KR20070064345A - 포일 기판 상의 태양 전지의 형성 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광전지 장치의 제조에 관한 것이며, 특히 광전지 장치용 흡수제층의 프로세싱 및 어닐링에 관한 것이다. 본 발명의 실시예는 알루미늄 포일 기판 상에 CIGS 흡수제층의 제조를 허용한다. 예컨대, 광전지 장치는 알루미늄 포일 기판(102), 선택적인 기부 전극(104), 및 IB족, IIIA족 및 (선택적으로) VIA족의 원소들을 포함하는 재료를 포함하는 초기 흡수제(106)를 포함한다.
광전지 장치, 흡수제층, 어닐링, 알루미늄 포일 기판, 전극

Description

포일 기판 상의 태양 전지의 형성 {FORMATION OF SOLAR CELLS ON FOIL SUBSTRATES}
본 발명은 광전지 장치의 제조에 관한 것이고, 특히 광전지 장치를 위한 흡수제층의 프로세싱 및 어닐링에 관한 것이다.
태양 전지와 같이 효율적인 광전지 장치는 IB족, IIIA족 및 VIA족의 원소를 포함하는 합금, 예컨대 인듐 및/또는 갈륨 또는 알루미늄 및 셀레늄 및/또는 황을 구비하는 구리 합금으로 제조된 흡수제층을 사용하여 제조되었다. 이러한 흡수제층은 CIGS 층으로서 종종 참조되고, 얻어진 장치는 종종 CIGS 태양 전지로 참조된다. CIGS 흡수제층은 기판상에 침전될 수 있다. 알루미늄 포일이 비교적 저렴하고 가볍고 유연하기 때문에, 이러한 흡수제층을 알루미늄 포일 기판상에서 제조하는 것이 바람직하다. 불행하게도, CIGS 흡수제층 침전을 위한 현재 기술은 기판으로서 알루미늄 사용과 양립하지 않는다.
전형적인 침전 기술은 증착, 스퍼터링, 화학적 증착법 등을 포함한다. 이들 침전 프로세스는 전형적으로 고온에서 장시간 동안 수행된다. 두 가지 인자는 침전 발생시 기판에 손상을 입힐 수 있다. 이러한 손상은 열에 노출시 기판 재료의 변화로부터, 및/또는 침전 프로세스의 열에 의해 생긴 바람직하지 못한 화학 반응 으로부터 직접적으로 발생할 수 있다. 따라서, 매우 튼튼한 기판 재료가 전형적으로 CIGS 태양 전지 제조용으로 요구된다. 이러한 제한은 알루미늄 및 알루미늄 포일 기반의 포일의 사용을 배제해 왔다.
다른 침전 접근법은 기판상으로 CIGS 전구체 재료(CIGS precursor material)의 용액 기반 프린팅(solution-based printing)이다. 용액 기반 프린팅 기술의 예들은, 예컨대 PCT 출원 공보 WO 2002/084708호 및 공동 양도된 미국특허출원 제10/782,017호에 기재되어 있고, 양쪽 모두 본 명세서에 참고로 포함된다. 이러한 침전 접근법에 대한 장점은 비교적 낮은 침전 온도 및 침전 프로세스의 신속성 두 가지를 포함한다. 두 가지 장점은 침전이 형성되어 있는 기판의 열유도 손상(heat-induced damage)에 대한 가능성을 최소화하는 역할을 한다.
용액 침전이 CIGS 태양 전지의 제조에 있어서 비교적 낮은 온도 단계이지만, 이는 유일한 단계가 아니다. 침전에 부가하여, CIGS 태양 전지 제조의 핵심 단계는 CIGS 흡수제층의 셀렌화(selenization) 및 어닐링이다. 셀렌화는 세레늄을 CIG 덩어리 또는 CI 흡수제층으로 도입하고, 어닐링이 적절한 결정 구조를 갖는 흡수제층을 제공하는 동안 원소가 필름으로 포함된다. 종래 기술에서, 셀렌화 및 어닐링은 H2Se 또는 Se 증기가 존재하는 상태에서 기판을 가열하고, 장시간 동안 고온에서 이 초기 흡수제층을 유지시킴으로써 수행되었다.
태양 전지 장치용 기판으로서 Al의 사용은 이러한 기판의 저비용 및 경량 성질에 의해 바람직하지만, CIGS 흡수제층을 효과적으로 어닐링하는 종래 기술은 또 한 기판을 고온으로 가열하여 Al 기판에 손상을 입히게 된다. 장시간 동안 열 및/또는 셀레늄 포함 화합물에 광범위한 노출시 Al 기판 열화를 일으키는 몇 가지 요인이 있다. 우선, 장시간 가열시, Mo 코팅 Al 기판 내의 불연속층이 녹아서 금속간 백 컨택트(intermetallic back contact)를 형성할 수 있소 Mo층의 의도된 전자적 기능을 감소시킨다. 둘째로, Mo층의 계면 형태가 가열 중에 변형되어, Mo층 표면상에서 일어나는 핵형성 패턴(nucleation pattern)의 변화를 통해 연속적인 CIGS 입자 성장에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. 셋째로, 장시간 가열시, Al은 CIGS 흡수제층으로 이동할 수 있어서, 반도체 기능을 붕괴할 수 있다. 넷째로, Al 포일에 전형적으로 존재하는 불순물(예컨대, Si, Fe, Mn, Ti, Zn 및 V)은 장시간 가열시 태양 전지 내로 확산하는 이동성 Al(mobile Al)을 따라 이동할 수 있어서, 전지의 전자적 및 광전자적 기능 양쪽 모두를 붕괴할 수 있다. 다섯째로, Se가 비교적 긴 시간 동안 비교적 고온에서 Al에 노출될 때, 셀렌화 알루미늄(aluminum selenide)이 형성될 수 있는데, 이는 불안정하다. 습한 공기 중에, 셀렌화 알루미늄은 산화 알루미늄 및 셀렌화 수소를 형성하도록 수증기와 반응할 수 있다. 셀렌화 수소는 매우 유독성 가스이며, 그 자유 형성(free formation)은 안전 주의를 요구한다. 그러므로 모든 이러한 이유로 인하여, 고온 침전, 어닐링 및 셀렌화는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조된 기판에 대해서는 비실용적이다.
고온, 장기간 침전 및 어닐링 단계로 인하여, CIGS 태양 전지는 알루미늄 기판(예컨대, Al 및/또는 Al계 합금)상에 효과적으로 제조될 수 없고, 대신에 반드시 스테인리스 강, 티타늄, 몰리브덴 포일, 유리 기판, 또는 금속 또는 금속 산화물 코팅된 유리와 같이 더욱 강한 (그리고 더욱 비싼) 재료로 제조된 보다 중량의 재료상에 제조되어야 한다. 따라서, 알루미늄 포일을 기반으로 한 CIGS 태양 전지가 스테인리스 강, 티타늄, 몰리브덴 포일, 유리 기판, 또는 금속 또는 금속 산화물 코팅된 유리 기판보다 경량이고 유연하고 저렴함에도 불구하고, 현재의 실무에는 알루미늄이 기판으로서 사용이 허용되지 않는다.
따라서, 알루미늄 기판상에 CIGS 태양 전지를 제조하는 방법에 대한 요구가 이 기술분야에 있다.
본 발명의 교시는 동봉한 도면과 연관된 다음의 상세한 설명을 고려하여 용이하게 이해될 수 있다.
다음의 상세한 설명이 설명하기 위한 목적으로 많은 특정 상세부를 포함하고 있지만, 이 기술 분야에서 통상적인 숙련자는 다음의 상세부에 많은 변경 및 변형이 본 발명의 범위 내에 있다는 것을 알 것이다. 따라서, 이하에 기재된 본 발명의 대표적인 실시예들은 청구하고자 하는 발명에 대한 보편성의 임의의 손실없이 그리고 이를 제한하지 않으면서 진술된다.
본 발명의 실시예는 알루미늄 포일 기판상에 CIGS 흡수제층의 제조를 허용한다. 본 발명의 실시예에 따르면, 용액 침전법(solution deposition)에 알루미늄 기판상에 형성된 IB족 및 IIIA족의 원소들을 포함하는 초기 흡수제층(nascent absorber layer)은 대기 온도에서 약 200℃ 내지 600℃ 사이의 플래토우 온도 범위(plateau temperature range)까지 급속 가열함으로써 어닐링될 수 있다. 온도는 약 2분 내지 약 30분 사이 동안 플래토우 범위 내에서 유지되고, 이후 낮춰진다. 이와 달리, 어닐링 온도는 특정 플래토우 온도에서 유지되지 않으면서 온도 범위 내에서 진동하도록 조정될 수 있다.
도1은 본 발명의 실시예에 따른 흡수제층의 제조를 도시하는 개략 단면 선도이다.
도1은 부분적으로 제조된 광전지 장치(100) 및 급속 가열 유닛(110)을 도시하고, 장치는 일반적으로 알루미늄 포일 기판(102), 선택적 기부 전극(104) 및 초기 흡수제층(106)을 포함한다. 알루미늄 포일 기판(102)은 대략 5미크론 내지 100미크론 이상의 두께와 임의의 적당한 두께 및 길이가 될 수 있다. 알루미늄 포일 기판(102)은 알루미늄 또는 알루미늄계 합금으로 제조될 수 있다. 이와 달리, 알루미늄 포일 기판(102)은 폴리머 포일 기판을 금속화함으로써 제조될 수 있고, 폴리머는 폴리에스테르(polyesters), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphtalates), 폴리에테르이미드(polyetherimides), 폴리에테르술폰(polyethersulfones), 폴리에테르에테르케톤(polyetheretherketones), 폴리이미드(polyimides), 및/또는 이들의 조합의 그룹으로부터 선택될 수 있다. 예로서, 기판(102)은 롤투롤(roll-to-roll) 시스템에서 프로세싱하는데 적합한 알루미늄 포일의 긴 시트의 형태로 될 수 있다. 기부 전극(104)은 초기 흡수제층(106)의 프로세싱과 호환하는 전기 전도성 재료로 제조된다. 예로서, 기부 전극(104)은 예컨대 0.1 내지 25미크론 두께, 더욱 양호하게는 약 0.1 내지 5미크론 두께의 몰리브덴층이 될 수 있다. 기부 전극층은 스퍼터링 또는 증착, 또는 이와 달리 화학적 증착법(CVD), 원자층 증착(ALD), 졸겔 코팅(sol-gel coating), 전기도금 등에 의해 부착될 수 있다.
알루미늄 및 몰리브덴은 장치(100) 상에서 유해한 전자 및/또는 광전자 효과를 가지면서 서로에게 상호 확산할 수 있거나 종종 그렇게 된다. 이러한 상호 확산을 억제하기 위해, 중간 계면층(103)이 알루미늄 포일 기판(102) 및 몰리브덴계 전극(104) 사이에 개재될 수 있다. 계면층은 크롬, 바나듐, 텅스텐, 유리, 또는 질화물(질화 탄탈, 질화 텅스텐 및 질화 실리콘 포함), 산화물 및/또는 탄화물과 같은 화합물을 포함하지만 이에 제한되지 않는 여러 재료 중에서 임의의 것으로 구성된다. 이 층의 두께는 10nm 내지 50nm, 더욱 양호하게는 10nm 내지 30nm의 범위가 될 수 있다.
초기 흡수제층(106)은 IB족, IIIA족 및 (선택적으로) VIA족의 원소들을 포함하는 재료를 포함할 수 있다. 양호하게는, 흡수제층 구리(Cu)는 IB족 원소이고, 갈륨(Ga) 및/또는 인듐(In) 및/또는 알루미늄은 IIIA족 원소일 수 있고, 셀레늄(Se) 및/또는 황(S)은 VIA족 원소로서 될 수 있다. VIA족 원소는, 이 원소가 초기에 용액 침전되어 있을 때 또는 초기 흡수제층(106)으로부터 최종 흡수제층을 형성하기 위해 다음의 프로세싱 중에, 초기 흡수제층(106)으로 포함될 수도 있다. 초기 흡수제층(106)은 침전될 때 약 1000nm 두께일 수 있다. 다음의 급속 열적 프로세싱 및 VIA족 원소의 포함은 얻어진 흡수제층의 형태를 그 두께가 증가(예컨대, 어떤 환경하에서 초기층 두께의 약 2배까지)하도록 변형할 수 있다.
알루미늄 포일 기판(102) 상에서 흡수제층의 제조는 비교적 간단하다. 우선, 초기 흡수제층이 기판(102) 상에서 알루미늄 또는 전극(104)과 같은 최상부층상에 직접 침전된다. 예로서, 보편성을 잃어버리지 않으면서, 초기 흡수제층은 IB족, IIIA족 및 (선택적으로) VIA족 중에서 하나 이상의 원소를 포함하는 나노입자를 포함하는 용액 기반 전구체 재료(solution-based precursor material) 필름의 형태로 침전될 수 있다. 이러한 용액 기반 프린팅 기술의 이러한 필름의 예들은, 예컨대 "광전지의 용액 기반 제조(SOLUTION-BASED FABRICATION OF PHOTOVOLTAIC CELL)"라는 제목의 공통 양도된 미국특허출원 제10/782,017호와, 또한 "전자 장치의 제조를 위한 반도체 화합물 필름을 형성하는 방법 및 그에 의해 생성된 필름(METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR COMPOUND FILM FOR FABRICATION OF ELECTRONIC DEVICE AND FILM PRODUCED BY SAME)"이라는 제목의 PCT 공보 제WO 02/084708호에 기재되어 있고, 이 두 개의 개시물은 본 명세서에 참고로 포함된다.
이와 달리, 최초 흡수제층(106)은 일련의 원자층 증착 반응 또는 이러한 층을 형성하기 위해 통상적으로 사용된 임의의 다른 종래의 프로세스에 의해 형성될 수 있다. IB-IIIA-VIA 흡수제층의 원자층 증착은 예컨대, "원자층 증착을 사용하여 CIGS 흡수제층 재료의 형성 및 코일식 가요성 기판상에 고처리량 표면 처리(FORMATION OF CIGS ABSORBER LAYER MATERIALS USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AND HIGH THROUGHPUT SURFACE TREATMENT ON COILED FLEXIBLE SUBSTRATES)"라는 제목의 공통 양도되고 공동 계류중인 미국특허출원 제10/943,658호에 기재되어 있고, 이는 본 명세서에 참고로 포함된다.
그리고 나서, 초기 흡수제층(106)은 대기 온도에서 가열 유닛(110)에 의해 약 200℃ 내지 600℃ 상이의 평균 플래토우 온도 범위까지 초기 흡수제층 및/또는 기판(102)을 급속 가열함으로써 어닐링된다. 양호하게, 가열 유닛(110)은 초기 흡수제층(106) 및/또는 기판(102)(또는 이에 상당한 부분)의 온도를 약 5℃/sec 내지 약 15℃/sec 사이로 급속하게 상승시키도록 충분한 열을 공급한다. 예로서, 가열 유닛(110)은 충분한 복사열을 공급하기 위해 하나 이상의 적외선(IR) 램프를 포함할 수 있다. 예로서, 기판(102)의 표면으로부터 약 1/8"(3.175mm) 내지 약 1"(25.4mm) 정도에 각각 안착된 약 500watt 정도의 8개의 IR 램프(기판 상부에 4개 기판 하부에 4개, 모두 기판을 향함)는 4"(101.6mm) 튜브 전기로(tube furnace)에서 시간당 약 25cm2의 기판 면적을 프로세싱하기 위해 충분한 복사열을 제공할 수 있다. 램프는 약 10℃/sec의 평균 경사율로 제어된 방식으로 상승될 수 있다. 이 기술분야의 숙련자는 가열 유닛(110)으로서 사용될 수 있는 열원의 다른 종류 및 구성들을 고안할 수 있을 것이다. 예컨대, 롤투롤 제조 라인에서, 가열 및 다른 프로세싱은 프로세싱 영역의 길이를 따라 1"(25.4mm) 이격된 IF 램프의 사용하여 수행될 수 있는데, IR 램프는 기판 위아래 양쪽에 동일하게 위치되며, 위아래 양쪽의 IR 램프는 기판을 향하여 있다. 이와 달리, IR 램프는 기판의 위쪽에서만 또는 아래쪽에서만 배치될 수 있으며, 그리고/또는 챔버의 측부에서 기판(102)의 측부까지 측방향 가열을 증대시키는 구성 내에 배치될 수 있다.
흡수층(106) 및/또는 기판(102)은 약 2분 내지 약 30분 사이 동안에 평균 플래토우 온도 범위 내에서 유지된다. 예컨대, 온도는 가열 유닛(110)으로부터의 열량을 적당한 수준까지 감소시킴으로써 소정 범위 내에서 유지될 수 있다. IR 램프의 예에 있어서, 열은 램프를 단순히 소등함으로써 감소될 수 있다. 이와 달리, 램프는 능동적으로 냉각될 수 있다. 이어서, 흡수제층(106) 및/또는 기판(102)의 온도는, 예컨대 가열 유닛(110)으로부터의 열 공급을 추가로 감소시키거나 차단함으로써 적절한 수준까지 감소될 수 있다.
본 발명의 일부 실시예에서, 셀레늄 또는 황과 같은 VIA족 원소는 어닐링 단계 전에 또는 그 도중에 흡수제층 내로 포함될 수 있다. 이와 달리, 2 이상의 불연속적 또는 연속적인 어닐링 단계가 이어서 수행될 수 있고, 셀레늄 또는 황과 같은 VIA족 원소가 제2 또는 나중 단계에서 포함될 수 있다. 예컨대, 초기 흡수제층(106)은 급소 가열 또는 급속 열적 프로세싱(RTP) 전에 또는 그 도중에 H2Se 가스, H2S 가스 또는 Se 증기에 노출될 수 있다. 이 실시예에서, 비교적 짧은 노출은 알루미늄 기판이 특히 고열의 수준에서 이들 가스 및 증기의 존재를 더욱 양호하게 견디게 한다.
초기 흡수제층(106)이 어닐링되면, 추가의 층들이 장치(100)를 완성하기 위해 형성될 수 있다. 예컨대, 윈도우층이 전형적으로 흡수제층에 대한 접합부 파트너층(junction partner layer)으로서 사용될 수 있다. 예로서, 접합부 파트너층은 황화 카드뮴(CdS), 황화 아연(ZnS), 셀렌화 아연(ZnSe) 또는 둘 이상의 이들의 임 의의 조합을 포함할 수 있다. 이들 재료의 층은 예컨대 화학적 용액 성장법(chemical bath deposition), 화학적 표면 성장법(chemical surface deposition), 또는 분무 열분해(spray pyrolysis)에 의해 약 50nm 내지 약 100nm의 두께까지 침전될 수 있다. 게다가, 투명 전극, 예컨대, 전도성 산화물층은 스퍼터링, 증착법, CVD, ALD, 전자화학적 원자층 에피택시(electrochemical atomic layer epitaxy) 등에 의해 윈도우창 상에 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예는 알루미늄 기판상에 침전되거나 다르게 형성된 초기 CIGS 흡수제층의 급속 열적 프로세싱에 의해 종래 기술과 관련된 단점을 극복한다. 알루미늄 기판은 종래의 기판보다 훨씬 저렴하고 더욱 가볍다. 따라서, 알루미늄 기판을 기반으로 하는 태양 전지는 종래의 실리코계 태양 전지와 비교할 때 발생된 전기에 대해 와트당 더욱 낮은 비용과 훨씬 짧은 에너지 회수 기간을 가질 수 있다. 게다가, 알루미늄 기판은 태양 전지 제조시 고처리량 롤투롤 프린팅과 솔라 모듈 및 시스템 설치시 더욱 빠르고 더욱 용이한 설치를 허용하는 가요성 형태 인자(flexible form factor)를 고려한다.
본 발명의 실시예는 알루미늄 기판상에 경량이면서 저렴한 광전지 장치를 허용한다. 초기 흡수제층(106)의 급속 가열/급속 열적 프로세싱은 적당한 어닐링 및 알루미늄 포일 기판(102)을 손상시키거나 파괴하지 않으면서 VIA족 원소의 포함함을 허용한다. 플래토우 온도 범위는 알루미늄 포일 기판을 손상시키거나 파괴하는 것을 피하기 위해 알루미늄의 녹는점(약 660℃)에서 충분히 미만이다. 알루미늄 포일 기판의 사용은 이러한 기판상에 제조된 광전지 장치, 예컨대 태양 전지의 재 료 비용을 상당히 감소할 수 있고, 이로써 와트당 비용을 감소할 수 있다. 롤투롤 방식으로 알루미늄 포일 기판을 프로세싱함으로써 규모의 경제(economies of scale)가 달성될 수 있으며, 광전지 장치의 다양한 층이 일련의 침전 어닐링 및 다른 프로세싱 단계를 거칠 때 기판상에 형성된다.
상술한 바가 본 발명의 양호한 실시예의 완전한 설명이지만, 다양한 변경예, 수정예 및 동등물을 사용하는 것이 가능하다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 설명을 참고하여 결정되는 것이 아니고, 대신에 동등물의 완전한 범위에 따라 동봉된 청구범위를 참고하여 결정되어야 한다. 다음의 청구범위에서, 부정관사 "A" 또는 "AN"은 특히 다르게 진술되는 것을 제외하고 관사에 수반하는 하나 이상의 아이템의 양을 참조한다. 기능 및 수단 제한이 "하기 위한 수단(for means)"이라는 어구를 사용하는 기존 청구항에서 명확하게 인용되지 않으면, 동봉된 청구범위는 기능 및 수단 제한(means-plus-function limitation)을 포함하는 것으로 해석되지 않는다.

Claims (20)

  1. 광전지 장치의 흡수제층을 형성하는 방법이며,
    IB족의 하나 이상의 원소와 IIIA족의 하나 이상의 원소를 포함하는 초기 흡수제층을 알루미늄 포일 기판상에 형성하는 단계를 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 초기 흡수제층을 형성하는 단계는 나노입자 전구체 재료의 용액으로부터 초기 흡수제층을 침전시키는 단계를 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 초기 흡수제층 및/또는 기판을 주변 온도로부터 약 200℃ 내지 약 600℃ 사이의 플래토우 온도 범위까지 급속 가열하는 단계와,
    초기 흡수제층 및/또는 기판을 약 2분 내지 약 30분 사이 동안 플래토우 온도 범위에서 유지시키는 단계와,
    흡수제층 및/또는 기판의 온도를 낮추는 단계를 더 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서, 초기 흡수제층 및/또는 기판을 급속 가열하는 단계는 약 5℃/sec 내지 약 150℃/sec 사이의 비율로 흡수제층 및/또는 기판의 온도를 증가시 키는 단계를 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  5. 제3항에 있어서, 초기 흡수제층 및/또는 기판을 급속 가열하는 단계 전이나 도중에 하나 이상의 VIA족 원소를 초기 흡수제층으로 포함시키는 단계를 더 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  6. 제3항에 있어서, 하나 이상의 VIA족 원소는 셀레늄을 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  7. 제3항에 있어서, 하나 이상의 VIA족 원소는 황을 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  8. 제3항에 있어서, 초기 흡수제층 및/또는 기판을 급속 가열하는 단계는 초기 흡수제층 및/또는 기판의 복사 가열에 의해 수행되는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  9. 제8항에 있어서, 하나 이상의 적외선 램프가 복사 가열에 적용되는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  10. 제3항에 있어서, 초기 흡수제층을 형성하는 단계 및 급속 가열하는 단계는 기판이 롤투롤 프로세싱을 거칠 때 발생하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  11. 제3항에 있어서, 초기 흡수제층 및/또는 기판을 급속 가열한 후에 하나 이상의 VIA족 원소를 초기 흡수제층으로 포함시키는 단계를 더 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  12. 제3항에 있어서, 몰리브덴층 및 알루미늄 기판 사이에 중간층을 포함시키는 단계를 더 포함하고, 중간층은 가열하는 중에 몰리브덴 및 알루미늄의 상호 확산을 억제하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  13. 제12항에 있어서, 중간층은 크롬, 바나듐, 텅스텐, 유리, 및/또는 질화물, 질화 탄탈, 질화 텅스텐 및 질화 실리콘, 산화물, 또는 탄화물을 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  14. 제1항에 있어서, 초기 흡수제층을 형성하는 단계는 IB족 및 IIIA족의 원소를 포함하는 잉크의 필름을 기판상에 침전시키는 단계를 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  15. 제1항에 있어서, 알루미늄 기판 및 초기 흡수제층 사이에 몰리브덴층을 배치시키는 단계를 더 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  16. 광전지 장치이며,
    알루미늄 포일 기판과,
    알루미늄 포일 기판상에 배치된 IB족의 하나 이상의 원소, IIIA족의 하나 이상의 원소 및 VIA족의 하나 이상의 원소를 포함하는 흡수제 층을 포함하는 광전지 장치.
  17. 광전지 장치의 흡수제층을 형성하는 방법이며,
    IB족의 하나 이상의 원소와 IIIA족의 하나 이상의 원소를 포함하는 초기 흡수제층을 금속화된 폴리머 포일 기판상에 형성하는 단계를 포함하는 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  18. 제17항에 있어서, 포일 기판은 폴리에스테르, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드 및/또는 이들의 조합의 그룹으로부터 선택된 폴리머인 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  19. 제17항에 있어서, 폴리머 포일 기판의 금속화를 위해 사용되는 금속은 알루미늄 또는 하나 이상의 금속을 구비하는 알루미늄 합금인 광전지 장치의 흡수제층 형성 방법.
  20. 광전지 장치이며,
    금속화된 폴리머 포일 기판과,
    금속화된 폴리머 포일 기판 상에 배치된 IB족의 하나 이상의 원소, IIIA족의 하나 이상의 원소 및 VIA족의 하나 이상의 원소를 포함하는 흡수제층을 포함하는 광전지 장치.
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