WO2000039844A1 - Materials for polishing liquid for metal, polishing liquid for metal, method for preparation thereof and polishing method using the same - Google Patents

Materials for polishing liquid for metal, polishing liquid for metal, method for preparation thereof and polishing method using the same Download PDF

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WO2000039844A1
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polishing
polishing liquid
agent
protective film
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Takeshi Uchida
Tetsuya Hoshino
Hiroki Terazaki
Yasuo Kamigata
Naoyuki Koyama
Yoshio Honma
Seiichi Kondoh
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Hitachi Chemical Company, Ltd.
Hitachi, Ltd.
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    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/32115Planarisation
    • H01L21/3212Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Definitions

  • polishing liquid material for metal polishing liquid for metal, method for producing the same
  • the present invention relates to a polishing liquid for a metal which is particularly suitable for a wiring process of a semiconductor device, and a polishing method using the polishing liquid for a metal.
  • the present invention relates to a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as an LSI).
  • LSI semiconductor integrated circuit
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the general method of metal CMP is to paste a polishing pad on a circular polishing platen (braten) and immerse the polishing pad surface with a metal polishing solution to form a metal film on the substrate.
  • the polishing surface is pressed and the polishing platen is rotated while applying a predetermined pressure (hereinafter, referred to as polishing pressure) from the back surface, and the polishing liquid is mechanically frictioned between the polishing liquid and the convex portion of the metal film. This is to remove the metal film on the protrusion.
  • the metal polishing liquid used for CMP is generally composed of an oxidizing agent and solid abrasive grains, and a metal oxide dissolving agent and a protective film forming agent are further added as necessary. It is thought that the basic mechanism of CMP is to first oxidize the metal film surface by oxidation and then remove the oxide layer with solid abrasive grains. The oxide layer on the metal surface of the concave portion does not sufficiently touch the polishing pad and does not have the effect of the removal by the solid abrasive, so the metal layer of the convex portion is formed with the progress of CMP. The substrate surface is planarized after being removed. For more information on this, see 340-6-3 of the Journal of Electrochemical Society, Volume 13, Issue 11 (1991) published by the Journal of Electrochemical Society. It is disclosed on page 464.
  • adding a metal oxide dissolving agent is effective to increase the polishing rate by CMP. This is because the metal oxide particles removed by the solid abrasive grains are dissolved in the polishing liquid, so that the effect of the solid abrasive grains is removed. It can be interpreted as to increase.
  • the addition of the metal oxide dissolving agent improves the polishing rate by CMP, but also etches (dissolves) the oxide layer on the surface of the metal film in the recess. As a result, when the surface of the metal film is exposed, the surface of the metal film is further oxidized by the oxidizing agent, and when this is repeated, etching of the metal film in the concave portion proceeds. And.
  • the CMP speed (polishing speed by CMP) is improved and the CMP is performed.
  • the effect is obtained that damage to the metal layer surface is also reduced.
  • metal oxides made of aminoacetic acid or amide sulfuric acid such as glycine are used.
  • a method using a metal polishing solution containing a dissolving agent and benzotriazole (hereinafter referred to as BTA) as a protective film forming agent has been proposed. This technology is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-83780. It is listed.
  • the present invention provides a metal that can be easily prepared by diluting a high-concentration metal polishing slurry material, and that forms a highly reliable embedded metal film pattern.
  • An object of the present invention is to provide a polishing solution for polishing. Further, the present invention has an object to provide a method for producing the metal polishing liquid, a metal polishing liquid material used for the method, and a polishing method using the polishing liquid.
  • the present invention provides a metal polishing slurry containing an oxidizing agent, a metal oxide dissolving agent, a protective film forming agent, a dissolution aid for the protective film forming agent, and water. You.
  • the metal-polishing liquid of the present invention may further contain abrasive grains, but may not substantially contain solid abrasive grains.
  • abrasive grains When solid abrasive grains are included, high-speed polishing can be realized.
  • CMP proceeds due to friction with the polishing pad, which is much more mechanically soft than solid abrasive grains. Polishing scratches are dramatically reduced.
  • the present invention provides a metal polishing agent comprising: a metal oxide dissolving agent; a protective film forming agent; and a dissolution aid for the protective film forming agent.
  • Liquid material is provided.
  • the metal-polishing liquid material of the present invention may further contain an oxidizing agent, water, and abrasive or abrasive grains.
  • the metal polishing liquid material of the present invention can be easily prepared by diluting the metal polishing liquid and adding an appropriate component as needed.
  • the present invention provides a method for producing a metal polishing liquid comprising a dilution step of diluting the metal polishing liquid material of the present invention with a diluent.
  • the aqueous solution for dilution desirably contains at least one of an oxidizing agent, a metal oxide dissolving agent, a protective film forming agent, and a solubilizing agent for the protective film forming agent.
  • the above-mentioned dilution step is a metal polishing slurry containing at least one component selected from the group consisting of an oxidizing agent, a metal oxide dissolving agent, a protective film forming agent, and a dissolution aid for the protective film forming agent.
  • the step of diluting the material with an aqueous solution for dilution which is an aqueous solution of at least one of the components, may be employed.
  • the metal polishing slurry material of the present invention may be a composition in which all the components are mixed, or may be a combination of two or more compositions containing any one of the components. Good. That is, the metal-polishing liquid material of the present invention may include the first component and the second component that are not mixed with each other.
  • the first component is an oxidizing agent, an acid, At least one component of the component group consisting of the metal oxide dissolving agent, the protective film forming agent, and the dissolution aid
  • the second component includes the remaining components of the component group. .
  • the present invention provides a method for producing a metal polishing liquid using such a metal polishing liquid material having two or more components.
  • a method for producing a polishing liquid for metal comprising a mixing step of mixing a constituent element and a diluent in a desired order.
  • the order of mixing is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the properties of the compound used, the temperature of the liquid to be mixed, and the like.
  • the first component contains an oxidizing agent
  • the second component contains a metal oxide dissolving agent, a protective film forming agent, and a solubilizing agent.
  • the first component may further include a protective film forming agent and a solubilizing agent as necessary.
  • the first and second components may each contain other components as necessary.
  • the temperature of the oxidizing agent should not be higher than 40 ° C because the decomposition is promoted. Therefore, in the mixing step, the oxidizing agent and the mixture containing the oxidizing agent (for example, the first constituent element, the mixture of the first constituent element and the second constituent element, ) Should be kept at 40 ° C or less.
  • the protective film forming agent is a solid having an average particle diameter of 100 m or less, which is dissolved or dispersed in the metal polishing liquid by this mixing step. Is desirable.
  • the number average particle size is simply referred to as the average particle size, unless otherwise specified. Called diameter
  • the present invention provides a polishing method using the above-described metal polishing slurry of the present invention. That is, in the present invention, the metal polishing solution of the present invention is supplied to the polishing pad on the polishing platen, and the polishing pad and the surface to be polished are brought into contact with each other while the polishing pad and the polishing pad are brought into contact with each other. By relatively moving the surface to be polished and the surface to be polished, a polishing method including a polishing step of polishing the surface to be polished of the object to be polished is provided.
  • a polishing liquid for metal is prepared by mixing the above-described first and second components and a diluent in a desired order.
  • An additional mixing step may be provided.
  • the metal polishing liquid of the present invention uses a high-concentration metal polishing liquid material that can easily prepare the polishing liquid by dilution.
  • the production cost of the metal polishing liquid can be reduced, and the volume of containers for transportation, storage at the side where transportation and polishing is performed, and the tanks and the like of the polishing apparatus can be reduced.
  • a dissolution aid is added to the metal polishing liquid mainly for the purpose of improving the solubility of the protective film forming agent in water. This makes it possible to prepare a broader and higher-concentration metal polishing liquid material in accordance with polishing characteristics.
  • polishing liquid material for metals and the polishing liquid for metals of the present invention Each component will be described.
  • the solubilizing agent is preferably a solvent having a solubility of the protective film-forming agent of 25 g ZL or more, or a surfactant. These may be used alone or in combination.
  • the surfactant By adding the surfactant, the surfactant is adsorbed to the hydrophobic group of the protective film forming agent, and the compatibility with water is increased by the hydrophilic group of the surfactant. Thus, the solubility can be improved.
  • surfactant examples include esters, ethers, polysaccharides, amino acids, polycarbonates, polycarbonates, vinyl polymers, sulfonates, sulfonates, and the like. Amido etc. are mentioned. These may be used alone or in combination of one or more.
  • the surfactant includes an anionic surfactant, a positive ion surfactant, an amphoteric surfactant, and a non-ionic surfactant. For each of these, specific examples suitable for the present invention will be given.
  • anionic surfactant examples include a carbonate, a sulfonate, an ester sulfate, and an ester phosphate.
  • Examples of the carbonates include fluorite, N-acylaminate, polyoxyethylene alkyl ether carbonate, polyoxypropylene alkyl ether carbonate, and potassium carbonate.
  • Re oki Examples include propylene alkyl ether carbonate and acylated peptides.
  • sulfonates examples include alkyl sulfonates, alkyl benzene sulfonates, alkyl naphthyl lensulfonates, naphthyl lensulfonates, sulfosuccinates, and hexafluorosulfonates. Acid salt, N-acyl sulfonate, etc.
  • the ester sulfates include sulfated oils, alkyl sulfates, alkyl ether sulfates, polyoxyethylene alkyl ether sulfates, polyoxypropylene alkylaryl ether sulfates, and alkylamide sulfates. and so on .
  • Examples of phosphoric acid ester salts include alkyl phosphates, polyoxyethylene alkylaryl ester phosphates, and polyoxypropylenalkylaryl ether phosphates. .
  • positive ion surfactant examples include an aliphatic amine salt, an aliphatic quaternary ammonium salt, a benzalkonium chloride salt, a benzonitani chloride, a pyridinium salt, and an imidazolyte. Num salt and the like.
  • amphoteric surfactant examples include a carboxybetaine type, an aminocarbonate, an imidazolinium betaine, a lecithin, and an alkylaminoxide.
  • Nonionic surfactants include ether type, ether ester type, ester type and nitrogen-containing type. Further, a fluorine-based surfactant can also be suitably used.
  • ether type examples include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, and alkyl aldehyde alkyl-condensed polyoxyethylene.
  • ether type examples include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, and alkyl aldehyde alkyl-condensed polyoxyethylene.
  • One-tel polyoxyethylene propylene block polymer, polyoxyethylene propylene alkyl ether, and the like.
  • ether ester type examples include polyoxyethylene ethers of dariselene ester, polyoxyethylene ethers of sorbitan ester, and polyoxyethylene ethers of sorbitol ester. Is mentioned.
  • ester type examples include polyethylene glycol, fatty acid ester, glycerin ester, polyglycerin ester, sorbitan ester, and propylene ester. Such as polyester ester and sucrose ester.
  • nitrogen-containing type examples include fl fatty acid alcohol amide, polyoxyethylene fatty acid amide, and polyoxyethylene alkyl amide.
  • esters such as glycerine ester, sorbitan ester, methoxyacetic acid, ethoxyacetic acid, and 3-ethoxypropionic acid and arananeethyl ester;
  • Methyl tauric acid methyl sulfate, butyl sulfate, vinyl sulfonate, 1-aryl sulfonate, 2—aryl sulfonate, methoxy methyl sulfonate, ethoxy methyl sulfele Acid, 3 — ethoxypropylsulfonate, methoxymethylsulfolefonic acid, ethoxymethylsulfonate, 3 — sulfonic acid such as ethoxypropylsulfonate and sulfosuccinic acid Acid;
  • Such as propionamide, acrylamide, methylurea, nicotinamide, succinic acid and sulfanylamide Amides and the like are also mentioned as suitable surfactants.
  • the object to be polished is a silicon substrate for a semiconductor integrated circuit, etc.
  • contamination with an alkali metal, an alkaline earth metal, octalogenide, etc. is not desired.
  • Ammonia salt is preferred. Note that this is not a limitation when the object to be polished is a glass substrate or the like.
  • the amount of the surfactant is determined in the polishing slurry for metal (ie, in a state in which an additive is added to the metal polishing slurry material as needed and diluted with a diluent, and the polishing slurry can be used).
  • the total amount of the oxidizing agent, the metal oxide dissolving agent, the protective film forming agent, the surfactant, and the water is preferably 0.01 to 3 g with respect to 100 g, and 0.03 to: L g is more preferable, and it is particularly preferable that the range is from 0 :! to 0.8 g. If the amount is less than 0.01 g, the effect of adding a surfactant tends not to appear, and if it exceeds 3 g, the CMP rate tends to decrease.
  • a solvent having a solubility of the protective film forming agent of 25 g / L or more is added to the polishing liquid material.
  • the solubility of the protective film forming agent in this solvent is preferably 4 Og ZL or more, more preferably 5 Og ZL or more, and a good solvent is particularly used. This is desirable.
  • solvent as a solubilizer suitable for the present invention examples include organic solvents such as alcohols, ethers, and ketones. These may be used alone, and any two or more may be used. It may be used in combination.
  • suitable solvents to be used as solubilizers include:
  • ketones such as acetone, methylethyl ketone, acetyl aceton, and cyclohexanone.
  • the amount of the solvent is not particularly limited, but is preferably less than 50 g, preferably less than 25 g, based on 100 g of the total amount of the metal polishing slurry material. Is more preferred. If the blending amount is 50 g or more, the polishing interface state is different from that in the case of an aqueous system, and the CMP speed may decrease.
  • the protective film forming agent forms a protective film on a metal surface.
  • the protective film forming agent include nitrogen-containing compounds such as ammonia, alkylamine, amino acid, imine and azole and salts thereof, and sulfur-containing compounds such as mercaptan. And water-soluble polymers such as polysaccharides, polycarbonates, polycarbonates, and vinyl polymers. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the protective film forming agent suitable for the present invention include, for example,
  • Alkyl amines such as dimethylamine, trimethylamine, triethylamine, propylenediamine, etc., ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), and getyldithi talent Amines such as sodium ruvamate and chitosan;
  • Benzimidazolo 2-thiol 2-[2- (benzothiazolyl)] thiopropionic acid, 2-[2-(benzothiazolyl)] thiobutyric acid, 2-methyl L-captobenzothiazole, 1,2,3_triazole, 1,2,4—triazole, 3—amino 1H—1,2,4—tria Sol, Benzotriazole, 1—Hydroxybenzotriazole, 1—Dihydroxypropyl benzotriazole, 2,3 — Zika repoxy propyl benzotriazole, 4 — Hydroxybenzotriazole, 41 carboxysyl 1 H — Benzotriazole, 4 — MET 1-H-benzotriazole, 4-butanol 1 / ⁇ -benzotriazole, 4-oxo Luxicarubolone 1 ⁇ — benzotriazole, 5 _ hexylbenzotriazole, _ _ (1, 2, 3 — benzotri
  • Polysaccharides such as alginic acid, dicarboxylic acid, carboxymethyl cellulose, cardlan and pullulan;
  • Amino acid salts such as glycin ammonium salt and dalicin sodium salt
  • Polysparginic acid polyglutamic acid, polylysine, polylingic acid, polymethacrylic acid, polyammonium acrylate Salt, polymethacrylic acid sodium salt, polyamido acid, polymaleic acid, polyitaconic acid, polyfumaric acid, poly (p — Styrene carboxylic acid), polyacrylic acid, polyacrylamide, aminopolyacrylamide, ammonium polyacrylate Salt, sodium polyacrylate, sodium salt of polyamic acid, ammonium salt of sodium polyamide, sodium salt of sodium polyamide, and polyester Polycarboxylic acids such as oxylic acid and salts thereof;
  • Examples include vinyl-based polymers such as polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, and polychlorin.
  • chitosan ethylenamine tratraacetic acid, L-triptophan, cuperazone, and triazine Dithiol
  • Benzotriazole 4—Hydroxybenzotriazole
  • Tritriazo Naphthotriazole
  • polyligonic acid polyacrylic acid, polyacrylamide, polyacrylic acid ammonium salt
  • polyvinyl alcohol Is preferred to achieve both high CMP speeds and low etching speeds.
  • the amount of the protective film forming agent is 0.0000 in the polishing liquid for metal, based on 100 g of the total amount of the oxidizing agent, the metal oxide dissolving agent, the protective film forming agent, the solubilizing agent and the water.
  • mo 1 to 0.05 mol is preferable, and 0.03 mo is preferable, and 0.05 mo 1 is more preferable. It is particularly preferred that the amount be 1 to 0.035 mol. If the amount is less than 0.001 mo1, the suppression of etching tends to be difficult, and if it exceeds 0.05 mol, the CMP speed tends to be low. You.
  • the protective film forming agents used in the preparation of the metal polishing slurry material those having a solubility in water at room temperature of less than 5% by weight should be within twice the solubility in water at room temperature. This is preferred, and the content is more preferably within 1.5 times. That is, usually, the compounding amount of the protective film forming agent is 0.000 with respect to 100 g of the total amount of the polishing liquid material. 0.1 to 0.05 mo1, preferably 0.003 to 0.05 mol, preferably 0.005 to 0.05 mol. Is even more preferred. If the amount is more than twice the solubility, it will be difficult to prevent precipitation when the concentrated product is cooled to 5 ° C.
  • a metal polishing liquid material when a metal polishing liquid material is prepared using a solid protective film forming agent, an fc having an average particle diameter of 100 m or less is used, and this is mixed with a metal polishing liquid material (mixed with each other).
  • the polishing fluid material is composed of two or more components (single substance or composition), dissolve in at least one of the components (single substance or composition) Or it is preferred to be dispersed.
  • a protective film forming agent having a small particle size is used for pulverization and the like. You can get more. The use of a material having a small particle size increases the surface area, thereby increasing the dissolution rate.
  • the average particle size is preferably 50 // m or less, and more preferably 20 im or less.
  • the oxidizing agent used in the present invention is a compound capable of oxidizing a metal.
  • the oxidizing agent suitable for the present invention include hydrogen peroxide, nitric acid, potassium periodate, hypochlorous acid, and ozone water. Chi sales of these oxidizing agents, particularly hydrogen peroxide (H 2 0 2) is favored arbitrary.
  • the object to be polished is a silicon substrate including an element for an integrated circuit, it does not contain non-volatile components because contamination by an alkali metal, an alkaline earth metal, a nitrogen compound, or the like is not desired. Oxidizing agents are preferred. However, ozone water is most suitable for hydrogen peroxide because its composition changes rapidly with time.
  • an oxidizing agent containing a nonvolatile component may be used.
  • the amount of the oxidizing agent is 0.003 mol to 0.03 mol based on the total amount of 100 g of the oxidizing agent, the metal oxide dissolving agent, the protective film forming agent, the solubilizing agent and the water in the metal polishing liquid.
  • 0.7 mol is preferable, 0.3 mol to 0.5 mol is more preferable, and 0.2 mol to 0.3 mol is particularly preferable. I like it.
  • the amount is less than 0.003 mol At full, the metal may not be sufficiently oxidized and the CMP rate may be low. If it exceeds 0.7 mol, the polished surface tends to be rough.
  • the compounding amount of the oxidizing agent in the metal polishing slurry material is usually from 0.03 to 0.7 mol per 100 g of the total amount.
  • the mixing amount is 0.3 to 0.3 with respect to 100 g of the total amount.
  • a water-soluble compound is preferable, and an organic acid, sulfuric acid, or an ammonium salt thereof can be mentioned as a suitable one for the present invention. . These may be used alone or in combination of two or more compounds. These compounds may be added in the form of an aqueous solution when preparing an abrasive or an abrasive material.
  • metal oxide dissolving agent examples include:
  • Formic acid acetic acid, pulpionic acid, butyric acid, valeric acid, 2—methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3—dimethylbutyric acid, 2-ethylbutyric acid, 4-methylpentanoic acid, n-heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, benzoic acid, glycolic acid, salicylic acid, grease Seric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, fluoric acid, lingic acid Organic acids such as tartaric acid and citric acid;
  • Inorganic acids such as sulfuric acid, nitric acid and chromic acid
  • Salts such as ammonium salts of the above-mentioned organic or inorganic acids (eg For example, ammonium persulfate, ammonium nitrate, ammonium chloride, etc.);
  • formic acid, malonic acid, lingic acid, tartaric acid, and citric acid form films (or such films of copper, copper alloys, copper oxides or copper alloy oxides). At least one kind of metal layer is preferable.
  • linoleic acid, tartaric acid, and citric acid are preferred because they can effectively suppress the etching rate while maintaining the practical CMP rate.
  • the amount of the compound is 0.0000, based on 100 g of the oxidizing agent, the metal oxide dissolving agent, the protective film forming agent, the dissolution aid and the water in the metal polishing solution.
  • the content be 0.05 mol 1 to 0.05 mol. If the amount exceeds 0.005 mol, it tends to be difficult to suppress the etching.
  • the amount of the metal oxide dissolving agent in the metallic polishing liquid material, the polishing liquid material total amount 1 0 0 g, usually 1 X 1 0 -. 6 ⁇ 0 0 0 5 mo one 5
  • the metal polishing slurry of the present invention may or may not substantially contain solid abrasive grains.
  • the order of mixing and the target of mixing are not particularly limited.
  • the metal polishing slurry material is composed of two or more components (single substance or composition) that are not mixed with each other, the abrasive grains are in any of the components (single substance or composition). Even if it is contained, it does not matter, and two or more components may contain abrasive grains.
  • Inorganic abrasives such as silica, alumina, celia, titania, zirconia, germania, silicon carbide;
  • Organic abrasives such as polystyrene, polyacryl, and polyvinyl chloride
  • the average grain size of the abrasive grains is more preferably, for example, 20 nm or less, at which the polishing rate of the barrier layer becomes larger and the polishing rate of silicon dioxide becomes smaller. Yes.
  • colloidal silica is produced by hydrolysis of silicon alcohol or ion exchange of sodium silicate.
  • Colloidal alumina is used for hydrolysis of aluminum nitrate.
  • a known manufacturing method is known.
  • the amount of the abrasive particles is determined by the total amount of the metal polishing liquid (that is, the metal polishing liquid material is diluted with a diluent by adding additives as needed, and can be used as a polishing liquid). It is preferable that the content be 0.01 to 10% by weight based on the weight, and 0.05 to 5% by weight. More preferably, it is in the range of% by volume. At less than 0.01% by weight, the effect of containing abrasive grains is not seen, and at more than 10% by weight, the polishing rate by CMP saturates, and no increase is observed even if more than 10% by weight is added.
  • the amount of the abrasive grains in the metal polishing slurry material is preferably 0.01 to 10% by weight, and preferably 0.05 to 5% by weight based on the total amount of the polishing slurry material. It is even more preferable that
  • the metal polishing liquid material of the present invention may contain water.
  • the amount of water to be contained can be determined as appropriate according to other components and their solubility in water, etc., and is usually 50 to 98% by weight.
  • the water content of the present invention is preferably set to 70 to 90% by weight.
  • the water content of the metal polishing liquid material containing the moisture-containing component is used. Is more preferably 75 to 85% by weight, and the water content of the metal polishing slurry material not containing the water-containing component is preferably 80 to 90% by weight. More preferred.
  • the metal polishing liquid of the invention is prepared by diluting the metal polishing liquid material of the invention with a diluent.
  • concentration (composition ratio) of each component in the metal polishing liquid material depends on the composition and amount of the diluent added at the time of use and the concentration (composition ratio) of each component in the prepared metal polishing liquid. It will be determined accordingly.
  • the metal polishing slurry material When water is used as the fli diluent, the metal polishing slurry material should have the same composition and composition ratio as the components other than water in the metal polishing slurry, and Reduce the content of to maintain a high concentration. In this case, a metal polishing liquid having a desired composition can be obtained by adding water at the time of dilution.
  • an aqueous solution containing at least one of an oxidizing agent, a metal oxide dissolving agent, a protective film forming agent, and a solubilizing agent for the protective film forming agent is used.
  • a metal polishing slurry material containing at least one of a component group consisting of an oxidizing agent, a metal oxide dissolving agent, a protective film forming agent, and a dissolution aid for the protective film forming agent is used.
  • the metal polishing slurry of the present invention is prepared by diluting with a diluting aqueous solution which is an aqueous solution of at least one of the components. In this case, a desired component may be further added.
  • the concentration of each component of the metal polishing liquid material is determined by mixing the metal polishing liquid material and the diluting aqueous solution (and an additive added as necessary). As a result, it is determined that a polishing slurry for metal having a desired composition and concentration can be obtained. This makes it possible to mix the hard-to-dissolve components in the form of an aqueous solution, so that the concentration of the metal-polishing liquid material can be further increased.
  • the aqueous solution preferably contains a low-solubility protective film forming agent and a solubilizing agent.
  • the order of mixing these components and the diluent is as follows.
  • the solubility of each component and the temperature of the solution when dissolving For example, one or more components may be mixed with a diluent by adding a diluent and then mixed with another component, or the components may be added first. After mixing, add a diluent to this and mix it, or add a diluent to each component in advance and mix them, and then mix them and use any method. You can.
  • a metal polishing liquid material is composed of a first component A composed of an oxidizing agent, and a second component B composed of a metal oxide dissolving agent, a protective film forming agent, a solubilizing agent, and water.
  • a method for producing a metal polishing liquid includes the following (1) to (5). You can choose any of these
  • Component A and component B are each diluted with a diluent, and the diluted component A and the diluted component B are mixed.
  • the low-solubility component such as a protective film-forming agent can be divided into two or more components to form a solvent (usually, In some cases, it can be dissolved in each component liquid without increasing the amount of water.
  • the metal abrasive material is composed of a first component A comprising an oxidizing agent, a protective film forming agent and a dissolution aid, a metal oxide dissolving agent, and a protective agent. It is composed of a second component B consisting of a film forming agent, a solubilizing agent and water.
  • the metal polishing slurry material is, for example, a first component A composed of an oxidizing agent, and a second component composed of a metal oxide dissolving agent.
  • a third component C comprising a protective film forming agent and a solubilizing agent.
  • the same compounding component is divided into a plurality of components, so that the low-solubility protective film forming agent can be dissolved in a solvent. Usually, it can be dissolved in a large amount in water, so that a high-concentration metal polishing liquid material can be obtained.
  • the number of components for distributing the components is not limited to 2 or 3 in the above example, but can be determined as appropriate as needed.
  • the present invention is not limited to the above examples, and any method can be appropriately adopted as long as each component of the metal polishing liquid is divided into a high-concentration composition and diluted.
  • hydrogen peroxide which is suitable as an oxidizing agent, starts to decompose when the temperature becomes higher than 40 ° C., and is stored at a temperature higher than this temperature. Or, if used, the oxidizing agent concentration changes, which may adversely affect the polishing rate. There is. For this reason, it is desirable that the temperature of the oxidizing agent and the mixture containing the oxidizing agent be 40 ° C or less.
  • solubility is generally higher when the liquid temperature is higher, it is desirable to raise the liquid temperature of the solution of the compound having low solubility from the viewpoint of obtaining a high-concentration solution.
  • the temperature of the first component containing the oxidizing agent is set at 40 ° C. or less, and the other components are added within the range of room temperature to 100 ° C.
  • the temperature of the liquid after mixing is 40 ° C. or lower.
  • a part of the dissolved component may be precipitated when the temperature is lowered. In such a case, it may be heated and dissolved again before use.
  • the polishing method of the present invention at least a part of the metal film is removed by a step of polishing a metal film using the metal polishing liquid of the present invention.
  • the polishing method according to the present invention is directed to a method for polishing a laminated film including at least one metal layer selected from copper, copper alloy, copper oxide, and copper alloy oxide (hereinafter, simply referred to as copper alloy). It is particularly suitable for polishing a metal film made of such a material.
  • a metal film containing copper and copper alloy (eg, copper Z chrome) is formed on a substrate having a concave portion of a desired pattern on the surface.
  • the surface of the filled metal film is subjected to CMP using the metal polishing solution of the present invention.
  • the metal film on the convex portion of the body is selectively CMPed, leaving the metal film in the concave portion, and a desired conductor pattern can be obtained.
  • the present inventors have found that a favorable flattening effect can be obtained if the etching rate in the polishing step can be suppressed to 10 nmZmin or less. As long as the reduction in the CMP speed accompanying the reduction in the etching speed is within an acceptable range, it is desirable that the etching speed be even lower. If the etching speed can be suppressed to 5 nmZmin or less, for example, about 50% Excessive CMP (approximately 1.5 times the time required to remove the metal from the CMP) does not result in dating. Furthermore, if the etching speed can be suppressed to InmZmin or less, even if excess CMP of 100% or more is performed, dating does not pose a problem.
  • the etching rate is determined by immersing a substrate to be polished (a substrate in which a metal film is formed on a substrate having a concave portion on its surface and filled) in a polishing solution for metal at room temperature (25 ° C.). This is the etching speed of the metal film when agitated at 100 rpm, and is obtained by converting the difference in metal film thickness from the electrical resistance value.
  • the metal polishing liquid of the present invention is supplied to a polishing pad on a polishing platen, and brought into contact with the surface to be polished. This is to grind the metal by moving it relatively.
  • a holder for holding a semiconductor substrate or the like having a surface to be polished and a polishing pad were attached (a motor or the like whose rotation speed can be changed is attached).
  • a general polishing apparatus having a board can be used.
  • the polishing pad contains: General nonwoven fabric, foamed polyurethane, porous fluororesin, etc. can be used, and there is no particular limitation.
  • the polishing conditions are not limited, but the rotation speed of the polishing platen is preferably as low as 200 rpm or less so that the substrate does not pop out.
  • the pressure of the object to be polished (such as a semiconductor substrate) having a surface to be polished (film to be polished) against the polishing pad is 9.8 to 98.1 KPa (100 to 1 KPa).
  • 0.0 gf Z cm 2 0.0 gf Z cm 2
  • a polishing liquid for metal is continuously supplied to the polishing pad by a pump or the like.
  • the supply amount is not limited, but it is preferable that the surface of the polishing pad is always covered with the polishing liquid.
  • the semiconductor substrate is preferably washed well in running water, and then dried using a spin dryer or the like to remove water droplets adhering to the semiconductor substrate.
  • the metal-polishing liquid of the present invention is prepared in advance, and the metal-polishing liquid is put into a tank (polishing liquid reservoir) of the polishing apparatus, or the metal polishing is performed in the tank.
  • a liquid may be prepared and used for supplying to the polishing pad.
  • the metal polishing liquid material and the diluent of the present invention may be put into a polishing apparatus, and the polishing liquid may be supplied to the polishing apparatus. (Including in a pipe) to prepare and supply the polishing liquid of the present invention to the polishing pad.
  • the preparation of the metal polishing slurry involves the above-described present invention.
  • a method for producing a polishing liquid for metal can be applied.
  • a pipe for supplying a metal polishing liquid material and a pipe for supplying a diluent are merged on the way.
  • the respective solutions flowing in the pipes are mixed, and the metal polishing liquid diluted thereby is supplied to the polishing pad.
  • a method of impinging and mixing a liquid through a narrow passage under pressure a method of filling a pipe with a filler such as a glass tube, separating and merging a liquid flow are repeated. It is possible to adopt a method that is usually performed, such as a method of turning back and a method of providing a blade that rotates by power in the pipe.
  • a pipe for supplying a metal polishing liquid material and a pipe for supplying a diluent are separately provided, and a predetermined amount of the liquid is supplied from each of them.
  • the two solutions are mixed by supplying the polishing pad and the surface to be polished relative to each other.
  • a pipe is provided for each of the constituent elements, which is similar to the above-described respective methods.
  • a metal polishing liquid can be prepared.
  • the components containing the oxidizing agent of the metal polishing liquid material are kept at 40 ° C. or lower, and the other components are heated from room temperature to 100 ° C., After mixing these components, the temperature of the mixture can be set to 40 ° C. or lower. Higher temperature increases solubility, so metal polishing liquid This is the preferred method to increase the solubility of low-solubility components.
  • the components in which the components (other than the oxidizing agent) were dissolved by heating from room temperature to 100 ° C were used. If an element is used, it is necessary to heat it in advance to dissolve the precipitate.
  • a means for feeding the component (mixed solution) heated and dissolved and a means for stirring the solution containing the precipitate, sending the solution, and heating the pipe to dissolve it. And can be dealt with.
  • the temperature of the component containing the oxidant becomes higher than 40 ° C. by mixing the heated components, the oxidant may be decomposed. Therefore, the temperature of the component to be heated, the temperature of the component containing the oxidizing agent to be cooled, and the mixing ratio thereof are determined so that the temperature after mixing is 40 ° C or less. Is preferred.
  • the substrate to be polished was polished under the following polishing conditions while rotating each of them. Unless otherwise specified, the polishing liquid was prepared in advance before polishing, held in one container (polishing liquid reservoir), and supplied to a fixed-quantity pump.
  • Substrate Silicon substrate on which a 1 / m-thick copper film was formed
  • Polishing pad IC 100 (trade name, manufactured by Kuroyl Corporation) Polishing pressure: 20.6 KPa (21 0 g / cm 2)
  • CMP speed The thickness difference of the copper film before and after CMP was calculated from the electrical resistance value.
  • Etching speed 25: The difference in copper layer thickness before and after immersion in a metal polishing solution stirred at lOO rpm was determined from the electrical resistance value.
  • a groove having a depth of 0.5; am is formed in the insulating layer, a copper film is formed by a known sputtering method, and a heat treatment is performed by a known heat treatment.
  • CMP was performed using the embedded silicon substrate as a substrate. After the CMP, the presence or absence of generation of erosion and polishing scratches was confirmed by visual observation, optical microscope observation, and electron microscope observation of the substrate.
  • CMP was performed under the above conditions using the respective metal abrasives, and the CMP speed and etching speed was measured to determine whether there was a difference between them.
  • a solution A was obtained by adding 61.5 parts by weight of water to 1.5 parts by weight of a metal oxide dissolving agent, DL-lingoic acid (reagent grade), and dissolving.
  • a metal oxide dissolving agent DL-lingoic acid (reagent grade)
  • dissolving 2 parts by weight of benzotriazole, which is a protective film forming agent
  • ethanol 5 parts by weight of ethanol
  • solution B was added to solution A and mixed to obtain a 10-fold concentrated metal-polishing liquid, which is a metal-polishing liquid material.
  • the obtained concentrated liquid did not show solid deposition even when stored at 0 ° C.
  • the resultant mixture was further diluted with an aqueous solution of hydrogen peroxide (a reagent). 33.2 parts by weight of a special grade, 30% aqueous solution) was added to obtain a metal polishing slurry.
  • Example 3 When CMP was performed under the same conditions as in Example 1 using the obtained metal polishing slurry, the ⁇ 1 ⁇ 1? Speed was 1 179 11 111 111 111 1 11 etching speed. Was 0.5 nm Z min, which was good, and there was no difference between the CMP rate and the etching rate due to the change over time of the metal polishing slurry material. Also, no erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 3
  • DL 1.5 parts by weight of linoleic acid (special grade reagent), 0.3 parts by weight of polyvinyl alcohol, a protective film forming agent, and 5 parts of water 8.7 parts by weight were added and dissolved to obtain a solution A.
  • solution B was added to solution A to obtain a 10-fold concentrated solution for metal polishing.
  • Example 4 When CMP was performed under the same conditions as in Example 1 using the obtained metal polishing slurry, the CMP rate was 170 nm and the etching rate was 0.4 nm / min. In addition, no difference was observed in the CMP speed and the etching speed due to the aging of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 4 When CMP was performed under the same conditions as in Example 1 using the obtained metal polishing slurry, the CMP rate was 170 nm and the etching rate was 0.4 nm / min. In addition, no difference was observed in the CMP speed and the etching speed due to the aging of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 4 When CMP was performed under the same conditions as in Example 1 using the obtained metal polishing slurry, the CMP rate was 170 nm and the etching rate was 0.4 nm / min. In addition, no difference was observed in the CMP speed and
  • a solution A was obtained by dissolving 0.06 parts by weight of naphthotriazole as a protective film forming agent in 0.6 parts by weight of methylethyl ketone, which is a good solvent for the protective film forming agent.
  • a solution B was obtained by dissolving 10 parts by weight of potassium periodate, which is an oxidizing agent, in 20 parts by weight of water. Next, solution B was added to solution A to obtain solution C (first component).
  • DL-tartaric acid a metal oxide dissolving agent (reagent grade) 30 parts by weight of water was added to 0.05 parts by weight and dissolved to obtain a solution D. Also, after dissolving 0.01 part by weight of naphthotriazole in 0.1 part by weight of methylethylketone to obtain a solution E, the solution E is added to the solution D, and the solution F is added. (The second component).
  • solution G aqueous solution for dilution
  • solutions C, F, and G which are metal polishing liquid materials, were obtained.
  • the obtained solution C, solution F, and solution G were mixed at a weight ratio of 33 Z 4 to obtain a polishing slurry for metal.
  • Example 5 When CMP was performed using the obtained metal-polishing liquid under the same conditions as in Example 1, the CMP rate was 126 nm / min and the etching rate was 0.4 nm Z min. All were good, and there was no difference between the CMP rate and the etching rate due to the aging of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 5 When CMP was performed using the obtained metal-polishing liquid under the same conditions as in Example 1, the CMP rate was 126 nm / min and the etching rate was 0.4 nm Z min. All were good, and there was no difference between the CMP rate and the etching rate due to the aging of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • DL — Lingoic acid (special reagent grade) 0.15 parts by weight of polyacrylamide, a protective film-forming agent, 0.4 parts by weight and 50 parts by weight of water are added and dissolved.
  • Solution A was obtained.
  • 0.2 parts by weight of benzotriazole was added to 0.7 parts by weight of ethylene glycol.
  • the resulting solution was dissolved in the same amount to obtain a solution B.
  • the solution B was added while maintaining the temperature at 45 ° C, to obtain a solution C as a metal polishing slurry material.
  • Solution C was also kept at 45 ° C.
  • the solution C at 45 ° C was diluted with 20 parts by weight of water heated to 45 ° C, and then diluted with hydrogen peroxide at 20 ° C (reagent grade, 30% Aqueous solution) was poured into 33.2 parts by weight to obtain a polishing liquid for metal. Note that the obtained metal polishing slurry was at 36 ° C.
  • Example 6 When CMP was performed under the same conditions as in Example 1 using the above metal polishing slurry, the CMP rate was 167 nm / min and the etching rate was 0.3 nm Z min. In addition, there was no difference between the CMP speed and the etching speed due to the aging of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 6 When CMP was performed under the same conditions as in Example 1 using the above metal polishing slurry, the CMP rate was 167 nm / min and the etching rate was 0.3 nm Z min. In addition, there was no difference between the CMP speed and the etching speed due to the aging of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 6
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, a metal polishing slurry material was prepared. However, benzotriazole was placed in a mortar and ground with a pestle for 5 minutes before dissolution. Observation of the crushed benzotriazole with an optical microscope revealed that the average particle size was 80 // m. In this example, the benzotriazole was used in which the particle size was reduced by this pretreatment. The time required to completely dissolve the zole in ethanol has been reduced from 5 minutes to 2 minutes.
  • Example 7 Using the above-mentioned metal polishing liquid material, a metal polishing liquid was prepared in the same manner as in Example 1, and the CMP was performed under the same conditions as in Example 1 using this metal polishing liquid. As a result, the CMP speed was 130 nm / min and the etching speed was 0.3 S nm Z min, both of which were favorable. No difference in the catching speed was observed. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 8 1 part by weight of colloidal silica having an average particle diameter of 100 nm as abrasive grains was added to the metal polishing liquid of Example 2 and dispersed to obtain a metal polishing liquid.
  • the CMP rate was 25 nm / min, and the etching rate was 0.6 nm / min, which were both favorable.
  • Example 8 1 part by weight of colloidal silica having an average particle diameter of 100 nm as abrasive grains was added to the metal polishing liquid of Example 2 and dispersed to obtain a metal polishing liquid.
  • a polishing slurry for metal was prepared.
  • a metal polishing slurry material was prepared by applying solution A, solution B, and 10 parts by weight of colloidal silica having an average particle size of 48 nm.
  • the CMP speed was 250 nm min and the etching speed was 0.5 nm Z min, which were both favorable. No difference was observed between the CMP rate and the etching rate due to the aging of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • a diluent obtained by adding 63 parts by weight of water to 7 parts by weight of a 10-fold concentrated liquid for metal use and a diluted solution of hydrogen peroxide (special grade reagent, 30% aqueous solution) in separate containers. The solution is sent from each container with a fixed-quant
  • the CMP speed was 12.9 nm / min and the etching speed was 0.5 nm / min, both of which were good, and the CMP speed and the etching speed due to the change over time of the metal polishing slurry material. The difference between them was an unusual force. Further, no erosion and polishing scratches were observed.
  • a metal polishing slurry was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount of ethanol added was increased from 5 parts by weight to 50 parts by weight in the preparation of a 10-fold concentrated metal polishing slurry.
  • the etching rate was 0.5 nm Z min and the CMP rate was 62 nm / min.
  • the obtained concentrated liquid was stored at 0 ° C., and no solid precipitation was observed.
  • the metal abrasive was diluted by adding 63 parts by weight of water as a diluent to 7 parts by weight of a 10-fold concentrated solution of a 10-fold concentrate, and hydrogen peroxide solution (reagent grade, 30%) was used as an oxidizing agent. % Aqueous solution) to obtain a metal polishing slurry.
  • Example 13 When CMP was performed in the same manner as in Example 1 using the obtained metal polishing slurry, the CMP rate was 187 ⁇ m / min, and the etching rate was 0.7 nm Z min. All were good, and there was no difference between the CMP rate and the etching rate due to the change of the polishing liquid material for metal. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 13 When CMP was performed in the same manner as in Example 1 using the obtained metal polishing slurry, the CMP rate was 187 ⁇ m / min, and the etching rate was 0.7 nm Z min. All were good, and there was no difference between the CMP rate and the etching rate due to the change of the polishing liquid material for metal. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 14 When CMP was performed using this metal polishing liquid in the same manner as in Example 1, the CMP speed was 186 nm / min, and the etching speed was 0.3 nm / min. It was good, and there was no difference between the CMP rate and the etching rate due to the aging of the metal polishing slurry material. Erosion and polishing scratches were not observed.
  • Example 14
  • DL-tartaric acid (reagent grade), which is a metal oxide dissolving agent, to dissolve it
  • the protective film forming agent benzotriazole 0.15 Parts by weight, and 0.1 parts by weight of butylammonium sulfate as a surfactant were added and dissolved by stirring with a stirring blade in a 40 ° C water bath to obtain a solution B.
  • the solution A and the solution B which are the metal abrasive materials was gotten. Further, 40 parts by weight of water was added to 0.1 parts by weight of DL-tartaric acid and dissolved to obtain an aqueous solution for dilution.
  • the obtained solution A, solution B and the aqueous solution for dilution were mixed at a weight ratio of 3Z3Z4 to obtain a polishing slurry for metal.
  • Example 15 When CMP was performed in the same manner as in Example 1 using this metal polishing slurry, the CMP speed was 126 nm Z min and the etching speed was 0.4 nm Z min. It was good, and there was no difference between the CMP speed and the etching speed due to the change over time of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 15 When CMP was performed in the same manner as in Example 1 using this metal polishing slurry, the CMP speed was 126 nm Z min and the etching speed was 0.4 nm Z min. It was good, and there was no difference between the CMP speed and the etching speed due to the change over time of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 16 When CMP was performed in the same manner as in Example 1 using this metal polishing liquid, the CMP rate was 127 nm / min, and the etching rate was 0.3 nm / min. In addition, no difference was observed between the CMP speed and the etching speed due to the change over time of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 16 When CMP was performed in the same manner as in Example 1 using this metal polishing liquid, the CMP rate was 127 nm / min, and the etching rate was 0.3 nm / min. In addition, no difference was observed between the CMP speed and the etching speed due to the change over time of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1 2, except c was prepared metal-polishing liquid material, in this embodiment, facilities the same pre-treatment as in Example 6 to benzo Application Benefits azole, an average particle size 8 0 / m. This reduced the time required to completely dissolve the benzotriazole from 15 minutes to 5 minutes.
  • Example 17 Using the above-mentioned metal polishing liquid material, a metal polishing liquid was prepared in the same manner as in Example 12, and using this, CMP was performed in the same manner as in Example 1. As a result, the CMP speed was as good as 185 nm and the etching speed was as good as 0.6 nm / min, and both the CMP speed and the etching speed due to the aging of the metal polishing slurry material were good. No difference was seen. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 17 Example 17
  • Example 12 The metal polishing slurry of Example 2 1 part by weight of a colloidal silica having a diameter of 100 nm was added and dispersed to obtain a polishing slurry for metal.
  • CMP was performed using this in the same manner as in Example 1, the CMP speed was 250 nm / min, and the etching speed was 0.6 nm Z min.
  • a polishing liquid for metal was prepared in the same manner as in Example 12. However, the metal polishing slurry material was added to the 10-fold concentrated metal polishing solution of Example 12 by further adding 10 parts by weight of a colloidal drier force having an average particle size of 48 nm. Prepared.
  • Example 19 When CMP was performed under the same conditions as in Example 1 using this, the CMP speed was 24.4 nm Z min, the etching speed was 0.6 nm Z min, and both were good. On the other hand, there was no difference between the CMP rate and the etching rate due to the aging of the metal polishing slurry material. No erosion or polishing scratches were observed.
  • a diluent obtained by adding 63 parts by weight of water to 7 parts by weight of a 10-fold concentrated liquid for metal dilution and 33.2 parts by weight of a hydrogen peroxide solution (reagent grade, 30% aqueous solution).
  • a hydrogen peroxide solution
  • the CMP speed is lYY nm Z min
  • the etching speed is 0.5 nm Z min, which are both good
  • the CMP speed and the etching due to the change over time of the metal polishing slurry material No speed difference was seen. No erosion or polishing scratches were observed.
  • Example 14 CMP was performed in the same manner as in Example 1 except that the metal polishing liquid of Example 14 was used.
  • a 10-fold concentrated polishing solution for metal was prepared in the same manner as in Example 12 except that no polyoxyethylene (10) glycol was added. When this was stored refrigerated at 5 ° C, a solid precipitated out, making it difficult to prepare and evaluate a metal polishing liquid as it was.
  • the present invention provides a high-concentration polishing liquid material for metal, and is used for actual polishing using the high-concentration polishing liquid material for transportation and storage.
  • the polishing liquid can be easily prepared by adding a diluent or the like thereto. Therefore, according to the present invention, the production cost of the polishing liquid for metal is reduced, the number of polishing liquid storage / transport containers used is reduced, and the storage space and the tank capacity of the polishing apparatus are reduced. And a highly reliable metal film buried pattern can be formed. Therefore, the present invention is particularly useful in the manufacture of semiconductor devices and the like.

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Description

明細書 金属用研磨液材料、 金属用研磨液、 その製造方法
及び
それを用 いた研磨方法
技術分野 本発明は、 特に半導体デバイ ス の配線工程に好適な金属 用研磨液と 、 該金属用研磨液を用 いた研磨方法と に関する 背景技術 近年 、 半導体集積回路 (以下、 L S I と記す) の ι¾集个 λ 化、 高性能化に伴つ て新たな微細加ェ技術が開発されてい る。 化学機械研磨 (以下、 C M P と記す) 法もその一つで あ り 、 L S I 製造工程、 特に多層配線形成ェ程における層 間絶縁膜の平坦化、 金属プラ グ形成、 埋め込み配線形成な どにおいて頻繁に利用 される技術であ る。 こ の技術は、 例 えば米国特許第 4 9 4 4 8 3 6 号に開示されている
また、 最近は L S I を高性能化するために、 配線材料と して銅合金の利用が試み られている。 しか し、 銅合金は従 来のァルミ ニゥム合金配線の形成で頻繁に用 い られた ド ラ ィ エツ チング法による微細加ェが困難である。 そ こで、 あ らか じめ溝を形成してある絶縁膜上に銅合金薄膜を堆積し て埋め込み、 溝部以外の銅合金薄膜を C M P によ り 除去し て埋め込み配線を形成する、 いわゆる ダマシン法が主に採 用 されてい る。 こ の技術は、 例えば特開平 2 — 2 7 8 8 2 2 号公報に開示されている。
金属の C M P の一般的な方法は、 円形の研磨定盤 (ブラ テン) 上に研磨パ ッ ド を貼 り 付け、 研磨パ ッ ド表面を金属 用研磨液で浸 し、 基体の金属膜を形成した面を押し付けて、 その裏面か ら所定の圧力 (以下、 研磨圧力 と記す) を加え た状態で研磨定盤を回 し、 研磨液と金属膜の凸部と の機械 的摩擦によ っ て凸部の金属膜を除去する ものである。
C M P に用 い られる金属用研磨液は、 一般には酸化剤及 び固体砥粒か らなっ てお り 、 必要に応じてさ ら に酸化金属 溶解剤、 保護膜形成剤が添加される。 C M P の基本的なメ 力ニズムは、 まず酸化によ っ て金属膜表面を酸化 し、 その 酸化層を固体砥粒によっ て削 り 取る と い う ものである と考 え られている。 凹部の金属表面の酸化層は研磨パ ッ ド にあ ま り 触れず、 固体砥粒によ る削 り 取 り の効果が及ばないの で、 C M P の進行と と も に凸部の金属層が除去されて基体 表面は平坦化される。 こ の詳細については、 ジャーナル ' ォブ · エ レク ト ロ ケミ カル ' ソサエティ 誌 ( Journal of Electrochemical Society) の第 1 3 8 巻 1 1 号 ( 1 9 9 1 年発行) の 3 4 6 0 〜 3 4 6 4 頁に開示されている。
一般に、 C M P による研磨速度を高める には、 酸化金属 溶解剤を添加する こ とが有効である と されている。 これは、 固体砥粒によ っ て削 り 取 られた金属酸化物の粒を研磨液に 溶解させる こ と によ り 、 固体砥粒によ る削 り 取 り の効果が 増すためであるため と解釈できる。 酸化金属溶解剤の添加 によ り C M P によ る研磨速度は向上するが、 一方、 凹部の 金属膜表面の酸化層 もエッ チング (溶解) されて し ま う 。 これによ り 金属膜表面が露出する と、 酸化剤によ っ て金属 膜表面がさ ら に酸化され、 これが繰 り 返される と凹部の金 属膜のエ ッ チングが進行して しま う こ と になる。 こ のため、 酸化金属溶解剤を添加 した場合には、 研磨後に埋め込まれ た金属配線の表面中央部分が皿のよ う に窪む現象 (以下デ イ ツ シ ングと記す) が発生 し、 平坦化効果が損なわれる。 そ こで、 これを防 ぐために、 さ ら に保護膜形成剤が添加さ れる。 こ のよ う な金属用研磨液では、 凹部の金属膜表面の 酸化層はあ ま り エ ッチングされず、 しか し削 り 取 られた酸 化層の粒が効率良 く 溶解されて C M P によ る研磨速度が大 きいよ う に、 酸化金属溶解剤 と保護膜形成剤 と の効果のバ ラ ンス を取る こ とが重要である。
こ のよ う に酸化金属溶解剤と保護膜形成剤 と を添加 して 化学反応の効果を加える こ と によ り 、 C M P速度 ( C M P による研磨速度) が向上する と と も に、 C M P される金属 層表面の損傷 (ダメージ) も低減される と い う 効果が得 ら れる。
しか しなが ら 、 従来の固体砥粒を含む金属用研磨液を用 いて C M P によ る埋め込み配線形成を行う 場合には、 つぎ の ( 1 ) 〜 ( 4 ) と いっ た問題が生 じる。
( 1 ) 埋め込まれた金属配線の表面中央部分が等方的に腐 食されるディ ッ シングの発生
( 2 ) 固体砥粒に由来する研磨傷 (ス ク ラ ッチ) の発生 ( 3 ) 研磨後の基体表面に残留する固体砥粒を除去するた めの洗浄プロセス の複雑さ
( 4 ) 固体砥粒そのものの原価や廃液処理に起因する コ ス 卜 の上昇
また、 金属用研磨液は、 その大部分が水であ る ため、 そ れを入れて運搬するための容器、 運送及び研磨を行う側で の保管、 研磨装置に必要なタ ンク の容量な どのため、 貯蔵、 製造のため にかな り のスペースが必要であ り 、 また、 これ が金属用研磨液の研磨装置への供給自動化の障害となっ て いた。 さ ら に、 運搬容器の リ サイ クルに伴う 費用の増大な ども大きな問題 となっ ている。
これ ら の問題点は、 固体砥粒を多量に含まない金属用研 磨液の濃縮液を用 いる こ と によ り 改善する こ とができる。 これによ り 、 研磨液メーカ の生産コ ス ト は低減され、 結果 と して濃縮液を希釈した も ののコ ス ト も下げる こ とができ る。 また、 濃縮液の使用 には、 研磨液生産設備のスケール を上げる必要がな く なるため、 新たな設備投資を行わずに 量産化に対応でき る と い う 利点があ る。 なお、 濃縮液の使 用 によ っ て得 られる効果を考慮する と、 1 0 倍以上の濃縮 液を調製できる こ とが望ま しい。
一方、 デイ ツ シ ングゃ研磨中の銅合金の腐食を抑制 し、 信頼性の高い L S I 配線を形成するために、 グ リ シ ン等の ァ ミ ノ 酢酸又はア ミ ド硫酸か らなる酸化金属溶解剤 と、 保 護膜形成剤 と してべンゾ ト リ アゾ一ル (以下、 B T A と記 す) と を含有する金属用研磨液を用 いる方法が提唱されて いる。 こ の技術は例えば特開平 8 — 8 3 7 8 0 号公報に記 載されてい る。
しか し、 B T A の水に対する溶解度が低いため ( 2 g Z 2 0 °C水 1 0 0 c c ) 、 一部の金属用研磨液においては 1 0 倍濃縮ができなかっ た (例えば B T A 0 . 2 重量% を含 む金属用研磨液の濃縮は 5 倍まで可能、 1 0 倍では 0 °C以 下で析出) 。 従っ て、 研磨液を 1 0 倍以上濃縮可能であ り かつ、 0 °C以上の通常の環境で濃縮液中の B T Aを析出さ せないよ う な金属用研磨液が望まれている。
発明の開示 本発明は、 高濃度の金属用研磨液材料を希釈する こ と に よ り 容易に調製する こ とができ、 信頼性の高い金属膜の埋 め込みパター ンの形成を実現する金属用研磨液を提供する こ と を 目的 とする。 さ ら に、 本発明は、 こ の金属用研磨液 の製造方法と、 それに用い られる金属用研磨液材料と、 当 該研磨液を用 いる研磨方法と を提供する こ と を 目的とする 上記目 的を達成するため、 本発明では、 酸化剤 と、 酸化 金属溶解剤 と、 保護膜形成剤 と、 該保護膜形成剤の溶解補 助剤 と、 水と を含有する金属用研磨液が提供される。
本発明の金属用研磨液は、 さ ら に砥粒を含んでいても よ いが、 実質的に固体砥粒を含んでいな く てもよい。 固体砥 粒を含む場合には、 高速の研磨が実現できる。 また、 固体 砥粒を含まない場合には、 固体砥粒よ り も はるかに機械的 に柔 らかい研磨パ ッ ド との摩擦によ っ て C M P が進むため に研磨傷は劇的に低減される。
こ の本発明の金属用研磨液を調製するための材料と して、 本発明では、 酸化金属溶解剤 と、 保護膜形成剤 と、 該保護 膜形成剤の溶解補助剤 と を含む金属用研磨液材料が提供さ れる。 本発明の金属用研磨液材料は、 酸化剤、 水及びノ又 は砥粒を、 さ ら に含んでいてもよ い。
こ の本発明の金属用研磨液材料を用 いれば、 これを希釈 し、 必要に応 じて適宜成分を追加する こ と によ り 、 容易 に 金属用研磨液を調製する こ とができ る。 そ こで、 本発明で は、 本発明の金属用研磨液材料を、 希釈剤によ り 希釈する 希釈工程を備える金属用研磨液の製造方法が提供される。
希釈剤には、 水、 又は、 希釈用水溶液が好適である。 希 釈用水溶液と しては、 酸化剤、 酸化金属溶解剤、 保護膜形 成剤及び該保護膜形成剤の溶解補助剤の う ち の少な く と も 一つを含むものが望ま しい。 上述の希釈工程は、 酸化剤、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成剤及び該保護膜形成剤の溶解 補助剤か ら なる成分群の う ち の少な く と も一成分を含む金 属用研磨液材料を、 該成分群の う ち の少な く と も一成分の 水溶液であ る希釈用水溶液によ り 希釈する工程とする こ と ができ る。
本発明の金属用研磨液材料は、 成分がすべて混合された 組成物であ っ てもよ く 、 また、 成分の う ち の任意のいずれ かを含む二以上の組成物の組み合わせと してもよい。 すな わち、 本発明の金属用研磨液材料は、 第 1 の構成要素 と第 二の構成要素と を、 互いに混合していない状態で備える よ う に しても よ い。 こ こ で、 第 1 の構成要素は、 酸化剤、 酸 化金属溶解剤、 上記保護膜形成剤及び上記溶解補助剤か ら なる成分群の う ち の少な く と も一成分を含み、 第 2 の構成 要素は、 当該成分群の残 り の成分を含む。
また、 こ のよ う な二以上の構成要素を備える金属用研磨 液材料を用 いて金属用研磨液を製造する方法と して、 本発 明では、 上述の第 1 の構成要素及び第 2 の構成要素と、 希 釈剤 と を、 所望の順番で混合する混合工程を備える金属 用研磨液の製造方法が提供される。 混合の順番は特に限定 される も のではな く 、 用 いる化合物の性質、 混合する液体 の温度な どに応じて、 適宜選択する こ とができ る。
こ こ で、 第 1 の構成要素は酸化剤を含み、 第 2 の構成要 素は、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成剤、 溶解補助剤を含む こ とが望ま し い。 第 1 の構成要素は、 必要に応じて、 保護 膜形成剤及び溶解補助剤をさ ら に含んでいても よ い。 また、 第 1 及び第 2 の構成要素は、 それぞれ必要に応 じて他の成 分を含んでいて もよい。
なお、 酸化剤は、 分解が促進されるため、 4 0 °Cよ り 高 温に しない こ とが望ま しい。 そ こで、 こ の混合工程では、 酸化剤及び該酸化剤を含む混合物 (例えば、 第 1 の構成要 素、 並びに、 第 1 の構成要素及び第 2 の構成要素の混合物、 それを希釈 した も のな ど) を、 4 0 °C以下に保持する こ と が望ま し い。
また、 保護膜形成剤の少な く と も一部は、 平均粒径 1 0 0 m以下の固体と し、 こ の混合工程によ り 、 これを金属 用研磨液中 に溶解又は分散する こ とが望ま しい。 なお、 本 明細書では、 特に断 らない限 り 、 数平均粒径を単に平均粒 径と呼ぶ
さ ら に 、 本発明では、 上述した本発明の金属用研磨液を 用 いる研磨方法が提供される。 すなわち 、 本発明では、 本 発明の金属用研磨液を、 研磨定盤上の研磨パ ッ ド に供給し 研磨パ ッ ド と被研磨物の被研磨面と を接触させつつ、 研磨 パ ッ ド と被研磨面と を相対的に運動させる こ と によ り 、 被 研磨物の被研磨面を研磨する研磨工程を備える研磨方法が 提供される。
本発明の研磨方法では 、 こ の研磨工程に先立っ て、 上述 の第 1 の構成要素及び第 2 の構成要素と希釈剤 と を所望の 順番で混合する こ と によ り 金属用研磨液を調製する混合ェ 程を、 さ ら に備えていて もよい。
従来の研磨液とは異な り 、 本発明の金属用研磨液は、 希 釈によ り 容易に 該研磨液を調製する こ とのできる高濃度 の金属用研磨液材料を用 いる こ と によ り 、 金属用研磨液の 生産コ ス ト を低減した り 、 運搬するための容器、 運送及び 研磨を行う 側での保管、 研磨装置のタ ンク等の容量を小さ < した り する こ とができる。
の金属用研磨液においては、 主と して保護膜形成剤の 水に対する溶解度の向上を 目的に、 金属用研磨液に溶解補 助剤を添加する。 これによ り 、 研磨特性に応 じたよ り 広範 でかつ高濃度の金属用研磨液材料を調製する こ とが可能と なる
A . 成分
つぎに、 本発明の金属用研磨液材料及び金属用研磨液の 各成分につ いて説明する。
( 1 ) 溶解補助剤
本発明 にお いて、 溶解補助剤は、 保護膜形成剤の溶解度 が 2 5 g Z L 以上の溶媒、 又は、 界面活性剤であ る こ とが 好ま し い。 これ ら は、 単独で用 いて も よ く 、 組み合わせて 用 いて も よ い。
a . 界面活性剤
界面活性剤 の添加によ り 、 保護膜形成剤の疎水性基に界 面活性剤 を吸着さ せ、 界面活性剤の親水性基に よ り 水 と の 相溶性を増大さ せ る こ と に よ り 、 溶解性を向上さ せ る こ と ができ る 。
界面活性剤 と し ては、 例えば、 エステル、 エーテル、 多 糖類、 ア ミ ノ 酸塩、 ポ リ カルボ ン酸、 ポ リ カ ルボ ン酸塩、 ビニルポ リ マ、 スルホ ン酸、 スルホ ン酸塩及びア ミ ド な ど が挙げ ら れる 。 こ れ ら は、 単独で用 いて も よ く 、 一以上 を 組み合わせて用 いて も よ い。
なお、 界面活性剤 に は、 陰イ オ ン界面活性剤、 陽イ オ ン 界面活性剤、 両性界面活性剤及び非イ オ ン界面活性剤があ る 。 そのそれぞれにつ いて、 本発明 に好適な具体例 をつ ぎ に挙げる。
陰イ オ ン界面活性剤 と しては、 カ ルボ ン酸塩、 スルホ ン 酸塩、 硫酸エス テル塩、 及び、 リ ン酸エス テル塩が挙げ ら れる 。
カルボ ン酸塩に は、 石鹼、 N — ァ シルア ミ ノ 酸塩、 ポ リ ォキ シエチ レ ンアルキルエーテルカ ルボ ン酸塩、 ポ リ オキ シプロ ピ レ ンアルキルエーテルカ ルボ ン酸塩、 ポ リ オキ シ プロ ピ レ ンアルキルエーテルカルボ ン酸塩、 ァ シル化ぺプ チ ド な どがあ る 。
スルホ ン酸塩に は、 アルキルスルホ ン酸塩、 アルキルべ ンゼンスルホ ン酸塩、 アルキルナフ 夕 レ ンスルホ ン酸塩、 ナフ 夕 レ ンスルホ ン酸塩、 スルホコ ハ ク 酸塩、 ひ ー ォ レ フ ィ ンスルホ ン酸塩、 N — ァ シルスルホ ン酸塩な どがあ る 。
硫酸エス テル塩に は、 硫酸化油、 アルキル硫酸塩、 アル キルエーテル硫酸塩、 ポ リ オキ シエチ レ ンァ リ ルエーテル 硫酸塩、 ポ リ オキ シプロ ピ レ ンアルキルァ リ ルエーテル硫 酸塩、 アルキルア ミ ド硫酸塩な どがあ る 。
リ ン酸エス テル塩には、 アルキル リ ン酸塩、 ポ リ オキ シ エチ レ ンアルキルァ リ ルェ一テル リ ン酸塩、 ポ リ オキ シプ ロ ピ レ ンアルキルァ リ ルエーテル リ ン酸塩な どがあ る。
陽イ オ ン界面活性剤 と しては、 脂肪族ァ ミ ン塩、 脂肪族 4 級ア ンモニゥ ム塩、 塩化ベ ンザルコ ニゥム塩、 塩化ベ ン ゼ ト ニゥム 、 ピ リ ジニゥム塩、 イ ミ ダゾ リ ニゥ ム塩な どが 挙げ ら れる 。
両性界面活性剤 と しては、 カルポキ シベタ イ ン型、 ア ミ ノ カ ルボ ン酸塩、 イ ミ ダゾ リ ニゥムベタ イ ン、 レ シチ ン、 アルキルア ミ ンォキサイ ド な どが挙げ ら れる。
非イ オ ン界面活性剤 には、 エーテル型、 エーテルエス テ ル型、 エス テル型、 含窒素型があ る 。 また、 フ ッ 素系界面 活性剤 も 、 好適に使用でき る。
エーテル型 と しては、 ポ リ オキ シエチ レ ンアルキルエー テル、 ポ リ オキ シエチ レ ンアルキルフ エ ニルエーテル、 ァ ルキルァ リ ルホルム アルデ ヒ ド縮合ポ リ オキ シエチ レ ンェ 一テル、 ポ リ オキ シエチ レ ンポ リ オキ シプロ ピ レ ンブロ ッ ク ポ リ マー、 ポ リ オキシエチ レ ンポ リ オキ シプロ ピ レ ンァ ルキルエーテルな どが挙げ ら れる 。
エーテルエス テル型 と しては、 ダ リ セ リ ンエス テルのポ リ オキ シエチ レ ンエーテル、 ソル ビ夕 ンエス テルのポ リ オ キ シエチ レ ンエーテル、 ソル ビ ト ールエステルのポ リ オキ シエチ レ ンエーテルな どが挙げ ら れる 。
エス テル型 と しては、 ポ リ エチ レ ン ダ リ コ ール脂肪酸ェ ス テル、 グ リ セ リ ンエステル、 ポ リ グ リ セ リ ンエス テル、 ソ ル ビ 夕 ンエス テル、 プロ ピ レ ン グ リ コ ーリレエス テル、 シ ョ 糖エス テルな どが挙げ ら れる。
含窒素型 と しては、 fl旨肪酸アル力 ノ ールア ミ ド 、 ポ リ オ キ シエチ レ ン脂肪酸ア ミ ド 、 ポ リ オキ シエチ レ ンアルキル ア ミ ド等が例示さ れる。
さ ら に、 グ リ セ リ ンエス テル、 ソ ル ビタ ンエス テル、 メ ト キ シ酢酸、 エ ト キ シ酢酸、 3 — エ ト キ シプロ ピオ ン酸及 びァ ラ ニ ンェチルエステル等のエス テル ;
ポ リ エチ レ ン グ リ コ ール、 ポ リ プロ ピ レ ン グ リ コ ール、 ポ リ テ ト ラ メ チ レ ング リ コ ール、 ポ リ エチ レ ン グ リ コ ール アルキルエーテル、 ポ リ エチ レ ンダ リ コ ールアルケニルェ —テル、 アルキルポ リ エチ レ ン グ リ コ ール、 アルキルポ リ エチ レ ン ダ リ コ ールアルキルエーテル、 アルキルポ リ ェチ レ ン ダ リ コ ールアルケニルエーテル、 アルケニルポ リ エチ レ ング リ コ 一ル、 アルケニルポ リ エチ レ ン ダ リ コ ールアル キルエーテル、 アルケニルポ リ エチ レ ン ダ リ コ ールァルケ ニルエーテル、 ポ リ プロ ピ レ ン ダ リ コ ールアルキルエーテ ル、 ポ リ プロ ピ レ ン グ リ コ ールアルケニルエーテル、 アル キソレポ リ プ ロ ピ レ ン グ リ コ ール、 アルキルポ リ プロ ピ レ ン ダ リ コ ールアルキルエーテル、 アルキルポ リ プロ ピ レ ン グ リ コ ールアルケニルエーテル、 アルケニルポ リ プロ ピ レ ン グ リ コ ール、 アルケニルポ リ プロ ピ レ ン グ リ コ 一ルァリレキ ルエーテル及びアルケニルポ リ プロ ピ レ ン ダ リ コ ールアル ケニルエーテル等のエーテル ;
メ チルタ ウ リ ン酸、 硫酸メ チル、 硫酸プチル、 ビニルス ルホ ン酸、 1 — ァ リ ルスルホ ン酸、 2 — ァ リ ルス ルホ ン酸、 メ ト キ シ メ チルスルホ ン酸、 エ ト キ シメ チルスリレホ ン酸、 3 — エ ト キ シプロ ピルスルホ ン酸、 メ ト キ シメ チルスリレホ ン酸、 エ ト キ シ メ チルスルホ ン酸、 3 — エ ト キ シプロ ピル スルホ ン酸及びスルホ コ ハ ク酸等のスルホ ン酸 ;
メ チルタ ウ リ ン酸ア ンモニゥム塩、 メ チルタ ウ リ ン酸ナ ト リ ウ ム塩、 硫酸メ チルナ ト リ ウム塩、 硫酸ェチルア ンモ ニゥム塩、 硫酸プチルア ンモニゥム塩、 ビニルスルホ ン酸 ナ ト リ ウ ム塩、 1 — ァ リ ルスルホ ン酸ナ ト リ ウム塩、 2 — ァ リ ルスルホ ン酸ナ ト リ ウム塩、 メ ト キ シメ チルスルホ ン 酸ナ ト リ ウ ム塩、 エ ト キ シメ チルスルホ ン酸ア ンモニゥ ム 塩、 3 _ エ ト キ シ プロ ピルスルホ ン酸ナ ト リ ウム塩、 メ ト キ シ メ チルスルホ ン酸ナ ト リ ウム塩、 エ ト キ シ メ チルス ル ホ ン酸ア ンモニゥム塩、 3 — エ ト キ シプロ ピルスルホ ン酸 ナ ト リ ゥム塩及びスルホ コ ハ ク酸ナ ト リ ゥ ム塩等のス ルホ ン酸 ¾ ;
プロ ピオ ンア ミ ド 、 ア ク リ ルア ミ ド 、 メ チル尿素、 ニ コ チ ンア ミ ド 、 コ ハ ク酸ア ミ ド及びスルフ ァ ニルア ミ ド等の ア ミ ド等も、 好適な界面活性剤 と して挙げられる。
ただし、 被研磨物が半導体集積回路用 シ リ コ ン基板な ど の場合は、 アルカ リ 金属、 アルカ リ 土類金属、 八 ロゲン化 物等によ る汚染は望ま し く ないため、 酸又はそのア ンモニ ゥム塩が望ま しい。 なお、 被研磨物がガラス基板な どの場 合は、 こ の限 り ではない。
界面活性剤の配合量は、 金属用研磨液 (すなわち 、 金属 用研磨液材料に必要に応じて添加物を加え、 希釈剤によ り 希釈した、 研磨液と して使用可能な状態) において、 酸化 剤、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成剤、 界面活性剤及び水の 総量 1 0 0 g に対 して 0 . 0 l 〜 3 g とする こ とが好ま し く 、 0 . 0 3 〜 : L g とする こ とがよ り 好ま し く 、 0 . :! 〜 0 . 8 g とする こ とが特に好ま し い。 こ の配合量が 0 . 0 1 g未満では、 界面活性剤の添加効果が現れない傾向があ り 、 3 g を超える と C M P 速度が低下して し ま う 傾向があ る。
b . 溶媒
保護膜形成剤の水に対する溶解度の向上を 目的に、 本発 明では、 研磨液材料に保護膜形成剤の溶解度が 2 5 g / L 以上の溶媒が添加される。 なお、 こ の溶媒における保護膜 形成剤の溶解度は、 4 O g Z L以上であ る こ とが好ま し く 、 5 O g Z L 以上であればさ ら に好ま し く 、 特に良溶媒を用 いる こ とが望ま しい。
本発明に好適な溶解補助剤 と しての溶媒には、 アルコ一 ル類、 ェ一テル類、 ケ ト ン類等の有機溶媒を挙げる こ とが できる。 これら は、 単独で用いても よ く 、 任意の二以上を 組み合わせて用 いて も よ い。
本発明 にお いて、 溶解補助剤 と して用 い る の に好適な溶 媒と しては、
メ タ ノ ール、 エ タ ノ ール、 1 ー プロ ノ、。 ノ ール、 2 — プロ パ ノ ール、 2 — プロ ピ ン 一 1 — オール、 ァ リ ルアルコ ール、 エチ レ ン シ ァ ノ ヒ ド リ ン、 1 — ブ夕 ノ ール、 2 — ブタ ノ 一 ル ( S ) — ( + ) — 2 — ブ夕 ノ ール、 2 _ メ チル一 1 — プ ロ ノ、。 ノ ール、 t — ブチルアルコ ール、 パ一 フ ルオ ロ ー t — ブチルアルコ ール、 t — ペ ンチルアルコ ール、 1 , 2 — ェ タ ン ジオール、 1 , 2 _ プロノ\° ンジオール、 1 , 3 — プロ パ ン ジオール、 1 , 3 _ ブタ ンジオール、 2 , 3 — ブタ ン ジオール、 1 , 5 — ペ ン夕 ン ジオール、 2 — ブテ ン 一 1 , 4 ー ジオール、 2 — メ チルー 2 , 4 _ ペ ン夕 ン ジオール、 グ リ セ リ ン、 2 — ェチルー 2 — ( ヒ ド ロ キ シメ チル) 一 1 , 3 — プロ パ ン ジオール、 1 , 2 , 6 — へキサ ン ト リ オール 等のアルコ ール ;
ジォキサ ン、 ト リ オキサ ン、 テ ト ラ ヒ ド ロ フ ラ ン、 ジェ チ レ ン ダ リ コ ールジェチルエーテル、 2 — メ 卜 キ シェタ ノ —ル、 2 — エ ト キ シエタ ノ ール、 2 , 2 - (ジ メ 卜 キ シ) ェタ ノ 一ル、 2 — イ ソ プロ ポキシエタ ノ ール、 2 — ブ 卜 キ シエタ ノ ール、 1 ー メ ト キ シ 一 2 _ プロ パ ノ ール、 1 — ェ ト キ シ ー 2 — プロパ ノ ーリレ、 フルフ リ ルアルコ ール、 テ ト ラ ヒ ド ロ フ ルフ リ ルアルコ ール、 エチ レ ン グ リ コ 一リレ、 ジ エチ レ ン グ リ コ ール、 ジエチ レ ン グ リ コ ールモ ノ メ チルェ 一テル、 ジエチ レ ン グ リ コ ールモ ノ ェチルエーテル、 ジェ チ レ ン グ リ コ ールモ ノ ブチルエーテル、 卜 リ エチ レ ン ダ リ コ ール、 ト リ エチ レ ング リ コ ールモ ノ メ チルエーテル、 テ 卜 ラ エチ レ ン グ リ コ ール、 ジプロ ピ レ ン グ リ コ ール、 ジプ ロ ピ レ ン グ リ コ ー Jレモ ノ メ チルェ一テル、 ジプロ ピ レ ン グ リ コ 一ルモ ノ エチルエーテル、 ト リ プロ ピ レ ン グ リ コ ール モ ノ メ チルエーテル、 ポ リ エチ レ ン グ リ コ ール、 ジァセ ト ン アル コ ール、 2 — メ ト キ シェチルアセテー ト 、 2 — エ ト キ シェチルァセテー ト 、 ジエチ レ ン ダ リ コ ールモ ノ ェチル ェ一テルァセテ一 ト 等のエーテル ;
アセ ト ン、 メ チルェチルケ ト ン、 ァセチルアセ ト ン、 シ ク ロ へキサ ノ ン等のケ ト ンな どが挙げ ら れる。
これ ら の溶媒の 中で も 、 メ タ ノ ール、 エタ ノ ール、 2 — プロ ノ、。 ノ ール、 テ ト ラ ヒ ド ロ フ ラ ン、 エチ レ ン グ リ コ ール、 アセ ト ン、 メ チルェチルケ ト ンがよ り 好ま し い。
こ の溶媒の配合量は、 特に制限はないが、 金属用研磨液 材料の総量 1 0 0 g に対 して 5 0 g 未満 とする こ と が好ま し く 、 2 5 g 未満 とする こ とがよ り 好ま し い。 こ の配合量 が 5 0 g 以上では研磨界面の状態が水系 の場合 と は異な り , C M P 速度が低下する 恐れがあ る 。
( 2 ) 保護膜形成剤
保護膜形成剤は、 金属表面に保護膜を形成する も のであ る 。 こ の保護膜形成剤 と しては、 ア ンモニア、 アルキルァ ミ ン、 ア ミ ノ 酸、 ィ ミ ン、 ァ ゾ一ル等の含窒素化合物及び その塩、 メ ルカ ブタ ン等の含硫黄化合物、 並びに、 多糖類 , ポ リ カ ルボ ン酸、 ポ リ カ ルボ ン酸塩及びビニル系ポ リ マ等 の水溶性ポ リ マが挙げ ら れる 。 これ ら は、 単独で用 いて も よ く 、 二以上を組み合わせて用 いて も よ い。 本発明 に好適な保護膜形成剤 と しては、 例え ば、
ア ンモニア ;
ジメ チルァ ミ ン、 卜 リ メ チルァ ミ ン、 卜 リ エチルァ ミ ン、 プロ ピ レ ン ジァ ミ ン等のアルキルア ミ ンゃ、 エチ レ ン ジァ ミ ンテ ト ラ酢酸 ( E D T A ) 、 ジェチルジチ才力 ルバ ミ ン 酸ナ ト リ ウ ム及びキ トサ ン等のア ミ ン ;
グ リ シ ン、 L — ァ ラ ニ ン、 β — 了 ラ ニ ン 、 L — 2 — ア ミ ノ 酪酸、 L — ノ ルノ リ ン、 L — ノ リ ン、 L — ロ イ シ ン、 L — ノ ル ロ イ シ ン、 L 一 イ ソ ロ イ シ ン、 L — ァ ロ イ ソ ロ イ シ ン、 L — フ エ 二ルァ ラ ニ ン、 L — プロ リ ン、 サルコ シ ン、 L — オル二チ ン、 L 一 リ シ ン、 タ ウ リ ン、 L — セ リ ン、 L — ト レォニ ン、 L ー ァ ロ ト レオニ ン、 L _ ホモセ リ ン、 L — チ ロ シ ン 、 3 , 5 — ジ ョ ー ド 一 L — チ ロ シ ン、 β — ( 3 , 4 — ジ ヒ ド ロキ シ フ エニル) 一 L ー ァ ラ ニ ン、 L — チ ロ キ シ ン、 4 ー ヒ ド ロ キ シ 一 L 一 プロ リ ン、 L — シス テ ィ ン、 L — メ チォニ ン、 L 一 ェチォニ ン、 L — ラ ンチォニ ン、 L 一 シス 夕 チォニ ン、 L — シスチ ン、 L — システ ィ ン酸、 L — ァスパ ラ ギ ン酸、 L 一 グルタ ミ ン酸、 S — (カルポキ シ メ チル) 一 L — システィ ン、 4 — ァ ミ ノ 酪酸、 L — ァ スパ ラ ギ ン、 L — グルタ ミ ン、 ァザセ リ ン、 L 一 アルギニ ン、 L 一 力 ナバニ ン、 L — シ ト ル リ ン、 δ — ヒ ド ロ キ シ 一 L — リ シ ン、 ク レアチ ン、 L — キヌ レニ ン、 L — ヒ スチジ ン、 1 ー メ チル ー L 一 ヒ ス チジ ン、 3 — メ チルー L — ヒ スチジ ン、 エルゴチォネイ ン、 L 一 ト リ ブ ト フ ァ ン、 ァ ク チ ノ マ イ シ ン C l 、 ァノ \° ミ ン、 ア ンギオテ ン シ ン I 、 ア ンギオテ ン シ ン Π 及びア ンチパイ ン等のア ミ ノ 酸 ; ジチゾン、 ク プロ イ ン ( 2 , 2 ' ー ビキ ノ リ ン) 、 ネオ ク プロ イ ン ( 2 , 9 — ジメ チル _ 1 , 1 0 — フ エ ナ ン ト 口 リ ン) 、 バ ソ ク プロ イ ン ( 2 , 9 — ジメ チル一 4 , 7 — ジ フ エ 二ル ー 1 , 1 0 — フ エナ ン ト 口 リ ン) 及びキ ュ ペ ラ ゾ ン ( ビス シ ク ロ へキサノ ンォキサ リ ル ヒ ド ラ ゾン) 等のィ ミ ン ;
ベ ンズイ ミ ダゾ一ルー 2 — チオール、 2 — [ 2 - (ベ ン ゾチア ゾ リ ル) ] チォプロ ピオ ン酸、 2 — [ 2 — (ベ ン ゾ チア ゾ リ ル) ] チォブチル酸、 2 — メ ルカ プ ト べ ン ゾチア ゾール、 1 , 2 , 3 _ ト リ ァ ゾ一ル、 1 , 2 , 4 — ト リ ァ ゾール、 3 — ァ ミ ノ 一 1 H— 1 , 2 , 4 — ト リ ァ ゾ一ル、 ベ ン ゾ ト リ ァ ゾール、 1 — ヒ ド ロ キ シベ ン ゾ 卜 リ ア ゾ一ル, 1 — ジ ヒ ド ロ キ シプロ ピルべ ンゾ 卜 リ ア ゾ一ル、 2 , 3 — ジカ リレポキ シプロ ピルべ ン ゾ ト リ ァ ゾ一ル、 4 — ヒ ド ロ キ シベ ン ゾ ト リ ア ゾール、 4 一 カ ルボキ シル一 1 H — ベ ン ゾ ト リ ァ ゾール、 4 — メ ト キ シカ ルポ二ル ー 1 H — べ ン ゾ ト リ ア ゾール、 4 — ブ ト キ シカ ルボ二ルー 1 /ί — ベ ン ゾ ト リ ァ ゾール、 4 ー ォ ク チルォキ シカ ルボ二ルー 1 Η — ベ ン ゾ ト リ ァ ゾ一ル、 5 _ へキ シルベ ンゾ ト リ ア ゾ一ル、 Ν _ ( 1 , 2 , 3 — ベ ン ゾ ト リ ア ゾ リ ル一 1 ー メ チル) 一 Ν — ( 1 , 2 , 4 — ト リ ァ ゾ リ ルー 1 — メ チル) 一 2 — ェチルへ キ シルァ ミ ン、 ト リ ル ト リ ァ ゾ一ル、 ナ フ ト ト リ ァ ゾール . ビス [ ( 1 一 べ ン ゾ ト リ ァ ゾ リ ル) メ チル ] ホス ホ ン酸等 のァ ゾール ;
ノ ニルメ ルカ ブタ ン、 ド デシルメ ルカ ブタ ン、 ト リ ア ジ ンチオール、 ト リ ア ジ ン ジチオール、 卜 リ ア ジ ン ト リ チォ ール等の メ ルカ プ夕 ン ;
アルギ ン酸、 ぺ ク チ ン酸、 カ ルボキ シ メ チルセル ロ ース , カ ー ド ラ ン及びプル ラ ン等の多糖類 ;
グ リ シ ンア ンモニゥム塩及びダ リ シ ンナ ト リ ゥ ム塩等の ア ミ ノ 酸塩 ;
ポ リ ア ス パ ラ ギ ン酸、 ポ リ グルタ ミ ン酸、 ポ リ リ シ ン、 ポ リ リ ン ゴ酸、 ポ リ メ タ ク リ ル酸、 ポ リ メ 夕 ク リ ル酸ア ン モニゥ ム塩、 ポ リ メ タ ク リ ル酸ナ ト リ ウ ム塩、 ポ リ ア ミ ド 酸、 ポ リ マ レイ ン酸、 ポ リ イ タ コ ン酸、 ポ リ フ マル酸、 ポ リ ( p — ス チ レ ンカ ルボ ン酸) 、 ポ リ ア ク リ リレ酸、 ポ リ ア ク リ ルア ミ ド 、 ァ ミ ノ ポ リ ア ク リ ルア ミ ド 、 ポ リ ア ク リ ル 酸ア ンモニ ゥム塩、 ポ リ ア ク リ ル酸ナ ト リ ウム塩、 ポ リ ア ミ ド酸、 ポ リ ア ミ ド酸ア ンモニゥ ム塩、 ポ リ ア ミ ド酸ナ ト リ ゥム塩及びポ リ ダ リ オキ シル酸等のポ リ カルボ ン酸及び その塩 ;
ポ リ ビニルアルコ ール、 ポ リ ビニル ピ ロ リ ド ン及びポ リ ァ ク ロ レイ ン等の ビニル系ポ リ マが挙げ ら れる 。
こ れ ら の保護膜形成剤の 中で も 、 キ ト サ ン、 エチ レ ン ジ ア ミ ンテ ト ラ酢酸、 L — ト リ プ ト フ ァ ン、 キ ュ ペ ラ ゾン、 ト リ ア ジ ン ジチオール、 ベ ン ゾ ト リ ア ゾール、 4 — ヒ ド ロ キ シベ ンゾ ト リ ア ゾール、 4 — カ ルボキ シルー 1 H — ベ ン ゾ ト リ ァ ゾールブチルエス テル、 ト リ ル ト リ ア ゾ一ル、 ナ フ ト ト リ ァ ゾール、 ポ リ リ ンゴ酸、 ポ リ ア ク リ ル酸、 ポ リ ア ク リ ルア ミ ド 、 ポ リ ア ク リ ル酸アンモニゥ ム塩、 ポ リ ビ ニルアルコ ールが、 大き い C M P 速度 と 小さ いエ ッ チ ン グ 速度 と を両立する 上で好ま し い。 保護膜形成剤の配合量は、 金属用研磨液において、 酸化 剤、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成剤、 溶解補助剤及び水の 総量 1 0 0 g に対 して、 0 . 0 0 0 1 m o 1 〜 0 . 0 5 m o l とする こ とが好ま し く 、 0 . 0 0 0 3 m o 卜 0 . 0 0 5 m o 1 とする こ とがよ り 好ま し く 、 0 . 0 0 0 5 m o 1 〜 0 . 0 0 3 5 m o l とする こ とが特に好ま しい。 こ の 配合量が 0 . 0 0 0 1 m o 1 未満では、 エ ッチングの抑制 が困難となる傾向があ り 、 0 . 0 5 m o 1 を超える と C M P 速度が低く なつ て し ま う 傾向があ る。
また、 金属用研磨液材料の調製に使用する保護膜形成剤 の う ち 、 室温での水に対する溶解度が 5 重量%未満の もの の配合量は、 室温での水に対する溶解度の 2 倍以内 とする こ とが好ま し く 、 1 . 5 倍以内 とする こ とがよ り 好ま しい すなわち 、 通常、 保護膜形成剤の配合量は、 研磨液材料全 量 1 0 0 g に対して 0 . 0 0 0 1 〜 0 . 0 5 m o 1 であ り 0 . 0 0 0 3 〜 0 . 0 5 m o l とする こ とが好ま し く 、 0 0 0 0 5 〜 0 . 0 0 3 5 m o l とする こ とがさ ら に好ま し い。 こ の配合量が溶解度の 2 倍以上では濃縮品を 5 °C に冷 却 した際の析出を防止する のが困難 となる。
本発明では、 固体の保護膜形成剤を用 いて金属用研磨液 材料を調製する場合、 平均粒径 1 0 0 m以下の fcのを用 い、 これを金属用研磨液材料 (互いに混合していないニ以 上の構成要素 (単一物質又は組成物) によ り研磨液材料が 構成されている場合は、 構成要素 (単一物質又は組成物) の少な く と も一つ) 中に溶解又は分散させる こ とが好ま し い。 こ のよ う に粒径の小さ い保護膜形成剤は、 粉碎な どに よ り 得る こ とができる。 こ のよ う に粒径の小さ レ ものを用 いれば、 表面積が大き く なるため、 溶解速度を速める こ と ができ る。 また、 溶解しきれない状態で小さ な粒子と して 分散 してい る場合であっ て も、 他の成分及び Z又は希釈剤 の混合に際 して、 短時間で溶解させる こ とができ る。 こ の ため平均粒径は、 5 0 // m以下が好ま し く 、 2 0 i m以下 がさ ら に好ま しい。
( 3 ) 酸化剤
本発明において用 い られる酸化剤は、 金属を酸化する こ とのでき る化合物である。 本発明に好適な酸化剤 と しては、 過酸化水素、 硝酸、 過ヨ ウ素酸カ リ ウム、 次亜塩素酸及び オゾン水な どが挙げられる。 これら の酸化剤の う ち 、 特に 過酸化水素 ( H202) が好ま しい。 被研磨物が集積回路用 素子を含むシ リ コ ン基板である場合、 アルカ リ 金属、 アル カ リ 土類金属、 ノ \ ロゲン化物な どによる汚染は望ま し く な いため、 不揮発成分を含まない酸化剤が望ま し い。 ただし、 ォゾン水は組成の時間変化が激 し いので過酸化水素が最も 適している。 なお、 被研磨物が半導体素子を含まないガラ ス基板な どである場合は、 不揮発成分を含む酸化剤であつ ても差 し支えない。
こ の酸化剤の配合量は、 金属用研磨液において、 酸化剤、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成剤、 溶解補助剤及び水の総量 1 0 0 g に対して、 0 . 0 0 3 m o l 〜 0 . 7 m o l とす る こ とが好ま し く 、 0 . 0 3 m o l 〜 0 . 5 m o l とする こ とがよ り 好ま し く 、 0 . 2 m o l 〜 0 . 3 m o l とする こ とが特に好ま しい。 こ の配合量が、 0 . 0 0 3 m o l 未 満では、 金属の酸化が不十分で C M P 速度が低い場合があ り 、 0 . 7 m o 1 を超え る と 、 研磨面に荒れが生 じ る傾向 があ る 。 なお、 金属用研磨液材料にお ける酸化剤の配合量 は、 全量 1 0 0 g に対 して通常 0 . 0 3 〜 0 . 7 m o 1 と する 。 こ の配合量は、 全量 1 0 0 g に対 して 0 . 3 〜 0 .
5 m o 1 とする こ とが好ま し く 、 0 . 2 〜 0 . 3 m o 1 と する こ と がさ ら に好ま し い
( 4 ) 酸化金属溶解剤
酸化金属溶解剤 と しては 、 水溶性の化合物が望ま し く 、 有機酸、 硫酸、 又は、 それ ら の ア ンモニ ゥ ム塩な どが本発 明 に好適な も の と して挙げ ら れる。 こ れ ら は単独で用 いて も よ く 、 二以上の化合物を組み合わせて用 いて も よ い。 こ れ ら の化合物は、 研磨剤又 は研磨剤材料 を調製する場合、 水溶液の形で添加する よ う に して も よ い。
酸化金属溶解剤の具体例 と しては、
ギ酸、 酢酸、 プ口 ピオ ン酸、 酪酸、 吉草酸、 2 — メ チル酪 酸、 n - へキサ ン酸、 3 , 3 — ジメ チル酪酸、 2 - ェチル 酪酸、 4 ー メ チルペ ンタ ン酸、 n — へブタ ン酸、 2 — メ チ ルへキサ ン酸、 n — ォク 夕 ン酸、 2 —ェチルへキサ ン酸、 安息香酸、 グ リ コ ール酸、 サ リ チル酸、 グ リ セ リ ン酸、 シ ユ ウ酸、 マ ロ ン酸、 コ ハ ク酸、 グルタ ル酸、 ア ジ ピ ン酸、 ピ メ リ ン酸、 マ レイ ン酸、 フ 夕 ル酸、 リ ン ゴ酸、 酒石酸、 ク ェ ン酸等の有機酸 ;
硫酸、 硝酸、 ク ロ ム酸等の無機酸 ;
ア ンモ二ァ ;
上述の有機酸又は無機酸のア ンモニゥ ム塩等の塩類 (例 えば過硫酸ァ ンモニゥム、 硝酸ア ンモニゥム、 塩化ア ンモ ニゥム等) ;
な どが挙げ られる れら は、 単独で用 いて も よ く 、 以 上を混合 して用 いて も い
これ ら の化合物の う ち、 ギ酸、 マ ロ ン酸、 リ ンゴ酸、 酒 石酸、 ク ェ ン酸は、 銅、 銅合金、 銅酸化物又は銅合金酸化 物の膜 (又は れら の う ちの少な く と も 1 種の金属層を 含む積層膜) に対して好適である。 特に、 リ ンゴ酸、 酒石 酸、 ク ェン酸については実用的な C M P 速度を維持しつつ エ ッ チング速度を効果的に抑制でき る と い う 点で好ま しい 本発明における酸化金属溶解剤の配合量は、 金属用研磨 液において、 酸化剤、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成剤、 溶 解補助剤及び水の 1 0 0 g に対して、 0 . 0 0 0 0 0
1 〜 0 . 0 0 5 m o 1 とする こ とが好ま し く 、 0 . 0 0 0 0 5 m o 1 〜 0 . 0 0 2 5 m o 1 とする こ とがよ り 好ま し < 、 0 . 0 0 0 5 m o 1 〜 0 . 0 0 1 5 m o l とする こ と が特に好ま しい。 こ の配合量が 0 . 0 0 5 m o l を超える と、 ェ ッ チングの抑制が困難となる傾向がある。 なお、 金 属研磨液材料における酸化金属溶解剤の配合量は、 研磨液 材料全量 1 0 0 g に対して、 通常 1 X 1 0 — 6 〜 0 . 0 0 5 m o 一 5
1 であ 、 5 X 1 0 0 . 0 0 2 5 m o l とす る こ とが好ま し く 、 0 . 0 0 0 5 0 . 0 0 1 5 m o l と する こ とがさ ら に好ま しい
( 5 ) 砥粒
本発明の金属用研磨液は、 固体砥粒を実質的に含まな く と もよ いが、 含んでいてもよい。 T JP
23 砥粒を用 いる場合、 その混合の順番及び混合対象は特に 限定される ものではない。 金属用研磨液材料が互いに混合 していない二以上の構成要素 (単一物質又は組成物) によ り 構成されている場合は、 構成要素 (単一物質又は組成物 ) の いずれに砥粒が含まれていて も差 し支えな く 、 二以上 の構成要素に砥粒が含まれていてもかまわない。
砥粒と しては、 例えば、
シ リ カ 、 アルミ ナ、 セ リ ア、 チタニア、 ジルコニァ、 ゲ ルマニア、 炭化珪素等の無機物砥粒 ;
ポ リ スチ レ ン、 ポ リ アク リ ル、 ポ リ 塩化ビニル等の有機 物砥粒
のいずれで もよ いが、 研磨液中での分散安定性がよ く 、 C M P によ り 発生する研磨傷 (ス ク ラ ッチ) の発生数の少な い、 平均粒径が 1 0 0 n m以下のコ ロイ ダルシ リ カ 、 コ ロ ィ ダルアルミ ナが好ま しい。 なお、 砥粒の平均粒径は、 例 えば、 バ リ ア層の研磨速度がよ り 大き く な り 、 二酸化シ リ コ ンの研磨速度がよ り 小さ く なる 2 0 n m以下がよ り 好ま し い。
コ ロイ ダルシ リ カ は、 シ リ コ ンアルコ キシ ド の加水分解 又は珪酸ナ ト リ ゥムのイ オン交換による製造方法が知 られ てお り 、 コ ロイ ダルアルミ ナは硝酸アルミ ニウムの加水分 解によ る製造方法が知 られている。
砥粒の配合量は、 金属用研磨液 (すなわち、 金属用研磨 液材料に必要に応じて添加物を加え、 希釈剤によ り 希釈し た、 研磨液と して使用可能な状態) の全重量に対して 0 . 0 1 〜 1 0 重量%である こ とが好ま し く 、 0 . 0 5 〜 5 重 量% の範囲であ る こ とがよ り 好ま し い。 0 . 0 1 重量%以 下では、 砥粒を含有する効果が見 られず、 1 0 重量%以上 では C M P によ る研磨速度は飽和 し 、 それ以上加えて も増 加は見 られない。 なお、 金属用研磨液材料における砥粒の 配合量は、 研磨液材料全量に対して 、 0 . 0 1 〜 1 0 重量 % とする こ とが好ま し く 、 0 . 0 5 〜 5 重暈% とする こ と がさ ら に好ま し い。
( 6 ) 水
本発明の金属用研磨液材料は、 水を含んでいて も よ い。 含有する水の量は、 他の成分やその水への溶解度等に応じ て適宜定め る こ とができるが、 通常、 5 0 〜 9 8 重量% と する。 本発明の水分量は、 7 0 〜 9 0 重量% とする こ とが 好ま し い。 なお、 例えば、 酸化剤と して過酸化水素水を用 いる場合な ど、 あ ら力、 じめ水分を含む成分を用 い る場合、 当該水分含有成分を含む金属用研磨液材料の水分量は、 7 5 〜 8 5 重量 % とする と こがさ ら に好ま し く 、 こ の水分含 有成分を含まない金属用研磨液材料の水分量は、 8 0 〜 9 0 重量 % とする こ とがさ ら に好ま しい。
B . 金属用研磨液の製造方法
発明の金属用研磨液は、 本発明の金属用研磨液材料を 希釈剤によ り 希釈して調製される。 金属用研磨液材料にお ける各成分の濃度 (組成比) は、 使用時に添加される希釈 剤の組成及び添加量と、 調製される金属用研磨液における 各成分の濃度 (組成比 ) と に応 じて定め られる。
fli釈剤 と して水を用 いる場合は、 金属用研磨液材料を、 金属用研磨液の水以外の成分と同 じ組成 · 組成比 と し、 水 の含有量を減 ら して、 高濃度の状態に してお く 。 こ のよ う にすれば、 希釈に際 して水が添加さ れる こ と に よ り 、 所望 の組成の金属用研磨液を得る こ とができ る 。
また、 希釈剤 と して水溶液を用 い る場合、 酸化剤、 酸化 金属溶解剤、 保護膜形成剤及び該保護膜形成剤の溶解補助 剤の う ち の少な く と も一つ を含む水溶液を用 い る こ と が望 ま し い。 こ の場合、 酸化剤、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成 剤及び該保護膜形成剤の溶解補助剤か ら な る成分群の う ち の少な く と も 一成分を含む金属用研磨液材料を、 該成分群 の う ち の少な く と も一成分の水溶液であ る希釈用 水溶液に よ り 希釈する こ と によ り 、 本発明の金属用研磨液を調製す る 。 なお、 こ の際、 所望の成分を さ ら に添加する こ とがで さ る。
こ のよ う に希釈用水溶液を用 い る 場合の、 金属用研磨液 材料の各成分濃度は、 金属用研磨液材料、 希釈用水溶液 ( 及び必要に応 じて追加さ れる添加物) を混合 し た結果、 所 望の組成 · 濃度の金属用研磨液が得 られる よ う に定め ら れ る。 こ う する こ と によ り 、 溶解 し に く い成分を水溶液の形 で配合する こ と ができ る ため、 金属用研磨液材料の濃度を よ り 高濃度 にする こ とができ る。 こ の 目 的のため、 水溶液 には、 溶解度の低い保護膜形成剤 と溶解補助剤 と を含有 さ せる こ とが好ま し い。
金属用研磨液材料が、 互い に混合 して いない二以上の構 成要素 (単一物質又は組成物) か ら構成さ れる場合、 こ れ ら の構成要素 と希釈剤 と の混合の順番は、 特に限定さ れる も のではな く 、 各成分の溶解度や溶解さ せる 際の液温な ど に応 じて適宜定める こ とができ、 例えば、 一つ又は複数の 構成要素に希釈剤を加えて混合し、 これにさ ら に別の構成 要素と混合 した り 、 先に構成要素ど う し を混合 した後、 こ れに希釈剤を加えて混合 した り 、 あ らか じめ各構成要素に 希釈剤を加えて混合 しておき、 これ ら を混合するな ど、 任 意の方法を用 いる こ とができる。
具体的には、 例えば、 酸化剤か らなる第 1 の構成要素 A と、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成剤、 溶解補助剤及び水か らなる第 2 の構成要素 B と によ り 構成される金属用研磨液 材料を用 い る場合、 金属用研磨液の製造方法 (すなわち 、 こ の研磨液材料の希釈方法) には、 つぎの ( 1 ) 〜 ( 5 ) な どが挙げられるが、 これ ら の う ち いずれを選択 してもよ い
( 1 ) 構成要素 A と構成要素 B と を混合 し、 その混合液を 希釈剤によ り 希釈する方法
( 2 ) 構成要素 A を希釈剤によ り 希釈し、 これを構成要素 B と混合する方法
( 3 ) 構成要素 B を希釈剤によ り 希釈 し、 これを構成要素 A と混合する方法
( 4 ) 構成要素 A と構成要素 B と を、 希釈剤によ り それぞ れ希釈し、 希釈後の構成要素 A と希釈後の構成要素 B と を混合する方法
( 5 ) 構成要素 A と構成要素 B と希釈剤 と を、 ほぼ同時に 混合する方法
なお、 保護膜形成剤 といっ た溶解度の低い成分は、 2 つ 以上の構成要素に分けて入れる こ と によ り 、 溶媒 (通常、 水) の量を増やすこ とな く 構成要素の各液に溶解させる とができ る場合がある。
例えば、 保護膜形成剤を 2 つの構成要素に分ける場合、 金属用研磨剤材料を、 酸化剤、 保護膜形成剤及び溶解補助 剤か らなる第 1 の構成要素 A と、 酸化金属溶解剤、 保護膜 形成剤、 溶解補助剤及び水か らなる第 2 の構成要素 B と に よ り 構成する 。
また、 保護膜形成剤を 3 つの構成要素に分ける場合、 金 属用研磨液材料を、 例えば、 酸化剤か らなる第 1 の構成要 素 A、 酸化金属溶解剤か ら なる第 2 の構成要素 B 、 保護膜 形成剤及び溶解補助剤か らなる第 3 の構成要素 C によ り 構 成する こ と もでさ る 。
こ の よ う に、 金属用研磨液材料を複数の構成要素に分け る場合、 同 じ配合成分を複数の構成要素に分けて入れる こ と によ り 、 溶解度の低い保護膜形成剤を溶媒 (通常、 水) に多量に溶解する こ とができる ので、 高濃度の金属用研磨 液材料を得る こ とができる 。 こ こ で、 成分を分配する構成 要素の数は、 上述の例の 2 又は 3 に限 られる も のではな く 必要に応じて適宜決定する こ とができる
なお、 本発明は、 上記の例示のみでな く 、 金属用研磨液 の各成分を分けて高濃度の組成物 と し、 それを希釈する方 法であれば、 適宜採用する こ とができる
本発明の金属用研磨液において、 酸化剤 と して好適であ る過酸化水素は、 温度が 4 0 °Cよ り 高温になる と分解を始 める こ とか ら 、 こ の温度以上で保管又は使用 した場合、 酸 化剤濃度が変化して しまい、 研磨速度に悪影響を与える恐 れがある。 こ のため、 酸化剤及びそれを含む混合物は、 4 0 °C以下にする こ とが望ま しい。
しか し、 溶解度は、 一般に液温が高い方が大きいため、 低溶解度の化合物の溶液については、 高濃度の溶液を得る と い う 観点か ら 、 液温を高 く する方が望ま しい。
そ こで、 本発明の金属用研磨液の製造方法では、 酸化剤 を含む第 1 の構成要素は 4 0 °C以下に し、 他の構成要素は 室温〜 1 0 0 °C の範囲に加温し、 かつ、 第 1 の構成要素 と 他の構成要素又は希釈剤を混合する際に、 混合後の液温が 4 0 °C以下 となるよ う にする こ とが好ま しい。
なお、 低溶解度の化合物を加温して溶解させた場合、 温 度が低下する と溶解した成分の一部が析出する こ とがあ る。 こ のよ う な場合は、 使用 に際して、 再度、 加温 して溶解さ せればよ い。
C . 研磨方法
つぎに、 本発明の研磨方法について説明する。
本発明の研磨方法は、 本発明の金属用研磨液を用 いて金 属膜を研磨する工程によっ て、 少な く と も 当該金属膜の一 部を除去する ものである。 本発明の研磨方法は、 銅と、 銅 合金、 銅酸化物及び銅合金酸化物 (以下、 単に銅合金と記 す) とか ら選ばれた少な く と も 1 種の金属層を含む積層膜 か らなる金属膜の研磨に特に適している。
表面に所望のパター ンの凹部を有する基体上に銅、 銅合 金 (銅 Zク ロ ム等) を含む金属膜を形成 ' 充填 した ものの 表面を、 本発明の金属用研磨液を用 いて C M P する と、 基 体の凸部の金属膜が選択的に C M P されて、 凹部に金属膜 が残され、 所望の導体パターンが得 られる。
なお、 本発明者 ら は、 研磨工程におけるエッ チング速度 を 1 0 n m Z m i n 以下に抑制できれば、 好ま し い平坦化 効果が得 られる こ と を見出 した。 エ ッチング速度の低下に 伴う C M P 速度の低下が許容できる範囲であれば、 エ ッ チ ング速度はさ ら に低い方が望ま し く 、 5 n m Z m i n 以下 に抑制できれば、 例えば 5 0 %程度の過剰 C M P (金属膜 を C M P 除去する に必要な時間の 1 . 5 倍の C M P を行う こ と) を行っ ても、 デイ ツ シングは問題 とな らない程度に と どま る。 さ ら に、 エ ッ チング速度を I n m Z m i n 以下 に抑制できれば、 1 0 0 %以上の過剰 C M P を行っ て もデ イ ツ シ ングは問題 とな らない。
こ こ で、 エ ッ チング速度は、 金属用研磨液中 に被研磨基 板 (表面に凹部を有する基体上に金属膜を形成 ' 充填した 基板) を浸 し、 室温 ( 2 5 °C ) で l O O r p mで攪拌した ときの、 金属膜のエ ッチング速度であ り 、 金属膜厚差を電 気抵抗値か ら換算 して求める。
本発明の金属用研磨液を用いた研磨方法は、 本発明の金 属用研磨液を研磨定盤上の研磨パ ッ ド に供給し、 被研磨面 と接触させて被研磨面と研磨パ ッ ド を相対運動させて研磨 する ものである。
研磨する装置と しては、 被研磨面を有する半導体基板等 を保持するホルダ一 と研磨パ ッ ド を貼 り 付けた (回転数が 変更可能なモー夕等を取 り 付けてある) 研磨定盤を有する 一般的な研磨装置が使用できる。 なお、 研磨パ ッ ド には、 一般的な不織布、 発泡ポ リ ウ レタ ン、 多孔質フ ッ 素樹脂な どを使用でき、 特に制限がない。
研磨条件には制限はないが、 研磨定盤の回転速度は基板 が飛び出さ ないよ う に 2 0 0 r p m以下の低回転が好ま し い。 また、 被研磨面 (被研磨膜) を有する被研磨物 (半導 体基板な ど) の研磨パ ッ ド への押しつけ圧力は、 9 . 8 〜 9 8 . 1 K P a ( 1 0 0 〜 1 0 0 0 g f Z c m 2 ) であ る こ とが好ま し く 、 研磨速度のウェハ面内均一性及びパター ンの平坦性を満足するためには、 9 . 8 〜 4 9 . 0 K P a ( l O O S O O g f Z c m 2 ) である こ とがよ り 好ま し い。
研磨 している間、 研磨パ ッ ド には金属用研磨液がポンプ 等によ り 連続的に供給される。 こ の供給量に制限はないが 研磨パ ッ ド の表面が常に研磨液で覆われている こ とが好ま し レ 。
研磨終了後の半導体基板は、 流水中でよ く 洗浄後、 ス ピ ン ド ライ ャ等を用 いて半導体基板上に付着 した水滴を払い 落と してか ら乾燥させる こ とが好ま しい。
本発明の研磨方法では、 本発明の金属用研磨液をあ らか じめ調製 し、 これを研磨装置のタ ンク (研磨液溜 り ) に入 れるか、 又は、 タ ンク 内で金属用研磨液を調製 し、 これを 研磨パ ッ ドへの供給に用いるよ う に して もよ ぐ、 また、 本 発明の金属用研磨液材料と希釈剤 と を研磨装置に入れ、 研 磨装置内 (配管内を含む) で混合 して、 本発明の研磨液を 調製しつつ研磨パ ッ ドへ供給するよ う に して も よ い。 いず れの場合も、 金属用研磨液の調製には、 上述した本発明の 金属用研磨液の製造方法を適用する こ とができ る。
金属用研磨液材料を用いて研磨装置内で金属用研磨液を 調製する方法と しては、 例えば、 金属用研磨液材料を供給 する配管と希釈剤を供給する配管と を、 途中で合流させる こ と によ り 配管内を流れる各溶液を混合 し、 これによ つ て 希釈された金属用研磨液を研磨パ ッ ド に供給する方法があ る。
混合には、 圧力 を付した状態で狭い通路を通 して液ど う し を衝突混合する方法、 配管中にガラス管な どの充填物を 詰め液体の流れを分流分離、 合流させる こ と を繰 り 返し行 う 方法、 配管中 に動力で回転する羽根を設ける方法な ど通 常に行われている方法を採用する こ とができる。
また、 金属用研磨液を配管内で調製する方法と して、 金 属用研磨液材料を供給する配管と希釈剤を供給する配管と を独立に設け、 それぞれか ら所定量の液を研磨パ ッ ド に供 給し、 研磨パ ッ ド と被研磨面の相対運動によっ て両液を混 合する方法も あ る。
なお、 これ ら の配管によ り 混合する方法では、 金属用研 磨液材料が複数の構成要素か ら構成されている場合、 構成 要素ごと に配管を設ける こ とで、 上述の各方法 と 同様に金 属用研磨液を調製する こ とができる。
本発明の研磨方法では、 金属用研磨液材料の酸化剤を含 む構成要素を 4 0 °C以下に保持 し、 他の構成要素を室温か ら 1 0 0 °Cの範囲に加温し、 かつ、 これ ら の構成要素を混 合した後、 混合物も 4 0 °C以下とするよ う にする こ と もで きる。 温度が高い と溶解度が高 く なるため、 金属用研磨液 の溶解度の低い構成要素の溶解度を上げるため に好ま しい 方法である。
なお、 成分 (酸化剤以外) を室温か ら 1 0 0 °Cの範囲で 加温 して溶解させた構成要素は、 温度が下がる と溶液中に 成分が析出するため、 温度が低下したその構成要素を用 い る場合は、 あ らか じめ加温して析出物を溶解させる必要が ある。 これには、 加温し溶解させた構成要素 (混合液) を 送液する手段と、 析出物を含む液を攪拌しておき、 送液し 配管を加温 して溶解させる手段と を設ける こ と によ り 対処 する こ とができる。
なお、 加温 した構成要素を混合する こ と によ り 、 酸化剤 を含む構成要素の温度が 4 0 °Cよ り 高 く なる と、 酸化剤が 分解して く る恐れがある。 そ こで、 加温する構成要素の温 度と、 冷却する酸化剤を含む構成要素の温度と、 その混合 比とは、 混合後の温度が 4 0 °C以下となる よ う に定める こ とが好ま し い。
発明を実施するための最良の形態 以下、 実施例によ り 本発明を具体的に説明する。 本発明 はこれ ら の実施例によ り 限定される ものではない。 なお、 研磨条件等はつぎの通 り である。
《研磨条件》
定量ポ ンプを用 いて研磨装置内の研磨定盤上の研磨パ ッ ド に金属用研磨液を供給しつつ、 研磨パ ッ ド と基体と をそ JP99/070
33 れぞれ回転させて、 つぎの研磨条件によ り 被研磨基体を研 磨した。 なお、 研磨液は、 特に記載のない限 り 、 研磨前に あ らか じめ調製 して一容器 (研磨液溜 り ) に保持し、 これ を定量ポ ンプへ供給した。
基体 : 厚さ 1 / mの銅膜を形成したシ リ コ ン基板 研磨パ ッ ド : I C 1 0 0 0 (口デ一ル社製商品名) 研磨圧力 : 2 0 . 6 K P a ( 2 1 0 g / c m 2 )
基体と研磨定盤との相対速度 : 3 6 m / m i n
《研磨品評価項目》
C M P 速度 : 銅膜の C M P 前後での膜厚差を電気抵抗値 か ら換算 して求めた。
エッ チング速度 : 2 5 :、 l O O r p mで攪拌した金属 用研磨液への浸漬前後の銅層膜厚差を電気抵抗値か ら換算 して求めた。
また、 実際の C M P特性を評価するため、 絶縁層中に深 さ 0 . 5 ; a mの溝を形成して公知のスパ ッ タ法によ っ て銅 膜を形成し、 公知の熱処理によっ て埋め込んだシ リ コ ン基 板を基体と して用 いて、 C M P を行っ た。 C M P 後の基体 の 目視、 光学顕微鏡観察、 及び電子顕微鏡観察によ り エロ —ジ ョ ン及び研磨傷発生の有無を確認した。
《経時変化》
金属用研磨剤材料を調製 した直後にそれを用 いて金属用 研磨剤を調製 した場合と、 金属用研磨剤材料を調製 してか ら 2 0 日 間経過した後にそれを用いて金属用研磨剤を調製 した場合と について、 それぞれの金属用研磨剤を用 いて上 述の条件で C M P を行い、 C M P 速度及びエ ッ チング速度 を測定 して、 両者に差異があるか否か確認した 実施例 1
( 1 ) 金属用研磨液材料の調製
まず、 酸化金属溶解剤である D L — リ ンゴ酸 (試薬特級 ) 1 . 5 重量部に水 6 1 . 5 重量部を加えて溶解して、 溶 液 Aを得た。 つぎに、 保護膜形成剤であ るべンゾ 卜 リ ア ゾ —ル 2 重量部を、 保護膜形成剤の良溶媒であるエタ ノ ール 5 重量部に溶解させ、 溶液 B を得た。 最後に、 溶液 Aに溶 液 B を加えて混合し、 金属用研磨液材料である金属用研磨 液 1 0 倍濃縮液を得た。
なお、 得 られた濃縮液は、 0 °Cで保存 しても固体の析出 は見 られなかっ た。
( 2 ) 金属用研磨液の調製
こ の金属用研磨液 1 0 倍濃縮液 7 重量部に、 酸化剤であ る過酸化水素水 (試薬特級、 3 0 %水溶液) 3 3 . 2 重量 部を加え、 さ ら に希釈剤 と して水 6 3 重量部を加えて希釈 し、 金属用研磨液を得た。
( 3 ) C M P試験
得 られた金属用研磨液を用いて、 上述の研磨条件で C M P を行っ た と こ ろ、 。 11 ?速度は 1 2 9 n m Z m i π 、 工 ツチング速度は 0 . 5 n m Z m i n と いずれも良好であ り 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P 速度及びエ ッ チ ング速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロ一ジ ョ ン及び 研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 2
( 1 ) 金属用研磨液材料の調製
まず、 D L — リ ン ゴ酸 (試薬特級) 1 . 5 重量部に水 6 1 重量部を加えて溶解 し 、 溶液 A を得た。 次に、 保護膜形 成剤であ る べ ン ゾ ト リ ア ゾ一ル 2 重量部及びポ リ ア ク リ ル 酸ア ンモニゥ ム塩 0 . 5 重量部を、 これ ら の保護膜形成剤 の良溶媒であ る メ タ ノ ール 5 重量部に溶解 して、 溶液 B を 得た。 最後に、 溶液 Aに溶液 B を加えて、 金属用研磨液材 料であ る 金属用研磨液 1 0 倍濃縮液を得た。
( 2 ) 金属用研磨液の調製
得 ら れた金属用研磨液 1 0 倍濃縮液 7 重量部を、 希釈剤 であ る水 6 3 重量部によ り 希釈 し た後、 さ ら に酸化剤であ る過酸化水素水 (試薬特級、 3 0 %水溶液) 3 3 . 2 重量 部を加えて、 金属用研磨液を得た。
( 3 ) C M P 試験
得 ら れた金属用研磨液を用 い、 実施例 1 と 同様の条件で C M P を行っ た と こ ろ 、 〇 1^1 ? 速度は 1 7 9 11 111ノ 111 1 11 エ ッ チ ン グ速度は 0 . 5 n m Z m i n と いずれも 良好であ り 、 かつ、 金属用研磨液材料の経時変化 によ る C M P 速度 及びエ ッ チ ン グ速度の差は見 られなかっ た。 また、 エ ロ ー ジ ョ ン及び研磨傷の発生 も見 られなかっ た。 実施例 3
( 1 ) 金属用研磨液材料の調製
D L — リ ンゴ酸 (試薬特級) 1 . 5 重量部 と 、 保護膜形 成剤であ る ポ リ ビニルアルコ ール 0 . 3 重量部 と に 、 水 5 8 . 7 重量部を加えて溶解させ、 溶液 A を得た。 次に、 保 護膜形成剤である 卜 1J ル 卜 リ ァゾ一ル 2 . 5 重量部をァセ ト ン 7 重量部に溶解させ、 溶液 B を得た。 最後に、 溶液 A に溶液 B を加え、 金属用研磨液 1 0 倍濃縮液を得た。
( 2 ) 金属用研磨液の調製
得 られた金属用研磨液 1 0 倍濃縮液 7 重量部に、 希釈剤 である水 6 3 重量部を加えて希釈した後、 これに酸化剤で あ る過酸化水素水 (試薬特級、 3 0 %水溶液) 3 3 . 2 重 量部をカロえて、 金属用研磨液を得た。
( 3 ) C M P 試験
得 られた金属用研磨液を用い、 実施例 1 と 同様の条件で C M P を行つ た と こ ろ 、 C M P速度は 1 7 0 n m Z m i n エ ッ チング速度は 0 . 4 n m / m i n と、 いずれも良好で あ り 、 かつ、 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P 速 度及びエ ツ チング速度の差は見られなかつ た。 また、 エロ ージ ョ ン及び研磨傷の発生も見られなかつ た。 実施例 4
( 1 ) 金属用研磨液材料の調製
保護膜形成剤であるナフ ト ト リ アゾール 0 . 0 6 重量部 を、 保護膜形成剤の良溶媒である メ チルェチルケ ト ン 0 . 6 重量部に溶解させて、 溶液 Aを得た。 また、 酸化剤であ る過ヨ ウ素酸カ リ ウム 1 0 重量部を水 2 0 重量部に溶か し て、 溶液 B を得た。 つぎに、 溶液 Aに溶液 B を加えて、 溶 液 C (第 1 の構成要素) を得た。
一方、 酸化金属溶解剤である D L —酒石酸 (試薬特級) 0 . 0 5 重量部に水 3 0 重量部を加えて溶解させ、 溶液 D を得た。 また、 ナフ ト ト リ アゾ一ル 0 . 0 1 重量部をメ チ ルェチルケ ト ン 0 . 1 重量部に溶解させて、 溶液 E を得た 後、 溶液 D に こ の溶液 E を加え、 溶液 F (第 2 の構成要素 ) を得た。
続いて、 D L —酒石酸 0 . 1 重量部に水 4 0 重量部を加 え溶解し、 希釈剤であ る溶液 G (希釈用水溶液) を得た。
以上によ り 、 金属用研磨液材料である溶液 C , F , Gが 得 られた。
( 2 ) 金属用研磨液の調製
得 られた溶液 C と、 溶液 F と、 溶液 G と を、 重量比 3 3 Z 4 で混合して、 金属用研磨液を得た
( 3 ) C M P 試験
得 られた金属用研磨液を用 いて、 実施例 1 と 同様の条件 で C M P を施 した と こ ろ、 C M P 速度は 1 2 6 n m / m i n 、 エ ッ チング速度は 0 . 4 n m Z m i n と、 いずれも良 好であ り 、 かつ、 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P速度及びエ ッ チング速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロージ ョ ン及び研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 5
( 1 ) 金属用研磨液材料の調製
D L — リ ンゴ酸 (試薬特級) 0 . 1 5 重量部に、 保護膜 形成剤であ るポ リ アク リ ルア ミ ド 0 . 4 重量部と水 5 0 重 量部と を加えて溶解させ、 溶液 Aを得た。 つぎに、 ベンゾ ト リ ァゾール 0 . 2 重量部をエチ レ ング リ コール 0 . 7 重 量部に溶解させて溶液 B を得た。 最後に、 4 5 °C に加温 し た溶液 A に、 4 5 °C に保持 したま ま溶液 B を加えて、 金属 用研磨液材料であ る溶液 C を得た。 溶液 C も 4 5 °C に保持 した。
( 2 ) 金属用研磨液の調製
こ の 4 5 °Cの溶液 C を、 4 5 °C に加温 した水 2 0 重量部 によ り 希釈 した後、 これに 2 0 °Cの過酸化水素水 (試薬特 級、 3 0 %水溶液) 3 3 . 2 重量部を注ぎ込んで、 金属用 研磨液を得た。 なお、 得 られた金属用研磨液は、 3 6 °Cで あっ た。
( 3 ) C M P 試験
上記金属用研磨液を用いて、 実施例 1 と 同様の条件で C M P を施 した と こ ろ、 C M P速度は 1 6 7 n m / m i n 、 エッチング速度は 0 . 3 n m Z m i n と、 いずれも良好で あ り 、 かつ、 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P 速 度及びエ ッ チング速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロ —ジ ョ ン及び研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 6
( 1 ) 金属用研磨液材料の調製
実施例 1 と同様に して、 金属用研磨液材料を調製 した。 ただし、 ベ ンゾ ト リ アゾールは、 溶解前にあ らか じめ乳鉢 に入れて乳棒で 5 分間粉砕した。 粉碎後のベンゾ ト リ ア ゾ ールを光学顕微鏡で観察 した結果、 平均粒径は 8 0 // mで あっ た。 こ の前処理によ り 粒径を小さ く したべンゾ ト リ ア ゾ一ルを用 いた こ と によ り 、 本実施例では、 ベンゾ ト リ ア ゾ一ルをエタ ノ ール中に完全に溶解させる のに要する時間 が、 5 分か ら 2 分に短縮された。
( 2 ) 金属用研磨液の調製及び C M P 試験
上記金属用研磨液材料を用 い、 実施例 1 と 同様に して金 属用研磨液を調製 し、 これを用 いて実施例 1 と 同様の条件 で C M P を施した。 その結果、 C M P速度は 1 3 0 n m / m i n 、 エ ッ チング速度は 0 . S n m Z m i n と、 いずれ も良好であ り 、 かつ、 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P 速度及びエ ッ チング速度の差は見 られなかっ た。 ま た、 エ ロ一ジ ョ ン及び研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 7
実施例 2 の金属用研磨液に、 さ ら に砥粒と して平均粒径 1 0 0 n mのコ ロイ ダルシ リ カ 1 重量部を加え、 分散させ て金属用研磨液を得た。 これを用いて実施例 1 と 同様の条 件で C M P を施した と こ ろ、 C M P 速度は 2 5 2 n m / m i n 、 エ ッ チング速度は 0 . 6 n m / m i n と いずれも良 好であ り 、 かつ、 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P 速度及びエッ チング速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロ一ジ ョ ン及び研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 8
実施例 2 と同様に して、 金属用研磨液を調製 した。 ただ し、 金属用研磨液材料を、 溶液 Aに、 溶液 B と、 平均粒径 4 8 n mのコ ロイ ダルシ リ カ 1 0 重量部と を力 Πえる こ と に よ り 調製 した。 これを用 いて実施例 1 と同様の条件で C M P を施した と こ ろ、 C M P 速度は 2 5 0 n mノ m i n 、 エッ チング速度 は 0 . 5 n m Z m i n といずれも良好であ り 、 かつ、 金属 用研磨液材料の経時変化による C M P速度及びエ ッ チング 速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロ一ジ ョ ン及び研磨 傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 9
実施例 1 の金属用研磨液を用 い、 実施例 1 と 同様の条件 で C M P を施した。 ただし、 金属用研磨液は、 配管内で混 合 して調製 した。 すなわち 、 金属用研磨液 1 0 倍濃縮液 7 重量部に水 6 3 重量部を加えて希釈した希釈液と、 過酸化 水素水 (試薬特級、 3 0 %水溶液) と を、 それぞれ別々 の 容器に入れ、 各々 の容器か ら定量ボ ンプでそれぞれ液を送 つ て、 希釈液 過酸化水素水 = 7 / 3 の供給速度比 (体積 比) で合流させ、 内部に長さ 3 m mのガラス管を多数充填 させた配管内を通過させた後、 装置内部の研磨パ ッ ド に供 給して研磨を打つ た。
その結果、 C M P速度は 1 2 9 n m / m i n 、 エ ツチン グ速度は 0 . 5 n m / m i n と いずれも良好であ り 、 かつ 金属用研磨液材料の経時変化による C M P 速度及びエ ッ チ ング速度の差は見 られな力、つ た。 また、 エロ一ジ ョ ン及び 研磨傷の発生も見 られなかつ た 実施例 1 0
実施例 4 の金属用研磨液を用い、 実施例 1 と 同様に して C M P を行っ た。 ただし、 金属用研磨液は、 配管内で混合 して調製 した。 すなわち、 溶液 C と、 溶液 F 及び溶液 Gの 混合液と をそれぞれ別の容器に入れ、 各々 の容器か ら別々 に定量ポンプで液を送っ て、 溶液 C Z (溶液 F +溶液 G ) = 3 Z 7 の供給速度比 (体積比) で合流させ、 装置内部の 研磨パ ッ ド に供給 して研磨を行っ た。
その結果、 じ 1^ ? 速度は 1 2 5 11 111 ]1 1 11 、 エ ツ チン グ速度は 0 . 4 n m Z m i n と いずれも良好であ り 、 かつ 金属用研磨液材料の経時変化による C M P速度及びエ ッ チ ング速度には差の差は見 られなかっ た。 また、 エロージ ョ ン及び研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 1 1
金属用研磨液 1 0 倍濃縮液の調製においてエタ ノ ールの 添加量を 5 重量部か ら 5 0 重量部に増や した以外は実施例 1 と同様に して金属用研磨液を調製 し、 これを用 いて C M P を行っ た と こ ろ、 エッチング速度は 0 . 5 n m Z m i n C M P 速度は 6 2 n m / m i n であっ た。 実施例 1 2
( 1 ) 金属用研磨液材料の調製
まず、 保護膜形成剤であ るべンゾ ト リ ア ゾ一ル 2 重量部 に水 6 6 重量部を加え、 さ ら に界面活性剤であ るポ リ オキ シエチ レ ン ( 1 0 ) グ リ コ ーリレ 0 . 4 重量部をカ卩えて、 4 0 °Cの湯浴中で攪拌羽根によ り 攪拌し、 溶解させた。 こ の 溶液に、 さ ら に酸化金属溶解剤であ る D L — リ ンゴ酸 (試 薬特級) 1 . 5 重量部を加えて溶か し、 金属用研磨液材料 である金属用研磨液 1 0 倍濃縮液を得た。
なお、 得 られた濃縮液は、 0 °Cで保存して も固体の析出 は見 られな力、つ た。
( 2 ) 金属用研磨液の調製
こ の金属用研磨剤 1 0 倍濃縮液 7 重量部に、 希釈剤 と し て水 6 3 重量部を加えて希釈し、 これに酸化剤 と して過酸 化水素水 (試薬特級、 3 0 %水溶液) 3 3 . 2 重量部を加 えて、 金属用研磨液を得た。
( 3 ) C M P 試験
得 られた金属用研磨液を用いて、 実施例 1 と 同様に して C M P を行つ た と こ ろ、 C M P 速度は 1 8 7 η m / m i n エッ チ ング速度は 0 . 7 n m Z m i n と いずれも良好であ り 、 カゝつ、 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P速度 及びエ ッ チング速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロー ジ ョ ン及び研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 1 3
保護膜形成剤であ る ト リ ル ト リ ァゾール 2 重量部に、 水 6 6 重量部を加え、 続いて、 やは り 保護膜形成剤であ るポ リ オキシエチ レ ン ( 9 ) ォクチルフ エ二ルェ一テル 0 . 4 重量部を加え、 4 0 °Cの湯浴中で攪拌羽根によ り 攪拌し溶 解させた。 こ の溶液に、 さ ら に D L —酒石酸 (試薬特級) 1 . 5 重量部を加えて溶か し、 金属用研磨液材料である金 属用研磨液 1 0 倍濃縮液を得た。
( 2 ) 金属用研磨液の調製 得 られた金属用研磨液 1 0 倍濃縮液 7 重量部に、 水 6 3 重量部を加えて希釈し、 これに過酸化水素水 (試薬特級、 3 0 %水溶液) 3 3 . 2 重量部を加えて、 金属用研磨液を 得た。
( 3 ) C M P 試験
こ の金属用研磨液を用いて、 実施例 1 と 同様に して C M P を行っ た と こ ろ、 C M P 速度は 1 8 6 n m / m i n 、 ェ ツ チング速度は 0 . 3 n m / m i n と いずれも良好であ り かつ、 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P 速度及び エッ チ ング速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロ一ジ ョ ン及び研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 1 4
( 1 ) 金属用研磨液材料の調製
保護膜形成剤であるべンゾ ト リ アゾ一ル 0 . 0 5 重量部 と、 界面活性剤であ る硫酸プチルア ンモニゥム 0 . 1 重量 部と、 酸化剤であ る過ヨ ウ素酸カ リ ウム 1 0 重量部と を、 水 2 0 重量部に加え、 4 0 °Cの湯浴中で攪拌羽根によ り 攪 拌して溶か し、 溶液 Aを得た。
次に、 酸化金属溶解剤である D L —酒石酸 (試薬特級) 0 . 0 5 重量部に水 3 0 重量部を加えて溶解させ、 これに 保護膜形成剤べンゾ ト リ アゾール 0 . 1 5 重量部と、 界面 活性剤であ る硫酸プチルア ンモニゥム 0 . 1 重量部と を加 え、 4 0 °Cの湯浴中で攪拌羽根によ り 攪拌して溶か し、 溶 液 B を得た
以上によ り 、 金属用研磨剤材料である溶液 A及び溶液 B が得 られた。 また、 D L —酒石酸 0 . 1 重量部に水 4 0 重 量部を加え、 溶解させて希釈用水溶液を得た。
( 2 ) 金属用研磨剤の調製
得 られた溶液 A、 溶液 B 及び希釈用水溶液を、 重量比 3 Z 3 Z 4 で混合 して、 金属用研磨液を得た。
( 3 ) C M P 試験
こ の金属用研磨液を用 い、 実施例 1 と 同様に して C M P を行っ た と こ ろ、 C M P速度は 1 2 6 n m Z m i n 、 エ ツ チング速度は 0 . 4 n m Z m i n と いずれも良好であ り 、 かつ、 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P 速度及び エ ッ チン グ速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロージ ョ ン及び研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 1 5
( 1 ) 金属用研磨液材料の調製
D L 一 り ンゴ酸 (試薬特級) 0 . 1 5 重量部に、 水 5 0 重量部を加えて溶解させ、 得 られた溶液を 4 5 °C に保持 し つつ、 ベ ンゾ ト リ アゾール 0 . 2 重量部と、 界面活性剤で ある コ八ク酸ア ミ ド 0 . 7 重量部と を加えて溶解させ、 溶 液 A を得た
( 2 ) 金属用研磨液の調製
こ の 4 5 °Cの溶液 Aを、 4 5 °C に加温 した水 2 0 重量部 によ り 希釈 した後、 得 られた希釈液に 2 0 °Cの過酸化水素 水 (試薬特級、 3 0 %水溶液) 3 3 . 2 重量部を注ぎ込ん で、 金属用研磨液を得た。 得 られた研磨液は 3 6 °Cであ つ た。 ( 3 ) C M P 試験
こ の金属用研磨液を用い、 実施例 1 と 同様に して C M P を行っ た と こ ろ、 C M P速度は 1 2 7 n m / m i n 、 エ ツ チング速度は 0 . 3 n m / m i n と いずれも良好であ り 、 かつ、 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P 速度及び エッチ ング速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロージ ョ ン及び研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 1 6
( 1 ) 金属用研磨液材料の調製
実施例 1 2 と 同様に して、 金属用研磨液材料を調製 した c ただし、 本実施例では、 ベンゾ ト リ アゾールに実施例 6 と 同様の前処理を施 し、 平均粒径を 8 0 / mと した。 これに よ り 、 ベンゾ ト リ アゾ一ルを完全に溶解させる のに要する 時間が 1 5 分か ら 5 分に短縮された。
( 2 ) 金属用研磨液の調製及び C M P試験
上記金属用研磨液材料を用い、 実施例 1 2 と 同様に して 金属用研磨液を調製 し、 これを用 いて実施例 1 と 同様に し て C M P を行っ た。 その結果、 C M P速度は 1 8 5 n mノ m i n 、 エ ッ チング速度は 0 . 6 n m / m i n と いずれも 良好であ り 、 かつ金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P 速度及びエッ チング速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロージ ョ ン及び研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 1 7
実施例 1 2 の金属用研磨液に、 さ ら に砥粒と して平均粒 径 1 0 0 n mのコ ロイ ダルシ リ カ 1 重量部を加え、 分散さ せて金属用研磨液を得た。 これを用 いて実施例 1 と 同様に して C M P を行っ た と こ ろ、 C M P 速度は 2 5 0 n m / m i n 、 エ ッ チング速度は 0 . 6 n m Z m i n と いずれも良 好であ り 、 かつ、 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P 速度及びエ ッチング速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロージ ョ ン及び研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 1 8
実施例 1 2 と同様に して、 金属用研磨液を調製 した。 た だし、 金属用研磨液材料を、 実施例 1 2 の金属用研磨液 1 0 倍濃縮液に、 さ ら に平均粒径 4 8 n mのコ ロイ ダルシ リ 力 1 0 重量部を加える こ と によ り 調製した。
これを用 いて実施例 1 と同様の条件で C M P を施した と こ ろ、 C M P 速度は 2 4 4 n m Z m i n 、 エ ッ チング速度 は 0 . 6 n m Z m i n と いずれも良好であ り 、 かつ、 金属 用研磨液材料の経時変化による C M P速度及びエッ チング 速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロージ ョ ン及び研磨 傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 1 9
実施例 1 2 の金属用研磨液を用いて、 実施例 1 と 同様の 条件で C M P を施 した。 ただし、 金属用研磨液は、 配管内 で混合 して調製した。 すなわち、 金属用研磨液 1 0 倍濃縮 液 7 重量部に水 6 3 重量部を加えて希釈 した希釈液と、 過 酸化水素水 (試薬特級、 3 0 %水溶液) 3 3 . 2 重量部と を、 それぞれ別の容器に入れ、 各々 の容器か ら別々 に定量 ポンプで液を送っ て、 希釈液 過酸化水素水 = 7 Z 3 の供 給速度比 (体積比) で合流させ、 内部に長さ 3 m mのガラ ス管を多数充填させた配管内を通過させた後、 装置内部の 研磨パ ッ ド に供給して研磨を行っ た。
その結果、 C M P 速度は l Y Y n m Z m i n , エ ツチン グ速度は 0 . 5 n m Z m i n と いずれも良好であ り 、 かつ 金属用研磨液材料の経時変化によ る C M P 速度及びエ ッ チ ング速度の差は見 られなかっ た。 また、 エロージ ョ ン及び 研磨傷の発生も見 られなかっ た。 実施例 2 0
実施例 1 4 の金属用研磨液を用 い 、 実施例 1 と 同様に し て C M P を行っ た。 ただし、 金属用研磨液は、 配管内で混 合 して調製 した。 すなわち、 溶液 A と、 溶液 Β 及び希釈用 水溶液の混合液と をそれぞれ別の容 に入れ、 各々 の容器 か ら別々 に定量ボ ンプで液を送っ て、 溶液 A Ζ (溶液 B + 希釈用水溶液) = 3 ノ 7 の供給速度比 (体積比 ) で合流さ せ、 装置内部の研磨パ ッ ド に供給して研磨を行つ た。
その結果、 C M P速度は 1 2 4 η m / m i n 、 エ ツ チン グ速度は 0 . 4 n m / m i η といずれも良好であ り 、 かつ 金属用研磨液材料の経時変化による C M P 速度及びエ ッ チ ング速度の差は見 られなかつ た。 また、 エロージ ョ ン及び 研磨傷の発生も見 られなかつ た。 比較例 エタ ノ ールを添加しない以外は実施例 1 と同様に して、 金属用研磨液 1 0 倍濃縮液を調製 した。 これを 5 °Cで冷蔵 保存した と こ ろ、 固体が析出 して し まい、 そのま ま金属用 研磨液を調製して評価する こ とが困難となっ た。 比較例 2
ポ リ オキシエチ レン ( 1 0 ) グ リ コールを添加 しない以 外は実施例 1 2 と 同様に して、 金属用研磨液 1 0 倍濃縮液 を調製 した。 これを 5 °Cで冷蔵保存した と こ ろ 、 固体が析 出 して し ま い、 そのま ま金属用研磨液を調製して評価する こ とが困難となっ た。
産業上の利用可能性 本発明は、 高濃度の金属用研磨液材料を提供する もので あっ て、 運搬 · 貯蔵等にはこ の高濃度研磨液材料を用 い、 実際の研磨を行う 場合には、 これに希釈剤等を加えて研磨 液を容易 に調製する こ とができる。 従っ て、 本発明によれ ば、 金属用研磨液の製造コ ス ト を低減し、 研磨液貯蔵 · 運 搬容器の使用個数を減 ら し、 また、 保管場所や研磨装置の タ ンク等の容量を小さ く する こ とができ、 かつ、 信頼性の 高い金属膜の埋め込みパター ンを形成する こ とができる。 ゆえに、 本発明は、 特に半導体装置の製造等において有用 である。

Claims

請求の範囲
1 . 酸化金属溶解剤 と、 保護膜形成剤 と、 該保護膜形成 剤の溶解補助剤 と を含む金属用研磨液材料。
2 . 酸化剤 と水との少な く と も いずれかを、 さ ら に含む 請求項 1 記載の金属用研磨液材料。
3 . 上記酸化剤、 上記酸化金属溶解剤、 上記保護膜形成 剤及び上記溶解補助剤か らなる成分群を 2 つの構成要素に 分け、 各構成要素を互いに混合していない状態で備える請 求項 1 記載の金属用研磨液材料。
4 . 上記溶解補助剤は、 界面活性剤である請求項 1 又は 2 記載の金属用研磨液材料。
5 . 上記界面活性剤は、
エステル、 エーテル、 多糖類、 ア ミ ノ酸塩、 ポ リ カルボ ン酸、 ポ リ カルボ ン酸塩、 ビニルポ リ マ、 スルホン酸、 ス ルホン酸塩及びア ミ ドの う ち のいずれか一つ以上である請 求項 4 記載の金属用研磨液材料。
6 . 上記溶解補助剤は、
上記保護膜形成剤の溶解度が 2 5 g Z L 以上の溶媒であ る請求項 1 又は 2 記載の金属用研磨液材料。
7 . 上記溶媒は、
上記保護膜形成剤の良溶媒である請求項 6 記載の金属用 研磨液材料。
8 . 上記溶媒は、
アルコール、 エーテル及びケ ト ンの う ち いずれか一つ以 上であ る請求項 6 記載の金属用研磨液材料。
9 . 上記溶媒の配合量は、
上記金属用研磨液材料の総量 1 0 0 g に対 して、 5 0 g 未満であ る請求項 6 記載の金属用研磨液料。
1 0 . 上記保護膜形成剤の少な く と も一部は、
平均粒径 1 0 0 m以下の固体である 、 請求項 1 又は 2 記載の金属用研磨液材料。
1 1 . 砥粒を さ ら に含む請求項 1 又は 2 記載の金属用研 磨液材料。
1 2 . 酸化剤 と、 酸化金属溶解剤 と、 保護膜形成剤と、 該保護膜形成剤の溶解補助剤と、 水と を含有する金属用研 磨液。
1 3 . 上記溶解補助剤は、 界面活性剤であ る請求項 1 2 記載の金属用研磨液。
1 4 . 上記溶解補助剤は、
上記保護膜形成剤の溶解度が 2 5 g / L 以上の溶媒であ る請求項 1 2 記載の金属用研磨液。
1 5 . 上記保護膜形成剤の少な く と も 一部は、
平均粒径 1 0 0 以下の固体であ る 、 請求項 1 2 記載 の金属用研磨液。
1 6 . 砥粒を さ ら に含む請求項 1 2 記載の金属用研磨液 (
1 7 . 請求項 1 又は 2 記載の金属用研磨液材料を、 希釈 剤 によ り 希釈する希釈工程を備え る 金属用研磨液の製造方 法。
1 8 . 酸化剤、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成剤及び該保 護膜形成剤 の溶解補助剤か らなる成分群の う ち の少な く と も一成分を含む金属用研磨液材料を 、 該成分群の う ち の少 な く と も一成分の水溶液であ る希釈用水溶液に よ り 希釈す る希釈工程を備え る請求項 1 2 記載の金属用研磨液の製造 方法。
1 9 . 酸化剤、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成剤及び該保 護膜形成剤 の溶解補助剤か ら な る成分群の う ち の少な く と も一成分を含む第 1 の構成要素 と 、
上記成分群の残 り の成分の う ち 少な く と も一成分を含む 第 2 の構成要素 と 、 希釈剤 と を、
所望の順番で混合する混合工程を備える金属用研磨液の 製造方法。
2 0 . 上記希釈剤は、 水又は希釈用水溶液であ る請求項 1 7 又は 1 9 記載の金属用研磨液の製造方法。
2 1 . 上記第 1 の構成要素は、 酸化剤を含み、
上記第 2 の構成要素は、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成剤、 溶解補助剤 を含む請求項 1 9 記載の金属用研磨液の製造方 法。
2 2 . 上記第 1 の構成要素は、 上記保護膜形成剤及び上 記溶解補助剤を さ ら に含む請求項 1 9 記載の金属用研磨液 の製造方法。
2 3 . 上記混合工程において、 上記酸化剤及び該酸化剤 を含む混合物を、 4 0 °C以下に保持する請求項 1 9 記載の 金属用研磨液の製造方法。
2 4 . 上記保護膜形成剤の少な く と も一部は、
平均粒径 1 0 0 t m以下の固体であ り 、
上記混合工程によ り 、 上記金属用研磨液中 に溶解又は分 散される請求項 1 9 記載の金属用研磨液の製造方法。
2 5 . 請求項 1 2 記載の金属用研磨液を、 研磨定盤上の 研磨パ ッ ド に供給し、
上記研磨パ ッ ド と、 上記被研磨物の被研磨面 と を接触さ せつつ、 該研磨パ ッ ド と被研磨面と を相対的に運動させる こ と によ り 、 該被研磨物の被研磨面を研磨する研磨工程を 備える研磨方法。
2 6 . 上記研磨工程に先立っ て、 金属用研磨液の構成要 素を混合する こ と によ り 上記金属用研磨液を調製する混合 工程を、 さ ら に備え、
上記混合工程は、
酸化剤、 酸化金属溶解剤、 保護膜形成剤及び該保護膜形 成剤の溶解補助剤か らなる成分群の う ち の少な く と も一成 分を含む第 1 の構成要素と、
上記成分群の残 り の成分の う ち少な く と も一成分を含む 第 2 の構成要素と、
希釈剤 と を、
所望の順番で混合する工程である請求項 2 5 記載の研磨 方法。
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