JPH11191500A - グロー放電用電極、及びグロー放電プラズマによる処理方法 - Google Patents
グロー放電用電極、及びグロー放電プラズマによる処理方法Info
- Publication number
- JPH11191500A JPH11191500A JP9367413A JP36741397A JPH11191500A JP H11191500 A JPH11191500 A JP H11191500A JP 9367413 A JP9367413 A JP 9367413A JP 36741397 A JP36741397 A JP 36741397A JP H11191500 A JPH11191500 A JP H11191500A
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- glow discharge
- ceramic
- alumina
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 長時間の運転で大気圧下でグロー放電を行っ
ても、安定な放電が得られるグロー放電用電極を提供
し、大気圧下グロー放電プラズマによって表面処理を行
う場合も、長時間、均一な表面処理を実現できる表面処
理方法を提供する。 【解決手段】 大気圧近傍の圧力下でグロー放電を行
わせるグロー放電用電極において、該電極１，２を、純
度９９．６％以上のアルミナ系焼結セラミック１１，２
１で被覆したグロー放電用電極。上記のグロー放電
用電極を用いて得たプラズマにより、被処理体を処理す
る。
ても、安定な放電が得られるグロー放電用電極を提供
し、大気圧下グロー放電プラズマによって表面処理を行
う場合も、長時間、均一な表面処理を実現できる表面処
理方法を提供する。 【解決手段】 大気圧近傍の圧力下でグロー放電を行
わせるグロー放電用電極において、該電極１，２を、純
度９９．６％以上のアルミナ系焼結セラミック１１，２
１で被覆したグロー放電用電極。上記のグロー放電
用電極を用いて得たプラズマにより、被処理体を処理す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、グロー放電用電
極、及びグロー放電プラズマによる処理方法に関し、特
に、大気圧近傍の圧力下でグロー放電を行わせるグロー
放電用電極、及びこれを用いたグロー放電プラズマによ
る処理方法に関する。
極、及びグロー放電プラズマによる処理方法に関し、特
に、大気圧近傍の圧力下でグロー放電を行わせるグロー
放電用電極、及びこれを用いたグロー放電プラズマによ
る処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、グロー放電により、グロー放電プ
ラズマを発生させることが知られている。またかかる放
電プラズマにより、たとえば、プラスチック、紙、金
属、ガラス、セラミック等の被処理基材を、表面処理す
ることが知られている。
ラズマを発生させることが知られている。またかかる放
電プラズマにより、たとえば、プラスチック、紙、金
属、ガラス、セラミック等の被処理基材を、表面処理す
ることが知られている。
【０００３】たとえば、０．０１〜１０Ｔｏｒｒ程度の
低圧のグロー放電プラズマによる表面処理技術が、従来
より知られている。しかし、このような低圧グロー放電
プラズマの発生のためには、真空系が必須であるため、
設備費用が高くなるという問題点があった。そこでこの
問題点を克服するために、大気圧下でのグロー放電プラ
ズマ発生技術が提案されてきた。
低圧のグロー放電プラズマによる表面処理技術が、従来
より知られている。しかし、このような低圧グロー放電
プラズマの発生のためには、真空系が必須であるため、
設備費用が高くなるという問題点があった。そこでこの
問題点を克服するために、大気圧下でのグロー放電プラ
ズマ発生技術が提案されてきた。
【０００４】大気圧下でグロー放電を安定に発生させる
ためには、放電用電極の表面を、固体誘電体で被覆する
必要がある。たとえば特公平２−４８６２６号公報に
は、上部電極（複数の細線により構成される）に対向す
る下部電極の上面に、ガラス、セラミック、プラスチッ
ク等の固体誘電体を設ける技術が記載されている。この
固体誘電体の上に、板状体等の被処理基材を配置する。
ためには、放電用電極の表面を、固体誘電体で被覆する
必要がある。たとえば特公平２−４８６２６号公報に
は、上部電極（複数の細線により構成される）に対向す
る下部電極の上面に、ガラス、セラミック、プラスチッ
ク等の固体誘電体を設ける技術が記載されている。この
固体誘電体の上に、板状体等の被処理基材を配置する。
【０００５】しかしこの従来公報には、具体的に、どの
ような材質の固体誘電体を設けるべきであるかについて
は、記載していない。本発明者の検討によれば、この場
合の固体誘電体としては、耐久性を考慮すると、任意の
材質でよいというものではない。特に、有機系物質で
は、時間経時で物質が変質して行き、安定なグロー放電
は得られない。
ような材質の固体誘電体を設けるべきであるかについて
は、記載していない。本発明者の検討によれば、この場
合の固体誘電体としては、耐久性を考慮すると、任意の
材質でよいというものではない。特に、有機系物質で
は、時間経時で物質が変質して行き、安定なグロー放電
は得られない。
【０００６】このことに関して、特開平６−９６７１８
号公報、特開平８−９２７４７号公報、特開平７−２０
７４９９号公報等では、無機系被覆物として、セラミッ
クスを用いた技術が報告されている。たとえば特開平６
−９６７１８号公報には、表面にセラミック溶射した金
属管多数を小間隔に設置した電極に関する技術が提案さ
れている。またたとえば特開平８−９２７４７号公報に
は、酸化チタニウムと酸化アルミニウムとの混合金属酸
化物被膜、または酸化ジルコニウム被膜が形成された金
属板を下部金属電極上に配設し、その上に被処理基材を
配置する技術が提案されている。またたとえば特開平７
−２０７４９９号公報には、比誘電率１０以上で、チタ
ン酸系化合物を含む固体誘電体で被覆する技術が提案さ
れている。また、ガラス系のライニングで被膜を形成す
る技術も提案されている。
号公報、特開平８−９２７４７号公報、特開平７−２０
７４９９号公報等では、無機系被覆物として、セラミッ
クスを用いた技術が報告されている。たとえば特開平６
−９６７１８号公報には、表面にセラミック溶射した金
属管多数を小間隔に設置した電極に関する技術が提案さ
れている。またたとえば特開平８−９２７４７号公報に
は、酸化チタニウムと酸化アルミニウムとの混合金属酸
化物被膜、または酸化ジルコニウム被膜が形成された金
属板を下部金属電極上に配設し、その上に被処理基材を
配置する技術が提案されている。またたとえば特開平７
−２０７４９９号公報には、比誘電率１０以上で、チタ
ン酸系化合物を含む固体誘電体で被覆する技術が提案さ
れている。また、ガラス系のライニングで被膜を形成す
る技術も提案されている。
【０００７】その他、グロー放電用電極に関しては、特
開平７−２２０８９５号公報に、ガラス管電極にしてそ
の内面に導電性液体を循環させて電圧印加する技術が提
案され、またその他、特開平７−１１１１９５号公報、
特開平８−８１７７６号公報、特開平６−２６５８６４
号公報、特開平６−１１９９９４号公報、特開平５−１
３１１３２号公報、特開平３−５３４８２号公報等に、
各種の技術が記載されている。
開平７−２２０８９５号公報に、ガラス管電極にしてそ
の内面に導電性液体を循環させて電圧印加する技術が提
案され、またその他、特開平７−１１１１９５号公報、
特開平８−８１７７６号公報、特開平６−２６５８６４
号公報、特開平６−１１９９９４号公報、特開平５−１
３１１３２号公報、特開平３−５３４８２号公報等に、
各種の技術が記載されている。
【０００８】しかしながら、これら従来公報に記載の各
種技術も、たとえば連続運転を実施する上で、充分な耐
久性が得られるものではなかった。すなわち、たとえば
前記セラミックス溶射法では、プラズマ溶射法の原理か
ら、必ずポーラスを形成するため、均一性に欠け、連続
運転して行く上で絶縁破壊が起こり、アーク放電に移行
するため、耐久性という面で難点がある。また、ガラス
系のライニングで形成した被膜も、充分な耐久性をもつ
ものではない。
種技術も、たとえば連続運転を実施する上で、充分な耐
久性が得られるものではなかった。すなわち、たとえば
前記セラミックス溶射法では、プラズマ溶射法の原理か
ら、必ずポーラスを形成するため、均一性に欠け、連続
運転して行く上で絶縁破壊が起こり、アーク放電に移行
するため、耐久性という面で難点がある。また、ガラス
系のライニングで形成した被膜も、充分な耐久性をもつ
ものではない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解決し、長時間の運転、たとえば連続した
長時間の間、大気圧下でグロー放電を行っても、安定な
放電が得られるグロー放電用電極を提供することを目的
とし、また、グロー放電によるプラズマによって表面処
理を行う場合も、長時間、均一な表面処理を実現できる
表面処理方法を提供することを目的とする。
術の問題点を解決し、長時間の運転、たとえば連続した
長時間の間、大気圧下でグロー放電を行っても、安定な
放電が得られるグロー放電用電極を提供することを目的
とし、また、グロー放電によるプラズマによって表面処
理を行う場合も、長時間、均一な表面処理を実現できる
表面処理方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、大気圧近傍
の圧力下でグロー放電を行わせるグロー放電用電極にお
いて、該電極を、純度９９．６％以上のアルミナ系焼結
セラミックで被覆したことを特徴とするグロー放電用電
極によって、達成される。なお本明細書中、％は、重量
％を示す。
の圧力下でグロー放電を行わせるグロー放電用電極にお
いて、該電極を、純度９９．６％以上のアルミナ系焼結
セラミックで被覆したことを特徴とするグロー放電用電
極によって、達成される。なお本明細書中、％は、重量
％を示す。
【００１１】また上記目的は、大気圧近傍の圧力下でグ
ロー放電を行わせて発生させたプラズマにより被処理体
を処理するグロー放電プラズマによる処理方法におい
て、グロー放電用電極を、純度９９．６％以上のアルミ
ナ系焼結セラミックで被覆した電極を用いることを特徴
とするグロー放電プラズマによる処理方法によって、達
成される。
ロー放電を行わせて発生させたプラズマにより被処理体
を処理するグロー放電プラズマによる処理方法におい
て、グロー放電用電極を、純度９９．６％以上のアルミ
ナ系焼結セラミックで被覆した電極を用いることを特徴
とするグロー放電プラズマによる処理方法によって、達
成される。
【００１２】本発明者は、前述したような耐久性につい
て、そのメカニズムを鋭意検討し、研究を重ねた結果、
耐久性は、誘電体材質の耐熱温度とその気密性に相関す
ることを知るに至り、耐熱性が高い特定のセラミックを
焼結させたものを誘電体として用いることで耐久性が向
上し、連続運転にも耐え得ることを見出し、本発明を完
成した。
て、そのメカニズムを鋭意検討し、研究を重ねた結果、
耐久性は、誘電体材質の耐熱温度とその気密性に相関す
ることを知るに至り、耐熱性が高い特定のセラミックを
焼結させたものを誘電体として用いることで耐久性が向
上し、連続運転にも耐え得ることを見出し、本発明を完
成した。
【００１３】本発明においては、特に、純度９９．６％
以上のアルミナ系セラミックに圧力をかけて焼結させた
材料を用いてこれにより電極を被覆することが好まし
い。
以上のアルミナ系セラミックに圧力をかけて焼結させた
材料を用いてこれにより電極を被覆することが好まし
い。
【００１４】これは、耐熱性が高いセラミックスを圧力
をかけて焼結させることにより、その気密性を向上さ
せ、これを誘電体として用いることで耐久性が向上する
という、やはり本発明者による知見により、判明したこ
とである。
をかけて焼結させることにより、その気密性を向上さ
せ、これを誘電体として用いることで耐久性が向上する
という、やはり本発明者による知見により、判明したこ
とである。
【００１５】すなわち本発明によれば、純度９９．６％
以上のアルミナ系焼結セラミックを被覆物として用いる
ことにより、好ましくは純度９９．６％以上のアルミナ
系セラミックに圧力をかけて焼結させた材料を被覆物と
して用いることにより、従来の各種被覆物質に比して、
高出力下でも格段に耐久性の高い大気圧グロー放電電極
を得たものである。
以上のアルミナ系焼結セラミックを被覆物として用いる
ことにより、好ましくは純度９９．６％以上のアルミナ
系セラミックに圧力をかけて焼結させた材料を被覆物と
して用いることにより、従来の各種被覆物質に比して、
高出力下でも格段に耐久性の高い大気圧グロー放電電極
を得たものである。
【００１６】本発明において、電極を被覆するセラミッ
クの厚さは、０．５ｍｍ以上、５ｍｍ以下であることが
望ましい。
クの厚さは、０．５ｍｍ以上、５ｍｍ以下であることが
望ましい。
【００１７】本発明に係るセラミックで被覆した電極を
形成するのは、このようなセラミック片に、メッキ、蒸
着、溶射、塗布等の、各種任意の方法で金属導電層を形
成することによってでも、また、金属片に対し、該セラ
ミック片を接着剤、たとえば無機系接着剤等で張り付け
て形成するのでもよい。
形成するのは、このようなセラミック片に、メッキ、蒸
着、溶射、塗布等の、各種任意の方法で金属導電層を形
成することによってでも、また、金属片に対し、該セラ
ミック片を接着剤、たとえば無機系接着剤等で張り付け
て形成するのでもよい。
【００１８】たとえば金属導電層としては、ステンレ
ス、銅、ニッケル等を、上記したメッキ等の手法でセラ
ミック片に形成したり、もしくは、ステンレス、銅、ニ
ッケル等の金属片に、該セラミック片を無機系接着剤等
で張り付けて形成することができる。
ス、銅、ニッケル等を、上記したメッキ等の手法でセラ
ミック片に形成したり、もしくは、ステンレス、銅、ニ
ッケル等の金属片に、該セラミック片を無機系接着剤等
で張り付けて形成することができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例について説明
する。ただし、当然のことではあるが、本発明は、以下
述べる実施例により限定を受けるものではない。
する。ただし、当然のことではあるが、本発明は、以下
述べる実施例により限定を受けるものではない。
【００２０】実施例１ この実施例は、本発明に係るグロー放電用電極を、グロ
ー放電プラズマによる各種基材を表面処理する場合に用
い得るようにしたものである。
ー放電プラズマによる各種基材を表面処理する場合に用
い得るようにしたものである。
【００２１】図１に示すように、グロー放電電極１，２
が、放電室３内に封入されている。各グロー放電電極
１，２は、アルミナ系焼結セラミックを被覆物としてお
り、詳しくは、アルミナ系焼結セラミック１１，１２
に、金属導電層１２，２２を形成してなるものである。
ここではステンレスを用いて金属導電層１２，２２とし
たが、銅やニッケルでも、ほぼ同様な結果が得られる。
が、放電室３内に封入されている。各グロー放電電極
１，２は、アルミナ系焼結セラミックを被覆物としてお
り、詳しくは、アルミナ系焼結セラミック１１，１２
に、金属導電層１２，２２を形成してなるものである。
ここではステンレスを用いて金属導電層１２，２２とし
たが、銅やニッケルでも、ほぼ同様な結果が得られる。
【００２２】アルミナ系焼結セラミック１１，２１とし
ては、焼結温度８００℃で焼結したものを用いた。ここ
では、ホワイトアルミナと通称されている焼結アルミナ
を用い、特に日本セラテック株式会社製の商品名「ポア
フリーセラミック」（ＡＨＰＦ）を使用した。被覆物と
するセラミック１１，２１の厚さは、０．５〜５ｍｍが
適当であり好ましい。ここでは、１ｍｍ、ないし１ｍｍ
を多少下回る程度の厚さとした。
ては、焼結温度８００℃で焼結したものを用いた。ここ
では、ホワイトアルミナと通称されている焼結アルミナ
を用い、特に日本セラテック株式会社製の商品名「ポア
フリーセラミック」（ＡＨＰＦ）を使用した。被覆物と
するセラミック１１，２１の厚さは、０．５〜５ｍｍが
適当であり好ましい。ここでは、１ｍｍ、ないし１ｍｍ
を多少下回る程度の厚さとした。
【００２３】各電極は、セラミック１１，２１側で対向
させ、両者の間隔は、１０ｍｍとした。放電室３内へ
は、ヘリウム９５％、窒素３％、酸素２％の混合ガスを
導入した。
させ、両者の間隔は、１０ｍｍとした。放電室３内へ
は、ヘリウム９５％、窒素３％、酸素２％の混合ガスを
導入した。
【００２４】ここでは、耐久性の強調テストとして、通
常の５倍の放電出力下（２Ｗ／ｃｍ2 、１０ｋＨｚ）
で、約１カ月、連続放電させ、耐久性を調べた。図１中
の符号４は、電源である。
常の５倍の放電出力下（２Ｗ／ｃｍ2 、１０ｋＨｚ）
で、約１カ月、連続放電させ、耐久性を調べた。図１中
の符号４は、電源である。
【００２５】耐久性の評価のため、アルミナ純度を、９
２％〜９９．９％の範囲で変化させ、絶縁破壊が起こり
アーク放電へ移行する経時を評価した。
２％〜９９．９％の範囲で変化させ、絶縁破壊が起こり
アーク放電へ移行する経時を評価した。
【００２６】すなわち、図２の（ａ）に、アルミナ純度
（横軸）のスケールをやや粗くとって、９２％〜９９．
９％の範囲の概括的な変化を示し、図２の（ｂ）に、ア
ルミナ純度（横軸）のスケールを細かくとって、９９．
２％〜９９．９％（１００％近くまで）の範囲の変化を
示した。
（横軸）のスケールをやや粗くとって、９２％〜９９．
９％の範囲の概括的な変化を示し、図２の（ｂ）に、ア
ルミナ純度（横軸）のスケールを細かくとって、９９．
２％〜９９．９％（１００％近くまで）の範囲の変化を
示した。
【００２７】図２の（ａ）から、アルミナ純度が９９．
５％をやや上回るところで絶縁耐久性が急激に良好にな
ることがわかる。図２の（ｂ）から、この臨界点が、９
９．６％であることがわかる。すなわち、アルミナ純度
が９９．６％以上で、この例の条件で、３０日以上の連
続高出力運転が可能であることがわかる。
５％をやや上回るところで絶縁耐久性が急激に良好にな
ることがわかる。図２の（ｂ）から、この臨界点が、９
９．６％であることがわかる。すなわち、アルミナ純度
が９９．６％以上で、この例の条件で、３０日以上の連
続高出力運転が可能であることがわかる。
【００２８】本実施例の装置構成を用いて、次のような
表面処理を行った。図３に、具体的な表面処理装置の構
成を示す。この装置構成により、ハロゲン化銀写真感光
材料のフィルムベースとしての用途などがあるポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）ベースＦを被処理基材と
して、これを連続表面処理した。処理条件は、放電密度
を２Ｗ／ｃｍ2 とし、安定放電し難い系の例として、ア
ルゴン９０％、窒素４％、二酸化炭素６％の混合ガスを
導入して、実施した。
表面処理を行った。図３に、具体的な表面処理装置の構
成を示す。この装置構成により、ハロゲン化銀写真感光
材料のフィルムベースとしての用途などがあるポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）ベースＦを被処理基材と
して、これを連続表面処理した。処理条件は、放電密度
を２Ｗ／ｃｍ2 とし、安定放電し難い系の例として、ア
ルゴン９０％、窒素４％、二酸化炭素６％の混合ガスを
導入して、実施した。
【００２９】アルミナ純度が本発明の範囲外の、アルミ
ナ純度の低い誘電体を用いた比較の場合では、部分的に
アーク放電が発生し、それによる被処理基材表面でのピ
ンホールの発生が確認されたが、本発明に係る電極を用
いると、部分的にコロナ放電が発生する場合はあるもの
の、アーク放電は発生せず、ピンホールのような欠陥
は、生じなかった。
ナ純度の低い誘電体を用いた比較の場合では、部分的に
アーク放電が発生し、それによる被処理基材表面でのピ
ンホールの発生が確認されたが、本発明に係る電極を用
いると、部分的にコロナ放電が発生する場合はあるもの
の、アーク放電は発生せず、ピンホールのような欠陥
は、生じなかった。
【００３０】このように、本発明に係るグロー放電用電
極を用いた本発明に係るグロー放電プラズマによる処理
方法によれば、良好な処理を、長時間、均一な表面処理
で実現できた。かつ、長時間連続高出力運転が可能であ
った。
極を用いた本発明に係るグロー放電プラズマによる処理
方法によれば、良好な処理を、長時間、均一な表面処理
で実現できた。かつ、長時間連続高出力運転が可能であ
った。
【００３１】なお図３中、符号１０１，１０２は電極を
表し、これは、金属導電層１０１Ａ，１０２Ａに、固体
誘電体１０１Ｂ，１０２Ｂとして、本発明に係るアルミ
ナ系焼結セラミック（または比較のアルミナ系セラミッ
ク）を被覆させたものである。その他は、符号３０は処
理容器、４０は電圧発生装置で、４１はその電源、５０
はガス充填手段でガス発生装置５１からなる。符号５２
は給気口、５３は排気口、５４は処理容器内の混合ガス
系である。６０は被処理フィルム（ＰＥＴベース）Ｆを
保持する保持部、６１は被処理フィルム（ＰＥＴベー
ス）Ｆがロール状に巻かれているロールフィルム、６
２，６３は、フィルムＦ搬送用のローラである。
表し、これは、金属導電層１０１Ａ，１０２Ａに、固体
誘電体１０１Ｂ，１０２Ｂとして、本発明に係るアルミ
ナ系焼結セラミック（または比較のアルミナ系セラミッ
ク）を被覆させたものである。その他は、符号３０は処
理容器、４０は電圧発生装置で、４１はその電源、５０
はガス充填手段でガス発生装置５１からなる。符号５２
は給気口、５３は排気口、５４は処理容器内の混合ガス
系である。６０は被処理フィルム（ＰＥＴベース）Ｆを
保持する保持部、６１は被処理フィルム（ＰＥＴベー
ス）Ｆがロール状に巻かれているロールフィルム、６
２，６３は、フィルムＦ搬送用のローラである。
【００３２】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、長時
間の運転で大気圧下でグロー放電を行っても、安定な放
電が得られるグロー放電用電極が提供でき、また、グロ
ー放電によるプラズマによって表面処理を行う場合も、
長時間、均一な表面処理を実現できる表面処理方法を提
供できた。
間の運転で大気圧下でグロー放電を行っても、安定な放
電が得られるグロー放電用電極が提供でき、また、グロ
ー放電によるプラズマによって表面処理を行う場合も、
長時間、均一な表面処理を実現できる表面処理方法を提
供できた。
【図１】 本発明の実施例１の構成を示す図である。
【図２】 本発明の実施例１で得られた、アルミナ純度
と電極耐久性の関係を示すグラフである。
と電極耐久性の関係を示すグラフである。
【図３】 本発明の実施例１におけるグロー放電プラズ
マによる処理方法に用いた処理装置の構成を示す図であ
る。
マによる処理方法に用いた処理装置の構成を示す図であ
る。
Ｉ，２，１０１，１０２・・・グロー放電電極、１Ｉ，
２１，１０１Ｂ，１０２Ｂ・・・焼結セラミック、１
２，２２，１０１Ａ，１０２Ａ・・・金属導電層、３，
３０・・・放電室（放電処理容器）、４，４１・・・電
源。
２１，１０１Ｂ，１０２Ｂ・・・焼結セラミック、１
２，２２，１０１Ａ，１０２Ａ・・・金属導電層、３，
３０・・・放電室（放電処理容器）、４，４１・・・電
源。
Claims (4)
- 【請求項１】大気圧近傍の圧力下でグロー放電を行わせ
るグロー放電用電極において、 該電極を、純度９９．６％以上のアルミナ系焼結セラミ
ックで被覆したことを特徴とするグロー放電用電極。 - 【請求項２】上記アルミナ系焼結セラミックは、純度９
９．６％以上のアルミナ系セラミックに圧力をかけて焼
結させて得たものであることを特徴とする請求項１に記
載のグロー放電用電極。 - 【請求項３】大気圧近傍の圧力下でグロー放電を行わせ
て発生させたプラズマにより被処理体を処理するグロー
放電プラズマによる処理方法において、 グロー放電用電極を、純度９９．６％以上のアルミナ系
焼結セラミックで被覆した電極を用いることを特徴とす
るグロー放電プラズマによる処理方法。 - 【請求項４】上記アルミナ系焼結セラミックは、純度９
９．６％以上のアルミナ系セラミックに圧力をかけて焼
結させて得たものであることを特徴とする請求項３に記
載のグロー放電プラズマによる処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9367413A JPH11191500A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | グロー放電用電極、及びグロー放電プラズマによる処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9367413A JPH11191500A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | グロー放電用電極、及びグロー放電プラズマによる処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191500A true JPH11191500A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18489259
Family Applications (1)
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| JP9367413A Pending JPH11191500A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | グロー放電用電極、及びグロー放電プラズマによる処理方法 |
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| JP (1) | JPH11191500A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1073091A2 (en) * | 1999-07-27 | 2001-01-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus |
| WO2002048428A1 (en) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Konica Corporation | Method for forming thin film, article having thin film, optical film, dielectric coated electrode, and plasma discharge processor |
| JP2003203902A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Sekisui Chem Co Ltd | アッシング処理方法 |
| KR20040026790A (ko) * | 2002-09-26 | 2004-04-01 | 주식회사 피에스엠 | 박판형 대기압 플라즈마 전극 |
| WO2005074333A1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Changjo Engineering Co., Ltd. | Apparatus of generating glow plasma on a wide surface under atmospheric pressure |
| KR100604581B1 (ko) | 2004-05-11 | 2006-07-25 | (주) 씨엠테크 | 플라즈마 반응기용 세라믹 다층전극 |
| US7281491B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-10-16 | Konica Corporation | Dielectric-coated electrode, plasma discharge treatment apparatus and method for forming thin film |
| JP2009029705A (ja) * | 2008-09-08 | 2009-02-12 | Kyocera Corp | 放電用電極部材およびこれを用いたオゾン発生器 |
| CN102271454A (zh) * | 2010-06-03 | 2011-12-07 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种中、低频等离子体加工设备和电极板 |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP9367413A patent/JPH11191500A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1073091A3 (en) * | 1999-07-27 | 2004-10-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus |
| EP1073091A2 (en) * | 1999-07-27 | 2001-01-31 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus |
| US6489585B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-12-03 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus |
| KR100815038B1 (ko) * | 2000-12-12 | 2008-03-18 | 코니카 미놀타 홀딩스 가부시키가이샤 | 박막 형성 방법, 박막을 갖는 물품, 광학 필름, 유전체피복 전극 및 플라즈마 방전 처리 장치 |
| US7421974B2 (en) | 2000-12-12 | 2008-09-09 | Konica Corporation | Layer forming method, product comprising the layer, optical film, dielectric-coated electrode and plasma discharge apparatus |
| US6835425B2 (en) | 2000-12-12 | 2004-12-28 | Konica Corporation | Layer-forming method using plasma state reactive gas |
| US7044078B2 (en) | 2000-12-12 | 2006-05-16 | Konica Corporation | Layer forming method, product comprising the layer, optical film, dielectric-coated electrode and plasma discharge apparatus |
| CN100447296C (zh) * | 2000-12-12 | 2008-12-31 | 柯尼卡美能达控股株式会社 | 薄膜形成方法和等离子体放电处理装置 |
| US7462379B2 (en) | 2000-12-12 | 2008-12-09 | Konica Corporation | Layer forming method, product comprising the layer, optical film, dielectric-coated electrode and plasma discharge apparatus |
| WO2002048428A1 (en) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Konica Corporation | Method for forming thin film, article having thin film, optical film, dielectric coated electrode, and plasma discharge processor |
| JP2003203902A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Sekisui Chem Co Ltd | アッシング処理方法 |
| US7281491B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-10-16 | Konica Corporation | Dielectric-coated electrode, plasma discharge treatment apparatus and method for forming thin film |
| KR20040026790A (ko) * | 2002-09-26 | 2004-04-01 | 주식회사 피에스엠 | 박판형 대기압 플라즈마 전극 |
| WO2005074333A1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Changjo Engineering Co., Ltd. | Apparatus of generating glow plasma on a wide surface under atmospheric pressure |
| JP2007525801A (ja) * | 2004-01-30 | 2007-09-06 | チャンジョ エンジニアリング シーオー エルティディ | 大気圧大面積グロープラズマ発生装置 |
| KR100604581B1 (ko) | 2004-05-11 | 2006-07-25 | (주) 씨엠테크 | 플라즈마 반응기용 세라믹 다층전극 |
| JP2009029705A (ja) * | 2008-09-08 | 2009-02-12 | Kyocera Corp | 放電用電極部材およびこれを用いたオゾン発生器 |
| CN102271454A (zh) * | 2010-06-03 | 2011-12-07 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种中、低频等离子体加工设备和电极板 |
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