TWI278105B - Semiconductor module, MOS type solid-state image pickup device, camera and manufacturing method of camera - Google Patents

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TWI278105B
TWI278105B TW094120685A TW94120685A TWI278105B TW I278105 B TWI278105 B TW I278105B TW 094120685 A TW094120685 A TW 094120685A TW 94120685 A TW94120685 A TW 94120685A TW I278105 B TWI278105 B TW I278105B
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transistor
image pickup
pickup device
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micro
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TW094120685A
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Keiji Mabuchi
Shunichi Urasaki
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Sony Corp
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1278105 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種包括MOS(金氧半導體）型固態影像拾取 裝置之半導體模組、金氧半導體型固態影像拾取裝置、照 - 相機及照相機之製造方法。 【先前技術】 迄今’例如金氧半導體照相機模組係已知為一種包括金 • 氧半導體型固態影像拾取裝置之半導體模組。為製造小型 、_ 金氧半導體照相機模組，已有一種使一金氧半導體型固態 影像拾取裝置（以下稱為「金氧半導體影像感測器晶片」） 與一彳έ號處理晶片彼此覆蓋的具發展性方法。 對於依據先前技術範例1的金氧半導體照相機模組，已 知有一種例如非專利參考文獻i中描述的s j ρ (包裝中系統） 配置。在此金氧半導體照相機模組中，一金氧半導體影像 感測器晶片係覆蓋在一信號處理晶片上且與之接合，金氧 半導體影像感測器晶片及信號處理晶片係裝置在電路板 •上，二晶片及電路板係藉由線路焊接過程處理，然後金氧 半導體影像感測器晶片及信號處理晶片係藉由此線路焊接 過程而彼此互連。 ^ 附圖中的圖1係顯示依據先前技術之金氧半導體影像威 . 測器晶片的配置之示意圖。如圖1中顯示，此金氧半導體 影像感測器晶片1包括一其中複數個像素3係配置成二維樣 式（即一 XY矩陣樣式）之像素部分2、一行部分4、一連接至 一水平信號線5之輸出電路6、一垂直驅動電路7、一水平 101834.doc 1278105 驅動電路8及一控制電路9。 控制電路9係被供應輸人時脈及資料，用於從金氧半導 體〜像《測器1外部指不操作模式。控制電路9供應時脈及 脈衝至以下個別部分1回應此等輸人時脈及資料，使得 個別部分得以操作。 、垂^驅動電路7選擇—列像素部分2，且—需要脈衝係透 過在杈向延伸的控制線路（雖然未顯示）供應至選定的該列 像素。 • 部分4具有對應於該等行排列之行信號處理電路10。 打信號處理電路U)係被供應__線量的像素信號且以諸如 CDS(相關雙重取樣：用於消除固定模式雜訊之處理）、信 號放大及A/D(類比至數位)轉換之適合處理樣式處理因而 獲得供應之信號。 水平驅動電路8依序地選擇行信號處理電路ι〇•，且供應 行信號處理電路10的信號到水平信號線5。輸出電路6處理 來自水平線5的信號及輸出如此處理的信號。例如，由輸 •出電路6完成之處理可為諸如僅緩衝或黑位準調整、行散 射的&正彳5號放大、緩衝前之彩色處理的各種處理。 圖2係顯示在圖丨所示的金氧半導體影像感測器丨之像素 電路的範例之電路圖。在此範例中，四像素構成一單元。 如圖2中顯示，此像素電路包括四個用作光電轉換元件 之光二極體PD[PD1、PD2、PD3、PD4]。光二極體pDi到 PD4係分别連接到對應的四傳輸電晶體12[121、122、 123、U4]。傳輸線路161到164係連接至個別傳輸電晶體 101834.doc 1278105 121到124的閘極。個別傳輸電晶體121到124的汲極係連接 至共同點，其接著連接到重設電晶體13的源極。傳輸電晶 體12的汲極及重設電晶體13的源極間的一所謂浮動擴散fd 係連接到放大電晶體14的閘極。重設電晶體13的汲極係連 接到電源供應線路1 5且其閘極係連接至重設線路17。同時 設置一選擇電晶體18，其汲極係連接到電源供應線路15。 選擇電晶體18的源極係連接到放大電晶體14的汲極。選擇 線路19係連接到選擇電晶體1 §的閘極。光二極體pD [pD 1 _ 到PD4]、傳輸電晶體12[121到124]、重設電晶體13、選擇 電晶體18及放大電晶體14構成一產生集中四像素（光二極 體）之單元。另一方面，放大電晶體14的源極係連接到垂 直信號線21上。其汲極連接到垂直信號線21且作為固定電 流來源的負載電晶體22(描述於下），係連接到垂直信號線 2 1成為行信號處理電路1 〇的一部分。負載線路23係連接到 負載電晶體22的閘極。 在此像素電路中，信號電荷係由四個光二極體PD[PD1 Φ 到PD4]進行光電轉換。光二極體PD的光電子（信號電荷）係 透過對應的傳輸電晶體12[ 121到124]傳輸到浮動擴散FD。 由於浮動擴散FD係連接到放大電晶體14的閘極，若選擇電 晶體18係開啟，則一與浮動擴散fd之電位對應的信號會透 過放大電晶體14輸出到垂直信號線21。 重設電晶體13將浮動擴散FD之信號電荷（電子）棄置到電 源供應線1 5，以重設該浮動擴散fd之信號電荷。橫向線路 19、17及16[ 161到164]係共用於同列的像素，且因而受垂 101834.doc 1278105 直驅動電路7之控制。 作為固定電流來源之負載電晶體22係設置在行信號電路 ίο的一部分。已選定列之負載電晶體22及放大電晶體14構 成一源極隨耦器，以將其輸出供應至垂直信號線21。 至於依據先前技術範例2的CMOS(互補式金氧半導體）影 像感測器模組，已知有描述於已引用非專利參考文獻2中 之此一 CMOS影像感測器模組。在此範例中，影像感測器 晶片具有一基板，線路係穿過該基板且藉由使用微凸塊將 φ 影像感測器連接到一底側晶片。依據此方法，因為可增加 凸塊數且減少電感及電容器組件，一高速介面變得可能。 此外，影像感測器晶片係透過線路由像素部分直接連接到 底侧晶片，因而亦可獲得圖像内同時性。 [非專利參考文獻 1] : Sharp technical journai 第 81 卷， 2001年12月，第34頁。 [非專利參考文獻2] : IEDM 99，第879至882頁。 【發明内容】 • 在依據先前技術範例1製造金氧半導體照相機模組之方 法中，當金氧半導體影像感測器晶片係大體上數平方毫米 時，來自金氧半導體影像感測器之輸出係透過最佳係以= 计之烊接線供應至乜號處理晶片，其變為瓶頸而阻礙影像 處理速度之增加。限制此影像處理速度的原因係可能2法 增加線路焊接數，且信號由於產生在焊接線路間或焊接線 與電路基板間之焊接線與電容器組件的電感而受到干擾及 延遲。 欠 101834.doc !2781〇5 同時，由於此型金氧半導體照相機模組通常係依列之序 J丨貝序自像素部分的像素讀出信號，所以在不同時間，從 像素部分的上方像素及下方像素讀出像素信號，因此在^ 像内無法建立同時性。或者，若使圖像内曝光時序一致， 則雜訊會在像素信號上疊加直到從像素讀出像素信號，因 而導致圖像品質劣化。
無用之區域。例如 在依據先前技術範例2的CMOS影像感測器模組中，用於 使得線路能穿過基板之過程成本增加及降低產出率係極嚴 重的。此外，其中像素的孔徑比由於像素電路而減少的問 題係類似先前技術。尤其是，因為線路可貫穿過的區域應 該維持在矽（Si)基板中，從光學觀點中將不可避免地增加 在此範例中，通孔直徑係2·5微米且 在該通孔四周應準備邊際區域，因此有近似3微米直徑的 區域變得沒有用處。此外，需要形成通孔之過程且因此過 耘邊彳寸複雜，使得製程益形複雜。在先前技術範例中，沒
有出現像素電路。在此先前技術範例中要試驗的係一結 構，其中在上晶圓上僅形成光二極體，且造成光電流流入 一下晶圓中。 有鐾於以上所述，本發明提供一種半導體模組，其中可 有利於製程及可增加產出率，同時可增加影像處理速度， 可實現圖像内的同時性及可改進影像品質。 此外本發明知:供一種半導體模組，其中當同時驅動所 有像素或大量像素時可控制電流之消耗。 此外，本發明提供一種金氧半導體型固態影像拾取裝 101834.doc -10 - 1278105 置’其可應用於半導體模組及其類似者。 人者本發明曰於提供一種包括金氧半導體型固態影像 裝置與半V體模組之照相機，及照相機之製造方法。 依據本發明一具體實施例，一半導體模組包括一背部照 2型金氧半導體型固態影像拾取裝置，其中微接點係以每 一單位像素單元或以複數個像素之每—單元形成在一線路 _側上’及-信號處理晶片’其中微接點係形成在對應於 金氧半導體型固態影像拾取裝置之微接點的位置處之線路 _ g側Jl丨中4金氧半導體型固態影像拾取裝置與信號處 理晶片係藉由微凸塊連接。 依據本發明一具體實施例，在上述半導體模組中，像素 驅動微接點係形成在一與金氧半導體型固態影像拾取裳置 之像素區域口P分之周邊對應的區域上，像素驅動微接點係 透過微凸塊連接到信號處理晶片側之微接點。 此外’半導體模組具有—僅透過信號處理晶片的普通接 點建立之外部介面。即，該半導體模組沒有自金氧半導體 _型固態影像拾取裝置建立的外部介面。 此外’金氧半導體型固態影像拾取裝置包括普通的測試 接點。 依據本發明一具體實施例，在上述半導體模組中，金氧 半導體型固態影像拾取裝置具有一單元，其包括：一光電 轉換元件；-放大電晶體，其包括閘極以接收來自光電轉 換70件之信號電荷；一輸出線，其係直接或間接地連接到 放大電晶體之源極以連接至微接點；一負載電晶體，其没 101834.doc 1278105 極係直接或間接地連接到輸出線；一線路，其係連接到負 載電晶體之源極以提供一第一電壓；一重設機構，其係用 於重設放大電晶體之閘極電位；及一線路，其係直接或間 接地連接到放大電晶體的汲極，以提供一第二電壓。 依據本發明一具體實施例，在上述半導體模組中，金氧 半導體型固態影像拾取裝置具有一單元，其包括：一光電 轉換元件；一放大電晶體，其包括閘極以接收來自光電轉 換70件之信號電荷；一輸出線，其係直接或間接地連接到 ' φ 放大電晶體之源極；一注入電晶體，其汲極係直接或間接 地連接到該輸出線；一線路，其係連接到注入電晶體之源 極，以提供一第一電壓；一重設機構，其係用於重設放大 電晶體的閘極電位；一啟動電晶體，其源極係直接或間接 地連接到放大電晶體的汲極；及一線路，其係直接或間接 地連接到啟動電晶體的汲極，以提供一第二電壓。 依據本發明一具體實施例，在上述半導體模組中，該重 設機構係被供應一重設脈衝，該重設脈衝與一供應到注入 Φ 電晶體之第一注入脈衝重疊，且該重設脈衝係在第一注入 脈衝結束前結束。 此外，該單元進一步包括一傳輸電晶體，其源極係連接 ， 到光電轉換元件，且其汲極係直接或間接地連接到放大電 - 晶體的閘極，一供應至傳輸電晶體之傳輸脈衝係在供應至 注入電晶體之第二注入脈衝開始前結束。 依據本發明一具體實施例，在上述半導體模組中，該金 氧半導體型固態影像拾取裝置輸出一係經多工處理的類比 101834.doc -12- 1278105 信號之單元輸出，該類比信號被多工處理且在由信號處理 晶片數位化後儲存在記憶體中。 依據本發明一具體實施例，在上述半導體模組中，該金 氧半V體型固恶影像拾取裝置輸出一係數位信號之單元輸 出，該數位信號被多工解訊且由信號處理晶片儲存在記憶 體中。 “ 此外，該單it輸出係-輸出’其係在像素信號經類比至 數位轉換後從進一步多工處理一像素信號而產生。
此外，依據本發明一具體實施例，該金氧半導體型固態 影像拾取裝置可不包括一控制電路。 兀’其包括-光電轉換元件；一放大電晶體，其包括閘極 以接收來自光電轉換元件之信號電荷；—輸线，其係直 依據本發明另-具體實施例，—金氧半導體型固態影像 拾取裝置具有-單位像素單元或—具有複數個像素之單 源極 一注入電晶體，其 接或 沒極係直接或間接地連接到該輸出線；一線路，其係連接 到注入電晶體之源極以提供—第—電壓；—重設機構，其
係用於重設放大電日日日體之—閘極電位；_啟動電晶體，A 源極係直接或間接地連接到放大電晶體的汲極；及一線 路，其係直接或間接地連接到啟動電晶體的汲極，以提供 一弟二電壓。 2金氧半導體型固態影像拾取裝置可應用於背部照明型 固悲影像拾取裝置及前方照明型固態影像拾取裝置二者。 同時，此金氧半導體型固態影像拾取裝置不管是否存在微 101834.doc -13 - 1278105 凸塊’皆可應用於固態影像拾取裝置。 依據本發明另一具體實施例，在上述金氧半導體型固態 影像拾取裝置中，供應至該重設機構之重設脈衝與供應至 注入電晶體之第一注入脈衝重疊，該重設脈衝係在第一注 入脈衝結束前結束。 此外，該單元進一步包括一傳輸電晶體，其源極係連接 到光電轉換元件，且其汲極係直接或間接地連接到一放大 電晶體的閘極，一供應至傳輸電晶體之傳輸脈衝係在供應 _ 至注入電晶體之第二注入脈衝開始前結束。 依據本發明另一具體實施例，一種照相機包括一半導體 模組，其中一背部照明型MOS(金氧半導體）型固態影像拾 取裝置其中之微接點係以每一單位像素單元或以複數個像 素之每一單70形成在一線路層側上；及一信號處理晶片， 其中微接點係形成在對應於金氧半導體型固態影像拾取裝 置之微接點的位置處之線路層側上；其中金氧半導體型固 悲影像拾取裝置與該信號處理晶片係藉由微凸塊連接。 •依據本發明另-具體實施例，在上述照相機中，像素驅 動微接點係形成在一與金氧半導體型固態影像拾取裝置之 像2區域部分的周邊對應的區域上，像素驅動微接點係透 過微凸塊連接到信號處理晶片側之微接點。 财依據本發明另一具體實施例，在上述照相機中，該半導 '、’、有透過信號處理晶片的普通接點所建立之外部 介面。 此外’依據本發明另一具體實施例，在上述照相機中， 101834.doc -14 - 1278105 該金氧半導體型固態影像拾取裝置具有一單元，其包括一 光電轉換元件；一放大電晶體，其包括閘極以接收來自光 電轉換元件之信號電荷；一輸出線，其係直接或間接地連 接到放大電晶體之源極，以連接至微接點；一負載電晶 體’其汲極係直接或間接地連接到輸出線；一線路，其係 連接到負載電晶體之源極以提供一第一電壓；一重設機 構’其係用於重設放大電晶體之一閘極電位；及一線路， 其直接或間接地連接到放大電晶體的汲極，以提供一第二 _ 電壓。 再者，依據本發明另一具體實施例，照相機之製造方法 包括：一過程，其係用以在一背部照明型金氧半導體型固 恶衫像拾取裝置中以每一單位像素單元或以複數個像素之 母單元在一線路層側上形成微接點；及一過程，其係用 以透過微凸塊連接該背部照明型金氧半導體型固態影像拾 取爰置及一信號處理晶片，該信號處理晶片具有形成在對 應於金氧半導體型固態影像拾取裝置之微接點的位置處一 # 線路層側上的微接點。 依據本發明之半導體模組的一具體實施例，由於此半導 體模組包括一背部照明型金氧半導體型固態影像拾取裝 置’其中微接點係形成在每一單位像素單元處或在複數個 像素之每一單元處的線路層侧上；及一信號處理晶片，其 中微接點係形成在一位置對應於金氧半導體型固態影像拾 ^裝置之微接點的線路層側上，其中該金氧半導體型固態 5V像杧取衣置係藉由微凸塊與該信號處理晶片連接，一影 101834.doc -15- 1278105 高速介面變得可能 同時，因 像處理速度可增加且因此一 為可同時驅動所有像素或大量像素，故可同時讀出信號， 獲付圖像内的同時性。因此’可獲得極佳圖像品質。 會影響影像感測器之孔徑比。 由於該半導體模組使用背部照明型金氧半導體型固態影 像拾取裝置，其中微接點係形成在其與光人射表面相對之 表面處的線路層侧上’ A量微接點可找表面上排列，不 僅該像素及線路可形成在金氧半導體型固g影像拾取裝 _ 1之該侧上’且所有該等像素及線路外之其他電路系統係 形成在信號處理晶片之該侧。以此配置，可減少金氧半導 體型固悲影像拾取裝置及信號處理晶片二者的成本。 由於金氧半導體型固態影像拾取裝置係形成為一背部照 明型金氧半導體型固態影像拾取裝置，且該固態影像拾取 裝置及信號處理晶片係透過微接點及微凸塊在線路層側連 接，故不需要先前技術之通孔形成過程，且因此可降低過 程的數目。因此，可有利於製程且可增進產出率。結果， •由於光敏區域不會隨著預備通孔之空間而減少，故可增進 金氧半導體型固態影像拾取裝置之靈敏性，且因此可=止 針對偏斜光的不對稱。 諸如該等用作電源供應之所謂像素驅動微接點，一接地 及像素控制信號係形成在金氧半導體型固態影像拾取裝置 舁像素區域部分的周邊對應的區域，且微接點可透過微凸 塊連接到信號處理晶片側的微接點。因此，可減少連接部 分間之電感及電容組件且可避免信號的干擾及延遲。 101834.doc -16 - 1278105 由於僅透過信號處理晶片之普通接點建立外部介面，艮 外部介面非由金氧半導體型固態影像拾取裝置側建立，2 可省略金氧半導體型固態影像拾取裝置側上之光學無用區 域且因此避免由於電路系統佔用之像+ °° 琢系吐域處的比例減 少。 由於金氧半導體型固態影像拾取裝置包括用於測試的普 通接點，金氧半導體型固態影像拾取襄置之特徵可在焊接 至k號處理晶片前檢驗。 •由於金氧半導體型固態影像拾取裝置具有之單元包括： -光電轉換元件；一放大電晶體，其包括閘極以接收來自 光電轉換元件之信號電荷；一輸出線，其係直接或間接地 連接到放大電晶體之源極以致連接至微接點；一負載電晶 體，其沒極係直接或間接地連接到輸出線；一線路，其係 連接到負載電晶體之源極以提供一第一電壓；—重設機 構’其係用於重設放大電晶體之—閘極電位；及一線路， 其係直接或間接地連接到放大電晶體的汲極以提供一第二 _電壓’故金氧半導體型固態影像拾取裝置及信號處理晶片 可透過上述微凸塊連接，可同時驅動所有像素或大量像 素，且可同時讀出像素信號。 由於金氧半導體型固態影像拾取裝置之單元包括一光電 轉換元件；-放大電晶體，其包括閘極以接收來自光電轉 換7G件之k號電荷；一輸出線，其係直接或間接地連接到 放大電晶體之源極；一注入電晶體，其汲極係直接或間接 地連接到該輸出線；一線路，其係連接到注入電晶體之源 101834.doc -17- 1278105
極以提供-第-電壓；一重設機構，其係用於重設放大電 晶體之一閘極電位；一啟動電晶體，其源極係直接或間接 地連接到放大電晶體較極；及-線路，其係直接或間接 地連接到啟動電晶體的汲極以提供一第二電壓，故金氧半 導體型固態影像拾取裝置及信號處理晶片可透過上述微凸 塊連接，彳同時驅動所有像素或大量像素，且可同時讀出 像素信號。此外，該單元包括啟動電晶體及注人電晶體， 且可防止啟動電晶體及注入電晶體二者同時被開啟，因此 可防止-較電流流動且金氧半導體型固態影像拾取裝置 包括_〇，_量級的單元。因此，當可同時驅動所有像素 或大量像素且可同時讀出像素信號時，可防止大量電流流 動及因此可解決電流的問題。 β因為重設機構係被供應—重設脈衝，與第-注入脈衝重 疊的重設脈衝係供應至注人電晶體，且重設脈衝在第一注 脈衝、…束4先結束’可使在重設脈衝後隨即獲得的輸出 線電位等於接地電位’且因此可防止輸出線電位波動。 由於該單元包括傳輸電晶體，且供應至傳輸電晶體之傳 輸脈衝係在供應至注入電晶體之第二注入脈衝開始前結 束：故可降低電壓。即，與其中傳輸脈衝與第二注入脈衝 重豐之情況相比，由於在像素内容量耦合之有效性所以傳 輸自浮動擴政（FD)獲得之電位較高，因此可降低電壓。 因為金氧半導體型固態影像拾取裝置輸出一係經多工處 理的類比信號之單元輸出，該類比信號係由信號處理晶片 數位化、多工解訊且儲存在記憶體中，故金氧半導體型固 10l834.doc _ 18 - 1278105 心々像拾取裝置可無須—信號處理電路，以處理在單元輸 出被轉換成類比信號後獲得的信號’且金氧半導體型固: 影像拾取裝置之製程中的產出率可增加。 絲！於來自金氧半導體型固態影像拾取裝置的單元輸出被 广理=位信號’且此數位信號被多工解訊且儲存在信號 地曰曰儲存側上之記憶體中，可集中複數個像素成為一 2元且對應於該等像素之數位信號可依複數個單元之單位 集中可透過一微接點輸出到信號處理晶片側。因此， 鲁可增加每一微接點的像素數、微接點尺寸可增加 少密度。 風 一般而言’其中像素特徵難以變得均句之金氧半導體型 固態影像拾取裝置與信號處理晶片相比，其在產出率係較 低的依據本發明的具體實施例，由於金氧半 影像拾取裝置側不包括-控制電路（即其具有一其中㈣ 素:之其他電路可儘可能地減少的配置），故無用區域可 ’且包括金氧半導體型固態影像拾取裝置及信號處理 Φ 晶片之系統的成本可降低。 〃依據本發明的金氧半導體型固態影像拾取裝置之具體實 施例，由於金氧半導體型固態影像拾取裝置包括一軍位二 素單元或—具有複數個像素之單元：包括-光電轉換元 件：-放大電晶體，其包括閘極以接收來自光電轉換元件 T信號電荷；—輸线，其係直接或間接地連接到放大電 晶體之源極；一注入電晶體’其沒極係直接或間接地連接 到。亥輸出線，-線路，其係連接到注入電晶體之源極以提 101834.doc •19- 1278105 罘一電壓 4 ""機構’其係用於重設放大電晶體之 一閘極電位；一啟動電晶妒， 一源極係直接或間接地連接 到放大電晶體的汲極；及一線败 ^ ^ a 、，八係直接或間接地連接 」右=以提供一第二電壓，故可同時驅動 一 * t U f項出像素信號。此外，該單 凡包括啟動電晶體及注入電 $入f日- 電日日體，且可防止啟動電晶體及 庄入電晶體二者同時被開啟，因此 動，且金氧半導體型固態 一力疋電流流 ^ . 〜〜像拾取裝置包括1，〇〇〇,〇〇〇量級 t兀。因此，當可同時驅動所有像素或大量像素且可同 時碩出像素信號時，可防止大量 ’、 流的問題。 電机机動及因此可解決電 係氧半導體型固態影像拾取裝置，由於重設機構 係係被供應一重設脈衝，重 衝重叹脈衝係與供應至注入電晶體 二脈衝重疊，且重設脈衝在第一注入脈衝結束前 =位故可使在重設脈衝後隨即獲得的輸出線電位等於 接地電位，且因此可防止輸出線電位波動。 勺=述金氧半導體型固態影像拾取裝置中，由於該單元 應至注入電晶體之第；入:=體之傳輸脈衝係在供 /入脈衝開始前結束，故可降低電 :。：’與其中傳輸脈衝與第二注入脈衝重疊之情況相 ㈣:= 象”容量熬合之有效性所以傳輸自浮動擴散 (D)獲仔之電位較高，因此可降低電壓。 【實施方式】 以下將參考附圖說明本發明。 101834.doc -20- 1278105 圖3 A及3B顯示依據本發明一具體實施例之半導體模組 的基本結構。更明確言之，圖3A係顯示依據本發明一具體 實施例之半導體模組的側視圖，而圖3B係其平面圖。 一半導體模組（大體上由圖3A及3B中之參考數字31所示） 包括彼此層疊的一金氧半導體型固態影像拾取裝置（以下 稱為「金氧半導體型影像感測器晶片」32及一信號處理晶 片（即DSP(數位#號處理）晶片）33。如圖3A及3B中顯示， 信號處理晶片33係連接到金氧半導體型影像感測器晶片32 _ 且處理從金氧半導體型影像感測器晶片32供應的輸出。此 外，無須贅言的係該信號處理晶片33可具有控制金氧半導 體型影像感測器晶片32之功能。 圖4係顯示依據本發明一具體實施例之照相機配置的斷 面圖。依據此具體實施例之照相機係一可拍攝動晝的視頻 照相機之範例。 如圖4中顯示，依據此具體實施例之照相機包括一固態 影像拾取裝置201、一光學系統202、一快門裝置2〇3、一 # 驅動電路204及一信號處理電路2〇5。 光學系統202係調適以將來自一物件之影像光（入射光） 聚焦在固態影像拾取裝置201的一影像拾取表面上，因而 在-固冑時間週期巾，信號電荷係累積在固態影像拾取裝 置201中。 快門裝置203係 it以控制一日夺間週期，纟巾光係照射 在固態影像拾取裝置201上；及一時間週期，其中照射在 固態影像拾取裝置201上的光被遮蔽。 101834.doc -21 - 1278105 :£動電路204係調適以供應驅動信號來控制固態影像拾 、置〇 1的傳輪操作，及快門裝置203的快門操作。依據 從=動f路204供應的驅動信號（時序信號），信號電荷係在 口…y像拾取裝置2()1中傳輸。信號處理電路加係調適以 實現^種類的信號處理。雖然沒顯示出來，但在信號處理 後獲得的視頻信號可儲存在例如記憶體之儲 輸出到監視器。 、 金氧半導體型影像感測器晶片32係形成為背部照明 •(即，背光輸入）型金氧半導體型影像感測器晶片。背部照 明型金氧半導體型影像感測器晶片32具有一配置，其中一 線路層形成在基板表面側，以自位於線路層之相反側上的 基板为側引入光。圖5係顯示背部照明型金氧半導體型影 像感測器晶片32之配置的示意圖。如圖5中顯示，此背部 照明型金氧半導體型影像感測器晶片32包括一作為光電轉 換元件之光二極體PD ,其在半導體基板41的背部表面 侧上具有一光入射表面。複數個作為自光二極體讀出信 #號電荷之構件的金氧半導體電晶體Tr，係形成在半導體基 板41的前表面側。此外，由多層線路43連同一層間絕緣體 42形成的線路層44，係形成在半導體基板41的前表面側。 光二極體PD係從半導體基板41的前表面41a側形成到背部 表面41b側。對應於各像素的一濾色器46及晶片上微透鏡 47係形成在背部表面41b側上，該側上光乙係透過鈍化膜45 入射。雖然沒顯示出來，但一由例如矽基板之適合基板材 料製成的支撑基板可黏合到線路層4 4。 101834.doc -22- 1278105 凊回顧圖3A及3B，大量微接點34係以每一單位像素單 元或以複數個像素之每一單元，形成在金氧半導體型影像 感測器晶片32的線路層44側表面（若金氧半導體型影像感 測器晶片32包括支撐基板，則為支撐基板之表面）上，其 所在區域對應於至少該像素部分（所謂像素區域部分），後 續將會加以說明。此外，大量對應於金氧半導體型影像感 測器晶片32之微接點34的微接點35，係形成在信號處理晶 片33之線路層表面上。然後，金氧半導體型影像感測器晶 _ 片32及信號處理晶片33係藉著透過微凸塊36以電連接對應 的U接點34及35而一起形成為一體。微接點34、35係由小 於普通接點的微接點形成。例如，微接點34、35可由比5〇 平方微米普通接點更小的1〇平方微米微接點形成。微凸塊 3 6係形成在此等微接點34、35上。與接點之普通布局不同 的是，大量微接點34、35可形成在晶片中心附近。至於微 凸塊36之尺寸（此關係將應用於微凸塊，亦將在以後描 述），微凸塊36之直徑可選擇為30微米或更少且進一步微 φ 凸塊36之直徑可在微米到5微米的範圍中選擇。 大量微接點34、3 5及微凸塊3 6係形成與金氧半導體型影 像感測裔晶片3 2的像素部分對應。較佳的係，微接點3 7、 38及微凸塊39應形成在與像素部分之周邊對應的區域中， 如後續描述。 信號處理晶片3 3形成之區域係大於金氧半導體型影像减 測器晶片32。一普通接點51係形成在此信號處理晶片33 上，其位置對應於金氧半導體型影像感測器晶片32的外 101834.doc -23- 1278105 部’因而構成與此等二晶片外之其他系統的介面。一在金 氧半導體型影像感測器晶片32焊接到信號處理晶片33後使 用之普通接點，將不裝置在金氧半導體型影像感測器晶片 32侧上。雖然未顯示以清楚地表達基本概念，但用於測試 及選擇的普通接點較佳係應位於金氧半導體型影像感測器 晶片32侧上。 在透過微凸塊36、3 9連接以後，信號處理晶片33及金氧 半導體型影像感測器晶片32係由密封部件52密封（例如至 _ 少在周邊部分之樹脂）。 依據此具體實施例之半導體模組3丨，藉由圖3 A及3B所 示之配置，可解決先前技術所遭遇到的各種問題，諸如其 中線路係透過半導體基板形成之製程複雜性、製造成本增 加、產出率降低、其中像素孔徑比由於像素電路而降低之 問通及其中由於一貫穿線路通過區域而增加光學無用區 域之問題。明確言之，由於金氧半導體型影像感測器晶片 32係形成為背部照明型金氧半導體型影像感測器晶片，故 •可增進像素的孔徑比。由於金氧半導體型影像感測器晶片 32及信號處理晶片33二者係透過微凸塊％、39連接，故可 有利於製程且可增進產出率。由於金氧半導體型影像感測 器晶片32及信號處理晶片33並非藉由使用貫穿線路而是由 微凸塊36、39連接，故可減少光學無用區域。 +雖然不像先别技術範例2 ’依據此配置之大量晶片無法 藉由連接凸塊而層疊，但從產出率的觀點，熱從底側晶片 33(即，信號處理晶片33)及全部高度產生，故最佳係應僅 101834.doc -24- 1278105 連接金氧半導體型影像感測器晶片32及信號處理晶片33。 即’若晶片係在一些級中層疊，則許多從底側晶片產生的 熱會流入影像感測器，以致尤其是會使暗特徵劣化。然 而’依據此具體實施例的配置，其中二晶片32及33係彼此 層豐，由於底側晶片係只有信號處理晶片33，從信號處理 晶片33產生之少量熱流到金氧半導體型影像感測器晶片32 中，且因此暗特徵劣化不會成為嚴重問題。同時，在 CMOS(互補式金氧半導體）感測器中，經常會需求具有一 φ 透鏡之权組咼度應盡可能地減少。依據此具體實施例的配 置，可使半導體模組3丨高度保持較低。 圖6係顯示金氧半導體型影像感測器晶片32的方塊圖。 如圖ό中顯示，此金氧半導體型影像感測器晶片32包括一 中心區域像素部分53，其中大量單元54係排成陣列。單元 54可為一單位像素或可由複數個像素形成。接著，微接點 34(參見圖3Α及3Β)會在每一單元54處之上述線路層侧上排 成陣列，且像素部分53具有在其四周形成之像素驅動單元 • 55。在此像素驅動單元55中，大量用來供應信號及電力以 驅動像素及供應接地（GND)的微接點37(參見圖3α&3β)係 排成陣列。其中用於測試之普通接點57係排成陣列之測試 接點5 6係形成在像素驅動單元5 5四周。 一像素輸出係供應至像素部分53的微接點34。像素驅動 單元55的微接點37係係被供應像素驅動信號、一電源供應 及接地（GND)。如上述，最佳係金氧半導體型影像感測器 晶片32側不應包括一控制電路。以下將說明其理由。由於 101834.doc -25- 1278105 像素特徵難以變得均勻之金氧半導體型影像感測器晶片大 體上產出率係低於信號處理晶片，若金氧半導體型影像感 測器晶片除像素外盡可能地不包括其他電路，則可減少光 學無用區域。此外，此另一原因係金氧半導體型影像感測 器晶片可用比信號處理晶片更鬆之設計規則製造。 圖7係顯示早元5 4之範例的圖式。在此具體實施例中， 四像素係集中以形成一單元54。如圖7中顯示，依據此具 體實施例的單元54包括四個光二極體pd[PD1、PD2、 , PD3、PD4]。個別光二極體PD1到PD4係分別連接到對應 的四個傳輸電晶體61 [611、612、613、614]上，並且傳輸 電晶體61 [611到614]的閘極係連接到已供應傳輸脈衝之傳 輸線路62[621到624]。個別傳輸電晶體611到614的汲極係 共同連接’且接著連接到重設電晶體63的源極。同樣地， 傳輸電晶體61的汲極及重設電晶體63的源極間的一所謂浮 動擴散FD係連接到放大電晶體64。重設電晶體63的汲極係 連接到已供應電源電壓之電源線路65，且其閘極係連接到 φ 已供應重設脈衝之重設線路67。一啟動電晶體68係設置在 圖2中顯示先前技術範例中的選擇電晶體處。明確言之， 已設置其汲極係連接到電源線路65之啟動電晶體68，且其 源極係連接到放大電晶體64的汲極。啟動電晶體68的閘極 係連接到已供應啟動脈衝之啟動線路69。注入電晶體7〇係 連接到放大電晶體64的源極。注入電晶體70的源極係連接 到接地（GND)，且其閘極係連接到已供應注入脈衝之注入 線路73。接著，在放大電晶體64及注入電晶體7〇間的一連 101834.doc -26- 1278105 广點係連接到-輸出線(或輸出終端)7 2。 (攸電路之觀點’此具體實施例係不同於在圖2中顯示的 I前技術範例’因為像素在其中包括注人電晶體70及接地 線路7^且㈣線72不在垂直方向延伸，而是其係單獨在 —單元54處。在此單元54中，對應的電晶體叫hi至 614]會開啟，心應供給傳輸線路62[621至624]之傳輸脈 衝，且目此對應的光二極體pD[PDl至PD4]的信號電荷係 傳輸到浮動擴散FD。同樣的，重設電晶體63會開啟以回應 ，馨 2給重設線路67之重設脈衝，^因此浮動擴散叩之信號電 荷（在此具體實施例中之電子）被棄置於電源線路65，因此 導致浮動擴散FD等於電源電位。) 接著，此單元54的操作將參考圖8描述。首先，當注入 脈衝l(Pnl)透過注入線路73施加時，注入電晶體％被開啟 且輸出線72固定為〇 v。在此輸出線72固定為〇 v後，重設 電晶體63隨著透過重設線路67之重設脈衝pr的施加而開 啟，且從而使浮動擴散FD之電位重設至一高位準（電源電 _位）。當此浮動擴散FD係設定成高位準時，放大電晶體64 被開啟。接著，在注入電晶體7〇關閉後，啟動電晶體68隨 著透過啟動線路69施加的一啟動脈衝pki而開啟。· • 當啟動電晶體68開啟時’輸出線72的電位提升到與對應 • 於浮動擴散FD電位的位準。此輸出線電位係稱為r重設位 準」。 接著’啟動電晶體68關閉且從而傳輸脈衝ptl係供應到 傳輸線路621。傳輸電晶體611開啟且從而對應的光二極體 101834.doc -27 - 1278105 PD1的信號電荷傳輸到浮動擴散fd。接著，注入電晶體7〇 P近者注入脈衝2(Pn2)的施加而開啟，且輸出線72係設定成 〇。然後，當啟動電晶體68隨著啟動脈衝Pk2的施加開啟 時，輸出線72的電位提升到與浮動擴散fd當時獲得電位對 應的位準。此時獲得的輸出線電位係稱作「信號位準」。 輸出線72的電位係透過微凸塊36供應到信號處理晶片 33(參見圖3A及3B)。在#號處理晶片33中，信號位準及重 • 設位準間之差係經類比至數位轉換，且因而係以數位信號 、_ 處理樣式加以處理。在此具體實施例中，信號係從四個光 二極體卩1)[1>1)1到1>1)4]其中之一光二極體PD1讀出。類似操 作係以此順序在其他三個剩餘的光二極體PD2到PD4上作 用。 如圖8中顯不，最佳係重設脈衝Pr應與注入脈衝i(Pni)重 疊，重設脈衝Pr係在注入脈衝1(Pnl)前被降低。此原因在 於重設脈衝Pr被降低後隨即獲得的輸出線電位係設定成〇 V，因此可防止此輸出線電位波動。同樣的，從低電壓之 鲁觀點，最佳係在注入脈衝2(Pn2)提升前應降低傳輸脈衝 pti。此原因在於和傳輸脈衝Ptl重疊注入脈衝2(pn2)之情 況相比，因為浮動擴散!；!）由於像素内電容耦合而在傳輸時 得的電位較高，故電壓可降低。無須贅言的係，當不必 •嚴格地考慮此等壓降時本發明可不受限於上述情況。 儘管目前已描述了 -單元的操作，但大量單元係配置在 像素部分中。在此具體實施例中，大量像素係同時驅動。 在該情況下’依據先前㈣，因為一電流在使用固定電流 101834,doc -28- 1278105 f源之源極隨麵器中同時流到大量單元（例如，！，_，_ 早凡），其電流值會增加，以致降低可靠性且電源供應電 壓由於線路電阻而降低。因此，依據此具體實施例，如上 述，注入電晶體70係位於該單元中且可防止在啟動電晶體 68開啟時被同時開啟’從而防止固定電流流到該等單元。 在此具體實施例中，無須以列為單位選擇該等單元，且 因此不需要選擇電晶體。若金氧半導體型固態影像拾取裝 置沒有許多像素或需要的規格不那麼嚴謹，則可能沒有啟 .動電晶體68的單元可實現先前技術的源極隨耗器操作。圖 9係顯示此情況之單元電路的範例之電路圖。 如圖9中顯示，四像素集中以類似前述形成一單元丨^。 依據此具體灵加例的單元丨5丨包括四個光二極體PD[pD j、 PD2、PD3、PD4]，且個別光二極體pm到pD4係分別連接 至對應的四傳輸電晶體61[011、6丨2、61S、Η4]。傳輸電 晶體61[611到614]的個別閘極係分別連接到已供應傳輸脈 衝的傳輸線路62[621到624]。個別傳輸電晶體611到614的 _汲極係連接到共同點且連接到重設電晶體63的源極，且傳 輸電晶體61的汲極和重設電晶體63的源極間的一浮動擴散 FD係連接到放大電晶體64。重設電晶體〇的汲極係連接到 已供應電源電壓之電源供應線路65，且其閘極係連接到已 供應重設脈衝之重設線路67。放大電晶體64的汲極係連接 到電源供應線路65。一負載電晶體152係連接到放大電晶 體64的源極上。負載電晶體152的源極係連接到接地 (GND)，且其閘極係連接到負載線路丨53。然後，在放大 101834.doc -29- 1278105 電晶體64及負載電晶體152間之連接點係連接至輸出線 72 〇 在此具體實施例中，雖然控制線路69、67、73、621到 624皆在圖7中之橫向延伸，但本發明不限於此。即，因為 所有該等單元都同時操作，控制線路可在垂直方向延伸， 控制線路可在橫向及垂直二方向中延伸。或者，控制線路 可在其中控制線路可在垂直及横向中連接的一晶袼樣式中 延伸。同樣地，當同時驅動所有單元以致電流值增加太多 時，可將金氧半導體型固態影像拾取裝置的操作分成以1〇 列計的單元操作。在此連接中，雖然此單元的電路及豆驅 動方法對於其中背部照明型金氧半導體型固態影像拾取裝 置及微凸塊係結合的情況特別有效，當同時驅動所有像素 或大量像素且像素信號係同時輸出（雖然本發明係與此社 從上述電_題之觀點而言，此單元的電路及 其驅動方法係有效的。 圖1〇係為了簡化而顯示以4列父4行之單元配置形式的微 接點陣列之範例的概冬圄 衝的邱八」 有關單元輸出及重設脈 衝的口P刀。如圖1〇中顯示， 式排成陣列的四像素，且用二Γ包括以4x4矩陣樣 一單位單元h/' 、㈤比輸出的微接點34係在每 早早π處形成。重設閘極驅動 驅動脈衝之微接點75供應 閘極 衝，。緩衝器76係設置在單元象二周邊輸入緩 路—横向中。用於電源供應的= 衝器76的每二條線處。同樣地，用於:二 101834.doc -30- 1278105 接點78係設置在每二條線處。如上述，需求電源電壓及接 地應從許多微接點供應。 圖11係顯示依據本發明具體實施例在一金氧半導體型影 像感測器晶片32及一信號處理晶片33間之連接的概念圖。 如圖11中顯示’在金氧半導體型影像感測器晶片32侧上， 一類比多工器81係調適以在一單元中依序選擇四個光二極 體（光電轉換元件）PD 1到PD4。此類比多工器8 1的處理包括 對應的處理，其中由圖7中所示傳輸電晶體61[611到614]多 , 工處理的信號，係透過放大電晶體64輸出到輸出線72。來 自類比多工器81的輸出係透過微凸塊36供應到信號處理晶 片33側上之相關雙重取樣（CDS)及類比至數位（A/D)轉換電 路82 ’在其中係進行相關雙重取樣及類比至數位轉換。來 自CDS及A/D轉換電路82的產生數位信號係透過一數位多 工解訊器83供應，且儲存在訊框記憶體84[841到844]中。 一什异電路85適當地參考儲存在訊框記憶體84中的值且 依一數位仏號樣式處理該等值。在此，雖然目前已描述一 ® 單7^之上述電路組件的連接，但在實際實行中，此等電路 組件可設置在每一單元處，且其等可彼此平行地操作。然 而，計算電路85無須一直設置在每一單元處，而是一計算 電路85例如可參考儲存在訊框記憶體84[841到844]中的 值，且其可依序列順序處理該等值。同樣地，多工解訊器 83、訊框記憶體84及計算電路85無須一直彼此明顯地分 離，而是當其等可實行相等信號處理時可在某種程度上整 合。 101834.doc -31 · 1278105 例如，與信號處理晶片33對應的一單元具有如圖12中顯 示包括比較器及鎖存器的配置。在圖12所示的電路中’微 接點35係連接到由一切換電晶體Q11與一取樣及保持電容 C2形成的取樣及保持電路，且此取樣及保持電路係透過/ DC切斷電容C1連接到反相器91。切換電晶體Q11的閘極係 連接到已供應取樣及保持脈衝的取樣及保持線路92。取樣 及保持電容C2的另一端係連接到已供應斜波（電壓隨時間 提升）之斜坡線路93。初始化開關（金氧半導體電晶體）Q12 _ 係在反相器91之輸入及輸出間連接。 另一方面，如圖12中顯示，四字元線WD0到WD3係設置 以與構成一單元之四像素對應，且在此具體實施例中，複 數個10位元線ΒΙΤ[ΒΙΤ0到BIT9]係設置在垂直字元線WD0 到WD 3的方向中。同樣的，四行的DRAM(動態隨機存取記 憶體）單元群組94[940到943]係設置以與四像素對應。各 DRAM單元皆是由一金氧半導體電晶體Q2[Q200到Q209、 Q210 到 Q219、Q220 到 Q229、Q230 到 Q239]及一電容 _ C3[C30〇 到 C309、C310 到 C319、C320 到 C329、C330 到 C339]形成。各行的DRAM單元群組940到943係由10個 DRAM 95形成。在DRAM單元群組94内的個別金氧半導體 電晶體Q2的閘極係連接到共同點，且係分別透過開關 S W[S W0到SW3]連接到對應的字元線WD〇到WD3。開關 SW的可移式接觸c係連接到金氧半導體電晶體卩2的閘極， 其第一固定接觸a係連接到反相器9丨的輸出線97，且第二 固定接觸b係連接到對應的字元線wd〇到WD3。 101834.doc -32 - 1278105 如圖12中顯示，來自微接點35透過微凸塊36之類比信號 輸入係由電容C1切除DC組件且供應到反相器91。反相器 91與初始化開關q12—起構成比較器（線路係INIT)。當上 述的重設位準係從微接點35透過微凸塊36輸入到比較器 時’輸入重設位準被初始化。接著，當信號位準係輸入到 比較器時，反相器91的輸入係由一基本上與輸入信號位準 及重設位準間之差成比例的量加以降低，且反相器91的輸 出到達高位準。之後，當斜波輸入斜坡線路93時，一當比 | 較為反轉時獲得的位元線BIT之電壓值被鎖存在DRAM單 元95中，因此由CDS及A/D轉換器電路82(圖n)處理的信號 會儲存在訊框記憶體84[841到844]中。開關SW0到SW3係 调適以將包含在該單元中之四像素的信號多工解訊，且當 DRAM單元讀敢時將該等信號連接到字元線wd〇到WD3。 在此’ 一其中10位元資料被A/d轉換之範例係顯示如上， 且口此ίο位元格雷碼值係輸入到位元線到 BIT9]。從理論之觀點，由比較器及鎖存器形成的a/d轉換 _ 電路早已眾所皆知，因此無須描述。 當此操作同時作用在所有該單元上時，該單元之四像素 的化旒係依序供應到信號處理晶片33，在其中被類比至數 位轉換且因此一訊框的數位資料係儲存在信號處理晶片B J田輸出汛框的資料時，由於足以從訊框記憶體讀出 四倍的貢料，且因此可使訊框率之速度提高。此外，雖然 在單70的四像素中出現極短週期的時間差，但從頻帶之 ^而σ 4間差可能不會出現在圖像中，因此可在圖像 101834.doc -33· 1278105 内建立同時性。信號處理晶片33藉由使用一訊框之此數位 資料實現照相機信號處理。 圖13係顯示信號處理晶片33之電路布局的示意圖。如圖 U中顯示，一在信號處理晶片33側的單元11〇包括微接點 3 5 ’其對應於金氧半導體型影像感測器晶片3 2侧上的一單 元54。一具有微接點38在其上排成陣列以供應驅動信號及 電源供應電壓到金氧半導體型影像感測器晶片32側的像素 驅動部分111，係設置在微接點3 5四周。由於使用上層之 Φ 線路设置微接點3 8已足夠，故可將由一電晶體及一下層之 線路形成的一電路定位在微接點38下。在此範例中，一在 k號處理晶片33側上之單元110的選擇電路113及感應放大 器114，係部分覆蓋在像素驅動部分lu上。一用於控制個 別。卩分之操作的控制電路115，及一用於參考訊框記憶體 的資料來實行信號處理之信號處理電路丨丨6，係設置在像 素驅動部分111的上及下方。在此範例中，從電路區域的 觀點，信號處理可藉由依序讀出信號處理晶片33側上之單 馨70 U0外部的資料而實現。若因為像素尺寸等等較大使得 信號處理電路116可嵌入單元11〇中，則信號處理電路116 可嵌入單元110中。 敢佳係金氧半導體型景〉像感測器晶片32應由舊式及較鬆 的過程（例如，0.25微米）製造，其中光二極體可由與藉著 一組敏感度及透鏡規格決定之特定像素尺寸相關之方式較 低廉及穩定地製造，且信號處理晶片33應由可縮小的微型 化過程（例如，0.06微米）製造。當過程規則係明顯不同 101834.doc -34- 1278105 時，其中在信號處理晶片33側上之每一單元的電路規模較 大的此具體實施例對於此情況係較有效率。 另一方面，當產生金氧半導體型影像感測器晶片32及信 號處理晶片33的過程彼此接近時，像素信號應該在影像感 測器晶片32側被A/D轉換係較有效率的。圖14係顯示依據 本發明之金氧半導體型影像感測器晶片及信號處理晶片間 的連接之另一範例的概念圖。如圖14中顯示，在金氧半導 體型影像感測器晶片32側上，例如二單元係連接到能依序 .選擇四個光二極體（光電轉換元件）PD1到PD4及PD5到PD8 的多工器121、122上，各四個光二極體PD1到PD4、PD5到 PD8係包括在一單元内。第一多工器121、122係分別連接 對應的A/D轉換電路123、124。此外，二a/D轉換電路 123、124係連接到第二多工器125。信號處理晶片33包括 一多工解訊器127(來自第二多工器125的輸出係透過微凸 塊126與其連接），連接到多工解訊12 7且與影像感測器 晶片32側上之光二極體PD[PD1到PD4，PD5到PD8]對應的 參 記憶體131到I38 ;及一計算電路I28。 如圖14中顯示’在感測器的光二極體係由影像感測器晶 片32側上的第一多工器121、122依序選擇後，像素信號係 由A/D轉換電路123、124加以A/D轉換，且因此已a/D轉換 的像素h號係由弟^一多工器12 5選擇’接著數位資料係供 應到h號處理晶片3 3側。數位資料係透過微凸塊12 6供廡 到"5虎處理晶片3 3側上之多工解訊器127，在甘中盆传由 多工解訊器127分配且供應到與像素對應的記憶體。 101834.doc -35- 1278105 “號處理晶片33的配置不限於上述配置，且其可經修改 使得多工解訊器127及記憶體131到138無須一直設置，而 數位資料可直接輸入到計异電路12 8。此外，半導體模組 無須明顯地分成圖14中顯示之影像感測器晶片32及信號處 理晶片33。例如，影像感測器晶片32及信號處理晶片33間 的介面，可藉由在圖12中顯示的比較器輸出處之微凸塊建 立。A/D轉換電路123、124可為其他系統，例如其等可藉 由例如在美國專利第5,801，657號中描述的方法形成。記憶 _ 體131到無須一直由DRAM形成。與先前技術範例2不 同的係，若在影像感測器晶片32之配置中，通過微凸塊 126的信號係轉換成一數位值（上述信號無須一直被完整地 A/D轉換）’則可建立高速介面及因此可防止圖像品質劣 化同樣的，因為可建立高速介面，若另一級的第二多工 裔125係如圖14中顯示設置在影像感測器晶片32側上，則 可增加每一微接點的像素數，微接點尺寸可增加，且微接 點所在處的密度可減少。 _ 本發明的具體實施例不限於上述範例且其可採取各種範 例。 例如’金氧半導體型影像感測器晶片32係不限於圖6中 、員示的配置且其可採用圖15中顯示的配置。即，如圖15 中顯不，像素控制電路141可設置在影像感測器晶片32側 上使得圖6中所示像素驅動部分5 5的微接點3 7可優先地 減少。 可用各型A/D轉換，例如計數光二極體達到某電位之時 101834.doc -36 - 1278105 間週期的方法（Dig· Tech. Papers，ISSCC，第 230 至 231 頁），以回應個別之目的。 雖然在圖7中放大電晶體64的源極直接連接到輸出線（或 輸出終端）72，但放大電晶體64的源極可例如透過一常開 狀態電晶體（或透過其他構件）間接地連接到輸出線（或輸出 終端）72。同樣地，雖然注入電晶體7〇的汲極係直接連接 到輸出線（或輸出終端）72，但注入電晶體7〇的源極可例如 透過一常開狀態電晶體（或透過其他構件）間接地連接到輸 • 出線（或輸出終端）72。同樣地，雖然如上述分別為放大電 晶體64的汲極直接連接啟動電晶體68的源極，且啟動電晶 體68直接連接電源供應線路65，但其等可例如透過一常開 狀悲電晶體（或透過其他構件）間接地連接。 雖然在圖9中放大電晶體64的源極係直接連接到輸出線 72，但放大電晶體64的源極可例如透過一常開狀態電晶體 (或透過其他構件）間接地連接到輸出線（或輸出終端）72。 同樣地，負載電晶體152的汲極和輸出線（或輸出終端），且 _放大電晶體64和電源供應線路65可分別直接連接，其等可 例如透過一常開狀態電晶體（或透過其他構件）間接地連 接。 雖然如圖7及9中顯示傳輸電晶體61的汲極係直接連接到 放大電晶體64的閘極，但本發明不受限於此，且傳輸電晶 體61的沒極可例如透過一常開狀態電晶體（或透過其他構 件）間接地連接到放大電晶體64的閑極。 依據上述具體實施例，由於金氧半導體型影像感測器^ 101834.doc -37- 1278105 及信號處理晶片33係藉由微凸塊36及39連接在一起，高速 介面變得可能。此外，亦可實現圖像内之同時性。再者， 由於半導體模組包括背部照明型金氧半導體型影像感測器 晶片，大量微凸塊36及39可形成在線路層上與光入射表面 相對之侧上（或者若金氧半導體型影像感測器晶片包括支 樓基板’則在支樓基板表面上）。 由於孟氧半V體型影像感測器晶片係形成為背部照明型 金氧半導體型影像感測器晶片，且影像感測器晶片32及信 鲁 號處理a曰片Μ係透過微凸塊3 6及3 9於線路側上連接在一 起’通孔形成過程與先前技術範例2不同，可能變得不需 要，且因此可減少過程的數目。結果，有利於製程且可改 進產出率。同樣的，因為可防止光敏區域由於電路及通孔 空間而減少，故可改進靈敏性且可防止與偏斜光相關的不 對稱。 依據圖7所示的單元配置，由於啟動電晶體“及注入電 晶體70係位於該單元中，且啟動電晶體“及注入電晶體几 _之操作使得其等不會同時被開啟，即使當所有像素或大量 像素係同時被驅動，且同時讀取像素信號，可防止大量電 流流動，且因此可改進如固態影像拾取裝置的可靠性。 在本發明中，包括圖7中所示上述單元54的金氧半導體 型固態影像拾取裝置可單獨地構成。在此情況下，可將本 發明應用於任何背部照明型金氧半導體型固態影像拾取裝 置及前方照明型金氧半導體型固態影像拾取裝置。此外^ 有關用於將該影像感測器晶片連接到信號處理晶片之方 101834.doc -38- Ϊ278105 測器晶片及信號處理晶片可藉由使用基於微凸 鬼或其他適合連接構件之任何連接加以連接。 ，上述金氧半導體型固態影像拾取裝置，所有像素或 畺像素係同時被驅動，且可同時續丨 、一 D貝出像素信號。此外， 曰广兀包括啟動電晶體及注入電晶體，且可防止二電 曰日體同時被開啟’因此可防止固定電流流動，當金氧半導 體型固態影像拾取裝置包括丨，刚，_量級的單元，且所有 像素^大量像素被同時驅動關時讀出像素信號時，可防 :大量電流流動且因此可增進金氧半導體型固態影像拾取 裝置之可靠性。 此外’由於供應到纽機構之重設脈衝與供應至注入電 晶：：第-注入脈衝重疊’且重設脈衝在第一注入脈衝落 下别洛下’可使在重設脈衝後隨即獲得的輸出線電位等於 揍地電位，且因此可防止輸出線電位波動。 再者，由於該單元包括傳輸電晶體，且供應至傳輸電晶 體之傳輸脈衝係在供應至注人電晶體之第二注人脈衝升起 前落下，故可降低電壓。即’當與其中傳輸脈衝與第二注 =脈衝重疊之情況相比，因為浮動擴散（fd)所以像素内電 容耦合之效應在傳輸時獲得的電位較高，故電壓可降低。 依據本發明的半導體模組之具體實施例，由於此半導體 模組包括-背部照明型金氧半導體型固態影像拾取裝置， 其中微接點係形成在每一單位像素單元或在複數個像素之 每：單元處的線路層側上；及一信號處理晶片，其中微接 點係形成在對應於金氧半導體型固態影像拾取裝置之微接 101834.doc -39- 1278105 點的位置之-線路層側上，其甲該金氧半導體型固態影像 拾取裝置與該信號處理晶片係藉由微凸塊連接，故影像處 理速度可增加且因此高速介面變得可能。@時，由於所有 像素或大量像素可同時被驅動，且可同時讀出像素信號， 故可獲得圖像中之同時性。因此，可獲得絕佳之圖像品 質。 由於該半導體模組使用該背部照明型金氧半導體型固態 影像拾取裝置，其巾該等微接點係形成在其與光人射表面 相對之表面處的線路層側上，大量微接點可在該表面上排 成陣列，不會影響該影像感測器感測器之孔徑比。 僅像素及線路可形成在金氧半導體型固態影像拾取裝置 側上，且所有除該等像素外之其他電路系統係形成在信號 處理晶片你i。以此配置，可減少金氧半導體型固態影像拾 取裝置及信號處理晶片二者的成本。 由於金氧半導體型固態影像拾取裝置係形成為一背部照 明型金氧半導體型固態影像拾取裝置，且該固態影像拾取 裝置與^諕處理晶片係透過微接點及微凸塊在線路層側連 接，故不需要先前技術之通孔形成過程及因此可降低過程 的數目。因此，可有利於製程且可增進產出率。結果，由 」光敏區域不會因預備通孔之空間而減少，故可增進金氧 、> ‘體5L 口態衫像拾取裝置之靈敏性，且因此可防止針對 偏斜光的不對稱。 諸如該等用作電源供應之所謂像素驅動微接點，一接地 及像素控制信號係形成在金氧半導體型固態影像拾取裝置 101834.doc -40- 1278105 與像素區域部分的周邊對應的區域處，且可將微接點透過 被凸塊連接到信號處理晶片側的微接點。因此，可減少已 連接部分間之電感及電容組件且可避免信號的干擾及延 遲。 由於僅透過信號處理晶片之普通接點建立外部介面，即 外部介面非自金氧半導體型固態影像拾取裝置側建立，故 可省略金氧半導體型固態影像拾取裝置侧上之光學無用區 域’且因此可避免由電路系統佔用之像素區域處的比例減 少。 由於金氧半V體型固悲影像拾取震置包括用於測試的普 通接點，金氧半導體型固態影像拾取裝置之特徵可在接合 到信號處理晶片前檢驗。 由於金氧半導體型固態影像拾取裝置具有之單元包括： -光電轉換元件；一放大電晶體，其包括閘極以接收來自 光包轉換7L件之信號電荷；-輸出線，其係直接或間接地 連接到放大電晶體之源極以連接至微接點；—負載電晶 體其及極係直接或間接地連接到輸出線；一線路，其係 連接到負載電晶體之源極以提供一第一電壓；一重設機 構〃係用於重设放大電晶體之閉極電位；及一線路，其 係直接或間接地連接到放大電晶體的汲極，以提供一第二 電壓’金氧半導體型固態影像拾取裝置及信號處理晶片可 透匕上述微凸塊連接，所有像素或大量像素可同時驅動， 且可同時讀出像素信號。 ;王氧半‘體型固態影像拾取裳置之單元包括一光電 101834.doc -41- 1278105 轉換元件；一放大電晶體，其包括閘極以接收來自光電轉 換70件之信號電荷；一輸出線，其係直接或間接地連接到 放大電晶體之源極；一注入電晶體，其汲極係直接或間接 地連接到輸出、線，·-料，其係連接到注人電晶體之源極 以提ί、第電壓，一重設機構，其係用於重設放大電晶 體之閘極電位；-啟動電晶體，其源極係直接或間接地連 接到放大電晶體的沒極；及一線路，其直接或間接地連接 到啟動電晶體的沒極，以提供一第二電壓，金氧半導體型 #固態影像拾取裝置及信號處理晶片可透過上述微凸塊連 接，故可同時驅動所有像素或大量像素，且可同時讀出像 素信號。此外，該單元包括啟動電晶體及注入電晶體，且 可防止啟動電晶體及注入電晶體二者同時被開啟，因此可 防止一固定電流流動且金氧半導體型固態影像拾取裝置包 括1，〇〇〇,〇〇〇量級的單元。因卜 早兀口此，當可同時驅動所有像素或 大篁像素且可同時讀出傻音栌走主 出像素L旎時，可防止大量電流流動 及因此可解決電流的問題。 •目為重設機構係被供應-重設脈衝，重 注入電晶體之第一注入脈蘅番@ n H應至 入脈衝重豐’且重設脈衝在第一注入 脈衝結束前先結束，可使在重 電位等於接地電位，且因_^2=獲传的輸出線 ^ ϋ J防止輸出線電位波動。 由於該單元包括傳輸電晶體，且 輸脈衝係在供應至注入電^雨％晶體之傳 束，故可降低M s 注入脈衝開始前結 田文TP牛低电昼〇即’與其中傳輪脈衝與第 重豐之情況相比，由於像素 / r 令柄口之有效性所以傳輪 101834.doc -42- 1278105 自斤動擴政（FD)獲得的電位較高，故電壓可降低。 因為金氧半導體型固態影像拾取裝置輸出一係經多工處 理的類比域之單元輸出’該類比信號係由信號處理晶片 數位化、多工解訊且儲存在記憶體中，故金氧半導體型固 悲 '影像拾取裝置可無須—信號處理電路，以處理在單元輸
出:=:類比信號後獲得的信號’且金氧半導體 影像拾取I置之製程巾的I 由於來自金氧半導體型㈣影像拾取裝 轉:成r立信號’且此該數位信號被多工解訊且館= 號處理晶片側上之#橋轉由 _ 可集中複數個像素成為-單 兀且對應於該等像素之數位信號可依複數個單元之單位华 中’且可透過一微接點輸出到信號處理晶片側。因此，； =每-微接點的像素數、微接點尺寸可增加且密度亦可 -般而言’其中像㈣徵難以變得均句之金氧半 固態影像拾取裝置與信號處理晶片相比，其在產出率方面 係較低的。依據本發明的具體實施例，由於金 固態影像拾取裝置側不包括一控制電路(即其且有一盆 除像素外之其他電路可盡可能地減少的配置厂故益用 ^可減少’且包括金氧半導體型固態影像拾取裝置幻^ 處理晶片之系統的成本可降低。 及&说 依據本發明的金氧半導體型固態影像拾取裝 施例，由於金氧半導體型固態影像拾取單^ 素單元或一具有複數個像素之軍元：包括-先電轉早:： 101834.doc -43- 1278105 件；一放大電晶體，其包括閘極以接收來自光電轉換元件 之^號電荷，一輸出線，其係直接或間接地連接到放大電 晶體之源極；一注入電晶體，其汲極係直接或間接地連接 到該輸出線；一線路，其係連接到注入電晶體之源極以提 供一第一電壓，一重設機構，其係用於重設放大電晶體的 閘極電位；一啟動電晶體，其源極係直接或間接地連接到 放大電晶體的汲極；及一線路，其直接或間接地連接到啟 動電晶體的汲極，以提供一第二電壓，故可同時驅動所有 像素或大量像素且可同時讀出像素信號。此外，該單元包 括啟動電aB體及注入電晶體，且可防止啟動電晶體及注入 電晶體二者同時被開啟，因此可防止一固定電流流動且金 氧半導體型固態影像拾取裝置包括量級的單元。 因此，當可同時驅動所有像素或大量像素且可同時讀出像 素信號時，可防止大量電流流動及因此解決電流的問題。
在上述金氧半導體型固態影像拾取裝置中，由於重設機 構係係被供應-重設脈衝，重設脈衝係與供應至注入電晶 =之第-注人脈衝重疊的，且該重設脈衝在第—注入脈衝 結束前結束，故可使在重設脈衝後隨即獲得的輸出線電位 等於接地電位，且因此可防止輸出線電位波動。 在上述金氧半導體型固態影像拾取裝置中，由於該單 包括傳輸電晶體，且供應至傳輸電晶體之傳輸脈衝係在/ 應至注入電晶體之第二注入脈衝開始前結束，故可降低, 壓。即，與其中傳輸脈衝與第二注入脈衝重疊之情心 比由於壤素内I容搞合之▲笔輪祕輸^ ^ 101834.doc -44- 1278105 (FD)時獲得的電位較高，故電壓可降低。 熟習本技術人士應瞭解，在隨附申請專利範圍或是其等 效範圍内’可依據設計要求以及其他因素來進行各種修 改、組合、子組合、以及變更。 【圖式簡單說明】 圖1係依據先前技術之金氧半導體型固態影像感測器的 範例之示意圖； 圖2係顯示在圖i所示金氧半導體型影像感測器中之像素 電路的範例之電路圖； 圖3A係顯示依據本發明一具體實施例的半導體模組之側 視圖； 圖3B係顯示依據本發明之具體實施例的半導體模組之平 面圖； 圖係依據本發明一具體實施例之視頻照相機的配置之 斷面圖； 圖5係顯示背部照明型金氧半導體型固態影像拾取裝置 的配置之示意圖； 圖6係顯示依據本發明—具體實施例之金 型 像感測器晶片的示意圖； “ 圖7係依據本發明^一且㈣A 乂丨.^ 、_日ΰ μ 具耝只轭例之金氧半導體型影像感 a曰片# —單元之配置之範例的電路圖； 圖8係圖7所示單元配置之驅動時序圖丨 圖9係顯示依輔►夫义 g 康本^明一具體實施例之金氧半 像感測器晶片的抑-^ ^ 孔千％體型衫 曰曰片的一早疋之配置的另一範例之電路圖·， 101834.doc -45- 1278105 圖10係顯示依據本發明一具體實施例之微接點的布局之 範例之概念圖； 圖11係顯不依據本發明一具體實施例之金氧半導體型影 像感測器晶片及信號處理晶片間互連的範例之概念圖； 圖丨2係顯示在依據本發明一具體實施例之信號處理晶片 側上之相關雙重取樣（CDS)/類比至數位（A/D)電路的範例 之電路圖； 圖13係顯不依據本發明一具體實施例之信號處理晶片側 的範例之概念圖； 圖丨4係顯示依據本發明一具體實施例之金氧半導體型影 像感測器晶片及信號處理晶片間之互連的另一範例之概念 圖；及 〜 圖15係顯示依據本發明另一具體實施例之金氧半導體型 影像感測器晶片的示意圖。 【主要元件符號說明】 1 金氧半導體影像感測器晶片/金氧半導體影像威 測器 2 像素部分 3 像素 4 行部分 5 水平信號線 6 輸出電路 7 垂直驅動電路 8 水平驅動電路 101834.doc -46- 1278105
9 10 12 13 14 15 16 17 18 19 21 22 23 31 32 # 33 34 35 36 37 38 39 41 控制電路 行信號處理電路 傳輸電晶體 重設電晶體 放大電晶體 電源供應線路 傳輸線路 重設線路 選擇電晶體 選擇線路 垂直信號線 負載電晶體 負載線路 半導體模組 金氧半導體型固態影像拾取裝置/金氧半導體型 影像感測器晶片 信號處理晶片 微接點 微接點 微凸塊 微接點 微接點 微凸塊 半導體基板 101834.doc -47- 1278105 41a 前表面 41b 背部表面 42 層間絕緣體 43 多層線路 44 線路層 45 鈍化膜 46 遽色器 47 微透鏡 51 普通接點 52 密封部件 53 像素部分 54 XJX2 —· 早兀 55 像素驅動單元 56 測試接點 57 普通接點 61 傳輸電晶體 62 傳輸線路 63 重設電晶體 64 放大電晶體 65 電源線路/電源供應線路 67 重設線路 68 啟動電晶體 69 啟動線路 70 注入電晶體 101834.doc -48- 1278105 71 接地線路 72 輸出線/輸出終端 73 注入線路 75 微接點 76 緩衝器 77 微接點 78 微接點 81 類比多工器 82 A/D轉換電路 83 多工解訊器 84 訊框記憶體 85 計算電路 91 反相器 92 取樣及保持線路 93 斜坡線路 94 DRAM單元群組 95 DRAM(單元） 97 輸出線 110 XJX7 一 早7L 111 像素驅動部分 113 選擇電路 114 感應放大器 115 控制電路 116 信號處理電路 101834.doc -49- 1278105 121 第一多工器/傳輸電晶體 122 第一多工器/傳輸電晶體 123 A/D轉換電路/傳輸電晶體 124 A/D轉換電路/傳輸電晶體 125 第二多工器 126 微凸塊 127 多工解訊器 128 計算電路
131 記憶體 132 記憶體 133 記憶體 134 記憶體 135 記憶體 136 記憶體 137 記憶體 138 記憶體 141 像素控制電路 151 單元 152 負載電晶體 153 負載線路 161 傳輸線路 162 傳輸線路 163 傳輸線路 164 傳輸線路 101834.doc -50- 1278105 201 固態影像拾取裝置 202 光學系統 203 快門裝置 204 驅動電路 205 信號處理電路 611 傳輸電晶體 612 傳輸電晶體 613 傳輸電晶體
614 傳輸電晶體 621 傳輸線路 622 傳輸線路 623 傳輸線路 624 傳輸線路 841 訊框記憶體 842 訊框記憶體 843 訊框記憶體 844 訊框記憶體 940 DRAM單元群組 941 DRAM單元群組 942 DRAM單元群組 943 DRAM單元群組 PD 光二極體/光電轉換元件 PD1 光二極體/光電轉換元件 PD2 光二極體/光電轉換元件 101834.doc -51 - 1278105 PD3 PD4 PD5 PD6 PD7 PD8 光二極體/光電轉換元件 光二極體/光電轉換元件 光二極體/光電轉換元件 光二極體/光電轉換元件 光二極體/光電轉換元件 光二極體/光電轉換元件
101834.doc -52-

Claims (1)

1278105 十、申請專利範圍： 1 · 一種半導體模組，其包含： 一背部照明型MOS(金氧半導體）型固態影像拾取f 置’其中微接點係以每一單位像素單元或以複數個像素 之每一單元形成在一線路層側上；及 一信號處理晶片，其中微接點係形成在對應於該金氧 半導體型固態影像拾取裝置之該等微接點之位置處的— 線路層側上， I 其中該金氧半導體型固態影像拾取裝置與該信號處理 晶片係藉由微凸塊連接。 2·如請求項1之半導體模組， 其中像素驅動微接點係形成在與該金氧半導體型固態 影像拾取裝置之像素區域部分之周邊對應的一區域上，及 。亥等像素驅動微接點係透過該等微凸塊連接到該信號 處理晶片側上之該等微接點。 3·如請求項2之半導體模組， _ '、中"亥半^體梹組具有-外部介面，其係透過該信號 處理晶片的普通接點建立。 4·如請求項3之半導體模組， -中亥至氧半^體型固態影像拾取裝置包括普通測試 5. 如請求項2之半導體模組， 影像拾取裝置具有一單元 其中該金氧半導體型固態 其包括： 101834.doc 1278105 一光電轉換元件； 一放大電晶體，其包括閘極以接收來自該光電轉換 元件之信號電荷； 一輸出線，其係直接或間接地連接到該放大電晶體 之源極'以連接至該等微接點； 一負載電晶體，其汲極係直接或間接地連接到該輸 出線； 一線路’其係連接到該負載電晶體之源極以提供一 第一電壓； 一重設機構，其係用於重設該放大電晶體之一閘極 電位；及 一線路’其係直接或間接地連接到該放大電晶體的 汲極，以提供一第二電壓。 6·如請求項1之半導體模組， 其中該金氧半導體型固態影像拾取裝置具有一單元， 其包括： 一光電轉換元件； 一放大電晶體，其包括閘極以接收來自該光電轉換 元件之信號電荷； 一輸出線’其係直接或間接地連接到該放大電晶體 之源極； 一注入電晶體，其汲極係直接或間接地連接到該輸 出線； 線路’其係連接到該注入電晶體之源極，以提4丘 101834.doc 1278105 一第一電壓； 一重設機構，其係用於重設該放大電晶體的一閘極 電位； 一啟動電晶體，其源極係直接或間接地連接到該放 大電晶體的没極；及 一線路，其係直接或間接地連接到該啟動電晶體的 汲極，以提供一第二電壓。 7·如請求項6之半導體模組， 其中該重設機構係被供應一重設脈衝，該重設脈衝與 一供應到該注入電晶體之第一注入脈衝重疊，且該重設 脈衝係在該第一注入脈衝結束前結束。 8·如請求項6之半導體模組， 其中该單元進一步包括一傳輸電晶體，其源極係連接 到該光電轉換元件，且其汲極係直接或間接地連接到該 放大電晶體的閘極，且 七、應至该傳輸電晶體之傳輸脈衝係在一供應至該注 入電晶體的第二注入脈衝開始前結束。 9. 如請求項1之半導體模組， ^其中該金氧半導體型固態影像拾取裝置輸出一係一經 多工處理之類比信號的單元輸出，且 頒比4唬被多工處理且在由該信號處理晶片數位化 後儲存在一記憶體中。 10. 如請求項1之半導體模組， 其中該金氧半導體型固態影像拾取裝置輸出一係一數 101834.doc 1278105 ，且 工解訊且藉由該信號處理晶片儲存在 U.如請求項10之半導體模組， 翻t中！單元輸出係一輸出，該輸出係在該像素信號經 =比至數位轉換後從進—步多卫處理—像素信號所產 生0 12·如請求項2之半導體模組，
位信號之單元輸出 該數位信號被多 一記憶體中。 其中該金氧半導體型固態影像拾取裝置不包括一控制 電路。 13· —種金氧半導體型固態影像拾取裝置，其包含： 一單位像素單元或一具有複數個像素之單元，其包 括· 一光電轉換元件； 一放大電晶體，其包括閘極以接收來自該光電轉換 元件之信號電荷； 一輸出線’其係直接或間接地連接到該放大電晶體 之源極； 一注入電晶體，其汲極係直接或間接地連接到該輸 出線； 一線路，其係連接到該注入電晶體之源極，以提供 一第一電壓； 一重設機構，其係用於重設該放大電晶體的一閘極 電位； 101834.doc 1278105 一啟動電晶體，其源極係直接或間接地連接到該放 大電晶體的沒極；及 一線路，其係直接或間接地連接到該啟動電晶體的 汲極，以提供一第二電壓。 14·如請求項13之金氧半導體型固態影像拾取裝置， 其中供應至該重設機構之重設脈衝與一供應至該注入 電晶體之第一注入脈衝重疊，該重設脈衝係在該第一注 入脈衝結束前結束。 φ 15·如請求項13之金氧半導體型固態影像拾取裝置， 其中該單元進一步包括一傳輸電晶體，其源極係連接 到該光電轉換元件，且其汲極係直接或間接地連接到一 放大電晶體的閘極，且 供應至β傳輸電晶體之傳輸脈衝係在一供應至該注 入電晶體之第二注入脈衝開始前結束。 16 · —種照相機，其包含： 一半導體模組，其中一背部照明型MQS(金氧半導體） 參 型固態影像拾取裝置其中之微接點以每一單位像素單元 或以複數個像素之每一單元形成在一線路層側上；及 一信號處理晶片，其中微接點係形成在對應於該金氧 半導體型固態影像拾取裝置之該等微接點的位置處之一 線路層側上， 其中該金氧半導體型固態影像拾取裝置與該信號處理 晶片係藉由微凸塊連接。 17·如請求項16之照相機， 101834.doc 1278105 其中像素驅動微接點係形成在一與該金氧半導體型固 態影像拾取裝置之像素區域部分之周邊對應的區域上， 且 該等像素驅動微接點係透過該等微凸塊連接到該信號 處理晶片側之該等微接點。 18. ' · 19.
如請求項17之照相機， 其中忒半導體模組具有一外部介面，其係透過該信號 處理晶片的普通接點建立。 如請求項17之照相機， 其中該金氧半導體型固態影像拾取裝置具有一單元， 其包括： 一光電轉換元件； 一放大電晶體，其包括閘極以接收來自該光電轉換 元件之信號電荷； 一輸出線’其係直接或間接地連接到該放大電晶體 之源極，以連接至該等微接點； 一負載電晶體，其汲極係直接或間接地連接到該輸 出線； 一線路，其係連接到該負載電晶體之源極，以提供 一第一電壓； 一重設機構，其係用於重設該放大電晶體的一閘極 電位；及 一線路，其係直接或間接地連接到該放大電晶體的 汲極，以提供一第二電壓。 101834.doc 1278105
一線路層侧上以每一 ，其包含以下步驟： 半導體型固態影像拾取震置中 單位像素單元或以複數個像素 每一單元形成微接點；及 一 透過k凸塊連接該背部照明金氧半導體型固態影像拾 取裝置及一信號處理晶片，該信號處理晶片具有的微接 點形成在對應於該金氧半導體型固態影像拾取裝置之該 等微接點的該等位置處的一線路層側上。 101834.doc
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