TWI225897B - Method for forming thin film, article having thin film, optical film, dielectric coated electrode, and plasma discharge processor - Google Patents

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1225897 A7 ___B7 五、發明説明（1) 技術領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關能形成高機能之各種薄膜的薄膜形成方 法’具有該薄膜之物品，以該薄膜爲防反射膜之光學薄膜 ’適用於形成該薄膜之介電體被覆電極及具有該電極之電 漿放電處理裝置，更詳細地說係有關大氣壓或接近大氣壓 之壓力下，使反應性氣體成爲電漿狀態後，因基材曝置於 電漿狀態之反應性氣體中，而於基材上形成薄膜之薄膜形 成方法，具有該薄膜之物品，光學薄膜，介電體被覆電極 及電漿放電處理裝置。 背景技術 目前L S I 、半導體、顯示裝置、磁性記錄裝置、光 電變換裝置、約瑟芬遜（Jose phson)裝置、太陽電池、光 熱變換裝置等各種製品，使用多數基材上設有高機能性薄 膜之材料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該高機能性薄膜如，電極膜、介電體保護膜、半導體 膜、透明導電膜、電鉻膜、螢光膜、超傳導膜、介電體膜 、太陽電池膜、防反射膜、耐磨耗性膜、光學干擾膜、反 射膜、防靜電膜、導電膜、防污膜、硬被膜、襯膜、防護 膜、電磁波遮蔽膜、紅外線遮蔽膜、紫外線吸收膜、潤滑 膜、形狀記憶膜、磁性記錄膜、發光元件膜、生體適用膜 、耐蝕性膜、觸媒膜、氣體感應膜、裝飾膜等。 目前該高機能性薄膜之形成方法如，以塗布爲代表之 濕式製膜法，或濺射法、真空鍍著法、離子電鍍法等使用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A 7 B7 五、發明説明（> 真空之乾式製膜法。 就提高生產性雖以塗布爲佳，但，需將構成薄膜之材 料溶解或分散於溶劑中，以形成塗布液，因此會有溶劑殘 存於薄膜中及難保護膜厚均勻性等，對形成高機能薄膜不 利之問題。又，塗布後之乾燥過程中會有，由塗布液蒸發 之有機溶劑等溶劑造成環境負擔之問題。 另一方面，使用真空之乾式製膜法能形成高精度之薄 膜，因此爲形成高機能性薄膜之較佳方法。但，乾式製膜 法所使用之真空裝置會因被處理基材過大，而使裝置極大 型化及增加成本，又，龐大的真空排氣需消耗時間，因此 會有無法提升生產性之缺點。 克服塗布時難製得高機能薄膜及，使用真空裝置時低 生產性之缺點的方法如，特開平1 1 一 1 3 3 2 0 5號、 特開平2 0 0 0 — 1 8 5 3 6 2號、特開平 11 — 614406 號、特開 2000 — 147209 號 、特開2 0 0 0 - 1 8 5 3 6 2號等所記載之大氣壓或接 近大氣壓之壓力下進行放電，而使反應性氣體產生電漿激 發’而於基材上形成薄膜之方法（以下亦稱爲大氣壓電漿 法）。該公報所揭示之大氣壓電漿法爲，對對向電極間施 加脈衝化之周波數0 . 5至1 〇 〇 k Η z且電場強度1至 1 0 〇V/cm之電場，以產生放電電漿。 使用該大氣壓電漿法雖能對微小面積形成薄膜，但， 難對大面積進行均勻製膜。又，對高機能性薄膜所要求之 性能尙不足。因此，需求解決上述各種薄膜形成時之問題 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ' ' -5- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1225897 A7 _ B7_ 五、發明説明（j 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 有鑑於此，本發明之目的爲，提供一種對大面積能以 高生產性且高機能性形成均勻之高機能性薄膜的薄膜形成 方法，具有該薄膜之物品、光學薄膜及達成此目的用之介 電體被覆電極、電漿放電處理裝置。 發明揭示 本發明之目的係由下列各種構造及方法而完成。 (1 ) 一種薄膜形成方法，其特徵爲，大氣壓或接近 大氣壓之壓力下，利用超過1 0 0 kH Z之高周波電壓供 給1 W/ c m 2以上之電力，使對向之電極間放電，而使反 應性氣體成爲電漿狀態後，因基材曝置於電漿狀態之反應 性氣體中，而於基材上形成薄膜。 (2 )如（1 )所記載之薄膜形成方法，其中，供給 電極之合計電力超過1 5 k W。 (3 )如（1 )或（2 )所記載之薄膜形成方法，其 中，高周波電壓爲連續性正弦波。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (4 )如（1 )至（3 )中任何一項所記載之薄膜形 成方法，其中，基材之薄膜形成面係以，與電極中至少單 側相對方式移動，而於基材上形成薄膜。 (5 )如（1 )至（4 )中任何一項所記載之薄膜形 成方法，其中，將基材置於電極間，且將反應性氣體導入 電極間，而於基材上形成薄膜。 (6 )如（4 )或（5 )所記載之薄膜形成方法，其 本紙張尺度適财關家鮮（CNS)A4規格（210x297公釐)" -6- 1225897 A7 B7 五、發明説明（> 中，與電極放電面之移動方向直交的寬方向長度爲’與基 材上薄膜形成領域之寬方向長度相同或以上。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) (7 )如（6 )所記載之薄膜形成方法，其中，對電 極放電面之寬方向長度的移動方向長度爲1 0分之1以上 〇 (8 )如（7 )所記載之薄膜形成方法，其中，電極 放電面積爲1 0 0 0 cm2以上。 (9 )如（1 )至（8 )中任何一項所記載之薄膜形 成方法，其中，電極中至少單側之放電面爲，被覆介電體 之介電體被覆電極。 (1 0 )如（9 )所記載之薄膜形成方法，其中，介 電體爲，將陶瓷溶射後以無機化合物進行封孔處理之物。 (1 1 )如（1 0 )所記載之薄膜形成方法，其中， 陶瓷爲氧化鋁。 (1 2 )如（1 0 )或（1 1 )所記載之薄膜形成方 法’其中，封孔處理用無機化合物爲，利用溶膠凝膠反應 硬化而成之物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (1 3 )如（1 2 )所記載之薄膜形成方法，其中， 溶膠凝膠反應係利用能量處理以促進反應。 (1 4 )如（1 3 )所記載之薄膜形成方法，其中， 能量處理爲2 0 0 °C以下之熱處理或U V照射。 (1 5 )如（1 2 )至（1 4 )中任何一項所記載之 薄膜形成方法，其中，封孔處理用無機化合物於溶膠凝膠 反應後含有6 0莫耳％以上之S i〇x。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225897 A7 B7 五、發明説明（g (1 6 )如（9 )至（1 5 )中任何一項所記載之薄 膜形成方法，其中，介電體之空隙率爲1 〇體積％以下。 (1 7 )如（1 6 )所記載之薄膜形成方法，其中， 介電體之空隙率爲8體積％以下。 (1 8 )如（9 )至（1 7 )中任何一項之薄膜形成 力法’其中，介電體被覆電極之耐熱溫度爲1 〇 〇 t以上 〇 (1 9 )如（9 )至（1 8 )中任何一項所記載之薄 膜形成方法，其中，介電體被覆電極的導電性母材與介電 體之線熱膨脹係數差爲1 〇 X 1 0 — 6 / °C以下。 (2 0 )如（9 )至（1 9 )中任何一項所記載之薄 膜形成方法，其中，介電體之電容率爲6至4 5。 (2 1 )如（1 )至（2 0 )中任何一項所記載之薄 膜形成方法，其中，電極中至少一方具有冷却設備，又該 冷却設備電極中導電性母體內部具有冷却水通路，將冷却 水流經該通路而冷却所構成。 (2 2 )如（1 )至（2 1 )中任何一項所記載之薄 膜形成方法，其中，基材爲連續成型膜，又，對向電極中 至少單側爲，接觸連續成型膜，且朝連續成型膜運送方向 回轉之滾軸電極，另外，與滾軸電極對向之電極爲複數電 極群。 (2 3 )如（2 2 )所記載之薄膜形成方法，其中， 電極群各自爲角柱型電極。 (2 4 )如（2 2 )或（2 3 )所記載之薄膜形成方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8- 1225897 A7 _ B7_ 五、發明説明（《 法，其中，對滾軸電極的基材接觸面進行表面硏磨處理。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) (2 5 )如（2 4 )所記載之薄膜形成方法，其中， 滾軸電極的基材接觸面之表面粗糙度R m a X至少爲1 0 // m以下。 (2 6 )如（2 2 )至（2 5 )中任何一項所記載之 薄膜形成方法，其中，伴隨連續成型膜而混入電極間之空 氣係低於1體積％。 . (2 7 )如（2 2 )至（2 6 )中任何一項所記載之 薄膜形成方法，其中，對一個滾軸電極及電極群至少接連 一個電源，使該電源所能供給之合計電力爲1 5 k W以上 〇 (2 8 )如（1 )至（2 7 )中任何一項所記載之薄 0莫形成方法，其中，將含有反應性氣體及不活性氣體之混 合氣體導入電極間，且混合氣體中不活性氣體含量爲 99.9至90體積％。 (2 9 )如（2 8 )所記載之薄膜形成方法，其中， 混合氣體含有氬氣9 〇體積％。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3 0 )如（2 8 )或（2 9 )所記載之薄膜形成方 法’其中，混合氣體含有氧、臭氧、過氧化氫、二氧化碳 、一氧化碳、氫、氮中所選出之成分〇·〇1至5體積％ 〇 (3 1 )如（1 )至（3 0 )中任何一項所記載之薄 膜形成方法，其中，反應性氣體含有有機金屬化合物及有 機化合物中所選出之成分。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 1225897 A7 __ B7 五、發明説明（、 ( 3 2 ) 如（ 3 1 ) 所記載之薄1 膜形 成 方 法 其 中 ， 有 機 金 屬 化 σ 物含 有L i ，B e ，Β ，Ν a 5 Μ g y A 1 5 S i 5 Κ C a ，S c ，Τ i ，V ，C r ? Μ n 5 F e C 〇 Ν i ，C u ， Z η，G a » G e 5 R b s r Y Z r 5 Ν b ， Mo > C d， I n ，I r 5 S n ， S b C S 5 Β a ，L a , H f ，T a ，W ，T 1 ， P b ， B i C e P r ，N d ，P m， E u ，G d 5 T b > D y > Η 〇 E r ，T m ，Y b， L u 中所 選 出 之 金 屬 o ( 3 3 ) 如（ 3 2 ) 所記載< 之薄 膜形 成 方 法 ， 其 中 > 有 機 金 屬 化 合 物係 選自 金 :屬烷氧' 化物 、烷 基 化 金 屬 及 金 屬 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 錯合物。 (3 4 )如（1 )至（3 3 )中任何一項所記載之薄 膜形成方法，其中，薄膜含有金屬、金屬氧化物、金屬氮 化物、金屬碳化物、金屬硼化物中所選出之化合物。 (3 5 )如（3 4 )所記載之薄膜形成方法，其中， 薄膜含有金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硼化物中 所選出之化合物。 (3 6 )如（3 5 )所記載之薄膜形成方法，其中， 薄膜含有金屬氧化物。 (3 7 )如（3 5 )或（3 6 )所記載之薄膜形成方 法’其中，薄膜中碳含量爲〇·1至5質量％。 (3 8 )如（3 7 )所記載之薄膜形成方法，其中， 中碳含率爲〇 · 2至5質量％。 (3 9 )如（3 8 )所記載之薄膜形成方法，其中， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公羡） -10- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A7 _ B7 五、發明説明（备 薄膜中碳含率爲0.3至3質量％。 (4 0 )如（1 )至（3 9 )中任何一項所記載之薄 膜形成方法，其中，薄膜膜厚爲0 . 1至lOOOnm。 (4 1 )如（1 )至（4 0 )中任何一項所記載之薄 膜形成方法，其中，薄膜爲電極膜、介電體保護膜、半導 體膜、透明導電膜、電鉻膜、螢光膜、超傳導膜、介電體 膜、太陽電池膜、防反射膜、耐磨耗性膜、光學干擾膜、 反射膜、防靜電膜、導電膜、防污膜、硬被膜、襯膜、防 護膜、電磁波遮蔽膜、紅外線遮蔽膜、紫外線吸收膜、潤 滑膜、形狀記憶膜、磁性記錄膜、發光元件膜、生體適用 膜、耐蝕性膜、觸媒膜、氣體感應膜、裝飾膜中所選出之 任何薄膜。 (4 2 )如（4 1 )所記載之薄膜形成方法，其中， 薄膜爲防反射膜。 (4 3 )如（2 0 )所記載之薄膜形成方法，其中， 基材含有纖維素酯材料。 (4 4 ) 一種物品，其爲，基材上具有如（1 )至（ 4 3 )中任何一項所記載之薄膜形成方法所形成的薄膜。 (4 5 )如（4 4 )所記載之物品，其爲，具有防反 射膜之光學薄膜 (4 6 )如（4 5 )所記載之物品，其中，防反射膜 有以折射率1 · 6至2 · 4之氧化鈦爲主成分的高折射率 層及，以折射率1 · 3至1 · 5之氧化矽爲主成分的低折 射率層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

_11 - 1225897 A7 B7 五、發明説明（4 (4 7 )如（4 6 )所記載之物品，其中，高折射率 層之折射率爲2 . 2以上。 (請先闖讀背面之注意事項再填寫本頁) (4 8 ) —種物品，其特徵爲，基材上具有以金屬氧 化物爲主成分之薄膜的物品中，該金屬氧化物薄膜之碳含 率爲0·1至5質量％。 (4 9 )如（4 8 )所記載之物品，其中，以金屬氧 化物爲主成分之金屬氧化物薄膜的碳含率爲0.2至5質 量％。 (5 0 )如（4 9 )所記載之物品，其中，以金屬氧 化物爲主成分之薄膜的碳含量爲〇.3至3質量％。 (5 1 )如（4 8 )至（5 0 )中任何一項所記載之 物品，其中，氧化金屬爲氧化鈦。 (5 2 )如（5 1 )所記載之物品，其中，以氧化鈦 爲主成分之薄膜的折射率爲2 · 2以上。 (5 3 )如（4 8 )至（5 2 )中任何一項所記載之 物品，其中，氧化金屬爲氧化矽。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (5 4 ) —種光學薄膜，其特徵爲，基材上具有防反 射膜之光學薄膜中，防反射膜具有折射率2 · 2以上且以 碳含率爲0 · 1至5質量％之氧化鈦爲主成分的高折射率 層。 (5 5 )如（5 4 )所記載之光學薄膜，其中，高折 射率層之碳含率爲〇·2至5質量％。 (5 6 )如（5 5 )所記載之光學薄膜·’其中，.高折 射率層之碳含率爲〇.3至3質量％。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚;） -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A7 B7 ' -- - — - —- 五、發明説明（）0 (5 7 )如（5 4 )至（5 6 )中任何一項所記載之 光學薄膜，其中，防反射膜具有折射率1 · 3至1 . 5且 以氧化矽爲主成分之低折射率層。 (5 8 )如（5 4 )至（5 7 )中任何一項所記載之 光學薄膜，其中基材含有纖維素酯。 (5 9 )如（5 8 )所記載之光學薄膜，其中，基材 含有可塑劑。 (6 0 )如（5 8 )至（5 9 )所記載之光學薄膜’ 其中，基材表面具有透明硬塗層或防眩層。 (6 1 ) —種介電體被覆電極，其特徵爲，以介電體 被覆導電性母材之介電體被覆電極中，介電體之空隙率爲 1 0體積％以下。 (6 2 )如（6 1 )所記載之介電體被覆電極’其中 ，以介電材被覆導電性母體之介電體被覆電極中’介電體 之空隙率爲8體積％以下。 (6 3 )如（6 2)所記載之介電體被覆電極’其中 ，電極之耐熱溫度爲1 0 0 °C以上。 (6 4 )如（6 1 )至（6 3 )中任何一項所記載之 介電體被覆電極，其中，電極中導電性母材與介電體之線 熱膨脹係數差爲1 〇 X 1 〇 — 6 / °C以下。 (6 5 )如（6 1 )至（6 4 )中任何一項所記載之 介電體被覆電極，其中，介電體之厚度爲0 · 5至2mm 〇 (6 6 )如（6 1 )至（6 5 )中任何一項所記載之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-13- 1225897 A7 ____B7___ 五、發明説明（、 介電體被覆電極，其中，介電體爲電容率6至4 5之無機 化合物。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (6 7 )如（6 1 )至（6 6 )中任何一項所記載之 介電體被覆電極，其中，介電體爲溶射陶瓷後，以無機化 合物進行封孔處理。 (6 8 )如（6 7)所記載之介電體被覆電極’其中 ，陶瓷係以氧化鋁爲主成分。 (6 9)如（6 7)或（6 8)所記載之介電體被覆 電極，其中，封孔處理用無機化合物爲，利用溶膠凝膠反 應硬化而形成之物。 (7 0 )如（6 9 )所記載之介電體被覆電極，其中 ，溶膠凝膠反應係利用能量處理以促進反應。 (7 1 )如（7 0 )所記載之介電體被覆電極，其中 ，能量處理2 0 0 °C以下之熱處理或U V照射。 (7 2 )如（6 9 )至（7 1 )中任何一項所記載之 介電體被覆電極，其中，封孔處理用無機化合物於溶膠凝 膠後含有6 0莫耳％以上之S i〇X。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (7 3 )如（6 1 )至（7 2 )中任何一項所記載之 介電體被覆電極，其中，利用硏磨處理對介電體進行表面 加工。 (7 4 )如（7 3 )所記載之介電體被覆電極，其中 ，介電體之表面粗糙度Rma X爲1 0 //m以下。 (7 5 )如（6 1 )至（7 4 )中任何一項所記載之 介電體被覆電極，其中，電極中具有冷却設備，該冷却設 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 1225897 A7 B7 五、發明説明（h 備係由電極之導電性母材內部具有冷却水通路，使冷却水 流經通路而冷却所構成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (7 6 )如（6 1 )至（7 5 )中任何一項所記載之 介電體被覆電極，其中，電極爲角柱型。 (7 7 ) —種電漿放電處理裝置，其特徵爲，將基材 置於對向電極間，於大氣壓或接近大氣壓之壓力下，對電 極間施加電壓以放電，而使反應性氣體成爲電漿狀態後， 因基材曝置於電漿狀態之反應性氣體中，而於基材上形成 薄膜之電漿放電處理裝置中，對向電極中至少一方爲如（ 6 1 )至（7 6 )中任何一項所記載之介電體被覆電極。 (7 8 )如（7 7 )所記載之電漿放電處理裝置，其 中，基材爲連續成型膜，又，對向電極中至少一方爲，接 觸連接成型膜且朝基材運送方向回轉之一個滾軸電極，另 外，與滾軸電極對向之電極爲配置複數個介電體被覆電極 之電極群。 (7 9 )如（7 8 )所記載之電漿放電處理裝置，其 中，滾軸電極爲介電體被覆電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (8 0 )如（7 8 )或（7 9 )所記載之電漿放電處 理裝置，其中，滾軸電極之基材接觸面的表面粗糙度 Rmax 爲 l〇//m 以下。 (8 1 )如（7 7 )至（8 0 )中任何一項所記載之 電漿放電處理裝置，其中，電極放電面積爲1 0 0 0 cm2 以上。 (8 2 )如（7 7 )至（8 1 )中任何一項所記載之 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A7 ____ B7 五、發明説明（也 電漿放電處理裝置，其中，電極長度比基材長度長。 (8 3 )如（7 7 )至（8 1 )中任何一項所記載之 電漿放電處理裝置，其中，對滾軸電極及電極群接連至少 一個電源’而使電源所能供給之合計電力能爲1 5 k W以 上。 (8 4 ) —種電漿放電處理裝置，其特徵爲，將基材 置於對向電極間，大氣壓或接近大氣壓之壓力下，對電極 間施加電壓以放電，而使反應性氣體成爲電漿狀態後，因 基材曝置於電漿狀態之反應性氣體中，而於基材上形成薄 膜之電漿放電處理裝置中，基材爲連續成型膜，又，對向 電極中至少單側爲，接觸連續成型膜且朝連續成型膜運送 方向回轉之滾軸電極，另外，與滾軸電極對向之電極至少 爲，以介電體被覆導電性母體之介電體被覆電極，又，滾 軸電極的基材接觸面之表面粗糙度R m a X至少爲1 0 // m以下。 (85)如（84)所記載之電漿放電處理裝置，其 中，對滾軸電極之基材接觸面進行表面硏磨處理。 (8 6 ) —種電漿放電處理裝置，其爲，如（6 1 ) 至（7 7 )中任何一項所記載之介電體被覆電極。 實施發明之最佳形態 下面將詳細說明本發明。 本發明之薄膜形成方法係利用超過1 〇 〇 k Η z之高 周波電壓，將1 W/ c m 2以上電力（輸出密度）供給對向 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公釐） 一 一 -16- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A7 ____B7 五、發明説明（如 爲了符合本發明合計電力範圍，放電面積需達某種大 程度。 又，施加於電極間之高周波電壓可爲斷續性脈衝波或 連續性正弦波，但，就提升本發明效果又以連續性正弦波 爲佳。 又，以相合方式配置電極放電面及基材之薄膜形成面 時，能形成均勻無斑點之細緻膜而有利於本發明目的。因 此，基材較佳位於電極間。 又，電極放電面中至少一方向之長度與基材上薄膜形 成領域之同方向的長度等長或更長時，能形成高性能且均 勻無斑之薄膜而爲佳。相對於電極移動基材以形成薄膜時 ，與移動方向直交之寬方向較佳爲，與電極放電面之長度 及基材上薄膜形成領域之長度等長或更長。因此，利用相 對於電極移動之基材以形成薄膜的方法時，既使單方向移 動電極及基材，亦能以高速進行大面積製膜。圖6之電漿 放電處理裝置中，滾軸電極及角柱型電極3 6之寬方向（ 垂直於紙面之方向）的放電面長與基材下等長或更長。 又，本發明之薄膜形成方法中，相對於電極移動基材 ，以形成薄膜時，對電極放電面之寬方向長度的電極放電 面之移動方向長度較佳爲1 0分之1以上。更佳爲5分之 1以上，特佳爲2分之1以上。即，電極電放面之移動方 向長度較長時，能形成膜厚均勻且無斑之高性能薄膜而爲 佳。又，電極之移動方向長度較長時，必然會加大放電面 積且增加合計電力。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210X297公着1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-18- 1225897 A7 B7 五、發明説明（）6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 例如製造防反射膜時，以寬1 0 0 c m之連續成型膜 爲基材時，爲了於搬運基材的同時形成薄膜，與電極放電 面之搬運方向直交的寬方向長度爲1 〇 〇 cm以下，搬運 方向長度較佳爲1 0 c m以上，更佳爲1 2 , 5 c m以上 .，特佳爲3 0 c m以上。又以電放面相對於基材上薄膜形 面爲佳。就此觀點下，電極放電面積較佳爲1 〇 〇 0 c m 2 以上，更佳爲1 3 0 0 cm2以上，特佳爲1 8 0 0 cm2 以上，最佳爲3 0 0 0 c m 2以上。 如上述般，本發明者們發現對大面積施加高能量之電 場時，能以高生產效率製得細緻且具有高膜厚均勻性及無 斑之高性能薄膜。因此，本發明者們推斷，利用上述放電 方法時，對大面積能均勻產生高密度電漿係得到優良效果 之起因。 故本發明之電漿放電處理裝置需採用，大氣壓或接近 大氣壓之壓力下，既使對大面積電極施加高能量電場時， 亦能保持均勻放電狀態之高耐久電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該電極較佳爲，金屬等導電性母材上，至少放電面被 覆介電體之物。即，至少對向之施加電極及接地電極中任 何一單側被覆介電體，又以施加電極及接地電極雙方均被 覆介電體爲佳。 介電體被覆電極爲，金屬等導電性母材與陶瓷或玻璃 等介電體素材的複合部品時會因增加所供給之電力，特別 是合計電力時，易由介電體脆弱部分產生破壞，而難維持 安定的電漿放電。特別是具有大放電面積之介電體被覆電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 1225897 A7 B7 五、發明説明（扣 極更明顯，因此，使用本發明般高能量進行薄膜形成方法 時，需爲具有耐性之介電體被覆電極。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明介電體被覆電極所使用之介電體具體例較佳爲 ，電容率6至4 5之無機化合物，該介電體如，氧化鋁、 氮化矽等陶瓷或矽酸鹽系玻璃、硼酸鹽系玻璃等玻璃襯材 等。其中又以後述之陶瓷溶射物或設置玻璃底襯之物爲佳 。特別佳爲具有氧化鋁溶射物之介電體。 又，經本發明者們專心檢討後發現，介電體被覆電極 中耐上述般大電力的方法之一爲，使介電體之空隙率爲 10體積％以下，又以8體積％以下爲佳。更佳爲超過〇 體積％且5體積％以下。該介電體之空隙率係指，對介電 體厚度方向具有貫通性之空隙率，且可利用水銀孔率計測 得。後述之實施例係利用島津製作所製之水銀孔率計，測 定被覆於導電性母體上之介電體空隙率。介電體可因低空 隙率而達成高耐久性。該具有空隙且爲低空隙率之介電體 如，後述利用大氣電漿法等所形成之高密度、高密合的陶 瓷溶射被膜等。又，爲了降低空隙率較佳爲進行封孔處理 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 介電體被覆電極之另一較佳方法爲，使用熔融法所得 之玻璃’以玻璃襯底法形成之介電體。因該介電體係由2 層以上泡混入量不同之層所構成，故能提高耐久性。該泡 混入量中’接近導電性母材之最下層較佳爲2 0至3 0 v ο 1 %，次層以上較佳爲5 v 〇 1 %。泡混入量可由玻 璃本身之固有密度與玻璃底襯層之密度的關係而算出。因 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 1225897 A7 ____ B7_ 五、發明説明（）8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 玻璃之熔融物中原本就混入氣泡，故控制玻璃之泡混入量 白勺方法可爲進行脫氣，而利用不同的脫氣程度可得到所希 望之値。控制該泡混入量後，既使層狀上設有玻璃襯底法 所得之介電體，亦能得到耐久性高之電極。又，此時介電 體層合計厚度較佳爲〇 · 5mm以上2 . Omm以下，更 佳爲最下層膜〇 · 1 m m以上且次層以上之合計膜厚爲 0 · 3 m m以上。 本發明介電體被覆電極耐大電力之另一較佳方法爲， 耐熱溫度爲1 0 0 °C以上，更佳爲1 2 0 °C以上，特佳爲 1 5 0 °C以上。該耐熱溫度係指，不破壞絕緣性且正常放 電狀態下，能忍耐之最高溫度。又，可適當組合適用的陶 瓷溶射而得之介電體，或設有泡混入量不同之層狀的玻璃 襯之介電體及，適當選擇導電性母材與介電體之線熱膨脹 係數差範圍內材料的方法，而達成該耐熱溫度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明介電體被覆電極之又一較佳方法爲，介電體與 導電性母材之線熱膨脹係數差爲1 〇 χ 1 〇 - 6 /艺以上之 組合物。更佳爲8 X 1 〇 — 6 /t以下，特佳爲5 X 1 〇 - 6 / t：以下，最佳爲2 X 1 〇 — 6 / t以下。該線熱膨脹係數 係指，已知之材料特有的物性値。 線熱膨脹係數差爲上述範圍之導電性母材及介電體組 合物如， ① 導電性母材爲純鈦，介電體爲陶瓷溶射被膜； ② 導電性母材爲純鈦，介電體爲玻璃襯； ③ 導電性母材爲鈦合金，介電體爲陶瓷溶射被膜； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡) --- -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A7 ___ B7_ __ 五、發明説明（如 ④ 導電性母材爲鈦合金，介電體爲玻璃襯； ⑤ 導電性母材爲不銹鋼，介電體爲陶瓷溶射被膜； ⑥ 導電性母材爲不銹鋼，介電體爲玻璃襯； ⑦ 導電性母材爲陶瓷及鐵之複合材，介電體爲陶瓷溶 射被膜； ⑧ 導電性母材爲陶瓷及鐵之複合材，介電體爲玻璃襯 j ⑨ 導電性母材爲陶瓷及鋁之複合材，介電體爲陶瓷溶 射被膜； ⑩ 導電性母材爲陶瓷及鋁之複合材，介電體爲玻璃襯 等。又，就線熱膨脹係數差之觀點又以①至④及⑦至⑩爲 佳。 本發明介電體被覆電極中耐大電子之另一較佳方法爲 ’使介電體厚度爲〇/ 5至2mm。又，該膜厚變動範圍 較佳爲5 %以下，更佳爲3 %以下，特佳爲1 %以下。 對導電性母材溶射高密度、高密合之陶瓷以作爲介電 體的方法如，大氣電漿溶射法。該大氣電漿溶射法爲，將 陶瓷等微粉末或線材等投入電漿熱源中，再以熔融或半熔 融狀態之微粉子方式吹附於被覆對象之母材上，而形成被 膜之技術。該電漿熱源係指，高溫下將氣體分子解離爲原 子後，給予能量以放出電子之高溫電獎氣體。因電漿氣體 之噴射速度比目前電弧溶射或火焰溶射快，故溶射材料能 以尚速衝擊母材，而得高密合強度之高密度被膜。詳細內 谷可黎照特開2 〇 〇 〇 - 3 0 1 6 5 5號公報所記載之高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —*--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-22- 1225897 A7 __ B7 五、發明説明（釦 溫被曝部材上形成熱遮蔽被膜之溶射方法。使用該方法可 使被覆用介電體（陶瓷溶射膜）之空隙率爲1 〇體積％ & 下，更佳爲8體積％以下。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了減少介電體空隙率又以利用無機化合物對陶瓷等 溶射膜進行封孔處理爲佳。該無機化合物較佳爲金屬氧化 物，其中又以主成分爲氧化砂（S i〇X )之物爲佳。 封孔處理用無機化合物較佳爲，利用溶膠凝膠反應硬 化而得之物。封孔處理用無機化合物係以金屬氧化物爲主 成分時，可將金屬烷氧化物等封孔液塗布於陶瓷溶射膜上 ，再利用溶膠凝膠反應硬化。無機化合物爲，以二氧化砂 爲主成分之物時較佳爲，使用烷氧矽烷作爲封孔液。 又，爲了促進溶膠凝膠反應較佳爲，使用能量處理。 該能量處理如，熱硬化（較佳爲2 0 〇 °C以下）或U V照 射等。又，封孔處理方法爲，將封孔液稀釋後，重覆數次 塗布再硬化步驟時，可更進一步提升無機質化而得無缺陷 之細密電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明介電體被覆電極係利用，將金屬烷氧化物等封 孔液塗布於陶瓷溶射膜後，以溶膠凝膠反應硬化方式進行 封孔處理時，硬化後金屬氧化物含量較佳爲6 0莫耳以 上。封孔液之金屬烷氧化物爲烷氧矽烷時，硬化後 S i Ox (X爲2以下）含量較佳爲6 0莫耳％以上。硬 化後S i〇X含量之測定方法，利用X p s分析介電體層 之斷層。 對於介電體被覆電極之介電體表面進行硏磨加工處理 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） -23- 1225897 A7 B7 五、發明説明（λ

等，而使電極表面粗糙度Rma X c J I S B 0601)爲10//m以下時，能使介電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 體厚與電極間保有一定間隙及使放電狀態安定化，又，無 熱收縮差或殘留應力所造成的應變或割痕，且能提升高精 度及耐久性。又以至少於接觸基材側之介電體進行表面硏 磨加工爲佳。 下面將參照圖1至圖6說明使用該電極之電漿放電處 理裝置。圖1至圖6之電漿放電處理裝置係於，作爲電弧 電極之滾軸電極與配置於對向之作爲施加電極的複數固定 電極之間進行放電，而使導入電極間之反應性氣體成爲電 漿狀態後，因回卷於滾軸電極上之連續成型膜狀基材曝置 於電漿狀態之反應性氣體中，而形成薄膜。又，與基材搬 運方向直交之寬方向中，電極長度與連續成型膜長度等長 。形成薄膜後可以裁斷連續成型膜寬方向之端部爲前提， 使內側形成薄膜領域短於連續成型膜之寬的長度，再以形 成薄膜領域之長度爲基準，使電極電放面同長或更長。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施本發明薄膜形成方法之電漿放電處理裝置非限於 此例，可爲能安定地維持發光放電，而使激發形成薄膜用 反應性氣體成爲電漿狀態之物，但以將基材載置於電極間 ，並將反應性氣體導入電極間之方法，能加大放電面積及 形成具有均勻膜厚且高性能之薄膜而爲佳。其他方式如， 將基材載置或運送至電極附近而非電極間，再將產生之電 漿吹附於基材上以形成薄膜之噴射方式等。 圖1爲，本發明薄膜形成方法所使用之電漿放電處理 本張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 - 1225897 A7 B7 五、發明説明（>2 裝置的電漿放電處理容器一例之槪略圖。 圖1中，連續成型膜狀基材F係回卷於朝運送方向（ 圖中之順時鐘方向）回轉之滾軸電極2 5上運送。固定式 電極2 6係由複數圓筒所構成，且設置於滾軸電極2 5之 對向上。回卷於滾軸電極2 5之基材F係以箝滾筒6 5、 6 6擠壓後，利用導向滾筒6 4規制化運送至以電漿放電 處理容器確保之放電處理空間進行放電電漿處理，再藉由 導向滾筒6 7運送至下一步驟。又，緊接著箝滾筒6 5、 6 6配置隔板5 4，以控制伴隨基材F之空氣進入電漿放 電處理容器3 1內。 伴隨之空氣對電漿放電處理容器31內之氣體全體積 較佳爲，抑制於1體積％以下，更佳爲抑制於〇 . 1體積 %以下。此時可利用箝滾軸6 5及6 6達成該目標。 放電電漿處理所使用之混合氣體（不活性氣體及含有 作爲反應性氣體之有機氟化合物、鈦化合物或矽化合物等 之有機氣體）係由給氣口 5 4導入電漿放電處理容器3 1 ’又，處理後之氣體係由排氣口 5 3排氣。 圖2同圖1爲，設置於本發明製造方法所使用之電漿 放電處理裝置的電漿放電處理容器一例之槪略圖，但，相 對於圖1中與滾軸電極對向之固定性電極2 6爲棒狀圓柱 型電極，圖2則更爲角柱型電極3 6。 比較圖1所示圓柱型電極2 6下，圖2所示角柱型電 極3 .6具有增加放電範圍（放電面積）之效果，因此適用 於本發明薄膜形成方法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 1225897 A7 B7 五、發明説明（釦 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖3爲，上述圓筒型滾軸電極一例之槪略圖，圖4爲 ’以圓筒型固定之電極一例的槪略圖，圖5爲，以角柱型 固定之電極一例的槪略圖。 圖3中，作爲接地電極之滾軸電極2 5 c係由，對金 屬等導電性母材2 5 a被覆作爲介電體被覆層之，將陶瓷 溶射後利用無機化合物封孔材料進行封孔處理而得之陶瓷 被覆處理介電體2 6 b而構成。又，陶瓷被覆處理介電體 係以被覆單層厚度1 m m方式接地。溶射用陶瓷材較佳爲 ’氧化鋁、氮化矽等，其中又以易加工之氧化鋁爲佳。 又，介電體層可爲，利用襯底法設置無機材料之襯處 理介電體。所使用之襯材較佳爲，矽酸鹽系玻璃、硼酸鹽 系坡璃、磷酸鹽系玻璃、鍺烷酸鹽系玻璃、亞碲酸鹽玻璃 、銘酸鹽玻璃、釩酸鹽玻璃等，其中又以易加工之硼酸鹽 系坡璃爲佳。 金屬等導電性母材2 5 a如，駄、銘、鉑、不銹鋼、 鋁、鐵等金屬，或鐵與陶瓷之複合材料、鋁與與陶瓷之複 合材料，其中就加工性又以不銹鋼爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，實施形態中，滾軸電極之母材爲，具有利用冷却 水之冷却設備的不銹鋼製套管滾軸母材（未圖示）。 圖4及圖5同上述滾軸2 5 c之組合方式，係由施加 電極之固定性電極26c、電極36c所構成。即，對中 空的不銹鋼管被覆上述介電體，且於放電中利用冷却水冷 却。又’固定電極數係沿著滾軸電極之圓周上設置1 4個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公餐） -26- 1225897 A7 B7 五、發明説明（>4 施加電極中施加電壓用電源並無特別限制，可使用帕 路工業製高周波電源（2 0 0 k Η z )、帕路工業製高周 波電源（800kHz)、日本電子製高周波電源（ 13 ·56ΜΗζ)、帕路工業製高周波電源（150 k Η ζ )等。 圖6爲，本發明所使用的電漿放電處理裝置一例之槪 念圖。圖6中，電漿放電處理容器3 1之部分同圖2，又 ，配置作爲裝置構造之氣體產生裝置5 1、電源4 1、電 極冷却單元6 0等。電極冷却單元6 0所使用之冷却劑爲 蒸餾水、油等絕緣性材料。 圖6之電極25、36同圖3、4、5等所示之物， 又，對向電極間之間隙例如設定爲1 m m。 電極間之距離可於考量電極中設置於導電性母材之固 體介電體厚度、施加電壓大小、利用電漿之目的等而作決 定。就能均勻放電觀點，電極一方設有固定介電體時，固 體介電體與電極的最短距離，或電極雙方設有固體介電體 時，固體介電體彼此距離較佳爲0 · 5mm至2 0mm， 更佳爲lmm±〇·5mm。 將滾軸電極2 5、固定性電極3 6配置於電漿放電處 理容器3 1內之一定位置，於控制氣體產生裝置5 1所產 生之混合氣體流量下，經由給氣口 5 2送入電獎放電處理 容器3 1內’電漿放電處理容器3 1內充滿電漿處理用混 合氣體，其後由排氣口 5 3排氣。接著利用電源4 1對電 極3 6施加電壓，並以滾軸電極接地，而產生放電電漿。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -ι'ί»

T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27- 1225897 A7 ___ B7______ 五、發明説明（如 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，將滚軸狀原卷基材6 1供給基材F，再介由導向滾筒 6 4以單面接觸（接觸滾軸電極2 5 )狀態送入電漿放電 處理容器3 1內電極間，並利用放電電漿對運送中基材F 之表面進行放電處理，以形成薄膜（C V D )後，介由導 向滾筒6 7送入下一步驟。又，基材F僅於未接觸滾軸電 極2 5之面進行放電處理。 利用電源4 1對固定性電極3 6施加適當電壓，例如 以電壓1 0 V至1 0 k V程度，將電源周波數調整爲超過 1 0 k Η z 1 5 Ο Μ Ιί ζ以下。所採用之電源施加法可 爲，稱爲連續方式之連續正弦波狀連續振動方式，或稱爲 脈衝方式之〇Ν /〇F F斷續性斷續振動方式，其中連續 方式可得到較細緻之良質膜。 電漿放電處理容器3 1較佳爲，硬質（R )玻璃製處 理容器等，又，可使用對電極具有絕緣性之金屬製品。例 如，於鋁或不銹鋼結構之內面貼上聚醯亞胺樹脂等，或對 金屬結構進行陶瓷溶射而具有絕緣性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 基材爲樹脂製時，爲了將電漿放電處理時對基材之影 響抑制至最低，較佳爲將電漿放電處理時基材溫度調整爲 常溫（1 5 °C至2 5 °C )至低於2 0 0 °C，更佳爲常溫至 1 0 0 °C。爲了調整溫度，必要時可利用冷却設備使電極 、基材冷却設備，同時進行電漿放電處理。 本發明係於大氣壓或接近大氣壓下進行電漿放電處理 ，該近似大氣壓之壓力係指20kPa至llOkPa ， 又，爲了得到本發明所記載之效果又以9 3 k P a至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚) ' -28- 1225897 A7 ___ B7 五、發明説明（>6 1 0 4 k P a 爲佳。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明薄膜形成方法中，爲了得到本發明效果之觀點 ，放電用電極較佳爲，至少將接連基材側之電極的 J s B 0601所規定之表面粗糖度的最大高度（ Rma X)週整爲]_ 〇#m以下，更佳爲8 /zm以下，特 佳爲7 // m以下，又，爲了得到該r m a X範圍，又以對 表面進行硏磨處理爲佳。 另外’ J 1 s B 〇 6 0 1所規定之中心線平均表 面粗糙度（Ra)較佳爲〇 . 5//m以下，更佳爲〇 . 1 // m以下。 下面將說明本發明薄膜形成方法之混合氣體。 實施本發明薄膜形成方法時，所使用之氣體會因基材 上所設之薄膜種類而異，但基本上爲不活性氣體及薄膜形 成用反應性氣體之混合氣體。又，對混合氣體之反應性氣 體含量較佳爲0 · 0 1至1 〇體積％，可得薄膜厚度爲 〇.1mm至l〇〇〇mm之薄膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 不活性氣體係指周期表第1 8層元素，具體例如，氨 、氖、氬、氪、氙、氡等，爲了得到本發明效果又以氦、 氬爲佳。爲了得到細緻之筒精度薄膜，不活性氣體最佳爲 氬。推斷使用氫之原因爲，易產生高密度電漿。氫氣對混 合氣體（不活性氣體與薄膜形成方法之混合氣體）1 〇 〇 體積％的含量較佳爲9 0體積％以上，更佳爲9 5體積％ 以上。 反應性氣體爲，放電空間下能成爲電漿狀態之含有形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇x297公釐) " 一 一 -29 - 1225897 A7 B7 五、發明説明（h 成薄膜成分的氣體，例如有機金屬化合物、有機化合物、 無機化合物等。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 例如所使用之反應性氣體爲含有鋅乙醯丙酮酸鹽、三 乙基銦、三甲基銦、二乙基鋅、二甲基鋅、四乙基錫、四 甲基錫、二乙酸二一 η — 丁基錫、四丁基錫、四辛基錫等 所選出至少一種有機金屬化合物之氣體時，可形成適用爲 導電性膜、防靜電膜或防反射膜之中折射率層的金屬氧化 物層。 所使用之反應性氣體含氟化合物氣體時，可得其面形 成含氟基而降低表面能量之具有防水性表面的防水膜。該 含氟元素化合物如，6氟化丙烯（CF3CFCF2) 、8 氟化環丁烷（C 4 F 8 )等氟碳化合物。又，就安全上觀點 可使用不會產生有害氣體之氟化氫的6氟化丙烯、8氟化 環丁烷。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，於分子內具有親水性基及聚合性不飽和鍵之單 體氣體下進行處理時，可堆積出親水性聚合膜。該親水性 基如，羥基、磺酸基、磺酸鹽基、1級或2級、級胺基、 醯胺基、4級銨鹽基、羧酸基、羧酸鹽基等親水性基等。 又，使用具有聚乙二醇鏈之單體時，同樣地可堆積出親水 性聚合物膜。 該單體如，丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯醯胺、甲基丙 烯醯胺、N，N -二甲基丙烯醯胺、丙烯酸鈉、甲基丙烯 酸鈉、丙烯酸鉀、甲基丙烯酸鉀、苯乙烯磺酸鈉、烯丙醇 、烯丙胺、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30- 1225897 A7 ____B7 五、發明説明（>8 酯等，又，可使上至少1種以上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用含有有機氟化合物、矽化合物或鈦化合物之反應 性氣體時，可得防反射膜之低折射率層或高折射率層。 該有機氟化物較佳爲，氟化碳氣體、氟化碳氫氣體等 。氟化碳氣體如，4氟化碳、6赢化碳，具體例如，4氟 化甲烷、4氟化乙烯、6氟化丙烯、8氟化環丁烷等。氟 化碳氫氣體如，2氟化甲烷、4氟化乙烷、4氟化丙烯、 3氟化丙烯等。 又，可使用1氯化氟化甲烷、1氯化2氟化甲烷、2 氯化4氟化環丁烷等氟化碳氫化合物之鹵化物或醇、酸、 酮等有機化合物之氟取代物，但非限於此例。另外，該化 合物分子內可具有乙烯性不飽和基，且可單獨使用或混用 〇 混合熱體中使用上述有機赢化合物時，就放電電紫處 理時基材上能形均勻薄膜之觀點，混合氣體中有機氟化合 物之含量較佳爲0 · 1至10體積％，更佳爲0 . 1至5 體積％。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 常溫常壓下，本發明之有機氟化合物爲氣體時，可直 接作爲混合氣體之構成成分，因此最容易進行本發明方法 。但，常溫常壓下，有機氟化合物爲液體或固體時，可利 用加熱、減壓等方法氣化後再使用，或可溶解於適當之溶 劑中再使用。 混合氣體中使用上述鈦化合物時，就放電電漿處理時 基材上能形成均勻薄膜之觀點，混合氣體中鈦化合物含量 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 -31 - 1225897 A7 B7_ 五、發明説明（灸9 較佳爲0 . 01至10體積％，更佳爲〇 · 01至5體積 %。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 所使用之反應性氣體可爲氫化金屬化合物、鹵化金屬 化合物、氫氧化金屬化合物、過氧化金屬化合物等，又， 可適當氣化後再使用。 上述混合氣體中氫氣含量爲〇.1至體積％時， 可明顯提升薄膜硬度。 又，混合氣體中含有氧、臭氧、過氧化氫、二氧化碳 、一氧化碳、氫或氮之中所選出成分〇 · 〇 1至5體積％ 時，可促進反應及形成細緻之良質薄膜。 就處理上觀點，上述矽化合物、鈦化合物較佳爲金屬 氫化物、金屬烷氧化物，其中又以不會產生腐鈾性及有害 氣體，且步驟上較少污染等之金屬院氧化物等爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將矽化合物或鈦化合物導入放電空間之電極間時，常 溫常壓下雙方均可爲氣體、液體或固體狀。又，氣體時可 直接導入放電空間，液體或固體時則可利用加熱、減壓或 超音波照射等方法氣化後再使用。將矽化合物或鈦化合物 加熱氣化後再使用時，又以四乙氧基矽烷、四異丙氧基鈦 等常溫下爲液體，且沸點爲2 0 0 °C以下之金屬烷氧化物 適用於形成防反射膜。該金屬烷氧化物可利用溶劑稀釋後 再使用，所使用之溶劑可爲，甲醇、乙醇、η -己烷等有 機溶劑或其混合溶劑。又，該稀釋溶劑於電漿放電處理時 會分解爲分子狀或原子狀，因此，對基材上形成薄膜或薄 膜組成等幾乎無影響。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 一 -32 - 1225897 A7 B7 五、發明説明（鉍 該矽化合物較佳如，二甲基矽烷、四甲基矽烷等有機 金屬化合物；單矽烷、二矽烷等金屬氫化合物；二氯化矽 烷、三氯化矽烷等金屬鹵化物；四甲氧基矽烷、四乙氧基 矽烷、二甲基二乙氧基矽烷等烷氧基矽烷；有機矽烷等， 但非限於此例，且可適當組合使用。 混合氣體中使用上述矽化合物時，就放電電漿處理時 基材上能形成均勻薄膜之觀點，混合氣體中矽化合物含量 較佳爲0 · 1至10體積％，更佳爲0 . 1至5體積％。 鈦化合物較佳如，四二甲基胺基鈦等有機金屬化合物 ;單鈦、二鈦等金屬氫化合物；二氯化鈦、三氯化鈦、四 氯化鈦等金屬鹵化合物；四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、四 丁氧基鈦等金屬烷氧化物等，但非限於此例。 反應性氣體添加有機金屬化合物時，有機金屬化合物 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例 如 可 含 有 L i 3 B e B N a Μ g A 1 ， S i > K 5 C a S C ， 丁 i ? V C r y Μ η F e ， C 〇 N i C U Z η G a G e ， R b S r Y Z r N b y Μ 〇 ， C d ， I n y I r j S η y S b y C S B a ， L a ， Η f T a 5 W T 1 ， P b 9 B i C e 5 P r N d ， P m E U ， G d ， T b D y ， Η 〇 > E r y T m Υ b 7 L u 中 所 選 出 之 金 屬 ο 該 有 機 金 屬 化 合 物 又 以 金 屬 院 氧 化 物 烷 基 化 金 屬 金 屬 錯 合 物 中 所 選 出 之 物 爲 佳 〇 又 適 當 選 用 上 述 或 上 述 以 外 之 反 應 氣 體 下 利 用 本 發 明 薄 膜 形 成 方 法 可 製 得 各 種 尚 機 能 性 之 薄 膜 〇 其 中 一 例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -33 - 1225897 A7 B7 五、發明説明（$

如 下所 示 ，但本 發 明 非 限 :於此 例 〇 電 極 膜 A U A 1 ， A g 9 T i T i ，P t， Μ 〇 Μ 〇 - S i 介 電 體保護 膜 S 1 〇 2 ，S i〇 S i 3 N 4， A 1 2丨 〇〔 ^ A 1 2 〇 3 Y 2 0 3 透 明 導電膜 I n 2 〇 3 ， s n 〇 2 電 鉻 膜 W 〇 3 I r 〇2 M 〇 〇 3 ，V 2 〇 5 螢 光 膜 Z η S z n S + Z n s e ，Z n S + C d S 磁 記 錄膜 F e — N i ， F e — s i -A 1 ， r — F e 2 0 3 J C 〇 F e 3 〇 4 ， C r ，S i 〇 2， A 1 〇 3 超 導 電膜N b N b — G e y N b N 太 陽 電極膜 a — S i S i 反 射 膜 A g 9 A 1 A u C u 選 擇 性吸收 膜 Z r C — Z r 選 擇 性透過 膜 I n 2 0 3 7 S n 〇 2 防 反 射膜 S 1 〇 2 5 T i 0 2 S n 0 2 陰 影 罩 C r 耐 磨 耗性膜 c r T a P t T i C，丁 i N (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 耐蝕性膜 A i ，Z η，C d，T a，T i ，C r 耐熱膜 W，T a，T i 潤滑膜 Μ o S 2 裝飾膜 Cr，Al，Ag，Au，TiC，Cu 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -34- 1225897 A7 B7 五、發明説明（- 下面將說明本發明能使用之基材。 本發明所使用之基材可爲，薄膜狀之物或透鏡狀等立 體狀之物等能於表面形成薄膜之物，並無特別限制，又， 基材可載置於電極間時，可利用戴置於電極間方式，或基 材無法載置於電極間時，可將產生之電漿吸附於基材上的 方式形成薄膜。 構成基材之材料並無特別限制，但大氣壓或接近大氣 壓下進行低溫發光放電時，又以使用樹脂爲佳。 例如本發明之薄膜爲防反射膜時，所使用之基材較佳 爲，薄膜狀纖維素三乙酸酯等纖維素酯、聚酯、聚碳酸酯 、聚苯乙烯、或其上塗設明膠、聚乙烯醇（PVA)、丙 烯樹脂、聚酯樹脂、纖維素系樹脂等之物。又，該基材可 爲，支持體上塗設防眩層或透明硬塗層及，塗設後塗層、 防靜電層之物。 上述支持體（可直接作爲基材）之具體例如，聚伸乙 基對苯二甲酸酯、聚伸乙基萘酸酯等聚酯類；聚乙烯膜、 聚丙烯膜、玻璃紙、纖維素二乙酸酯膜、纖維素乙酸酯丁 酸酯膜、纖維素乙酸酯丙酸酯膜、纖維素乙酸酯酞酸酯膜 、纖維素三乙酸酯、纖維素氮化物等纖維素酯類或其衍生 物所形成之膜；聚偏氯乙烯膜、聚乙烯醇膜、伸乙基乙烯 醇膜、間規聚苯乙烯系膜、聚碳酸酯膜、酚醛淸漆樹脂系 膜、聚甲基戊烯膜、聚醚酮膜、聚醯亞胺膜、聚醚硕膜、 聚碾系膜、聚醚酮醯亞胺膜、聚醯胺膜、氟樹脂膜、尼龍 膜、聚甲基甲基丙烯酸酯膜、丙烯膜或聚丙烯酸酯系膜等 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ29?公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -35- 1225897 A7 ___ B7 五、發明説明（知 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述材料可單獨使用或適當混合使用。其中又以全歐 斯（日本全歐（股）製）、ART〇N(日本合成橡膠（ 股）製）等市售品爲佳。又，既使聚碳酸酯、聚丙烯酸酯 、聚磺及聚醚磺等具有較大固有雙折射率之材料，亦可利 用適當設定溶液流延、熔融擠押等條件及縱、橫方向之延 伸條件等而製得。但，本發明支持體非限於此例。又，膜 厚較佳爲10//m至1 000/zm。 本發明之物品或光學薄膜中，設置於基材之薄膜爲防 反射膜等光學用途之薄膜時，本發明之基材又以使用纖維 素酯膜而得低反射率之積層體爲佳。又，爲了得到較佳之 本發明效果觀點，纖維素酯較佳爲纖維素乙酸酯、纖維素 乙酸酯丁酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯，更佳爲纖維素乙酸 酯丁酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯。 本發明物品或光學薄膜之基材爲纖維素酯膜時，該纖 維素酯膜又以含有可塑劑爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該可塑劑並無特別限制，較佳如磷酸酯系可塑劑、酞 酸酯系可塑劑、偏苯三酸酯系可塑劑、均苯四甲酸系可塑 劑、乙醇酸酯系可塑劑、檸檬酸酯系可塑劑、聚酯系可塑 劑等。磷酸酯系如，三苯基磷酸酯、三甲酚磷酸酯、甲酚 二苯基磷酸酯、辛基二苯基磷酸酯、二苯基聯苯磷酸酯、 三辛基磷酸酯、三丁基磷酸酯等；酞酸酯系如，二乙基酞 酸酯、二甲氧基乙基酞酸酯、二甲基酞酸酯、二辛基酞酸 酯、二丁基酞酸酯、二- 2 -乙基己基酞酸酯、丁基苄基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -36- 1225897 A7 B7 五、發明説明（如 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 酞酸酯等；偏苯三酸系可塑劑如’三丁基偏苯三酸酯、三 苯基偏苯三酸酯、三乙基偏苯三酸酯等；均苯四甲酸酯系 可塑劑如，四丁基均苯四甲酸酯、四苯基均苯四曱酸酯、 四乙基均苯四甲酸酯等；乙醇酸酯系如，三乙基甘油酯、 三丁酸甘油酯、乙基酞醯乙二醇酸酯、甲基酞醯乙二醇酸 酯、丁基酞醯丁二醇酸酯等；檸檬酸酯系可塑劑如，三乙 基檸檬酸酯、三- η - 丁基檸檬酸酯、乙醯三乙基檸檬酸 酯、乙醯二一 η — 丁基棒橡酸酯、乙釀三一 η —（2 -乙 基己基）檸檬酸酯等。 其他之羧酸酯例如，油酸丁酯、箆麻醇酸甲基乙醯、 癸一.酸二丁酯、各種偏苯三酸酯。 所使用之聚酯系可塑劑如，脂肪族二鹼酸、脂環式二 鹼酸、芳香族二鹼酸等二鹼酸及乙二醇之共聚物。該脂肪 族二鹼酸並無特別限制，可爲己二酸、癸二酸、酞酸、對 苯二酸、1 ，4 —環己基二羧酸等；乙二醇如，乙二醇、 二乙二醇、1 ，3 -丙二醇、1 ，2 -丙二醇、1 ，4 一 丁二醇、1 ，3 — 丁二醇、1 ，2 -丁二醇等。又，該二 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 鹼酸及二醇可單獨使用或二種以上混用。 就薄膜性能、加工性等觀點，可塑劑對纖維素酯之使 用量較佳爲1至2 0質量％。 本發明薄膜爲防反射膜時，就防止液晶等惡化觀點， 基材（可單獨爲支持體）較佳爲，使用紫外線吸收劑。 又，就對波長3 7 0 n m以下紫外線具有優良吸收能 ，且具有良好液晶顯示性觀點，紫外線吸收劑較佳爲，對 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公& -37· 1225897 A7 B7 五、發明説明（k 波長4 0 〇 n m以上可視光吸收較少之物。較佳紫外線吸 收劑之具體例如，氧基二苯甲酮系化合物、苯并三唑系化 合物、水楊酸酯系化合物、二苯甲酮系化合物、氰基丙烯 酸酯系化合物、鎳配鹽系化合物等，但非限於此例。又， 可使用特開平6 - 1 4 8 4 3 0號所記載之高分子紫外線 吸收劑。 本發明支持體所使用之紫外線吸收劑又以特願平 1 1 一 2 9 5 2 0 9號所記載之分配係數爲9 · 2以上的 紫外線吸收劑，可減少電漿處理步驟污染情形及，對各塗 布層具有優良塗布性而爲佳，特別佳爲分.配係數1 〇 . 1 以上之紫外線吸收劑。 以含有可塑劑或紫外線吸收劑之纖維素酯膜作爲基材 時，會因該劑產生流液等而附著於電漿處理部等，故會污 染步驟而附著於薄膜。爲了解決該問題，所使用之支持體 較佳爲，具有纖維素酯及可塑劑下，以8 0 °C、9 0 % R Η進行時間處理之前後質量變化低於± 2質量％者（保 留性）。該纖維素酯膜如，特願2 0 0 0 - 3 3 8 8 8 3 號所記載之纖維素酯膜等。又，爲了前述目的，可使用特 開平 6 — 14843 0 號、特願 2 0 00 — 156039 號所記載之高分子紫外線吸收劑（或紫外線吸收劑聚合物 )。該高分子紫外線吸收劑如，市售之P U V Α — 3 0 Μ (大塚化學（股）製）等。特佳爲使用特開平 6 - 1 48430號一般式（1)或一般式（2)、或特 願20〇〇一156039之一般式（3) 、 （6)、（ ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、" 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A7 B7 五、發明説明（靶 7 )所示之高分子紫外線吸收劑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明薄膜爲防反射膜時，較佳爲使用基材之光學特 性中，面內阻滯數爲0至1 〇 〇 〇 nm之物，又，因應 用途較佳爲使用厚方向阻滯數R t爲〇至3 0 0 nm之物 。另外，波長分散特R ◦ ( 6 0 0 ) / R。（ 4 5 0 )較佳 爲0 . 7至1 · 3，特別佳爲1 . 〇至1 . 3。 該R ◦( 4 5 0 )係利用波長4 5 0 n m之光源測定3 次元折射率所得之面內阻滯數，R。（ 6 0 0 )係利用波長 6 0 0 n m之光源測定3次元折射率所得之面內阻滯數。 本發明薄膜爲防反射膜時，就提升基材與放電電漿處 理所形成之薄膜的密合性觀點，又以含有1種以上乙烯性 不飽和單體之成分聚合而成的層進行放電電漿處理而形成 之物爲佳，特別佳爲以ρ Η 1 〇以上之溶液處理含有乙烯 性不飽和單體之成分聚合而成的層後，進行放電電漿處理 可更進一步改善密合性。ρ Η 1 〇以上之溶液較佳如， 0.1至3mo1/1氫氧化鈉或氫氧化鉀水溶液等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 含有乙烯性不飽和單體之成分聚合而成的樹脂層較佳 爲，以活性線硬化樹脂或熱硬化樹脂爲構成成分之層，特 佳爲活性線硬化樹脂層。 該活性線硬化樹脂層係指，以紫外線或電子線等活性 線照射下會產生交聯反應等而硬化之樹脂爲主要成分的層 。代表性活性線硬化樹脂如，紫外線硬化性樹脂或電子線 硬化性樹脂等，又，可爲紫外線或電子線以外之活性線照 射下能硬化之樹脂。紫外線硬化性樹脂如，紫外線硬化型 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39- 1225897 A7

五、發明説明（知 丙儲尿院系樹脂、紫外線硬化型聚酯丙 外線硬化型環氧丙烯酸酯、紫外線硬化 樹脂或紫外線硬化型環氧樹脂等。 烯酸酯系樹脂、紫 型聚醇丙烯酸酯系 紫外線硬化型丙烯尿烷系樹脂一般易由，於聚酯聚醇 中使異氰酸酯單體或預聚物反應而得之生成物，再使2 一 經基乙基丙烯酸酯、2 -羥基乙基甲基酸酯（以下丙烯酸 酯包含甲基丙烯酸酯，但僅以丙烯酸酯 丙基丙烯酸酯等具有羥基之丙烯酸酯系 如參考特開昭5 9 — 1 5 1 1 1 0號）。 紫外線硬化型聚酯丙烯酸酯系樹脂 表示）、2 -羥基 單體反應而得（例 般易由，於聚酯 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 聚醇中使2 -羥基乙基丙烯酸酯、2 -羥基丙烯酸酯系單 體反應而得（例如參考特開昭5 9 — 1 5 1 1 1 紫外線硬化型環氧丙烯酸酯系樹脂之具體 氧丙烯酸酯爲低聚物，添加反應性稀釋劑、光 進行反應而得之物（例如特開平1 一 1 〇 5 7 該光反應引發劑如，苯偶因衍生物、肟酮衍生 酮衍生物、噴噸酮衍生物等之中所選出1種或2 紫外線硬化型聚醇丙烯酸酯系樹脂之具體 甲基丙烷三丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯 四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季 烯酸酯、烷基改性二季戊四醇五丙烯酸酯等。 上述樹脂可與一般已知之光增感劑共用。 反應引發劑可作爲光增感劑用。具體例如，乙 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 2號）。 例如，以環 反應引發劑 3 8 號）。 物' 二苯甲 種以上。 例如，三羥 酸酯、季戊 戊四醇六丙 又，上述光 醯苯、二苯 甲酮、羥基二苯甲酮、米希勒酮、α -戊氧酯、噻噸酮等 -40- 1225897 A7 B7 五、發明説明（$8 及其衍生物。又，使用環氧丙烯酸酯系光反應劑時，可使 用η -丁基胺、三乙基胺、三一 n 一丁基膦等增感劑。除 了塗布乾燥後揮發之溶劑成分外，紫外線硬化性樹脂組成 物所含之光反應引發劑或光增感劑含量較佳爲，組成物之 2 · 5至6質量％。 樹脂單體如，具有一個不飽和雙鍵之單體，例如甲基 丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯、丁基丙烯酸酯、乙酸乙烯、苄 基丙烯酸酯、環己基丙烯酸酯、苯乙烯等一般性單體。又 ’具有2個以上不飽和雙鍵之單體如，乙二醇二丙烯酸酯 、丙二醇二丙烯酸酯、二乙烯基苯、1 ，4 一環己烷二丙 烯酸酯、1 ，4 -環己基二甲基二丙烯酸酯或上述之三羥 甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酯等。 例如可使用阿得卡K B . Β Υ系列： KR-400、KR-410、KR - 550、KR —566、KR — 567、BY— 320B (以上爲旭電 化工業股份公司製），或可耶海A - 1 0 1 - K K、 A— 101 - WS、C-302、C 一 401— Ν、 C — 501、Μ— 101、Μ— 102、T— 102、 D— 102、NS-l〇l、FT—102Q8、MAG 一 1— Ρ20、AG— 106、Μ— 101 — C (以上爲 廣榮化學工業股份公司），或歇卡比PHC2210(S )、PHC X-9(K-3)、PHC2213、DP —10、DP — 20、DP-30、Ρ1〇 00、 P1100、P1200、P1300、P1400、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -5-口

T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -41 - 1225897 A7 ______ B7 ___ 五、發明説明（如 P1500、P1600、SCR900 (以上爲大曰精 化工業股份公司製），或κ R Μ 7 0 3 3、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) KRM7039、KRM7130、KRM7131、 UVECRYL29201、UVECRYL29202 .(以上爲泰歇魯股份公司），或rc —5〇l5、RC — 5016、RC- 5020、RC-5031、RC-5100、RC - 5102、RC- 5120、RC-5122、RC - 5152、RC-5171、RC-5 1 80、RC — 5 1 8 1 (以上爲大日本油墨化學工業 股份公司製），或歐雷斯No· 3 4 0透明（中國塗料股 份公司製），或山拉得Η - 6 0 1 (三洋化成工業股份公 司製），或SP — 1509、SP— 1507(昭和高分 子股份公司製），或R C C - 1 5 C (葛雷斯股份公司製 )，阿洛尼M— 6100、M— 8030、M— 8060 (以上爲東亞合成股份公司製）或其化市售品中所選出之 紫外線硬化樹脂。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，可利用已知方法塗設本發明所使用之活性線硬化 樹脂層。 使活性線硬化性樹脂進行光硬化反應而形成硬化被膜 層之光源可爲，能產生紫外線之任何光源。例如使用低壓 水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、碳極 電弧燈、金屬鹵素燈、氣燈等。照射條件會因燈種類而異 ，照射光量一般爲2 0至1 0 0 0 0mJ/Cm2，又以 5 0至2 0 0 0 m J / c m 2。又，近紫外線領域至可視光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ' 一 -42- 1225897 A7 _ B7____ 五、發明説明（舶 ^領域下，可利用該領域下具有極大吸收力之增感劑而達 成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) '塗設活性線硬化樹脂層時所使用之溶劑可爲，塗設上 @ &塗層或含有導電性微粒子之樹脂層所使用的溶劑，例 % @類、醇類、酮類、酯類、乙二醇醚類、其他溶劑中所 _出之物或混用。該溶劑又以含有丙二醇單（溶劑1至4 基）烷基醚或丙二醇單（碳數1至4之烷基）烷基醚 酯5質量％以上爲佳，更佳爲5至8 〇質量％以上。 紫外線硬化性樹脂組成物塗布液之塗布方法可爲，利 用照相凹版塗布機、旋轉塗布機、金屬棒塗布機、滾軸塗 布機送輥塗布機、擠押塗布機、氣動刮塗機等已知方法。 塗量以濕膜厚〇 · 1至30//rn爲宜，較佳爲〇 · 5至 1 5 //m。塗布速度較佳爲1 〇至6 〇m /分。 將紫外線硬化性樹脂組成物塗布乾燥後，利用光源照 射紫外線時，照射時間較佳爲〇 · 5秒至5分鐘，又，就 紫外線硬化性樹脂之硬化效率及作業效率又以3秒至2分 鐘爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 所得硬化被膜層爲了防止阻塞或提升擦傷性等，又以 添加無機或有機微粒子爲佳。該無機微粒子如，氧化矽、 氧化鈦、氧化鋁、氧化錫、氧化鋅、碳酸鈣、硫酸鋇、滑 石、陶土、硫酸鈣等，有機微粒子如，聚甲基丙烯酸甲基 丙烯酸酯樹脂粉末、丙烯基苯乙烯系樹脂粉末、聚甲基甲 基丙烯酸酯樹脂粉末、砂系樹脂粉末、聚苯乙燒系樹脂粉 末、聚碳酸酯樹脂粉末、苯并鳥糞胺系樹脂粉末、三聚氰 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -43- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A7 ____B7 五、發明説明（ 胺系樹脂粉末、聚烯烴系樹脂粉末、聚酯系樹脂粉末、聚 醯胺系樹脂粉末、聚醯亞胺系樹脂粉末或聚氟化乙烯系樹 脂粉末等。該微粒子粉末之平均粒徑較佳爲〇 · 〇 〇 5 //m 至 1/zm，特佳爲 〇 · 〇1 至 〇 · ivm。 紫外線硬化樹脂組成物與微粒子粉末之比率較佳爲， 對樹脂組成物1 0 0質量單位之添加量爲〇 . 1至1 〇質 量單位。 該經由紫外線硬性樹脂硬化而得之層可爲，中心線表 面粗糙度R a爲1至5 0 nm之透明硬塗層，或R a爲 0 · 1至1 // m之防眩層。又，本發明可於該層上進行電 獎處理。特別是本發明方法可於表面凹凸之基材上形成均 句的低折射率層或高折射率層等光學干擾層。特別佳爲， 能於J I S B 〇 6 0 1所規定之中心線平均表面粗糙 度（Ra)爲〇 · 1至〇 . 5//m的防眩層上進行均勻的 電漿處理。 本發明中，對上述基材面設置本發明薄膜時，對平均 膜厚之膜厚偏差値較佳爲± 1 〇 %，更佳爲± 5 %以內，特 佳爲± 1 %以內。 本發明中’製作基材上具有防反射膜之物品或光學薄 膜時’對電獎處理前之電漿處理面照射紫外線時，可使所 得被膜具有優良密合性而爲佳。紫外線照射光量較佳爲 5 0 至 2 0 〇〇m j/cm2。低於 5 OmJ/cm2 時效 果將不足’又’超過2 〇 〇 〇m j /cm2時會使基材變形 等而不宜。紫外線照射後又以1小時內進行電漿處理爲佳 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-44- 1225897 A7 _______B7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ’更佳爲紫外線照射後1 0分鐘以內進行電漿處理。電漿 處理前照射紫外線方式可爲，與上述使紫外線硬化樹脂硬 化之紫外線照射同時進行，此時又以使用多於硬化用最低 限之紫外線照射量爲佳。 本發明於製作防反射膜時，電漿處理後進行紫外線照 射下可有效地使所形成之被膜早期安定化。 因此’電漿處理後又以對電漿處理面照射紫外線照射 光量至5 0至2 0 0 Om J/cm2爲佳。該處理步驟較佳 於電漿處理後至卷取步驟之間進行。又，電漿處理後較佳 爲’對基材進行1至3 0分鐘處理而調整爲5 0至1 3 0 °C之乾燥層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之基材上具有防反射膜的物品或光學薄膜又以 雙面進行電漿處理後，較少處理後捲邊情形而爲佳。又， 背面之電漿處理可各別進行，但，較佳爲雙面同時進行電 漿處理，又，較佳爲利用電漿處理對低反射加工側背面進 行背面加工。例如，特願2 0 0 0 - 2 7 3 0 6 6號所記 載之易接著加工、特願2 0 0 0 - 8 0 0 4 3號所記載之 防靜電加工性，但非限於此例。 本發明之基材上具有作爲防反射膜等之金屬氧化膜的 物品或光學薄膜較佳爲，具有以折射率1 . 6至2 · 4之 氧化鈦爲主成分之高折射率層。又，較佳於連續成型膜狀 之基材表面上，連續設置以折射率1 . 3至1 · 5之氧化 矽爲主成分的低折射率層。如此可使各層間具有良好密合 性。更佳爲，將紫外線硬化樹脂層設置於基材上，其後直 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公菱） ^ 1225897 A7 B7 五、發明説明（釦 接利用電漿處理設置高折射率層及低折射率層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該以氧化鈦爲主成分之高折射率層的折射率特佳爲 2 . 2以上。又，利用本發明薄膜形成方法可形成具有這 般高折射率之金屬氧化膜。 就與底層之密合性及膜之柔軟性，以氧化鈦爲主成分 之層等的金屬氧化物薄膜中，碳含率較佳爲0 . 1至5質 量％。更佳爲0·2至5質量％，特佳爲0. 3至3質量 %。又，以氧化矽爲主成分之低折射率層的碳含率又以同 前爲佳。 該碳含率非限於上述防反射膜等金屬氧化物薄膜，具 有其他用途或機能之金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金 屬硼化物亦相同。其因爲，使用含有有機物之反應性氣體 下，利用電漿處理形成薄膜時，會因含有碳原子而易得上 述碳含率之薄膜。又，非限於電漿處理所形成之薄膜，含 有該碳含率之薄膜本身具有柔軟性，故具有優良之膜密合 性。碳含率太少時易產生裂縫，又，太多時會有經時折射 率變動及使耐傷性變差之傾向而不宜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例 下面將以實施例具體說明本發明，但非限於此例。 (製作本發明之介電體被覆電極組A) 以下列方法製作圖2所示電漿放電處理裝置中，被覆 介電體之滾軸電極及複數個角柱型施加電極之組合物。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46- 1225897 A7 ______B7 五、發明説明（>4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 滾軸電極2 5係由，對具有利用冷却水之冷却設備的 不銹鋼製套筒母材（圖2未圖示冷却設備），利用大氣電 漿法被覆高密度、高密合性之氧化鋁溶射膜，而使滾軸徑 成爲1 0 0 Omm0後，塗布以乙酸乙酯稀釋四甲氧矽烷 所形成之溶液，乾燥後進行紫外線照射使其硬化，以進行 封孔處理。 其次’對被覆之介電體表面進行平滑硏磨加工，使 Rma X爲5//m而得。 又，最終之介電體空隙率爲5體積％。 此時介電體之S i〇X含量爲7 5莫耳％。 又’最終之介電體膜厚爲lmm (膜厚變動± 1%以 內），介電體之電容率爲10，且導電性母材與介電體之 線熱膨脹係數差爲9 . 8 X 1 0 - 6 /。(：。 接著對所得滾軸電極2 5進行接地。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，同條件下對中空狀角型純鈦管被覆上述介電體 以作爲施加電極’而形成對向電極群。該施加電極之介電 體物性雖同滾軸電極，但，導電性母體與介電體之線熱膨 脹差爲1 . 7 X 1 0 _ 6 / °C。又，施加電極之放電總面積 爲1 5 0 cm (寬方向）X 2 cm (運送方向長）X 5 0個 (施加電極數）=15000cm2。 所得對向電極組之耐熱溫度爲2 0 0 °C，耐電壓爲 1 0 kV以上，臨界輸出功力爲4 0 kW/m2以上，且 2 4 0小時連續放電下完全未破壞。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -47- 1225897 A7 B7 五、發明説明（ (製作本發明之介電體被覆電極組B ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 除了將本發明之介電體被覆電極組A中，作爲施加電 極之中空狀角型純鈦管改爲不銹鋼管外，其他同上述製作 介電體被覆電極B。結果，除了施加電極之導電性母體與 介電體之線熱膨脹係數差爲9 · 8 X 1 0 - 6 /t以外，其 他的介電體表面之Rma X、S i〇x含量、介電體膜厚 及電容率同介電體被覆電極組A。 所得介電體被覆電極組B之耐熱溫度爲1 2 0 °C，耐 電壓爲1 0 kV以上，臨界輸出功力爲4 0 0 kW/m2以 上，且2 4 0小時連續放電下完全未破壞。 (製作本發明之介電體被覆電極組C ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對圖2之滾軸電極2 5中具有利用冷却水之冷却設備 的不銹鋼製套管母材（圖2未圖示冷却設備），利用玻璃 襯底法形成泡混入量不同之雙層所構成的介電體，使滾軸 徑2 0 0 m m 0。結果介電體之下層的泡混入量爲2 5 vo1%，厚爲〇.3mm，又，上層之泡混入量爲3 v 〇 1%，厚爲〇 · 7mm。其後對介電體表面進行平滑 硏磨加工，使R m a X爲5 // m。 所得介電體之空隙率（具有貫通性之空隙率）爲〇體 積％。 又，最終之介電體膜厚爲1mm (膜厚變動± 1%以 內），介電體之電容率爲6 · 1 ，且導電性母材與介電體 之線熱膨脹係數差爲5 · 3 X 1 0 — 6 /t。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A7 _ B7___ 五、發明説明（>6 接著對所得滾軸電極2 5進行接地。 另外，同條件下利用玻璃襯底法，使中空狀角型不錄 鋼管形成介電體以作爲施加電極，而形成對向電極群。結 果施加電極之放電面積爲，1 5 0 cm (寬方向長）X 2 c m C運送方向長）X 5 0個（施加電極數）二 1 5 〇 0 0 c m 2。 所得對向電極組之耐熱溫度爲1 0 0 °c，耐電壓爲 1〇kV以上，臨界輸出功力爲2 0 0 kw/m2以上，且 2 4 0小時連續放電下完全未破壞。 (製作比較用介電體被覆電極組） 除了將氧化鋁溶射方法由大氣電漿法改爲火焰溶射法 外，其他同介電體被覆電極組A製作比較用介電體被覆電 極。 結果電極之最終介電體的空隙率爲1 1體積％，耐熱 溫度8 0°C，耐電壓2 kV，臨界輸出功力爲8 kw/m2 (0 · 8W/cm2)，故無法達到目標輸出功力。 (製作基材） 以下列方法製作作爲基材之纖維素酯膜。 <調製膠C > 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-49- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A7 _B7__ 五、發明説明（ (調製氧化矽分散液A ) 艾羅吉200V (日本艾羅吉（股）製 1kg 乙醇 9kg 利用溶解機將上述材料攪拌混合3 0分鐘後，利用曼 得林型高壓分散裝置進行分散。 (製製添加液B ) 纖維素三乙酸酯（乙醯取代度：2 · 65) 6kg 伸甲基氯化物 140kg 將上述材料投入密閉容器中，加熱攪拌使其完全溶解 後過濾。其後攪拌下加入氧化矽分散液A 1 0 k g，再 攪拌3 0分鐘，過濾後得添加液B。 (調製膠原液C ) 伸甲基氯化物 440kg 乙醇 3 5kg 三乙醯纖維素（乙醯取代度·· 2 · 6 5 ) 100 kg 三苯基磷酸酯 8kg 乙基酞醯乙基乙醇酸酯 3kg 吉奴敏326(賈巴斯公司製） 0.4kg 吉奴敏1 0 9 (賈巴斯公司製） 0.9kg 吉奴敏1 7 1 (賈巴斯公司製） 0.9kg 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-50- 1225897 A7 B7 五、發明説明（油 將溶劑投入密閉容器後，攪拌下投入上述材料，再加 熱擾梓使其兀全丨谷解混合。將膠降溫至流延溫度靜置一晚 後進行脫泡操作，再以安積濾紙（股）製安積濾紙 N 〇 _ 2 4 4過濾溶液，得膠原液C。 以每溶液1 0 0 k g添加液B 2 k g方式加入添加 液B後，利用聯機混合機（東連靜止型管內混合機 H-Mixer ’ s w J )充分混合，過濾後得膠C。 <調製膠E > 調製氧化矽分散液A ) 艾羅吉R9 7 2V (日本艾羅吉（股）製） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 次粒子平均徑 m ) 乙醇 kg k g 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 利用溶解機將上述材料攪拌混合3 〇分鐘後，利用曼 得林型高壓分散裝置進行分散。 (調製添加液D ) 纖維素乙酸酯丙酸酯（乙醯取代度： 代度：0 . 8 ) 乙酸甲酯 乙醇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡） 2 . 0，丙醯取 6kg 10 0kg 4 0 k g -51 - 1225897 A7 B7 五、發明説明（舶 將上述材料投入密閉容器中，加熱攪拌使其完全溶解 後過濾。其後攪拌下加入氧化矽分散液A 1 〇 k g，胃 攪拌3 0分鐘，過濾後得添加液D。 (調製膠原液E ) ----燊-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 纖 維 素 乙 酸 酯 丙酸 酯 ( 乙 醯 取代 度： 2 . 0 5 丙 醯 代 度 0 • 8 ) 1 0 0 k S 乙 酸 甲 酯 2 9 0 k g 乙 醇 8 5 k g Κ Ε — 6 0 4 (荒 川 化 學 工 業） 1 5 k S Ρ U V A — 3 0 Μ ( 大 塚 化 學（ 股） 製 5 k g 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將溶劑投入密閉容器中，攪拌下投入上述材料，再加 熱攪拌使其完全溶解混合。將所得之膠降溫至流延溫度靜 置一晚後進行脫泡處理，再利用安積濾紙（股）製安積濾 紙N 〇 · 2 4 4過濾溶液，得膠原液E。 以溶液每1 0 0 k g添加液D 2 k g方式添加添加 液D後，利用聯機混合機（東連靜止型管內混合機Hi-Mixer，S W J )充分混合，過濾後得膠E。 <調製膠G > 艾羅吉200V(日本艾羅吉（股）製） 1kg 乙醇 9kg 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -52 - 1225897 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ B7__ 五、發明説明（鉍 利用溶解機將上述材料攪拌混合3 0分鐘，利用曼得 林型高壓分散裝置進行分散。 (調製添加液E ) 纖維素三乙酸酯（乙醯取代度：2·88) 6kg 伸甲基氯化物 140kg 將上述材料投入密閉容器中，加熱攪拌下使其完全溶 解後過濾，其次攪拌下加入氧化矽分散液F l〇kg， 再攪拌3 0分鐘，過濾後得添加液E。 (調製膠原液G ) 伸甲基氯化物 440kg 乙醇 3 5kg 三乙醯纖維素（乙醯取代度：2 · 8 8 ) 1 〇〇 k g 三苯基磷酸酯 9kg 乙基酞醯乙基乙醇酸酯 4kg 吉奴敏326(賈巴斯公司製） 〇.4kg 吉奴敏ι〇9(賈巴斯公司製） 〇,gkg 吉奴敏171(賈巴斯公司製） 〇 • y κ g 將溶劑投入密閉容器中，攪拌下投入上述材料，再加 熱攪拌使其完全溶解混合。將所得之膠降溫至流延溫度靜 置一晚後進行脫泡處理，再利用安積濾紙（股）製安積滤 本紙張^度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-53- 1225897 A7 B7 五、發明説明（h 紙N ◦ · 2 4 4過濾溶液，得膠原液G。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 以溶液每1 0 0 k g添加液E 2 k g方式添加液加 液E ，再利用聯機混合機（東連靜止型管內混合機Hi_ Mixer，S W J )充分混合，過濾後得膠G。 又，上述調製膠C、E、G時所使用之纖維素酯的取 代度係利用下列方法測得。 <測定纖維素酯之取代度> 依據A S T Μ - D 8 1 7 — 9 6所規定之方法測定。 <製作纖維素酯膜> 使用所得之膠C、Ε及G製作下列纖維素酯膜。 (製作纖維素酯膜1 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將膠C過濾後，利用帶流延裝置以膠溫度3 5 °C方式 ，均勻流延於3 0 °C之不銹鋼帶支持體上。其後乾燥至能 剝離狀態，再由不銹鋼帶支持體上剝離薄片。此時薄片之 殘留溶劑量爲3 5 %。 由不銹鋼帶支持體剝離後，於保持寬方向下以1 1 5 °C乾燥，再解放寬保持狀態，其後於滾軸運送下利用 1 2 0 °C乾燥區結束乾燥，對薄膜兩端進行寬1 0 m m， 高5 // m之壓花加工，得膜厚8 0 //m之纖維素酯膜1。 所得薄膜寬度爲1 3 0 Omm，卷取長度爲15 0 Om。 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） $ 1225897 A7 一_____________ 五、發明説明（& (製作纖維素酯膜2、3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 除了以膠E取代膠C外，其他相同，製作膜厚8 〇 A m纖維素酯膜2。又，除了以膠G取代膠E外，其他相 同’製作膜厚8 0 // m之纖維素酯膜3。 以下列方法評估所得纖維素酯膜1至3之保留性。結 果由8 0 °C、9 0 % R Η之條件下放置4 8小時前後之 質量變化求得的保留性爲，纖維素酯膜1、2、3各自爲 5 . 1 %、0 · 4 %、5 · 0 %。 <保留性之評估方法> 將試料裁成1 〇 c m X 1 0 c m大小後，測定2 3 '55% RH環境下放置24小時之質量，再放置於 80%、90% RH下48小時。處理後輕擦試料表面 ’再放置2 3 t：、5 5 % R Η下1天後測定質量，再以 下列方法計算保留性（質量％ )。 保留性=丨（放置前質量-放置後質量）/放置前質 量} X 1 0 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <製作基材薄膜> 使用上述所得之纖維素酯膜1至3，製作下列基材。 (製作基材薄膜1) 直接以上述方法所製得之纖維素酯膜1作爲基材薄膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -55- 1225897 A7 B7 五、發明説明（刼 (製作基材薄膜2 ) 以薄膜厚1 3 // m方式將下列塗布組成物擠押塗布於 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述方法所製得之纖維素酯膜1的單面（b面：流延製膜 時帶支持體接觸膠之側定義爲b面）上，再以設定爲8〇 °C之乾燥部進行乾燥，其後以1 2 0 m J / c m 2照射紫外 線，得乾燥膜厚4 // m之中心線平均表面粗糙度（R a ) 1 5 n m的透明硬塗層。 (製作基材薄膜3) 以薄膜厚1 3 // m方式將下列塗布組成物擠押塗布於 上述方法所製得之纖維素酯膜1的單面（b面）上，再以 設定爲8 0 °C之乾燥部進行乾燥，其後以1 2 0 m J / c m 2照射紫外線，得乾燥膜厚5 // m之防眩層（中心線平 均表面粗糙度（Ra) 〇 . 3//m)。 (製作基材薄膜4至6 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除了將纖維素酯膜1改爲纖維素酯膜2外，其他同上 述基材薄膜1至3，製作基材薄膜4至6。 (製作基材薄膜7至9 ) 除了將纖維素酯膜1改爲纖維素酯膜3外，其他同上 述基材薄膜1至3 ，製作基材薄膜7至9。但，纖維素酯 膜3未塗布透明硬塗層及防眩層之前，先以薄膜厚1 3 // m方式下列塗布組成物（1 )擠押塗布於纖維素酯膜之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2⑴X297公釐） -56- 1225897 A7 Β7 五、發明説明（h a面（流延製膜時接觸帶支持體側（b面）之反面）上， 再以乾燥溫度8 0 °C進行乾燥，得後塗層。 下面將說明上述製作基材薄膜時所使用之塗布組成物 (1 ) 、（ 2 )的組成成分及塗布組成物（3 )之調製方 法。 3 0質量單位 4 5質量單位 1 0質量單位 0 . 5質量單位 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 塗布組成物（1 )(後塗層塗布組成物） 丙酮 乙酸乙酯 異丙醇 二乙醯纖維素 超微粒子二氧化矽2%丙酮分散液（艾羅吉2 0 0 V :日本艾羅吉（股）製 0.1質量單位 塗布組成物（2 )(透明硬塗層（C H C )層塗布組成物） 二季戊四醇六丙烯酸酯單體 60質量單位 二季戊四醇六丙烯酸酯二聚物 20質量單位 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 二季戊四醇六丙烯酸酯三聚物以上之成分 2 0質量單位 4質量單位 5 0質量單位 5 0質量單位 5 0質量單位 二甲氧基二苯甲酮光反應引發劑 乙酸乙酯 甲基乙基酮 •異丙醇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x297公釐） -57- 1225897 A7 B7_ 五、發明説明（《5 塗布組成物（3 )(防眩層製作用） 乙酸乙酯 5 0質量單位 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 甲基乙基酮 50質量單位 異丙醇 5 0質量單位 賽林亞43 1 (平均粒徑2 · 5//m)(富士西林亞 化學（股）製） 2 · 5質量單位 艾羅吉R972V (平均粒徑16nm)(日本艾羅 吉（股）製） 2質量單位 以高速攪拌機（T K均混機，特殊機化工業（股）製 )攪拌上述材料後，利用衝突型分散機（曼得林，可林（ 股）製）進行分散，再加入下列成分，得塗布組成物（3 )° 二季戊四醇六丙烯酸酯單體 60質量單位 二季戊四醇六丙烯酸酯二聚物 2 0質量單位 二季戊四醇六丙烯酸酯三聚物以上之成分 2 0質量單位 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 二甲氧基二苯甲酮光反應引發劑 4質量單位 所得基材薄膜1至9如下列表1所示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -58- 1225897 B7 五、發明説明（te <P<丄 基材薄膜 支持體 a面塗布層 基材薄膜1 纖維素酯膜1 Μ 姐 __― 广、、____________ 基材薄膜2 纖維素酯膜1 诱明硬星里__- 基材薄膜3 纖維素酯膜1 4rrf ΙΙΙΓ 川、 防暖屋一一^一 基材薄膜4 纖維素酯膜2 m___— 基材薄膜5 纖維素酯膜2 4vrC M 透明一^ 基材薄膜6 纖維素酯膜2 /fnr III: J \\\ -- 基材薄膜7 纖維素酯膜3 後塗層 Μ __ w、、 ------------ 基材薄膜8 纖維素酯膜3 後塗層 ___ 基材薄膜9 纖維素酯膜3 後塗層 ^一 ----------装-- (請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (本發明之實施例1 ) <製作光學薄膜> 使用表1所記載之基材薄膜8，利用具有圖2所示放 電處理容器之圖6的電漿放電處理裝置，於設置上述製作 本發明之介電體被覆電極B所製得的電極組下，分別製作 具有表2所示防反射膜之光學薄膜8 A至8〇。 又，電漿生產用電源爲，神鋼電機製高周波電源（ 5 0 k Η z )、海電硏究所製脈衝高周波電源（連續型使 用100kHz)、帕路工業製高周波電源（200 k Η z )、帕路工業製高周波電源（8 0 0 k Η z )、日 本電子製高周波電源（13. 56MHz)、帕路工業製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 59- 1225897 A7 ___ _B7_ _ 五、發明説明（\Ί 高周波電源（150kHz)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) <放電條件> 於0 . 1至1 0 0 w/ C m 2之間改變放電輸出功力。 <反應性氣體> 電漿處理所使用之混合氣體（反應性氣體）之組成如 下所示。 (氧化鈦層形成用） 不活性氣體：氫 9 8 . 7 5體積％ 反應性氣體1 :氫氣（對混合氣體全體爲1 % ) 反應性氣體2 :四異丙氧鈦蒸氣（將液體加熱至 1 5 0 °C使氫沸騰）對反應性氣體全 體爲0.25體積％ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 利用上述反應性氣體，以上述放電條件連續對基材薄 膜之硬塗層進行大氣壓電漿處理，得1 0 0 nm薄膜。其 次，測定所得薄膜之折射率。 <測定折射率、膜厚> 利用分光光度計1 U - 4 0 0 0型以5度正反射之條 件，測定上述薄層之反射率。測定方式爲，對觀察側之背 面進粗面化處理後，利用黑色噴霧進行光吸收處理以防止 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -60- 1225897 B7 五、發明説明（紅 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 薄膜背面產生光反射，再測定反射率（4 0 〇 n m -700nm之波長）。其後由光譜之λ/4値算出光學膜 厚，再算出折射率。另外，由反射光譜算出膜厚。又，所 採用之代表値爲5 5 0 n m之折射率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表2 電源周波數 (正弦波） 放電輸出功力 折射率 光學薄膜8 A 200kHz 1.2W/cm2 2.2 本發明 光學薄膜8B 200kHz 25W/cm2 2.32 本發明 光學薄膜8C 800kHz 1.2W/cm2 2.25 本發明 光學薄膜8D 800kHz 25W/cm2 2.34 本發明 光學薄膜8E 13.56MHz 1.2W/cm2 2.28 本發明 光學薄膜8F 13.56MHz 25W/cm2 2.34 本發明 光學薄膜8G 150MHz 1.2W/cm2 2.22 本發明 光學薄膜8H 150MHz 25W/cm2 2.31 本發明 光學薄膜8I 50kHz 1.2W/cm2 1.75 本發明 光學薄膜8J 50kHz 25W/cm2 1.8 本發明 光學薄膜8K 100kHz 0.8W/cm2 1.81 本發明 光學薄膜8L 100kHz 1.2W/cm2 1.85 本發明 光學薄膜8M 200kHz 0.8W/cm2 1.88 本發明 光學薄膜8N 13.56MHz 0.8W/cm2 1.9 本發明 光學薄膜8〇 150MHz 0.8W/cm2 1.9 本發明 準 標 家 國 國 中 用 適 度 尺 I張 -紙 I本 釐 公 97 2 61 1225897 A7 -'----一__ B7 五、發明説明（^ ^ --- 由表得知’本發明之光學薄膜8A至8H爲，能提升 折射率之良質膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例2 <製作光學薄膜> 使用表1所記載之基材薄膜1至9，利用同實施例工 之電漿放電處埋裝置分別製作光學薄膜2 2至3 2。詳細 製作過度如下所示。 但，光學薄膜2 2至3 〇中，滾軸電極之介電體表面 粗糙度爲R m a X 5 // m，又，所使用之電源爲，利用 日本電子（股）製高周波電源j r F - 1 〇 〇 〇 〇以周波 數13 . 56MHz之電壓，供給2〇W/cm2之電力（ 合計電力84kw)。 光學薄膜3 1及3 2中，滾軸電極之介電體表面粗糙 度各自爲 Rmax 37//m 及 Rmax 且 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 兩者均以周波數50 1【112供給〇.5界/(：1112電力（合 計電力2 · 1 k W )。 <反應性氣體> 電漿處理所使用之混合氣體（反應性氣體）之組成如 下所示。 ^紙張尺_&用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X297公釐） -62- 1225897 A7 B7 五、發明説明（$0 (氧化砂層形成用） 不活性氣體：氫 9 8 · 2 5體積％ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 反應性氣體1 :氫氣 1 _ 5體積％ 反應性氣體2 :四甲氧矽烷蒸氣（利用氬氣沸騰） 0 . 2 5體積％ (氧化鈦層形成用） 不活性氣體：氫 9 8 . 9體積％ 反應性氣體1 :氫氣 0 · 8體積％ 反應性氣體2 :四甲氧矽烷蒸氣（將液體加熱至 150 °C使氬沸騰） 0.3體積％ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以上述條件連續對基材薄膜1至9之b面（以不銹鋼 帶狀支持體上由膠流延製膜時，接觸帶狀支持體之側爲b 面）進行大氣壓電漿處理，依序設置高折射率層（折射率 2 . 3 ，膜厚1 3 n m )、低折射率層（折射率1 . 4 4 ，膜厚3 5 n m )、高折射率層（折射率2 . 3，膜厚 1 2 2 n m )、低折射率層（折射率1 . 4 4，膜厚8 9 n m )之4層。 對所得具有防反射膜之光學薄膜進行反射率測定及步 驟污染評估。 又，光學薄膜2 2至3 0之氧化矽層及氧化鈦層的碳 含量分別爲1 . 2質量％，光學薄膜3 1及3 2之氧化矽 層及氧化鈦層的碳含量分別爲1 0 . 8質量％。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -63- 1225897 A7 B7 五、發明説明（备1 <測定反射率（最低反射率）> 利用分光光度計1 U - 4 0 0 0型（日立製作所製） 以5度正反射之條件，測定光學薄膜之分光反射率。測定 方式爲，對觀察側之背面進行粗面化處理後，利用黑色噴 霧進行光吸收處理以防止薄膜背面產生光反射，再測定反 射率（4 0 0 n m至7 0 0 n m之波長）。結果以本發明 方法所形成之具有薄膜的光學薄膜2 2至3 0之反射率低 於0 · 2%，而具有幾無光反射光譜，故具有優良防反射 性能，但，比較用光學薄膜3 1及3 2無法充分降低反射 率，因此僅能製作折射率本身較低之物且增加膜厚變動。 <剝離試驗> 依據J I S K 5 4 0 0進行棋盤試驗。利用刀片 刀刃面以9 0 °C角度將薄膜表面切成間隔1 m m之縱橫線 各1 1條，得1 〇 〇個1 m m方塊狀棋盤。其後張貼市售 膠帶，以手持一端方式進行垂直強力剝離’再以下列等級 評估切割所張貼之膠帶面積的薄膜剝離面積比率。 A :完全未剝離 B :剝離面積比率低於1 〇 % C :剝離面積比率爲1 〇 %以上 <步驟性污染> 以目視方式確認電漿處理後電漿處理室內步驟性污染 ，再以下列4階段評估等級。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公菱） ----------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -64- 1225897 B7 五、發明説明（备2 ◎:幾乎無法確認污染 〇：稍有污染，無問題階段‘ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) △:可確認污染，希望淸掃階段 X :恐有因污染而故障階段 表3 平均反 射率 步驟性 污染 剝離 試驗 光學薄膜22 基材薄膜1 0.2% Δ A 本發明 光學薄膜23 基材薄膜2 0.2% 〇 A 本發明 光學薄膜24 基材薄膜3 0.2% 〇 A 本發明 光學薄膜25 基材薄膜4 0.2% ◎ A 本發明 光學薄膜26 基材薄膜5 0.2% ◎ A 本發明 光學薄膜27 基材薄膜6 0.2% ◎ A 本發明 光學薄膜28 基材薄膜7 0.2% Δ A 本發明 光學薄膜29 基材薄膜8 0.2% 〇 A 本發明 光學薄膜30 基材薄膜9 0.2% 〇 A 本發明 光學薄膜3 1 基材薄膜2 3.5% X C 比較例 光學薄膜32 基材薄膜2 5.1% X C 比較例 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -65- 1225897 A7 B7 五、發明説明（k 實施例3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) <製作光學薄膜> 使用表1所記載之基材薄膜1至9，利用同實施例1 之電漿放電處理裝置，分別製作光學薄膜3 3至4 3，再 評估表面比電阻、步驟性污染、剝離性。又，詳細製作過 程如下所示。 但，光學薄膜3 3至41中，滾軸電極之介電體表面 粗糙度爲R m a x 5 // m，又，使用電源爲，利用日本 電子（股）製高周波電源J R F - 1 〇 〇 〇 〇以周波數 1 3 · 56MHz之電壓供給2〇W/cm2之電力（合計 電力8 4 k W )。 另外，光學薄膜4 2至4 3中，滾軸電極之介電體表 面縫度各自爲Rmax 37//m及Rmax 1 1 β m ，且兩者均以周波數5 0 kHz供給Ο · 5W/cm2之電 力（合計電力2 · 1 W )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (導電層形成用） 不活性氣體：氬 反應性氣體：使用四丁基錫中使氬沸騰及，另外之三 乙基銦中使氬沸騰之1對1混合物。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -66- 1225897 A7 B7 五、發明説明（釦 表4 —— _ ---—__ 表面比電 阻Ω /□ 步驟性 污染 剝離 試驗 1 薄膜33 基材薄膜1 104 Δ A 本發明 薄膜34 基材薄膜2 104 〇 A 本發明 學薄膜35 基材薄膜3 104 〇 A 本發明 薄膜36 基材薄膜4 104 ◎ A 本發明 學薄膜37 基材薄膜5 104 ◎ A 本發明 薄膜38 基材薄膜6 104 ◎ A 本發明 學薄膜39 基材薄膜7 104 Δ A 本發明 學薄膜40 基材薄膜8 104 〇 A 本發明 光學薄膜4 1 基材薄膜9 104 〇 A 本發明 光，薄膜42 基材薄膜2 105 X B 比較例 光學薄膜43 基材薄膜2 107 X B 比較例 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <表面比電阻> 以2 3 °C、5 5 % R Η之條件對偏光板用保護薄膜 進行6小時調濕後，同條件下利用絕緣電阻測定器（川口 電氣公司製V Ε - 3 0型）測定塗膜表面之表面比電阻値 。又，以間隔1 c m且平行配置之2個電極（與試料接觸 之部分爲1 c m X 5 c m )作爲測定闬電極，並將試料接 觸電極進行測定，再以測定値5倍之値爲表面比電阻Ω / 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -67- 1225897 Α7 Β7 五、發明説明（妇 實施例4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將塗布組成物（2 )或（3 )塗布於實施例3所得之 光學薄膜的各自導電層上，再進行防反射加工，得形成防 污層之光學薄膜44至49。 <塗設透明硬塗（CHC)層> 將下列塗布組成物（2 )以照相凹版塗布法塗布於上 述方法所得之光學薄膜3 3、3 6、3 9的各自導電層上 ，再以設定爲8 0 °C之乾燥部進行乾燥，其後以1 2 0 m J / c m 2進行紫外線照射，得乾燥膜厚3 # m之中心線 表面粗糙度（R a ) 1 3 n m的透明硬塗層。 <塗設防眩層> 將上述塗布組成物（3 )以照相凹版塗布法塗布於上 述方法所製得之光學薄膜3 3、3 6、3 9的各自導電層 上，再以設定爲8 0 t之乾燥部進行乾燥，其後以1 2 0 m J / c m 2進行紫外線照射，得乾燥膜厚3 // m之防眩層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (中心線平均表面粗糙度（R a ) 0 · 2 5 // m )。 (透明硬塗層（C H C層）塗布組成物） 二季戊四醇六丙烯酸酯單體 60質量單位 二季戊四醇六丙烯酸酯二聚物 2 0質量單位 二季戊四醇六丙烯酸酯三聚物以上之成分 2 0質量單位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） • 68 - 1225897 A 7 B7 五、發明説明（細 二甲氧基二苯甲酮光反應引發劑 4質量單位 乙酸乙酯 5 0質量單位 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 甲基乙基酮 50質量單位 異丙醇 5 0質量單位 又，同實施例2之方法於透明硬塗層（C H C層）或 防眩層上形成氧化鈦層及氧化矽層後，進行防反射加工。 即，利用同實施例1之電漿放電處理裝置對各個薄膜之 C H C層或防眩層連續進行大氣壓電漿處理，依序設置氧 化鈦層（折射率2 . 3，膜厚1 3 n m )、氧化矽層（折 射率1 · 4 4，膜厚3 5 n m )、氧化鈦層（折射率 2 · 2，膜厚122nm)及氧化矽層（折射率1 . 44 ，膜厚89nm)之4層。 另外，利用防污層形成用反應性氣體形成膜厚1 n m 之防污層。 (防污層形成用） 不活性氣體：氬 9 9 . 8體積％ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 反應性氣體：6氟化丙烯 0 . 2體積％ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） -69- 1225897 A7 B7 五、發明説明（备7 表5 基相 防反射加工 防污層 光 學 薄 膜 44 光 學 薄 膜 33 CHC 層 有 有 光 學 薄 膜 45 光 學 薄 膜 33 防眩 層 有 有 .光 學 薄 膜 46 光 學 薄 膜 36 CHC 層 有 有 光 學 薄 膜 47 光 學 薄 膜 36 防眩 層 有 有 光 學 薄 膜 48 光 學 薄 膜 39 CHC 層 有 有 光 學 薄 膜 49 光 學 薄 膜 39 防眩 層 有 有 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

所得光學薄膜均具有均勻反射率，且既使按指紋亦能 擦拭乾淨。 實施例5 利用下列方法由實施例4所得光學薄膜4 4至4 9製 作偏光板，再進行評估。 利用下列方法以光學薄膜4 4作爲偏光板用保護薄膜 ，製作本發明之偏光板4 4。 1.製作偏光膜 對厚1 2 0 //m之連續成型聚乙烯醇膜進行單軸延伸 (溫度1 0 0 °C，延伸倍率5倍）後，浸漬於腆 0 · 07 5g、碘化紳5g及水l〇〇g所形成之水溶液 中6 0秒，其後再浸漬於碘化鉀6 g、硼酸7 . 5 g及水 1〇0 g所形成之6 8 °C水溶液中。接著水洗再乾燥，得 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -70 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A7 B7 五、發明説明（备8 連續成型之偏光膜。 2·製作偏光板 依下列步驟1至5貼合偏光板及偏光板用保護薄膜， 得偏光板。 步驟1 : 6 0 °C下將實施例4所得之連續成型光學薄 膜4 4浸漬於2 m ο 1 / 1之氫氧化鈉溶液中9 0秒後， 水洗再乾燥。又，預先將剝離性保護薄膜（聚對苯二甲酸 乙二醇酯）張貼於設置防反射膜之面上加以保護。 同樣地，6 0 °C下將連續成型纖維素酯膜浸漬於2 m ο 1 / 1之氫氣化鈉溶液中9 0秒後，水洗再乾燥。 步驟2 :將上述連續成型偏光膜浸漬於固體成分2質 量％之聚乙烯醇接著劑槽中1至2秒。 步驟3 :輕拭去步驟2附著於偏光膜上過剩之接著劑 ，再以步驟1中經鹼處理之光學薄膜4 4及纖維素酯膜挾 住形成層合配置。 步驟4:利用2個回轉滾筒，以20至30N/cm2 之壓力下及約2 m / m i η速度進行貼合。注意不要混入 氣泡。 步驟5 : 8 0 t：乾燥機中對步驟4所得試料進行2分 鐘乾燥處理，得本發明之偏光板4 4。 接著，除了以實施例4所得光學薄膜4 5至4 9取代 光學薄膜4 4外，其他同偏光板4 4製作法，製作各偏光 板。又，除了使用光學薄膜3 1外，其他相同，製作比較 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-71 - 1225897 A7 B7 五、發明説明（如 用偏光板3 1。 謹慎剝離市售液晶顯示板（N E c製，彩色液晶顯示 請 先 閲 讀 背 Λ 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 器 Mulh Sync LCD 1 525J，型品 LA— 1529HM)之最 表層偏光板後’張貼對照偏光板方向之本發明偏光板4 4 至4 9或比較用偏光板3 1。以目視觀察各個液晶顯示板 ’結果對使用比較用偏光板之液晶顯示板，使用本發明偏 光板之液晶顯示板無反射光斑，而具有優良顯示性能。 表6 基 材 反射光 斑 偏 光板 44 光 學 薄 膜 44 無法確 認 本 發 明 偏 光板 45 光 學 薄 膜 45 無法確 認 本 發 明 偏 光板 46 光 學 薄 膜 46 無法確 認 本 發 明 偏 光板 47 光 學 薄 膜 47 無法確 認 本 發 明 偏 光板 48 光 學 薄 膜 48 無法確 認 本 發 明 偏 光板 49 光 學 薄 膜 49 無法確 認 本 發 明 偏 光板 31 光 學 薄 膜 31 明顯 比 較 例 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例6 手[J用日本真空製膜裝置LOAD-LOCK TYPE VACUUM ROLL COATER EWA-310，以下列方法測定對基材薄膜8製 作1 0 0 n m T i〇2薄膜之薄膜9 0及實施例1所得光 學薄膜8A、8 B、8D、8 F、8 I 、8N之碳含量。 又，評估該光學薄膜之耐傷性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） ~ — 1225897 A7 B7 五、發明説明（>〇 <測定碳含量> (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用X P S表面分析裝置測定碳含率。該X p S表面 分析裝置並無特別限制，可爲各種機型，但本實施例使用 V G賽恩弟公司製ESCALAB-200R。又，X線陽極使用M g ，且以輸出功力6 0 0 W (加速電壓1 5 k V，放出電流 4 0 m A )測定。能量分解能以淸淨a g 3 d 5 / 2峰之 半値幅規定時，設定爲1 · 5至1 . 7 e V。又，爲了去 除污染所產生之影響，測定前需以蝕刻法去除薄膜之膜厚 相當於1 0至2 0 %的表面層。去除表面層之方法較佳爲 ，使用能利用稀有氣體離子之離子槍，該離子種如H e、 N e、A r 、X e、κ r等。本測定係利用A r離子蝕刻 去除表面層。 首先以資料讀取間隔1 · 〇 e V方式測定鍵能〇 e V 至1 1 0 0 e V範圍，求取任何能驗出之元素。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次對驗出除了蝕刻離子種以外之元素以資料讀取間 隔爲0 · 2 e V方式，測定能賦予最大強度之光電子峰中 窄掃描下各元素光譜。又，爲了不使所得光譜因不同測定 裝置或電腦而算出不同含量，可於轉送至VAMAS-SCA-JAPAN 製 COMMON DATA PROCESSING SYSTEN (較佳爲 V e r 2 . 3以下）以相同程序處理，再求取碳含量作爲 原子數濃度（atomic concentration)。 定量處理前對各元素進行Count Scale校準後，進行5 測點之校平處理。又，定量處理係使用去除背景之最大區 域強度（c p s * e V )。背景處理係利用Shirley之方法 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -73- 1225897 A7 ___ B7 五、發明説明（ 〇

Shirley 法可參考 d. A. Shirley，Phys. Rev·，B5，4709 (1972)。 <耐傷性之測定方法> 將荷重2 5 〇 g之1 X 1 c m面貼合鋼絲棉之探針押 附於光學薄膜之薄膜上進行1 〇次往返運動後，測定擦傷 之條數。 表7 製 膜 方 法 碳素含率 耐傷性 備 考 (質量％) 光 學 薄 膜 8A 大 氣 壓 電 漿 5 1條 本 發 明 光 學 薄 膜 8C 大 氣 壓 電 漿 3 0條 本 發 明 光 學 薄 膜 8D 大 氣 壓 電 漿 0.3 0條 本 發 明 光 學 薄 膜 8F 大 氣 壓 電 漿 0.2 1條 本 發 明 光 學 薄 膜 81 大 氣 壓 電 漿 23 34條 比 較 例 光 學 薄 膜 8N 大 氣 壓 電 漿 7 21條 比 較 例 光 學 薄 膜 90 真 空 鍍 著 未驗出 27條 比 較 例 由表得知，薄膜之碳含率爲本發明範圍時，可提升耐 傷性。 實施例7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -74- 1225897 A7 --------B7 五、發明説明（>2 <製作光學薄膜> 使用表1所記載之基材薄膜8，利用同實施例1之電 獎放電處理裝置，分別製作光學薄膜5 〇至5 5。但，所 使用之電極組由本發明介電體被覆電極組B改爲A。 又’依表8所示變更放電面積、電力、施加方法等’ δ羊細製作過程如下所示。爲了調整放電面積，將寬改爲 100 cm (同時需更改基材寬），且改變角柱型施加電 極之運送方向長度及個數。 <施加方法> 連續正弦波：周波數1 3 . 5 6 Μ Η z <反應性氣體> 電漿處理所使用之混合氣體（反應性氣體）組成如下 所示。 (氧化鈦層形成用） 不活性氣體：氬 9 8 . 8體積％ 反應性氣體1:氫氣 1.〇體積％ 反應性氣體2 :四異丙氧欽蒸氣（將液體加熱至 1 50 °C使氬氣沸騰）〇 · 2體積％ 以上述條件對基材薄膜8之b面側（不錄鋼帶支持體 上由膠進行流延製膜時，以接觸帶支持體側爲b面）進行 用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -75- 1225897 A7 B7 五、發明説明（>3 大氣壓電漿處理，得以氧化鈦爲主成分之層（折射率 2 · 3，膜厚1 0 0 n m )。評估所得光學薄膜之膜厚偏 差及折射率分布，結果如表8所示。 <膜厚偏差之評估法> 利用實施例1之膜厚測定法，以間隔 寬1 0 0 c m之9 9點後，評估膜厚偏差。 方式測定 膜厚偏差 測定數·Σ (膜厚)2 -(Σ (膜厚)2) 面定數(測定數)-1) <折射率分布之評估法> 利用實施例1之折射率測定法，以間隔 定電1 0 0 c m之9 9點後，評估折射率分布 方式測 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 折射率分布^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家檩準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -76- 1225897 A7 --- B7 五、發明説明（>4 表8 試料Να ------ 放電面運 送方向長 度cm 放電面運 送方向 長度/寬度 放電面積 cm2 輸出密度 W/cm2 合計電力 膜厚偏差 % 折射率分 布 50 5 1/20 500 15 7.5kW ±3.5 2.21+ 0.11 51 ----- 8 2/25 800 15 12kW ±3.0 2.23+ 0.11 _ 52 10 1/10 1000 15 15kW ± L0 2.24± 0·10 _ 53 20 1/5 2000 15 30kW ± 0.8 2.28± 0.03 54 50 1/2 5000 15 75kW ± 0.5 2·30± 0.02 100 1/1 10000 15 150kW ± 0.4 2.32± 0.02 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由上述得知，合計電力超過1 5 kW時可得優良之折 射率分布。又，放電面運送方向長度/寬度爲1/1 0以 上時，可減少膜厚偏差而成爲膜厚均勻之成膜。 產業上利用可能性 利用本發明可得耐高電壓、高輸出之電極系統及，進 行耐長時間生產且安定之放電處理及’能以高速處理製得 高性能之均勻薄膜。 圖面簡單說明 圖1爲，設置於本發明製造方法所使用之電漿放電處 理裝置中，電漿放電處理容器一例之槪略圖。 圖2爲，設置於本發明製造方法所使用之電漿放電處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -77-

Claims (1)

1. 曰 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 第901 30683號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年5月18日修正 1.一種薄膜形成方法，其特徵爲，大氣壓或接近大 氣壓之壓力下，以超過1 0 0 kH z之高周波電壓供給1 W/ cm2以上且合計電力超過15kW之電力，使對向之2 個電極間以放電面積爲1000 cm 2以進進行放電，而使反應 性氣體成爲電漿狀態，又，使基材形成薄膜之面與電極中 至少單側以相對方式移動使基材形成薄膜之面曝置於電漿 狀態之反應性氣體中而形成薄膜。 2 .如申請專利範圍第1項之薄膜形成方法，其中， 高周波電壓爲連續性正弦波。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之薄膜形成方法，其 爲將基材置於電極間，且將反應性氣體導入電極間，而於 基材上形成薄膜。 4 ·如申請專利範圍第3項之薄膜形成方法，其中， 與電極放電面之移動方向直交的寬方向長度爲與基材上形 成薄膜之領域的寬方向長度相同或更寬。 5 ·如申請專利範圍第4項之薄膜形成方法，其對電 極放電面之寬方向長度的移動方向長度爲1 0分之1以上 〇 6·如申請專利範圍第1或2項之薄膜形成方法，其 中，電極至少單側之放電面爲被覆介電體介電體被覆電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .-up 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225897 A8 B8 C8 _—___ D8 六、申請專利範圍 7 ·如申請專利範圍第6項之薄膜形成方法，其中， 介電體爲’將陶瓷溶射後以無機化合物進行封孔處理而得 之物。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 ·如申請專利範圍第7項之薄膜形成方法，其中， 陶瓷爲氧化鋁。 9 ·如申請專利範圍第7項之薄膜形成方法，其中， 封？L處理用無機化合物爲，利用溶膠凝膠反應硬化形成之 物。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之薄膜形成方法，其中 ’溶膠凝膠反應係利用能量處理促進反應。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之薄膜形成方法，其 中’能量處理爲2 0 〇°c以下之熱處理或UV照射。 1 2 ·如申請專利範圍第9至1 1項中任何一項之薄 膜形成方法，其中，封孔處理用無機化合物於溶膠凝膠反 應後含有6 0莫耳％以上之s i〇X。 1 3 ·如申請專利範圍第6項之薄膜形成方法，其中 ’介電體之空隙率爲1 〇體積％以下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之薄膜形成方法，其 中’介電體之空隙率爲8體積％以下。 1 5 ·如申請專利範圍第6項之薄膜形成方法，其中 ，介電體被覆電極之耐熱溫度爲1 〇 0°C以上。 1 6 ·如申請專利範圍第6項之薄膜形成方法，其中 ，介電體被覆電極之導電性母材與介電體的線熱膨脹係數 差爲1 Ο X 1 0 — 6 / t以下。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225897 A8 B8 C8 ______ D8 六、申請專利範圍 1 7 ·如申請專利範圍第6項之薄膜形成方法，其中 ，介電體之電容率爲6至4 5。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 8 ·如申請專利範圍第1項之薄膜形成方法，其中 ’電極中至少一方具有冷却設備，該冷却設備係由，電極 之導電性母材內部具有冷却水通路，使冷却水流經通路而 冷却所構成。 1 9 ·如申請專利範圍第1項之薄膜形成方法，其中 ，基材爲連續成型膜，對向電極中至少一側爲接觸連續成 型膜，且朝連續成型膜運送方向回轉之滾軸電極，又，與 滾軸電極對向之電極爲複數電極群。 2 0 ·如申請專利範圍第1 9項之薄膜形成方法，其 中，電極群各自爲角柱型電極。 2 1 ·如申請專利範圍第1 9或2 0項之薄膜形成方 法’其中，滾軸電極的接觸基材面之表面爲經過硏磨處理 〇 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項之薄膜形成方法，其 中，至少滾軸電極的接觸基材面之表面粗糙度Rm a X爲 1 0 // m以下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 3 ·如申請專利範圍第1 9項之薄膜形成方法，其 中，伴隨連續成型膜而進入電極間之空氣係低於1體積％ 〇 2 4 ·如申請專利範圍第1 9項之薄膜形成方法，其 中，對一個滾軸電極及電極群至少連接一個電源，且電源 能供給之合計電力爲1 5 k W以上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） -3 - 1225897 A8 B8 C8 _____ _ D8 _ 六、申請專利範圍 2 5 ·如申請專利範圍第1項之薄膜形成方法，其中 ’將含有反應性氣體及不活性氣體之混合氣體導入電極間 ’且混合氣體中不活性氣體含量爲9 9 · 9至9 0體積％ 〇 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項之薄膜形成方法，其 中，混合氣體含有9 0體積％以上之氬氣。 2 7 ·如申請專利範圍第2 5或2 6項之薄膜形成方 法，其中’混合氣體含有〇.〇1至5體積％之氧、臭氧 、過氧化氫、二氧化碳、一氧化碳、氫、氮中所選出成分 〇 2 8 ·如申請專利範圍第1項之薄膜形成方法，其中 ，反應性氣體含有有機金屬化合物及有機化合物中所選出 成分。 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項之薄膜形成方法，其 中，有機金屬化合物含有L i ，Be ，B，Na ，Mg， A 1 ，Si ，K，Ca，Sc，Ti ，V，Cr ，Mn， Fe，Co，Ni ，Cu，Zn，Ga，Ge，Rb， Sr ，Y，Zr ，Nb，Mo，Cd，In，I r ，Sn ，Sb，Cs，Ba，La，Hf，Ta，W，Tl， Pb，Bi ，Ce，Pr，Nd，Pm，Eu，Gd， Tb，Dy，Ho ，Er ，Tm，Yb，Lu 中所選出之 金屬。 3 0 .如申請專利範圍第2 9項之薄膜形成方法，其 中，有機金屬化合物係選自金屬烷氧化物、烷基化金屬及 (請先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 一裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家梯率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 · 1225897 A8 B8 C8 _____ D8 六、申請專利範圍 金屬錯合物。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 1 ·如申請專利範圍第丨項之薄膜形成方法，其中 ’薄膜含有由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化 物、金屬硼化物中所選出化合物。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項之薄膜形成方法，其 中’薄膜含有由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硼 化物中所選出化合物。 3 3 ·如申請專利範圍第3 2項之薄膜形成方法，其 中’薄膜含有金屬氧化物。 3 4 ·如申請專利範圍第3 2或3 3項之薄膜形成方 法’其中，薄膜中碳含率爲〇·1至5質量％。 3 5 ·如申請專利範圍第3 4項之薄膜形成方法，其 中’薄膜中碳含率爲〇·2至5質量％。 3 6 ·如申請專利範圍第3 5項之薄膜形成方法，其 中，薄膜中碳含率爲〇·3至3質量％。 3 7 ·如申請專利範圍第1項之薄膜形成方法，其中 ，薄膜厚度爲0·1至l〇〇〇nm。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 8 ·如申請專利範圍第1項之薄膜形成方法，其中 ’薄膜爲電極膜、介電體保護膜、半導體膜、透明導電膜 、電鉻膜、螢光膜、超傳導膜、介電體膜、太陽電池膜、 防反射膜、耐磨耗性膜、光學干擾膜、反射膜、防靜電膜 、導電膜、防污膜、硬塗膜、襯膜、防護膜、電磁波遮蔽 膜、紅外線遮蔽膜、紫外線吸收膜、潤滑膜、形狀記憶膜 、磁性記錄膜、發光元件膜、生體適用膜、耐蝕性膜、觸 本適用中關家揉準（CNS )从胁（21()>< 297公兼）" 1225897 A8 B8 C8 D8 i、申請專利範圍 媒膜、氣體感應膜、裝飾膜中所選出任何薄膜。 3 9 ·如申請專利範圍第3 8項之薄膜形成方法，其 中，薄膜爲防反射膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 0 ·如申請專利範圍第1 7項之薄膜形成方法，其 中，基材含有纖維素酯材料。 4 1 · 一種物品，其爲於基材上具有如申請專利範圍 第1至4 0項中任何一項之薄膜形成方法所形成之薄膜。 4 2 ·如申請專利範圍第4 1項之物品，其爲，具有 防反射膜之光學薄膜。 4 3 ·如申請專利範圍第4 2項之物品，其中，防反 射膜具有以折射率1 · 6至2 · 4之以氧化鈦爲主成分的 高折射率層及，折射率1 · 3至1 · 5之以氧化矽爲主成 分的低折射率層。 4 4 ·如申請專利範圍第4 3項之物品，其中，高折 射率層之折射率爲2 . 2以上。 4 5 · —種光學薄膜，其爲基材上具有防反射膜之光 學薄膜’其特徵爲，防反射膜爲折射率2 . 2以上且以碳 含率爲〇·1至5質量％之氧化鈦爲主成分的高折射率層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〇 46·如申請專利範圍第45項之光學薄膜，其中， 高折射率層之碳含率爲〇 · 2至5質量％。 4 7 ·如申請專利範圍第4 6項之光學薄膜，其中， 高折射率層之碳含率爲〇 · 3至3質量％。 4 8 ·如申請專利範圍第4 5至4 7項中任何一項之 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) a4規格（210X297公釐） 6 1225897 A8 B8 C8 六、申請專利範圍 光學薄膜，其中，防反射膜尙含有折射率爲1 · 3至1 . 5之以氧化矽爲主成分的低折射率層。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 49·如申請專利範圍第45項之光學薄膜，其中， 基材含有纖維素酯。 50·如申請專利範圍第49項之光學薄膜，其中， 基材含有可塑劑。 5 1 ·如申請專利範圍第4 9或5 0項之光學薄膜， 其中，基材表面上具有透明硬塗層或防眩層。 52·—種介電體被覆電極，其特徵爲，以經陶瓷溶 射後以無機化合物進行封孔處理之介電體被覆導電性母材 之介電體被覆電極中，介電體之空隙率爲1 0體積％以下 ，且厚度爲0.5至2mm。 5 3 ·如申請專利範圍第5 2項之介電體被覆電極， 其中，以介電體被覆導電性母體之介電體被覆電極中，介 電體之空隙率爲8體積％以下。 5 4 ·如申請專利範圍第5 2或5 3項之介電體被覆 電極，其中，電極之耐熱溫度爲i 〇 〇°C以上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 5 ·如申請專利範圍第5 2項之介電體被覆電極’ 其中，電極之導電性母材與介電體的線熱膨脹係數差爲 1 0x10 一 6 /t 以下。 5 6 ·如申請專利範圍第5 2項中任何一項之介電體 被覆電極，其中，介電體爲電容率6至4 5之無機化合物 〇 5 7 ·如申請專利範圍第5 2項之介電體被覆電極’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7 - 1225897 A8 B8 C8 __D8 六、申請專利範圍 其中，陶瓷係以氧化鋁爲主成分。 5 8 ·如申請專利範圍第5 2項之介電體被覆電極， 其中，封孔處理用無機化合物爲利用溶膠凝膠反應硬化而 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成之物。 5 9 ·如申請專利範圍第5 8項之介電體被覆電極， 其爲利用能量處理促進溶膠凝膠反應。 6 0 ·如申請專利範圍第5 9項之介電體被覆電極， 其中，能量處理爲2 0 0°C以下之.熱處理或UV照射。 6 1 .如申請專利範圍第5 8至6 0項中任何一項之 介電體被覆電極，其中，封孔處理用無機化合物於溶膠凝 膠反應後含有6 0莫耳％以上之S i Ox。 6 2 ·如申請專利範圍第5 2項之介電體被覆電極， 其爲利用硏磨處理對介電體進行表面加工。 6 3 .如申請專利範圍第6 2項之介電體被覆電極， 其中，介電體表面粗縫度Rm a X爲1 0 //m以下。 6 4 ·如申請專利範圍第5 2項之介電體被覆電極， 其中，電極具有冷却設備，該冷却設備係由，導電性母材 內部具有冷却水通路，使冷却水流經通路而冷却所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 5 ·如申請專利範圍第5 2項之介電體被覆電極， 其中，電極爲角柱型。 66·—種電漿放電處理裝置，其爲將基材置於對向 之2個電極間，於大氣壓或接近大氣壓之壓力下，對電極 間施加電壓以放電面積爲1000cm 2以上進行放電，而使反 應性氣體成爲電漿狀態，又，將基材曝置於電漿狀態之反 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 1225897 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 應性氣體中，而於基材上形成薄膜之電漿放電處理裝置中 ，其特徵爲，對向之2個電極中，至少一方爲，如申請專 利範圍第5 2至6 5項中任何一項之介電體被覆電極。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 7 ·如申請專利範圍第6 6項之電漿放電處理裝置 ，其中，基材爲連續成型膜，對向電極中至少一側爲接觸 連續成型膜，且朝基材運送方向回轉之一個滾軸電極，又 ，與滾軸電極對向之電極爲配置複數個介電體被覆電極之 電極群。 6 8 ·如申請專利範圍第6 7項之電漿放電處理裝置 ，其中，滾軸電極爲介電體被覆電極。 6 9 ·如申請專利範圍第6 7或6 8項之電漿放電處 理裝置，其中，滾軸電極之接觸基材面的表面粗糙度爲R max l〇//m 以下。 7 0 ·如申請專利範圍第6 6項之電漿放電處理裝置 ，其中，電極放電面積爲1 0 0 0 cm2以上。 7 1 ·如申請專利範圍第6 6項之電漿放電處理裝置 ，其中，電極長度比基材長度長。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 2 ·如申請專利範圍第6 6項之電漿放電處理裝置 ，其中，對一個滾軸電極及電極群至少連接一個電源，使 電源所能供給之合計電力能爲1 5 k W以上。 7 3 · —種電漿放電處理裝置，其爲將基材置於對向 之2個電極間，於大氣壓或接近大氣壓之壓力下，對電極 間施加電壓以放電面積爲1000cm 2以上進行放電，而使反 應性氣體成爲電漿狀態，又，將基材曝置於電漿狀態之反 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 1225897 A8 B8 C8 D8 、申請專利把圍 應性氣體中，而於基材上形成薄膜之電漿放電處理裝置中 ，其特徵爲，基材爲連續成型膜，又，對向電極中至少一 側爲接觸連續成型膜，且朝連續成型膜運送方向回轉之滾 軸電極，與滾軸電極對向之電極至少爲以介電體被覆導電 性母材之介電體被覆電極，另外，滾軸電極之接觸基材面 的表面粗糙度Rma X爲1 〇//m以下。 7 4 ·如申請專利範圍第7 3項之電漿放電處理裝置 ，其中，滾軸電極的接觸基材面之表面爲經過硏磨處理。 7 5 ·如申請專利範圍第.5 2項之介電體被覆電極， 其爲電漿放電處理裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -1〇 ·