JP5334645B2 - 可撓性太陽電池モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、可撓性の絶縁性基板上に裏面電極層と光電変換層と透明電極層との積層構造を有する光電変換素子を備える可撓性太陽電池モジュールに関する。
現在、太陽電池用基板としてはガラス基板が主に使用されているが、可撓性(フレキシビリティー)を有する金属基板を用いることが検討されている。金属基板を用いた太陽電池は、基板の軽量性および可撓性という特徴から、ガラス基板を用いたものに比較して、広い用途へ適用できる可能性がある。さらに、金属基板は高温プロセスにも耐えうるという点で、光電変換特性が向上し太陽電池のさらなる光電変換効率の向上が期待できる。
金属基板としてステンレス鋼板のような導電性基板を用いた場合には、受光側に対して反対側が化学的に安定で耐候性(耐水性、耐湿性、耐熱性および耐UV性等)および水蒸気バリア性に優れた太陽電池モジュールを形成することができる。したがって例えば図6に示すように、ステンレス鋼基板の上に裏面電極層、光電変換層、透明電極層を順次積層して光電変換素子を形成し、フッ素樹脂よりなる透光性表面保護フィルムを透光性の接着・充填材により受光側に接着して太陽電池モジュールの耐候性および水蒸気バリア性の向上を図っている。そして図7に示すように、さらに耐候性および水蒸気バリア性を向上させるために、水蒸気バリアフィルムを接着・充填材を介して表面保護フィルムと透明電極層との間に配置する方法も行われている。
また、図8に示すように、透明電極層上に直接SiOx(xは1以上)を形成し、その上に接着・充填材を用いて表面保護フィルムを接着することにより、太陽電池モジュールの耐候性および水蒸気バリア性を向上させる報告もある(特許文献1)。
特許第3076895号公報
しかしながら、図6のような太陽電池モジュールでは、受光側を表面保護フィルム及び接着・充填材のみで覆うことになるため、耐候性および水蒸気バリア性が十分でなく水蒸気の透過を完全に抑制することができない。また図7のような太陽電池モジュールでは、水蒸気バリアフィルムが高価であるため低コスト化が難しい。更に図8のような太陽電池モジュールでは、十分な耐候性および水蒸気バリア性を確保することができても、SiOxと透明電極層との屈折率の差が大きいためこれらの層の界面で入射光の反射が起きてしまい、光電変換効率が低下してしまう問題がある。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、可撓性太陽電池モジュールにおいて、透明電極層よりも外気側の膜の光学的な屈折率整合を行うことにより入射光の反射を防止し、耐候性および水蒸気バリア性の向上と光電変換効率の向上とを低コストで両立することを可能とする可撓性太陽電池モジュールを提供することを目的とするものである。
上記課題を解決するために、本発明に係る可撓性太陽電池モジュールは、
可撓性の絶縁性基板上に複数形成された、裏面電極層、光電変換層および透明電極層を含む光電変換素子と、この光電変換素子の光電変換機能により生じた電流或いは起電力を取り出すための端子部と、透光性を確保するように光電変換素子を被覆する有機絶縁性保護膜と、光電変換素子および端子部を接続するリード線とを備える可撓性太陽電池モジュールにおいて、
光電変換素子の受光側の透光性を確保するように、透明電極層上に無機絶縁性保護膜を有するものであり、
無機絶縁性保護膜が、最も外気側の層をシリコン酸窒化物層とする層構造を有し、
層構造が、光電変換素子側から順次シリコン酸窒化物層、シリコン窒化物層およびシリコン酸窒化物層を備える3層構造であることを特徴とするものである。
ここで、無機絶縁性保護膜の「層構造」とは、層の構成材料の組成に基づいて区別可能な層を1層以上有する構造を意味するものとする。つまり、2つの層の材料の構成元素が同一でも組成が異なる場合には、これらの層は異なるものとする。また、組成が連続的に変化している場合には、連続的に変化している領域では組成に基づいて明確に区別できないため、連続に変化している領域で1層とする。
さらに、本発明に係る可撓性太陽電池モジュールにおいて、シリコン窒化物層の厚さは50〜1000nmであることが好ましい。
また、本発明に係る可撓性太陽電池モジュールにおいて、シリコン酸窒化物層の屈折率は、1.50から1.90であることが好ましい。
また、有機絶縁性保護膜は、エチレンをコモノマー成分とするビニル共重合ポリマーであり、屈折率が1.35から1.50である樹脂からなることが好ましく、透明電極層は、屈折率が1.90から2.00であるアルミニウム及び/又はガリウム含有酸化亜鉛からなることが好ましい。
さらに、光電変換層の主成分は、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体であることが好ましく、光電変換層の主成分は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることがより好ましい。
また、光電変換層の主成分は、
Cu及びAgからなる群より選択された少なくとも1種のIb族元素と、
Al,Ga及びInからなる群より選択された少なくとも1種のIIIb族元素と、
S,Se,及びTeからなる群から選択された少なくとも1種のVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることが好ましい。
本明細書における元素の族の記載は、短周期型周期表に基づくものである。また、光電変換層の「主成分」とは、含量75質量%以上の成分を意味するものとする。
本発明に係る可撓性太陽電池モジュールは、最も外気側の層をシリコン酸窒化物層とする層構造を有する無機絶縁性保護膜を透明電極層上に備えている。シリコン酸窒化物(SiO:xおよびyは1以上)の屈折率は、シリコン酸化物(SiO)の屈折率1.46からシリコン窒化物(SiN)の屈折率2.00の間で適宜調整可能である。したがって、シリコン酸窒化物層を用いて有機絶縁性保護膜と透明電極層との間の屈折率を光学的に整合させることにより、入射光の反射を防止することができ、モジュールの光電変換効率を向上させることができる。また、低コストで形成することができかつ絶縁性が高いシリコン酸窒化物層を透明電極層上に形成することにより、水蒸気バリアフィルムを用いずにモジュールの耐候性および水蒸気バリア性を低コストで向上させることができる。この結果、可撓性太陽電池モジュールにおいて、耐候性および水蒸気バリア性の向上と光電変換効率の向上とを低コストで両立することが可能となる。
可撓性太陽電池モジュール(集積型)を示す概略断面図 第1の参考形態に係るモジュールの層構成を示す概略断面図 可撓性太陽電池モジュール(セル・ストリングス接続型)を示す概略断面図 第2の参考形態に係るモジュールの層構成を示す概略断面図 本発明の実施形態に係るモジュールの層構成を示す概略断面図 従来例のモジュールの層構成を示す概略断面図(その1) 従来例のモジュールの層構成を示す概略断面図(その2) 従来例のモジュールの層構成を示す概略断面図(その3) 多重反射を生じる膜構成を示す概略断面図
以下、可撓性太陽電池モジュールの参考形態と本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。
「可撓性太陽電池モジュール」
<可撓性太陽電池モジュールの第1の参考形態
まず、本参考形態に係る可撓性太陽電池モジュール1の構成について説明する。図1は、本参考形態に係る可撓性太陽電池モジュール(集積型)を示す概略断面図である。また、図2は、本参考形態に係る可撓性太陽電池モジュールの領域Aにおける層構成を示した概略断面図である。
図1に示すように、可撓性太陽電池モジュール1は、バックシート2と、バックシート2上に配置された集積型の太陽電池セル6と、太陽電池セル6の周囲を充填する接着・充填材(封止樹脂)5そしてバックシート2上を覆う表面保護フィルム4からなる有機絶縁性保護膜3と、太陽電池セル6により作り出した電流或いは起電力を取り出す端子部8と、太陽電池セル6により作り出した電流或いは起電力を端子部8へ導くリード線7とを備えている。そして、本参考形態の太陽電池モジュール1の具体的な層構成は、図2に示すように太陽電池モジュール1の受光側から、
表面保護フィルム4(有機絶縁性保護膜3)
接着・充填材5(有機絶縁性保護膜3)
シリコン酸窒化物層61(無機絶縁性保護膜60)
低抵抗透明電極層51(透明電極層50)
高抵抗透明電極層52(透明電極層50)
バッファ層40
光電変換層30
裏面電極層20
可撓性金属基板10
接着・充填材5
バックシート2
となっている。ここで、図1の透明電極層50は、図2ではより詳細に低抵抗透明電極層51と高抵抗透明電極層52とに別けて記載されている。また、図1では省略されているバッファ層40が、図2では光電変換層30と高抵抗透明電極層52との間に記載されている。
(バックシート)
バックシート2は、太陽電池セル6を外気環境から保護し劣化を防ぐためのシートである。バックシート2は、太陽電池セル6を接着・充填材5で封止後、接着・充填材5と一体複合化される。バックシート2の表面は直接屋外に暴露されるため、バックシート2には、耐候性、水蒸気バリア性、電気絶縁性、機械的特性(引張強度、伸び、引裂き強度等)および耐薬品性等が要求される。したがって、これらの要求を満たすために、フッ素樹脂フィルム、PET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂フィルムを用いることが好ましい。また、いくつかの材料を組み合わせた複合フィルムを使用することがより好ましく、このような複合フィルムとしては、PVF(ポリフッ化ビニル)/接着剤/PET/接着剤/EVA(エチレンビニルアセテート) 、コーティング/PET/接着剤/EVA 、コーティング/アルミホイル/接着剤/PET/接着剤/EVA 、PET/接着剤/シリカ蒸着PET/接着剤/EVA等が挙げられる。
(太陽電池セル)
太陽電池セル6は、直列に接続された複数の光電変換素子(基板から透明電極層までの構造)を含む、太陽電池モジュールの基本構成となるものである。この太陽電池セル6の大きさは、一般的にセルピッチ3〜10mm、セル幅100〜1000mm程度である。図1に示すように、太陽電池セル6は、大面積の可撓性金属基板10と、裏面電極層20と、光電変換層30と、透明電極層50と、無機絶縁性保護膜60とを備えるものである。そして、太陽電池セル6は、複数の開溝部を有することにより、ある光電変換素子の上部電極50が、隣接する光電変換素子の下部電極20に直列接続した構造となっている。
大面積の可撓性金属基板10は、金属基板表面を陽極酸化することにより陽極酸化膜(絶縁性酸化膜)が形成されたものである。このような金属基板は、高い絶縁性が確保できる。金属基板の材料としては、特に制限されるものではなく、陽極酸化により金属基板表面上に絶縁性の陽極酸化膜を形成することができる材料を使用することができる。具体的には、Al、Zr、Ti、Mg、Cu、Nb及びTa等、並びにそれらの合金が挙げられる。コストや太陽電池に要求される特性の観点から、Alが最も好ましい。可撓性金属基板10は、金属基板の両面側に陽極酸化膜が形成されたものでもよいし、金属基板の片面側のみに陽極酸化膜が形成されたものでもよい。陽極酸化は、必要に応じて洗浄処理・研磨平滑化処理等が施された金属基板を陽極とし、陰極と共に電解質に浸漬させ、陽極陰極間に電圧を印加することで実施できる。金属基板の厚みは特に制限されない。陽極酸化前の金属基板の厚みは、可撓性金属基板10の機械的強度、薄型軽量化および材料特性の応力計算結果から適宜選択できるが、例えば0.05〜0.6mmが好ましく、0.1〜0.3mmがより好ましい。なお、金属基板は、可撓性金属基板10を構成する際に、陽極酸化、及び陽極酸化の事前洗浄や研磨により厚さが減少するため、それを見越した厚さとしておく必要がある。一方、陽極酸化膜の厚みは基板の絶縁性、機械的強度および材料特性の応力計算結果から適宜選択できるが、例えば0.1〜100umが好ましい。
陽極酸化膜が微細孔を有する場合には、必要に応じて公知の封孔処理を施してもよい。封孔処理により、耐電圧性及び絶縁特性を向上させることが可能である。また、アルカリ金属イオンを含む材料を用いて封孔を行うと、CIGS等からなる光電変換層30のアニール時にアルカリ金属イオン、好ましくはNaイオンが光電変換層30に拡散し、そのことにより光電変換層30の結晶性が向上し、光電変換効率が向上する場合がある。可撓性金属基板10の製造工程には、必須の工程以外の各種の工程が含まれていてもよい。例えばこのような工程として、付着している圧延油を除く脱脂工程、金属基板の表面のスマットを溶解するデスマット処理工程、金属基板の表面を粗面化する粗面化処理工程等が挙げられる。
裏面電極層20及び透明電極層50はいずれも導電性材料からなる。光入射側の透明電極層50は透光性を有する必要がある。例えば、裏面電極層20の材料としてMoを用いることができる。裏面電極層20の厚みは100nm以上であることが好ましく、0.45〜1.0umであることがより好ましい。裏面電極層20の成膜方法は特に制限されず、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法等の気相成膜法が挙げられる。透明電極層50の主成分としては、ZnO,ITO,SnO,及びこれらの組合わせが好ましい。さらに、透明電極層50は、CIGS等からなる光電変換層(P型)との接合形成が可能なもの(N型)であり、低コストが図れる観点から、屈折率が1.90から2.00であるアルミニウム及び/又はガリウム含有酸化亜鉛からなることがより好ましい。透明電極層50は、単層構造でもよいし、2層構造等の積層構造もよい。透明電極層50の厚みは特に制限されず、0.1〜1umが好ましい。なお、光電変換層30と透明電極層50との間にバッファ層を挿入することが好ましい。バッファ層40としては、CdS,ZnS,InS,ZnO,ZnMgO,ZnS(O,OH) ,及びこれらの組合わせが好ましい。バッファ層40の厚みは、10〜50nmが好ましい。
光電変換層30は、光吸収により電流を発生する層である。その主成分は特に制限されず、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体であることが好ましい。また、光電変換層30の主成分は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることが好ましい。
さらに光吸収率が高く、高い光電変換効率が得られることから、
光電変換層30の主成分は、
Cu及びAgからなる群より選択された少なくとも1種のIb族元素と、
Al,Ga及びInからなる群より選択された少なくとも1種のIIIb族元素と、
S,Se,及びTeからなる群から選択された少なくとも1種のVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることが好ましい。
上記化合物半導体としては、
CuAlS,CuGaS,CuInS
CuAlSe,CuGaSe,CuInSe(CIS),
AgAlS,AgGaS,AgInS
AgAlSe,AgGaSe,AgInSe
AgAlTe,AgGaTe,AgInTe
Cu(In1−xGa)Se(CIGS),Cu(In1−xAl)Se,Cu(In1−xGa)(S,Se)
Ag(In1−xGa)Se,及びAg(In1−xGa)(S,Se)等が挙げられる。
光電変換層30は、CuInSe(CIS)、及び/又はこれにGaを固溶したCu(In,Ga)Se(CIGS)を含むことが特に好ましい。CIS及びCIGSはカルコパイライト結晶構造を有する半導体であり、光吸収率が高く、高い光電変換効率が報告されている。また、光照射等による効率の劣化が少なく、耐久性に優れている。CIGS層の成膜方法としては、多源同時蒸着法、セレン化法、スパッタ法、ハイブリッドスパッタ法、及びメカノケミカルプロセス法等を用いることができる。光電変換層30の厚みは、500〜5000nmが好ましい。
上記のような裏面電極層20、光電変換層30、バッファ層40および透明電極層50について好ましい組成の組合わせとしては、例えばMo裏面電極層/CIGS光電変換層/CdSバッファ層/ZnO透明電極層が挙げられる。
無機絶縁性保護膜60は、透光性を確保するように透明電極層50上に形成されたものである。図1は、裏面電極層20、光電変換層30および透明電極層50の側面にも無機絶縁性保護膜60が形成されている態様を示しているが、側面部分の無機絶縁性保護膜60は必ずしも必要ではない。無機絶縁性保護膜60は、製造のコスト、耐候性、水蒸気バリア性および屈折率の観点から、最も外気側の層をシリコン酸窒化物層(SiO:xおよびyは1以上)とする層構造を有する。シリコン酸窒化物層の層厚は、例えば層構造が上記シリコン酸窒化物層の単層構造であれば、50〜2000nmが好ましい。ここで、後述する有機絶縁性保護膜3(表面保護フィルム4および接着・充填材5)の屈折率の観点から、シリコン酸窒化物層の屈折率は、1.50から1.90であることが好ましい。また、耐候性および水蒸気バリア性の更なる向上の観点から、上記層構造は、シリコン窒化物層を含有するものであることが好ましい。
無機絶縁性保護膜60の成膜方法は、特に制限されるものではないが、Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)によって成膜することが好ましい。またPECVDについて、直流(CD)プラズマ、低周波プラズマ、高周波(RF)プラズマ、パルス波プラズマ、3極構造プラズマ、マイクロ波プラズマ、ダウンストリームプラズマ、カラムナープラズマ、プラズマアシステッドエピタキシー等の低温プラズマ発生装置を用いることができる。プラズマの安定性の点から高周波(RF)プラズマ方式がより好ましい。原料ガスとしては、シラン(SiH)、ジシラン(Si)、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)、テトラメチルシラン(TMS)、ヘキサメチルジシラン、テトラメトキシシラン(TMOS)、テトラエトキシシラン(TEOS)等の有機シランモノマー単独または混合物を気化させたものや、O、N、Ar、He、H、NO、NH等のガスの混合ガスを用いることができる。これらの原料ガスを上記方式にてプラズマ化し、透明電極層50の上に堆積させ、無機絶縁性保護膜60であるシリコン酸窒化物層或いはシリコン窒化物層を形成する。
(その他の層)
太陽電池セル6或いは光電変換素子は必要に応じて、上記で説明した以外の任意の層を備えることができる。例えば、可撓性金属基板10と裏面電極層20との間、及び/又は裏面電極層20と光電変換層30との間に、必要に応じて、層同士の密着性を高めるための密着層(緩衝層)を設けることができる。また、必要に応じて、可撓性金属基板10と裏面電極層20との間に、アルカリイオンの拡散を抑制するアルカリバリア層を設けることができる。アルカリバリア層については、特開平8−222750号公報を参照されたい。
(有機絶縁性保護膜)
有機絶縁性保護膜3は、大面積の太陽電池セル6の周囲を充填する接着・充填材5と、バックシート2上を覆う表面保護フィルム4とから構成される。有機絶縁性保護膜3は、エチレンをコモノマー成分とするビニル共重合ポリマーであり、屈折率が1.35から1.50である樹脂からなることが好ましい。具体的には、接着・充填材5は、かかる部材の一つで、接着剤としての機能と、外部からの衝撃から太陽電池セル6を保護する機能を奏することが要求され、EVA系、PVB(ポリビニルブチラール)系、シリコーン系などの樹脂を用いることができる。接着・充填材5の厚さは、50〜1000umが好ましい。また、表面保護フィルム4としては、透明性、耐候性、接着性、水蒸気バリア性および耐衝撃性などの点から、ETFE(エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体)を用いることが好ましい。表面保護フィルム4の厚さは、10〜100umが好ましい。接着・充填材5および表面保護フィルム4は、太陽電池セル6を形成した後、真空ラミネータにより接着する。
(端子部およびリード線)
端子部8は、外部装置との電気的な接続を可能とするものであり、光電変換機能により生じる電流或いは起電力を当該外部装置に取り出すことを可能とする部分である。また、リード線7は、太陽電池セル6中に生じる電流或いは起電力を上記端子部8へ導くものである。
以下、本参考形態の作用を説明する。
太陽電池モジュール1の光電変換効率を向上させるためには、入射光が太陽電池セル6を構成する各層間で反射の無いように屈折率および層厚を最適な値とすることが必要とされる。図9に示すように受光側から屈折率をn、nおよびnとし、対象層の層厚をdとすると、垂直入射光に対して多重反射を考慮した時のエネルギー反射率R20は、下記式(1)となる。
式(1):R20=(n−n /(n+n
ここで、n=(n1/2のときd=λ/4の層厚とすれば無反射となる。したがって、例えば接着・充填材5をEVA(屈折率:1.48)とし、低抵抗透明電極層51をアルミニウム含有酸化亜鉛(2.00)とした場合、接着・充填材5と低抵抗透明電極層51の間に挿入するシリコン酸窒化物層61の屈折率を(1.48×2.0)1/2=1.72とし、その層厚をλ=1000nmに対して250nmとすれば無反射状態が得られる。しかしながら、太陽光スペクトルは単色光ではないため、シリコン酸窒化物層61の層厚はエネルギー強度のピークである500〜700nmに対して130〜180nmの層厚が好ましい。
以上のように、本参考形態に係る可撓性太陽電池モジュール1は、最も外気側の層をシリコン酸窒化物層61とする層構造を有する無機絶縁性保護膜60を透明電極層50上に備えている。シリコン酸窒化物(SiO:xおよびyは1以上)の屈折率は、シリコン酸化物(SiO)の屈折率1.46からシリコン窒化物(SiN)の屈折率2.00の間で適宜調整可能である。したがって、シリコン酸窒化物層61を用いて、有機絶縁性保護膜3と透明電極層50との間の屈折率を光学的に整合させることにより、入射光の反射を防止することができ、モジュールの光電変換効率を向上させることができる。また、低コストで形成することができかつ絶縁性が高いシリコン酸窒化物層61を透明電極層50上に形成することにより、水蒸気バリアフィルム等を用いずにモジュールの耐候性および水蒸気バリア性を低コストで向上させることができる。この結果、可撓性太陽電池モジュールにおいて、耐候性および水蒸気バリア性の向上と光電変換効率の向上とを低コストで両立することが可能となる。
第1の参考形態の設計変更)
以上では、シリコン酸窒化物層61がすべて同じ組成によって形成された場合について説明したが、可撓性太陽電池モジュールはこれに限られない。すなわち、上記のシリコン酸窒化物層61は連続的にその組成が変化するように形成してもよい。このとき、シリコン酸窒化物層61の屈折率が、外気側から光電変換素子側へいくにつれて連続的に高くなるように形成する。このように形成することにより、有機絶縁性保護膜3と透明電極層50との間の屈折率の光学的な整合性をより向上させることができる。また、無機絶縁性保護膜60の層構造が複数のシリコン酸窒化物層を有する場合には、それぞれのシリコン酸窒化物層に同様のことが言える。
また、可撓性太陽電池モジュールは、図1に示したような集積型モジュールに限られず、図3に示すようなセル・ストリングス接続型モジュールにも適用することができる。ここで、図3に示すセル・ストリングス接続型モジュールは、図1の大面積の太陽電池セル6に代わって、可撓性金属基板10’を含む複数の太陽電池セル6’を有する点、それらが直列にリード線7で接続されている点で、図1に示す集積型モジュールと異なる。したがって、その他の同様の構成要素には図1と同じ符号を付している。
可撓性太陽電池モジュール1’は、バックシート2と、バックシート2上に配置された複数の太陽電池セル6’と、複数の太陽電池セル6’の周囲を充填する接着・充填材(封止樹脂)5そしてバックシート2上を覆う表面保護フィルム4からなる有機絶縁性保護膜3と、太陽電池セル6’により作り出した電流或いは起電力を取り出す端子部8と、複数の太陽電池セル6’を繋ぎ、そして太陽電池セル6’により作り出した電流或いは起電力を端子部8へ導くリード線7とを備えている。太陽電池セル6’は図3に示すように、可撓性金属基板10’と、裏面電極層20と、光電変換層30と、透明電極層50と、無機絶縁性保護膜60とを備えるものである。以上のようなセル・ストリングス接続型モジュールにおいても、領域Bにおける層構成に注目することにより、第1の参考形態と同様の構成を適用することができる。
<可撓性太陽電池モジュールの第2の参考形態
まず、本参考形態に係る可撓性太陽電池モジュールの構成について説明する。本参考形態に係る太陽電池モジュールは、無機絶縁性保護膜60の層構造が光電変換素子側から順次シリコン窒化物層62およびシリコン酸窒化物層61を備える2層構造である点で、第1の参考形態と異なる。したがって、本参考形態に係る太陽電池モジュール全体の構成は、第1の参考形態で述べた図1と同様である。一方、図4は、本参考形態に係る太陽電池モジュールの層構成を示した概略断面図である。
つまり、本参考形態の太陽電池モジュールの具体的な層構成は、図4に示すように太陽電池モジュールの受光側から、
表面保護フィルム4(有機絶縁性保護膜3)
接着・充填材5(有機絶縁性保護膜3)
シリコン酸窒化物層61(無機絶縁性保護膜60)
シリコン窒化物層62(無機絶縁性保護膜60)
低抵抗透明電極層51(透明電極層50)
高抵抗透明電極層52(透明電極層50)
バッファ層40
光電変換層30
裏面電極層20
可撓性金属基板10
接着・充填材5
バックシート2
となっている。
シリコン窒化物層62は、耐候性および水蒸気バリア性が高く絶縁性の保護膜として優れている。しかし、シリコン窒化物層62は、短波長側(400nm以下)で透過率が低下し、また膜の応力が大きく下層の透明電極層50および光電変換層30等にストレスを与えて、性能低下、膜剥離およびクラック等の障害を引き起こす。したがって、シリコン窒化物層62の層厚は薄くすることが好ましく、50〜1000nmが好ましい。この場合、シリコン酸窒化物層61の層厚は50〜1000nmが好ましい。
以上のように、本参考形態に係る可撓性太陽電池モジュールでも、最も外気側の層をシリコン酸窒化物層61とする層構造を有する無機絶縁性保護膜60を透明電極層50上に備えている。したがって、有機絶縁性保護膜3と透明電極層50との間の屈折率を光学的に整合させることにより入射光の反射を防止することができ、モジュールの光電変換効率を向上させることができる。また、水蒸気バリアフィルムを用いずにモジュールの耐候性および水蒸気バリア性を低コストで向上させることができる。この結果、第1の参考形態と同様の効果を得ることができる。さらに、無機絶縁性保護膜60が、シリコン窒化物層62を有することでより耐候性および水蒸気バリア性を低コストでより向上させることができる。
<可撓性太陽電池モジュールの本発明に係る実施形態>
まず、本実施形態に係る可撓性太陽電池モジュールの構成について説明する。本実施形態に係る太陽電池モジュールは、無機絶縁性保護膜60の層構造が光電変換素子側から順次シリコン酸窒化物層63、シリコン窒化物層62およびシリコン酸窒化物層61を備える3層構造である点で、第1の参考形態と異なる。したがって、本実施形態に係る太陽電池モジュール全体の構成は、第1の参考形態で述べた図1と同様である。一方、図5は、本実施形態に係る太陽電池モジュールの層構成を示した概略断面図である。
つまり、本実施形態の太陽電池モジュールの具体的な層構成は、図5に示すように太陽電池モジュールの受光側から、
表面保護フィルム4(有機絶縁性保護膜3)
接着・充填材5(有機絶縁性保護膜3)
シリコン酸窒化物層61(無機絶縁性保護膜60)
シリコン窒化物層62(無機絶縁性保護膜60)
シリコン酸窒化物層63(無機絶縁性保護膜60)
低抵抗透明電極層51(透明電極層50)
高抵抗透明電極層52(透明電極層50)
バッファ層40
光電変換層30
裏面電極層20
可撓性金属基板10
接着・充填材5
バックシート2
となっている。
シリコン窒化物層62は、耐候性が高く絶縁性の保護膜として優れている。しかし前述したように、シリコン窒化物層62は、膜の応力が大きく下層の透明電極層50および光電変換層30等にストレスを与えて、性能低下、膜剥離およびクラック等の障害を引き起こす。したがって本実施形態では、シリコン窒化物層62が透明電極層50および光電変換層30に与える影響を軽減するために、シリコン窒化物層62と透明電極層50との間にさらにシリコン酸窒化物層63を挿入している。この場合、シリコン酸窒化物層61および63の層厚は、それぞれ50〜500nmが好ましい。
以上のように、本実施形態に係る可撓性太陽電池モジュールでも、最も外気側の層をシリコン酸窒化物層とする層構造を有する無機絶縁性保護膜を透明電極層上に備えている。したがって、有機絶縁性保護膜3と透明電極層50との間の屈折率を光学的に整合させることにより入射光の反射を防止することができ、モジュールの光電変換効率を向上させることができる。また、水蒸気バリアフィルムを用いずにモジュールの耐候性および水蒸気バリア性を低コストで向上させることができる。この結果、第1の参考形態と同様の効果を得ることができる。さらに、無機絶縁性保護膜60が、シリコン窒化物層62を有することにより耐候性および水蒸気バリア性を低コストでより向上させることができる。また、シリコン窒化物層62と透明電極層50との間にさらにシリコン酸窒化物層63を挿入しているため、シリコン窒化物層62が透明電極層50および光電変換層30等に与える影響を軽減でき、より安定した可撓性太陽電池モジュールを製造することが可能となる。
以下、可撓性太陽電池モジュールの具体的な参考例と本発明の具体的な実施例を詳細に説明する。まず、参考例1、実施例1および比較例1について、水蒸気透過率の比較を行った。
参考例1
まず、透明電極層まで形成された太陽電池セルの基体をPECVD成膜装置にセットし、成膜装置の全体を1×10−3Paとした後、成膜装置の成膜室にSiH:NH:N:NO=1:20:30:10の混合ガスを供給し、6.6×10Paとした。同時に高圧電源の周波数よりも高い13.56MHzの高周波(RF)の電圧を500wのパワーにて電極に印加して、プラズマを発生させた。このときの基板温度は250℃であり、2nm/sの成膜速度で500秒成膜し、1000nmのSiON膜を形成した。このときの屈折率は1.70となるように調整した。そして、受光側に膜厚300umの接着・充填フィルム(EVA)および膜厚50umの表面保護フィルム(ETFE)を接着し、また可撓性金属基板側に膜厚300umの接着・充填フィルム(EVA)およびバックシートを接着した後、真空ラミネータを用いて150℃の温度で熱圧着した。このようにして図2と同様の層構成を有する可撓性太陽電池モジュールを得た。
(実施例
まず、透明電極層まで形成された太陽電池セルの基体をPECVD成膜装置にセットし、成膜装置の全体を1×10−3Paとした後、成膜装置の成膜室にSiH:NH:N:NO=1:20:30:10の混合ガスを供給し、6.6×10Paとした。同時に高圧電源の周波数よりも高い13.56MHzの高周波(RF)の電圧を500wのパワーにて電極に印加して、プラズマを発生させた。このときの基板温度は250℃であり、2nm/sの成膜速度で100秒成膜し、200nmのSiON膜を形成した。その後、同一条件でSiH:NH:N=1:20:30の混合ガスでSiN膜を300nm成膜し、更に同一条件でSiON膜を200nm成膜して3層構造の無機絶縁性保護膜を得た。このとき、3層それぞれの屈折率は、受光側の層から1.70、2.00および1.90となるように調整した。そして、受光側に膜厚300umの接着・充填フィルム(EVA)および膜厚50umの表面保護フィルム(ETFE)を接着し、また可撓性金属基板側に膜厚300umの接着・充填フィルム(EVA)およびバックシートを接着した後、真空ラミネータを用いて150℃の温度で熱圧着した。このようにして図5と同様の層構成を有する可撓性太陽電池モジュールを得た。
(比較例1)
透明電極層まで形成された太陽電池セルの基体について、受光側に膜厚300umの接着・充填フィルム(EVA)および膜厚50umの表面保護フィルム(ETFE)を接着し、また可撓性金属基板側に膜厚300umの接着・充填フィルム(EVA)およびバックシートを接着した後、真空ラミネータを用いて150℃の温度で熱圧着した。このようにして図6と同様の層構成を有する可撓性太陽電池モジュールを得た。
(水蒸気透過率の測定)
上記の参考例1、実施例1および比較例1で得られたそれぞれの太陽電池モジュールについて、水蒸気バリア性の指標である水蒸気透過率の測定を行った。水蒸気透過率は、測定温度40℃、湿度90%Rhの条件下で、水蒸気透過率測定装置(米国MOCON社製、商品名:PERMAT RAN−W 3/31)を用いたモコン法によって測定した。
(測定結果)
測定の結果、参考例1および実施例1の太陽電池モジュールの水蒸気透過率は、どちらも10−2g/m/day/atm以下であった。一方、比較例の太陽電池モジュールの水蒸気透過率は、5g/m/day/atmであった。したがって、実施例1に係る太陽電池モジュールによって高い水蒸気バリア性を実現できることが実証された。
次に、実施例3から実施例5および比較例2について、光電変換効率の比較を行った。
参考例2
参考例1で得られた可撓性太陽電池モジュールを用いた。
参考例3
まず、透明電極層まで形成された太陽電池セルの基体をPECVD成膜装置にセットし、成膜装置の全体を1×10−3Paとした後、成膜装置の成膜室にSiH:NH:N:NO=1:20:30:10の混合ガスを供給し、6.6×10Paとした。同時に高圧電源の周波数よりも高い13.56MHzの高周波(RF)の電圧を500wのパワーにて電極に印加して、プラズマを発生させた。このときの基板温度は250℃であり、2nm/sの成膜速度で100秒成膜し、200nmのSiON膜を形成した。その後、同一条件でSiH:NH:N=1:20:30の混合ガスでSiN膜を300nm成膜して2層構造の無機絶縁性保護膜を得た。このとき、2層それぞれの屈折率は、受光側の層から1.70、2.00となるように調整した。そして、受光側に膜厚300umの接着・充填フィルム(EVA)および膜厚50umの表面保護フィルム(ETFE)を接着し、また可撓性金属基板側に膜厚300umの接着・充填フィルム(EVA)およびバックシートを接着した後、真空ラミネータを用いて150℃の温度で熱圧着した。このようにして図4と同様の層構成を有する可撓性太陽電池モジュールを得た。
(実施例
実施例で得られた可撓性太陽電池モジュールを用いた。
(比較例2)
比較例1で得られた可撓性太陽電池モジュールを用いた。
(光電変換効率の測定)
上記の参考例2〜3、実施例2および比較例2のそれぞれの太陽電池モジュールについて、光電変換効率の測定を行った。測定は、ライン検査用ロングパルスソーラシュミレータにて、照射強度AM1.5(100mW/cm)、温度25℃、光照射時間500msecの条件で行った。
(測定結果)
表1は光電変換効率の測定結果をまとめたものである。測定の結果、参考例2〜3、実施例2および比較例2のそれぞれの太陽電池モジュールの光電変換効率は、13.7%、14.0%、14.2%および13.0%であった。この結果、本発明を適用し屈折率を光学的に整合させることにより光電変換効率が向上することが実証された。
1 可撓性太陽電池モジュール
2 バックシート
3 有機絶縁性保護膜
4 表面保護フィルム
5 接着・充填材
6 太陽電池セル
7 リード線
8 端子部
10 可撓性金属基板
20 裏面電極層
30 光電変換層
40 バッファ層
50 透明電極層
60 無機絶縁性保護膜
61 シリコン酸窒化物層

Claims (8)

  1. 可撓性の絶縁性基板上に複数形成された、裏面電極層、光電変換層および透明電極層を含む光電変換素子と、該光電変換素子の光電変換機能により生じた電流或いは起電力を取り出すための端子部と、透光性を確保するように前記光電変換素子を被覆する有機絶縁性保護膜と、前記光電変換素子および前記端子部を接続するリード線とを備える可撓性太陽電池モジュールにおいて、
    前記光電変換素子の受光側の透光性を確保するように、前記透明電極層上に無機絶縁性保護膜を有するものであり、
    該無機絶縁性保護膜が、最も外気側の層をシリコン酸窒化物層とする層構造を有し、
    前記層構造が、前記光電変換素子側から順次シリコン酸窒化物層、シリコン窒化物層およびシリコン酸窒化物層を備える3層構造であることを特徴とする可撓性太陽電池モジュール。
  2. 前記シリコン窒化物層の厚さが50〜1000nmであることを特徴とする請求項に記載の可撓性太陽電池モジュール。
  3. 前記シリコン酸窒化物層の屈折率が、1.50から1.90であることを特徴とする請求項1または2に記載の可撓性太陽電池モジュール。
  4. 前記有機絶縁性保護膜が、エチレンをコモノマー成分とするビニル共重合ポリマーであり、屈折率が1.35から1.50である樹脂からなることを特徴とする請求項1からいずれかに記載の可撓性太陽電池モジュール。
  5. 前記透明電極層が、屈折率が1.90から2.00であるアルミニウム及び/又はガリウム含有酸化亜鉛からなることを特徴とする請求項1からいずれかに記載の可撓性太陽電池モジュール。
  6. 前記光電変換層の主成分が、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体であることを特徴とする請求項1からいずれかに記載の可撓性太陽電池モジュール。
  7. 前記光電変換層の主成分が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることを特徴とする請求項に記載の可撓性太陽電池モジュール。
  8. 前記光電変換層の主成分が、
    Cu及びAgからなる群より選択された少なくとも1種のIb族元素と、
    Al,Ga及びInからなる群より選択された少なくとも1種のIIIb族元素と、
    S,Se,及びTeからなる群から選択された少なくとも1種のVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることを特徴とする請求項に記載の可撓性太陽電池モジュール。
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