JP6099373B2 - 固体撮像装置および電子カメラ - Google Patents
固体撮像装置および電子カメラ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6099373B2 JP6099373B2 JP2012260966A JP2012260966A JP6099373B2 JP 6099373 B2 JP6099373 B2 JP 6099373B2 JP 2012260966 A JP2012260966 A JP 2012260966A JP 2012260966 A JP2012260966 A JP 2012260966A JP 6099373 B2 JP6099373 B2 JP 6099373B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unit
- signal
- photoelectric conversion
- substrate
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 85
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 105
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 86
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 68
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 42
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 40
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 40
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 40
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 11
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/60—Control of cameras or camera modules
- H04N23/67—Focus control based on electronic image sensor signals
- H04N23/672—Focus control based on electronic image sensor signals based on the phase difference signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
まず、本発明の第1の実施形態を説明する。図1は、本実施形態による電子カメラ301の構成を示している。この電子カメラ301は、撮影レンズ302、レンズ制御部302a、固体撮像装置303、撮像制御部304、信号処理部305、A/D変換部306、メモリ307、マイクロプロセッサ309、操作部309a、焦点検出部310、記録部311、記録媒体311a、画像圧縮部312、および画像処理部313を有する。
まず、垂直駆動回路33Aからリセットトランジスタ3に供給されるリセットパルスが“L”(Low)レベルから“H”(High)レベルに変化することで、リセットトランジスタ3がオンとなる。同時に、垂直駆動回路33Aから転送トランジスタ2Aに供給される転送パルスが“L”レベルから“H”レベルに変化することで、転送トランジスタ2Aがオンとなる。これによって、光電変換素子1Aがリセットされる。
続いて、垂直駆動回路33Bからリセットトランジスタ23Aに供給されるリセットパルスが“L”レベルから“H”レベルに変化することで、リセットトランジスタ23Aがオンとなる。これによって、アナログメモリ24Aがリセットされる。同時に、垂直駆動回路33Bからサンプルトランジスタ22Aに供給されるサンプルパルスが“L”レベルから“H”レベルに変化することで、サンプルトランジスタ22Aがオンとなる。これによって、クランプ容量21の他端の電位が電源電圧にリセットされると共に、サンプルトランジスタ22Aがクランプ容量21の他端の電位のサンプルホールドを開始する。
まず、垂直駆動回路33Aから転送トランジスタ2Aに供給される転送パルスが“L”レベルから“H”レベルに変化することで、転送トランジスタ2Aがオンとなる。これによって、光電変換素子1Aに蓄積されている信号電荷が、転送トランジスタ2Aを介して電荷保持部FDに転送され、電荷保持部FDに蓄積される。これによって、光電変換素子1Aの露光(信号電荷の蓄積)が終了する。期間T1における光電変換素子1Aの露光開始から期間T3における光電変換素子1Aの露光終了までの期間が露光期間(信号蓄積期間)である。続いて、垂直駆動回路33Aから転送トランジスタ2Aに供給される転送パルスが“H”レベルから“L”レベルに変化することで、転送トランジスタ2Aがオフとなる。
上述した期間T2,T3の動作は、光電変換素子1Aを含む単位画素37およびアナログメモリ24Aを含む単位記憶部39の動作である。期間T4では、光電変換素子1Bを含む単位画素37およびアナログメモリ24Bを含む単位記憶部39について、期間T2,T3の動作と同様の動作が行われる。なお、図8では、図面のスペースの制約から、各光電変換素子の露光期間の長さが異なっているが、各光電変換素子の露光期間の長さを同一とすることがより望ましい。
Vmem=VDD+ΔVmem=VDD+α1×α2×ΔVfd ・・・(1)
α2=CL/(CL+CSH) ・・・(2)
期間T5では、垂直駆動回路33Bから平均化トランジスタ28Aに供給されるサンプルパルスが“L”レベルから“H”レベルに変化することで、平均化トランジスタ28Aがオンとなる。これによって、アナログメモリ24Aの一端とアナログメモリ24Bの一端の電位が同一となり、各アナログメモリに蓄積されている信号電荷が平均化される。この動作は、垂直駆動回路33Bから平均化トランジスタ28Aに供給されるサンプルパルスが“H”レベルから“L”レベルに変化することで終了する。
期間T6では、アナログメモリ24Aに蓄積されている信号電荷に基づく信号が読み出される。ただし、アナログメモリ24Bについては信号の読み出しは行われない。垂直駆動回路33Bから選択トランジスタ26Aに供給される選択パルスが“L”レベルから“H”レベルに変化することで、選択トランジスタ26Aがオンとなる。これによって、(1)式に示した電位Vmemに基づく信号が選択トランジスタ26Aを介して垂直信号線10Bへ出力される。
次に、本発明の第2の実施形態を説明する。図11は、本実施形態の単位画素セル31と単位画素37との対応関係、および単位記憶セル38と単位記憶部39との対応関係を示している。図11に示すように、本実施形態の単位画素セル31は、4つの単位画素37を有し、単位記憶セル38も4つの単位記憶部39を有する。この構成により、4つの単位記憶部39のそれぞれに蓄積された信号を読み出して焦点検出信号を得ることができるとともに、4つの単位記憶部39のそれぞれに蓄積された信号を平均化して撮像信号を得ることができる。
Claims (3)
- 第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板および前記第2の基板を接続する接続部と、を有し、
前記第1の基板は、
第1の光電変換部と、
第2の光電変換部と、
前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部のそれぞれの信号電荷を前記接続部に転送する転送部と、
前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部に光を入射させるマイクロレンズと、
を有し、
前記第2の基板は、
前記第1の光電変換部のそれぞれに対応して設けられ、前記第1の光電変換部から前記接続部に転送された信号電荷を個別に保持する第1のメモリ部と、
前記第2の光電変換部のそれぞれに対応して設けられ、前記第2の光電変換部から前記接続部に転送された信号電荷を個別に保持する第2のメモリ部と、
前記第1のメモリ部に保持された信号電荷と前記第2のメモリ部に保持された信号電荷とを平均化する平均化部と、
を有し、
前記第1の基板および前記第2の基板の一方もしくは両方は、前記第1のメモリ部および前記第2のメモリ部のそれぞれに保持された信号電荷に基づく焦点検出信号を別々に読み出す第1のモードと、前記平均化部によって平均化された信号電荷に基づく撮像信号を読み出す第2のモードとの制御を行う制御部を有する
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 行列状に配置された複数の単位画素を有し、
それぞれの単位画素に対応して前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部が配置され、
前記第1のモードは、
前記複数の単位画素で同時に、前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部の一方から信号電荷を前記接続部に転送して前記第1のメモリ部に保持するステップと、
前記複数の単位画素で同時に、前記第1の光電変換部および前記第2の光電変換部の他方から信号電荷を前記接続部に転送して前記第2のメモリ部に保持するステップと、
同一の垂直位置の単位画素において、前記第1のメモリ部に保持された信号電荷に基づく焦点検出信号と、前記第2のメモリ部に保持された信号電荷に基づく焦点検出信号とを順次読み出すステップと、
を有することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 請求項1に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される前記焦点検出信号に基づく瞳分割像のズレを検出して焦点検出を行う焦点検出部と、
前記固体撮像装置から出力される前記撮像信号を処理する画像処理部と、
を有することを特徴とする電子カメラ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012260966A JP6099373B2 (ja) | 2012-11-29 | 2012-11-29 | 固体撮像装置および電子カメラ |
US14/080,270 US9313433B2 (en) | 2012-11-29 | 2013-11-14 | Solid-state imaging device and electronic camera |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012260966A JP6099373B2 (ja) | 2012-11-29 | 2012-11-29 | 固体撮像装置および電子カメラ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014107797A JP2014107797A (ja) | 2014-06-09 |
JP6099373B2 true JP6099373B2 (ja) | 2017-03-22 |
Family
ID=50772962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012260966A Expired - Fee Related JP6099373B2 (ja) | 2012-11-29 | 2012-11-29 | 固体撮像装置および電子カメラ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9313433B2 (ja) |
JP (1) | JP6099373B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015228466A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP6682175B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2020-04-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
KR102545592B1 (ko) * | 2014-09-02 | 2023-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 및 전자 기기 |
WO2016067386A1 (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-06 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP6406977B2 (ja) * | 2014-11-04 | 2018-10-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム |
JP6218799B2 (ja) | 2015-01-05 | 2017-10-25 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
US10070088B2 (en) * | 2015-01-05 | 2018-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor and image capturing apparatus for simultaneously performing focus detection and image generation |
EP3288081B1 (en) * | 2015-04-24 | 2022-07-27 | Sony Group Corporation | Solid state image sensor and electronic device comprising the same |
JP6762710B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2020-09-30 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
JPWO2017195613A1 (ja) * | 2016-05-11 | 2019-03-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および電子機器 |
CN109691086B (zh) * | 2016-08-24 | 2021-10-22 | 国立大学法人静冈大学 | 光电转换元件 |
KR20180077393A (ko) | 2016-12-28 | 2018-07-09 | 삼성전자주식회사 | 광센서 |
JP7263080B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-04-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び信号処理装置 |
JP7071416B2 (ja) * | 2020-01-29 | 2022-05-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002250860A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Canon Inc | 撮像素子、撮像装置及び情報処理装置 |
JP4027113B2 (ja) | 2002-02-19 | 2007-12-26 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びシステム |
US7382407B2 (en) * | 2002-08-29 | 2008-06-03 | Micron Technology, Inc. | High intrascene dynamic range NTSC and PAL imager |
JP4403687B2 (ja) | 2002-09-18 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動制御方法 |
JP4349232B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2009-10-21 | ソニー株式会社 | 半導体モジュール及びmos型固体撮像装置 |
JP2007228460A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Mitsumasa Koyanagi | 集積センサを搭載した積層型半導体装置 |
JP4710660B2 (ja) | 2006-03-10 | 2011-06-29 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子及びこれを用いた電子カメラ |
JP6149369B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2017-06-21 | 株式会社ニコン | 撮像素子 |
-
2012
- 2012-11-29 JP JP2012260966A patent/JP6099373B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-14 US US14/080,270 patent/US9313433B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140146208A1 (en) | 2014-05-29 |
US9313433B2 (en) | 2016-04-12 |
JP2014107797A (ja) | 2014-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6099373B2 (ja) | 固体撮像装置および電子カメラ | |
JP6045156B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP6042636B2 (ja) | 固体撮像素子および固体撮像装置 | |
JP6176990B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
KR20230093080A (ko) | 촬상 소자, 촬상 방법, 및 전자 기기 | |
TW201537983A (zh) | 固態成像器件及其驅動方法,以及電子裝置 | |
WO2007142171A1 (ja) | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 | |
JP2013090127A (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
KR20180052700A (ko) | 촬상 소자 및 촬상 장치 | |
US20130141620A1 (en) | Solid-state image pickup device, image pickup device, and signal reading method | |
JP5791982B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 | |
JP6083977B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
US9036066B2 (en) | Solid-state image pickup device, method of controlling solid-state image pickup device, and image pickup device | |
JP2023181484A (ja) | 撮像素子 | |
JP5839872B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 | |
JP2012165070A (ja) | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 | |
JP7040509B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP6825675B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP5893372B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 | |
JP6053321B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2013168720A (ja) | 固体撮像装置および撮像装置 | |
JP6128776B2 (ja) | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 | |
JP2018198441A (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
JP7497742B2 (ja) | 撮像素子、及び撮像装置 | |
JP7247975B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150828 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160809 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20161202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170221 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6099373 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |