領域４とアルカリ金属分の少ない層領域５が形成される。
図５は、本発明のもう１つの実施例において同様にアルカリ金属不含であるが、但し導電性の基板に関する構造を示す。この実施例に関しては、背面電極３と基板８との間に付加的な絶縁層９０が必要であるにすぎない。このことは、構造化による後からのソーラモジュールの集積した直列接続が可能であることに対する前提条件である。電気絶縁のほかに、該絶縁層は基板と背面電極の間の反応バリヤとしてかつ場合により不純物のための拡散バリヤとして働く。絶縁層９のための適当な材料は、酸化アルミニウム、酸化珪素又はその他の絶縁体、例えば窒化珪素、酸化ジルコニウム又は酸化チタンである。背面電極３の代わりに、選択的に図２による背面電極組み合わせ２及び３又は図３の背面電極６、背面電極と化合物半導体４，５との反応を回避するために使用することができる。
ナトリウム、カリウム、リチウム又は相応するアルカリ金属化合物の計量添加下での背面電極３及び吸収層４，５の析出は、既に記載したように行う。吸収層内に、そのようにしてまたアルカリ金属分の多い層領域４とアルカリ金属分の少ない層領域が形成される。
太陽電池を製造するためのもう１つの方法は、公知方法に基づく。ｎ−導電形窓層として、（ｐ−導電形）吸収層５を介して例えば厚さ１０〜５０ｎｍの硫化カドニウム層を製造する。その上に、最後に前面電極を、例えば厚さ１μｍの酸化亜鉛層の形で析出させる。しかしながら、一般に別の窓層及び別の透明な前面電極との組み合わせも可能である。
十分に高いモジュール電圧を達成するためには、太陽電池は最後になお集積接続することができる。このためには、太陽電池のそれぞれ個々の層をその直後に構造化することができる。この場合には常に、吸収層の製造前に拡散遮断層が侵害されないように注意すべきである。拡散遮断層内での既に最小の構造欠陥が、調質後に吸収層内でのアルカリ金属濃度の上昇を惹起することがある。引き続いての調質を行わなければ、構造線に沿った拡散遮断層の傷害又は除去はアルカリ金属濃度の上昇をもたらさない。
図６は、スーパストレート電池の構想を基礎とした本発明の実施例を示す。光入射は、この電池の場合には、アルカリ金属不純物が基板１０内に存在する場合には、場合により拡散遮断層を備えた透明基板１０を透して行われる。基板（層１０及び１０ａからなる）に、引き続き、例えばドーピングされた金属酸化物、例えば酸化錫又は酸化亜鉛からなっていてもよいＴＣＯ（Transparent Conductive Oxide）からなる透明な前面電極１１を設ける。次の工程は、アルカリ金属含有吸収層１２の製造である。太陽電池製造の最後に、化合物半導体への抵抗接触を行う金属背面電極を設ける。
実施例：ソーダ石灰基板／６０ｎｍＡｌ2Ｏ3／Ｍｏ／Ｎａ2Ｓｅ／ＣＩＧＳ（図１参照）
厚さ２ｍｍのソーダ石灰基板に、標準ガラス洗浄直後に６０ｎｍの薄い密なＡｌ2Ｏ3層をＡｌ2Ｏ3化合物ターゲットから高周波スパッタリングにより析出させる。６０ｎｍのＡｌ2Ｏ3を、ここではソーダ石灰ガラスからなるアルカリ金属不純物ための拡散遮断層２として利用する。引き続き、背面電極３を、例えばモリブデン７００ｎｍのスパッタリングにより施す。ここでは、アルカリ金属のドーピング導入は、直接モリブデン背面電極にセラミックシッフから精確に秤量したＮａ2Ｓｅの完全な蒸発により行う。この実施例での量は２×１０15ナトリウムイオン／ｃｍ2背面電極面積である。この実施例では、カルコパイライト吸収層を元素銅、ガリウム、インジウム及びセレン層からの高速調質法で製造する。そのために、金属を０．８９＜Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＜
０．９６のモル比でセレン化ナトリウム上にスパッタリングし、セレンを２５％の化学量論的過剰で蒸発させ、かつ高速調質法で典型的には５５０℃で１０分間不活性ガス及びカプセル内で反応させてＣｕＩｎ（Ｇａ）Ｓｅ2に転化する。元素層厚は、１〜３μｍ、この場合には２μｍの吸収層が生じるように変動することができる。しかしまた、吸収層を製造するためには任意の別の技術、例えば反応性Ｓｅ雰囲気内でのＣｕ／Ｇａ／Ｉｎ層の調質又はＣｕ，Ｇａ，Ｉｎ及びＳｅの同時蒸発を使用することができる。
太陽電池を製造するためには、吸収層４，５上に公知方法に基づき１０〜５０ｎｍの薄い硫化カドニウム窓層を製造する。引き続き、透明な前面電極、厚さ約１〜１．５μｍのＺｎＯ層をＣＶＤ法で析出させかつＣｒ５０ｎｍ及びＡｌ１μｍからなる格子をマスクを透して蒸着させる。
比較のために、専らセレン化ナトリウム添加せずにＡｌ2Ｏ3遮断層を有するソーダ石灰基板上に該太陽電池を製造した。ナトリウムなしでは、最良の電池の効率は５％未満であったが、セレン化ナトリウムを用いると１０％以上であった。この例で測定された電池データは、比較すると次の通りであった：
Ｎａなし：η＜５％、Ｖoc＜４２５ｍＶ、Ｉsc＜２１ｍＡ／ｃｍ2、ＦＦ＜
５６％
Ｎａ2Ｓｅあり：η＞５％、Ｖoc＞４４５ｍＶ、Ｉsc＞３７ｍＡ／ｃｍ2、ＦＦ＞６５％
本発明による太陽電池の１実施例の構造を示す図である。 背面電極と拡散遮断層に関する層順序が図１に比して交換されている１つの変法の結果を示す図である。 アルカリ金属吸収層が背面電極及びアルカリ金属含有基板の上に配置された層構造を示す図である。 アルカリ金属不含の基板を有するもう１つの層構造を示す図である。 同様にアルカリ金属不含であるが、但し導電性の基板に関する構造を示す図である。 スーパストレート電池の構想を基礎とした本発明の実施例を示す図である。
符号の説明
１，７，８ 基板、 ２，６，９，１０ａ 拡散遮断層、 ３，６ 背面電極、 ４，５ カルコパイライト吸収層

Claims (17)

  1. 基板（１，７，８）上に、背面電極（３，６）、カルコパイライト吸収層（４，５）及び前面電極を有する太陽電池を製造する方法において、吸収層（４，５）の製造前又は製造中にＮａ，Ｋ及びＬｉから選択される元素の化合物をドーピングにより添加し、かつ製造工程中の吸収層内への基板からアルカリ金属イオンの付加的拡散を、拡散遮断層（２，６，９，１０ａ）を基板と吸収層の間に配置することにより阻止し、それにより完成した吸収層内における前記元素の所望のかつドーピングにより決まる濃度を調整することを特徴とする、基板上に太陽電池を製造する方法。
  2. 前記元素を酸素、硫黄、セレンとの化合物又はハロゲン化物の形で背面電極（３）に析出させる、請求項１記載の方法。
  3. 前記元素がナトリウムであり、かつＮａ２Ｓ又はＮａ２Ｓｅとして吸収層（４，５）をその下にある電極（３，１０，１０ａ）上に形成する前に析出させる、請求項２記載の方法。
  4. 前記元素又はその化合物のドーピングによる添加を蒸発により行う、請求項１記載の方法。
  5. 前記元素又はその化合物のドーピングによる添加をスパッタリングにより行う、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
  6. 前記元素又はその化合物が背面電極（３）又は吸収層（４，５）の成分と一緒にそれらの混合ターゲットからのスパッタリングによる析出の際に添加する、請求項１記載の方法。
  7. 太陽電池をガラス基板上に構成し、かつＴｉＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＺｒＯ２又はＴｉＯ２から選択される拡散遮断層（２，６）を基板と吸収層（４）との間に配置する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
  8. ガラス基板（１，１０）上に直接電極層を施し、その上にＴｉＮ，Ｐｔ又はＰｄから選択される導電性拡散遮断層（２）を配置する、請求項７記載の方法。
  9. カルコパイライト吸収層（４，５）をＣｕＩｎ（Ｇａ）Ｓｅ２（Ｓ２）（＝ＣＩＧＳ）系から製造しかつそのために（アルカリ金属）元素又は該元素の化合物を元素の原子数１０１４〜１０１６／ｃｍ２の太陽電池の表面積に対する量で添加する、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
  10. Ｎａ，Ｋ及びＬｉの群から選択される元素の化合物をドーピングにより添加する請求項１から９までのいずれか1項記載の方法。
  11. 基板（１，７，８）上に、背面電極（３，６）、カルコパイライト吸収層（４，５）及び前面電極を有する太陽電池を製造する方法において、吸収層（４，５）の製造前又は製造中にＮａ，Ｋ及びＬｉから選択される元素又は該元素の化合物をドーピングにより添加し、かつ製造工程中の吸収層内への基板からアルカリ金属イオンの付加的拡散を、アルカリ金属不含の基板（７）を使用することにより阻止し、それにより完成した吸収層内における前記元素の所望のかつドーピングにより決まる濃度を調整し、元素又は該元素の化合物のドーピングによる添加をスパッタリングにより行うことを特徴とする、基板上に太陽電池を製造する方法。
  12. 基板（１，７，８）上におよびこの順序で順番に、背面電極（３，６）、カルコパイライト吸収層（４，５）及び前面電極を有する太陽電池を製造する方法において、吸収層（４，５）の製造前又は製造中にＮａ及びＫから選択される元素又は該元素の化合物をドーピングにより添加し、かつ製造工程中の吸収層内への基板からアルカリ金属イオンの付加的拡散を、アルカリ金属不含の基板（７）を使用することにより阻止し、それにより完成した吸収層内における前記元素の所望のかつドーピングにより決まる濃度を調整し、吸収層が背面電極に対する境界面の領域にＮａ又はＫの多い層領域（４）を有し、更にＮａ又はＫの少ない領域（５）を有することを特徴とする、基板上に太陽電池を製造する方法。
  13. 基板（１，７，８）上に、背面電極（３，６）、カルコパイライト吸収層（４，５）及び前面電極を有する太陽電池を製造する方法において、吸収層（４，５）の製造前又は製造中にＮａ，Ｋ及びＬｉから選択される元素又は該元素の化合物をドーピングにより添加し、かつ製造工程中の吸収層内への基板からアルカリ金属イオンの付加的拡散を、アルカリ金属不含の基板（７）を使用することにより阻止し、それにより完成した吸収層内における前記元素の所望のかつドーピングにより決まる濃度を調整し、基板（８）が導電性であり、基板と背面電極の間に絶縁層（９）が配置されていることを特徴とする、基板上に太陽電池を製造する方法。
  14. Ｎａ，Ｋ及びＬｉの群から選択される元素を原子数１０１４〜１０１６／吸収層ｃｍ２の量で含有するカルコパイライト吸収層（４，５）を有し、基板（１）上に背面電極（３）、カルコパイライト吸収層（４，５）、窓層及び前面電極を有する構造を有し、かつ基板と吸収層の間にアルカリ金属イオンのための拡散遮断層（２）が配置されている太陽電池。
  15. ガラス基板（１）、モリブデン背面電極（３）、系ＣｕＩｎ（Ｇａ）Ｓｅ２（Ｓ２）（＝ＣＩＧＳ）からなるカルコパイライト吸収層（４，５）からなる構造、及び吸収層と基板の間に配置された、ＴｉＮ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＺｒＯ２又はＴｉＯ２から選択される拡散遮断層（２）を有する、請求項１５記載の太陽電池。
  16. 拡散遮断層（２）が２０〜１００ｎｍの厚さを有する、請求項１５記載の太陽電池。
  17. 吸収層が背面電極（３）に対する境界面の領域にアルカリ金属分の多い層領域（４）を有し、更にアルカリ金属分の少ない層領域（５）を有する請求項１４から１６までのいずれか1項記載の太陽電池。
JP2007159546A 1994-12-01 2007-06-15 基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池 Expired - Lifetime JP4646250B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4442824A DE4442824C1 (de) 1994-12-01 1994-12-01 Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31224395A Division JP4022577B2 (ja) 1994-12-01 1995-11-30 基板上に太陽電池を製造する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007266626A true JP2007266626A (ja) 2007-10-11
JP4646250B2 JP4646250B2 (ja) 2011-03-09

Family

ID=6534667

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31224395A Expired - Lifetime JP4022577B2 (ja) 1994-12-01 1995-11-30 基板上に太陽電池を製造する方法
JP2007159546A Expired - Lifetime JP4646250B2 (ja) 1994-12-01 2007-06-15 基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31224395A Expired - Lifetime JP4022577B2 (ja) 1994-12-01 1995-11-30 基板上に太陽電池を製造する方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5626688A (ja)
EP (1) EP0715358B2 (ja)
JP (2) JP4022577B2 (ja)
DE (2) DE4442824C1 (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009041659A1 (ja) 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池
WO2009041660A1 (ja) 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池用基板および太陽電池
WO2009041657A1 (ja) 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池用基板および太陽電池
WO2009142308A1 (ja) * 2008-05-19 2009-11-26 昭和シェル石油株式会社 Cis系薄膜太陽電池の製造方法
JP2010212337A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Fujifilm Corp 光電変換素子、及び太陽電池
JP2011507281A (ja) * 2007-12-18 2011-03-03 プランゼー メタル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング モリブデン含有裏面電極層を有する薄膜太陽電池
WO2011083646A1 (ja) * 2010-01-07 2011-07-14 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット、化合物半導体薄膜、化合物半導体薄膜を有する太陽電池及び化合物半導体薄膜の製造方法
WO2011083647A1 (ja) * 2010-01-07 2011-07-14 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃｕ-Ｇａ系スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法、光吸収層及び該光吸収層を用いた太陽電池
WO2011114657A1 (ja) * 2010-03-18 2011-09-22 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2012147985A1 (ja) * 2011-04-29 2012-11-01 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2013019006A2 (en) * 2011-07-29 2013-02-07 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and manufacturing method of the same
WO2013125716A1 (ja) 2012-02-24 2013-08-29 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2014506960A (ja) * 2011-02-21 2014-03-20 ツェーテーエフ・ゾラール・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 基体のコーティングのための方法および装置
JP2015105387A (ja) * 2013-11-28 2015-06-08 中外炉工業株式会社 成膜方法、絶縁基板の製造方法、及びモジュール
JP2015528786A (ja) * 2012-07-19 2015-10-01 サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ 熱的な方法におけるガラス変形の回避
WO2016031974A1 (ja) * 2014-08-28 2016-03-03 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ－Ｇａスパッタリングターゲット及びＣｕ－Ｇａスパッタリングターゲットの製造方法
US9934949B2 (en) 2013-04-15 2018-04-03 Mitsubishi Materials Corporation Sputtering target and production method of the same
US10283332B2 (en) 2012-10-17 2019-05-07 Mitsubishi Materials Corporation Cu—Ga binary alloy sputtering target and method of producing the same

Families Citing this family (304)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE508676C2 (sv) * 1994-10-21 1998-10-26 Nordic Solar Energy Ab Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller
US7732243B2 (en) * 1995-05-15 2010-06-08 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US20080314433A1 (en) * 1995-05-15 2008-12-25 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
JP3519543B2 (ja) * 1995-06-08 2004-04-19 松下電器産業株式会社 半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法
JP3244408B2 (ja) * 1995-09-13 2002-01-07 松下電器産業株式会社 薄膜太陽電池及びその製造方法
JPH10270733A (ja) * 1997-01-24 1998-10-09 Asahi Chem Ind Co Ltd ｐ型半導体、ｐ型半導体の製造方法、光起電力素子、発光素子
US6258620B1 (en) 1997-10-15 2001-07-10 University Of South Florida Method of manufacturing CIGS photovoltaic devices
US6107562A (en) * 1998-03-24 2000-08-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, and solar cell using the same
US6259016B1 (en) 1999-03-05 2001-07-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solar cell
US8076568B2 (en) 2006-04-13 2011-12-13 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US20090111206A1 (en) 1999-03-30 2009-04-30 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US8222513B2 (en) 2006-04-13 2012-07-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US7635810B2 (en) * 1999-03-30 2009-12-22 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8138413B2 (en) 2006-04-13 2012-03-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8664030B2 (en) 1999-03-30 2014-03-04 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US7507903B2 (en) 1999-03-30 2009-03-24 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
DE19956735B4 (de) * 1999-11-25 2008-08-21 Shell Erneuerbare Energien Gmbh Dünnfilmsolarzelle mit einer Chalkopyritverbindung und einer Titan und Sauerstoff enthaltenden Verbindung
JP2001291881A (ja) 2000-01-31 2001-10-19 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
US8198696B2 (en) 2000-02-04 2012-06-12 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US20110067754A1 (en) * 2000-02-04 2011-03-24 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US7898053B2 (en) * 2000-02-04 2011-03-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US7898054B2 (en) * 2000-02-04 2011-03-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
DE10024882A1 (de) * 2000-05-19 2001-11-29 Zsw Verfahren zur Herstellung einer photoelektrisch aktiven Verbindungshalbleiterschicht mit Alkalimetall-Dotieranteil
JP4662616B2 (ja) 2000-10-18 2011-03-30 パナソニック株式会社 太陽電池
FR2820241B1 (fr) 2001-01-31 2003-09-19 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode
DE10127255A1 (de) * 2001-06-05 2003-01-16 Univ Stuttgart Konditionierung von Glasoberflächen für den Transfer von CIGS-Solarzellen auf flexible Kunstoffsubstrate
US6593213B2 (en) * 2001-09-20 2003-07-15 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using electrostatic fields
US6881647B2 (en) * 2001-09-20 2005-04-19 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using templates
EP1476906A2 (en) * 2001-09-20 2004-11-17 Heliovolt Corporation Apparatus for the synthesis of layers, coatings or films
US6787012B2 (en) * 2001-09-20 2004-09-07 Helio Volt Corp Apparatus for the synthesis of layers, coatings or films
US6736986B2 (en) * 2001-09-20 2004-05-18 Heliovolt Corporation Chemical synthesis of layers, coatings or films using surfactants
US6559372B2 (en) * 2001-09-20 2003-05-06 Heliovolt Corporation Photovoltaic devices and compositions for use therein
US6500733B1 (en) 2001-09-20 2002-12-31 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using precursor layer exerted pressure containment
WO2003064529A1 (en) 2002-02-01 2003-08-07 Shell Solar Gmbh Barrier layer made of a curable resin containing polymeric polyol
JP3876440B2 (ja) 2002-02-14 2007-01-31 本田技研工業株式会社 光吸収層の作製方法
JP3679771B2 (ja) * 2002-03-19 2005-08-03 三洋電機株式会社 光起電力装置、及び光起電力装置の製造方法
CN101521249B (zh) * 2002-09-30 2012-05-23 米亚索尔公司 薄膜太阳能电池大规模生产的制造装置与方法
AU2003275239A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-23 Miasole Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells
DE10259258B4 (de) * 2002-12-11 2006-03-16 Würth Solar Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiterschicht mit Alkalimetallzusatz
US20050056863A1 (en) * 2003-09-17 2005-03-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor film, method for manufacturing the semiconductor film, solar cell using the semiconductor film and method for manufacturing the solar cell
EP1521308A1 (de) * 2003-10-02 2005-04-06 Scheuten Glasgroep Kugel- oder kornförmiges Halbleiterbauelement zur Verwendung in Solarzellen und Verfahren zur Herstellung; Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit Halbleiterbauelement und Solarzelle
EP1521309A1 (de) * 2003-10-02 2005-04-06 Scheuten Glasgroep Serienverschaltung von Solarzellen mit integrierten Halbleiterkörpern, Verfahren zur Herstellung und Photovoltaikmodul mit Serienverschaltung
US20070169809A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-26 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of low-melting chalcogenides
US7604843B1 (en) 2005-03-16 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Metallic dispersion
US8329501B1 (en) 2004-02-19 2012-12-11 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake particles
US7605328B2 (en) * 2004-02-19 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic thin-film cell produced from metallic blend using high-temperature printing
US20070163642A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake articles
US8623448B2 (en) * 2004-02-19 2014-01-07 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide microflake particles
US7663057B2 (en) * 2004-02-19 2010-02-16 Nanosolar, Inc. Solution-based fabrication of photovoltaic cell
US20070163641A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic nanoflake particles
US7700464B2 (en) * 2004-02-19 2010-04-20 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles
US8309163B2 (en) * 2004-02-19 2012-11-13 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor and inter-metallic material
US20070163638A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices printed from nanostructured particles
US7306823B2 (en) 2004-09-18 2007-12-11 Nanosolar, Inc. Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells
US8846141B1 (en) 2004-02-19 2014-09-30 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles
US20060060237A1 (en) * 2004-09-18 2006-03-23 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells on foil substrates
US8372734B2 (en) * 2004-02-19 2013-02-12 Nanosolar, Inc High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide nanoflake particles
US20070163639A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles
JP4695850B2 (ja) 2004-04-28 2011-06-08 本田技研工業株式会社 カルコパイライト型太陽電池
US7871502B2 (en) * 2004-05-11 2011-01-18 Honda Motor Co., Ltd. Method for manufacturing chalcopyrite thin-film solar cell
DE102004040751B4 (de) * 2004-08-23 2009-03-12 Qimonda Ag Resistiv schaltende nicht-flüchtige Speicherzelle auf der Basis von Alkali-Ionendrift, Verfahren zur Herstellung und Verwendung einer Verbindung zur Herstellung
US7838868B2 (en) * 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US20090032108A1 (en) * 2007-03-30 2009-02-05 Craig Leidholm Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates
US8541048B1 (en) 2004-09-18 2013-09-24 Nanosolar, Inc. Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates
KR20070064345A (ko) * 2004-09-18 2007-06-20 나노솔라, 인크. 포일 기판 상의 태양 전지의 형성
US7732229B2 (en) * 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
CN101443929A (zh) * 2004-11-10 2009-05-27 德斯塔尔科技公司 使用含碱层的过程和光电装置
JP2008520102A (ja) * 2004-11-10 2008-06-12 デイスター テクノロジーズ，インコーポレイティド アルカリ含有層を用いた方法及び光起電力素子
JP2006165386A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Showa Shell Sekiyu Kk Ｃｉｓ系薄膜太陽電池及びその作製方法
US8927315B1 (en) 2005-01-20 2015-01-06 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput assembly of series interconnected solar cells
US7470307B2 (en) * 2005-03-29 2008-12-30 Climax Engineered Materials, Llc Metal powders and methods for producing the same
JP4681352B2 (ja) * 2005-05-24 2011-05-11 本田技研工業株式会社 カルコパイライト型太陽電池
US20070029186A1 (en) * 2005-08-02 2007-02-08 Alexey Krasnov Method of thermally tempering coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating using inorganic protective layer during tempering and product made using same
JP2007096031A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Showa Shell Sekiyu Kk Ｃｉｓ系薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法
US20070093006A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 Basol Bulent M Technique For Preparing Precursor Films And Compound Layers For Thin Film Solar Cell Fabrication And Apparatus Corresponding Thereto
JP4918247B2 (ja) * 2005-10-31 2012-04-18 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法
US7713773B2 (en) * 2005-11-02 2010-05-11 Solopower, Inc. Contact layers for thin film solar cells employing group IBIIIAVIA compound absorbers
ES2391255T3 (es) 2005-12-21 2012-11-22 Saint-Gobain Glass France Dispositivo fotovoltaico de película delgada
US20090090412A1 (en) * 2005-12-22 2009-04-09 Hermann Calwer Photovoltaic device and method for encapsulating
US7767904B2 (en) * 2006-01-12 2010-08-03 Heliovolt Corporation Compositions including controlled segregated phase domain structures
US20070160763A1 (en) 2006-01-12 2007-07-12 Stanbery Billy J Methods of making controlled segregated phase domain structures
US8084685B2 (en) * 2006-01-12 2011-12-27 Heliovolt Corporation Apparatus for making controlled segregated phase domain structures
DE102006004909A1 (de) * 2006-02-01 2007-09-13 Sulfurcell Solartechnik Gmbh Verfahren zum Aufbringen von Alkaliionen auf die Oberfläche der CIGSSe-Absorberschicht einer Chalkopyrit-Solarzelle
US8389852B2 (en) * 2006-02-22 2013-03-05 Guardian Industries Corp. Electrode structure for use in electronic device and method of making same
US20070227633A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-04 Basol Bulent M Composition control for roll-to-roll processed photovoltaic films
CN101454486B (zh) 2006-04-04 2013-03-13 索罗能源公司 用于卷绕处理光电薄膜的组分控制
US8729385B2 (en) 2006-04-13 2014-05-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9006563B2 (en) 2006-04-13 2015-04-14 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9236512B2 (en) 2006-04-13 2016-01-12 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8884155B2 (en) 2006-04-13 2014-11-11 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8822810B2 (en) 2006-04-13 2014-09-02 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9865758B2 (en) 2006-04-13 2018-01-09 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
US20100029036A1 (en) * 2006-06-12 2010-02-04 Robinson Matthew R Thin-film devices formed from solid group iiia particles
US20070283996A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-13 Miasole Photovoltaic module with insulating interconnect carrier
US20070283997A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-13 Miasole Photovoltaic module with integrated current collection and interconnection
KR100909179B1 (ko) 2006-07-24 2009-07-22 주식회사 엘지화학 Ｃｉｓ계 태양전지 흡수층의 제조방법
US20080023059A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Basol Bulent M Tandem solar cell structures and methods of manufacturing same
US20080053519A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Miasole Laminated photovoltaic cell
US7867551B2 (en) * 2006-09-21 2011-01-11 Solopower, Inc. Processing method for group IBIIIAVIA semiconductor layer growth
US20080142071A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Miasole Protovoltaic module utilizing a flex circuit for reconfiguration
US7825329B2 (en) * 2007-01-03 2010-11-02 Solopower, Inc. Thin film solar cell manufacturing and integration
JP4794480B2 (ja) * 2007-03-05 2011-10-19 本田技研工業株式会社 Ｉａ族元素測定方法
US20080216885A1 (en) * 2007-03-06 2008-09-11 Sergey Frolov Spectrally adaptive multijunction photovoltaic thin film device and method of producing same
WO2008153690A1 (en) * 2007-05-22 2008-12-18 Miasole High rate sputtering apparatus and method
US20080300918A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Commercenet Consortium, Inc. System and method for facilitating hospital scheduling and support
US8034317B2 (en) * 2007-06-18 2011-10-11 Heliovolt Corporation Assemblies of anisotropic nanoparticles
US8697980B2 (en) * 2007-06-19 2014-04-15 Hanergy Holding Group Ltd. Photovoltaic module utilizing an integrated flex circuit and incorporating a bypass diode
US8071179B2 (en) 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US20090014049A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Miasole Photovoltaic module with integrated energy storage
US20090014058A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Miasole Rooftop photovoltaic systems
US20090014057A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Miasole Photovoltaic modules with integrated devices
EP2188406B1 (en) * 2007-09-12 2018-03-07 Flisom AG Method for manufacturing a compound film
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US8759671B2 (en) * 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US8771419B2 (en) * 2007-10-05 2014-07-08 Solopower Systems, Inc. Roll to roll evaporation tool for solar absorber precursor formation
FR2922046B1 (fr) * 2007-10-05 2011-06-24 Saint Gobain Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
FR2924863B1 (fr) † 2007-12-07 2017-06-16 Saint Gobain Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere.
WO2009078936A2 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Miasole Photovoltaic devices protected from environment
US20090181179A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Climax Engineered Materials, Llc Sodium/Molybdenum Composite Metal Powders, Products Thereof, and Methods for Producing Photovoltaic Cells
US8197885B2 (en) * 2008-01-11 2012-06-12 Climax Engineered Materials, Llc Methods for producing sodium/molybdenum power compacts
US8129613B2 (en) * 2008-02-05 2012-03-06 Twin Creeks Technologies, Inc. Photovoltaic cell comprising a thin lamina having low base resistivity and method of making
US8481845B2 (en) * 2008-02-05 2013-07-09 Gtat Corporation Method to form a photovoltaic cell comprising a thin lamina
US8563352B2 (en) * 2008-02-05 2013-10-22 Gtat Corporation Creation and translation of low-relief texture for a photovoltaic cell
US20090215215A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Sunlight Photonics Inc. Method and apparatus for manufacturing multi-layered electro-optic devices
US20090211622A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Sunlight Photonics Inc. Multi-layered electro-optic devices
WO2009112503A1 (en) * 2008-03-11 2009-09-17 Shell Erneuerbare Energien Gmbh Solar module
US8912429B2 (en) * 2008-03-20 2014-12-16 Hanergy Holding Group Ltd. Interconnect assembly
US20100043863A1 (en) 2008-03-20 2010-02-25 Miasole Interconnect assembly
US20110197947A1 (en) 2008-03-20 2011-08-18 Miasole Wire network for interconnecting photovoltaic cells
EP2259330A1 (en) * 2008-03-21 2010-12-08 National Institute of Advanced Industrial Science And Technology Solar cell and manufacturing method thereof
US9646828B2 (en) * 2008-04-02 2017-05-09 Sunlight Photonics Inc. Reacted particle deposition (RPD) method for forming a compound semi-conductor thin-film
US7842534B2 (en) * 2008-04-02 2010-11-30 Sunlight Photonics Inc. Method for forming a compound semi-conductor thin-film
US20090255574A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-15 Sierra Solar Power, Inc. Solar cell fabricated by silicon liquid-phase deposition
US10211353B2 (en) * 2008-04-14 2019-02-19 Sunlight Photonics Inc. Aligned bifacial solar modules
US20090260678A1 (en) * 2008-04-16 2009-10-22 Agc Flat Glass Europe S.A. Glass substrate bearing an electrode
WO2009137637A2 (en) * 2008-05-09 2009-11-12 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanoparticles and methods of making and using
US20090283137A1 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Steven Thomas Croft Solar-cell module with in-laminate diodes and external-connection mechanisms mounted to respective edge regions
JP4540724B2 (ja) 2008-05-20 2010-09-08 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の製造方法
US8642138B2 (en) 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US9087943B2 (en) * 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US8003432B2 (en) 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US8334455B2 (en) * 2008-07-24 2012-12-18 First Solar, Inc. Photovoltaic devices including Mg-doped semiconductor films
US7855089B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US7863074B2 (en) 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US8383450B2 (en) * 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US8217261B2 (en) * 2008-09-30 2012-07-10 Stion Corporation Thin film sodium species barrier method and structure for cigs based thin film photovoltaic cell
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US7910399B1 (en) 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US8741689B2 (en) * 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) * 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8003430B1 (en) 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
US20100098854A1 (en) 2008-10-17 2010-04-22 Sunlight Photonics Inc. Pressure controlled droplet spraying (pcds) method for forming particles of compound materials from melts
US9059351B2 (en) 2008-11-04 2015-06-16 Apollo Precision (Fujian) Limited Integrated diode assemblies for photovoltaic modules
US8586857B2 (en) * 2008-11-04 2013-11-19 Miasole Combined diode, lead assembly incorporating an expansion joint
US20100122730A1 (en) * 2008-11-17 2010-05-20 Corneille Jason S Power-loss-inhibiting current-collector
US8344243B2 (en) * 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
US8110428B2 (en) * 2008-11-25 2012-02-07 Sunlight Photonics Inc. Thin-film photovoltaic devices
EP2200097A1 (en) 2008-12-16 2010-06-23 Saint-Gobain Glass France S.A. Method of manufacturing a photovoltaic device and system for patterning an object
US8835748B2 (en) * 2009-01-06 2014-09-16 Sunlight Photonics Inc. Multi-junction PV module
TW201034207A (en) * 2009-01-29 2010-09-16 First Solar Inc Photovoltaic device with improved crystal orientation
KR20110111369A (ko) * 2009-02-04 2011-10-11 헬리오볼트 코오퍼레이션 인듐 함유의 투명한 전도성 산화막을 형성하는 방법과 이 방법에 사용되는 금속 타겟 및 상기 투명한 전도성 산화막을 이용하는 광발전 장치
US8115095B2 (en) * 2009-02-20 2012-02-14 Miasole Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells
US8110738B2 (en) 2009-02-20 2012-02-07 Miasole Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells
KR20100098008A (ko) * 2009-02-27 2010-09-06 삼성전자주식회사 태양전지
US8709856B2 (en) * 2009-03-09 2014-04-29 Zetta Research and Development LLC—AQT Series Enhancement of semiconducting photovoltaic absorbers by the addition of alkali salts through solution coating techniques
JP4629151B2 (ja) * 2009-03-10 2011-02-09 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び太陽電池、光電変換素子の製造方法
JP2010232608A (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 Honda Motor Co Ltd カルコパイライト型太陽電池の製造方法
JP5334645B2 (ja) * 2009-03-31 2013-11-06 富士フイルム株式会社 可撓性太陽電池モジュール
JP5498221B2 (ja) 2009-04-08 2014-05-21 富士フイルム株式会社 半導体装置及びそれを用いた太陽電池
TW201037845A (en) * 2009-04-10 2010-10-16 Ritdisplay Corp Photovoltaic cell structure and manufacturing method
US7897020B2 (en) * 2009-04-13 2011-03-01 Miasole Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials
US8134069B2 (en) * 2009-04-13 2012-03-13 Miasole Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials
US7785921B1 (en) * 2009-04-13 2010-08-31 Miasole Barrier for doped molybdenum targets
US8241943B1 (en) 2009-05-08 2012-08-14 Stion Corporation Sodium doping method and system for shaped CIGS/CIS based thin film solar cells
US8372684B1 (en) 2009-05-14 2013-02-12 Stion Corporation Method and system for selenization in fabricating CIGS/CIS solar cells
US8247243B2 (en) * 2009-05-22 2012-08-21 Nanosolar, Inc. Solar cell interconnection
US20100307568A1 (en) 2009-06-04 2010-12-09 First Solar, Inc. Metal barrier-doped metal contact layer
WO2010141461A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 First Solar, Inc. Doped metal contact
WO2010141463A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 First Solar, Inc. Dopant-containing contact material
WO2010141455A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 First Solar, Inc. Metal barrier-doped metal contact layer
KR20130122693A (ko) * 2009-06-05 2013-11-07 헬리오볼트 코오퍼레이션 비-접촉 압력 용기를 통해 박막 혹은 복합층을 합성하는 프로세스
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
KR101628365B1 (ko) * 2009-06-30 2016-06-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
US9284639B2 (en) * 2009-07-30 2016-03-15 Apollo Precision Kunming Yuanhong Limited Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials
US8067262B2 (en) * 2009-08-04 2011-11-29 Precursor Energetics, Inc. Polymeric precursors for CAIGS silver-containing photovoltaics
CA2768615A1 (en) 2009-08-04 2011-02-10 Precursor Energetics, Inc. Polymeric precursors for cis and cigs photovoltaics
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
US8256621B2 (en) * 2009-09-11 2012-09-04 Pro-Pak Industries, Inc. Load tray and method for unitizing a palletized load
US20110067998A1 (en) * 2009-09-20 2011-03-24 Miasole Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing
US10347473B2 (en) * 2009-09-24 2019-07-09 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Synthesis of high-purity bulk copper indium gallium selenide materials
JP2011100976A (ja) * 2009-10-09 2011-05-19 Fujifilm Corp 光電変換素子とその製造方法、及び太陽電池
IN2012DN02992A (ja) * 2009-10-13 2015-07-31 First Solar Inc
US8709335B1 (en) 2009-10-20 2014-04-29 Hanergy Holding Group Ltd. Method of making a CIG target by cold spraying
US8709548B1 (en) 2009-10-20 2014-04-29 Hanergy Holding Group Ltd. Method of making a CIG target by spray forming
US8012788B1 (en) 2009-10-21 2011-09-06 Sunlight Photonics Inc. Multi-stage formation of thin-films for photovoltaic devices
US7910396B2 (en) * 2009-10-21 2011-03-22 Sunlight Photonics, Inc. Three-stage formation of thin-films for photovoltaic devices
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US8440498B2 (en) 2009-10-28 2013-05-14 Nanosolar, Inc. Thin-film devices formed from solid particles
JP2011129631A (ja) 2009-12-16 2011-06-30 Showa Shell Sekiyu Kk Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の製造方法
WO2011084171A1 (en) * 2009-12-17 2011-07-14 Precursor Energetics, Inc. Molecular precursors for optoelectronics
WO2011075579A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 First Solar, Inc. Photovoltaic device including doped layer
US20110162696A1 (en) * 2010-01-05 2011-07-07 Miasole Photovoltaic materials with controllable zinc and sodium content and method of making thereof
US8356640B1 (en) 2010-01-14 2013-01-22 Mia Solé Apparatuses and methods for fabricating wire current collectors and interconnects for solar cells
TWI514608B (zh) 2010-01-14 2015-12-21 Dow Global Technologies Llc 具曝露式導電柵格之防溼光伏打裝置
US8859880B2 (en) * 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
JP2011176285A (ja) * 2010-02-01 2011-09-08 Fujifilm Corp 光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法
US8021641B2 (en) * 2010-02-04 2011-09-20 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods of making copper selenium precursor compositions with a targeted copper selenide content and precursor compositions and thin films resulting therefrom
TWI520367B (zh) * 2010-02-09 2016-02-01 陶氏全球科技公司 具透明導電阻擋層之光伏打裝置
CN102812558B (zh) * 2010-02-09 2015-09-09 陶氏环球技术有限责任公司 具有改善的屏障膜粘附的抗湿光伏器件
US20110203655A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 First Solar, Inc. Photovoltaic device protection layer
US8349626B2 (en) * 2010-03-23 2013-01-08 Gtat Corporation Creation of low-relief texture for a photovoltaic cell
EP2371991B1 (de) 2010-03-26 2013-01-30 Saint-Gobain Glass France Verfahren zum diskontinuierlichen Nachfüllen einer Selenverdampferkammer
EP2369033A1 (de) 2010-03-26 2011-09-28 Saint-Gobain Glass France Verfahren zum Nachfüllen einer Verdampferkammer
EP2369034B1 (de) 2010-03-26 2013-01-30 Saint-Gobain Glass France Verfahren zum Nachfüllen einer Selenverdampferkammer
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US8546176B2 (en) * 2010-04-22 2013-10-01 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Forming chalcogenide semiconductor absorbers
WO2011146115A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Heliovolt Corporation Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same
US9061344B1 (en) 2010-05-26 2015-06-23 Apollo Precision (Fujian) Limited Apparatuses and methods for fabricating wire current collectors and interconnects for solar cells
WO2011149008A1 (ja) * 2010-05-27 2011-12-01 京セラ株式会社 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
JP4937379B2 (ja) * 2010-06-11 2012-05-23 昭和シェル石油株式会社 薄膜太陽電池
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
US20120018828A1 (en) * 2010-07-23 2012-01-26 Stion Corporation Sodium Sputtering Doping Method for Large Scale CIGS Based Thin Film Photovoltaic Materials
US9142408B2 (en) 2010-08-16 2015-09-22 Alliance For Sustainable Energy, Llc Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same
JP5548073B2 (ja) * 2010-09-13 2014-07-16 パナソニック株式会社 太陽電池
US8828782B2 (en) * 2010-09-15 2014-09-09 Precursor Energetics, Inc. Annealing processes for photovoltaics
US20120067414A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-22 Chungho Lee CdZnO OR SnZnO BUFFER LAYER FOR SOLAR CELL
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US10026859B2 (en) 2010-10-04 2018-07-17 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Small gauge wire solar cell interconnect
JP5418463B2 (ja) * 2010-10-14 2014-02-19 住友金属鉱山株式会社 Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法
US8048707B1 (en) * 2010-10-19 2011-11-01 Miasole Sulfur salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof
US7935558B1 (en) * 2010-10-19 2011-05-03 Miasole Sodium salt containing CIG targets, methods of making and methods of use thereof
US9169548B1 (en) 2010-10-19 2015-10-27 Apollo Precision Fujian Limited Photovoltaic cell with copper poor CIGS absorber layer and method of making thereof
CN102453855B (zh) * 2010-10-28 2014-12-31 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 壳体及其制造方法
JP5602700B2 (ja) * 2010-11-02 2014-10-08 富士フイルム株式会社 光電変換素子およびその製造方法
US8956888B2 (en) 2010-11-03 2015-02-17 Apollo Precision Fujian Limited Photovoltaic device and method and system for making photovoltaic device
FR2969389A1 (fr) 2010-12-21 2012-06-22 Saint Gobain Substrat conducteur a base de molybdène
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
KR101173401B1 (ko) * 2011-01-24 2012-08-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 그의 제조방법
GB201101910D0 (en) * 2011-02-04 2011-03-23 Pilkington Group Ltd Growth layer for the photovol taic applications
JP5782768B2 (ja) * 2011-03-23 2015-09-24 セイコーエプソン株式会社 光電変換装置およびその製造方法
WO2012137497A1 (ja) * 2011-04-05 2012-10-11 富士フイルム株式会社 モリブデン電極付光電変換素子用基板および光電変換素子並びに太陽電池
US8951824B1 (en) 2011-04-08 2015-02-10 Apollo Precision (Fujian) Limited Adhesives for attaching wire network to photovoltaic cells
CN103733352A (zh) * 2011-06-13 2014-04-16 Posco公司 太阳能电池基板和使用所述基板的太阳能电池
FR2977078B1 (fr) 2011-06-27 2013-06-28 Saint Gobain Substrat conducteur pour cellule photovoltaique
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
US8642884B2 (en) * 2011-09-09 2014-02-04 International Business Machines Corporation Heat treatment process and photovoltaic device based on said process
KR101273175B1 (ko) * 2011-09-20 2013-06-18 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR20130049024A (ko) * 2011-11-03 2013-05-13 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지
FR2982422B1 (fr) 2011-11-09 2013-11-15 Saint Gobain Substrat conducteur pour cellule photovoltaique
US10043921B1 (en) 2011-12-21 2018-08-07 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof
CN102723399B (zh) * 2011-12-26 2015-05-20 云南师范大学 一种Cu(InAl)Se2薄膜的化学制备工艺
JPWO2013099947A1 (ja) * 2011-12-27 2015-05-11 京セラ株式会社 光電変換装置
KR20130105325A (ko) * 2012-03-12 2013-09-25 한국에너지기술연구원 Ｎａ 무함유 기판을 이용한 ＣＩＧＳ계 박막 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조된 태양전지
DE102012205377A1 (de) 2012-04-02 2013-10-02 Robert Bosch Gmbh Mehrschicht-Rückelektrode für eine photovoltaische Dünnschichtsolarzelle, Verwendung der Mehrschicht-Rückelektrode für die Herstellung von Dünnschichtsolarzellen und -modulen, photovoltaische Dünnschichtsolarzellen und -module enthaltend die Mehrschicht-Rückelektrode sowie ein Verfahren zur Herstellung photovoltaischer Dünnschichtsolarzellen und -module
DE102012205375A1 (de) 2012-04-02 2013-10-02 Robert Bosch Gmbh Mehrschicht-Rückelektrode für eine photovoltaische Dünnschichtsolarzelle, Verwen-dung der Mehrschicht-Rückelektrode für die Herstellung von Dünnschichtsolarzellen und -modulen, photovoltaische Dünnschichtsolarzellen und -module enthaltend die Mehrschicht-Rückelektrode sowie ein Verfahren zur Herstellung photovoltaischer Dünnschichtsolarzellen und -module
DE102012205378A1 (de) * 2012-04-02 2013-10-02 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtsolarmodulen sowie nach diesem Verfahren erhältliche Dünnschichtsolarmodule
DE102012205978A1 (de) * 2012-04-12 2013-10-17 Robert Bosch Gmbh Photovoltaische Dünnschichtsolarmodule sowie Verfahren zur Herstellung solcher Dünnschichtsolarmodule
JP2015509290A (ja) 2012-04-27 2015-03-26 サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ ナトリウムドープ五元化合物半導体ＣＺＴＳＳｅの製造方法
US8809109B2 (en) * 2012-05-21 2014-08-19 Stion Corporation Method and structure for eliminating edge peeling in thin-film photovoltaic absorber materials
US9105797B2 (en) 2012-05-31 2015-08-11 Alliance For Sustainable Energy, Llc Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se
KR20130136739A (ko) * 2012-06-05 2013-12-13 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
WO2013189968A1 (de) 2012-06-20 2013-12-27 Saint-Gobain Glass France SCHICHTSYSTEM FÜR DÜNNSCHICHTSOLARZELLEN MIT NaxInlSyClz-PUFFERSCHICHT
JP6092377B2 (ja) 2012-06-20 2017-03-08 サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ 薄膜太陽電池用の層体
WO2013189976A1 (de) 2012-06-20 2013-12-27 Saint-Gobain Glass France Schichtsystem für dünnschichtsolarzellen
DE102012211894A1 (de) 2012-07-09 2014-01-09 Robert Bosch Gmbh Verwendung von mikroporösen anionischen anorganischen Gerüststrukturen, insbesondere enthaltend Dotierstoffkationen, für die Herstellung von Dünnschichtsolarzellen bzw. -modulen, photovoltaische Dünnschichtsolarzellen, enthaltend mikroporöse anionische anorganische Gerüststrukturen sowie Verfahren zur Herstellung solcher photovoltaischen Dünnschichtsolarmodule
US9196779B2 (en) 2012-07-12 2015-11-24 Stion Corporation Double sided barrier for encapsulating soda lime glass for CIS/CIGS materials
US20150114466A1 (en) * 2012-08-09 2015-04-30 Korea Institute Of Energy Research CIGS Solar Cell Having Flexible Substrate Based on Improved Supply of Na and Fabrication Method Thereof
JP6083785B2 (ja) * 2012-08-24 2017-02-22 日東電工株式会社 化合物太陽電池およびその製造方法
JP2014049571A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Toyota Central R&D Labs Inc 光電素子
JP5660091B2 (ja) * 2012-08-30 2015-01-28 株式会社豊田中央研究所 光電素子用電極
US9837565B2 (en) 2012-12-21 2017-12-05 Flison Ag Fabricating thin-film optoelectronic devices with added potassium
EP2800144A1 (en) 2013-05-03 2014-11-05 Saint-Gobain Glass France Back contact substrate for a photovoltaic cell or module
EP2800146A1 (en) 2013-05-03 2014-11-05 Saint-Gobain Glass France Back contact substrate for a photovoltaic cell or module
EP2800145B1 (en) 2013-05-03 2018-11-21 Saint-Gobain Glass France Back contact substrate for a photovoltaic cell or module
JP2014239122A (ja) * 2013-06-06 2014-12-18 株式会社豊田中央研究所 ｐ型半導体膜及び光電素子
CN105518873A (zh) * 2013-06-12 2016-04-20 信越化学工业株式会社 用于抑制太阳能电池劣化的涂布液和其薄膜、以及抑制太阳能电池劣化的方法
EP3014652B1 (de) 2013-06-27 2022-02-16 (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Schichtsystem für dünnschichtsolarzellen mit natriumindiumsulfid-pufferschicht
JP5733357B2 (ja) * 2013-08-02 2015-06-10 住友金属鉱山株式会社 Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット
EP2871681A1 (en) 2013-11-07 2015-05-13 Saint-Gobain Glass France Back contact substrate for a photovoltaic cell or module
FR3013507B1 (fr) * 2013-11-15 2015-11-20 Saint Gobain Substrat de contact arriere pour cellule photovoltaique
KR20150057820A (ko) * 2013-11-20 2015-05-28 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지
US20150287843A1 (en) * 2014-04-03 2015-10-08 Tsmc Solar Ltd. Solar cell with dielectric layer
CN104064629A (zh) * 2014-07-04 2014-09-24 苏州瑞晟纳米科技有限公司 硫族化物薄膜太阳能电池生产中的碱金属掺杂方法
DE202015106923U1 (de) 2015-12-18 2016-01-22 Saint-Gobain Glass France Elektronisch leitfähiges Substrat für Photovoltaikzellen
JP6864170B2 (ja) * 2016-02-23 2021-04-28 東海光学株式会社 Ｎｄフィルタ及びカメラ用ｎｄフィルタ
US10128391B2 (en) 2016-06-22 2018-11-13 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Photovoltaic module with flexible wire interconnection
EP3613083A4 (en) 2017-04-19 2021-01-06 (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. PROCESS FOR PRODUCING A LAYERED STRUCTURE FOR THIN-FILM SOLAR CELLS
EP3627564A1 (de) * 2018-09-22 2020-03-25 (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Verfahren zur nachbehandlung einer absorberschicht
US11271126B2 (en) 2019-03-21 2022-03-08 Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. Photovoltaic panels with folded panel edges and methods of forming the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05114749A (ja) * 1991-10-23 1993-05-07 Nikko Kyodo Co Ltd 電子素子部材およびその製造方法
JPH08102546A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4004342A (en) * 1976-02-23 1977-01-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Fabrication of ion implanted P-N junction devices
US4818357A (en) * 1987-05-06 1989-04-04 Brown University Research Foundation Method and apparatus for sputter deposition of a semiconductor homojunction and semiconductor homojunction products created by same
US5141564A (en) * 1988-05-03 1992-08-25 The Boeing Company Mixed ternary heterojunction solar cell
DE59009771D1 (de) * 1990-07-24 1995-11-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Chalkopyrit-Solarzelle.
JPH05262504A (ja) * 1991-09-27 1993-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化合物半導体、その薄膜製造方法及びそれを用いた半導体装置
EP0536431B1 (de) 1991-10-07 1994-11-30 Siemens Aktiengesellschaft Laserbearbeitungsverfahren für einen Dünnschichtaufbau
EP0536439A1 (de) * 1991-10-10 1993-04-14 WESTLAND GUMMIWERKE GmbH & Co. Federnder Dämpferkörper
EP0574716B1 (en) * 1992-05-19 1996-08-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for preparing chalcopyrite-type compound
JP3337255B2 (ja) * 1993-02-15 2002-10-21 松下電器産業株式会社 カルコパイライト構造半導体薄膜とその製造方法、薄膜太陽電池の製造方法、および発光装置の製造方法
DE4333407C1 (de) * 1993-09-30 1994-11-17 Siemens Ag Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05114749A (ja) * 1991-10-23 1993-05-07 Nikko Kyodo Co Ltd 電子素子部材およびその製造方法
JPH08102546A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜の製造方法

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009041660A1 (ja) 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池用基板および太陽電池
WO2009041657A1 (ja) 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池用基板および太陽電池
WO2009041659A1 (ja) 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池
JP2011507281A (ja) * 2007-12-18 2011-03-03 プランゼー メタル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング モリブデン含有裏面電極層を有する薄膜太陽電池
US7989256B2 (en) 2008-05-19 2011-08-02 Showa Shell Sekiyu K.K. Method for manufacturing CIS-based thin film solar cell
WO2009142308A1 (ja) * 2008-05-19 2009-11-26 昭和シェル石油株式会社 Cis系薄膜太陽電池の製造方法
JP2010212337A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Fujifilm Corp 光電変換素子、及び太陽電池
US8415557B2 (en) 2009-03-09 2013-04-09 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion device and solar cell using the photoelectric conversion device
JP5730788B2 (ja) * 2010-01-07 2015-06-10 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
JP2015045091A (ja) * 2010-01-07 2015-03-12 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法、光吸収層及び該光吸収層を用いた太陽電池
WO2011083646A1 (ja) * 2010-01-07 2011-07-14 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット、化合物半導体薄膜、化合物半導体薄膜を有する太陽電池及び化合物半導体薄膜の製造方法
WO2011083647A1 (ja) * 2010-01-07 2011-07-14 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃｕ-Ｇａ系スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法、光吸収層及び該光吸収層を用いた太陽電池
JP5877510B2 (ja) * 2010-01-07 2016-03-08 Ｊｘ金属株式会社 Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法、光吸収層及び該光吸収層を用いた太陽電池
CN102753721A (zh) * 2010-03-18 2012-10-24 三菱综合材料株式会社 溅射靶及其制造方法
US8968491B2 (en) 2010-03-18 2015-03-03 Mitsubishi Materials Corporation Sputtering target and method for producing same
WO2011114657A1 (ja) * 2010-03-18 2011-09-22 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2014506960A (ja) * 2011-02-21 2014-03-20 ツェーテーエフ・ゾラール・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 基体のコーティングのための方法および装置
JP2012233230A (ja) * 2011-04-29 2012-11-29 Mitsubishi Materials Corp スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN103534381A (zh) * 2011-04-29 2014-01-22 三菱综合材料株式会社 溅射靶及其制造方法
CN103534381B (zh) * 2011-04-29 2015-09-09 三菱综合材料株式会社 溅射靶及其制造方法
US9660127B2 (en) 2011-04-29 2017-05-23 Mitsubishi Materials Corporation Sputtering target and method for producing same
WO2012147985A1 (ja) * 2011-04-29 2012-11-01 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2013019006A3 (en) * 2011-07-29 2013-05-02 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and manufacturing method of the same
CN103828065A (zh) * 2011-07-29 2014-05-28 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池及其制造方法
KR101262569B1 (ko) * 2011-07-29 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 그의 제조방법
WO2013019006A2 (en) * 2011-07-29 2013-02-07 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and manufacturing method of the same
WO2013125716A1 (ja) 2012-02-24 2013-08-29 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
EP3141630A1 (en) 2012-02-24 2017-03-15 Mitsubishi Materials Corporation Sputtering target and method for producing same
JP2015528786A (ja) * 2012-07-19 2015-10-01 サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ 熱的な方法におけるガラス変形の回避
US10283332B2 (en) 2012-10-17 2019-05-07 Mitsubishi Materials Corporation Cu—Ga binary alloy sputtering target and method of producing the same
US9934949B2 (en) 2013-04-15 2018-04-03 Mitsubishi Materials Corporation Sputtering target and production method of the same
JP2015105387A (ja) * 2013-11-28 2015-06-08 中外炉工業株式会社 成膜方法、絶縁基板の製造方法、及びモジュール
WO2016031974A1 (ja) * 2014-08-28 2016-03-03 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ－Ｇａスパッタリングターゲット及びＣｕ－Ｇａスパッタリングターゲットの製造方法
JP2016050363A (ja) * 2014-08-28 2016-04-11 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ−Ｇａスパッタリングターゲット及びＣｕ−Ｇａスパッタリングターゲットの製造方法
CN106574360A (zh) * 2014-08-28 2017-04-19 三菱综合材料株式会社 Cu‑Ga溅射靶及Cu‑Ga溅射靶的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5626688A (en) 1997-05-06
EP0715358A2 (de) 1996-06-05
EP0715358B1 (de) 2010-06-23
JP4646250B2 (ja) 2011-03-09
JP4022577B2 (ja) 2007-12-19
JPH08222750A (ja) 1996-08-30
DE59511109D1 (de) 2010-08-05
EP0715358B2 (de) 2013-07-03
EP0715358A3 (de) 1997-11-26
DE4442824C1 (de) 1996-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4646250B2 (ja) 基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池
ES2431608T3 (es) Célula solar de película delgada y método de fabricación
US5137835A (en) Method for manufacturing a chalcopyrite solar cell
US8969719B2 (en) Chalcogenide-based photovoltaic devices and methods of manufacturing the same
US9087954B2 (en) Method for producing the pentanary compound semiconductor CZTSSe, and thin-film solar cell
JP6096790B2 (ja) 光電池のための導電性基材
US20090223556A1 (en) Process of making a thin-film photovoltaic device and thin-film photovoltaic device
JP5928612B2 (ja) 化合物半導体太陽電池
KR20150100617A (ko) 칼륨이 첨가되는 박막 광전자 소자의 제조
JP5869626B2 (ja) 基板及びそれを用いた集光能力のある素子
US20130118575A1 (en) Cigs type solar cell and electrode-attached glass substrate therefor
JP2001044464A (ja) Ｉｂ―ＩＩＩｂ―ＶＩｂ２族化合物半導体層の形成方法、薄膜太陽電池の製造方法
US8779283B2 (en) Absorber layer for thin film photovoltaics and a solar cell made therefrom
JP2004047860A (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法
CN101807620B (zh) 用于薄膜光伏的吸收层及由其制成的太阳能电池
JPH07283430A (ja) 太陽電池の製造方法
EP2221876A1 (en) Absorber layer for thin film photovoltaic cells and a solar cell made therefrom
JPH07263735A (ja) 太陽電池およびその製造方法
JPH11274526A (ja) Ｃｉｓ系カルコパイライト構造半導体薄膜及びその製造方法並びにｃｉｓ系カルコパイライト構造半導体薄膜を有する太陽電池及びその製造方法
JP2004158556A (ja) 太陽電池
AU2009200640B2 (en) Absorber layer for thin film photovoltaics and a solar cell made therefrom
KR101160487B1 (ko) 후막형 ｃｉｇｓ 태양전지 및 그 제조방법
US7612339B2 (en) Optoconductive compound and method of producing the same
CN111370510A (zh) 一种薄膜太阳能电池改性方法及其制备的电池
JP2017199872A (ja) 光電変換層の製造方法及び光電変換素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081114

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090209

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090213

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100610

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101018

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101112

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101203

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141217

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term