CN113138487B - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板及显示装置;该显示面板包括显示区和设置于显示区至少一侧的栅极驱动走线区,对应显示区和栅极驱动走线区的区域设置有色阻,栅极驱动走线区包括第一金属层和设置于第一金属层之上的第二金属层,并且位于栅极驱动走线区的色阻至少覆盖第二金属层。本申请通过在栅极驱动走线区设置覆盖第二金属层的色阻,增强了对第二金属层的保护,提升了显示面板的制程良率,由于覆盖第二金属层的色阻与显示区的色阻相同,可以通过同一制程制作,因此本申请在栅极驱动走线区增加色阻结构不会导致显示面板制程工艺的复杂化。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有轻薄、环保、高性能等优点,已广泛应用于各种电子产品中,尤其是大尺寸显示产品中。为了提升人们的视觉效果,拓宽可视范围,显示器的边框宽度要求越来越窄。目前,GOA(Gate Driver on Array,阵列基板行驱动)技术是实现窄边框的一种重要手段,该技术直接将电极驱动电路设计在阵列基板上,在缩小边框宽度的同时,还可以减少制作程序,降低产品成本,使面板更加轻薄。
GOA区域的显示面板线路集成复杂,覆盖第一金属层和第二金属层的保护性膜层,比如第二金属层上的钝化层,厚度较薄,在一些过孔刻蚀处理的过程中,这种保护性膜层容易被刻蚀损伤,导致第二金属层裸露,或第一金属层与第二金属层短路,进而造成显示面板功能异常。
所以,目前显示面板的GOA区域容易出现两层金属层之间短路的技术问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板及显示装置,用于缓解显示面板GOA区域的金属层存在的容易短路的技术问题。
本申请提供一种显示面板,其包括显示区和设置于所述显示区至少一侧的栅极驱动走线区;
所述显示面板还包括对应所述显示区和所述栅极驱动走线区设置的色阻层,所述色阻层包括色阻;
所述栅极驱动走线区包括第一金属层和设置于所述第一金属层之上的第二金属层,位于所述栅极驱动走线区的色阻至少覆盖所述第二金属层。
在本申请的显示面板中,所述栅极驱动走线区还包括设置于所述第一金属层与所述第二金属层之间的第一绝缘层,位于所述栅极驱动走线区的色阻覆盖所述第一绝缘层。
在本申请的显示面板中,所述栅极驱动走线区包括光阻层,所述光阻层覆盖位于所述栅极驱动走线区的色阻。
在本申请的显示面板中,所述显示区设置有所述光阻层,所述光阻层覆盖位于所述显示区的色阻。
在本申请的显示面板中,所述栅极驱动走线区还包括设置于所述第二金属层与所述色阻层之间的第二绝缘层,位于所述栅极驱动走线区的色阻覆盖所述第二绝缘层。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括像素电极,至少部分所述像素电极位于所述栅极驱动走线区,位于所述栅极驱动走线区的像素电极设置于所述光阻层上。
在本申请的显示面板中,所述第一金属层与所述第一绝缘层之间还设置有半导体层,所述第二金属层设置于所述半导体层上。
在本申请的显示面板中,所述第一金属层对应所述显示区和所述栅极驱动走线区设置;
所述第二金属层对应所述显示区和所述栅极驱动走线区设置。
在本申请的显示面板中,位于所述栅极驱动走线区的色阻包括蓝色阻。
本申请还提供一种显示装置,其包括如上所述显示面板。
本申请的有益效果是:本申请提供一种显示面板及显示装置,显示面板包括显示区和设置于显示区至少一侧的栅极驱动走线区,该显示面板还包括对应显示区和栅极驱动走线区设置的色阻层,色阻层包括色阻;栅极驱动走线区包括第一金属层和设置于第一金属层之上的第二金属层,位于栅极驱动走线区的色阻至少覆盖第二金属层。本申请通过在栅极驱动走线区设置覆盖第二金属层的色阻,增强了对第二金属层的保护,防止显示面板的刻蚀等制程导致第二金属层暴露以及第一金属层与第二金属层短路,有利于提升显示面板的制程良率;且覆盖第二金属层的色阻与显示区的色阻相同,可以通过同一制程制作,因此在栅极驱动走线区增加色阻结构不会导致显示面板制程工艺的复杂化。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本申请实施例提供的显示面板的平面结构示意图。
图2是图1所示的显示面板的栅极驱动走线区的第一种局部截面结构示意图。
图3是图1所示的显示面板的显示区的第一种局部截面结构示意图。
图4是图1所示的显示面板的栅极驱动走线区的第二种局部截面结构示意图。
图5是图1所示的显示面板的栅极驱动走线区的第三种局部截面结构示意图。
图6是图1所示的显示面板的显示区的第二种局部截面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种显示面板及显示装置,所述显示面板包括显示区和设置于所述显示区至少一侧的栅极驱动走线区,所述显示面板还包括对应所述显示区和所述栅极驱动走线区设置的色阻层,所述色阻层包括色阻;所述栅极驱动走线区包括第一金属层和设置于所述第一金属层之上的第二金属层,位于所述栅极驱动走线区的色阻至少覆盖所述第二金属层。本申请实施例通过在栅极驱动走线区设置覆盖第二金属层的色阻,增强了对第二金属层的保护,防止显示面板的刻蚀等制程导致第二金属层暴露以及第一金属层与第二金属层短路,有利于提升显示面板的制程良率;且覆盖第二金属层的色阻与显示区的色阻相同,可以通过同一制程制作,因此在栅极驱动走线区增加色阻结构不会导致显示面板制程工艺的复杂化。
请参阅图1,图1是本申请实施例提供的显示面板的平面结构示意图。所述显示面板包括显示区10、设置于所述显示区10侧边的栅极驱动走线区20和设置于所述栅极驱动走线区20的远离所述显示区10的一侧的公共走线区30。所述显示区10是所述显示面板上发挥显示功能的区域,所述显示区10内设置有用于实现其显示功能的多个像素单元。
可选地,所述栅极驱动走线区20包括两部分,分别对应设置于所述显示区10的相对两侧。所述栅极驱动走线区20内设置有栅极驱动电路,所述栅极驱动电路用于驱动所述显示区10内的像素单元进行显示。
可选地,所述公共走线区30包括两部分,分别对应设置于所述显示面板的相对两侧,且均位于所述栅极驱动走线区20的远离所述显示区10的侧边。所述公共走线区30内设置有公共走线,所述公共走线用于位于所述显示区10内的像素单元提供公共电压信号。
在一种实施例中,请参阅图2和图3,图2是图1所示的显示面板的栅极驱动走线区的第一种局部截面结构示意图,图3是图1所示的显示面板的显示区的第一种局部截面结构示意图。
所述显示面板包括覆盖所述显示区10和所述栅极驱动走线区20的衬底基板101,所述衬底基板101可以是玻璃等硬质基板,也可以是聚酰亚胺等柔性基板。
所述显示面板包括设置于所述衬底基板101上的第一金属层102,所述第一金属层102覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述第一金属层102上设置有金属走线,比如位于所述栅极驱动走线区20内的栅极和栅极线。
所述显示面板包括覆盖所述第一金属层102的第一绝缘层103,所述第一绝缘层103覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述第一绝缘层103包括无机绝缘材料。所述第一绝缘层103可以是栅极绝缘层。
所述显示面板包括设置于所述第一绝缘层103上的半导体层104,所述半导体层104覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述半导体层104内设置有半导体材料,所述半导体材料用于形成薄膜晶体管的有源层。
所述显示面板还包括设置于所述半导体层104上的第二金属层105,所述第二金属层105覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述第二金属层105的局部区域位于所述第一绝缘层103上,所述第二金属层105与所述第一金属层102通过所述第一绝缘层103保持电性绝缘。所述第二金属层105上设置有金属走线,所述金属走线包括用于构成薄膜晶体管的源极线和漏极线。
所述显示面板还包括覆盖所述第二金属层105的第二绝缘层106,所述第二绝缘层106覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述第二绝缘层106还可以进一步覆盖所述第一绝缘层103和所述半导体层104。所述第二绝缘层106包括无机绝缘材料。
所述显示面板还包括位于所述第二绝缘层106上的色阻层107,所述色阻层107覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述色阻层107包括多个色阻。
在所述栅极驱动走线区20内,所述色阻层107内的色阻至少覆盖所述第二金属层105所在的区域。由于所述第二金属层105位于所述第一金属层102和第一绝缘层103的上层,因此,覆盖所述第二金属层105的色阻也自然覆盖所述第一金属层102和第一绝缘层103;并且所述色阻层107由于位于所述第二绝缘层106的上层,其必然会对所述第二绝缘层106形成覆盖。因此,本实施例可以利用所述色阻层107实现对所述第二金属层105以及所述第二金属层105附近的绝缘膜层的保护。
进一步地,位于所述栅极驱动走线区20的色阻可以是蓝色阻、绿色阻和红色阻中的至少一种,优选为蓝色阻。当所述栅极驱动走线区20的色阻设置为蓝色阻时,在实现利用色阻对第二金属层105及第二金属层105附近的膜层进行保护的同时,利用透过蓝色阻的光线偏暗的特点,达到显示面板在栅极驱动走线区20内低透光或不透光的效果,提升显示面板的显示品质。
本实施例通过在所述栅极驱动走线区20内设置覆盖所述第二金属层105的色阻,增强了对第二金属层105及第二金属层105的附近膜层的保护,防止显示面板的刻蚀等制程对覆盖所述第二金属层105的绝缘膜层以及第一金属层102与第二金属层105之间的绝缘膜层产生刻蚀破坏效果,并导致第二金属层105暴露以及第一金属层102与第二金属层105短路。因此,本实施例有利于提升显示面板的制程良率。
在所述显示区10内,所述色阻层107包括阵列排布的多个色阻块,每个所述色阻块对应所述显示面板的一个像素单元设置。位于所述显示区10内的色阻包括红色阻、绿色阻和蓝色阻,所述红色阻、所述绿色阻和所述蓝色阻交替排列,所述红色阻对应所述显示面板的红像素单元,所述绿色阻对应所述显示面板的绿像素单元,所述蓝色阻对应所述显示面板的蓝像素单元。位于所述显示区10的色阻用于对所述显示面板的出光进行过滤,从而实现彩色显示。
此外,位于所述显示区10的色阻和位于所述栅极驱动走线区20的色阻在材料和制作工艺上保持一致,因此,在制作显示区10内的色阻时可以同步完成栅极驱动走线区20内色阻的制作。因此,本实施例提供的在栅极驱动走线区20制作色阻结构的设计不会导致显示面板制程工艺的复杂化。
所述显示面板还包括设置于所述色阻层107上的光阻层108,所述光阻层108覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述光阻层108用于对所述色阻层107及所述色阻层107以下的金属层和绝缘性膜层提供进一步的保护,降低出现刻蚀损伤的风险。
所述显示面板还包括设置于所述光阻层108上的像素电极109,所述像素电极109覆盖所述显示区10,并且所述像素电极109至少覆盖部分所述栅极驱动走线区20。位于所述显示区10内的像素电极109通过所述光阻层108、所述色阻层107和所述第二绝缘层106上的过孔,与所述第二金属层105电性连接。所述像素电极109对应显示面板的像素单元设置,所述像素电极109接收由所述第二金属层105传输的数据信号以控制各个像素单元的显示。
所述显示面板还包括设置于所述像素电极109上的液晶层111,且所述液晶层111对应所述显示区10设置。所述栅极驱动走线区20在对应所述液晶层111的膜层设置有封框胶110。所述液晶层111内设置有液晶,所述液晶用于调整所述显示面板的显示灰阶。所述封框胶110用于对所述液晶层111的侧边进行封装。
所述显示面板还包括设置于所述液晶层111和所述封框胶110上的公共电极112,所述公共电极112覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述公共电极112电性连接至所述公共走线区30。所述公共电极112用于提供公共电压,以驱动所述液晶层111内的液晶产生偏转。
所述显示面板还包括位于所述公共电极112上的上基板113,所述上基板113覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。
在一种实施例中,请参阅图4,图4是图1所示的显示面板的栅极驱动走线区的第二种局部截面结构示意图。其中,与图4对应的显示区的截面结构和图3所示的显示区的截面结构相同。
图4所示的栅极驱动走线区20的截面结构与图2所示的栅极驱动走线区20的截面结构相似,其不同之处仅在于以下方面:
所述第一绝缘层103沿所述第一金属层102的布置位置覆盖所述第一金属层102的全部外露表面。所述第二绝缘层106沿所述第二金属层105的布置位置覆盖所述第二金属层105的全部外露表面。所述色阻层107对所述第一绝缘层103和所述第二绝缘层106的全部外露表面形成包围式覆盖,从而对所述第一绝缘层103和所述第二绝缘层106形成全面保护,防止显示面板的刻蚀等制程对所述第一绝缘层103和所述第二绝缘层106造成破坏。
本实施例通过在所述栅极驱动走线区20内设置色阻,对第二金属层105及第二金属层105的附近膜层进行保护,防止显示面板的刻蚀等制程对覆盖所述第二金属层105的绝缘膜层以及第一金属层102与第二金属层105之间的绝缘膜层产生刻蚀破坏效果,进而防止第二金属层105暴露以及第一金属层102与第二金属层105短路,有利于提升显示面板的制程良率;且覆盖第二金属层105的色阻与显示区10的色阻相同,可以通过同一制程制作,因此在栅极驱动走线区20增加色阻结构不会导致显示面板制程工艺的复杂化。
在一种实施例中,请参阅图5和图6,图5是图1所示的显示面板的栅极驱动走线区的第三种局部截面结构示意图,图6是图1所示的显示面板的显示区的第二种局部截面结构示意图。其中,图5所示的栅极驱动走线区的显示面板结构与图2所示的栅极驱动走线区的显示面板结构相同或相似,图6所示的显示区的显示面板结构与图3所示的显示区的显示面板结构相同或相似,下面对图5和图6所示的显示面板结构进行说明,其中未详述之处,请参阅上述实施例的记载。
所述显示面板包括覆盖所述显示区10和所述栅极驱动走线区20的衬底基板101。所述衬底基板101上设置有第一金属层102和半导体层104,所述第一金属层102和所述半导体层104均覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述半导体层104内设置有半导体材料,所述半导体材料用于形成薄膜晶体管的有源层。所述第一金属层102上设置有金属走线,所述金属走线包括用于构成薄膜晶体管的源极和漏极。
所述显示面板包括覆盖所述第一金属层102和所述半导体层104的第一绝缘层103,所述第一绝缘层103覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述第一绝缘层103包括无机绝缘材料。所述第一绝缘层103可以是栅极绝缘层。
所述显示面板还包括设置于所述第一绝缘层103上的第二金属层105,所述第二金属层105覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述第二金属层105上设置有金属走线,所述金属走线包括用于构成薄膜晶体管的栅极。
所述显示面板还包括覆盖所述第二金属层105的第二绝缘层106,所述第二绝缘层106覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。
所述显示面板还包括位于所述第二绝缘层106上的色阻层107,所述色阻层107覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述色阻层107包括多个色阻。
在所述栅极驱动走线区20内,所述色阻层107内的色阻至少覆盖所述第二金属层105所在的区域。由于所述第二金属层105位于所述第一金属层102和第一绝缘层103的上层,因此,覆盖所述第二金属层105的色阻也自然覆盖所述第一金属层102和第一绝缘层103;并且所述色阻层107由于位于所述第二绝缘层106的上层,其必然会对所述第二绝缘层106形成覆盖。因此,本实施例可以利用所述色阻层107实现对所述第二金属层105以及所述第二金属层105附近的绝缘膜层的保护。
进一步地,位于所述栅极驱动走线区20的色阻可以是蓝色阻、绿色阻和红色阻中的至少一种,优选为蓝色阻。当所述栅极驱动走线区20的色阻设置为蓝色阻时,在实现利用色阻对第二金属层105及第二金属层105附近的膜层进行保护的同时,利用透过蓝色阻的光线偏暗的特点,达到显示面板在栅极驱动走线区20内低透光或不透光的效果,提升显示面板的显示品质。
本实施例通过在所述栅极驱动走线区20内设置覆盖所述第二金属层105的色阻,增强了对第二金属层105及第二金属层105的附近膜层的保护,防止显示面板的刻蚀等制程对覆盖所述第二金属层105的绝缘膜层以及第一金属层102与第二金属层105之间的绝缘膜层产生刻蚀破坏效果,并导致第二金属层105暴露以及第一金属层102与第二金属层105短路。因此,本实施例有利于提升显示面板的制程良率。
在所述显示区10内,所述色阻层107包括阵列排布的多个色阻块,每个所述色阻块对应所述显示面板的一个像素单元设置。位于所述显示区10内的色阻包括红色阻、绿色阻和蓝色阻,所述红色阻、所述绿色阻和所述蓝色阻交替排列,所述红色阻对应所述显示面板的红像素单元,所述绿色阻对应所述显示面板的绿像素单元,所述蓝色阻对应所述显示面板的蓝像素单元。位于所述显示区10的色阻用于对所述显示面板的出光进行过滤,从而实现彩色显示。
此外,位于所述显示区10的色阻和位于所述栅极驱动走线区20的色阻在材料和制作工艺上保持一致,因此,在制作显示区10内的色阻时可以同步完成栅极驱动走线区20内色阻的制作。因此,本实施例提供的在栅极驱动走线区20制作色阻结构的设计不会导致显示面板制程工艺的复杂化。
所述显示面板还包括设置于所述色阻层107上的光阻层108,所述光阻层108覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。
所述显示面板还包括设置于所述光阻层108上的像素电极109,所述像素电极109覆盖所述显示区10,并且所述像素电极109至少覆盖部分所述栅极驱动走线区20。位于所述显示区10内的像素电极109通过所述光阻层108、所述色阻层107、所述第二绝缘层106和所述第一绝缘层103上的过孔,与所述第一金属层102电性连接。所述像素电极109对应显示面板的像素单元设置,所述像素电极109接收由所述第一金属层102传输的数据信号以控制各个像素单元的显示。
所述显示面板还包括设置于所述像素电极109上的液晶层111,且所述液晶层111对应所述显示区10设置。所述栅极驱动走线区20在对应所述液晶层111的膜层设置有封框胶110。所述液晶层111内设置有液晶,所述液晶用于调整所述显示面板的显示灰阶。所述封框胶110用于对所述液晶层111的侧边进行封装。
所述显示面板还包括设置于所述液晶层111和所述封框胶110上的公共电极112,所述公共电极112覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。所述公共电极112电性连接至所述公共走线区30。所述公共电极112用于提供公共电压,以驱动所述液晶层111内的液晶产生偏转。
所述显示面板还包括位于所述公共电极112上的上基板113,所述上基板113覆盖所述显示面板的显示区10和栅极驱动走线区20。
可选地,请参阅图5,所述第一绝缘层103还可以沿所述第一金属层102的布置位置覆盖所述第一金属层102的全部外露表面。所述第二绝缘层106还可以沿所述第二金属层105的布置位置覆盖所述第二金属层105的全部外露表面。所述色阻层107对所述第一绝缘层103和所述第二绝缘层106的全部外露表面形成包围式覆盖,从而对所述第一绝缘层103和所述第二绝缘层106形成全面保护。
综上所述,本申请实施例提供的显示面板,通过在栅极驱动走线区内设置色阻,对第二金属层及第二金属层的附近膜层进行保护,防止显示面板的刻蚀等制程对覆盖所述第二金属层的绝缘膜层以及第一金属层与第二金属层之间的绝缘膜层产生刻蚀破坏效果,进而防止第二金属层暴露以及第一金属层与第二金属层短路,有利于提升显示面板的制程良率;且覆盖第二金属层的色阻与显示区的色阻相同,可以通过同一制程制作,因此在栅极驱动走线区增加色阻结构不会导致显示面板制程工艺的复杂化。
本申请实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括本申请实施例提供的显示面板。所述显示装置可以是显示器、手机、平板电脑、笔记本电脑、导航仪、电视机等具有显示功能的器件。
需要说明的是,虽然本申请以具体实施例揭露如上,但上述实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (8)
1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区和设置于所述显示区至少一侧的栅极驱动走线区;
所述显示面板还包括对应所述显示区和所述栅极驱动走线区设置的色阻层,所述色阻层包括色阻;
所述栅极驱动走线区包括第一金属层、覆盖所述第一金属层的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二金属层、以及覆盖所述第二金属层的第二绝缘层,所述第一绝缘层沿所述第一金属层的布置位置覆盖所述第一金属层的全部外露表面,所述第二绝缘层沿所述第二金属层的布置位置覆盖所述第二金属层的全部外露表面,位于所述栅极驱动走线区的色阻对所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的全部外露表面形成包围式覆盖。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述栅极驱动走线区包括光阻层,所述光阻层覆盖位于所述栅极驱动走线区的色阻。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示区设置有所述光阻层,所述光阻层覆盖位于所述显示区的色阻。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括像素电极,至少部分所述像素电极位于所述栅极驱动走线区,位于所述栅极驱动走线区的像素电极设置于所述光阻层上。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层与所述第一绝缘层之间还设置有半导体层,所述第二金属层设置于所述半导体层上。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层对应所述显示区和所述栅极驱动走线区设置;
所述第二金属层对应所述显示区和所述栅极驱动走线区设置。
7.根据权利要求1至6中任一所述的显示面板,其特征在于,位于所述栅极驱动走线区的色阻包括蓝色阻。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至7中任一所述显示面板。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003228082A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Acer Display Technology Inc | 薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法 |
CN101673017A (zh) * | 2009-10-28 | 2010-03-17 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板及其制造方法 |
CN106681071A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-17 | 惠科股份有限公司 | 液晶显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (19)
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---|---|---|---|---|
JP2001175198A (ja) | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
TWI253538B (en) * | 2000-09-30 | 2006-04-21 | Au Optronics Corp | Thin film transistor flat display and its manufacturing method |
JP2003202589A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP5110803B2 (ja) | 2006-03-17 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
KR101294260B1 (ko) * | 2006-08-18 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2008205333A (ja) | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
KR102549916B1 (ko) | 2008-07-10 | 2023-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
KR101458914B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2014-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
CN101692327A (zh) * | 2009-11-02 | 2010-04-07 | 友达光电股份有限公司 | 具有控制电路保护功能的平面显示装置 |
US8952379B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN104393003A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-03-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板及其制造方法 |
TW201631367A (zh) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製作方法 |
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CN107908047B (zh) * | 2017-12-21 | 2020-09-04 | 惠科股份有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
KR102477605B1 (ko) * | 2018-01-23 | 2022-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN108761941B (zh) * | 2018-05-31 | 2021-04-20 | Tcl华星光电技术有限公司 | Coa型液晶显示面板结构及coa型液晶显示面板的制作方法 |
CN109887968A (zh) * | 2019-02-25 | 2019-06-14 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003228082A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Acer Display Technology Inc | 薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法 |
CN101673017A (zh) * | 2009-10-28 | 2010-03-17 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板及其制造方法 |
CN106681071A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-17 | 惠科股份有限公司 | 液晶显示面板及其制备方法 |
Also Published As
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