JPH07263735A - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
太陽電池およびその製造方法Info
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- JPH07263735A JPH07263735A JP6055894A JP5589494A JPH07263735A JP H07263735 A JPH07263735 A JP H07263735A JP 6055894 A JP6055894 A JP 6055894A JP 5589494 A JP5589494 A JP 5589494A JP H07263735 A JPH07263735 A JP H07263735A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＣＩＳ層の蒸着過程で生じるＣＩＳとｎ型窓層
の構成成分との相互拡散を抑制することにより、高い変
換効率を実現可能なスーパーストレート型の太陽電池お
よびその製造方法を提供する。 【構成】ソーダライムガラス１０基板上に透明導電膜と
してのＺｎＯ：Ａｌ２０を形成し、ｎ型窓層としてＣｄ
Ｓ膜３０を溶液成長により形成して、その後、基板温度
４５０℃で、ｐ型光吸収層としてＣＩＳ膜４０を真空蒸
着して、最後に裏面電極としてのＡｕ膜５０を形成する
ものであり、この構成により、ＣＩＳ層の成膜過程で生
じるＣＩＳとｎ型窓層の構成成分との相互拡散を抑制す
る。
の構成成分との相互拡散を抑制することにより、高い変
換効率を実現可能なスーパーストレート型の太陽電池お
よびその製造方法を提供する。 【構成】ソーダライムガラス１０基板上に透明導電膜と
してのＺｎＯ：Ａｌ２０を形成し、ｎ型窓層としてＣｄ
Ｓ膜３０を溶液成長により形成して、その後、基板温度
４５０℃で、ｐ型光吸収層としてＣＩＳ膜４０を真空蒸
着して、最後に裏面電極としてのＡｕ膜５０を形成する
ものであり、この構成により、ＣＩＳ層の成膜過程で生
じるＣＩＳとｎ型窓層の構成成分との相互拡散を抑制す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スーパーストレート型
のセレン化銅インジウム系薄膜太陽電池に関する。
のセレン化銅インジウム系薄膜太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】セレン化銅インジウムCuInSe2（以下で
はＣＩＳと略す）系の薄膜太陽電池には、光が基板側か
ら入射するスーパーストレート型と、ＣＩＳ薄膜側から
入射するサブストレート型の２つがある。
はＣＩＳと略す）系の薄膜太陽電池には、光が基板側か
ら入射するスーパーストレート型と、ＣＩＳ薄膜側から
入射するサブストレート型の２つがある。
【０００３】スーパーストレート型は、通常、ＩＴＯや
ＳｎＯ2などの透明導電ガラス基板上に、ｎ型窓層のＣ
ｄＳ蒸着膜を付け、その上にＣＩＳ薄膜を積層した構造
を有する。この構造の利点としては、サブストレート型
におけるＣＩＳ／Ｍｏ界面での付着強度の問題が回避で
きる点と、ａ−Ｓｉ太陽電池と同様に、大面積モジュー
ル化に適している点とが挙げられる。
ＳｎＯ2などの透明導電ガラス基板上に、ｎ型窓層のＣ
ｄＳ蒸着膜を付け、その上にＣＩＳ薄膜を積層した構造
を有する。この構造の利点としては、サブストレート型
におけるＣＩＳ／Ｍｏ界面での付着強度の問題が回避で
きる点と、ａ−Ｓｉ太陽電池と同様に、大面積モジュー
ル化に適している点とが挙げられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のスーパ
ーストレート型では、変換効率が６．６％と低い値に留
まっていた。これは、以下の理由からである。
ーストレート型では、変換効率が６．６％と低い値に留
まっていた。これは、以下の理由からである。
【０００５】従来は、ＣｄＳ膜層を、透明導電膜層上に
真空蒸着で形成した後、ＣＩＳ膜層を真空蒸着法やセレ
ン化法で形成する。この際、良質のＣＩＳ薄膜結晶を得
るため、４００〜５５０℃の高温を必要とする。ところ
が、基板温度を高温にすると、界面での相互拡散が生じ
る。この相互拡散のため、ＣＩＳ層には、CuCd2InSe4な
どの異相が生じ、セル特性が低下してしまうという問題
があった。
真空蒸着で形成した後、ＣＩＳ膜層を真空蒸着法やセレ
ン化法で形成する。この際、良質のＣＩＳ薄膜結晶を得
るため、４００〜５５０℃の高温を必要とする。ところ
が、基板温度を高温にすると、界面での相互拡散が生じ
る。この相互拡散のため、ＣＩＳ層には、CuCd2InSe4な
どの異相が生じ、セル特性が低下してしまうという問題
があった。
【０００６】そのため、従来技術では、ＣＩＳ膜の成膜
温度を３５０℃以下に抑え、拡散を抑制する対策をとっ
ている。しかし、この温度では、ＣＩＳ結晶が十分に発
達せず、粒界などの欠陥が生じる。このため、小数キャ
リアライフタイムが短く、高変換効率を得られない。し
たがって、従来技術で作成された太陽電池では、本質的
には高い変換効率を望めない状況にあった。
温度を３５０℃以下に抑え、拡散を抑制する対策をとっ
ている。しかし、この温度では、ＣＩＳ結晶が十分に発
達せず、粒界などの欠陥が生じる。このため、小数キャ
リアライフタイムが短く、高変換効率を得られない。し
たがって、従来技術で作成された太陽電池では、本質的
には高い変換効率を望めない状況にあった。
【０００７】本発明の目的は、ＣＩＳ層の成膜過程で生
じるＣＩＳ層の構成成分とｎ型窓層の構成成分との相互
拡散を抑制して、高品質のＣＩＳ結晶を形成することに
より、高い変換効率の実現が可能なスーパーストレート
型の太陽電池およびその製造方法を提供することにあ
る。
じるＣＩＳ層の構成成分とｎ型窓層の構成成分との相互
拡散を抑制して、高品質のＣＩＳ結晶を形成することに
より、高い変換効率の実現が可能なスーパーストレート
型の太陽電池およびその製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、透明導電膜
と、ｎ型窓層と、セレン化銅インジウム系ｐ型光吸収層
と、裏面電極とを基板上に順次積層したスーパーストレ
ート型の太陽電池の製造方法において、基板上に形成さ
れた透明導電膜上に、溶液成長法を用いて、ｎ型窓層と
して半導体膜を形成すること、を特徴とする太陽電池の
製造方法により達成することができる。
と、ｎ型窓層と、セレン化銅インジウム系ｐ型光吸収層
と、裏面電極とを基板上に順次積層したスーパーストレ
ート型の太陽電池の製造方法において、基板上に形成さ
れた透明導電膜上に、溶液成長法を用いて、ｎ型窓層と
して半導体膜を形成すること、を特徴とする太陽電池の
製造方法により達成することができる。
【０００９】具体的には、前記ｎ型窓層として、５０〜
１００℃程度のプロセス温度で溶液成長された、Ｃｄ
Ｓ、ＣｄＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ
のうち、いずれか一つで構成された膜を用いることがで
き、例えば、ＣｄＳ膜を溶液成長により形成する。
１００℃程度のプロセス温度で溶液成長された、Ｃｄ
Ｓ、ＣｄＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ
のうち、いずれか一つで構成された膜を用いることがで
き、例えば、ＣｄＳ膜を溶液成長により形成する。
【００１０】また、セレン化銅インジウム系ｐ型光吸収
層には、４００〜５５０℃程度のプロセス温度で成膜さ
れた、CuInSe2、Cu(InGa)Se2、CuIn(SSe)2、Cu(InGa)(S
Se)2、CuGaSe2、CuInSe2/CuGaSe2、CuInSe2/Cu(InGa)Se
2/CuGaSe2、および、CuIn(SSe)2/Cu(InGa)Se2/CuGaSe2
のうち、いずれか一つで構成される薄膜を用いることが
でき、例えば、CuInSe2薄膜を真空蒸着により形成して
用いることができる。
層には、４００〜５５０℃程度のプロセス温度で成膜さ
れた、CuInSe2、Cu(InGa)Se2、CuIn(SSe)2、Cu(InGa)(S
Se)2、CuGaSe2、CuInSe2/CuGaSe2、CuInSe2/Cu(InGa)Se
2/CuGaSe2、および、CuIn(SSe)2/Cu(InGa)Se2/CuGaSe2
のうち、いずれか一つで構成される薄膜を用いることが
でき、例えば、CuInSe2薄膜を真空蒸着により形成して
用いることができる。
【００１１】また、透明導電膜は、ZnO:Al、ZnO、ZnO:
B、ITO、SnO2、および、In2O3のうち、いずれか一つで
構成されるものであり、例えば、２００〜５００℃のプ
ロセス温度でのスパッタ法により形成されたZnO:Al膜を
用いることができる。
B、ITO、SnO2、および、In2O3のうち、いずれか一つで
構成されるものであり、例えば、２００〜５００℃のプ
ロセス温度でのスパッタ法により形成されたZnO:Al膜を
用いることができる。
【００１２】また、前記裏面電極は、Au、Mo、Ni、およ
び、Ptのうち、いずれか一つで構成されるものであり、
例えば、プロセス温度２００℃以下での真空蒸着により
形成されたAu膜を用いることができる。
び、Ptのうち、いずれか一つで構成されるものであり、
例えば、プロセス温度２００℃以下での真空蒸着により
形成されたAu膜を用いることができる。
【００１３】また、基板としては、例えば、透明なガラ
スを用いることができる。
スを用いることができる。
【００１４】上記目的は、また、透明導電膜と、ｎ型窓
層と、セレン化銅インジウム系ｐ型光吸収層と、裏面電
極とを基板上に順次積層したスーパーストレート型の太
陽電池において、ｎ型窓層が、当該光吸収層の成膜過程
で起りうる、当該光吸収層と当該窓層の構成成分との相
互拡散を抑制することができる構造を有することを特徴
とする太陽電池により達成することができる。
層と、セレン化銅インジウム系ｐ型光吸収層と、裏面電
極とを基板上に順次積層したスーパーストレート型の太
陽電池において、ｎ型窓層が、当該光吸収層の成膜過程
で起りうる、当該光吸収層と当該窓層の構成成分との相
互拡散を抑制することができる構造を有することを特徴
とする太陽電池により達成することができる。
【００１５】
【作用】ＣＩＳ系太陽電池の変換効率の向上に最も重要
なのは、光吸収層であるＣＩＳ結晶の高品質化、すなわ
ち、大粒径化である。
なのは、光吸収層であるＣＩＳ結晶の高品質化、すなわ
ち、大粒径化である。
【００１６】本発明では、ＣＩＳ結晶成長を促進するた
めに、ＣＩＳ結晶成長時、すなわち、ＣＩＳの成膜過程
での、ｎ型窓層の成分とＣＩＳとの相互拡散を抑制し、
高温成膜を可能とする。
めに、ＣＩＳ結晶成長時、すなわち、ＣＩＳの成膜過程
での、ｎ型窓層の成分とＣＩＳとの相互拡散を抑制し、
高温成膜を可能とする。
【００１７】具体的には、ｎ型窓層として溶液成長させ
たＣｄＳ（ＣＢＤ−ＣｄＳ）膜を用いる。このＣＢＤ−
ＣｄＳ膜は、従来技術の蒸着ＣｄＳ膜に比べ、致密で粒
界もないため、高温でも、ほとんどＣＩＳと相互拡散し
ない。
たＣｄＳ（ＣＢＤ−ＣｄＳ）膜を用いる。このＣＢＤ−
ＣｄＳ膜は、従来技術の蒸着ＣｄＳ膜に比べ、致密で粒
界もないため、高温でも、ほとんどＣＩＳと相互拡散し
ない。
【００１８】ＣｄＳ薄膜の溶液成長は、基本的にはアル
カリ水溶液中でのカドミウム塩、硫化物、および錯化剤
の反応に基づき、一般に、次のような化学反応によると
考えられている。
カリ水溶液中でのカドミウム塩、硫化物、および錯化剤
の反応に基づき、一般に、次のような化学反応によると
考えられている。
【００１９】 Ｃｄ（ＮＨ3)4 2+＋ＳＣ（ＮＨ2)2＋２ＯＨ~ →ＣｄＳ＋ＣＨ2Ｎ2＋４ＮＨ3＋２Ｈ2Ｏ （１） カドミウム塩としては、ＣｄＣｌ2、ＣｄＳＯ4、Ｃｄ
（ＣＨ3ＣＯＯ)2、Ｃｄ（ＮＯ3)2、ＣｄＩ2が用いられ
る。硫化物にはＳＣ（ＮＨ2)2（チオウレア）が主に利
用される。錯化剤としては、ＮＨ3とＮＨ4ＯＨ（水酸化
アンモニウム）が一般的であるが、ＴＥＡ（トリエタノ
ールアミン）を加える場合もある。
（ＣＨ3ＣＯＯ)2、Ｃｄ（ＮＯ3)2、ＣｄＩ2が用いられ
る。硫化物にはＳＣ（ＮＨ2)2（チオウレア）が主に利
用される。錯化剤としては、ＮＨ3とＮＨ4ＯＨ（水酸化
アンモニウム）が一般的であるが、ＴＥＡ（トリエタノ
ールアミン）を加える場合もある。
【００２０】溶液成長ＣｄＳ膜の成長機構については、
以前から、イオン種反応によるプロセス（ion by ion p
rocess）が知られている（Kaurら:J.Electrochem.Soc.1
27、943(1980)）。
以前から、イオン種反応によるプロセス（ion by ion p
rocess）が知られている（Kaurら:J.Electrochem.Soc.1
27、943(1980)）。
【００２１】このモデルでは、ガラスなどの親水性基板
表面に吸着したＣｄ（ＯＨ)2を核にして、Ｃｄ2+イオン
とＳ2~イオンが吸着し、ＣｄＳが形成されるとするもの
で、均一で密着性のよい太陽電池に適した六方晶ウルツ
鉱形ＣｄＳ薄膜が得られる。
表面に吸着したＣｄ（ＯＨ)2を核にして、Ｃｄ2+イオン
とＳ2~イオンが吸着し、ＣｄＳが形成されるとするもの
で、均一で密着性のよい太陽電池に適した六方晶ウルツ
鉱形ＣｄＳ薄膜が得られる。
【００２２】この溶液成長により形成されたＣｄＳ膜
は、溶液中のイオンを介しての成長であるため、均一で
密着性に優れたち密な膜が得られることが観察されてい
る（矢成正晴ら、：第３９回応用物理学関係連合講演会
予稿集、p.1091(1992))。
は、溶液中のイオンを介しての成長であるため、均一で
密着性に優れたち密な膜が得られることが観察されてい
る（矢成正晴ら、：第３９回応用物理学関係連合講演会
予稿集、p.1091(1992))。
【００２３】また、溶液成長されたＣｄＳ膜について
は、以下のような物性の特徴が知られている。すなわ
ち、ＣＢＤ−ＣｄＳ膜は、（１）結晶構造はウルツ鉱形
または閃亜鉛鉱形との混在（Kaurら:J.Electrochem.So
c.127、943(1980)）、（２）蒸着膜に比べ、透過率が高
い、（３）直接遷移形で禁制帯幅はバルク値とほぼ同じ
２．４ｅＶ(Pavaskarら:J.Electrochem,Soc.124,743(19
77))、（４）屈折率は蒸着膜より小さい、（５）化学量
論的組成を有する(Basolら:Proc.22nd IEEE Photovolta
ic Specialists Conf.,Las Vegas,1991,p893(IEEE,New
York,1991))、（６）暗抵抗率は１０5〜１０9Ω・ｃ
ｍ、明抵抗率は１０3〜１０4Ω・ｃｍ程度である。
は、以下のような物性の特徴が知られている。すなわ
ち、ＣＢＤ−ＣｄＳ膜は、（１）結晶構造はウルツ鉱形
または閃亜鉛鉱形との混在（Kaurら:J.Electrochem.So
c.127、943(1980)）、（２）蒸着膜に比べ、透過率が高
い、（３）直接遷移形で禁制帯幅はバルク値とほぼ同じ
２．４ｅＶ(Pavaskarら:J.Electrochem,Soc.124,743(19
77))、（４）屈折率は蒸着膜より小さい、（５）化学量
論的組成を有する(Basolら:Proc.22nd IEEE Photovolta
ic Specialists Conf.,Las Vegas,1991,p893(IEEE,New
York,1991))、（６）暗抵抗率は１０5〜１０9Ω・ｃ
ｍ、明抵抗率は１０3〜１０4Ω・ｃｍ程度である。
【００２４】本発明では、上記のように形成されたＣＢ
Ｄ−ＣｄＳ膜上に、ＣＩＳ膜を成膜するもので、具体的
には、真空蒸着法、セレン化法、および、スパッタ法の
いずれかによりＣＩＳ膜を形成するものである。
Ｄ−ＣｄＳ膜上に、ＣＩＳ膜を成膜するもので、具体的
には、真空蒸着法、セレン化法、および、スパッタ法の
いずれかによりＣＩＳ膜を形成するものである。
【００２５】本発明のＣｄＳ膜は、上記に示した特徴的
な物性な有するもので、高温でもＣＩＳと相互拡散しな
い。このため、基板温度を４００〜５５０℃にした状態
で、ＣＩＳ成膜を行うものである。このＣＩＳ成膜法
は、すでに、高い変換効率が得られているサブストレー
ト型のＣＩＳ系太陽電池の製造方法で用いられており、
この方法により、高い変換効率の実現に必要な高品質の
ＣＩＳ結晶が得られている。
な物性な有するもので、高温でもＣＩＳと相互拡散しな
い。このため、基板温度を４００〜５５０℃にした状態
で、ＣＩＳ成膜を行うものである。このＣＩＳ成膜法
は、すでに、高い変換効率が得られているサブストレー
ト型のＣＩＳ系太陽電池の製造方法で用いられており、
この方法により、高い変換効率の実現に必要な高品質の
ＣＩＳ結晶が得られている。
【００２６】本発明では、以上の製造法により、高品質
のＣＩＳ結晶を有し、高い変換効率を実現することが可
能となる、スーパーストレート型のＣＩＳ系太陽電池を
製造することができる。
のＣＩＳ結晶を有し、高い変換効率を実現することが可
能となる、スーパーストレート型のＣＩＳ系太陽電池を
製造することができる。
【００２７】
【実施例】本発明によるＣＩＳ系太陽電池の製造方法の
一実施例について説明する。
一実施例について説明する。
【００２８】太陽電池の基板にはソーダライムガラスを
用いる。この基板を、イソプロピールで超音波洗浄した
後、直流マグネトロンスパッタ法により、ＺｎＯ：Ａｌ
透明導電膜を形成する。ターゲットには、直径４インチ
のＺｎＯ：Ａｌ焼結体を用い、基板温度５００℃で、ア
ルゴンガス中、２×１０~ 2Ｔｏｒｒでスパッタを行
う。これにより、膜厚１〜４μｍ、シート抵抗２〜４Ω
／ｓｑ、透過率８５％以上（６００ｎｍ）のＺｎＯ：Ａ
ｌ膜を得ることができる。
用いる。この基板を、イソプロピールで超音波洗浄した
後、直流マグネトロンスパッタ法により、ＺｎＯ：Ａｌ
透明導電膜を形成する。ターゲットには、直径４インチ
のＺｎＯ：Ａｌ焼結体を用い、基板温度５００℃で、ア
ルゴンガス中、２×１０~ 2Ｔｏｒｒでスパッタを行
う。これにより、膜厚１〜４μｍ、シート抵抗２〜４Ω
／ｓｑ、透過率８５％以上（６００ｎｍ）のＺｎＯ：Ａ
ｌ膜を得ることができる。
【００２９】次に、このＺｎＯ：Ａｌ膜上に、溶液成長
法でＣｄＳ薄膜を積層する。溶液系には、ＣｄＩ2、チ
オウレア、アンモニア水溶液を使用する。この溶液中
に、ＺｎＯ：Ａｌを付けたガラス基板を、室温から６０
℃で約３分間浸し、ＣｄＳ薄膜を形成する。１回のディ
ップで約４０ｎｍの膜厚が得られ、これを繰り返すこと
により、必要な膜厚を得ることが可能となる。
法でＣｄＳ薄膜を積層する。溶液系には、ＣｄＩ2、チ
オウレア、アンモニア水溶液を使用する。この溶液中
に、ＺｎＯ：Ａｌを付けたガラス基板を、室温から６０
℃で約３分間浸し、ＣｄＳ薄膜を形成する。１回のディ
ップで約４０ｎｍの膜厚が得られ、これを繰り返すこと
により、必要な膜厚を得ることが可能となる。
【００３０】ＣＩＳ成膜は、通常のＲＰ−ＤＰ系３源蒸
着装置を用い、基板温度３５０〜５００℃程度で、３元
素を同時蒸着する。成膜速度は、例えば、０．１μｍ／
ｍｉｎを用いることができ、膜厚は１．５〜２．５μｍ
とする。その後、裏面電極用のＡｕを真空蒸着し、最後
に、例えば、Ａｇペーストで電極をとりつける。
着装置を用い、基板温度３５０〜５００℃程度で、３元
素を同時蒸着する。成膜速度は、例えば、０．１μｍ／
ｍｉｎを用いることができ、膜厚は１．５〜２．５μｍ
とする。その後、裏面電極用のＡｕを真空蒸着し、最後
に、例えば、Ａｇペーストで電極をとりつける。
【００３１】本実施例では、ＣＩＳ膜の最適成膜条件を
決定するための試みの一つとして、上記温度範囲にわた
ってプロセス温度を変化させて、複数の基板温度により
ＣＩＳ膜を形成した。以下では、これらのＣＩＳ膜と、
これらＣＩＳ膜を備えた太陽電池についての特性および
構造を評価する。
決定するための試みの一つとして、上記温度範囲にわた
ってプロセス温度を変化させて、複数の基板温度により
ＣＩＳ膜を形成した。以下では、これらのＣＩＳ膜と、
これらＣＩＳ膜を備えた太陽電池についての特性および
構造を評価する。
【００３２】次に、本実施例の製造方法により作成され
た太陽電池、特に、ＣＩＳ膜の詳細構造および特性につ
いて説明する。
た太陽電池、特に、ＣＩＳ膜の詳細構造および特性につ
いて説明する。
【００３３】本実施例の製造方法により、図１に示すよ
うな構成を有する、スーパーストレート型のＣＩＳ系薄
膜太陽電池を製造することができる。
うな構成を有する、スーパーストレート型のＣＩＳ系薄
膜太陽電池を製造することができる。
【００３４】この太陽電池は、基板としてのソーダライ
ムガラス１０と、透明導電膜としてのＺｎＯ：Ａｌ２０
と、溶液成長により形成されたｎ型窓層としてのＣＢＤ
−ＣｄＳ膜３０と、ｐ型光吸収層としてのＣＩＳ膜４０
と、裏面電極としてのＡｕ膜５０とを有する。なお、６
０および７０は、透明導電膜２０および裏面電極５０に
それぞれ取付けられた電極であり、１００は入射光の方
向を示している。
ムガラス１０と、透明導電膜としてのＺｎＯ：Ａｌ２０
と、溶液成長により形成されたｎ型窓層としてのＣＢＤ
−ＣｄＳ膜３０と、ｐ型光吸収層としてのＣＩＳ膜４０
と、裏面電極としてのＡｕ膜５０とを有する。なお、６
０および７０は、透明導電膜２０および裏面電極５０に
それぞれ取付けられた電極であり、１００は入射光の方
向を示している。
【００３５】また、図１中の各層の横に示す数値は、本
実施例の製造方法で作成された太陽電池における、各層
での値の一例を示している。この太陽電池のＺｎＯ：Ａ
ｌ／ＣｄＳ／ＣＩＳ構造におけるエネルギーバンドは、
図２に示すような構造を有する。
実施例の製造方法で作成された太陽電池における、各層
での値の一例を示している。この太陽電池のＺｎＯ：Ａ
ｌ／ＣｄＳ／ＣＩＳ構造におけるエネルギーバンドは、
図２に示すような構造を有する。
【００３６】次に、本実施例における太陽電池のＣＩＳ
膜の膜質について説明する。
膜の膜質について説明する。
【００３７】図３は、ＣＢＤ−ＣｄＳ膜上に成長した、
化学量論的組成よりわずかにＩｎ過剰な、ＣＩＳ薄膜の
Ｘ線回折図である。ここで、ＣｄＳ膜厚は０．３μｍ、
基板温度は４５０℃である。また、図３中には、比較の
ために、蒸着されたＣｄＳ（Ｅｖ−ＣｄＳ）膜に対する
回折図の上に、同じ条件で成長させたＣＩＳ薄膜の回折
図を示している。これらの回折図から明らかなように、
４５０℃で、ＣＢＤ−ＣｄＳ膜上で成長したＣＩＳ膜で
は、カルコパイライト型ＣＩＳに特有な１０１、１０
３、２１１回折線が顕著である。また、各回折線の強度
も強いことから、結晶が良く発達している様子が伺え
る。
化学量論的組成よりわずかにＩｎ過剰な、ＣＩＳ薄膜の
Ｘ線回折図である。ここで、ＣｄＳ膜厚は０．３μｍ、
基板温度は４５０℃である。また、図３中には、比較の
ために、蒸着されたＣｄＳ（Ｅｖ−ＣｄＳ）膜に対する
回折図の上に、同じ条件で成長させたＣＩＳ薄膜の回折
図を示している。これらの回折図から明らかなように、
４５０℃で、ＣＢＤ−ＣｄＳ膜上で成長したＣＩＳ膜で
は、カルコパイライト型ＣＩＳに特有な１０１、１０
３、２１１回折線が顕著である。また、各回折線の強度
も強いことから、結晶が良く発達している様子が伺え
る。
【００３８】図４は、ＣＢＤ−ＣｄＳ膜（膜厚０．３μ
ｍ）上に、異なる基板温度で成長したＣＩＳ薄膜のＸ線
回折図である。この図から、従来、スーパーストレート
型で用いられていた３５０℃の基板温度では、回折ピー
クが弱く、カルコパイライト特有なピークも現れていな
い。このため、従来技術で変換効率が低い原因の一つ
は、ＣＩＳ結晶の未発達であったと言える。
ｍ）上に、異なる基板温度で成長したＣＩＳ薄膜のＸ線
回折図である。この図から、従来、スーパーストレート
型で用いられていた３５０℃の基板温度では、回折ピー
クが弱く、カルコパイライト特有なピークも現れていな
い。このため、従来技術で変換効率が低い原因の一つ
は、ＣＩＳ結晶の未発達であったと言える。
【００３９】また、本実施例におけるＣＢＤ−ＣｄＳ膜
上に形成されたＣＩＳ膜の結晶構造は、基板温度４５０
℃で、Ｃｕ／Ｉｎ比に鈍感である。これは、図５に示さ
れるように、ＣＢＤ−ＣｄＳ膜上に成長したＣｕ／Ｉｎ
比の異なるＣＩＳ薄膜のＸ線回析像は、Ｃｕ／Ｉｎ比が
０．７７〜１．２２の範囲で変化がなかったことから判
明する。ここで、図５は、ＣＢＤ−ＣｄＳ膜上に、基板
温度４５０℃で成長したＣｕ／Ｉｎ比の異なるＣＩＳ薄
膜のＸ線回折図である。
上に形成されたＣＩＳ膜の結晶構造は、基板温度４５０
℃で、Ｃｕ／Ｉｎ比に鈍感である。これは、図５に示さ
れるように、ＣＢＤ−ＣｄＳ膜上に成長したＣｕ／Ｉｎ
比の異なるＣＩＳ薄膜のＸ線回析像は、Ｃｕ／Ｉｎ比が
０．７７〜１．２２の範囲で変化がなかったことから判
明する。ここで、図５は、ＣＢＤ−ＣｄＳ膜上に、基板
温度４５０℃で成長したＣｕ／Ｉｎ比の異なるＣＩＳ薄
膜のＸ線回折図である。
【００４０】図６は、同じ膜厚（０．３μｍ）の、溶液
成長ＣｄＳ（ＣＢＤ−ＣｄＳ）膜と、真空蒸着ＣｄＳ
（Ｅｖ−ＣｄＳ）膜との上に、基板温度４５０℃でＣＩ
Ｓ膜を同時に蒸着して形成された、２つのＣＩＳ積層膜
（ＣＩＳ／ＣｄＳ／ＺｎＯ：Ａｌ積層膜）に対するオー
ジェデプスプロファイルである。図６は、本発明による
製造方法の効果を、最も顕著に現わしているものであ
り、蒸着ＣｄＳ膜では、ＩｎとＳとの相互拡散が大きい
こと、一方、溶液成長ＣｄＳ膜では、蒸着ＣｄＳ膜に比
べて相互拡散が抑制されていることがわかる。
成長ＣｄＳ（ＣＢＤ−ＣｄＳ）膜と、真空蒸着ＣｄＳ
（Ｅｖ−ＣｄＳ）膜との上に、基板温度４５０℃でＣＩ
Ｓ膜を同時に蒸着して形成された、２つのＣＩＳ積層膜
（ＣＩＳ／ＣｄＳ／ＺｎＯ：Ａｌ積層膜）に対するオー
ジェデプスプロファイルである。図６は、本発明による
製造方法の効果を、最も顕著に現わしているものであ
り、蒸着ＣｄＳ膜では、ＩｎとＳとの相互拡散が大きい
こと、一方、溶液成長ＣｄＳ膜では、蒸着ＣｄＳ膜に比
べて相互拡散が抑制されていることがわかる。
【００４１】本実施例により、ＣＢＤ−ＣｄＳ上に付け
たＣＩＳ膜は、ピンセットで引っかいても取れない程、
非常に付着力が強固である。これは、ＣＩＳが単純に物
理吸着のみで付いているのでなく、わずかにＣｄＳ膜と
相互拡散したためと思われる。この性質は、デバイス化
に有利な性質である。
たＣＩＳ膜は、ピンセットで引っかいても取れない程、
非常に付着力が強固である。これは、ＣＩＳが単純に物
理吸着のみで付いているのでなく、わずかにＣｄＳ膜と
相互拡散したためと思われる。この性質は、デバイス化
に有利な性質である。
【００４２】本実施例の製造方法において、基板温度４
５０℃で作製した膜厚２μｍのＣＩＳ薄膜を光吸収層に
用いた、ガラス／ＺｎＯ：Ａｌ／ＣＢＤ−ＣｄＳ／ＣＩ
Ｓ／Ａｕ構造の太陽電池（セル）の出力特性を、図７に
示す。この太陽電池では、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃ
ｍ2下で、開放電圧（Ｖｏｃ）＝０．４４５Ｖ、短絡電
流密度（Ｊｓｃ）＝４０．７ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子
（ＦＦ）＝０．４４、変換効率７．９６％が得られる。
５０℃で作製した膜厚２μｍのＣＩＳ薄膜を光吸収層に
用いた、ガラス／ＺｎＯ：Ａｌ／ＣＢＤ−ＣｄＳ／ＣＩ
Ｓ／Ａｕ構造の太陽電池（セル）の出力特性を、図７に
示す。この太陽電池では、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃ
ｍ2下で、開放電圧（Ｖｏｃ）＝０．４４５Ｖ、短絡電
流密度（Ｊｓｃ）＝４０．７ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子
（ＦＦ）＝０．４４、変換効率７．９６％が得られる。
【００４３】本実施例による太陽電池のＣＩＳ成膜時の
基板温度をパラメータとしたセル特性は、図８の出力特
性のＣＩＳ成膜温度依存性を示す図（ＣＢＤ−ＣｄＳ膜
厚０．２８μｍ）に示されるように、変換効率に関して
は、４５０℃で最も高い効率が得られている。しかし、
ＦＦに関しては、４００℃のときの方が良い（図示せ
ず）。したがって、最良の太陽電池製造に最適な基板温
度は、４５０℃近傍に存在すると思われる。３５０℃で
は、先に述べたように結晶性が悪いため、変換効率が低
く、また、５００℃では、恐らく相互拡散が生じたため
と思われる。
基板温度をパラメータとしたセル特性は、図８の出力特
性のＣＩＳ成膜温度依存性を示す図（ＣＢＤ−ＣｄＳ膜
厚０．２８μｍ）に示されるように、変換効率に関して
は、４５０℃で最も高い効率が得られている。しかし、
ＦＦに関しては、４００℃のときの方が良い（図示せ
ず）。したがって、最良の太陽電池製造に最適な基板温
度は、４５０℃近傍に存在すると思われる。３５０℃で
は、先に述べたように結晶性が悪いため、変換効率が低
く、また、５００℃では、恐らく相互拡散が生じたため
と思われる。
【００４４】ここで、相互拡散の量は、通常、基板温度
と加熱時間との積に対応して増加する。したがって、例
えば、加熱ランプを用いて、加熱時間を短縮できれば、
基板温度を高温にしても相互拡散を防ぐことができると
思われる。一方、サブストレート型のＣＩＳ系太陽電池
では、基板温度５５０℃で高い変換効率が得られてお
り、さらに、基板に用いるガラス材の使用可能温度の上
限が５５０℃程度であることから、本発明でも、この温
度付近でも高い変換効率が得られると思われる。
と加熱時間との積に対応して増加する。したがって、例
えば、加熱ランプを用いて、加熱時間を短縮できれば、
基板温度を高温にしても相互拡散を防ぐことができると
思われる。一方、サブストレート型のＣＩＳ系太陽電池
では、基板温度５５０℃で高い変換効率が得られてお
り、さらに、基板に用いるガラス材の使用可能温度の上
限が５５０℃程度であることから、本発明でも、この温
度付近でも高い変換効率が得られると思われる。
【００４５】したがって、本発明において、基板温度４
００〜５５０℃程度として成長させたＣＩＳ成膜を用い
ることで、高い変換効率を得ることが可能な太陽電池を
提供することができる。
００〜５５０℃程度として成長させたＣＩＳ成膜を用い
ることで、高い変換効率を得ることが可能な太陽電池を
提供することができる。
【００４６】溶液成長ＣｄＳの膜厚をパラメータとした
セル特性を、図９に示す。図９は、本実施例による太陽
電池の出力特性のＣＢＤ−ＣｄＳ膜厚依存性を、基板温
度４５０℃で測定した結果を示している。本実施例で
は、図９に示すように、０．２８μｍで最も高い効率が
得られた。これより薄いもので効率が低いのは、おそら
く相互拡散のためと思われる。また、厚い場合の低下
は、直列抵抗の増大が原因と考えられる。なお、膜厚
は、繰り返されたディップ回数により、決定されるもの
で、例えば、０．２８μｍは、７回のディップにより形
成されるものである。
セル特性を、図９に示す。図９は、本実施例による太陽
電池の出力特性のＣＢＤ−ＣｄＳ膜厚依存性を、基板温
度４５０℃で測定した結果を示している。本実施例で
は、図９に示すように、０．２８μｍで最も高い効率が
得られた。これより薄いもので効率が低いのは、おそら
く相互拡散のためと思われる。また、厚い場合の低下
は、直列抵抗の増大が原因と考えられる。なお、膜厚
は、繰り返されたディップ回数により、決定されるもの
で、例えば、０．２８μｍは、７回のディップにより形
成されるものである。
【００４７】従来のスーパーストレート型ＣＩＳ太陽電
池は、主に蒸着ＣｄＳを窓層としており、高温では相互
拡散するため、低温成長を余技なくされていた。このた
め、結晶が未発達となり、変換効率に限界があった。本
実施例によれば、溶液成長ＣｄＳ膜を用いることで、Ｃ
ｄＳ膜とＣＩＳとの相互拡散を抑制することが可能とな
る。その結果として、相互拡散なしにＣＩＳ膜の高温成
膜が可能となり、サブストレート型と同様な結晶性をも
つＣＩＳ薄膜を成長することが可能となる。
池は、主に蒸着ＣｄＳを窓層としており、高温では相互
拡散するため、低温成長を余技なくされていた。このた
め、結晶が未発達となり、変換効率に限界があった。本
実施例によれば、溶液成長ＣｄＳ膜を用いることで、Ｃ
ｄＳ膜とＣＩＳとの相互拡散を抑制することが可能とな
る。その結果として、相互拡散なしにＣＩＳ膜の高温成
膜が可能となり、サブストレート型と同様な結晶性をも
つＣＩＳ薄膜を成長することが可能となる。
【００４８】本実施例では、透明導電膜としてＺｎＯ：
Ａｌ、ｎ型窓層としてＣｄＳ膜、ＣＩＳ系ｐ型光吸収層
としてCuInSe膜、裏面電極としてＡｕを用いたが、本発
明における各層の構成成分としては、これらの成分、お
よび、これらの組み合わせに限定されない。また、ｎ型
窓層としては、相互拡散を抑制するものであれば良く、
溶液成長により形成されるＣｄＳｅ、ＣｄＺｎＳ、Ｚｎ
Ｏ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等の半導体膜を用いても良い。ま
た、ＣＩＳ系光吸収層としては、Cu(InGa)Se2等の、他
のＣＩＳ系ｐ型半導体膜を用いることができる。
Ａｌ、ｎ型窓層としてＣｄＳ膜、ＣＩＳ系ｐ型光吸収層
としてCuInSe膜、裏面電極としてＡｕを用いたが、本発
明における各層の構成成分としては、これらの成分、お
よび、これらの組み合わせに限定されない。また、ｎ型
窓層としては、相互拡散を抑制するものであれば良く、
溶液成長により形成されるＣｄＳｅ、ＣｄＺｎＳ、Ｚｎ
Ｏ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等の半導体膜を用いても良い。ま
た、ＣＩＳ系光吸収層としては、Cu(InGa)Se2等の、他
のＣＩＳ系ｐ型半導体膜を用いることができる。
【００４９】本実施例では、ＣＩＳ成膜における基板温
度を４５０℃とすることで高い効率が得られたが、本発
明における最適な基板温度はこれに限定されるものでは
ない。本発明においては、ＣＩＳ膜の結晶を充分に成長
させることができれば、他の基板温度で成膜させても構
わない。
度を４５０℃とすることで高い効率が得られたが、本発
明における最適な基板温度はこれに限定されるものでは
ない。本発明においては、ＣＩＳ膜の結晶を充分に成長
させることができれば、他の基板温度で成膜させても構
わない。
【００５０】また、本実施例では、ＣＩＳ膜の形成に真
空蒸着法を用いたが、ＣＩＳ結晶を充分に成長させるこ
とが可能な方法であれば、成膜方法はこれに限定されな
い。例えば、サブストレート型ＣＩＳ太陽電池の製造で
用いられている、セレン化法、または、スパッタ法を、
ＣＩＳ膜の形成に用いても良い。
空蒸着法を用いたが、ＣＩＳ結晶を充分に成長させるこ
とが可能な方法であれば、成膜方法はこれに限定されな
い。例えば、サブストレート型ＣＩＳ太陽電池の製造で
用いられている、セレン化法、または、スパッタ法を、
ＣＩＳ膜の形成に用いても良い。
【００５１】また、本実施例では、溶液成長法でのプロ
セス温度を６０℃としたが、本発明ではこれに限定され
ない。本発明においては、目的とする材質のｎ型窓層膜
の溶液成長が行われ、相互拡散を防止できる構造を有す
るｎ型窓層を形成できれば良い。このため、プロセス温
度は、その材質の膜の溶液成長に最適な温度を用いるも
のとし、例えば、５０〜１００℃程度とすることができ
る。
セス温度を６０℃としたが、本発明ではこれに限定され
ない。本発明においては、目的とする材質のｎ型窓層膜
の溶液成長が行われ、相互拡散を防止できる構造を有す
るｎ型窓層を形成できれば良い。このため、プロセス温
度は、その材質の膜の溶液成長に最適な温度を用いるも
のとし、例えば、５０〜１００℃程度とすることができ
る。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＩＳ層の蒸着過程で
生じるＣＩＳとｎ型窓層の構成成分との相互拡散を抑制
することができ、その結果、高品質のＣＩＳ結晶を形成
することが可能となるため、高い変換効率の実現が可能
なスーパーストレート型の太陽電池およびその製造方法
を提供することができる。
生じるＣＩＳとｎ型窓層の構成成分との相互拡散を抑制
することができ、その結果、高品質のＣＩＳ結晶を形成
することが可能となるため、高い変換効率の実現が可能
なスーパーストレート型の太陽電池およびその製造方法
を提供することができる。
【図１】本発明による製造方法の一実施例で製造された
太陽電池の構成を示す説明図。
太陽電池の構成を示す説明図。
【図２】本実施例による太陽電池におけるＺｎＯ：Ａｌ
／ＣｄＳ／ＣＩＳのエネルギーバンド図。
／ＣｄＳ／ＣＩＳのエネルギーバンド図。
【図３】蒸着ＣｄＳ膜上と、溶液成長ＣｄＳ膜上とに作
製したＣＩＳ薄膜のＸ線回析像を示すグラフ。
製したＣＩＳ薄膜のＸ線回析像を示すグラフ。
【図４】溶液成長ＣｄＳ膜上に異なる基板温度で成長し
たＣＩＳ薄膜のＸ線回像を示すグラフ。
たＣＩＳ薄膜のＸ線回像を示すグラフ。
【図５】本実施例におけるＣＢＤ−ＣｄＳ膜上に成長し
たＣｕ／Ｉｎ比の異なるＣＩＳ薄膜のＸ線回析像を示す
グラフ。
たＣｕ／Ｉｎ比の異なるＣＩＳ薄膜のＸ線回析像を示す
グラフ。
【図６】本実施例によるＣＩＳ／ＣｄＳ／ＺｎＯ：Ａｌ
積層膜と、従来技術によるものの、オージェデプスプロ
ファイルを示すグラフ。
積層膜と、従来技術によるものの、オージェデプスプロ
ファイルを示すグラフ。
【図７】本実施例による太陽電池の出力特性を示すグラ
フ。
フ。
【図８】本実施例による太陽電池の出力特性の、ＣＩＳ
成膜温度依存性を示すグラフ。
成膜温度依存性を示すグラフ。
【図９】本実施例による太陽電池の出力特性の、ＣＢＤ
−ＣｄＳ膜厚依存性を示すグラフ。
−ＣｄＳ膜厚依存性を示すグラフ。
１０…ガラス基板、２０…ＺｎＯ：Ａｌ膜、３０…ＣＢ
Ｄ−ＣｄＳ膜、４０…ＣＩＳ膜、５０…Ａｕ膜。
Ｄ−ＣｄＳ膜、４０…ＣＩＳ膜、５０…Ａｕ膜。
Claims (14)
- 【請求項１】透明導電膜と、ｎ型窓層と、セレン化銅イ
ンジウム系ｐ型光吸収層と、裏面電極とを、基板上に順
次積層したスーパーストレート型の太陽電池の製造方法
において、 基板上に形成された透明導電膜上に、溶液成長法を用い
て、ｎ型窓層として半導体膜を形成することを特徴とす
る太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、 前記ｎ型窓層としての半導体膜が、硫化カドミウム膜で
あることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】請求項２において、 前記硫化カドミウム膜を形成する前記溶液成長法では、
アルカリ水溶液中でのカドミウム塩、硫化物、および、
錯化剤の反応を用いることを特徴とする太陽電池の製造
方法。 - 【請求項４】請求項３において、 前記ｎ型窓層としての前記硫化カドミウム膜上に、前記
セレン化銅インジウム系ｐ型光吸収層を成膜する際の、
前記基板温度を４００〜５５０℃程度とすることを特徴
とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】請求項４において、 前記セレン化銅インジウムｐ型光吸収層の成膜は、真空
蒸着法、セレン化法、および、スパッタ法のうちいずれ
かの方法により行うことを特徴とする太陽電池の製造方
法。 - 【請求項６】請求項１において、 前記ｎ型窓層は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＣｄＳ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯのうち、いずれか一つを、溶液成
長により成膜して構成したものであることを特徴とする
太陽電池の製造方法。 - 【請求項７】請求項１において、 前記セレン化銅インジウム系ｐ型光吸収層は、CuInS
e2、Cu(InGa)Se2、CuIn(SSe)2、Cu(InGa)(SSe)2、CuGaS
e2、CuInSe2/CuGaSe2、CuInSe2/Cu(InGa)Se2/CuGaSe2、
および、CuIn(SSe)2/Cu(InGa)Se2/CuGaSe2のうち、いず
れか一つで構成されるものであることを特徴とする太陽
電池の製造方法。 - 【請求項８】請求項１において、 前記セレン化銅インジウム系ｐ型光吸収層は、真空蒸着
法、セレン化法、および、スパッタ法のうちいずれかの
方法により成膜されたCuInSe2薄膜であることを特徴と
する太陽電池の製造方法。 - 【請求項９】請求項１において、 前記透明導電膜は、ZnO:Al、ZnO、ZnO:B、ITO、SnO2、
および、In2O3のうち、いずれか一つで構成されるもの
であることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項１０】請求項１において、 前記透明導電膜は、スパッタ法により形成されたZnO:Al
膜であることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項１１】請求項１において、 前記裏面電極は、Au、Mo、Ni、および、Ptのうち、いず
れか一つで構成されるものであることを特徴とする太陽
電池の製造方法。 - 【請求項１２】請求項１において、 前記裏面電極は、真空蒸着により形成されたAu膜である
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項１３】請求項１において、 前記基板は、透明なガラスで構成されるものであること
を特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項１４】透明導電膜と、ｎ型窓層と、セレン化銅
インジウム系ｐ型光吸収層と、裏面電極とを、基板上に
順次積層したスーパーストレート型の太陽電池におい
て、 ｎ型窓層が、当該光吸収層の成膜過程で起りうる、当該
光吸収層と当該窓層の構成成分との相互拡散を抑制する
ことができる構造を有することを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6055894A JPH07263735A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 太陽電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6055894A JPH07263735A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 太陽電池およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263735A true JPH07263735A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13011831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6055894A Pending JPH07263735A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263735A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008527735A (ja) * | 2005-01-12 | 2008-07-24 | イン−ソーラー テク カンパニー リミテッド | 太陽電池用光吸収層及びその製造方法 |
| JP2009033071A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ＣＩＧＳＳｅ太陽電池及びその作製方法 |
| WO2010093076A1 (ko) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | 충남대학교 산학협력단 | 화학 용액 성장법에 의한 황원소 공공 결함을 갖는 ＣｄＳ 박막의 제조방법 및 상기 박막이 적용된 태양전지 |
| WO2011108685A1 (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | 株式会社 東芝 | 化合物薄膜太陽電池とその製造方法 |
| JP2015177177A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | シャープ株式会社 | 化合物半導体太陽電池セルおよび化合物半導体太陽電池セルの製造方法 |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP6055894A patent/JPH07263735A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008527735A (ja) * | 2005-01-12 | 2008-07-24 | イン−ソーラー テク カンパニー リミテッド | 太陽電池用光吸収層及びその製造方法 |
| JP4870094B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2012-02-08 | イン−ソーラー テク カンパニー リミテッド | 太陽電池用光吸収層及びその製造方法 |
| JP2009033071A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ＣＩＧＳＳｅ太陽電池及びその作製方法 |
| WO2010093076A1 (ko) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | 충남대학교 산학협력단 | 화학 용액 성장법에 의한 황원소 공공 결함을 갖는 ＣｄＳ 박막의 제조방법 및 상기 박막이 적용된 태양전지 |
| WO2011108685A1 (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | 株式会社 東芝 | 化合物薄膜太陽電池とその製造方法 |
| JP5389253B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-01-15 | 株式会社東芝 | 化合物薄膜太陽電池とその製造方法 |
| JP2015177177A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | シャープ株式会社 | 化合物半導体太陽電池セルおよび化合物半導体太陽電池セルの製造方法 |
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