JP2000012883A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JP2000012883A JP2000012883A JP10179328A JP17932898A JP2000012883A JP 2000012883 A JP2000012883 A JP 2000012883A JP 10179328 A JP10179328 A JP 10179328A JP 17932898 A JP17932898 A JP 17932898A JP 2000012883 A JP2000012883 A JP 2000012883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solar cell
- semiconductor thin
- cis
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 基板とＭｏ層間の剥離、Ｍｏ層とＣＩＳ系半
導体薄膜層間の密着の低下及びＭｏ層とＣＩＳ系半導体
薄膜層との界面の接触抵抗の増大を防止し、光電変換特
性を向上させた太陽電池の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板上１に応力を０〜０．４ＧＰ
ａの圧縮応力としたモリブデン層２を有し、このモリブ
デン層２上にＣＩＳ系半導体薄膜層５を有する、太陽電
池の製造において、ガラス基板１を真空に保持したセレ
ン蒸気雰囲気又は硫黄蒸気雰囲気の中で加熱処理しガラ
ス基板１は、例えば、ソーダライムガラスでセレン蒸気
雰囲気及び硫黄蒸気雰囲気は、例えば、セレンフラック
ス及び硫黄フラックスの照射によりつくることができ
る。ガラス基板１は、例えば、その基板温度が室温〜２
００℃となるように加熱処理する。ＣＩＳ系半導体薄膜
層は、例えば、ＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎＳ2等から選ば
れる少なくとも１種の化合物で構成する。
導体薄膜層間の密着の低下及びＭｏ層とＣＩＳ系半導体
薄膜層との界面の接触抵抗の増大を防止し、光電変換特
性を向上させた太陽電池の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板上１に応力を０〜０．４ＧＰ
ａの圧縮応力としたモリブデン層２を有し、このモリブ
デン層２上にＣＩＳ系半導体薄膜層５を有する、太陽電
池の製造において、ガラス基板１を真空に保持したセレ
ン蒸気雰囲気又は硫黄蒸気雰囲気の中で加熱処理しガラ
ス基板１は、例えば、ソーダライムガラスでセレン蒸気
雰囲気及び硫黄蒸気雰囲気は、例えば、セレンフラック
ス及び硫黄フラックスの照射によりつくることができ
る。ガラス基板１は、例えば、その基板温度が室温〜２
００℃となるように加熱処理する。ＣＩＳ系半導体薄膜
層は、例えば、ＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎＳ2等から選ば
れる少なくとも１種の化合物で構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池の製造方
法、さらに、詳しくは、ガラス基板上に、応力を０〜
０．４ＧＰａの圧縮応力とした、モリブデン層を有し、
そして、このモリブデン層上にＣＩＳ系半導体薄膜層を
有する、太陽電池の製造方法に関する。
法、さらに、詳しくは、ガラス基板上に、応力を０〜
０．４ＧＰａの圧縮応力とした、モリブデン層を有し、
そして、このモリブデン層上にＣＩＳ系半導体薄膜層を
有する、太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＩＳ系半導体薄膜は、光吸収係数が大
きく、また、薄膜化に適しているので、太陽電池の光吸
収層として期待されている。このようなＣＩＳ系半導体
薄膜層は、ＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ
1-xＧａx）Ｓｅ2 、ＣｕＩｎ（Ｓ xＳｅ1-x）2、Ｃｕ
（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2等（これらの式中、
ｘ及びｙは、それぞれ、０≦ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で示
される値である。）の化合物で構成されている。以下、
本明細書では、これらの化合物により構成される半導体
薄膜よりなる層を「ＣＩＳ系半導体薄膜層」という。
きく、また、薄膜化に適しているので、太陽電池の光吸
収層として期待されている。このようなＣＩＳ系半導体
薄膜層は、ＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ
1-xＧａx）Ｓｅ2 、ＣｕＩｎ（Ｓ xＳｅ1-x）2、Ｃｕ
（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2等（これらの式中、
ｘ及びｙは、それぞれ、０≦ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で示
される値である。）の化合物で構成されている。以下、
本明細書では、これらの化合物により構成される半導体
薄膜よりなる層を「ＣＩＳ系半導体薄膜層」という。
【０００３】本発明者は、このようなＣＩＳ系半導体薄
膜層を有する太陽電池として、ガラス基板上に応力を０
〜０．４ＧＰａの圧縮応力としたモリブデン（Ｍｏ）層
を有し、そして、このＭｏ層上にＣＩＳ系半導体薄膜層
を有する、太陽電池を提案した（特願平９−２３４７９
６号）。本発明者が提案した太陽電池によれば、このよ
うにＭｏ層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力にコン
トロールすることにより、ガラス基板とＭｏ層との間
の剥離、Ｍｏ層とＣＩＳ系半導体薄膜層との間の密着
性の低下及びＭｏ層とＣＩＳ系半導体薄膜層との界面
接触抵抗の増大をそれぞれ防止することができる。
膜層を有する太陽電池として、ガラス基板上に応力を０
〜０．４ＧＰａの圧縮応力としたモリブデン（Ｍｏ）層
を有し、そして、このＭｏ層上にＣＩＳ系半導体薄膜層
を有する、太陽電池を提案した（特願平９−２３４７９
６号）。本発明者が提案した太陽電池によれば、このよ
うにＭｏ層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力にコン
トロールすることにより、ガラス基板とＭｏ層との間
の剥離、Ｍｏ層とＣＩＳ系半導体薄膜層との間の密着
性の低下及びＭｏ層とＣＩＳ系半導体薄膜層との界面
接触抵抗の増大をそれぞれ防止することができる。
【０００４】図５は、かかる本発明者が提案した太陽電
池の製造工程断面説明図である。図５に示すように、本
発明者が提案した太陽電池を製造するために、ガラス基
板１１を準備する（ａ）。このガラス基板１１上にクロ
ム（Ｃｒ）層１２をスッパタリングにより形成した後、
応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力としたモリブデン
（Ｍｏ）層１３をスッパタリングにより形成する
（ｂ）。このような「応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応
力としたＭｏ層１３」は、Ｍｏ層１３を形成する際に、
Ａｒフロー量、成膜レート、基板温度、バイアス電圧等
のスパッタリング条件を調節することにより形成され
る。このように形成されたＭｏ層１３の上に銅（Ｃｕ）
層１４及びインジウム（Ｉｎ）層１５を順次積層し
（ｃ）、これをセレン（Ｓｅ）蒸気蒸気雰囲気中にて４
００〜５５０℃で加熱処理してＣＩＳ半導体薄膜層１６
を形成する（ｄ）。そして、このＣＩＳ系半導体薄膜層
上にＣｄＳ等よりなるバッファー層（図示せず）及びＺ
ｎＯよりなる透明導電層（図示せず）を順次形成してＣ
ＩＳ系半導体薄膜層１６を有する太陽電池とする。
池の製造工程断面説明図である。図５に示すように、本
発明者が提案した太陽電池を製造するために、ガラス基
板１１を準備する（ａ）。このガラス基板１１上にクロ
ム（Ｃｒ）層１２をスッパタリングにより形成した後、
応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応力としたモリブデン
（Ｍｏ）層１３をスッパタリングにより形成する
（ｂ）。このような「応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応
力としたＭｏ層１３」は、Ｍｏ層１３を形成する際に、
Ａｒフロー量、成膜レート、基板温度、バイアス電圧等
のスパッタリング条件を調節することにより形成され
る。このように形成されたＭｏ層１３の上に銅（Ｃｕ）
層１４及びインジウム（Ｉｎ）層１５を順次積層し
（ｃ）、これをセレン（Ｓｅ）蒸気蒸気雰囲気中にて４
００〜５５０℃で加熱処理してＣＩＳ半導体薄膜層１６
を形成する（ｄ）。そして、このＣＩＳ系半導体薄膜層
上にＣｄＳ等よりなるバッファー層（図示せず）及びＺ
ｎＯよりなる透明導電層（図示せず）を順次形成してＣ
ＩＳ系半導体薄膜層１６を有する太陽電池とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者が提案した太
陽電池によれば、前述したように、Ｍｏ層の応力を０〜
０．４ＧＰａの圧縮応力にコントロールすることによ
り、ガラス基板とＭｏ層との間の剥離、Ｍｏ層とＣ
ＩＳ系半導体薄膜層との間の密着性の低下及びＭｏ層
とＣＩＳ系半導体薄膜層との界面接触抵抗の増大をそれ
ぞれ防止することができるが、それらの防止効果が、同
一ウエハ面内に形成された太陽電池間において、また、
異なった太陽電池作成バッチにより得られた太陽電池間
において、ばらつく、という問題があり、そして、その
光電変換特性も、前記と同様にばらつく、という問題が
ある。
陽電池によれば、前述したように、Ｍｏ層の応力を０〜
０．４ＧＰａの圧縮応力にコントロールすることによ
り、ガラス基板とＭｏ層との間の剥離、Ｍｏ層とＣ
ＩＳ系半導体薄膜層との間の密着性の低下及びＭｏ層
とＣＩＳ系半導体薄膜層との界面接触抵抗の増大をそれ
ぞれ防止することができるが、それらの防止効果が、同
一ウエハ面内に形成された太陽電池間において、また、
異なった太陽電池作成バッチにより得られた太陽電池間
において、ばらつく、という問題があり、そして、その
光電変換特性も、前記と同様にばらつく、という問題が
ある。
【０００６】本発明は、かかる問題を解決することを目
的としている。即ち、本発明は、基板とＭｏ層との間の
剥離、Ｍｏ層とＣＩＳ系半導体薄膜層との間の密着の低
下及びＭｏ層とＣＩＳ系半導体薄膜層との界面の接触抵
抗の増大を防止し、且つ、光電変換特性を向上させた、
太陽電池を再現性よく得ることができる太陽電池の製造
方法を提供することを目的とする。
的としている。即ち、本発明は、基板とＭｏ層との間の
剥離、Ｍｏ層とＣＩＳ系半導体薄膜層との間の密着の低
下及びＭｏ層とＣＩＳ系半導体薄膜層との界面の接触抵
抗の増大を防止し、且つ、光電変換特性を向上させた、
太陽電池を再現性よく得ることができる太陽電池の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本第１発明は、上
記目的を達成するために、ガラス基板上に応力を０〜
０．４ＧＰａの圧縮応力としたモリブデン層を有し、そ
して、このモリブデン層上にＣＩＳ系半導体薄膜層を有
する、太陽電池の製造において、ガラス基板を真空に保
持したセレン蒸気雰囲気又は硫黄蒸気雰囲気の中で加熱
処理することを特徴とする太陽電池の製造方法である。
記目的を達成するために、ガラス基板上に応力を０〜
０．４ＧＰａの圧縮応力としたモリブデン層を有し、そ
して、このモリブデン層上にＣＩＳ系半導体薄膜層を有
する、太陽電池の製造において、ガラス基板を真空に保
持したセレン蒸気雰囲気又は硫黄蒸気雰囲気の中で加熱
処理することを特徴とする太陽電池の製造方法である。
【０００８】本第２発明は、第１発明において、ガラス
基板をソーダライムガラスで構成することを特徴とする
ものである。
基板をソーダライムガラスで構成することを特徴とする
ものである。
【０００９】本第３発明は、第１又は２発明において、
ガラス基板をその基板温度が室温〜２００℃となるよう
に加熱処理することを特徴とするものである。
ガラス基板をその基板温度が室温〜２００℃となるよう
に加熱処理することを特徴とするものである。
【００１０】本第４発明は、第１，２又は３発明におい
て、ＣＩＳ系半導体薄膜層をＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎ
Ｓ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ
1-x）2及びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 （こ
れらの式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ≦１及び０≦ｙ
≦１で示される値である。）から選ばれる少なくとも１
種の化合物で構成することを特徴とするものである。
て、ＣＩＳ系半導体薄膜層をＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎ
Ｓ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ
1-x）2及びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 （こ
れらの式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦ｘ≦１及び０≦ｙ
≦１で示される値である。）から選ばれる少なくとも１
種の化合物で構成することを特徴とするものである。
【００１１】本第５発明は、第１，２，３又は４発明に
おいて、ＣＩＳ系半導体薄膜層上に周期律表のＩＩ族及
びＶＩ族の元素からなる化合物、周期律表のＩＩ族、Ｉ
ＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合物又は周期律表の
ＩＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合物よりなるバッ
ファー層を形成し、続いて、バッファー層上にＺｎＯ、
Ａｌ又はＢをドープしたＺｎＯ又はＩＴＯよりなる透明
導電層を形成することを特徴とするものである。
おいて、ＣＩＳ系半導体薄膜層上に周期律表のＩＩ族及
びＶＩ族の元素からなる化合物、周期律表のＩＩ族、Ｉ
ＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合物又は周期律表の
ＩＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合物よりなるバッ
ファー層を形成し、続いて、バッファー層上にＺｎＯ、
Ａｌ又はＢをドープしたＺｎＯ又はＩＴＯよりなる透明
導電層を形成することを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明において用いられるガラス
基板は、好適には、ソーダライムガラスであるが、本発
明の目的に反しないかぎり、従来の太陽電池の製造にお
いて用いられているガラス基板を用いることができる。
基板は、好適には、ソーダライムガラスであるが、本発
明の目的に反しないかぎり、従来の太陽電池の製造にお
いて用いられているガラス基板を用いることができる。
【００１３】本発明においては、Ｍｏ層の圧縮応力が０
未満、即ち、引っ張り応力であると、ＣＩＳ系半導体薄
膜層の剥離及び接触抵抗の増加の原因となるＭｏＳｅx
が生成し、また、圧縮応力が０．４ＧＰａを越えると、
応力によるＭｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体との界面での剥
離及びガラス基板とＭｏ層との界面での剥離がそれぞれ
起こるので、Ｍｏ層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応
力にする。
未満、即ち、引っ張り応力であると、ＣＩＳ系半導体薄
膜層の剥離及び接触抵抗の増加の原因となるＭｏＳｅx
が生成し、また、圧縮応力が０．４ＧＰａを越えると、
応力によるＭｏ層とＣＩＳ系薄膜半導体との界面での剥
離及びガラス基板とＭｏ層との界面での剥離がそれぞれ
起こるので、Ｍｏ層の応力を０〜０．４ＧＰａの圧縮応
力にする。
【００１４】本発明におけるＭｏ層は、０．０２〜２μ
ｍ程度の膜厚に形成する。その際には、Ａｒフロー量、
成膜レート、基板温度、バイアス電圧等のスパッタリン
グ成膜条件を調整して、Ｍｏ層の応力を０〜０．４ＧＰ
ａの圧縮応力になるようする。本発明においては、Ｍｏ
層とガラス基板との密着性を向上させるために、ガラス
基板上にあらかじめＣｒ、Ａｕ、Ｔｉ等の層を０．０２
〜０．２μｍの膜厚に薄く形成することができる。
ｍ程度の膜厚に形成する。その際には、Ａｒフロー量、
成膜レート、基板温度、バイアス電圧等のスパッタリン
グ成膜条件を調整して、Ｍｏ層の応力を０〜０．４ＧＰ
ａの圧縮応力になるようする。本発明においては、Ｍｏ
層とガラス基板との密着性を向上させるために、ガラス
基板上にあらかじめＣｒ、Ａｕ、Ｔｉ等の層を０．０２
〜０．２μｍの膜厚に薄く形成することができる。
【００１５】本発明におけるＣＩＳ系半導体薄膜層は、
例えば、Ｍｏ層に周期律表のＩＩＩ−ＶＩ属元素よりな
る化合物のＩＩＩ2ＶＩ3層及びＣｕ層を真空蒸着により
積層させて得たプリカーサ、或いは、Ｍｏ層にＣｕ層、
周期律表のＩＩＩ元素よりなるＩＩＩ層及び周期律表の
ＶＩ元素よりなるＶＩ層を真空蒸着により積層させて得
たプリカーサを、Ｓｅを含む蒸気雰囲気中にて４００〜
５５０℃で加熱処理することにより、形成する。このよ
うにして形成したＣＩＳ系半導体薄膜層は、例えば、Ｃ
ｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓ
ｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧ
ａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 等の化合物によって構成され
る。
例えば、Ｍｏ層に周期律表のＩＩＩ−ＶＩ属元素よりな
る化合物のＩＩＩ2ＶＩ3層及びＣｕ層を真空蒸着により
積層させて得たプリカーサ、或いは、Ｍｏ層にＣｕ層、
周期律表のＩＩＩ元素よりなるＩＩＩ層及び周期律表の
ＶＩ元素よりなるＶＩ層を真空蒸着により積層させて得
たプリカーサを、Ｓｅを含む蒸気雰囲気中にて４００〜
５５０℃で加熱処理することにより、形成する。このよ
うにして形成したＣＩＳ系半導体薄膜層は、例えば、Ｃ
ｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓ
ｅ2、ＣｕＩｎ（ＳxＳｅ1-x）2 、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧ
ａx）（ＳyＳｅ1-Y）2 等の化合物によって構成され
る。
【００１６】本発明の太陽電池におけるバッファー層
は、周期律表のＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合
物、周期律表のＩＩ族、ＩＩＩ族及びＶＩ族の元素から
なる化合物又は周期律表のＩＩＩ族及びＶＩ族の元素か
らなる化合物を溶液成長法（ＣＢＤ法）あるいは真空蒸
着法（ＰＶＤ法）により形成する。そして、透明導電層
は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウムをドー
プした酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）、ホウ素をドープした
酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｂ）、酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）をスッパタリング法、ＭＯＣＶＤ法等により形成す
る。
は、周期律表のＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合
物、周期律表のＩＩ族、ＩＩＩ族及びＶＩ族の元素から
なる化合物又は周期律表のＩＩＩ族及びＶＩ族の元素か
らなる化合物を溶液成長法（ＣＢＤ法）あるいは真空蒸
着法（ＰＶＤ法）により形成する。そして、透明導電層
は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウムをドー
プした酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）、ホウ素をドープした
酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｂ）、酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）をスッパタリング法、ＭＯＣＶＤ法等により形成す
る。
【００１７】即ち、本発明における太陽電池は、例え
ば、ＣＩＳ系半導体薄膜層上にバッファー層として硫化
カドミウム層を溶液成長法又は真空蒸着法により３０〜
５００ｎｍの膜厚に形成し、さらに、その上に透明導電
層として酸化亜鉛層をスパッタ法により０．５〜２．０
μｍの膜厚に形成する。本発明の目的に反しないかぎ
り、太陽電池の製造において用いられているその他の公
知のバッファー層形成手段及び透明導電層形成手段をそ
れぞれ用いることができる。
ば、ＣＩＳ系半導体薄膜層上にバッファー層として硫化
カドミウム層を溶液成長法又は真空蒸着法により３０〜
５００ｎｍの膜厚に形成し、さらに、その上に透明導電
層として酸化亜鉛層をスパッタ法により０．５〜２．０
μｍの膜厚に形成する。本発明の目的に反しないかぎ
り、太陽電池の製造において用いられているその他の公
知のバッファー層形成手段及び透明導電層形成手段をそ
れぞれ用いることができる。
【００１８】
【実施例】図１は、本発明の実施例１の製造工程断面説
明図であり、図２、図３及び図４は、それぞれ、本発明
の実施例１、実施例２及び比較例１のＳＩＭＳの測定結
果を表す図である。
明図であり、図２、図３及び図４は、それぞれ、本発明
の実施例１、実施例２及び比較例１のＳＩＭＳの測定結
果を表す図である。
【００１９】（実施例１）図１を用いて本実施例を説明
する。５ｃｍ×５ｃｍの大きさのガラス基板１を、真空
に保持したＳｅフラックス（方向性をもった流れ）によ
るＳｅ蒸気雰囲気中において、２００℃で５分間加熱処
理した。その際のＳｅ蒸気の蒸着レートは、２０Å／ｓ
であった（ａ）。このように加熱したガラス基板１上に
スパッタリングによりＭｏ層２を１μｍの膜厚に成膜し
た（ｂ）。スパッタリング条件は、基板温度；２００
℃、Ａｒ圧；４．０ｍＴｏｒｒ及びバイアス電力１．３
ＫＷとした。このように成膜した、Ｍｏ層２の応力（ガ
ラス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化とから算出したＭ
ｏ層の応力）は、０．０２ＧＰａの圧縮応力であった。
する。５ｃｍ×５ｃｍの大きさのガラス基板１を、真空
に保持したＳｅフラックス（方向性をもった流れ）によ
るＳｅ蒸気雰囲気中において、２００℃で５分間加熱処
理した。その際のＳｅ蒸気の蒸着レートは、２０Å／ｓ
であった（ａ）。このように加熱したガラス基板１上に
スパッタリングによりＭｏ層２を１μｍの膜厚に成膜し
た（ｂ）。スパッタリング条件は、基板温度；２００
℃、Ａｒ圧；４．０ｍＴｏｒｒ及びバイアス電力１．３
ＫＷとした。このように成膜した、Ｍｏ層２の応力（ガ
ラス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化とから算出したＭ
ｏ層の応力）は、０．０２ＧＰａの圧縮応力であった。
【００２０】このＭｏ層２上にＩｎ2Ｓｅ3層３を真空蒸
着し、続いて、Ｃｕ層４をＣｕ／Ｉｎ＝０．８５（原子
％）になるように真空蒸着した（ｃ）。これを固体Ｓｅ
と共に真空下において５５０℃で１時間加熱すると、固
体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくりだされ、ＣＩ
Ｓ半導体薄膜層５が形成された（ｄ）。そして、ＣＩＳ
半導体薄膜層５上に真空蒸着によりＣｄＳ膜よりなるバ
ッファー層（図示せず）形成し、続いて、ＺｎＯ膜より
なる透明導電層（図示せず）をスパッタリングにより形
成して太陽電池セルとした。この太陽電池セルの光電変
換特性を測定したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；４５０
ｍＶ、短絡電流密度（Ｊｓｃ）；３８．２ｍＡ／ｃｍ
2 、曲線因子（ＦＦ）；０．６４、エネルギー変換効率
（η）；１１．０％であった。これらの測定値は、測定
面積を５ｃｍ×５ｃｍとした同一面内の２５点について
測定したときの最高のηの時の値を示すものである。そ
して、この光電変換特性の測定における同一面内の２５
点のＩ−Ｖパラメータの平均値及び標準偏差は、次の表
１に示される。表１より、Ｉ−Ｖパラメータが後記表
３，４よりばらついていないことがわかる。
着し、続いて、Ｃｕ層４をＣｕ／Ｉｎ＝０．８５（原子
％）になるように真空蒸着した（ｃ）。これを固体Ｓｅ
と共に真空下において５５０℃で１時間加熱すると、固
体Ｓｅが気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくりだされ、ＣＩ
Ｓ半導体薄膜層５が形成された（ｄ）。そして、ＣＩＳ
半導体薄膜層５上に真空蒸着によりＣｄＳ膜よりなるバ
ッファー層（図示せず）形成し、続いて、ＺｎＯ膜より
なる透明導電層（図示せず）をスパッタリングにより形
成して太陽電池セルとした。この太陽電池セルの光電変
換特性を測定したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；４５０
ｍＶ、短絡電流密度（Ｊｓｃ）；３８．２ｍＡ／ｃｍ
2 、曲線因子（ＦＦ）；０．６４、エネルギー変換効率
（η）；１１．０％であった。これらの測定値は、測定
面積を５ｃｍ×５ｃｍとした同一面内の２５点について
測定したときの最高のηの時の値を示すものである。そ
して、この光電変換特性の測定における同一面内の２５
点のＩ−Ｖパラメータの平均値及び標準偏差は、次の表
１に示される。表１より、Ｉ−Ｖパラメータが後記表
３，４よりばらついていないことがわかる。
【００２１】
【表１】
【００２２】（実施例２）５ｃｍ×５ｃｍの大きさのガ
ラス基板を、真空に保持したＳフラックスによるＳ蒸気
蒸気雰囲気中において、２００℃で５分間加熱処理し
た。その際のＳ蒸気の蒸着レートは、２０Å／ｓであっ
た。このように加熱処理したガラス基板上にスパッタリ
ングによりＭｏ層を１μｍの膜厚に成膜した。スパッタ
リング条件は、基板温度；２００℃、Ａｒ圧；４．０ｍ
Ｔｏｒｒ及びバイアス電力１．３ＫＷとした。このよう
に成膜した、Ｍｏ層の応力（ガラス基板とＭｏ層の成膜
後の形状変化とから算出したＭｏ層の応力）は、０．１
ＧＰａの圧縮応力であった。
ラス基板を、真空に保持したＳフラックスによるＳ蒸気
蒸気雰囲気中において、２００℃で５分間加熱処理し
た。その際のＳ蒸気の蒸着レートは、２０Å／ｓであっ
た。このように加熱処理したガラス基板上にスパッタリ
ングによりＭｏ層を１μｍの膜厚に成膜した。スパッタ
リング条件は、基板温度；２００℃、Ａｒ圧；４．０ｍ
Ｔｏｒｒ及びバイアス電力１．３ＫＷとした。このよう
に成膜した、Ｍｏ層の応力（ガラス基板とＭｏ層の成膜
後の形状変化とから算出したＭｏ層の応力）は、０．１
ＧＰａの圧縮応力であった。
【００２３】このＭｏ層上にＩｎ2Ｓｅ3層を真空蒸着
し、続いて、Ｃｕ層４をＣｕ／Ｉｎ＝０．８５（原子
％）になるように真空蒸着した。これを固体Ｓｅと共に
真空下において５５０℃で１時間加熱すると、固体Ｓｅ
が気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくりだされ、ＣＩＳ半導
体薄膜層が形成された。そして、ＣＩＳ半導体薄膜層上
に真空蒸着によりＣｄＳ膜よりなるバッファー層を形成
し、続いて、ＺｎＯ膜よりなる透明導電層をスパッタリ
ングにより形成して太陽電池セルとした。この太陽電池
セルの光電変換特性を測定したところ、開放電圧（Ｖｏ
ｃ）；４３５ｍＶ、短絡電流密度（Ｊｓｃ）；３７．４
ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子（ＦＦ）；０．６３、エネルギ
ー変換効率（η）；１０．２４％であった。これらの測
定値は、測定面積を５ｃｍ×５ｃｍとした同一面内の２
５点について測定したときの最高のηの時の値を示すも
のである。そして、この光電変換特性の測定における同
一面内の２５点のＩ−Ｖパラメータの平均値及び標準偏
差は、次の表２に示される。表２より、Ｉ−Ｖパラメー
タが表１よりよりもばらついているものの後記表３，４
よりばらついていないことがわかる。
し、続いて、Ｃｕ層４をＣｕ／Ｉｎ＝０．８５（原子
％）になるように真空蒸着した。これを固体Ｓｅと共に
真空下において５５０℃で１時間加熱すると、固体Ｓｅ
が気化してＳｅ蒸気雰囲気がつくりだされ、ＣＩＳ半導
体薄膜層が形成された。そして、ＣＩＳ半導体薄膜層上
に真空蒸着によりＣｄＳ膜よりなるバッファー層を形成
し、続いて、ＺｎＯ膜よりなる透明導電層をスパッタリ
ングにより形成して太陽電池セルとした。この太陽電池
セルの光電変換特性を測定したところ、開放電圧（Ｖｏ
ｃ）；４３５ｍＶ、短絡電流密度（Ｊｓｃ）；３７．４
ｍＡ／ｃｍ2 、曲線因子（ＦＦ）；０．６３、エネルギ
ー変換効率（η）；１０．２４％であった。これらの測
定値は、測定面積を５ｃｍ×５ｃｍとした同一面内の２
５点について測定したときの最高のηの時の値を示すも
のである。そして、この光電変換特性の測定における同
一面内の２５点のＩ−Ｖパラメータの平均値及び標準偏
差は、次の表２に示される。表２より、Ｉ−Ｖパラメー
タが表１よりよりもばらついているものの後記表３，４
よりばらついていないことがわかる。
【００２４】
【表2】
【００２５】（従来例１）５ｃｍ×５ｃｍの大きさのガ
ラス基板上にスパッタリングによりＭｏ層を１μｍの膜
厚に成膜した。スパッタリング条件は、基板温度；室
温、Ａｒ圧；４．０ｍＴｏｒｒ及びバイアス電力１．３
ＫＷとした。このように成膜した、Ｍｏ層の応力（ガラ
ス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化とから算出したＭｏ
層の応力）は、０．３ＧＰａの圧縮応力であった。
ラス基板上にスパッタリングによりＭｏ層を１μｍの膜
厚に成膜した。スパッタリング条件は、基板温度；室
温、Ａｒ圧；４．０ｍＴｏｒｒ及びバイアス電力１．３
ＫＷとした。このように成膜した、Ｍｏ層の応力（ガラ
ス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化とから算出したＭｏ
層の応力）は、０．３ＧＰａの圧縮応力であった。
【００２６】このＭｏ層上にＩｎ2Ｓｅ3層３を真空蒸着
し、続いて、Ｃｕ層をＣｕ／Ｉｎ＝０．８５（原子％）
になるように真空蒸着した。これを固体Ｓｅと共に真空
下において５５０℃で１時間加熱すると、固体Ｓｅが気
化してＳｅ蒸気雰囲気がつくりだされ、ＣＩＳ半導体薄
膜層が形成された。そして、ＣＩＳ半導体薄膜層上に真
空蒸着によりＣｄＳ膜よりなるバッファー層形成し、続
いて、ＺｎＯ膜よりなる透明導電層をスパッタリングに
より形成して太陽電池セルとした。この太陽電池セルの
光電変換特性を測定したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；
３５０ｍＶ、短絡電流密度（Ｊｓｃ）；３８．５ｍＡ／
ｃｍ2 、曲線因子（ＦＦ）；０．５、エネルギー変換効
率（η）；６．７４％であった。これらの測定値は、測
定面積を５ｃｍ×５ｃｍとした同一面内の２５点につい
て測定したときの最高のηの時の値を示すものである。
そして、この光電変換特性の測定における同一面内の２
５点のＩ−Ｖパラメータの平均値及び標準偏差は、次の
表３に示される。表３より、Ｉ−Ｖパラメータが非常に
ばらついていることがわかる。
し、続いて、Ｃｕ層をＣｕ／Ｉｎ＝０．８５（原子％）
になるように真空蒸着した。これを固体Ｓｅと共に真空
下において５５０℃で１時間加熱すると、固体Ｓｅが気
化してＳｅ蒸気雰囲気がつくりだされ、ＣＩＳ半導体薄
膜層が形成された。そして、ＣＩＳ半導体薄膜層上に真
空蒸着によりＣｄＳ膜よりなるバッファー層形成し、続
いて、ＺｎＯ膜よりなる透明導電層をスパッタリングに
より形成して太陽電池セルとした。この太陽電池セルの
光電変換特性を測定したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；
３５０ｍＶ、短絡電流密度（Ｊｓｃ）；３８．５ｍＡ／
ｃｍ2 、曲線因子（ＦＦ）；０．５、エネルギー変換効
率（η）；６．７４％であった。これらの測定値は、測
定面積を５ｃｍ×５ｃｍとした同一面内の２５点につい
て測定したときの最高のηの時の値を示すものである。
そして、この光電変換特性の測定における同一面内の２
５点のＩ−Ｖパラメータの平均値及び標準偏差は、次の
表３に示される。表３より、Ｉ−Ｖパラメータが非常に
ばらついていることがわかる。
【００２７】
【表３】
【００２８】（比較例１）５ｃｍ×５ｃｍの大きさのガ
ラス基板を真空中において２００℃で５分間加熱処理し
た。そのガラス基板上にスパッタリングによりＭｏ層を
１μｍの膜厚に成膜した。スパッタリング条件は、基板
温度；２００℃、Ａｒ圧；４．０ｍＴｏｒｒ及びバイア
ス電力１．３ＫＷとした。このように成膜した、Ｍｏ層
の応力（ガラス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化とから
算出したＭｏ層の応力）は、０．２ＧＰａの圧縮応力で
あった。
ラス基板を真空中において２００℃で５分間加熱処理し
た。そのガラス基板上にスパッタリングによりＭｏ層を
１μｍの膜厚に成膜した。スパッタリング条件は、基板
温度；２００℃、Ａｒ圧；４．０ｍＴｏｒｒ及びバイア
ス電力１．３ＫＷとした。このように成膜した、Ｍｏ層
の応力（ガラス基板とＭｏ層の成膜後の形状変化とから
算出したＭｏ層の応力）は、０．２ＧＰａの圧縮応力で
あった。
【００２９】このＭｏ層上にＩｎ2Ｓｅ3層を真空蒸着
し、続いて、Ｃｕ層をＣｕ／Ｉｎ＝０．８５（原子％）
になるように真空蒸着した。これを固体Ｓｅと共に真空
下において５５０℃で１時間加熱すると、固体Ｓｅが気
化してＳｅ蒸気雰囲気がつくりだされ、ＣＩＳ半導体薄
膜層が形成された。そして、ＣＩＳ半導体薄膜層上に真
空蒸着によりＣｄＳ膜よりなるバッファー層形成し、続
いて、ＺｎＯ膜よりなる透明導電層をスパッタリングに
より形成して太陽電池セルとした。この太陽電池セルの
光電変換特性を測定したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；
４２０ｍＶ、短絡電流密度（Ｊｓｃ）；３８ｍＡ／ｃｍ
2 、曲線因子（ＦＦ）；０．６、エネルギー変換効率
（η）；９．５８％であった。これらの測定値は、測定
面積を５ｃｍ×５ｃｍとした同一面内の２５点について
測定したときの最高のηの時の値を示すものである。そ
して、この光電変換特性の測定における同一面内の２５
点のＩ−Ｖパラメータの平均値及び標準偏差は、次の表
４に示される。表４より、Ｉ−Ｖパラメータが表２より
ばらついていないことがわかる。
し、続いて、Ｃｕ層をＣｕ／Ｉｎ＝０．８５（原子％）
になるように真空蒸着した。これを固体Ｓｅと共に真空
下において５５０℃で１時間加熱すると、固体Ｓｅが気
化してＳｅ蒸気雰囲気がつくりだされ、ＣＩＳ半導体薄
膜層が形成された。そして、ＣＩＳ半導体薄膜層上に真
空蒸着によりＣｄＳ膜よりなるバッファー層形成し、続
いて、ＺｎＯ膜よりなる透明導電層をスパッタリングに
より形成して太陽電池セルとした。この太陽電池セルの
光電変換特性を測定したところ、開放電圧（Ｖｏｃ）；
４２０ｍＶ、短絡電流密度（Ｊｓｃ）；３８ｍＡ／ｃｍ
2 、曲線因子（ＦＦ）；０．６、エネルギー変換効率
（η）；９．５８％であった。これらの測定値は、測定
面積を５ｃｍ×５ｃｍとした同一面内の２５点について
測定したときの最高のηの時の値を示すものである。そ
して、この光電変換特性の測定における同一面内の２５
点のＩ−Ｖパラメータの平均値及び標準偏差は、次の表
４に示される。表４より、Ｉ−Ｖパラメータが表２より
ばらついていないことがわかる。
【００３０】
【表４】
【００３１】実施例１，２、従来例１及び比較例１を総
合すると次のことがわかる。即ち、実施例１は、ガラス
基板をＳｅ雰囲気中において加熱処理するものであり、
また、実施例２は、ガラス基板をＳ雰囲気中において加
熱処理するものであるが、実施例１，２は、図２，３に
見るように、ＮａがＭｏ層中に高レベルに存在している
ので、Ｎａがセレン化の際にＣＩＳ系半導体薄膜層中に
拡散し易く、そのために、光電変換特性（表１，２）
（特に、Ｖｏｃ）が向上したものになっていることがわ
かる。これに対して、従来例１は、実施例１，２のよう
にガラス基板をＳｅ、Ｓ雰囲気中において加熱処理する
ものではなく、図４に見るように、ＮａがＭｏ膜中に非
常に低レベルでしか存在していないので、Ｎａがセレン
化の際にＣＩＳ系半導体薄膜層中に拡散しにくく、その
ために、光電変換特性（表３）が実施例１，２（表１，
２）よりも低いものになっていることがわかる。そし
て、比較例１は、ガラス基板を真空中において加熱処理
するものであり、ＮａがＭｏ膜中にある程度のレベルで
存在しているので、Ｎａがセレン化の際にＣＩＳ系半導
体薄膜層中に比較例１よりも拡散し易く、そのために、
その光電変換特性（表４）が比較例１よりも高いものに
なっているものの実施例１，２よりも低いものになって
いることがわかる。
合すると次のことがわかる。即ち、実施例１は、ガラス
基板をＳｅ雰囲気中において加熱処理するものであり、
また、実施例２は、ガラス基板をＳ雰囲気中において加
熱処理するものであるが、実施例１，２は、図２，３に
見るように、ＮａがＭｏ層中に高レベルに存在している
ので、Ｎａがセレン化の際にＣＩＳ系半導体薄膜層中に
拡散し易く、そのために、光電変換特性（表１，２）
（特に、Ｖｏｃ）が向上したものになっていることがわ
かる。これに対して、従来例１は、実施例１，２のよう
にガラス基板をＳｅ、Ｓ雰囲気中において加熱処理する
ものではなく、図４に見るように、ＮａがＭｏ膜中に非
常に低レベルでしか存在していないので、Ｎａがセレン
化の際にＣＩＳ系半導体薄膜層中に拡散しにくく、その
ために、光電変換特性（表３）が実施例１，２（表１，
２）よりも低いものになっていることがわかる。そし
て、比較例１は、ガラス基板を真空中において加熱処理
するものであり、ＮａがＭｏ膜中にある程度のレベルで
存在しているので、Ｎａがセレン化の際にＣＩＳ系半導
体薄膜層中に比較例１よりも拡散し易く、そのために、
その光電変換特性（表４）が比較例１よりも高いものに
なっているものの実施例１，２よりも低いものになって
いることがわかる。
【００３２】
【発明の効果】基板とＭｏ層との間の剥離、Ｍｏ層とＣ
ＩＳ系半導体薄膜層との間の密着の低下及びＭｏ層とＣ
ＩＳ系半導体薄膜層との界面の接触抵抗の増大を防止
し、且つ、光電変換特性を向上させた、太陽電池を再現
性よく得ることができる太陽電池の製造方法を提供する
ことができる。
ＩＳ系半導体薄膜層との間の密着の低下及びＭｏ層とＣ
ＩＳ系半導体薄膜層との界面の接触抵抗の増大を防止
し、且つ、光電変換特性を向上させた、太陽電池を再現
性よく得ることができる太陽電池の製造方法を提供する
ことができる。
【図１】本発明の一実施例の製造工程断面説明図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例１のＳＩＭＳの測定結果を表す
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例２のＳＩＭＳの測定結果を表す
図である。
図である。
【図４】本発明の比較例１のＳＩＭＳの測定結果を表す
図である。
図である。
【図５】本発明者が提案した太陽電池の製造工程断面説
明図である。
明図である。
１ ガラス基板 ２ Ｍｏ層 ３ Ｉｎ2Ｓｅ3層 ４ Ｃｕ層 ５ ＣＩＳ半導体薄膜層
Claims (5)
- 【請求項１】 ガラス基板上に応力を０〜０．４ＧＰａ
の圧縮応力としたモリブデン層を有し、そして、このモ
リブデン層上にＣＩＳ系半導体薄膜層を有する、太陽電
池の製造において、ガラス基板を真空に保持したセレン
蒸気雰囲気又は硫黄蒸気雰囲気の中で加熱処理すること
を特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 ガラス基板をソーダライムガラスで構成
することを特徴とする請求項１記載の太陽電池の製造方
法。 - 【請求項３】 ガラス基板をその基板温度が室温〜２０
０℃となるように加熱処理することを特徴とする請求項
１又は２記載の太陽電池の製造方法。 - 【請求項４】 ＣＩＳ系半導体薄膜層をＣｕＩｎＳ
ｅ2、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-xＧａx）Ｓｅ2、Ｃｕ
Ｉｎ（ＳxＳｅ1-x）2 及びＣｕ（Ｉｎ1-xＧａx）（Ｓy
Ｓｅ1-Y）2 （これらの式中、ｘ及びｙはそれぞれ０≦
ｘ≦１及び０≦ｙ≦１で示される値である。）から選ば
れる少なくとも１種の化合物で構成することを特徴とす
る請求項１，２又は３記載の太陽電池の製造方法。 - 【請求項５】 ＣＩＳ系半導体薄膜層上に周期律表のＩ
Ｉ族及びＶＩ族の元素からなる化合物、周期律表のＩＩ
族、ＩＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合物又は周期
律表のＩＩＩ族及びＶＩ族の元素からなる化合物よりな
るバッファー層を形成し、続いて、バッファー層上にＺ
ｎＯ、Ａｌ又はＢをドープしたＺｎＯ又はＩＴＯよりな
る透明導電層を形成することを特徴とする請求項１，
２，３又は４記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10179328A JP2000012883A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10179328A JP2000012883A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012883A true JP2000012883A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16063928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10179328A Withdrawn JP2000012883A (ja) | 1998-06-25 | 1998-06-25 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012883A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004008547A1 (ja) * | 2002-07-12 | 2004-01-22 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| WO2004033093A1 (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-22 | Japan Science And Technology Agency | 基板結合型遷移金属触媒、及びその製造方法 |
| JP2004532501A (ja) * | 2001-01-31 | 2004-10-21 | サン−ゴバン グラス フランス | 電極を備えた透明基材 |
| WO2009041660A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| WO2009041659A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池 |
| WO2009041657A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| CN101820030A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-09-01 | 昆山正富机械工业有限公司 | 非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法 |
| WO2014064823A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | 株式会社日立製作所 | 半導体膜の製造方法、太陽電池及びカルコパイライト化合物 |
-
1998
- 1998-06-25 JP JP10179328A patent/JP2000012883A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004532501A (ja) * | 2001-01-31 | 2004-10-21 | サン−ゴバン グラス フランス | 電極を備えた透明基材 |
| WO2004008547A1 (ja) * | 2002-07-12 | 2004-01-22 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| WO2004033093A1 (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-22 | Japan Science And Technology Agency | 基板結合型遷移金属触媒、及びその製造方法 |
| US7122848B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-10-17 | Japan Science And Technology Agency | Substrate bonded transition metal catalyst and method for preparation thereof |
| WO2009041660A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| WO2009041659A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池 |
| WO2009041657A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| CN101820030A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-09-01 | 昆山正富机械工业有限公司 | 非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法 |
| WO2014064823A1 (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | 株式会社日立製作所 | 半導体膜の製造方法、太陽電池及びカルコパイライト化合物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8198122B2 (en) | Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method | |
| US8003430B1 (en) | Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method | |
| US8008110B1 (en) | Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method | |
| US7632701B2 (en) | Thin film solar cells by selenization sulfurization using diethyl selenium as a selenium precursor | |
| US8026122B1 (en) | Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method | |
| US8916767B2 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| US20100055826A1 (en) | Methods of Fabrication of Solar Cells Using High Power Pulsed Magnetron Sputtering | |
| EP1492169A2 (en) | Solar cell | |
| KR101893411B1 (ko) | 황화아연 버퍼층을 적용한 czts계 박막 태양전지 제조방법 | |
| KR101908475B1 (ko) | 산화막 버퍼층을 포함하는 czts계 박막 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20130050304A (ko) | 박막 태양전지 | |
| US20130284252A1 (en) | Back contact structure for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells | |
| US20170243999A1 (en) | Solar cell | |
| JP2001044464A (ja) | Ｉｂ―ＩＩＩｂ―ＶＩｂ２族化合物半導体層の形成方法、薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPH10135501A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池 | |
| JP2000012883A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| WO2010150864A1 (ja) | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池 | |
| US20150093852A1 (en) | Method for enhancing conductivity of molybdenum thin film by using electron beam irradiation | |
| JPH07283430A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2014506391A (ja) | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 | |
| US8394662B1 (en) | Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method | |
| US8435826B1 (en) | Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method | |
| JP2004327849A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| KR20200097118A (ko) | Ｃｉｇｓ 박막 태양전지 제조방법 | |
| KR102596328B1 (ko) | Czts계 박막 태양전지 광흡수층의 제조방법, 이로부터 제조되는 czts계 박막 태양전지 광흡수층 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |