JP2001175198A5 - 表示装置 - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に設けられた平坦化するための絶縁膜と、
前記平坦化するための絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続するＥＬ素子と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に設けられた平坦化するための絶縁膜と、
前記平坦化するための絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続するＥＬ素子と、を有し、
前記カラーフィルタは前記無機絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する電極と一部が重なることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に設けられた平坦化するための第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続する第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第２の電極と、を有するＥＬ素子と、
溝が形成された第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の電極と前記発光層とが前記第２の絶縁膜に形成された溝の中に形成されており、
前記カラーフィルタと前記第２の絶縁膜とは前記第１の絶縁膜を介して重なる部分を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に、一部に除去された部分を有して設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に設けられた平坦化するための絶縁膜と、
前記平坦化するための絶縁膜上に設けられたＥＬ素子と、
前記薄膜トランジスタと前記ＥＬ素子とを電気的に接続する電極と、を有し、
前記電極は、前記カラーフィルタが除去された領域上に形成された前記平坦化するための絶縁膜及び前記無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと前記ＥＬ素子とを電気的に接続していることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
第１の基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に設けられた平坦化するための絶縁膜と、
前記平坦化するための絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続するＥＬ素子と、
前記ＥＬ素子上に設けられたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に設けられた第２の基板と、
前記パッシベーション膜と前記第２の基板との間に設けられた充填材と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
第１の基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に設けられた平坦化するための絶縁膜と、
前記平坦化するための絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続するＥＬ素子と、
前記ＥＬ素子上に設けられたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に設けられた第２の基板と、
前記パッシベーション膜と前記第２の基板との間に設けられた充填材と、を有し、
前記カラーフィルタは前記無機絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する電極と一部が重なることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に、一部に除去された部分を有して設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に設けられた平坦化するための第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続する第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第２の電極と、を有するＥＬ素子と、
溝が形成された第２の絶縁膜と、
前記薄膜トランジスタと前記ＥＬ素子の有する第１の電極とを電気的に接続する第３の電極と、を有し、
前記第１の電極と前記発光層とが前記第２の絶縁膜に形成された溝の中に形成されており、
前記カラーフィルタと前記第２の絶縁膜とは前記第１の絶縁膜を介して重なる部分を有し、
前記第３の電極は、前記カラーフィルタが除去された領域上に形成された前記平坦化するための絶縁膜及び前記第１の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと前記ＥＬ素子の有する第１の電極とを電気的に接続していることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
第１の基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に設けられた平坦化するための第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続する第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第２の電極と、を有するＥＬ素子と、
溝が形成された第２の絶縁膜と、
前記ＥＬ素子上に設けられたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に設けられた第２の基板と、
前記パッシベーション膜と前記第２の基板との間に設けられた充填材と、を有し、
前記第１の電極と前記発光層とが前記第２の絶縁膜に形成された溝の中に形成されており、
前記カラーフィルタと前記第２の絶縁膜とは前記第１の絶縁膜を介して重なる部分を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
第１の基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に設けられた無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に、一部に除去された部分を有して設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に設けられた平坦化するための絶縁膜と、
前記平坦化するための絶縁膜上に設けられたＥＬ素子と、
前記薄膜トランジスタと前記ＥＬ素子とを電気的に接続する電極と、
前記ＥＬ素子上に設けられたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に設けられた第２の基板と、
前記パッシベーション膜と前記第２の基板との間に設けられた充填材と、を有し、
前記電極は、前記カラーフィルタが除去された領域上に形成された前記平坦化するための絶縁膜及び前記無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと前記ＥＬ素子とを電気的に接続していることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項５、請求項６、請求項８または請求項９のいずれか一項において、
前記充填材には乾燥剤が含まれることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは逆スタガ型薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタの半導体層はポリシリコンを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタの半導体層はアモルファスシリコンを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記平坦化するための絶縁膜は樹脂絶縁膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記ＥＬ素子は第１の電極と、第２の電極と前記第１の電極と前記第２の電極との間に発光層と、を有し、
前記第１の電極又は前記第２の電極のいずれか一方は、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、又は酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物であることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記ＥＬ素子は第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に発光層と、を有し、
前記発光層は低分子系材料、又は高分子系材料で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、
前記ＥＬ素子は第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に発光層と、を有し、
前記発光層は白色発光層であることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一において、
前記カラーフィルタの画素配列はＲＧＢＷ４画素配列であることを特徴とする表示装置。