JPH10135501A - 半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池Info
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- JPH10135501A JPH10135501A JP9234796A JP23479697A JPH10135501A JP H10135501 A JPH10135501 A JP H10135501A JP 9234796 A JP9234796 A JP 9234796A JP 23479697 A JP23479697 A JP 23479697A JP H10135501 A JPH10135501 A JP H10135501A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｍｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体層との間の密着
の低下及びＭｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体層との界面の接
触抵抗の増大を防止した、半導体装置及びその製造方法
並びに太陽電池を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板上にＭｏ層を形成し、次に、このＭ
ｏ層上にＣＩＳ系薄膜半導体層を形成する、半導体装置
の製造において、Ｍｏ層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧
縮応力にして、Ｍｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体層との間
に、密着の低下及び接触抵抗の増大の原因となる、Ｍｏ
Ｓｅx の生成を防止する。前記ＣＩＳ系薄膜半導体層
は、例えば、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉ
ｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及びＣ
ｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 から選ばれる少な
くとも１種の化合物で構成される。そして、このように
して得られた半導体装置は、太陽電池とされる。
の低下及びＭｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体層との界面の接
触抵抗の増大を防止した、半導体装置及びその製造方法
並びに太陽電池を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板上にＭｏ層を形成し、次に、このＭ
ｏ層上にＣＩＳ系薄膜半導体層を形成する、半導体装置
の製造において、Ｍｏ層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧
縮応力にして、Ｍｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体層との間
に、密着の低下及び接触抵抗の増大の原因となる、Ｍｏ
Ｓｅx の生成を防止する。前記ＣＩＳ系薄膜半導体層
は、例えば、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉ
ｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及びＣ
ｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 から選ばれる少な
くとも１種の化合物で構成される。そして、このように
して得られた半導体装置は、太陽電池とされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法並びに太陽電池に関する。
の製造方法並びに太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＩＳ系薄膜半導体は、太陽電池材料と
して期待されている。ＣＩＳ系薄膜半導体を形成する化
合物としては、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ
（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 、
Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1- Y）2 等（これらの
式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で
示される値である。）がある。以下、本明細書では、こ
れらの化合物により形成された薄膜半導体を「ＣＩＳ系
薄膜半導体」という。
して期待されている。ＣＩＳ系薄膜半導体を形成する化
合物としては、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ
（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 、
Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1- Y）2 等（これらの
式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で
示される値である。）がある。以下、本明細書では、こ
れらの化合物により形成された薄膜半導体を「ＣＩＳ系
薄膜半導体」という。
【０００３】図７（ａ）及び（ｂ）は、かかるＣＩＳ系
薄膜半導体の一つであるＣｕＩｎＳｅ2 よりなる薄膜半
導体（以下、「ＣＩＳ薄膜半導体」という。）を有する
半導体装置を製造するための概略断面説明図であり、図
８は、その半導体装置の製造におけるＭｏ層とＣＩＳ薄
膜層との界面の断面を示す概念図であり、図９は、ＣＩ
Ｓ系薄膜半導体の他の一つであるＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）
Ｓｅ2 よりなる薄膜半導体（以下、「ＣＩＧＳ薄膜半導
体」という。）を有する半導体装置を製造するための概
略断面説明図であり、そして、図１０は、その半導体装
置の製造におけるＭｏ層とＣＩＧＳ薄膜層との界面の断
面を示す概念図である。
薄膜半導体の一つであるＣｕＩｎＳｅ2 よりなる薄膜半
導体（以下、「ＣＩＳ薄膜半導体」という。）を有する
半導体装置を製造するための概略断面説明図であり、図
８は、その半導体装置の製造におけるＭｏ層とＣＩＳ薄
膜層との界面の断面を示す概念図であり、図９は、ＣＩ
Ｓ系薄膜半導体の他の一つであるＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）
Ｓｅ2 よりなる薄膜半導体（以下、「ＣＩＧＳ薄膜半導
体」という。）を有する半導体装置を製造するための概
略断面説明図であり、そして、図１０は、その半導体装
置の製造におけるＭｏ層とＣＩＧＳ薄膜層との界面の断
面を示す概念図である。
【０００４】次に、これらの図面を用いて従来のＣＩＳ
系薄膜半導体を有する半導体装置の製造方法を説明す
る。
系薄膜半導体を有する半導体装置の製造方法を説明す
る。
【０００５】図７に示されているように、ガラス基板１
上にモリブデン（Ｍｏ）層３、銅（Ｃｕ）層４及びイン
ジウム（Ｉｎ）層５を順次積層し［図７（ａ）］、次
に、これをセレン（Ｓｅ）蒸気雰囲気中にて４００〜５
５０℃で加熱処理してＣＩＳ薄膜半導体層６−１を形成
して［図７（ｂ）］、ＣＩＳ薄膜半導体を有する半導体
装置を製造している。
上にモリブデン（Ｍｏ）層３、銅（Ｃｕ）層４及びイン
ジウム（Ｉｎ）層５を順次積層し［図７（ａ）］、次
に、これをセレン（Ｓｅ）蒸気雰囲気中にて４００〜５
５０℃で加熱処理してＣＩＳ薄膜半導体層６−１を形成
して［図７（ｂ）］、ＣＩＳ薄膜半導体を有する半導体
装置を製造している。
【０００６】また、図９に示されるように、前記ＣＩＳ
薄膜半導体を有する半導体装置の製造と同様な条件で制
作したＭｏ基板３の上にＩｎ及びＳｅの同時真空蒸着に
てＩｎ−Ｓｅ層を形成し、このＩｎ−Ｓｅ層上にＣｕの
真空蒸着にてＣｕ層を形成し、そして、このＣｕ層上に
Ｇａ及びＳｅの同時真空蒸着にてＧａ−Ｓｅ層を形成し
た後、これをセレン（Ｓｅ）蒸気雰囲気中にて４００〜
５５０℃で加熱処理してＣＩＧＳ薄膜半導体層６−２を
形成して、ＣＩＧＳ薄膜半導体を有する半導体装置を製
造している。
薄膜半導体を有する半導体装置の製造と同様な条件で制
作したＭｏ基板３の上にＩｎ及びＳｅの同時真空蒸着に
てＩｎ−Ｓｅ層を形成し、このＩｎ−Ｓｅ層上にＣｕの
真空蒸着にてＣｕ層を形成し、そして、このＣｕ層上に
Ｇａ及びＳｅの同時真空蒸着にてＧａ−Ｓｅ層を形成し
た後、これをセレン（Ｓｅ）蒸気雰囲気中にて４００〜
５５０℃で加熱処理してＣＩＧＳ薄膜半導体層６−２を
形成して、ＣＩＧＳ薄膜半導体を有する半導体装置を製
造している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記ＣＩＳ薄膜半導体
を有する半導体装置及びＣＩＧＳ薄膜半導体を有する半
導体装置におけるＭｏ層３は、太陽電池の裏面電極とし
て機能するものであるが、アルゴン（Ａｒ）ガスによる
Ｍｏのスパッタリングにより形成されている。このよう
にスパッタリングにより形成されたＭｏ層３は、製膜条
件の違いにより異なった応力が発生し、このＭｏ層３に
発生した異なった応力は、次のような問題を引き起こす
ことがわかった。
を有する半導体装置及びＣＩＧＳ薄膜半導体を有する半
導体装置におけるＭｏ層３は、太陽電池の裏面電極とし
て機能するものであるが、アルゴン（Ａｒ）ガスによる
Ｍｏのスパッタリングにより形成されている。このよう
にスパッタリングにより形成されたＭｏ層３は、製膜条
件の違いにより異なった応力が発生し、このＭｏ層３に
発生した異なった応力は、次のような問題を引き起こす
ことがわかった。
【０００８】即ち、Ｍｏ層３に発生した異なった応力
は、(1) ガラス基板１とＭｏ層３との界面の剥離を発生
させるという問題を引き起こし、また、(2) 図８及び図
１０に示されるように、ＣＩＳ薄膜半導体層６−１又は
ＣＩＧＳ薄膜層６−２の形成時にＭｏとＳｅとが反応し
てＭｏ層３とＣＩＳ薄膜半導体層６−１又はＣＩＧＳ薄
膜半導体層６−２との間にセレン化モリブデン（ＭｏＳ
ｅx ）層７が生成することを助長させるという問題を引
き起こし、その結果、このＭｏＳｅx 層７が、Ｍｏ層
３とＣＩＳ薄膜層６−１又はＣＩＧＳ薄膜半導体層６−
２との間の密着性を悪化させ、さらには、ＭｏＳｅx
が高抵抗であるためＭｏ層３とＣＩＳ薄膜半導体層６−
１又はＣＩＧＳ薄膜半導体層６−２との界面の接触抵抗
を増大させる、という問題を引き起こすことがわかっ
た。
は、(1) ガラス基板１とＭｏ層３との界面の剥離を発生
させるという問題を引き起こし、また、(2) 図８及び図
１０に示されるように、ＣＩＳ薄膜半導体層６−１又は
ＣＩＧＳ薄膜層６−２の形成時にＭｏとＳｅとが反応し
てＭｏ層３とＣＩＳ薄膜半導体層６−１又はＣＩＧＳ薄
膜半導体層６−２との間にセレン化モリブデン（ＭｏＳ
ｅx ）層７が生成することを助長させるという問題を引
き起こし、その結果、このＭｏＳｅx 層７が、Ｍｏ層
３とＣＩＳ薄膜層６−１又はＣＩＧＳ薄膜半導体層６−
２との間の密着性を悪化させ、さらには、ＭｏＳｅx
が高抵抗であるためＭｏ層３とＣＩＳ薄膜半導体層６−
１又はＣＩＧＳ薄膜半導体層６−２との界面の接触抵抗
を増大させる、という問題を引き起こすことがわかっ
た。
【０００９】そして、前記ＣＩＳ薄膜半導体及びＣＩＧ
Ｓ薄膜半導体を有する半導体装置の製造以外のＣｕＩｎ
Ｓ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ
1-x） 2 等よりなるＣＩＳ系薄膜半導体を有する半導体
装置の製造においても、前記(1) 及び(2) と同様の問題
があることが判明した。
Ｓ薄膜半導体を有する半導体装置の製造以外のＣｕＩｎ
Ｓ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ
1-x） 2 等よりなるＣＩＳ系薄膜半導体を有する半導体
装置の製造においても、前記(1) 及び(2) と同様の問題
があることが判明した。
【００１０】本発明は、基板とＭｏ層との間の隔離、Ｍ
ｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体層との間の密着の低下及びＭ
ｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体層との界面の接触抵抗の増大
を防止した、半導体装置及びその製造方法並びに太陽電
池を提供することを目的とする。
ｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体層との間の密着の低下及びＭ
ｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体層との界面の接触抵抗の増大
を防止した、半導体装置及びその製造方法並びに太陽電
池を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】スパッタリング法では、
基板温度、成膜速度、スパッタリングガスの圧力等が成
膜性に影響を与える。金属のスパッタリングガス圧と膜
応力及び電気抵抗との関係は、John A.Thornton 及び D
avid W. Hoffman によって詳細に調査されている（J. V
ac.Sci.Technol., Vol.14, No.1, Jan./ Feb.1977 参
照）。また、本発明者の実験によっても、基板温度、成
膜速度、バイアス電圧、アルゴン圧等の成膜条件がＭｏ
の膜応力に大きな影響を与えることが確認された。
基板温度、成膜速度、スパッタリングガスの圧力等が成
膜性に影響を与える。金属のスパッタリングガス圧と膜
応力及び電気抵抗との関係は、John A.Thornton 及び D
avid W. Hoffman によって詳細に調査されている（J. V
ac.Sci.Technol., Vol.14, No.1, Jan./ Feb.1977 参
照）。また、本発明者の実験によっても、基板温度、成
膜速度、バイアス電圧、アルゴン圧等の成膜条件がＭｏ
の膜応力に大きな影響を与えることが確認された。
【００１２】本発明者は、ＭｏとＳｅとの反応にＭｏの
応力が関係していると考え、Ｍｏ成膜条件を変えて種々
の異なった応力値のＭｏ膜を成膜し、種々の応力値の異
なったＭｏ膜の上にＣＩＳ系薄膜を形成したところ、Ｍ
ｏ膜の応力値が０〜０．４ＧＰａの圧縮応力となるよう
成膜したものがＣＩＳ系薄膜の剥離及び接触抵抗の増加
の原因となるＭｏＳｅx の発生が最も少ないことをつき
とめた。
応力が関係していると考え、Ｍｏ成膜条件を変えて種々
の異なった応力値のＭｏ膜を成膜し、種々の応力値の異
なったＭｏ膜の上にＣＩＳ系薄膜を形成したところ、Ｍ
ｏ膜の応力値が０〜０．４ＧＰａの圧縮応力となるよう
成膜したものがＣＩＳ系薄膜の剥離及び接触抵抗の増加
の原因となるＭｏＳｅx の発生が最も少ないことをつき
とめた。
【００１３】図３は、本発明者が測定したＭｏ膜の応力
とその成膜条件との関係の一例を示す図であって、
（ａ）は、Ａｒフロー量と膜応力の関係を示す図であ
り、（ｂ）は、成膜レートと膜応力の関係を示す図であ
り、（ｃ）は、基板温度と膜応力の関係を示す図であ
り、そして、（ｄ）は、バイアス電圧と膜応力の関係を
示す図である。
とその成膜条件との関係の一例を示す図であって、
（ａ）は、Ａｒフロー量と膜応力の関係を示す図であ
り、（ｂ）は、成膜レートと膜応力の関係を示す図であ
り、（ｃ）は、基板温度と膜応力の関係を示す図であ
り、そして、（ｄ）は、バイアス電圧と膜応力の関係を
示す図である。
【００１４】本発明者は、図３（ａ）〜（ｄ）に示され
るような成膜条件とＭｏの応力の関係から、異なった応
力を持ったＭｏ層にＣＩＳ系薄膜半導体を作成すること
でＭｏの応力とＭｏＳｅx の生成量との関係を見出し
て、本願発明を完成するに至った。
るような成膜条件とＭｏの応力の関係から、異なった応
力を持ったＭｏ層にＣＩＳ系薄膜半導体を作成すること
でＭｏの応力とＭｏＳｅx の生成量との関係を見出し
て、本願発明を完成するに至った。
【００１５】即ち、本第１発明は、上記目的を達成する
ために、基板上に形成されたモリブデン層、及び、この
モリブデン層上に形成されたＣＩＳ系薄膜半導体層、を
有する半導体装置において、モリブデン層の応力を０〜
０．４ＧＰａの圧縮応力にすることを特徴としている。
ために、基板上に形成されたモリブデン層、及び、この
モリブデン層上に形成されたＣＩＳ系薄膜半導体層、を
有する半導体装置において、モリブデン層の応力を０〜
０．４ＧＰａの圧縮応力にすることを特徴としている。
【００１６】本第２発明は、第１発明において、ＣＩＳ
系薄膜半導体層がＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ
（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及
びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 （これらの式
中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で示
される値である。）から選ばれる少なくとも１種の化合
物で構成されることを特徴としている。
系薄膜半導体層がＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ
（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及
びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 （これらの式
中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で示
される値である。）から選ばれる少なくとも１種の化合
物で構成されることを特徴としている。
【００１７】本第３発明は、基板上にモリブデン層を形
成し、次に、このモリブデン層上にＣＩＳ系薄膜半導体
層を形成する、半導体装置の製造方法において、モリブ
デン層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力にすること
を特徴としている。
成し、次に、このモリブデン層上にＣＩＳ系薄膜半導体
層を形成する、半導体装置の製造方法において、モリブ
デン層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力にすること
を特徴としている。
【００１８】本第４発明は、第３発明において、ＣＩＳ
系薄膜半導体層がＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ
（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及
びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 （これらの式
中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で示
される値である。）から選ばれる少なくとも１種の化合
物で構成されることを特徴としている。
系薄膜半導体層がＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ
（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及
びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 （これらの式
中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で示
される値である。）から選ばれる少なくとも１種の化合
物で構成されることを特徴としている。
【００１９】本第５発明は、基板上に形成されたモリブ
デン層、及び、このモリブデン層上に形成されたＣＩＳ
系薄膜半導体層、を有する太陽電池において、モリブデ
ン層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力にすることを
特徴としている。
デン層、及び、このモリブデン層上に形成されたＣＩＳ
系薄膜半導体層、を有する太陽電池において、モリブデ
ン層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力にすることを
特徴としている。
【００２０】本第６発明は、第５発明において、ＣＩＳ
系薄膜半導体層がＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ
（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及
びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 から選ばれる
少なくとも１種の化合物で構成されることを特徴として
いる。
系薄膜半導体層がＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ
（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及
びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 から選ばれる
少なくとも１種の化合物で構成されることを特徴として
いる。
【００２１】本第７発明は、第４、５発明において、Ｃ
ＩＳ系薄膜半導体層上に順次積層された周期律表のＩＩ
族及びＶＩ族の元素からなる化合物、周期律表のＩＩ
族、ＩＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合物又は周期
律表のＩＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合物よりな
るバッファー層並びにＺｎＯ、Ａｌ又はＢをドープした
ＺｎＯ又はＩＴＯよりなる透明導電層を有することを特
徴としている。
ＩＳ系薄膜半導体層上に順次積層された周期律表のＩＩ
族及びＶＩ族の元素からなる化合物、周期律表のＩＩ
族、ＩＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合物又は周期
律表のＩＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合物よりな
るバッファー層並びにＺｎＯ、Ａｌ又はＢをドープした
ＺｎＯ又はＩＴＯよりなる透明導電層を有することを特
徴としている。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明において用いられる基板
は、例えば、ソーダライムガラスであるが、本発明の目
的に反しないかぎり、従来の太陽電池の製造において用
いられている樹脂、セラミック基板等のいかなる基板を
も用いることができる。
は、例えば、ソーダライムガラスであるが、本発明の目
的に反しないかぎり、従来の太陽電池の製造において用
いられている樹脂、セラミック基板等のいかなる基板を
も用いることができる。
【００２３】本発明においては、Ｍｏ層の圧縮応力が０
未満、即ち、引っ張り応力であると、ＣＩＳ系薄膜半導
体の剥離及び接触抵抗の増加の原因となるＭｏＳｅx が
生成し、また、圧縮応力が０．４ＧＰａを越えると、応
力によるＭｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体との界面での剥離
及びガラス基板とＭｏ層との界面での剥離がそれぞれ起
こるので、Ｍｏ層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力
にする。
未満、即ち、引っ張り応力であると、ＣＩＳ系薄膜半導
体の剥離及び接触抵抗の増加の原因となるＭｏＳｅx が
生成し、また、圧縮応力が０．４ＧＰａを越えると、応
力によるＭｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体との界面での剥離
及びガラス基板とＭｏ層との界面での剥離がそれぞれ起
こるので、Ｍｏ層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力
にする。
【００２４】本発明におけるＭｏ層は、０．０２〜２μ
ｍ程度の膜厚に形成される。このとき、Ｍｏ層の応力が
０〜０．４ＧＰａの圧縮応力になるように、Ａｒフロー
量、成膜レート、基板温度、バイアス電圧等のスパッタ
リング成膜条件を調整して設定する。本発明において
は、Ｍｏ層とガラス基板との密着性を向上させるため
に、ガラス基板上にあらかじめＣｒ、Ａｕ、Ｔｉ等の層
を０．０２〜０．２μｍの膜厚に薄く形成することがで
きる。
ｍ程度の膜厚に形成される。このとき、Ｍｏ層の応力が
０〜０．４ＧＰａの圧縮応力になるように、Ａｒフロー
量、成膜レート、基板温度、バイアス電圧等のスパッタ
リング成膜条件を調整して設定する。本発明において
は、Ｍｏ層とガラス基板との密着性を向上させるため
に、ガラス基板上にあらかじめＣｒ、Ａｕ、Ｔｉ等の層
を０．０２〜０．２μｍの膜厚に薄く形成することがで
きる。
【００２５】本発明におけるＣＩＳ系薄膜層は、Ｍｏ層
に周期律表のＩｂ族、ＩＩＩｂ族及びＶＩｂ族からなる
元素のプリカーサー又はかかるプリカーサーにＩａ族元
素を堆積させたものをＳｅを含む雰囲気中にて４００〜
５５０℃で加熱処理して形成される。このようにして形
成される、ＣＩＳ系薄膜層は、例えば、ＣｕＩｎＳ
ｅ 2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、Ｃｕ
Ｉｎ（ＳxＳｅ1-x）2 、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳ
ｅ1-Y）2 等の化合物によって構成される。
に周期律表のＩｂ族、ＩＩＩｂ族及びＶＩｂ族からなる
元素のプリカーサー又はかかるプリカーサーにＩａ族元
素を堆積させたものをＳｅを含む雰囲気中にて４００〜
５５０℃で加熱処理して形成される。このようにして形
成される、ＣＩＳ系薄膜層は、例えば、ＣｕＩｎＳ
ｅ 2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、Ｃｕ
Ｉｎ（ＳxＳｅ1-x）2 、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳ
ｅ1-Y）2 等の化合物によって構成される。
【００２６】本発明の半導体装置におけるバッファー層
は、周期律表のＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合
物、周期律表のＩＩ族、ＩＩＩ族及びＶＩ族の元素から
なる化合物又は周期律表のＩＩＩ族及びＶＩ族の元素か
らなる化合物を溶液成長法（ＣＢＤ法）あるいは真空蒸
着法（ＰＶＤ法）により形成される。そして、透明導電
層は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウムをド
ープした酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）、ホウ素をドープし
た酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｂ）、酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）をスッパタリング法、ＭＯＣＶＤ法等により形成さ
れる。このように、ＣＩＳ系薄膜層上にバッファー層及
び透明導電層を順次形成して太陽電池のセル構造が形成
される。
は、周期律表のＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合
物、周期律表のＩＩ族、ＩＩＩ族及びＶＩ族の元素から
なる化合物又は周期律表のＩＩＩ族及びＶＩ族の元素か
らなる化合物を溶液成長法（ＣＢＤ法）あるいは真空蒸
着法（ＰＶＤ法）により形成される。そして、透明導電
層は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウムをド
ープした酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）、ホウ素をドープし
た酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｂ）、酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）をスッパタリング法、ＭＯＣＶＤ法等により形成さ
れる。このように、ＣＩＳ系薄膜層上にバッファー層及
び透明導電層を順次形成して太陽電池のセル構造が形成
される。
【００２７】即ち、本発明によって製造された半導体装
置を太陽電池とするには、例えば、半導体装置のＣＩＳ
薄膜層上に溶液成長法又は真空蒸着法によりバッファー
層として硫化カドミウム層を３０〜５００ｎｍの膜厚に
形成し、さらに、その上にスパッタ法により透明導電層
として酸化亜鉛層を０．５〜２．０μｍの膜厚に形成す
る。本発明の目的に反しないかぎり、太陽電池の製造に
おいて用いられているその他の公知のバッファー層形成
手段及び透明導電層形成手段をそれぞれ用いることがで
きる。
置を太陽電池とするには、例えば、半導体装置のＣＩＳ
薄膜層上に溶液成長法又は真空蒸着法によりバッファー
層として硫化カドミウム層を３０〜５００ｎｍの膜厚に
形成し、さらに、その上にスパッタ法により透明導電層
として酸化亜鉛層を０．５〜２．０μｍの膜厚に形成す
る。本発明の目的に反しないかぎり、太陽電池の製造に
おいて用いられているその他の公知のバッファー層形成
手段及び透明導電層形成手段をそれぞれ用いることがで
きる。
【００２８】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の実施例
を説明する。図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）
は、本発明の一実施例を説明するための製造工程の概略
断面説明図であり、図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の
他の一実施例を説明するための製造工程の概略断面説明
図である。
を説明する。図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）
は、本発明の一実施例を説明するための製造工程の概略
断面説明図であり、図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の
他の一実施例を説明するための製造工程の概略断面説明
図である。
【００２９】（実施例１）ガラス基板１１［図１
（ａ）］上にスパッタリング法にてＣｒ層１２を約０．
０５μｍの膜厚に製膜し、次に、Ｍｏ層１３を下記の表
１で示されるスパッタリング条件で１μｍの膜厚に順次
成膜した［図１（ｂ）］。このとき、ガラス基板１１と
Ｍｏ層１３の成膜後の形状変化とから算出したＭｏ層１
３の応力状態は、０．００６ＧＰａの圧縮応力であっ
た。Ｍｏ層の圧縮応力は、０．００６ＧＰａであった。
（ａ）］上にスパッタリング法にてＣｒ層１２を約０．
０５μｍの膜厚に製膜し、次に、Ｍｏ層１３を下記の表
１で示されるスパッタリング条件で１μｍの膜厚に順次
成膜した［図１（ｂ）］。このとき、ガラス基板１１と
Ｍｏ層１３の成膜後の形状変化とから算出したＭｏ層１
３の応力状態は、０．００６ＧＰａの圧縮応力であっ
た。Ｍｏ層の圧縮応力は、０．００６ＧＰａであった。
【００３０】
【表１】
【００３１】このようにして形成したＭｏ層１３上にＣ
ｕを真空蒸着させて０．３μｍの膜厚のＣｕ層１４を形
成し、続いて、Ｉｎを真空蒸着させて０．６６μｍの膜
厚のＩｎ層１５を形成した［図１（ｃ）］。
ｕを真空蒸着させて０．３μｍの膜厚のＣｕ層１４を形
成し、続いて、Ｉｎを真空蒸着させて０．６６μｍの膜
厚のＩｎ層１５を形成した［図１（ｃ）］。
【００３２】これを窒素存在下に固体Ｓｅと共に５００
℃で１時間加熱処理を行った。この加熱処理により、固
体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出され、ＣＩ
Ｓ薄膜半導体層１６−１が形成された［図１（ｄ）］。
℃で１時間加熱処理を行った。この加熱処理により、固
体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出され、ＣＩ
Ｓ薄膜半導体層１６−１が形成された［図１（ｄ）］。
【００３３】このようにして得られた半導体装置におけ
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。元素分析の結果は、図
４に示される。この分析結果からみると、Ｍｏ膜中への
Ｓｅの取り込みはなく、ＭｏＳｅx の生成は認められな
かった。
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。元素分析の結果は、図
４に示される。この分析結果からみると、Ｍｏ膜中への
Ｓｅの取り込みはなく、ＭｏＳｅx の生成は認められな
かった。
【００３４】さらに、ＣＩＳ薄膜層半導体１６−１の上
にＣｄＳ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺ
ｎＯ層をスパッタリング法により成膜して、太陽電池セ
ルを作成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測定
したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；３３０ｍＶ、短絡電
流密度（Ｊｓｃ）；３５．４ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；
０．４４、エネルギー変換効率；５．１４％であった。
にＣｄＳ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺ
ｎＯ層をスパッタリング法により成膜して、太陽電池セ
ルを作成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測定
したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；３３０ｍＶ、短絡電
流密度（Ｊｓｃ）；３５．４ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；
０．４４、エネルギー変換効率；５．１４％であった。
【００３５】（実施例２）上記実施例１のＭｏ成膜条件
のうちＡｒ圧のみを０．３Ｐａに変えてＭｏ膜を成膜し
た［図１（ｂ）］。このとき、ガラス基板とＭｏ層の成
膜後の形状変化から算出したＭｏ層の応力状態は、０．
４ＧＰａの圧縮状態であった。このように成膜したＭｏ
層１３上にＣｕを真空蒸着させて０．３μｍの膜厚のＣ
ｕ層１４を形成した。続いて、Ｉｎを真空蒸着させて
０．６６μｍの膜厚のＩｎ層１５を形成した［図１
（ｃ）］。
のうちＡｒ圧のみを０．３Ｐａに変えてＭｏ膜を成膜し
た［図１（ｂ）］。このとき、ガラス基板とＭｏ層の成
膜後の形状変化から算出したＭｏ層の応力状態は、０．
４ＧＰａの圧縮状態であった。このように成膜したＭｏ
層１３上にＣｕを真空蒸着させて０．３μｍの膜厚のＣ
ｕ層１４を形成した。続いて、Ｉｎを真空蒸着させて
０．６６μｍの膜厚のＩｎ層１５を形成した［図１
（ｃ）］。
【００３６】これを窒素存在下に固体Ｓｅと共に５００
℃で１時間加熱処理を行った。この加熱処理により、固
体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出され、ＣＩ
Ｓ薄膜層１６−１が形成された［図１（ｄ）］。
℃で１時間加熱処理を行った。この加熱処理により、固
体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出され、ＣＩ
Ｓ薄膜層１６−１が形成された［図１（ｄ）］。
【００３７】このようにして得られた半導体装置におけ
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、実施例１と
同様に、Ｍｏ膜中へのＳｅの取り込みはなく、ＭｏＳｅ
x の生成は認められなかった。
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、実施例１と
同様に、Ｍｏ膜中へのＳｅの取り込みはなく、ＭｏＳｅ
x の生成は認められなかった。
【００３８】さらに、ＣＩＳ薄膜半導体層１６−１の上
にＣｄＳ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、このＣｄＳ
層上にＺｎＯ層をスパッタリング法により成膜して、太
陽電池セルを作成した。この太陽電池セルの光電変換特
性を測定したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；３３２ｍ
Ｖ、短絡電流密度（Ｊｓｃ）；３４．５ｍＡ／ｃｍ2 、
曲線因子；０．４８６、エネルギー変換効率；５．５７
％であった。
にＣｄＳ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、このＣｄＳ
層上にＺｎＯ層をスパッタリング法により成膜して、太
陽電池セルを作成した。この太陽電池セルの光電変換特
性を測定したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；３３２ｍ
Ｖ、短絡電流密度（Ｊｓｃ）；３４．５ｍＡ／ｃｍ2 、
曲線因子；０．４８６、エネルギー変換効率；５．５７
％であった。
【００３９】（実施例３）上記実施例１と同様な条件で
制作したＭｏ基板２３の上にＩｎ及びＳｅを真空同時蒸
着させて０．８μｍの膜厚のＩｎ−Ｓｅ層２８を形成
し、このＩｎ−Ｓｅ層２８の上にＣｕを真空蒸着させて
０．２μｍの膜厚のＣｕ層２４を形成し、そして、この
Ｃｕ層２４の上にＧａ及びＳｅを真空同時蒸着させて
０．２μｍの膜厚のＧａ−Ｓｅ層２９を形成した［図２
（ａ）］。
制作したＭｏ基板２３の上にＩｎ及びＳｅを真空同時蒸
着させて０．８μｍの膜厚のＩｎ−Ｓｅ層２８を形成
し、このＩｎ−Ｓｅ層２８の上にＣｕを真空蒸着させて
０．２μｍの膜厚のＣｕ層２４を形成し、そして、この
Ｃｕ層２４の上にＧａ及びＳｅを真空同時蒸着させて
０．２μｍの膜厚のＧａ−Ｓｅ層２９を形成した［図２
（ａ）］。
【００４０】この積層体を真空中で固体Ｓｅと共に５０
０℃で１時間加熱処理を行った。この加熱処理により、
固体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出され、Ｃ
ＩＧＳ薄膜半導体層１６−２が形成された［図２
（ｂ）］。
０℃で１時間加熱処理を行った。この加熱処理により、
固体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出され、Ｃ
ＩＧＳ薄膜半導体層１６−２が形成された［図２
（ｂ）］。
【００４１】このようにして得られた薄膜半導体におけ
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、実施例１と
同様に、Ｍｏ膜中へのＳｅの取り込みはなく、ＭｏＳｅ
x の生成は認められなかった。
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、実施例１と
同様に、Ｍｏ膜中へのＳｅの取り込みはなく、ＭｏＳｅ
x の生成は認められなかった。
【００４２】さらに、ＣＩＧＳ薄膜半導体層１６−２の
上にＣｄＳ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上に
ＺｎＯ層をスパッタリング法により成膜して、太陽電池
セルを作成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測
定したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；４７１ｍＶ、短絡
電流密度（Ｊｓｃ）；３６．４７ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因
子；０．６０１、エネルギー変換効率；１０．３１％で
あった。
上にＣｄＳ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上に
ＺｎＯ層をスパッタリング法により成膜して、太陽電池
セルを作成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測
定したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；４７１ｍＶ、短絡
電流密度（Ｊｓｃ）；３６．４７ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因
子；０．６０１、エネルギー変換効率；１０．３１％で
あった。
【００４３】（実施例４）上記実施例２と同様な条件
で、Ｍｏ薄膜層を形成し、続いて、実施例３と同様にし
てＣＩＧＳ薄膜半導体層を形成した。このとき、Ｍｏ薄
膜の応力は、０．４ＧＰａであった。
で、Ｍｏ薄膜層を形成し、続いて、実施例３と同様にし
てＣＩＧＳ薄膜半導体層を形成した。このとき、Ｍｏ薄
膜の応力は、０．４ＧＰａであった。
【００４４】このようにして得られた薄膜半導体におけ
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、実施例１と
同様に、Ｍｏ膜中へのＳｅの取り込みはなく、ＭｏＳｅ
x の生成は認められなかった。
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、実施例１と
同様に、Ｍｏ膜中へのＳｅの取り込みはなく、ＭｏＳｅ
x の生成は認められなかった。
【００４５】さらに、ＣＩＧＳ薄膜層上にＣｄＳ層を真
空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層をスパッ
タリング法により成膜して、太陽電池セルを作成した。
この太陽電池セルの光電変換特性を測定したところ、開
放電圧（Ｖｏｃ）；４６８ｍＶ、短絡電流密度（Ｊｓ
ｃ）；３５．２２ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．６０
５、エネルギー変換効率；９．９７％であった。
空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層をスパッ
タリング法により成膜して、太陽電池セルを作成した。
この太陽電池セルの光電変換特性を測定したところ、開
放電圧（Ｖｏｃ）；４６８ｍＶ、短絡電流密度（Ｊｓ
ｃ）；３５．２２ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．６０
５、エネルギー変換効率；９．９７％であった。
【００４６】（比較例１）上記実施例１において、Ｍｏ
の成膜時のＡｒ圧のみを０．５３２Ｐａに変えてＣＩＳ
薄膜半導体層を形成した。このとき、ガラス基板とＭｏ
層の成膜後の形状変化から算出したＭｏ層の応力状態
は、０．３ＧＰａの引っ張り応力であった。このように
成膜したＭｏ層上にＣｕを真空蒸着させて０．３μｍの
膜厚のＣｕ層を形成し、続いて、Ｉｎを真空蒸着にて
０．６６μｍの膜厚に蒸着してＩｎ層を形成した。
の成膜時のＡｒ圧のみを０．５３２Ｐａに変えてＣＩＳ
薄膜半導体層を形成した。このとき、ガラス基板とＭｏ
層の成膜後の形状変化から算出したＭｏ層の応力状態
は、０．３ＧＰａの引っ張り応力であった。このように
成膜したＭｏ層上にＣｕを真空蒸着させて０．３μｍの
膜厚のＣｕ層を形成し、続いて、Ｉｎを真空蒸着にて
０．６６μｍの膜厚に蒸着してＩｎ層を形成した。
【００４７】この積層体を窒素存在下に固体Ｓｅと共に
５００℃で１時間加熱処理した。この加熱処理により、
固体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出され、Ｃ
ＩＳ薄膜半導体層が形成された。
５００℃で１時間加熱処理した。この加熱処理により、
固体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出され、Ｃ
ＩＳ薄膜半導体層が形成された。
【００４８】このようにして得られた薄膜半導体におけ
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。元素分析の結果は、図
５に示される。この分析結果からみると、Ｍｏ膜中にＳ
ｅが取り込まれており、ＭｏＳｅx の生成が認められ
た。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組成比を測定したとこ
ろ、Ｍｏに対するＳｅの比は、２．０であった。このこ
とから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣＩＳ薄膜導電層との界
面に生成していることがわかった。
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。元素分析の結果は、図
５に示される。この分析結果からみると、Ｍｏ膜中にＳ
ｅが取り込まれており、ＭｏＳｅx の生成が認められ
た。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組成比を測定したとこ
ろ、Ｍｏに対するＳｅの比は、２．０であった。このこ
とから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣＩＳ薄膜導電層との界
面に生成していることがわかった。
【００４９】さらに、ＣＩＳ薄膜半導体層上にＣｄＳ層
を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層をス
パッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作成し
た。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したとこ
ろ、開放電圧（Ｖｏｃ）；３２５ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；３０．７６ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
３９、エネルギー変換効率；３．９％であった。
を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層をス
パッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作成し
た。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したとこ
ろ、開放電圧（Ｖｏｃ）；３２５ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；３０．７６ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
３９、エネルギー変換効率；３．９％であった。
【００５０】（比較例２）上記実施例１において、Ｍｏ
の成膜時のＡｒ圧のみを０．６７Ｐａに変えてＣＩＳ薄
膜半導体層を形成した。このとき、ガラス基板とＭｏ層
の成膜後の形状変化から算出したＭｏ層の応力状態は、
０．５１ＧＰａの引っ張り応力であった。このように成
膜したＭｏ層上にＣｕを真空蒸着させて０．３μｍの膜
厚のＣｕ層１４を形成した。続いて、Ｉｎを真空蒸着さ
せて０．６６μｍの膜厚のＩｎ層１５を形成した。
の成膜時のＡｒ圧のみを０．６７Ｐａに変えてＣＩＳ薄
膜半導体層を形成した。このとき、ガラス基板とＭｏ層
の成膜後の形状変化から算出したＭｏ層の応力状態は、
０．５１ＧＰａの引っ張り応力であった。このように成
膜したＭｏ層上にＣｕを真空蒸着させて０．３μｍの膜
厚のＣｕ層１４を形成した。続いて、Ｉｎを真空蒸着さ
せて０．６６μｍの膜厚のＩｎ層１５を形成した。
【００５１】この積層体を窒素存在下に固体Ｓｅと共に
５００℃で１時間加熱処理を行った。この加熱処理によ
り、固体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出さ
れ、ＣＩＳ薄膜半導体層が形成された。
５００℃で１時間加熱処理を行った。この加熱処理によ
り、固体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出さ
れ、ＣＩＳ薄膜半導体層が形成された。
【００５２】このようにして得られた薄膜半導体におけ
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、比較例１と
同様に、Ｍｏ膜中にＳｅが取り込まれており、ＭｏＳｅ
x の生成が認められた。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組
成比を測定したところ、Ｍｏに対するＳｅの比は、１．
９３であった。このことから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣ
ＩＳ薄膜導電層との界面に生成していることがわかっ
た。
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、比較例１と
同様に、Ｍｏ膜中にＳｅが取り込まれており、ＭｏＳｅ
x の生成が認められた。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組
成比を測定したところ、Ｍｏに対するＳｅの比は、１．
９３であった。このことから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣ
ＩＳ薄膜導電層との界面に生成していることがわかっ
た。
【００５３】さらに、ＣＩＳ薄膜半導体層上にＣｄＳ層
を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層をス
パッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作成し
た。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したとこ
ろ、開放電圧（Ｖｏｃ）；３００ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；２０．４３ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
３６、エネルギー変換効率；２．２１％であった。
を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層をス
パッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作成し
た。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したとこ
ろ、開放電圧（Ｖｏｃ）；３００ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；２０．４３ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
３６、エネルギー変換効率；２．２１％であった。
【００５４】（比較例３）上記実施例１のＭｏ成膜条件
において、Ｍｏの成膜時のＡｒ圧のみを０．２７Ｐａに
変えてＣＩＳ薄膜を作製した。このとき、このとき、ガ
ラス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化から算出したＭｏ
層の応力状態は、０．５３ＧＰａの引っ張り応力であっ
た。
において、Ｍｏの成膜時のＡｒ圧のみを０．２７Ｐａに
変えてＣＩＳ薄膜を作製した。このとき、このとき、ガ
ラス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化から算出したＭｏ
層の応力状態は、０．５３ＧＰａの引っ張り応力であっ
た。
【００５５】このようにして得られた半導体装置におけ
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。元素分析の結果は、図
６に示される。この分析結果からみると、わずかにＭｏ
膜中にＳｅが取り込まれており、ＭｏＳｅx の生成が認
められた。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組成比を測定し
たところ、Ｍｏに対するＳｅの比は、１．９３であっ
た。このことから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣＩＳ薄膜導
電層との界面に生成していることがわかった。また、セ
ルの一部にガラス基板とＭｏ膜の界面からの剥離が見ら
れた。
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。元素分析の結果は、図
６に示される。この分析結果からみると、わずかにＭｏ
膜中にＳｅが取り込まれており、ＭｏＳｅx の生成が認
められた。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組成比を測定し
たところ、Ｍｏに対するＳｅの比は、１．９３であっ
た。このことから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣＩＳ薄膜導
電層との界面に生成していることがわかった。また、セ
ルの一部にガラス基板とＭｏ膜の界面からの剥離が見ら
れた。
【００５６】さらに、このＣＩＳ薄膜半導体層上にＣｄ
Ｓ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層
をスパッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作
成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したと
ころ、開放電圧（Ｖｏｃ）；３２５ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；３１．３２ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
４０、エネルギー変換効率；４．０７％であった。
Ｓ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層
をスパッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作
成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したと
ころ、開放電圧（Ｖｏｃ）；３２５ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；３１．３２ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
４０、エネルギー変換効率；４．０７％であった。
【００５７】（比較例４）上記実施例１のＭｏ成膜条件
において、Ｍｏの成膜時のＡｒ圧のみを０．５３２Ｐａ
に変えてＣＩＳ薄膜を作製した。このとき、このとき、
ガラス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化から算出したＭ
ｏ層の応力状態は、０．３０ＧＰａの引っ張り応力であ
った。
において、Ｍｏの成膜時のＡｒ圧のみを０．５３２Ｐａ
に変えてＣＩＳ薄膜を作製した。このとき、このとき、
ガラス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化から算出したＭ
ｏ層の応力状態は、０．３０ＧＰａの引っ張り応力であ
った。
【００５８】以下、実施例３及び実施例４と同様にＭｏ
膜上にＧａ−Ｓｅ層、Ｃｕ層及びＩｎ−Ｓｅ層を順次積
層し、これを熱処理してＣＩＧＳ薄膜半導体層を形成し
た。
膜上にＧａ−Ｓｅ層、Ｃｕ層及びＩｎ−Ｓｅ層を順次積
層し、これを熱処理してＣＩＧＳ薄膜半導体層を形成し
た。
【００５９】このようにして得られた半導体装置におけ
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、比較例１と
同様に、Ｍｏ膜中にＳｅが取り込まれており、ＭｏＳｅ
x の生成が認められた。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組
成比を測定したところ、Ｍｏに対するＳｅの比は、１．
８７であった。このことから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣ
ＩＧＳ薄膜半導体層との界面に生成していることがわか
った。
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、比較例１と
同様に、Ｍｏ膜中にＳｅが取り込まれており、ＭｏＳｅ
x の生成が認められた。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組
成比を測定したところ、Ｍｏに対するＳｅの比は、１．
８７であった。このことから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣ
ＩＧＳ薄膜半導体層との界面に生成していることがわか
った。
【００６０】さらに、このＣＩＳ薄膜半導体層上にＣｄ
Ｓ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層
をスパッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作
成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したと
ころ、開放電圧（Ｖｏｃ）；４４３ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；３１．２７ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
５４３、エネルギー変換効率；７．５３％であった。
Ｓ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層
をスパッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作
成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したと
ころ、開放電圧（Ｖｏｃ）；４４３ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；３１．２７ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
５４３、エネルギー変換効率；７．５３％であった。
【００６１】（比較例５）上記実施例１のＭｏ成膜条件
において、Ｍｏの成膜時のＡｒ圧のみを０．６７Ｐａに
変えてＣＩＳ薄膜半導体層を形成した。このとき、ガラ
ス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化から算出したＭｏ層
の応力状態は、０．５１ＧＰａの引っ張り応力であっ
た。
において、Ｍｏの成膜時のＡｒ圧のみを０．６７Ｐａに
変えてＣＩＳ薄膜半導体層を形成した。このとき、ガラ
ス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化から算出したＭｏ層
の応力状態は、０．５１ＧＰａの引っ張り応力であっ
た。
【００６２】この積層体を窒素存在下に固体Ｓｅと共に
５００℃で１時間加熱処理を行った。この加熱処理によ
り、固体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出さ
れ、ＣＩＳ薄膜半導体層が形成された。
５００℃で１時間加熱処理を行った。この加熱処理によ
り、固体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくり出さ
れ、ＣＩＳ薄膜半導体層が形成された。
【００６３】以下、実施例３及び実施例４と同様にＭｏ
膜上にＧａ−Ｓｅ層、Ｃｕ層及びＩｎ−Ｓｅ層を順次積
層し、これを熱処理してＣＩＧＳ薄膜半導体層を形成し
た。
膜上にＧａ−Ｓｅ層、Ｃｕ層及びＩｎ−Ｓｅ層を順次積
層し、これを熱処理してＣＩＧＳ薄膜半導体層を形成し
た。
【００６４】このようにして得られた半導体装置におけ
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、比較例１と
同様に、Ｍｏ膜中にＳｅが取り込まれており、ＭｏＳｅ
x の生成が認められた。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組
成比を測定したところ、Ｍｏに対するＳｅの比は、１．
９８であった。このことから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣ
ＩＧＳ薄膜半導体層との界面に生成していることがわか
った。
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、比較例１と
同様に、Ｍｏ膜中にＳｅが取り込まれており、ＭｏＳｅ
x の生成が認められた。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組
成比を測定したところ、Ｍｏに対するＳｅの比は、１．
９８であった。このことから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣ
ＩＧＳ薄膜半導体層との界面に生成していることがわか
った。
【００６５】さらに、このＣＩＳ薄膜半導体層上にＣｄ
Ｓ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層
をスパッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作
成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したと
ころ、開放電圧（Ｖｏｃ）；４３１ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；３１．３３ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
４９７、エネルギー変換効率；６．６６％であった。
Ｓ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層
をスパッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作
成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したと
ころ、開放電圧（Ｖｏｃ）；４３１ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；３１．３３ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
４９７、エネルギー変換効率；６．６６％であった。
【００６６】（比較例６）上記実施例１のＭｏ成膜条件
において、Ｍｏの成膜時のＡｒ圧のみを０．２７Ｐａに
変えてＣＩＳ薄膜半導体層を形成した。このとき、この
とき、ガラス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化から算出
したＭｏ層の応力状態は、０．５３ＧＰａの圧縮応力で
あった。
において、Ｍｏの成膜時のＡｒ圧のみを０．２７Ｐａに
変えてＣＩＳ薄膜半導体層を形成した。このとき、この
とき、ガラス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化から算出
したＭｏ層の応力状態は、０．５３ＧＰａの圧縮応力で
あった。
【００６７】このようにして得られた半導体装置におけ
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、わずかにＭ
ｏ膜中にＳｅが取り込まれており、ＭｏＳｅx の生成が
認められた。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組成比を測定
したところ、Ｍｏに対するＳｅの比は、１．８２であっ
た。このことから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣＩＧＳ薄膜
半導体層との界面に生成していることがわかった。ま
た、セルの一部にガラス基板とＭｏ膜の界面からの剥離
が見られた。
るセレン化されたモリブデン（ＭｏＳｅx ）の有無を調
べるために、エネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いて膜
の深さ方向の元素分析を行った。この結果、わずかにＭ
ｏ膜中にＳｅが取り込まれており、ＭｏＳｅx の生成が
認められた。また、蛍光Ｘ線分析装置にて組成比を測定
したところ、Ｍｏに対するＳｅの比は、１．８２であっ
た。このことから、ＭｏＳｅx がＭｏ層とＣＩＧＳ薄膜
半導体層との界面に生成していることがわかった。ま
た、セルの一部にガラス基板とＭｏ膜の界面からの剥離
が見られた。
【００６８】さらに、このＣＩＳ薄膜半導体層上にＣｄ
Ｓ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層
をスパッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作
成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したと
ころ、開放電圧（Ｖｏｃ）；４０６ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；２６．２８ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
４２５、エネルギー変換効率；４．５４％であった。
Ｓ層を真空蒸着法で成膜し、続いて、この上にＺｎＯ層
をスパッタリング法により成膜して、太陽電池セルを作
成した。この太陽電池セルの光電変換特性を測定したと
ころ、開放電圧（Ｖｏｃ）；４０６ｍＶ、短絡電流密度
（Ｊｓｃ）；２６．２８ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子；０．
４２５、エネルギー変換効率；４．５４％であった。
【００６９】上記実施例及び比較例によって得られた太
陽電池セルのＭｏ膜の応力とエネルギー変換効率を調べ
たところ、次の表２、３に示される結果が得られた。な
お、表の「応力 ＧＰａ」において、「＋」は、引っ張
り応力を示し、「−」は、圧縮応力を示す。
陽電池セルのＭｏ膜の応力とエネルギー変換効率を調べ
たところ、次の表２、３に示される結果が得られた。な
お、表の「応力 ＧＰａ」において、「＋」は、引っ張
り応力を示し、「−」は、圧縮応力を示す。
【００７０】
【表２】
【００７１】
【表３】
【００７２】本発明によれば、基板上にモリブデン層を
形成し、次に、このモリブデン層上にＣＩＳ系薄膜半導
体層を形成する、半導体装置の製造において、モリブデ
ン層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力にしたので、
ＣＩＳ系薄膜半導体層（光吸収層）を形成する際にＣＩ
Ｓ系薄膜半導体層とＭｏ層との間にそれらの密着性の低
下に基づくセレン化モリブデン（ＭｏＳｅx ）の発生を
少なくすることができ、その結果、ＣＩＳ系薄膜半導体
層とＭｏ層との間の剥離及び接触抵抗の増加を防止する
ことができ、そして、このような半導体装置を太陽電池
とすると、その直列抵抗を抑えることができるので、太
陽電池の開放電圧、短絡電流密度、曲線因子が改善され
る。
形成し、次に、このモリブデン層上にＣＩＳ系薄膜半導
体層を形成する、半導体装置の製造において、モリブデ
ン層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力にしたので、
ＣＩＳ系薄膜半導体層（光吸収層）を形成する際にＣＩ
Ｓ系薄膜半導体層とＭｏ層との間にそれらの密着性の低
下に基づくセレン化モリブデン（ＭｏＳｅx ）の発生を
少なくすることができ、その結果、ＣＩＳ系薄膜半導体
層とＭｏ層との間の剥離及び接触抵抗の増加を防止する
ことができ、そして、このような半導体装置を太陽電池
とすると、その直列抵抗を抑えることができるので、太
陽電池の開放電圧、短絡電流密度、曲線因子が改善され
る。
【００７３】
【発明の効果】基板とＭｏ層との間の隔離、Ｍｏ層とＣ
ＩＳ系薄膜半導体層との間の密着の低下及びＭｏ層とＣ
ＩＳ系薄膜半導体層との界面の接触抵抗の増大を防止し
た、半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池を提供
することができる。
ＩＳ系薄膜半導体層との間の密着の低下及びＭｏ層とＣ
ＩＳ系薄膜半導体層との界面の接触抵抗の増大を防止し
た、半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池を提供
することができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための製造工程の
概略断面説明図である。
概略断面説明図である。
【図２】本発明の他の一実施例を説明するための製造工
程の概略断面説明図である。
程の概略断面説明図である。
【図３】Ｍｏ膜の応力とその成膜条件との関係の一例を
示す図である。
示す図である。
【図４】本発明の実施例によって形成された膜の深さ方
向の元素分析結果を示す図である。
向の元素分析結果を示す図である。
【図５】比較例１によって形成された膜の深さ方向の元
素分析結果を示す図である。
素分析結果を示す図である。
【図６】比較例３によって形成された膜の深さ方向の元
素分析結果を示す図である。
素分析結果を示す図である。
【図７】従来のＣＩＳ薄膜半導体を有する半導体装置を
製造するための概略断面説明図である。
製造するための概略断面説明図である。
【図８】従来のＣＩＳ薄膜半導体を有する半導体装置の
製造におけるＭｏ層とＣＩＳ薄膜層との界面の断面を示
す概念図である。
製造におけるＭｏ層とＣＩＳ薄膜層との界面の断面を示
す概念図である。
【図９】従来のＣＩＧＳ薄膜半導体を有する半導体装置
を製造するための概略断面説明図である。
を製造するための概略断面説明図である。
【図１０】従来のＣＩＧＳ薄膜半導体を有する半導体装
置の製造におけるＭｏ層とＣＩＧＳ薄膜層との界面の断
面を示す概念図である。
置の製造におけるＭｏ層とＣＩＧＳ薄膜層との界面の断
面を示す概念図である。
１，１１，２１ ガラス基板 ３，１３，２３ Ｍｏ層 ４，１４，２４ Ｃｕ層 ５、１５ Ｉｎ層 ６−１、１６−１ ＣＩＳ薄膜半導体層 ６−２、１６−２ ＣＩＧＳ薄膜半導体層 ７ ＭｏＳｅx １２ Ｃｒ層 ２８ Ｉｎ−Ｓｅ層 ２９ Ｇａ−Ｓｅ層
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に形成されたモリブデン層、及
び、このモリブデン層上に形成されたＣＩＳ系薄膜半導
体層、を有する半導体装置において、モリブデン層の応
力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力にすることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 ＣＩＳ系薄膜半導体層がＣｕＩｎＳ
ｅ2、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、Ｃｕ
Ｉｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（Ｓy
Ｓｅ1-Y）2 （これらの式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦
ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で示される値である。）から選ば
れる少なくとも１種の化合物で構成されることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 基板上にモリブデン層を形成し、次に、
このモリブデン層上にＣＩＳ系薄膜半導体層を形成す
る、半導体装置の製造方法において、モリブデン層の応
力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力にすることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 ＣＩＳ系薄膜半導体層がＣｕＩｎＳ
ｅ2、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、Ｃｕ
Ｉｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（Ｓy
Ｓｅ1-Y）2 （これらの式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦
ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で示される値である。）から選ば
れる少なくとも１種の化合物で構成されることを特徴と
する請求項３記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 基板上に形成されたモリブデン層、及
び、このモリブデン層上に形成されたＣＩＳ系薄膜半導
体層、を有する太陽電池において、モリブデン層の応力
を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力にすることを特徴とする
太陽電池。 - 【請求項６】 ＣＩＳ系薄膜半導体層がＣｕＩｎＳ
ｅ2、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、Ｃｕ
Ｉｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（Ｓy
Ｓｅ1-Y）2 （これらの式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦
ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で示される値である。）から選ば
れる少なくとも１種の化合物で構成されることを特徴と
する請求項５記載の太陽電池。 - 【請求項７】 ＣＩＳ系薄膜半導体層上に順次積層され
た周期律表のＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合物、
周期律表のＩＩ族、ＩＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる
化合物又は周期律表のＩＩＩ族及びＶＩ族の元素からな
る化合物よりなるバッファー層並びにＺｎＯ、Ａｌ又は
ＢをドープしたＺｎＯあるいはＩＴＯよりなる透明導電
層を有することを特徴とする請求項５又は６記載の太陽
電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9234796A JPH10135501A (ja) | 1996-09-05 | 1997-08-29 | 半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-234980 | 1996-09-05 | ||
| JP23498096 | 1996-09-05 | ||
| JP9234796A JPH10135501A (ja) | 1996-09-05 | 1997-08-29 | 半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135501A true JPH10135501A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=26531760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9234796A Withdrawn JPH10135501A (ja) | 1996-09-05 | 1997-08-29 | 半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135501A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004008547A1 (ja) * | 2002-07-12 | 2004-01-22 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| JP2004532501A (ja) * | 2001-01-31 | 2004-10-21 | サン−ゴバン グラス フランス | 電極を備えた透明基材 |
| WO2006070800A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Showa Shell Sekiyu K.K. | プリカーサ膜及びその製膜方法 |
| WO2006087914A1 (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Honda Motor Co., Ltd. | カルコパイライト型太陽電池及びその製造方法 |
| WO2009041659A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池 |
| WO2009041657A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| WO2009041660A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| CN102725862A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-10-10 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池设备及其制造方法 |
| JP2013506991A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| WO2013190898A1 (ja) * | 2012-06-19 | 2013-12-27 | 富士電機株式会社 | カルコパイライト型光電変換素子、裏面電極、およびその製造方法 |
| JP2016517182A (ja) * | 2013-05-03 | 2016-06-09 | サン−ゴバン グラス フランス | 光電池又は光電池モジュール用のバックコンタクト基材 |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP9234796A patent/JPH10135501A/ja not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013048297A (ja) * | 2001-01-31 | 2013-03-07 | Saint-Gobain Glass France | 電極を備えた透明基材 |
| JP2010212692A (ja) * | 2001-01-31 | 2010-09-24 | Saint-Gobain Glass France | 電極を備えた透明基材 |
| US8809668B2 (en) | 2001-01-31 | 2014-08-19 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate equipped with an electrode |
| JP2004532501A (ja) * | 2001-01-31 | 2004-10-21 | サン−ゴバン グラス フランス | 電極を備えた透明基材 |
| WO2004008547A1 (ja) * | 2002-07-12 | 2004-01-22 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| WO2006070800A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Showa Shell Sekiyu K.K. | プリカーサ膜及びその製膜方法 |
| JP2006228867A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Honda Motor Co Ltd | カルコパイライト型太陽電池及びその製造方法 |
| WO2006087914A1 (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Honda Motor Co., Ltd. | カルコパイライト型太陽電池及びその製造方法 |
| WO2009041657A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| WO2009041660A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| WO2009041659A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池 |
| CN102725862A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-10-10 | Lg伊诺特有限公司 | 太阳能电池设备及其制造方法 |
| JP2013506991A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| JP2013506989A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽光発電装置及びその製造方法 |
| WO2013190898A1 (ja) * | 2012-06-19 | 2013-12-27 | 富士電機株式会社 | カルコパイライト型光電変換素子、裏面電極、およびその製造方法 |
| JP2016517182A (ja) * | 2013-05-03 | 2016-06-09 | サン−ゴバン グラス フランス | 光電池又は光電池モジュール用のバックコンタクト基材 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041102 |