TWI405219B - Conductive adhesive for solar cell electrodes - Google Patents

Conductive adhesive for solar cell electrodes Download PDF

Info

Publication number
TWI405219B
TWI405219B TW096114612A TW96114612A TWI405219B TW I405219 B TWI405219 B TW I405219B TW 096114612 A TW096114612 A TW 096114612A TW 96114612 A TW96114612 A TW 96114612A TW I405219 B TWI405219 B TW I405219B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solar cell
conductive paste
metal
compound
parts
Prior art date
Application number
TW096114612A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200811883A (en
Inventor
Tomohiro Machida
Yoshifumi Tonomura
Akira Miyazawa
Keisuke Ohhira
Hideyo Iida
Toshiei Yamazaki
Original Assignee
Sharp Kk
Namics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2006120834A external-priority patent/JP4714633B2/ja
Priority claimed from JP2006120835A external-priority patent/JP4714634B2/ja
Application filed by Sharp Kk, Namics Corp filed Critical Sharp Kk
Publication of TW200811883A publication Critical patent/TW200811883A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI405219B publication Critical patent/TWI405219B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/006—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/16—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/16—Microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Description

太陽電池電極用導電膠
本發明係關於一種太陽電池電極用導電膠，尤其係關於一種單結晶或多結晶等之結晶系矽太陽電池電極用導電膠、將該導電膠燒成而形成之太陽電池之電極、具有該電極之太陽電池、使用該導電膠之太陽電池之製造方法。
於使用單結晶或多結晶矽作為主要半導體基板材料之先前太陽電池中，利用設置於基板表面附近的PN接合面上所產生之電場將經由入射、吸收至半導體內的光所產生的電子－電洞對分離，再經由以分別與P型半導體及N型半導體形成低接觸電阻之方式所形成之電極，而作為電流導出至外部。
例如，於普通多結晶矽太陽電池之情形時，藉由使P(磷原子)等可形成N型擴散層的元素，自添加B(硼原子)等作為雜質的P型矽基板的單側表面擴散，而形成PN接合。於此情形時，為使其具有閉光效果，而於P型矽基板表面實施紋理(凹凸)加工後，形成N型擴散層。
將N型擴散層側作為光入射側，經由氮化矽、氧化鈦等之抗反射膜(膜厚50 nm~100 nm)而形成包括輔助電極(bus electrode)及指針電極(finger electrode)之光入射側電極。 因亦可不使光入射至背面側之P型矽基板側，故可於幾乎整個表面形成背面側電極。兩電極必須以低電阻與各半導體進行歐姆接觸(Ohmic contact)。
一般而言，兩電極係藉由導電膠之印刷、乾燥、燒成而形成。導電膠組成及燒成條件對太陽電池之特性而言特別重要。
一般而言，導電膠包含有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊，視情況添加有添加物。該等成分起著控制印刷性及印刷後之形狀、賦予作為電極之導電性、保持與半導體基板之密著性、抗反射膜之fire through、降低太陽電池之半導體基板與擴散層之接觸電阻等作用。
藉由絲網印刷等方法，將導電膠直接印刷至半導體基板上，或者印刷至形成於擴散層上之抗反射膜上，於100~150℃左右溫度下進行數分鐘乾燥，其後於600~850℃左右溫度下進行數分鐘高速燒成，而形成光入射側電極或背面側電極。對於燒成條件，由於用以獲得良好的太陽電池特性之最佳條件因導電膠組成不同而不同，故而選擇適於導電膠組成之條件。
電極對結晶系矽太陽電池的轉換效率及電池特性的穩定性之影響較大，特別其是光入射側電極造成之影響非常大。作為電極性能之標準，有太陽電池之填充係數(fill factor，FF)。若太陽電池之串聯電阻較高，則FF有變小之傾向，又，串聯電阻之構成要素之一為P型半導體及N型半導體與電極之接觸電阻。再者，可將太陽電池之光照射下之I－V(電流－電壓)特性中於Voc點(開放電壓點)之接線的斜率作為指標，來評價太陽電池中之串聯電阻。
因此，為了獲得太陽電池之高轉換效率及穩定的特性，目前為止提出有於太陽電池電極用導電膠中添加各種添加物之以下方法。
(i)添加有含有Bi2 O3 、B2 O3 、SiO2 之玻璃熔塊之導電膠(專利文獻1)。
(ii)添加有作為0.001~0.1 μm微細粒子狀之Ti、Zn、Y等金屬或其化合物之導電膠(專利文獻2)。
(iii)含有Ti、Bi、Co、Zr、Fe、Cr之導電膠(專利文獻3)。
(iv)添加有鹵化物之導電膠(專利文獻4)。
然而，於任何導電膠中均存在以下問題：於具有使用該導電膠而形成的電極之太陽電池中，無法獲得充分高之FF(填充係數)，又由於用以形成電極的燒成溫度之變化而引起的FF變化較大。
[專利文獻1]日本專利特開平11－329072號公報[專利文獻2]日本專利特開2005－243500號公報[專利文獻3]日本專利特開2001－313400號公報[專利文獻4]日本專利特開2001－118425號公報
本發明之目的在於為解決上述問題而提供一種於與結晶系矽太陽電池的P型半導體及N型半導體進行歐姆接觸之電極中，可穩定獲得高FF之太陽電池電極用導電膠、以及將該導電膠燒成而製成之太陽電池電極、具有該電極之太陽電池及使用該導電膠之太陽電池之製造方法。
本發明者們特別著眼於與半導體之界面附近的電極組成之均一化、添加物之反應性而進行努力研究，結果發現：於太陽電池電極用導電膠中添加(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質，對於穩定獲得高FF非常有效，且最終完成本發明。
即，本發明係關於一種包含有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊、金屬氧化物、及(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體的物質之太陽電池電極用導電膠。如後文所述，一般而言，導電膠於燒成步驟中會經歷150~800℃之溫度範圍。
本發明之太陽電池電極用導電膠，更好的是，其中金屬氧化物為選自由氧化鋅、氧化鈦及氧化錫所組成之群中之1種以上。又，較好的是，(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質為有機金屬化合物；更好的是，有機金屬化合物為選自由乙醯丙酮金屬錯合物、乙醯乙酸金屬錯合物、二乙基丙二酸酯金屬錯合物、環戊二烯錯合物、環烷酸金屬化合物、辛酸金屬化合物、硬脂酸金屬化合物及棕櫚酸金屬化合物所組成之群中之1種以上。
又，本發明係關於一種包含有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、及玻璃熔塊，進而包含(B)有機金屬化合物及金屬氧化物之太陽電池電極用導電膠。該有機金屬化合物以及金屬氧化物，較好的是上述者。
又，一般而言，若電極中存在III族元素，則半導體中會形成受體能階(acceptor level)，故而可預料，若該電極與N型半導體接合，則會補償於N型半導體上所形成之施體能階，從而使接觸電阻變高。本發明者們發現，於將III族元素之Al、Ga、In或Tl製成化合物後添加於太陽電池電極用導電膠中之情形時，使用該導電膠而形成之N型半導體上之電極與預料相反，與N型半導體之間的接觸電阻較低，使得太陽電池具有優異之FF，且最終完成本發明。
即，本發明係關於一種太陽電池電極用導電膠，其特徵在於：包含有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊、以及(C)含Al、Ga、In或Tl的化合物。
又，本發明係關於一種將上述導電膠燒成而形成之太陽電池電極。進而，本發明係關於一種具備有上述電極之太陽電池。此外，本發明係關於一種使用上述導電膠之太陽電池之製造方法。
利用本發明之太陽電池電極用導電膠，可獲得高FF之太陽電池，且可改善太陽電池之性能。
於本發明之第一實施形態中，太陽電池電極用導電膠包含有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊、金屬氧化物、及(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質。
(1)有機黏合劑及溶劑有機黏合劑及溶劑係發揮調整導電膠的黏度等之作用，對兩者均無特別限定。亦可將有機黏合劑溶解於溶劑中使用。
至於有機黏合劑，可列舉纖維素系樹脂以及(甲基)丙烯酸系樹脂，纖維素系樹脂例如有：乙基纖維素、硝基纖維素等，(甲基)丙烯酸系樹脂例如有：聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯等；至於有機溶劑，可使用醇類以及酯類，醇類例如有：松油醇、α－松油醇、β－松油醇等，酯類例如有：含有羥基之酯類、2,2,4－三甲基－1,3－戊二醇單異丁酸酯、丁基卡必醇乙酸酯等。
(2)導電性粒子對於導電性粒子並無特別限定，例如可列舉Ag、Cu、Ni等。為了亦可於空氣中進行燒成，較好的是Ag。對於導電性粒子之形狀及平均粒子大小並無特別限定，可使用該領域中公知者。至於導電性粒子之形狀，可列舉球狀、鱗片狀等。就操作性等方面而言，導電性粒子之平均粒子大小，可列舉0.05~10 μm，較好的是0.1~5 μm。再者，所謂平均粒子大小，於球狀之情形時係指粒徑，而於鱗片狀之情形時係指粒子薄片之長徑，於針狀之情形時係指各長度之平均值。
(3)玻璃熔塊對於玻璃熔塊並無特別限定，可列舉Pb系玻璃熔塊以及無Pb系玻璃熔塊；Pb系玻璃熔塊例如有PbO－B2 O3 －SiO2 系等，無Pb系玻璃熔塊例如有Bi2 O3 －B2 O3 －SiO2 －CeO2 －LiO2 －NaO2 系等。對於玻璃熔塊之形狀及大小並無特別限定，可使用該領域公知者。至於玻璃熔塊之形狀，可列舉球狀、不定形等。就操作性等方面而言，玻璃熔塊之平均粒子大小，可列舉0.01~10 μm，較好的是0.05~1 μm。平均粒子大小如上所述，但於不定形之情形時，為最長直徑之平均值。
(4)金屬氧化物於本發明之導電膠中，若併用氧化鋅、氧化鈦、氧化錫、氧化銅或氧化鎳等金屬氧化物，其中尤以併用氧化鋅、氧化鈦或氧化錫，則可有效地獲得高FF。具體而言，可列舉ZnO、TiO2 、SnO2 。再者，即使為金屬氧化物但可於150~800℃之溫度範圍內變成氣體之物質，考慮其係(A)於150~800℃之溫度範圍內變成氣體之物質，而並不考慮其係金屬氧化物。
金屬氧化物通常於常溫下為固體，對於其形狀及平均粒子大小並無特別限定。至於其形狀，可列舉球形、不定形等。就分散性等方面而言，平均粒子大小較好的是0.05~1 μm。
可認為，金屬氧化物，於燒成步驟中可防止導電性粒子之過度燒結，另一方面可抑制來自玻璃熔塊之液化玻璃之擴散，有助於形成導電性粒子與半導體表面之接觸。此時，若有下述於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質(例如有機金屬化合物)經氣化或昇華而產生之氣體共存，則導電性粒子可與半導體形成更加良好之接觸。
(5)變成氣體之物質本發明之導電膠之特徵在於：含有(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質。該物質可為單體(由一種元素形成者)，亦可為化合物(包括兩種以上元素者)。
一般而言，為了抑制對PN接合造成不良影響，而將導電膠之燒成溫度之峰值設定至850℃左右，故而導電膠於燒成步驟中會經歷上述150~800℃之溫度範圍。於本發明中，可藉由將添加有於該溫度範圍內變成氣體之物質的導電膠用於太陽電池電極之製造，而獲得高FF之太陽電池。
藉由熱重量分析，於150~800℃溫度範圍內可變成氣體之物質開始變成氣體之溫度(重量開始減少之溫度)、或者完全變成氣體之溫度(重量大致達到固定值之溫度)若於150~800℃範圍內即可，較好的是開始變成氣體之溫度與完全變成氣體之溫度二者均於150~800℃之範圍。
溫度上限之800℃係考慮到太陽電池電極用導電膠之燒成溫度之峰值通常為至850℃左右，另一方面，溫度下限之150℃係考慮到抑制塗膜之膨脹及針孔之生成、以及乾燥步驟。變成氣體之溫度範圍150~800℃中，更好的是200~600℃。
因本發明之太陽電池電極用導電膠中添加有於燒成步驟中所經歷之(A)150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質，故於燒成步驟中所產生之氣體會於廣泛的範圍內擴散，從而可於較寬範圍內，發揮於與半導體的界面附近形成均勻之電極組成等因添加物質而產生之效果，其結果可獲得高FF之太陽電池。
(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質，可以固體、液體、或將固體溶解於可溶解固體的溶劑中者之狀態添加於導電膠中。於以固體狀態添加之情形時，因最終變成氣體，故其形狀及平均粒子大小之影響較小，並無特別限定。至於形狀，可列舉球形、不定形等；至於平均粒子大小，就分散性等方面而言，可列舉0.01~10 μm，例如0.1~1 μm。
該等變成氣體之物質，於導電膠之燒成步驟中，會隨著溫度上升，固體經溶融變為液體後再變成氣體(氣化)，或者不經由液體而直接變成氣體(昇華)。於將固體溶解於溶劑中而使用之情形時，於溶劑蒸發後，變成液體或固體後再變成氣體。所產生之氣體，既可能保持最初之物質的分子構造，亦有可能產生熱分解而於分子量小於最初分子量之狀態下變成氣體。
於本發明中，至於(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質，可利用各種無機物質、有機物質；於有機物質之情形時，可特別地利用有機金屬化合物。於本說明書中，有機金屬化合物係指包含各種金屬之有機化合物。
至於於150~800℃溫度範圍內產生氣化或昇華之無機物質，可列舉：五氧化二磷等無機化合物、赤磷、碘等無機單體等。
於有機物質之情形時，可於較無機物質更廣的範圍內選擇材料，有機金屬化合物特別適合用作於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質。
例如以〔M(CH3 COCHCOCH3 )n〕(M為金屬)所表示之具有乙醯丙酮基之有機金屬化合物，通常於150℃附近開始變成氣體，於約300℃下完全變成氣體，故而適於使用。
一般而言，與金屬之種類相比，有機金屬化合物之氣化或昇華溫度主要取決於與金屬結合之乙醯丙酮基等有機基，故而溫度範圍變得較低且較窄。有機金屬化合物之氣化或昇華溫度低於同為金屬化合物之氧化物、氫氧化物、鹵化物等，通常於100~400℃內開始變成氣體，故而適合將其選作於太陽電池電極用導電膠中添加之物質。
至於於150~800℃溫度範圍內變成氣體之有機金屬化合物，可使用市售之Al、Ga、In、Tl、Zn、Ni、Pd、Pt、Co、Ir、Sn、Pb、Ti、Zr、Hf、Cu、Fe、Ru、Mn、V、Nb、Mo、W、Mn、Mg、Ca、K、Li、Ce、Y、Sb等典型金屬元素或過渡金屬元素之有機金屬化合物。例如，可利用該等金屬之二酮錯合物或羧酸鹽。至於二酮錯合物，可列舉：乙醯丙酮金屬錯合物、乙醯乙酸金屬錯合物、二乙基丙二酸酯金屬錯合物、環戊二烯錯合物等。至於羧酸鹽，可列舉：環烷酸金屬化合物、辛酸金屬化合物、硬脂酸金屬化合物、棕櫚酸金屬化合物等。
較好的是含有In、Sn、Y、Ni、Cu、Mg、Pb、Zn或Ga作為金屬元素之有機金屬化合物，特別好的是含有In、Sn、Ga、Ni或Cu之有機金屬化合物。其中，較好的是含有該等金屬元素中之任一個之乙醯丙酮金屬錯合物、辛酸金屬化合物、環烷酸金屬化合物；具體而言，可列舉：銦之乙醯丙酮化合物、釔之乙醯丙酮化合物、鎵之乙醯丙酮化合物、辛酸錫、辛酸鎳、辛酸鎂、環烷酸銅、環烷酸鉛、環烷酸鋅等。
該等有機金屬化合物於常溫下為液體或固體，可直接添加至導電膠中，亦可以甲苯、乙醇、乙醯丙酮、二氯甲烷等為溶劑將該等有機金屬化合物溶解或分散於該等溶劑中後使用。
圖1中表示作為有機金屬化合物的一例之銦之乙醯丙酮化合物之熱重量分析結果。自150℃附近開始分解、氣化，於300℃附近結束氣化，以氧化物之形式殘留有5%左右之銦。如此，較好的是，將於高於乾燥溫度之溫度下開始變成氣體、且於達到燒成峰值之前完全變成氣體之物質作為(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質。
於本發明之導電膠中，可在不損害本發明效果之範圍內，添加分散劑、可塑劑等任意成分。
於本發明之導電膠中，就確保充分的接著強度且抑制接觸電阻增加之方面而言，玻璃熔塊相對於導電性粒子100重量份，較好的是0.5~10重量份，更好的是1~5重量份。若為此範圍，則可獲得良好之接著強度及低接觸電阻值。
金屬氧化物，相對於導電性粒子100重量份，較好的是0.5~15重量份，更好的是2~10重量份。若為此範圍，則易於獲得充分之添加效果。
又，(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質，相對於導電性粒子100重量份，較好的是0.1~10重量份，更好的是0.5~5重量份。若為此範圍，則易於獲得充分之添加效果。
再者，可根據導電膠之塗佈法或印刷法來適當選擇有機黏合劑以及溶劑之添加量，以達到適當之黏度。
對於本發明之導電膠之製造方法並無特別限定，可藉由以行星式攪拌機等將有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊、金屬氧化物、(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質、以及其他任意成分加以混煉，繼而以3輥混煉機等進行分散，而製備。
本發明之導電膠，可用於製造太陽電池用電極，特別可獲得對N型半導體之良好接觸。
對於太陽電池用電極之製造以及太陽電池之製造方法並無特別限定。利用圖2來說明其一例。
於P型多結晶矽基板4之表面上，視情形形成紋理，其後，於900℃下將P(磷)等進行熱擴散，而形成N型擴散層3。繼而，利用電漿CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法等，形成膜厚50~100 nm之氮化矽薄膜、氧化鈦等之抗反射膜2。將本發明之導電膠絲網印刷於抗反射膜2上作為光入射側電極，於150℃左右下將溶劑蒸發乾燥。繼而，視情形，以絲網印刷將氧化鋁電極用膠印刷於P型多結晶矽基板4之背面且加以乾燥，作為背面側電極。繼而進行燒成，獲得具備有光入射側電極1及背面電極5之太陽電池單元。
此時，燒成條件，較好的是，將添加入本發明之導電膠的(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質的燒成峰值溫度設定為高於開始氣化或昇華的溫度，更好的是將峰值溫度設定為高至200℃以上。
本發明第二實施形態之太陽電池電極用導電膠，係含有有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、及玻璃熔塊，進而含有(B)有機金屬化合物及金屬氧化物之太陽電池電極用導電膠。有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊以及其他任意成分之種類、大小及添加量等，與第一實施形態之導電膠相同。藉由併用(B)有機金屬化合物及金屬氧化物，而獲得具有高FF之太陽電池。
對於在導電膠中併用(B)有機金屬化合物及金屬氧化物而獲得之效果，可認為與第一實施形態相同。有機金屬化合物及金屬化合物之具體例與第一實施形態相同。有機金屬化合物及金屬化合物之添加量，相對於導電性粒子100重量份，上述有機金屬化合物較好的是0.1~10重量份，更好的是0.5~5重量份，金屬氧化物較好的是0.5~15重量份，更好的是2~10重量份。
又，太陽電池電極用導電膠、太陽電池電極以及太陽電池之製造方法亦與第一實施形態相同。
本發明第三實施形態之太陽電池電極用導電膠含有有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊、以及(C)含Al、Ga、In或Tl的化合物。有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊以及其他任意成分之種類、大小以及添加量等與第一實施形態之導電膠相同。
本發明第三實施形態之導電膠含有(C)含Al、Ga、In或Tl的化合物。該等化合物可單獨使用，亦可併用2種以上。
至於化合物，可列舉：氧化物、氫氧化物、有機金屬化合物。本說明書中，有機金屬化合物係指包含各種金屬的有機化合物，可利用二酮錯合物或羧酸鹽。至於二酮錯合物，可列舉：乙醯丙酮金屬錯合物、乙醯乙酸金屬錯合物、二乙基丙二酸酯金屬錯合物、環戊二烯錯合物等。至於羧酸鹽，可列舉：(甲基)丙烯酸金屬化合物、環烷酸金屬化合物、辛酸金屬化合物、硬脂酸金屬化合物、棕櫚酸金屬化合物等，較好的是乙醯丙酮金屬錯合物或辛酸金屬化合物。
至於Al化合物，可列舉：Al2 O3 、Al(OH)3 、Al(C5 H7 O2 )3 、丙烯酸酸氧化鋁等；至於Ga化合物，可列舉：Ga2 O3 、Ga(OH)3 、Ga(C5 H7 O2 )3 等；至於In化合物，可列舉：In2 O3 、In(OH)3 、In(C5 H7 O2 )3 等；至於Tl化合物，可列舉：Tl2 O3 、Tl(OH)3 、Tl(C5 H7 O2 )3 等。
(C)含Al、Ga、In或Tl的化合物，通常為固體或液體，可直接將其添加於導電膠中。於固體之情形時，形狀及大小之影響較少，就操作性等方面而言，較好的是平均粒子大小為0.05~10 μm，例如可使用0.15~5 μm者，又，亦可將甲苯、乙醇、乙醯丙酮、二氯甲烷等作為溶劑，將其分散於該溶劑中之後再使用。
由導電膠形成電極時之(C)含Al、Ga、In或Tl之化合物之作用不明，可認為係如下所述。於形成電極時，將導電膠塗佈於基板上且加以乾燥後，一般而言，於600~800℃之燒成溫度下進行進－出(In－Out)數分鐘之短時間的燒成。可認為，於如此之溫度及時間之條件下，難以產生N型半導體基板之矽及III族元素之取代。另一方面，將該等化合物還原之金屬，因具有較低熔點，故可認為，於燒成步驟中，經還原的金屬以溶解狀態分散，且存在於導體/電極界面，有助於形成良好之接觸。
本發明第三實施形態之導電膠中，若併用氧化鋅、氧化鈦、氧化錫、氧化銅或氧化鎳，可有效獲得高FF。該等特定金屬氧化物，既可單獨使用，亦可併用2種以上。
可認為，該等特定金屬氧化物可於導電膠之燒成過程中防止導電性粒子之過度燒結，同時抑制來自玻璃熔塊的已液化之玻璃的擴散，故而有助於形成導電性粒子與半導體表面接觸，進而，可於來自有機黏合劑的CO等還原性環境氣體中得到還原而半導體化，亦有助於獲得良好之接觸。該等特定金屬氧化物中，較好的是氧化鋅、氧化鈦、氧化錫，具體為ZnO、TiO2 、SnO2 。
特定金屬氧化物通常於常溫下為固體，對其形狀及平均粒子大小並無特別限定。至於形狀，可列舉球形、不定形等。就分散性等方面而言，平均粒子大小較好的是0.05~1 μm。
又，(C)含Al、Ga、In或Tl之化合物相對於導電性粒子100重量份，較好的是0.001~10重量份，更好的是0.02~5重量份。若為此範圍，則易於獲得充分之添加效果。
進而，於添加特定金屬氧化物之情形時，特定金屬氧化物，相對於導電性粒子100重量份，較好的是0.5~15重量份，更好的是2~10重量份。若為此範圍，則易於獲得充分之添加效果。再者，於使用特定金屬氧化物之情形時，Al、Ga、In或Tl之化合物，即使接近於上述添加範圍之下限(例如，相對於導電性粒子100重量份為未滿0.1重量份，例如0.001~0.08重量份)，亦可發揮充分之效果。
對於本發明第三實施形態之導電膠之製造方法並無特別限定，可藉由如下方式進行製備：首先，以行星式攪拌機等將有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊、以及(C)含Al、Ga、In或Tl的化合物，視情形金屬氧化物及其他任意成分加以混煉，其次利用3輥混煉機(金屬或陶瓷製)等進行分散。
本發明第三實施形態之導電膠可用於製造太陽電池用電極，特別是可獲得與N型半導體的良好接觸，故而可用於形成N型半導體(例如，N型擴散層)上之電極。
本實施形態之太陽電池用電極之製造以及太陽電池之製造方法與第一實施形態相同。
[實施例]
實施例中的太陽電池係以如下方式製造。藉由濕式蝕刻，於摻雜有B(硼)之P型多結晶矽基板(基板厚度200 μm)之表面上形成紋理。其後，使P(磷)熱擴散，形成N型擴散層(厚度0.3 μm)。繼而，利用電漿CVD法，由矽烷氣體及氨氣形成由氮化矽薄膜(厚度約60 nm)所形成之抗反射膜。將所獲得之附有抗反射膜之基板切斷成15 mm×15 mm後使用。
藉由絲網印刷，將下述各實施例記載之導電膠以包括輔助電極及指針電極的圖案之方式印刷於抗反射膜上，以使膜厚為約20 μm，且於150℃下進行約1分鐘乾燥。
其次，藉由絲網印刷，將氧化鋁電極用膠印刷於P型多結晶矽基板1的背面上，以使膜厚為約20 μm，且於150℃下進行約1分鐘乾燥。
其後，以各實施例記載之條件，將印刷及乾燥兩面之導電膠的基板進行燒成，而獲得具備有光入射側電極及背面電極之太陽電池單元。
利用太陽光模擬器光(AM1.5，能量密度100 mW/cm2 )，測定太陽電池單元之電流－電壓特性，且由測定結果算出FF。
實施例1
本實施例係使用有機金屬化合物即銦之乙醯丙酮化合物作為(A)於150~800℃溫度範圍變成氣體之物質之例。於與無添加之情形相比較時，獲得如下效果：可藉由在導電膠中添加有會氣化之物質，而於較寬的溫度範圍內維持高FF、以及獲得不均程度較少的FF。
導電膠組成(以重量份表示)係如表1所示。藉由以行星式攪拌機及3輥混煉機將各成分混合，而製備導電膠。
燒成條件為：峰值溫度705℃、725℃或745℃，燒成時間2分鐘。
所獲得太陽電池之FF示於圖3。於使用實施例1之導電膠之情形時，於任一溫度下均顯示高FF，且不均程度亦較小。另一方面，於使用比較例之導電膠之情形時，若溫度增高，則FF降低，且FF之不均程度亦較大。
實施例2
本實施例係使用有機金屬化合物即銦之乙醯丙酮化作為於特定溫度範圍變成氣體之物質，且改變其添加量之例。
導電膠組成(以重量份表示)係如表2所示。藉由以行星式攪拌機將各成分混合，且以3輥混煉機進行分散，而製備導電膠。
燒成條件為：峰值溫度725℃，燒成時間2分鐘。
所獲得之太陽電池之FF示於表2。於添加有銦之乙醯丙酮化合物之實施例2－1~2－3中，於任一添加量下均顯示高FF。
實施例3
本實施例係使用有機金屬化合物即銦之乙醯丙酮化合物作為於特定溫度範圍變成氣體之物質，且改變作為金屬氧化物的ZnO之量之例。
導電膠組成(以重量份表示)係如表3所示。藉由以行星式攪拌機將各成分混合，且以3輥混煉機進行分散，而製備導電膠。
燒成條件為：峰值溫度725℃，燒成時間2分鐘。
所獲得之太陽電池之FF示於表3。添加有ZnO之實施例3－1~3－6，顯示比未添加ZnO之比較例高之FF。特別是添加0.5~15重量份、尤其是1~15重量份之ZnO者顯示高FF。
實施例4
本實施例係於添加Pb系玻璃熔塊作為玻璃熔塊、添加ZnO作為金屬氧化物之導電膠中，添加於特定溫度範圍內氣化或昇華而變成氣體之各種有機金屬化合物之例。
導電膠組成(以重量份表示)係如表4所示。藉由以行星式攪拌機將各成分混合，且以3輥混煉機進行分散，而製備導電膠。
燒成條件為：峰值溫度725℃，燒成時間2分鐘。所獲得之太陽電池之FF示於表4。均顯示高FF。
實施例5
本實施例係於添加無Pb系玻璃熔塊作為玻璃熔塊、添加ZnO作為金屬氧化物之導電膠中，添加於特定溫度範圍內氣化或昇華而變成氣體之各種有機金屬化合物之例。
導電膠組成(以重量份表示)係如表5所示。藉由以3輥混煉機將各成分加以分散而製備導電膠。
燒成條件為：峰值溫度725℃，燒成時間2分鐘。
所獲得之太陽電池之FF示於表5。均顯示比未添加變成氣體之物質之情形時高之FF。
實施例6
本實施例係於添加Pb系玻璃熔塊作為玻璃熔塊、添加TiO2 作為金屬氧化物之導電膠中，添加於特定溫度範圍內氣化或昇華而變成氣體的各種有機金屬化合物之例。
導電膠組成(以重量份表示)係如表6所示。藉由以行星式攪拌機將各成分混合，且以3輥混煉機進行分散，而製備導電膠。
燒成條件為：峰值溫度725℃，燒成時間2分鐘。
所獲得之太陽電池之FF示於表6。均顯示比未添加變成氣體之物質之情形時(未表示)高之FF。
實施例7
本實施例係添加無Pb基系玻璃熔塊作為玻璃熔塊、添加TiO2 作為金屬氧化物之導電膠中，添加於特定溫度範圍內氣化或昇華而變成氣體之各種有機金屬化合物之例。
導電膠組成(以重量份表示)係如表7所示。藉由以行星式攪拌機將各成分混合，且利用3支混煉機進行分散，而製備導電膠。
燒成條件為：峰值溫度725℃，燒成時間2分鐘。
所獲得之太陽電池之FF示於表7。均顯示出比未添加變成氣體之物質之情形時(未表示)高之FF。
實施例8
本實施例係於添加Pb系玻璃熔塊作為玻璃熔塊、添加SnO2 作為金屬氧化物之導電膠中，添加於特定溫度範圍內氣化或昇華而變成氣體之各種有機金屬化合物之例。
導電膠組成(以重量份表示)係如表8所示。藉由以行星式攪拌機將各成分混合，且利用3支混煉機進行分散，而製備導電膠。
燒成條件為：峰值溫度725℃，燒成時間2分鐘。
所獲得之太陽電池之FF示於表8。均顯示出高FF。
實施例9
本實施例係於添加無Pb系玻璃熔塊作為玻璃熔塊、添加SnO2 作為金屬氧化物之導電膠中，添加於特定溫度範圍內氣化或昇華而變成氣體之各種有機金屬化合物之例。
導電膠組成(以重量份計)係如表9所示。藉由以行星式攪拌機將各成分混合，且以3支混煉機進行分散，而製備導電膠。
燒成條件為：峰值溫度725℃，燒成時間2分鐘。
所獲得之太陽電池之FF示於表9。均顯示出比未添加變成氣體之物質之情形時(未表示)高之FF。
實施例10
本實施例係添加Pb系玻璃熔塊作為玻璃熔塊、添加ZnO作為金屬氧化物之導電膠中，添加赤磷作為於特定溫度範圍內氣化或昇華而變成氣體之物質之例。
導電膠組成(以重量份表示)如表10所示。藉由以行星式攪拌機混合各成分，且以3支混煉機進行分散，而製備導電膠。
燒成條件為：峰值溫度780℃，燒成時間2分鐘。
所獲得之太陽電池之FF示於表10。顯示高FF。
實施例11~13
該等實施例係使用本發明第三實施形態之太陽電池電極用導電膠之例。
導電膠組成(以重量份表示)係如表11~13所示。藉由以行星式攪拌機將各成分混合，且以3支混煉機進行分散，而製備導電膠。
燒成條件為：峰值溫度725℃，燒成時間為進－出2分鐘。
各導電膠之組成係如下表11~13所示。根據FF之值來表示。任一實施例與未含有(C)含Al、Ga、In或Tl的化合物之比較例相比，顯示良好之FF。
1．．．光入射側電極
2．．．抗反射膜
3．．．N型擴散層
4．．．P型矽基板
5．．．背面電極
圖1係銦之乙醯丙酮化合物之熱分析結果。
圖2係太陽電池之基本構造。
圖3係表示實施例1之太陽電池之燒成之峰值溫度與FF之圖。
(無元件符號說明)

Claims (14)

  1. 一種太陽電池電極用導電膠，其包含有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊、以及(A)於150~800℃溫度範圍內變成氣體之物質與金屬氧化物；上述變成氣體之物質為有機金屬化合物；上述有機金屬化合物係選自由乙醯丙酮金屬錯合物、乙醯乙酸金屬錯合物、二乙基丙二酸酯金屬錯合物、環戊二烯錯合物、辛酸金屬化合物、硬脂酸金屬化合物以及棕櫚酸金屬化合物所組成之群中之1種以上；且相對於上述導電性粒子100重量份，上述變成氣體之物質為0.1~10重量份，上述金屬氧化物為0.5~15重量份。
  2. 如請求項1之太陽電池電極用導電膠，其中上述金屬氧化物為選自由氧化鋅、氧化鈦以及氧化錫所組成之群中之1種以上。
  3. 如請求項1之太陽電池電極用導電膠，其中相對於上述導電性粒子100重量份，上述玻璃熔塊為0.5~10重量份。
  4. 一種太陽電池電極用導電膠，其包含有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊、以及(B)有機金屬化合物與金屬氧化物；上述有機金屬化合物係選自由乙醯丙酮金屬錯合物、乙醯乙酸金屬錯合物、二乙基丙二酸酯金屬錯合物、環戊二烯錯合物、辛酸金屬化合物、硬脂酸金屬化合物以及棕櫚酸金屬化合物所組成之群中之1種以上；且上述有機金屬化合物為0.1~10重量份，上述金屬氧化 物為0.5~15重量份。
  5. 如請求項4之太陽電池電極用導電膠，其中上述金屬氧化物為選自由氧化鋅、氧化鈦以及氧化錫所組成之群中之1種以上。
  6. 如請求項4之太陽電池電極用導電膠，其中相對於上述導電性粒子100重量份，上述玻璃熔塊為0.5~10重量份。
  7. 一種太陽電池電極用導電膠，其包含有機黏合劑、溶劑、導電性粒子、玻璃熔塊，以及(C)含Al、Ga、In或Tl之化合物；該化合物為有機金屬化合物；上述有機金屬化合物係選自由乙醯丙酮金屬錯合物、乙醯乙酸金屬錯合物、二乙基丙二酸酯金屬錯合物、環戊二烯錯合物、辛酸金屬化合物、硬脂酸金屬化合物以及棕櫚酸金屬化合物所組成之群中之1種以上；且上述有機金屬化合物為0.1~10重量份，上述金屬氧化物為0.5~15重量份。
  8. 如請求項7之導電膠，其係用以形成N型半導體上之電極者。
  9. 如請求項7之導電膠，其進一步含有氧化鋅、氧化鈦、氧化錫、氧化銅或氧化鎳。
  10. 一種太陽電池之電極，其係將如請求項1至9中任一項之太陽電池電極用導電膠燒成而成者。
  11. 如請求項10之太陽電池之電極，其中燒成溫度為600~800℃。
  12. 一種太陽電池，其具有如請求項10之電極。
  13. 如請求項12之太陽電池，該太陽電池係於P型多結晶矽基板之表面上包含N型擴散層、防反射膜及電極。
  14. 一種太陽電池之製造方法，其係將如請求項1至9中任一項之太陽電池電極用導電膠燒成而形成電極者。
TW096114612A 2006-04-25 2007-04-25 Conductive adhesive for solar cell electrodes TWI405219B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006120834A JP4714633B2 (ja) 2006-04-25 2006-04-25 太陽電池電極用導電性ペースト
JP2006120835A JP4714634B2 (ja) 2006-04-25 2006-04-25 太陽電池電極用導電性ペースト

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200811883A TW200811883A (en) 2008-03-01
TWI405219B true TWI405219B (zh) 2013-08-11

Family

ID=38655404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096114612A TWI405219B (zh) 2006-04-25 2007-04-25 Conductive adhesive for solar cell electrodes

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20090095344A1 (zh)
EP (1) EP2015367A4 (zh)
TW (1) TWI405219B (zh)
WO (1) WO2007125879A1 (zh)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7736546B2 (en) 2008-01-30 2010-06-15 Basf Se Glass frits
US8383011B2 (en) * 2008-01-30 2013-02-26 Basf Se Conductive inks with metallo-organic modifiers
US8308993B2 (en) 2008-01-30 2012-11-13 Basf Se Conductive inks
US20090229665A1 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aluminum pastes and use thereof in the production of silicon solar cells
CN101990688A (zh) * 2008-04-15 2011-03-23 E.I.内穆尔杜邦公司 铝浆及其在硅太阳能电池生产中的用途
US20090266409A1 (en) * 2008-04-28 2009-10-29 E.I.Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
JP4754655B2 (ja) * 2008-08-07 2011-08-24 京都エレックス株式会社 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法
KR101002282B1 (ko) * 2008-12-15 2010-12-20 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
EP2474004B1 (de) * 2009-09-04 2015-02-25 Basf Se Zusammensetzung zum drucken von elektroden
JP5550881B2 (ja) * 2009-10-15 2014-07-16 ナミックス株式会社 太陽電池及びその製造方法
CN102656645A (zh) * 2009-10-21 2012-09-05 E.I.内穆尔杜邦公司 在非织构化硅片的正面上形成电极的方法
JP5362615B2 (ja) * 2010-02-22 2013-12-11 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉及びその製造方法
JP5608735B2 (ja) 2010-04-02 2014-10-15 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用ペースト組成物およびその製造方法ならびに太陽電池
EP3070062A1 (en) 2010-05-04 2016-09-21 E. I. du Pont de Nemours and Company Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
US20140332067A1 (en) * 2010-09-01 2014-11-13 George E. Graddy, Jr. Via Fill Material For Solar Applications
SG189537A1 (en) * 2010-10-28 2013-06-28 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Solar cell metallizations containing metal additive
WO2012153553A1 (ja) * 2011-05-12 2012-11-15 横浜ゴム株式会社 太陽電池集電電極形成用導電性組成物および太陽電池セル
JP2012243865A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Yokohama Rubber Co Ltd:The 太陽電池集電電極形成用導電性組成物および太陽電池セル
JP2012238754A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Yokohama Rubber Co Ltd:The 太陽電池集電電極形成用導電性組成物および太陽電池セル
TWI552975B (zh) * 2011-10-25 2016-10-11 賀利氏貴金屬北美康舍霍肯有限責任公司 含有金屬奈米顆粒之導電膠組合物
EP2805334A4 (en) * 2012-01-16 2015-10-28 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc ALUMINUM CONDUCTIVE PASTE FOR CELLS ON REAR SIDE WITH PASSIVATED SURFACE WITH LOCALLY OPEN METALLIC HOLES.
KR20150000486A (ko) 2012-04-18 2015-01-02 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 태양전지 접촉부의 인쇄 방법
TWI489642B (zh) 2012-12-26 2015-06-21 Ind Tech Res Inst 太陽能電池封裝模組及其製造方法
EP2749546B1 (en) * 2012-12-28 2018-04-11 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG An electro-conductive paste comprising elemental phosphorus in the preparation of electrodes in mwt solar cells
JP6242198B2 (ja) 2013-12-10 2017-12-06 京都エレックス株式会社 半導体デバイスの導電膜形成用導電性ペースト、および半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法
CN103762260A (zh) * 2014-01-28 2014-04-30 常州安迪新材料有限公司 太阳能电池组件用封装胶膜
WO2015118760A1 (ja) * 2014-02-06 2015-08-13 横浜ゴム株式会社 導電性組成物、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
US20160369111A1 (en) * 2015-06-19 2016-12-22 Sun Chemical Corporation Silver paste and its use in semiconductor devices
US10784383B2 (en) 2015-08-07 2020-09-22 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
WO2017087907A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-26 The Regents Of The University Of California Transition metal depositi0n and oxidation on symmetric metal oxide electrodes for storage application
TWI745562B (zh) 2017-04-18 2021-11-11 美商太陽帕斯特有限責任公司 導電糊料組成物及用其製成的半導體裝置
CN112786233B (zh) * 2019-11-11 2023-01-03 江西佳银科技有限公司 一种高活性低串阻的n型太阳能电池银浆及其制备方法
CN112777938B (zh) * 2019-11-11 2023-03-17 江西佳银科技有限公司 一种晶硅太阳能正银浆料用玻璃粉及其制备方法和用途
CN112825276B (zh) * 2019-11-21 2022-12-23 江西佳银科技有限公司 一种高性能太阳能正面导电银浆及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0328414A (ja) * 1989-06-26 1991-02-06 Ohbayashi Corp 連続地中壁工法における継手部の施工方法
TWI225897B (en) * 2000-12-12 2005-01-01 Konishiroku Photo Ind Method for forming thin film, article having thin film, optical film, dielectric coated electrode, and plasma discharge processor
JP2005243500A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Kyocera Chemical Corp 導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57180112A (en) * 1981-04-30 1982-11-06 Taiyo Yuden Kk Method of forming electrode for porcelain electronic part
JP2839326B2 (ja) * 1990-03-28 1998-12-16 京セラ株式会社 磁器電子部品
JPH06203626A (ja) * 1993-01-06 1994-07-22 Asahi Chem Ind Co Ltd 低温焼成可能な導電性ペースト
US6338809B1 (en) * 1997-02-24 2002-01-15 Superior Micropowders Llc Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom
US6316100B1 (en) * 1997-02-24 2001-11-13 Superior Micropowders Llc Nickel powders, methods for producing powders and devices fabricated from same
JP3862042B2 (ja) * 1997-05-08 2006-12-27 Ｔｄｋ株式会社 導電性ペースト、それを用いたセラミックス構造物及びその製造方法
JPH11329072A (ja) 1998-05-13 1999-11-30 Murata Mfg Co Ltd 導電ペースト及びそれを用いた太陽電池
JP2001118425A (ja) 1999-10-21 2001-04-27 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト
JP2001135138A (ja) * 1999-10-29 2001-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導体ペースト
JP2001313400A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Kyocera Corp 太陽電池素子の形成方法
US7732002B2 (en) * 2001-10-19 2010-06-08 Cabot Corporation Method for the fabrication of conductive electronic features
EP1571680B1 (en) * 2002-12-09 2012-09-12 Panasonic Corporation Electronic part with external electrode
KR100771393B1 (ko) * 2003-10-20 2007-10-30 하리마 카세이 가부시키가이샤 건조 분말상의 금속 미립자 및 금속 산화물 미립자와 그용도
JP4789426B2 (ja) * 2004-04-26 2011-10-12 太陽ホールディングス株式会社 銀ペースト用ガラス組成物及びそれを用いた感光性銀ペースト及び電極パターン
WO2006003830A1 (ja) * 2004-07-01 2006-01-12 Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
KR100650798B1 (ko) * 2004-07-19 2006-11-27 (주)제이코통상 광학활성 카복실산의 제조방법
US20060102228A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Ferro Corporation Method of making solar cell contacts
JP4964152B2 (ja) * 2005-03-04 2012-06-27 インクテック カンパニー リミテッド 導電性インク組成物及びこの製造方法
US8093491B2 (en) * 2005-06-03 2012-01-10 Ferro Corporation Lead free solar cell contacts

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0328414A (ja) * 1989-06-26 1991-02-06 Ohbayashi Corp 連続地中壁工法における継手部の施工方法
TWI225897B (en) * 2000-12-12 2005-01-01 Konishiroku Photo Ind Method for forming thin film, article having thin film, optical film, dielectric coated electrode, and plasma discharge processor
JP2005243500A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Kyocera Chemical Corp 導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200811883A (en) 2008-03-01
EP2015367A4 (en) 2011-10-05
US20120067417A1 (en) 2012-03-22
WO2007125879A1 (ja) 2007-11-08
EP2015367A1 (en) 2009-01-14
US20090095344A1 (en) 2009-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI405219B (zh) Conductive adhesive for solar cell electrodes
JP4714633B2 (ja) 太陽電池電極用導電性ペースト
JP5870124B2 (ja) 太陽電池素子の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池素子並びにその太陽電池素子の製造方法
CN104694778B (zh) 电极用糊剂组合物及太阳能电池
TWI495125B (zh) 元件及太陽電池
JP2012502503A (ja) 太陽電池電極
JP6220862B2 (ja) 電極形成用導電性ペースト、太陽電池の製造方法及び太陽電池
JP5816738B1 (ja) 導電性組成物
TW201007771A (en) Aluminum pastes and use thereof in the production of silicon solar cells
TWI673726B (zh) 導電性組成物、半導體元件與太陽電池元件
JP2011519150A (ja) シリコン太陽電池用導電ペーストおよびグリッド電極
JP2011521401A (ja) アルミニウムペーストおよびシリコン太陽電池の製造におけるその使用
TWI638367B (zh) 含有氧化銻之厚膜組成物及其於製造半導體裝置的用途
JP4714634B2 (ja) 太陽電池電極用導電性ペースト
US20160155868A1 (en) Crystalline silicon solar cell and method for producing same
WO2013015285A1 (ja) 素子および太陽電池
JP2011524636A (ja) シリコン太陽電池の形成方法
JP2008010527A (ja) 太陽電池電極用導電性ペースト
TW201737502A (zh) 導電性膏及太陽能電池
JP2017092251A (ja) 導電性組成物
JP5990315B2 (ja) 導電性組成物
TWI721620B (zh) 用於太陽能電池電極的組合物及使用所述組合物製備的太陽能電池電極
TWI741393B (zh) 用於形成基於dsw的太陽能電池電極的組合物以及使用所述組合物製備的基於dsw的太陽能電池電極
KR20120086389A (ko) 태양전지 전극 형성용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 태양전지의 제조 방법
TW201926360A (zh) 太陽能電池

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees