DE10127255A1 - Konditionierung von Glasoberflächen für den Transfer von CIGS-Solarzellen auf flexible Kunstoffsubstrate - Google Patents

Konditionierung von Glasoberflächen für den Transfer von CIGS-Solarzellen auf flexible Kunstoffsubstrate

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DE10127255A1 DE2001127255 DE10127255A DE10127255A1 DE 10127255 A1 DE10127255 A1 DE 10127255A1 DE 2001127255 DE2001127255 DE 2001127255 DE 10127255 A DE10127255 A DE 10127255A DE 10127255 A1 DE10127255 A1 DE 10127255A1
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Abstract

Auf einem Glassubstrat (1) wird eine ein Gruppe-III-Metall enthaltende Schicht (2) abgeschieden und auf dieser dann ein Schichtaufbau, umfassend eine Halbleiterschicht (4, 5) und ein Fremdsubstrat (7), wie eine flexible Kunststofffolie abgeschieden. Die Schicht (2) konditioniert die Glasoberfläche derart, dass die Haftung zu einer darauf abgeschiedenen Molybdänschicht (3) entscheidend vermindert wird. Dadurch kann das Fremdsubstrat (7) bis zu der Molybdänschicht (3) von dem Glassubstrat (1) abgetrennt werden. Auf diese Weise kann die Halbleiterschicht (4, 5) und eine diese enthaltende Solarzellenstruktur von dem Glassubstrat (1) auf ein beliebiges Fremdsubstrat (7) transferiert werden.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer Halbleiterschicht auf einem Glassubstrat und zu deren anschließendem Transfer von dem Glassubstrat zu einem Fremdsubstrat. Die Halbleiterschicht ist dabei insbesondere aus einem Material der Hauptgruppen I, III und IV aufgebaut, wobei die Klasse der sogenannten Kupfer-Chalkopyrite, insbesondere des für Solarzellen verwendeten Materialsystems Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) von besonderem Interesse ist.
  • Bei zahlreichen neuen Anwendungen von Solarzellen oder Solarmodulen ist es erforderlich, daß diese Bauelemente auf flexiblen Substraten bereitgestellt werden, da sie für den Gebrauch auf einem nicht-ebenen und/oder formveränderlichen Untergrund befestigt werden sollen. Beispielsweise könnten Solarmodule an Kleidungsstücken befestigt werden, um die Energieversorgung eines Handys zu ermöglichen.
  • Für derlei Anwendungen können Dünnschicht-Solarzellen zum einen direkt auf einem flexiblem Substrat wie einer Kunststofffolie hergestellt oder zum anderen nach der Herstellung auf einem starren Substrat wie einem Glassubstrat durch ein Transferverfahren auf ein flexibles Substrat übertragen werden.
  • Bei der direkten Deposition von beispielsweise Kupfer-Chalkopyritschichten auf Kunststofffolien hat sich gezeigt, daß aufgrund der geringen Temperaturbeständigkeit der Kunststoffmaterialien Temperaturen erforderlich sind, die unterhalb der optimalen Wachstumstemperatur der Kupfer-Chalkopyrite liegen und somit zu Einbußen im Wirkungsgrad der Solarzellen führen.
  • Bei einem Transferverfahren wird eine Dünnschicht-Solarzelle zunächst auf einem starren Substratmaterial abgeschieden und anschließend auf ein flexibles Substrat übertragen. Als starre Substratmaterialien können beispielsweise Metallfolien oder Glassubstrate verwendet werden. Die Deposition auf Metallfolien führt zwar wegen des Wegfalls der Temperaturbeschränkung zu höheren Wirkungsgraden, erfordert jedoch eine aufwendige Vorbehandlung der Metallfolie mit dem Ziel der Reduzierung der Rauhigkeit und zur Vermeidung der Ausdiffusion von Metallatomen.
  • Vorteilhaft ist die Verwendung von Glassubstraten, da Glas ein sehr kostengünstiges Material ist und zudem außerordentlich glatte Oberflächen aufweist. Beispielsweise ist natriumhaltiges Glas das optimale Substrat für die Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen auf der Basis von Kupfer-Chalkopyriten, also Materialsystemen auf der Basis von Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). Derartige Solarzellen werden üblicherweise auf Glassubstraten derart hergestellt, indem zunächst auf dem Glassubstrat eine Molybdänschicht als Elektroden-Rückkontakt aufgebracht wird und anschließend auf der Molybdänschicht die CIGS-Schicht durch Co-Verdampfen von Kupfer, Indium, Gallium und Selen abgeschieden wird. Auf diese Weise wurden Solarzellen auf der Basis von polykristallinen CIGS-Schichten mit Wirkungsgraden von 15-18,8% mit Substrattemperaturen von ca. 550°C bei der Abscheidung hergestellt. Es hat sich dabei gezeigt, daß eine gewisse Menge an Natrium für das Wachstum der CIGS-Schicht von Vorteil ist.
  • Aus der EP 0 360 403 ist noch ein Verfahren bekannt, bei welchem zwischen die auf dem Glassubstrat abgeschiedene Molybdänschicht und der CIGS-Schicht eine galliumhaltige Zwischenschicht eingefügt wird. Mit dieser galliumhaltigen Zwischenschicht werden verbesserte Haftungsbedingungen zwischen der CIGS-Schicht und der Molybdänschicht erreicht. Bei diesem Verfahren geht es also nicht darum, die auf dem Glassubstrat hergestellte Solarzelle von dem Glassubstrat auf ein anderes Substrat zu übertragen.
  • In der Publikation "DEVELOPMENT OF FLEXIBLE Cu(In,Ga)Se2 SOLAR CELLS ON POLYMERS WITH LIFT-OFF PROCESSES" von D. Rudmann, F.-J. Haug, M. Krejci, H. Zogg, A. N. Tiwari in 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1-5 May 2000, Glasgow, UK, ("Rudmann") werden beispielsweise zwei verschiedene Transferverfahren beschrieben, bei welchen eine CIGS- Halbleiterschicht auf einem Glassubstrat erzeugt und auf ein flexibles Kunststoffsubstrat übertragen wird, wobei jeweils zunächst auf dem Glassubstrat eine wasserlösliche Trennschicht (beispielsweise NaCl oder BaF2) aufgebracht wird. In einer ersten Variante wird anschließend auf der Trennschicht durch ein Spin-on-Verfahren eine transparente Polyimidschicht aufgeschleudert, wobei letztere als flexibles Substrat dient. Auf die Polyimidschicht wird dann durch Sputtern eine Molybdänschicht als Elektrodenschicht aufgebracht. Durch Co- Verdampfen von Kupfer, Indium und/oder Gallium und Selen wird dann auf der Molybdänschicht eine p-dotierte Cu(In,Ga)Se2- (CIGS-)Schicht und auf diese eine n-dotierte CdS-Schicht abgeschieden, so daß an der Grenzfläche zwischen den Halbleiterschichten ein p-n-Übergang entsteht. Eine weitere Elektrodenschicht wird schließlich noch in Form einer ZnO : Al/ZnO- Schicht auf der CdS-Schicht geformt. Durch Auflösen der Trennschicht in Wasser kann dann eine Ablösung der Solarzellenstruktur von dem Glassubstrat sehr leicht erreicht werden, so dass am Ende die Solarzellenstruktur auf dem flexiblen Polyimidfilm verbleibt. In einer zweiten Variante wird die Reihenfolge geändert, indem auf der Trennschicht die Molybdänschicht abgeschieden und anschließend auf die Molybdänschicht die p-dotierte Cu(In,Ga)Se2-(CIGS-)Schicht, die n-dotierte CdS-Pufferschicht und die ZnO : Al/ZnO-Elektrodenschicht aufgebracht wird. Die transparente Polyimidschicht wird schließlich als oberste Schicht durch ein Spin-on-Verfahren aufgeschleudert. Die anschließende Abtrennung erfolgt wie bei der ersten Variante durch Auflösen der Trennschicht in Wasser.
  • Die Verwendung einer BaF2-Trennschicht bei dem vorgenannten Verfahren ist zwar aufgrund von deren Temperaturbeständigkeit vorteilhaft. Allerdings ergibt sich in diesem Fall mit 8,2% ein relativ niedriger Wirkungsgrad der CIGS-Solarzelle. Eine mögliche Ursache hierfür könnte sein, dass beim Wachstum der CIGS-Schicht nicht mehr genügend Natrium zur Verfügung steht. Als Trennschicht wird zwar anstelle von BaF2 unter anderem NaCl vorgeschlagen. Im Falle von NaCl für die Trennschicht ist jedoch zu vermuten, daß deren Temperaturbeständigkeit nicht sehr hoch ist, so daß die CIGS-Schicht nicht mehr mit optimaler Wachstumstemperatur aufgewachsen werden kann.
  • Es ist somit Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren anzugeben, bei welchem eine Halbleiterschicht, insbesondere einer CIGS-Halbleiterschicht, mit guter Kristallqualität auf einem Glassubstrat erzeugt und anschließend von dem Glassubstrat auf ein Fremdsubstrat übertragen werden kann. Insbesondere ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein solches Verfahren für die Herstellung einer Dünnschicht- Solarzelle zu verwenden.
  • Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Ein wesentlicher Aspekt der vorliegenden Erfindung besteht in einer Oberflächenkonditionierung des Glassubstrats durch Aufbringen einer sehr geringen Menge eines Materials, welches ein Gruppe-III-Metall enthält, dem darauf folgenden Fertigstellen des Schichtaufbaus einschließlich des Aufbringens des Fremdsubstrats und schließlich dem mechanischen Ablösen des Schichtaufbaus mitsamt dem Fremdsubstrat von dem Glassubstrat.
  • Das Gruppe-III-Metall kann in einem anderen Material enthalten oder in elementarer Form aufgebracht werden. Es kann insbesondere aus Gallium, Aluminium oder Indium gebildet sein. Es können auch mehrere dieser Gruppe-III-Metalle aufgebracht werden. Ebenso denkbar ist es, eine Verbindung oder Legierung aufzubringen, in der das Gruppe-III-Metall enthalten ist.
  • Die Menge des aufgebrachten metallhaltigen Materials liegt vorzugsweise in einem Bereich, welcher einer Schichtdicke von 0,05 bis 10 nm entspricht. Gute Ergebnisse werden mit einer Materialmenge entsprechend einer Schichtdicke zwischen 1 und 5 nm, insbesondere etwa 2 nm, erzielt.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren hat sich bei Verwendung von elementarem Gallium als Gruppe-III-Metall als funktionsfähig erwiesen. Es wurde also auf das Glassubstrat eine Galliumschicht aufgebracht. Die Funktionsweise der Galliumschicht besteht vermutlich nicht in der Rolle einer Opfer- oder Trennschicht wie in dem Fall der bei "Rudmann" verwendeten BaF2-Pufferschicht, sondern in der Oberflächen- oder Grenzflächenkonditionierung der Glasoberfläche bzw. der Glas/Molybdän-Grenzfläche, so dass sich die Glas- und Halbleiteroberflächen bzw. die Glas- und Molybdänoberflächen bei mechanischer Beanspruchung leicht und sauber voneinander trennen lassen. Ein denkbarer Mechanismus der Oberflächenkonditionierung besteht darin, dass durch das Gallium das in dem Glassubstrat enthaltene Natrium an die Glasoberfläche befördert wird und dort verhindert, dass auf dem Glas aufgebrachte Materialien wie entweder die Molybdän-Elektrodenschicht oder die Halbleitermaterialschicht mit den Sauerstoffatomen der Glasoberfläche chemische Bindungen eingeht. Es ist demnach denkbar, jedoch noch nicht endgültig geklärt, dass das Vorhandensein von Natrium in dem Glassubstrat eine notwendige Voraussetzung für den Erfolg des erfindungsgemäßen Verfahrens darstellt. Bei gewöhnlichem Floatglas oder Fensterglas ist diese Voraussetzung gegeben.
  • Das Gallium diffundiert wahrscheinlich bereits beim Aufbringen der Elektrodenschicht oder der Halbleiterschicht zum Teil in das Glassubstrat, zum anderen Teil jedoch ebenso in die aufgebrachte Schicht. Im Falle einer direkt auf die Glasoberfläche aufgebrachten CIGS-Halbleiterschicht führt dies lediglich zu einer erhöhten Galliumkonzentration an der Oberfläche. In der Regel wird auf der Glasoberfläche zunächst der elektrische Rückseitenkontakt in Form einer Molybdänschicht aufgebracht. Für deren elektrische Eigenschaften sind geringfügige Mengen eindiffundierten Galliums an der Oberfläche unschädlich.
  • Es ist zu vermuten, daß das Verfahren nicht nur mit Gallium funktioniert, sondern mit entsprechenden isovalenten Materialien, also mit anderen Elementen der III. Hauptgruppe des Periodensystems, also beispielsweise mit Aluminium oder Indium.
  • Nachdem die CIGS-Halbleiterschicht entweder direkt auf die erfindungsgemäß vorbehandelte Glasoberfläche oder auf die Molybdän-Elektrodenschicht aufgebracht wurde, wird in an sich bekannter Weise zunächst eine II-VI-Pufferschicht wie eine CdS-Schicht auf die Rückseite der CIGS-Schicht abgeschieden. Wenn die zuvor aufgebrachte CIGS-Schicht p-dotiert ist, so ist die CdS-Schicht n-dotiert, so dass an der Grenzfläche zwischen Schichten der p-n-Übergang entsteht. Die CdS-Schicht wird dann mit einem transparenten Vorderseitenkontakt bedeckt, der beispielsweise wie bei "Rudmann" aus einer ZnO- Schicht oder auch aus einer Indiumzinnoxid-(ITO)- oder einer Indiumzinkoxid-Schicht durch ein Sputterverfahren hergestellt werden kann.
  • Das auf den Vorderseitenkontakt aufgebrachte Fremdsubstrat kann beispielsweise in an sich bekannter Weise durch eine flexible Kunststofffolie wie einen durch ein Spin-On- Verfahren aufgeschleuderter Polyimidfilm (PI) sein. Nach dem Aushärten des Polyimidfilms wird die mechanische Trennung des Schichtaufbaus von dem Glassubstrat durchgeführt. Durch die infolge der Wirkung der galliumhaltigen Substanz verminderte Haftung zwischen der Glasoberfläche und der auf dieser aufgebrachten Schicht kann der Schichtaufbau einschließlich des Fremdsubstrats relativ leicht von der Glasoberfläche abgezogen werden.
  • Bei dem hier beschriebenen Verfahren wird das Fremdsubstrat, insbesondere also das flexible Kunststoffsubstrat erst nach der Abscheidung der CIGS-Absorberschicht aufgebracht. Die CIGS-Absorberschicht kann demgemäß bei einer relativ hohen Temperatur und somit mit einer besonders guten kristallinen Qualität hergestellt werden. Die Temperatur wird nach oben lediglich durch die Schmelztemperatur des Glassubstrats begrenzt. Insbesondere ist es möglich, für das Abscheideverfahren der CIGS-Absorberschicht eine Temperatur einzustellen, die größer als 500°C, insbesondere etwa 550°C ist. Die infolge der hohen Abscheidetemperatur erzielbare kristalline Qualität der Halbleiterschicht ermöglicht entsprechend hohe Wirkungsgrade einer durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellten Solarzelle. Eine relativ hohe Abscheidetemperatur ist auch deshalb wünschenswert, weil sie für die Diffusionsprozesse des Galliums in das Glassubstrat und für das Natrium aus dem Glassubstrat an die Glasoberfläche gemäß dem weiter oben beschriebenen Mechanismus und damit für die erwünschte Verminderung der Haftung zwischen der Glasoberfläche und der angrenzenden Molybdänschicht oder im Falle des direkten Aufwachsens der Halbleiterschicht der angrenzenden Halbleiterschicht förderlich ist.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • Fig. 1A-D Querschnittsdarstellungen jeweils eines Abschnitts der Dünnschicht-Solarzelle zwischen den einzelnen Verfahrensschritte der Herstellung.
  • In den Fig. 1A-D ist der Herstellungsprozess einer CIGS- Solarzelle auf einem flexiblem Kunststoffmaterial in stark vereinfachter und schematisierter Form dargestellt.
  • Gemäß Fig. 1A wird zunächst auf einem Glassubstrat 1, insbesondere einem herkömmlichen natriumhaltigen Floatglas oder Fensterglas, eine Schicht 2 aus elementarem Gallium mit einer Dicke von etwa 2 nm beispielsweise durch Aufdampfen erzeugt. Auf die Galliumschicht 2 wird dann eine Molybdänschicht 3 oder eine andere geeignete Metallschicht als erste Elektrodenschicht (Rückseitenelektrode) mit einer Dicke von typischerweise 1 µm durch ein Sputterverfahren abgeschieden.
  • Anschließend wird gemäß Fig. 1B eine p-dotierte wie eine Cu(In,Ga)Se2-(CIGS-)Schicht 4 durch Co-Verdampfen bei einer Substrattemperatur von bis zu 600°C auf der Molybdänschicht 3 abgeschieden. Dabei diffundiert das Gallium aus der Galliumschicht 2 sowohl in das benachbarte Glassubstrat 1 wie auch zum Teil in die benachbarte Molybdänschicht 3, wie in der Fig. 1B angedeutet ist. Gleichzeitig diffundiert Natrium aus dem Glassubstrat 1 in den Zwischenbereich zwischen dem Glassubstrat 1 und der Molybdänschicht 3 und verhindert dort das Zustandekommen von Bindungen zwischen dem Molybdän und dem Sauerstoff an der Glasoberfläche. Das Natrium diffundiert wahrscheinlich auch durch die Molybdänschicht 3 und fördert das Wachstum der CIGS-Schicht 4.
  • Anschließend wird gemäß Fig. 1C auf CIGS-Schicht 4 eine n-dotierte CdS-Schicht 5 abgeschieden, so daß zwischen den Schichten 4 und 5 ein p-n-Übergang gebildet wird. Auf der CdS-Schicht 5 wird dann eine zweite, transparente Elektrodenschicht 6 in Form einer Zinkoxid-(ZnO-) Schicht oder Indiumzinnoxid-(ITO)-Schicht aufgebracht.
  • Auf die zweite Elektrodenschicht 6 wird eine Polyimidschicht 7 als flexibles transparentes Substrat durch ein Spin-on-Verfahren mit einer Dicke von typischerweise 20 µm aufgeschleudert und anschließend ausgehärtet. Mit Hilfe der Polyimidschicht 7 kann dann der gesamte Schichtaufbau an der Grenzfläche zwischen der Glasoberfläche und der Molybdänoberfläche abgetrennt werden, wie in der Fig. 1D gezeigt ist.
  • Der Lichteinfall bei der fertiggestellten Solarzelle erfolgt durch das transparente flexible Substrat in Form der Polyimidschicht 7 und die zweite Elektrodenschicht 6.
  • Es ist für die Wirkungsweise des erfindungsgemäßen Verfahrens nicht notwendig, dass das aufgebrachte Gallium in dem Zwischenraum zwischen der Glasoberfläche und der aufgebrachten Molybdän-Elektrodenschicht 3 verbleibt. Vielmehr ist damit zu rechnen, dass spätestens bei dem Aufwachsen der CIGS-Schicht 4 das Gallium vollständig in die angrenzenden Schichten diffundiert. Wie in den Fig. 1C und D angedeutet ist, ist das Gallium mindestens teilweise durch Natrium aus dem Glassubstrat 1 ersetzt worden, welches einerseits die Haftung zu der Molybdänschicht 3 herabsetzt und andererseits teilweise durch das Molybdän diffundiert und das Wachstum der CIGS- Schicht befördert.
  • Alternativ zu dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist es ebenso denkbar, die CIGS-Absorberschicht 4 direkt auf dem erfindungsgemäß oberflächenbehandelten Glassubstrat 1 abzuscheiden, da zu vermuten ist, das die Verminderung der Haftungseigenschaften der Glasoberfläche zu den darauf abgeschiedenen Materialschichten eine generelle Eigenschaft ist, die durch den beschriebenen Mechanismus der Diffusion von Natrium hervorgerufen wird. Es ist daher zu erwarten, dass auch die Haftung zwischen der Glasoberfläche und einer darauf abgeschiedenen CIGS-Schicht durch das dazwischen eingelagerte Gallium entsprechend vermindert wird und somit in entsprechender Weise, wie oben beschrieben, in einem späteren Verfahrensschritt von dem Glassubstrat 1 abgetrennt werden kann. Die Vorderseitenelektrode kann in diesem Fall nach erfolgtem Transfer zu dem Fremdsubstrat auf die CIGS-Schicht 4 aufgebracht werden.
  • Die Erfindung ist somit auch nicht auf die Verwendung von I-III-VI-Halbleitermaterialschichten beschränkt. Es können stattdessen auch andere Halbleiterschichten, insbesondere für Solarzellen geeignete Halbleiterschichten wie solchen aus amorphem Silizium oder Galliumarsenid verwendet werden.
  • Die erfindungsgemäß hergestellten flexiblen Solarzellen können zu Solarmodulen zusammengefaßt und auf beliebig geformten sowie formveränderlichen Oberflächen befestigt werden und für die Versorgung von Verbrauchern mit elektrischer Energie eingesetzt werden. Insbesondere können die Solarmodule an Kleidungsstücken befestigt werden und für die Energieversorgung von Handys, Kassetten- oder MP3-Abspielgeräten und anderen Geräten verwendet werden. Es können auch nach einem beliebigen anderen Transferverfahren hergestellte flexible Solarzellen für diesen Zweck mit Kleidungsstücken verbunden werden.

Claims (15)

1. Verfahren zur Erzeugung einer Halbleiterschicht (4) auf einem Glassubstrat (1) und zu deren anschließendem Transfer von dem Glassubstrat (1) zu einem Fremdsubstrat (7), gekennzeichnet durch die Verfahrensschritte
- Aufbringen einer ein Gruppe-III-Metall enthaltenden Schicht (2) auf die Oberfläche des Glassubstrats (1);
- Abscheiden einer Halbleiterschicht (4, 5) oberhalb der Schicht (2);
- Aufbringen eines Fremdsubstrats (7) oberhalb der Halbleiterschicht (4, 5);
- Abtrennen des Fremdsubstrats (7) zusammen mit der Halbleiterschicht (4, 5).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (2) in einer Dicke von 0,5-10 nm, insbesondere 1-5 nm, insbesondere ca. 2 nm, aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Gruppe-III-Metall Gallium, Aluminium oder Indium ist.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (2) ausschließlich aus dem Gruppe-III-Metall besteht.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Glassubstrat (1) Natrium enthält.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht (4, 5) eine Schicht (4) aus einem I- III-VI-Material, insbesondere aus Kupfer-Chalkopyrit, insbesondere aus Cu(In,Ga)(S,Se)2 aufweist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (4) bei einer Substrattemperatur hergestellt wird, die größer als 500°C, insbesondere etwa 550°C ist, wobei die Abscheidung insbesondere durch Co-Verdampfen der Elemente erfolgt.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Abscheiden der Halbleiterschicht (4, 5) eine Elektrodenschicht (3), insbesondere eine oder mehrere Metallschicht(en), insbesondere eine Molybdänschicht, auf die Schicht (2) aufgebracht wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht (4, 5) direkt auf die Schicht (2) aufgebracht wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Abscheiden der Halbleiterschicht (4, 5) eine Elektrodenschicht (6) oberhalb der Halbleiterschicht (4, 5) aufgebracht wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrodenschicht (6) eine transparente Schicht, insbesondere eine Indiumzinnoxid-(ITO-) oder eine Zinkoxid- Schicht ist.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Fremdsubstrat (7) aus einem Kunststoffmaterial, insbesondere durch Aufschleudern einer Polymerschicht wie einer Polyimidschicht, geformt wird.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht (4, 5) eine erste Halbleiterschicht (4) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp und eine zweite Halbleiterschicht (5) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist.
14. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle oder eines mehrere Solarzelle umfassenden Solarmoduls nach einem Verfahren der vorhergehenden Ansprüche.
15. Verwendung einer nach Anspruch 14 hergestellten Solarzelle für die Befestigung an Kleidungsstücken.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009144086A1 (fr) * 2008-04-16 2009-12-03 Agc Flat Glass Europe Sa Substrat en verre portant une electrode
DE102011014795A1 (de) * 2011-03-15 2012-09-20 Boraident Gmbh Verfahren zum Herstellen von flexiblen Dünnschicht-Solarzellen
JP2016178191A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 国立研究開発法人産業技術総合研究所 太陽電池の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103201856A (zh) * 2010-08-20 2013-07-10 集成光伏公司 光伏电池

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0360403A2 (de) * 1988-09-22 1990-03-28 Siemens Solar Industries L.P. Dünnschichtsolarzelle und deren Herstellungsverfahren
DE4442824C1 (de) * 1994-12-01 1996-01-25 Siemens Ag Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht
DE19611996C1 (de) * 1996-03-26 1997-09-11 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO2001004964A1 (de) * 1999-07-13 2001-01-18 Eidgenössische Technische Hochschule (ETH) Flexible dünnschicht-solarzelle

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6150239A (en) * 1997-05-31 2000-11-21 Max Planck Society Method for the transfer of thin layers monocrystalline material onto a desirable substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0360403A2 (de) * 1988-09-22 1990-03-28 Siemens Solar Industries L.P. Dünnschichtsolarzelle und deren Herstellungsverfahren
DE4442824C1 (de) * 1994-12-01 1996-01-25 Siemens Ag Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht
DE19611996C1 (de) * 1996-03-26 1997-09-11 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO2001004964A1 (de) * 1999-07-13 2001-01-18 Eidgenössische Technische Hochschule (ETH) Flexible dünnschicht-solarzelle

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
b.M: *
BASOL *
CATCHPOLE,K.R., McCANN,M.J., WEBER,K.J., BLAKERS, A.W.: A review of thinfilm crystalline for solar cell aoopl. Part 2: Foreign substrates. In: Solar Energy Materials & Solar Cells. ISSN 0927-0248, 2001, Vol. 68, S. 173-215 *
KAPUR,V.K., HALANI,A., LEIDHOLM,C.: Copper indium dieselenide thin film solar cells fabrictaed on flexible foil substrates. In: Solar Energy Materials and Solar Cells, ISSN:0927.0248, 1993, Vol. 29, S. 162-173 *
SHI,Z, YOUNG,T.L., ZHENGG.F., GREEN,M.A.: Investigation of polycrystallinesilicon deposition on glass substrates. In: Solar Energy Materials and Solar Cells. ISSN: 0927-0248,1993, Vol. 31, S. 51-60 *
YANG,L.-C., ROCKETT,A.: Cu-Mo contacts to CulnSe2 for improved adhesion in photovoltaic devices. In:J.Appl. Phys., ISSN: 0021-8979, 1994, Vol. 75, No.2, S. 1185-1189 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009144086A1 (fr) * 2008-04-16 2009-12-03 Agc Flat Glass Europe Sa Substrat en verre portant une electrode
DE102011014795A1 (de) * 2011-03-15 2012-09-20 Boraident Gmbh Verfahren zum Herstellen von flexiblen Dünnschicht-Solarzellen
DE102011014795B4 (de) * 2011-03-15 2021-05-06 Hegla Boraident Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen von flexiblen Dünnschicht-Solarzellen
JP2016178191A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 国立研究開発法人産業技術総合研究所 太陽電池の製造方法

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