CN101009311A - 有机发光显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机发光显示器及其制造方法，其能够防止元件由于激光照射玻璃粉以密封基板时产生的大量热而被损坏。该有机发光显示器包括：第一基板，包括像素区域和非像素区域；有机发光像素阵列，形成在所述像素区域之上；导电线，形成在所述非像素区域之上；第二基板，放置在所述第一基板之上使得所述阵列和所述导电线置于所述第一和第二基板之间；以及玻璃料密封件，置于所述第一和第二基板之间且围绕所述阵列，所述玻璃料密封件互连所述第一和第二基板，所述玻璃料密封件包括与所述导电线交迭的部分，其中当从所述第二基板观察时所述玻璃料密封件的所述部分基本遮蔽所述导电线。

Description

有机发光显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机发光显示器及其制造方法，更特别地，涉及有机发光显示器的封装。
背景技术
为了改进常规显示器例如阴极射线管的缺点，近来注意力已经集中在平板显示器上，例如液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)、以及等离子体显示板(PDP)。
因为液晶显示器是无源装置而不是发射装置，因此难以使之具有高的亮度和对比度、宽视角、以及大尺寸屏幕。另一方面，PDP是自发光的发射装置。然而，PDP与其它显示器相比笨重、耗能多、且需要复杂的制造工艺。
有机发光显示器(OLED)是发射装置。OLED具有宽视角和高对比度。另外，由于不需要背光，所以它可以制造得重量轻、紧凑、且省电。此外，OLED能够以低DC电压驱动，具有快的响应速度，且完全由固体材料形成。因此，OLED具有经受外部冲击和宽的温度范围的能力，并且能够以低成本制造。
发明内容
本发明的一个方面提供一种有机发光显示(OLED)装置。该装置包括：第一基板，包括像素区域和非像素区域；有机发光像素阵列，形成在所述像素区域之上；导电线，形成在所述非像素区域之上；第二基板，放置在所述第一基板之上使得所述阵列和所述导电线置于所述第一和第二基板之间；以及玻璃料密封件，置于所述第一和第二基板之间且围绕所述阵列，所述玻璃料密封件互连所述第一和第二基板，所述玻璃料密封件包括与所述导电线交迭的部分，其中当从所述第二基板观察时，所述玻璃料密封件的所述部分基本遮蔽所述导电线。
所述导电线可通过另一电互连电连接到所述阵列。所述装置还可包括置于所述第一基板和所述阵列之间的多个薄膜晶体管，所述导电线可连接到所述多个薄膜晶体管。所述装置还可包括至少形成在所述第一基板的所述非像素区域之上的平坦化层，所述玻璃料密封件可接触所述平坦化层。所述玻璃料密封件可接触所述导电线。
所述导电线可沿所述第一基板的周围边缘延伸，且所述玻璃料密封件的部分可沿所述第一基板的该周围边缘延伸。所述玻璃料密封件还可包括另一部分，当从所述第二基板观察时该另一部分不完全遮蔽所述导电线。在与所述导电线延伸的方向垂直的所述导电线的横截面中，所述导电线可包括未被遮蔽部分和被遮蔽部分，且所述未被遮蔽部分可基本小于所述被遮蔽部分。
所述玻璃料密封件的所述部分可具有一宽度，所述导电线在所述部分交迭处可具有一宽度，且所述部分的所述宽度可基本大于所述导电线的所述宽度。所述玻璃料密封件的所述部分可具有一宽度，所述导电线在所述部分交迭处可具有一宽度，且所述部分的所述宽度可为所述导电线的所述宽度的约95％至约200％。所述导电线可由金属制成。
本发明的另一方法提供一种制造有机发光显示(OLED)装置的方法。该方法包括：提供未完成的装置，包括第一基板、形成在所述第一基板之上的有机发光像素阵列、以及形成在所述基板之上并不交迭所述阵列的导电线；还提供第二基板和玻璃料；将该玻璃料置于所述第一和第二基板之间，使得所述阵列置于所述第一和第二基板之间，所述玻璃料围绕所述阵列，且所述玻璃料的一部分交迭所述导电线，其中当从所述第二基板观察时，所述玻璃料密封件的所述部分基本遮蔽所述导电线，其中所述玻璃料连接到所述导电线，其间有或没有材料，且其中所述玻璃料连接到所述第二基板，其间有或没有材料；以及熔化和再凝固至少部分所述玻璃料从而通过所述玻璃料互连所述未完成的装置和所述第二基板。
熔化可包括应用热到所述至少部分该玻璃料。熔化可包括沿从所述第二基板到所述第一基板的方向应用激光或红外光到该玻璃料的所述至少部分，且到达所述导电线的基本所有光可在经过所述玻璃料之后到达所述导电线。所述导电线可由金属制成。置入所述玻璃料可包括使所述玻璃料与所述导电线接触。置入所述玻璃料可包括使所述玻璃料与所述第二基板接触。
所述未完成的装置还可包括通常形成于所述导电线之上的具有暴露部分所述导电线的开口的平坦化层，置入所述玻璃料可包括使所述玻璃料通过所述开口与所述导电线接触。所述玻璃料密封件的所述部分可具有一宽度，所述导电线在所述部分交迭处具有一宽度，且所述部分的所述宽度可为所述导电线的所述宽度的约95％至约200％。所述玻璃料密封件还可包括另一部分，当从所述第二基板观察时该另一部分不完全遮蔽所述导电线。
本发明的另一方面提供一种有机发光显示器及其制造方法，其能够防止元件由于激光照射玻璃粉以密封基板时产生的大量热而被损坏。
附图说明
下面将结合附图参照其特定示例性实施例来描述本发明的上述和其它特征，附图中：
图1是常规有机发光显示器的剖视图；
图2至图5是根据实施例的有机发光显示器的剖视图；
图6A是根据一实施例的无源矩阵型有机发光显示装置的示意分解图；
图6B是根据一实施例的有源矩阵型有机发光显示装置的示意分解图；
图6C是根据一实施例的有机发光显示器的示意顶平面图；
图6D是沿线D-D取得的图6C的有机发光显示器的剖视图；
图6E是示意性透视图，示出根据一实施例的有机发光装置的批量生产。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地说明本发明的特定实施例。然而，本发明能够以不同形式实施，且不应解释为局限于这里提出的实施例。为清晰起见，图中层的厚度和区域被放大。相似的附图标记表示相同或功能性相似的元件。
有机发光显示器(OLED)是包括有机发光二极管阵列的显示装置。有机发光二极管是固态器件，其包括有机材料并适于在施加合适的电势时产生和发射光。
根据提供激励电流所利用的布置，OLED通常可分为两种基本类型。图6A示意性示出了无源矩阵型OLED 1000的简化结构的分解视图。图6B示意性示出了有源矩阵型OLED 1001的简化结构。在两种构造中，OLED 1000、1001包括构建在基板1002之上的OLED像素，所述OLED像素包括阳极1004、阴极1006和有机层1010。当合适的电流施加到阳极1004时，电流流经像素且从有机层发射可见光。
参照图6A，无源矩阵OLED(PMOLED)设计包括阳极1004的长条，其基本垂直于阴极1006的长条布置，有机层置于其间。阴极1006和阳极1004的条的交叉定义各OLED像素，当适当地激发阳极1004和阴极1006的对应条时，在该像素处产生并发射光。PMOLED提供制造相对简单的优点。
参照图6B，有源矩阵OLED(AMOLED)包括布置在基板1002和OLED像素阵列之间的驱动电路1012。AMOLED的各像素定义在公共阴极1006与阳极1004之间，阳极1004与其它阳极电隔离。每个驱动电路1012与OLED像素的阳极1004耦接且还与数据线1016和扫描线1018耦接。在实施例中，描线1018提供选择驱动电路的行的扫描信号，且数据线1016提供用于特定驱动电路的数据信号。数据信号和扫描信号激励局部驱动电路1012，其激发阳极1004从而从阳极1004的对应像素发射光。
在所示AMOLED中，局部驱动电路1012、数据线1016和扫描线1018埋设在平坦化层1014中，平坦化层1014置于像素阵列与基板1002之间。平坦化层1014提供其上形成有机发光像素阵列的平坦顶表面。平坦化层1014可以由有机或无机材料形成，并由两层或更多层形成，尽管示出为单层。部驱动电路1012通常利用薄膜晶体管(TFT)形成并在OLED像素阵列之下以栅格(grid)或阵列布置。局部驱动电路1012可至少部分地由有机材料制成，包括有机TFT。AMOLED具有快响应时间的优点，提高了它们用于显示数据信号的满意度。另外，AMOLED具有比无源矩阵OLED耗能低的优点。
参照PMOLED和AMOLED设计的共同特征，基板1002为OLED像素和电路提供结构支承。在各种实施例中，基板1002可包括刚性或柔性材料以及不透明或透明材料例如塑料、玻璃、和/或箔。如上所述，每个OLED像素或二极管利用阳极1004、阴极1006和置于其间的有机层1010形成。当合适的电流施加到阳极1004时，阴极1006注入电子且阳极1004注入空穴。在某些实施例中，阳极1004和阴极1006颠倒；即阴极形成在基板1002上且阳极相对地布置。
置于阴极1006和阳极1004之间的是一个或更多有机层。更具体地，至少一个发射或发光层置于阴极1006和阳极1004之间。发光层可包括一种或更多发光有机化合物。通常，发光层配置为发射单色可见光，例如蓝、绿、红或白色。在所示实施例中，一个有机层1010形成在阴极1006和阳极1004之间并用作发光层。可形成在阳极1004和阴极1006之间的额外层可包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层。
空穴传输和/或注入层可置于发光层1010与阳极1004之间。电子传输和/或注入层可置于阴极1006与发光层1010之间。电子注入层通过减小从阴极1006注入电子的功函数来促进电子从阴极1006向发光层1010的注入。类似地，空穴注入层促进空穴从阳极1004向发光层1010的注入。空穴和电子传输层促进从各电极向发光层注入的载流子的移动。
在一些实施例中，单层可起到电子注入和传输功能或者空穴注入和传输功能。在一些实施例中，缺少这些层中的一种或更多。在一些实施例中，一个或更多有机层被掺杂以一种或更多有助于载流子注入和/或传输的材料。在仅一个有机层形成在阴极和阳极之间的实施例中，该有机层可不仅包括有机发光化合物而且还包括有助于载流子在该层内注入或传输的某些功能性材料。
已经开发了多种有机材料用于在包括发光层的这些层中使用。另外，用于在这些层中使用的多种其它有机材料正在被开发。在一些实施例中，这些有机材料可以是包括低聚物和聚合物的大分子。在一些实施例中，用于这些层的有机材料可以是相对小的分子。本领域技术人员将能够根据特定设计中各层的所需功能以及相邻层的材料为这些层的每个选择合适的材料。
在操作中，电路在阴极1006和阳极1004之间提供合适的电势。这使得电流从阳极1004经置于其间的有机层流向阴极1006。在一实施例中，阴极1006向相邻的有机层1010提供电子。阳极1004向有机层1010注入空穴。空穴和电子在有机层1010中复合并产生称为“激子”的能量粒子。激子将它们的能量转移到有机层1010中的有机发光材料，并且该能量用于从有机发光材料发射可见光。OLED 1000、1001产生和发射的光的谱特性依赖于有机层中有机分子的性质和成分。本领域技术人员可以选择一个或更多有机层的成分从而适合特定应用的需要。
OLED装置还可以基于光发射方向被分类。在称为“顶发射”型的一类型中，OLED装置通过阴极或顶电极1006发射光和显示图像。在这些实施例中，阴极1006由相对于可见光透明或至少部分透明的材料制成。在某些实施例中，为避免损失可穿过阳极或底电极1004的任何光，阳极可由基本反射可见光的材料制成。第二类OLED装置通过阳极或底电极1004发射光且被称为“底发射”型。在底发射型OLED装置中，阳极1004由相对于可见光至少部分透明的材料制成。通常，在底发射型OLED装置中，阴极1006由基本发射可见光的材料制成。第三类OLED装置沿两个方向发射光，例如通过阳极1004和阴极1006。根据光发射的方向，基板可由对可见光透明、不透明或反射的材料形成。
在很多实施例中，包括多个有机发光像素的OLED像素阵列1021如图6C所示地布置在基板1002之上。在实施例中，阵列1021中的像素通过驱动电路(未示出)被控制来开启和关闭，多个像素作为整体在阵列1021上显示信息或图像。在特定实施例中，OLED像素阵列1021相对于其它部件例如驱动和控制电子部件布置从而定义显示区域和非显示区域。在这些实施例中，显示区域指基板1002的形成OLED像素阵列1021的区域。非显示区域指基板1002的其余区域。在实施例中，非显示区域可包含逻辑和/或电源电路。将理解，将有至少部分控制/驱动电路元件布置在显示区域内。例如，在PMOLED中，导电部件将延伸到显示区域中从而向阳极和阴极提供合适的电势。在AMOLED中，与驱动电路耦接的局部驱动电路和数据/扫描线将延伸到显示区域中从而驱动和控制AMOLED的各像素。
OLED装置中一个设计和制造考虑因素是OLED装置的某些有机材料层会由于暴露于水、氧或其它有害气体而受到损坏或加速恶化。因此，公知地，OLED装置被密封或封闭从而防止暴露于制造或操作环境中发现的湿气和氧或其它有害气体。图6D示意性示出了具有图6C的布局且沿图6C的线D-D取得的封闭的OLED装置1011的剖面。在该实施例中，通常平坦的顶板或基板1061与密封件1071接合，密封件1071还与底板或基板1002接合，从而封闭或封围OLED像素阵列1021。在另一些实施例中，一个或更多层形成在顶板1061或底板1002上，且密封件1071通过这样的层与底或顶基板1002、1061耦合。在所示实施例中，密封件1071沿OLED像素阵列1021或者底或顶板1002、1061的周边延伸。
在实施例中，密封件1071由玻璃料材料(frit material)制成，下面将进一步论述。在各种实施例中，顶和底板1061、1002包括诸如塑料、玻璃和/或金属箔的材料，其能够提供对氧和/或水的通道的阻挡，从而保护OLED像素阵列1021免于暴露到这些物质。在实施例中，顶板1061和底板1002的至少一个由基本透明的材料形成。
为了延长OLED装置1011的寿命，通常期望密封件1071以及顶和底板1061、1002提供对氧和水蒸汽基本不渗透的密封且提供基本密封的封闭空间1081。在某些应用中，显示出与顶和底板1061、1002结合的玻璃料材料的密封件1071提供对氧的小于约10-3cc/m2-天和对水的小于10-6g/m2-天的阻挡。假定一些氧和湿气能渗透到封闭空间1081中，在一些实施例中，能吸收氧和/或湿气的材料形成在封闭空间1081内。
密封件1071具有宽度W，这是其沿与顶或底基板1061、1002的表面平行的方向的厚度，如图6D所示。该宽度在各实施例中改变且在从约300μm到约3000μm的范围，可选地从约500μm到约1500μm。另外，该宽度可在密封件1071的不同位置处改变。在一些实施例中，密封件1071的宽度可在密封件1071接触底和顶基板1002、1061之一或形成于其上的层的地方最大。该宽度可在密封件1071接触另一个的地方最小。密封件1071的单个剖面中该宽度的变化与密封件1071的剖面形状和其它设计参数有关。
密封件1071具有高度H，这是其沿垂直于顶或底基板1061、1002的表面方向的厚度，如图6D所示。该高度在各实施例中改变且在从约2μm到约30μm的范围，可选地从约10μm到约15μm。通常，该高度在密封件1071的不同位置不显著改变。然而，在某些实施例中，密封件1071的高度可在其不同位置改变。
在所示实施例中，密封件1071具有基本矩形的横截面。然而，在另一些实施例中，密封件1071可具有其它各种横截面形状例如基本正方形横截面、基本梯形横截面、具有一个或更多圆化边缘的横截面、或给定应用的需求所指明的其它构造。为了改善密封性(hermeticity)，通常期望增加密封件1071直接接触底或顶基板1002、1061或形成在其上的层处的界面面积。在一些实施例中，可以设计密封件的形状使得该界面面积可被增加。
密封件1071可以与OLED阵列1021紧邻地布置，在另一些实施例中，密封件1071与OLED阵列1021间隔开某一距离。在某些实施例中，密封件1071包括基本线性的片断(segment)，所述片断连接到一起从而围绕OLED阵列1021。在某些实施例中，密封件1071的这些线性片断可以与OLED阵列1021的各边界基本平行地延伸。在另一些实施例中，密封件1071的一个或更多线性片断以与OLED阵列1021的各边界不平行的关系布置。在又一些实施例中，至少部分密封件1071在顶板1061和底板1002之间以曲线方式延伸。
如上所述，在某些实施例中，密封件1071利用玻璃料材料(frit material)或简单地“玻璃料(frit)”或“玻璃粉(glass frit)”形成，其包括精细玻璃颗粒。玻璃料颗粒包括氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化硼(B2O3)、氧化钒(V2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化碲(TeO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氧化铅(PbO)、氧化锡(SnO)、氧化磷(P2O5)、氧化钌(Ru2O)、氧化铷(Rb2O)、氧化铑(Rh2O)、氧化铁(Fe2O3)、氧化铜(CuO)、氧化钛(TiO)、氧化钨(WO3)、氧化铋(Bi2O3)、氧化锑(Sb2O3)、硼酸铅玻璃(lead-borate glass)、磷酸锡玻璃(tin-phosphate glass)、钒酸盐玻璃(vanadate glass)和硼硅酸盐(borosilicate)等中的一种或更多。在实施例中，这些颗粒在从约2μm到约30μm的尺寸范围，可选地从约5μm到约10μm，尽管不限于此。颗粒可以和玻璃料密封件1071接触处顶和底基板1061、1002或形成于这些基板上的一些层之间的距离约一般大。
用于形成密封件1071的玻璃料材料还可包括一种或更多填料(filler)或添加剂材料(additive material)。填料或添加剂材料可被提供来调节密封件1071的总体热膨胀特性和/或调节密封件1071对入射辐射能量的选定频率的吸收特性。填料或添加剂材料还可包括反型(inversion)和/或加性(additive)填料从而调整玻璃料的热膨胀系数。例如，填料或添加剂材料可包括过渡金属例如铬(Cr)、铁(Fe)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)和/或钒。用于填料或添加剂的另外的材料包括ZnSiO4、PbTiO3、ZrO2、锂霞石。
在实施例中，作为干成分的玻璃料材料含有约20至约90wt％(重量百分比)的玻璃颗粒，其余的包括填料和/或添加剂。在一些实施例中，玻璃料膏含有约10-30wt％的有机材料和约70-90％的无机材料。在一些实施例中，剥离料膏含有约20wt％的有机材料和约80wt％的无机材料。在一些实施例中，有机材料可包括约0-30wt％的粘结剂(binder)(或多种粘合剂)和约70-100wt％的溶剂(或多种溶剂)。在一些实施例中，在有机材料中约10wt％是粘结剂(或多种粘合剂)且约90wt％是溶剂(或多种溶剂)。在一些实施例中，无机材料可包括约0-10wt％的添加剂、约20-40wt％的填料和约50-80wt％的玻璃粉。在一些实施例中，在无机材料中，约0-5wt％是添加剂(或多种添加剂)，约25-30wt％是填料(或多种填料)，约65-75wt％是玻璃粉。
形成玻璃料密封件时，液体材料添加到干玻璃料材料从而形成玻璃料膏。具有或没有添加剂的任何有机或无机溶剂可用作该液体材料。在实施例中，该溶剂包括一种和更多有机化合物。例如，可用的有机化合物为乙基纤维素(ethyl cellulose)、硝酸纤维素(nitro cellulose)、丙羟基纤维素(hydroxylpropyl cellulose)、丁基卡必醇醋酸盐(butyl carbitol acetate)、松油醇(terpineol)、乙二醇单丁醚(butyl cellusolve)、丙烯酸盐化合物(acrylatecompound)。然后，这样形成的玻璃料膏可被应用来在顶和/或底板1061、1002上形成密封件1071的形状。
在一示例性实施例中，密封件1071的形状最初由玻璃料膏形成且置于顶板1061和底板1002之间。在某些实施例中密封件1071可被预固化或预烧结到顶板和底板1061、1002之一。在顶板1061和底板1002与置于其间的密封件1071的组装之后，部分密封件1071被选择性加热使得形成密封件1071的玻璃料材料至少部分地熔化。然后使密封件1071重新凝固从而在顶板1061和底板1002之间形成稳固结合，从而防止封闭的OLED像素阵列1021暴露于氧或水。
在实施例中，玻璃料密封件的选择性加热通过光照进行，例如激光或定向红外灯。如前所述，形成密封件1071的玻璃料材料可以与一种或更多添加剂或填料结合，例如选择用来改善所照射的光的吸收以促进玻璃料材料的加热和熔化从而形成密封件1071的物质。
在一些实施例中，OLED装置1011被批量生产。在图6E所示的实施例中，多个分开的OLED阵列1021形成在公共底基板1101上。在所示实施例中，每个OLED阵列1021被将形成密封件1071的成形玻璃料围绕。在实施例中，公共顶基板(未示出)放置在公共底基板1101以及形成于其上的结构之上使得OLED阵列1021和成形玻璃料膏置于公共底基板1101和公共顶基板之间。例如通过前述用于单个OLED显示装置的包封工艺，OLED阵列1021被封闭且密封。所得产品包括通过公共底和顶基板保持在一起的多个OLED装置。然后，所得产品被切割成多块，其每个构成图6D的OLED装置1011。在某些实施例中，各OLED装置1011然后还经历另外的封装操作从而进一步改善通过玻璃料密封件1071以及顶和底基板1061、1002形成的密封。
图1是常规有机发光显示器的剖视图。参照图1，有机发光显示器包括基板100、半导体层110、栅极绝缘层120、栅极电极130a、扫描驱动器130b、层间绝缘层140、以及源极和漏极电极150。基板100具有像素区域I和非像素区域II。另外，有机发光显示器还包括电连接到源极和漏极电极150的公共电源线150b。有机发光显示器还包括第二电极电源线150a。
平坦化层160设置在基板100的基本整个表面之上。平坦化层160可包括有机材料例如基于丙烯酸类的树脂(acryl-based resin)或基于聚酰亚胺的树脂。
平坦化层160具有用于暴露公共电源线150b、第二电极电源线150a、以及源极和漏极电极150的通孔。公共电源线150b被暴露从而当基板利用玻璃粉密封时提高粘合强度。
包括反射层170的第一电极171设置在像素区域I中平坦化层160的部分之上。像素定义层180设置在基板100的基本整个表面之上。
包括至少一个发射层的有机层190设置在第一电极171之上。第二电极200设置在有机层190之上。封装基板210与基板100相对地设置。基板100和封装基板210利用玻璃粉220密封。
所示有机发光显示器包括设置在用于密封基板的玻璃粉220之下的公共电源线。公共电源线具有比玻璃粉宽的宽度。因此，当激光束照射到玻璃粉时，激光束也会照射到部分公共电源线。公共电源线可将激光产生的热传输到第二电源线，由此将热沿第二电极传输到元件中。该问题会损坏有机层，降低有机发光显示器的可靠性。
图2至5是根据实施例的有机发光显示器的剖视图。参照图2，基板300包括像素区域I和非像素区域II。基板300可以是绝缘玻璃基板、塑料基板、或导电基板。
在所示实施例中，缓冲层310形成在基板300的基本整个表面之上。缓冲层310可以是硅氧化物层、硅氮化物层、或硅氧化物和硅氮化物的复合层。另外，缓冲层310可用作钝化层，用于防止杂质从基板300扩散出来。
接着，半导体层320形成在像素区域I中的部分缓冲层310上。半导体层320可包括非晶硅或多晶硅。然后，栅极绝缘层330形成在基板300的基本整个表面之上。栅极绝缘层330可以是硅氧化物层、硅氮化物层、或硅氧化物和硅氮化物的复合层。
然后，栅极电极340a形成在栅极绝缘层330之上。栅极电极340a与部分半导体层320交迭。栅极电极340a可以由Al、Cu或Cr形成。
接着，层间绝缘层350形成在基板300的基本整个表面之上。层间绝缘层350可以是硅氧化物层、硅氮化物层、或硅氧化物和硅氮化物的复合层。在像素区域I中的层间绝缘层350和栅极绝缘层330被蚀刻从而形成用于暴露部分半导体层320的接触孔351和352。
然后，源极和漏极电极360a和360b形成在像素区域I中在层间绝缘层350上。源极和漏极电极360a和360b可由选自Mo、Cr、Al、Ti、Au、Pd和Ag构成的组的一种形成。另外，源极和漏极电极360a和360b通过接触孔351和352电连接到半导体层320。
另外，当形成源极和漏极电极360a和360b时，导电线360d可形成在非像素区域II中。导电线360d可用作公共电源线。另外，第二电极电源线360c也可同时形成。此外，当形成栅极电极340a时，扫描驱动器340b可形成在非像素区域II。
在一个实施例中，非像素区域II中的导电线360d窄于将形成在导电线360d之上的玻璃粉430(图5)。玻璃粉430可具有与导电线360d交迭的部分。当从上观察时，该部分玻璃粉基本遮蔽导电线360d。在一个实施例中，玻璃粉可具有在约0.6mm和约0.7mm之间的宽度W1。然而，玻璃粉的宽度W1可根据OLED装置的设计而变化。可以使导电线360d的宽度W2适合于玻璃粉的宽度。在一个实施例中，导电线360d的宽度W2为玻璃粉430的最大宽度W1的约10％、约20％、约30％、约40％、约50％、约60％、约65％、约70％、约75％、约80％、约85％、约90％、约95％、约96％、约97％、约98％、约99％、约100％、约102％、约104％、约106％、约108％、或约110％。
玻璃粉用作OLED装置的密封剂，下面将更详细地论述。玻璃粉通过激光工艺附着到导电线360d的顶表面的至少一部分。在激光工艺期间，激光束从上面照射到玻璃粉上。在一个实施例中，激光束的直径可等于或大于玻璃粉的宽度。至少一部分激光束可照射到玻璃粉的边缘部分上。在某些实施例中，激光束的直径可小于玻璃粉的宽度。在这样的实施例中，通过在边缘部分之上移动激光束，激光束可照射到玻璃粉的边缘部分上。这些配置便于固化玻璃粉的边缘部分。
如果导电线比玻璃粉宽，如图1的常规有机发光显示器中那样，则在激光工艺期间导电线会暴露于激光束。导电线会将激光束产生的热传输到第二电极电源线。该热会通过第二电极传输到另一元件。该问题导致对像素区域I中有机层的损坏。所示导电线360d具有比玻璃粉密封剂窄的宽度。另外，导电线360d的基本整个部分被玻璃粉覆盖。该配置防止导电线360d在激光工艺期间暴露于激光束。
在所示实施例中，描述了顶栅极薄膜晶体管。在另一些实施例中，导电线结构可应用于具有设置在半导体层下面的栅极电极的底栅极薄膜晶体管。在某些实施例中，导电线可与形成栅极电极或第一电极同时地形成，其将在后面描述。
参照图3，平坦化层370形成在基板300的基本整个表面之上。平坦化层370可包括有机层、无机层、或其复合层。无机层可通过玻璃上旋涂(SOG)形成。有机层可包括基于丙烯酸类的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、或苯并环丁烯(BCB)。
像素区域I中的平坦化层370被蚀刻从而形成用于暴露源极和漏极电极之一的通孔371a。非像素区域II中的平坦化层370被蚀刻从而形成用于暴露导电线360d和第二电极电源线360c的开口371b和371c。导电线360d被暴露从而当基板通过玻璃粉密封时增加与基板的粘合强度。
参照图4，包括反射层375的第一电极380形成在像素区域I中平坦化层370上。第一电极380在通孔371a的底表面上设置为与暴露的源极和漏极电极360a和360b之一接触。第一电极380还延伸到部分平坦化层370上。第一电极380可由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。
然后，像素定义层390形成在基板300的基本整个表面之上。像素定义层390还覆盖第一电极380至足以填充其中设置第一电极380的通孔371a的厚度。像素定义层390可由有机层或无机层形成。在一个实施例中，像素定义层390由选自包括BCB、基于丙烯酸类的聚合物、以及聚酰亚胺的组的一种形成。像素定义层390可具有高流动性，使得像素定义层可平坦地形成在基板的基本整个表面之上。
像素定义层390被蚀刻从而形成用于暴露像素区域I中第一电极380的开口395a、以及用于暴露非像素区域II中第二电极电源线360c的一部分的开口395b。另外，像素定义层390还被蚀刻从而暴露非像素区域II中导电线360d的一部分。
然后，有机层400形成在通过开口395a暴露的第一电极380上。有机层400至少包括发射层。有机层400还可包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、以及电子注入层中的至少一个。
接着，第二电极410形成在基板300的基本整个表面之上。第二电极410是透射电极。第二电极可由Mg、Ag、Al、Ca、或者上述材料的两种或更多种的合金形成。第二电极可由透明且具有低功函数的材料形成。非像素区域II中的第二电极410可被蚀刻从而暴露导电线360d和平坦化层370。
参照图5，封装基板420与基板300相对地放置。封装基板420可由蚀刻的绝缘玻璃或未蚀刻的绝缘玻璃形成。
然后，玻璃粉430应用到封装基板420的边缘。玻璃粉430可由选自包括氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化硼(B2O3)、氧化钒(V2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化碲(TeO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氧化铅(PbO)、氧化锡(SnO)、氧化磷(P2O5)、氧化钌(Ru2O)、氧化铷(Rb2O)、氧化铑(Rh2O)、氧化铁(Fe2O3)、氧化铜(CuO)、氧化钛(TiO)、氧化钨(WO3)、氧化铋(Bi2O3)、氧化锑(Sb2O3)、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃、以及硼硅酸盐的组的一种或多种材料形成。玻璃粉430可通过分配法或丝网印刷法被应用。
在所示实施例中，玻璃粉430首先应用到封装基板420且然后带玻璃粉430的封装基板420被放置于基板300之上。在另一些实施例中，玻璃粉430可首先应用到基板300，然后封装基板420放置于基板300之上。
然后，封装基板420与基板300对准。玻璃粉430与形成在基板300之上的导电线360d和平坦化层370接触。
接着，当玻璃粉430被照射以激光束时，玻璃粉430熔化并凝固从而粘合到基板和封装基板，由此密封有机发光显示器。
如上所述，所示导电线具有比玻璃粉的宽度窄的宽度，因而在激光工艺期间减小了向像素区域中的元件的热传递。因此，所得OLED的可靠性能得到改善。
从上述可以看出，在根据实施例的有机发光显示器及其制造方法中，能够防止元件由于激光束照射到玻璃粉以密封基板时产生的大量热而被损坏。
虽然已经参照其特定示例性实施例描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，可以对本发明进行各种修改和变化而不偏离所附权利要求及其等价物定义的本发明的思想和范围。
本申请要求2006年1月23日提交的韩国专利申请No.10-2006-0007025的优先权，在此引用其全部内容作为参考。

Claims (22)

1.一种有机发光显示装置，包括：
第一基板，包括像素区域和非像素区域；
有机发光像素阵列，形成在所述像素区域之上；
导电线，形成在所述非像素区域之上；
第二基板，放置在所述第一基板之上使得所述阵列和所述导电线置于所述第一和第二基板之间；以及
玻璃料密封件，置于所述第一和第二基板之间且围绕所述阵列，所述玻璃料密封件互连所述第一和第二基板，所述玻璃料密封件包括与所述装置的形成所述玻璃料密封件处的区段中的所述导电线交迭的部分，其中当从所述第二基板观察时所述玻璃料密封件的所述部分基本遮蔽所述区段中的所述导电线。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述导电线通过另一电互连电连接到所述阵列。
3.如权利要求1所述的装置，还包括置于所述第一基板和所述阵列之间的多个薄膜晶体管，其中所述导电线连接到所述多个薄膜晶体管。
4.如权利要求1所述的装置，还包括形成在所述第一基板的所述非像素区域的至少一部分之上的平坦化层，其中所述玻璃料密封件接触所述平坦化层。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述玻璃料密封件接触所述导电线。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述导电线沿所述第一基板的周围边缘延伸，且其中所述玻璃料密封件的所述部分沿所述第一基板的所述周围边缘延伸。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述部分延伸至少所述阵列的一边的长度。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述玻璃料密封件还包括在所述装置的另一区段中的非遮蔽部分，其中当从所述第二基板观察时所述玻璃料密封件的所述非遮蔽部分不遮蔽所述导电线。
9.如权利要求8所述的装置，其中在与所述导电线延伸的方向垂直的所述导电线的横截面中，所述导电线包括未被遮蔽部分和被遮蔽部分，且其中所述未被遮蔽部分基本小于所述被遮蔽部分。
10.如权利要求1所述的装置，其中所述玻璃料密封件的所述部分具有一宽度，所述导电线在所述部分交迭处具有一宽度，且其中所述部分的所述宽度基本大于所述导电线的所述宽度。
11.如权利要求1所述的装置，其中所述玻璃料密封件的所述部分具有一宽度，所述导电线在所述部分交迭处具有一宽度，且其中所述部分的所述宽度为所述导电线的所述宽度的95％至200％。
12.如权利要求1所述的装置，其中所述导电线由金属制成。
13.如权利要求1所述的装置，其中所述玻璃料密封件包括选自MgO、CaO、BaO、Li2O、Na2O、K2O、B2O3、V2O5、ZnO、TeO2、Al2O3、SiO2、PbO、SnO、P2O5、Ru2O、Rb2O、Rh2O、Fe2O3、CuO、TiO、WO3、Bi2O3、Sb2O3、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃和硼硅酸盐构成的组的一种或更多种材料。
14.一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：
提供未完成的装置，包括第一基板、形成在所述第一基板之上的有机发光像素阵列、以及形成在所述基板之上且不交迭所述阵列的导电线；
还提供第二基板；
将玻璃料置于所述第一和第二基板之间，使得所述阵列置于所述第一和第二基板之间，所述玻璃料围绕所述阵列，且部分所述玻璃料交迭所述导电线，由此当从所述第二基板观察时所述玻璃料密封件的所述部分基本遮蔽所述导电线；以及
熔化和再凝固所述玻璃料的至少一部分从而通过所述玻璃料互连所述未完成的装置和所述第二基板，其中所述玻璃料连接到所述导电线，有或没有材料在其间，且其中所述玻璃料连接到所述第二基板，有或没有材料在其间。
15.如权利要求14所述的方法，其中熔化包括应用热到所述玻璃料的所述至少一部分。
16.如权利要求14所述的方法，其中熔化包括沿从所述第二基板到所述第一基板的方向应用激光或红外光到所述玻璃料的所述至少一部分，且其中到达所述导电线的基本全部光在经过所述玻璃料之后到达所述导电线。
17.如权利要求14所述的方法，其中所述导电线由金属制成。
18.如权利要求14所述的方法，其中置入所述玻璃料包括使所述玻璃料与所述导电线接触。
19.如权利要求14所述的方法，其中置入所述玻璃料包括使所述玻璃料与所述第二基板接触。
20.如权利要求14所述的方法，其中所述未完成的装置还包括通常形成于所述导电线之上且具有暴露部分所述导电线的开口的平坦化层，且其中置入所述玻璃料包括使所述玻璃料通过所述开口与所述导电线接触。
21.如权利要求14所述的方法，其中所述玻璃料密封件的所述部分具有一宽度，所述导电线在所述部分交迭处具有一宽度，且其中所述部分的所述宽度为所述导电线的所述宽度的95％至200％。
22.如权利要求14所述的方法，其中所述玻璃料密封件还包括另一部分，当从所述第二基板观察时该另一部分不完全遮蔽所述导电线。
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Patentee before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.