TW479269B - Solid state imaging device and method for manufacturing the same - Google Patents
Solid state imaging device and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- TW479269B TW479269B TW090106087A TW90106087A TW479269B TW 479269 B TW479269 B TW 479269B TW 090106087 A TW090106087 A TW 090106087A TW 90106087 A TW90106087 A TW 90106087A TW 479269 B TW479269 B TW 479269B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- region
- gate
- aforementioned
- solid
- film
- Prior art date
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 61
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 84
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 84
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 30
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 15
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 177
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 91
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 description 5
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018999 CoSi2 Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N Ibuprofen Chemical compound CC(C)CC1=CC=C(C(C)C(O)=O)C=C1 HEFNNWSXXWATRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- NMJKIRUDPFBRHW-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti].[Ti] NMJKIRUDPFBRHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14654—Blooming suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479269 A7 B7_ 五、發明說明(1 ) [發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種具有光電二極體和Μ 0 S型場效應電晶 體之固態攝影裝置及其製造方法。 [習知技術] 近幾年因個人電腦或攜帶資訊機器終端機迅速普及而個 人輕易進行影像取入、加工、编輯的機會增加。因此,對 於CCD爲主的固態攝影裝置也是小型化、低耗電化、低成 本化的要求提高。作爲滿足這些要求者,以通用CMOS半 導體技術爲基楚所製作的MOS型固態攝影元件(通稱CMOS 影像感測器)出現,正在普及中。現在CMOS影像感測器的 製品係使用0.35 μιη規則以上的CMOS技術所製作。然而, 今後預料固態攝影裝置小型化、低耗電化的要求提高,細 微化更加進展。 圖29顯示例如如特開平10-1 50 1 82號公報所揭示的習知 MOS型固態攝影裝置的截面圖。在圖29中,A區域顯示像 素區域^ B區域顯tf周邊電路區域。 如圖29所示,在P型矽基板1 1上透過閘絕緣膜(氧化矽 膜)12選擇地形成由多晶矽構成的閘極13a、13b、13c。此 處,在A區域,13a顯示讀出閘極,13b顯示重設或位址閘 極。此外,在0.35 μιη技術以上的非細微圖案,LOCOS構 造是一般的,所以在矽基板11内選擇地形成LOCOS構造的 元件分離區域(以下稱爲LOCOS)。 在A區域,在矽基板11表面所希望的區域形成N型汲極區 域14a,光電二極體的N型信號儲存區域15,在此N型信號 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) * , > --------訂---------
儲存區域15表面形成r型表面厚蔽區域21。藉此,形成儲 存與入射光里相應的信號電荷的P+Np型嵌人光電二極體 3 4a、3 4b。在B區域,在矽基板u内形成N井、^,在此 N井P井内分別形成n^jldd(輕摻雜汲極)區域ία、p型 L D D 區域 14 c。 >此外’全㈣成第—層間絕_25,在此第_層間絕緣 膜25 j形成第二層間絕緣膜27,在此第:層間絕緣膜”上 =成第銘遮光膜28。在此銘遮光膜28設置爲了入射光到光 電一極體34a、34b的開口部3G。此外,在第二層間絕緣膜 27内的第-層間絕緣膜25±選擇地形成起信號線或單位像 素内的連接配線作用的絲線26。此外,在最上面形成覆 盍全面的氮化矽膜等表面保護膜29。又,在鋁配線%、鋁 ‘光膜28上面、下面爲了抑制光反射,有時會設置鈥、氮 化鈦膜等中間折射率膜(特開平丨i_45989號公報)。 在14種MOS型固態攝影裝置,儲存於光電二極體的信號 儲存區域15的信號電荷藉由施加正電壓到讀出閘極13&而被 讀出到N型汲極區域14a。其結果,調變及極區域14&的電 位。汲極區域14a和放大電晶體的閘極13b電氣連接,輸出 被放文的電氣信號到信號線。此處使用爲了電氣重設汲極 區域14a的重設電晶體和重設閘線13b、前述放大電晶體、 爲了將放大電晶體定址的位址電體和位址閘線13b。 然而’在上述習知固態攝影裝置,像素細微化進展時產 生的問題之一,係更加強烈出現雜光的影響。 所谓雜光’係指下述現象:例如入射到光電二極體3 4 a、 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂-------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479269 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(3 ) 34b的光的一部分在矽基板“表面被反射後,在鋁配線 26、汲極區域14a、閘極13b表面多重反射而達到遠方。在 圖29所示的固態攝影裝置,閘極Ua、nb、Uc表面或源 極、汲極區域14a、14b、14c表面係光反射率在可見光區 域成爲40%以上之類的光反射率高的梦材料。因批,在光 私一極體34a表面反射的雜光不充分衰減而到達鄰接的光電 一極體34b,其結果產生拖影(s?lear)或模糊現象 (blooming)等假信號。 隨著像素細微化,若光電二極體34a、3 4b的間隔變短, 則當然更加強烈的雜光會進入鄰近的光電二極體。其結 果,容易產生拖影或模糊現象等假信號。再者,由於雜光 不充分衰減,所以此雜光到達B區域(周邊電路區域)的源 極、汲極區域14b、14c、閘極13c,在電晶體產生錯誤動 作。因此,今後隨著像素細微化,當然這種雜光的不良影 響將更加強烈。 且説目前在CMOS影像感測器使用3 · 3 v以上的電源電 壓。今後’爲了因應固悲攝影裝置更加小型化、低耗電化 的要求,預料將進行上述0·35 μπι技術以下的細微化,同時 J . 3 V以下的低電源電/^化的開發。 然而,信號儲存區域使用將不同導電型的表面屏蔽區域 形成於光電二極體表面嵌入型光電二極體構造時,低電源 電壓化,即讀出閘的低電源化所造成的問題將變大。 圖3 0(a)顯示爲圖29的Α區域一部分的嵌入型光電二極體 截面圖。此外,圖30(b)、(c)顯示低電壓讀出時(讀出閘極接 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- 線#· -6 - 479269
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 通時)的電位截面圖,圖30⑷顯示比圖3〇(b)以低電壓讀出 的情況。 如圖30(a)、⑻所示,在p型石夕基板u内形成匕沉⑽構造 的元件分離區域,在石夕基板u上透過氧化石夕膜等間絕緣膜12 形成讀出閘極13a。切基板u表面利用離子注人形朗型 及極區域14a、N型信號儲存區域15、p+型表面厚蔽區域 21。此外,矽基板“和表面屏蔽區域21設在基準電位。 在反’種固悲攝影裝置,入射光到光電二極體34a時,所入 射的光被光電變換而在信號儲存區域15儲存信號電子。此 處,表面屏蔽區域21具有以下作:防止成爲石夕/二氧化石夕 的閘絕膜12界面的空乏層且減低接合漏電流;及,比由接 通讀出閘極13a所調變的讀出閘極Ua下的通道電位〇低地 規定夾在表面厚蔽區域21㈣基板以間的信號餘存區域 15的電位42。因此,可使儲存於信號儲存區域。的信號電 子原理上完全傳輸到汲極區域14&。 然而,在如圖30(a)所示的習知固態攝影裝置,將表面屏 蔽區域21全部區域嵌内石夕基板11ή。因此,表面屏蔽區域 21上面比讀出閘極13a下面位於下方。因此,在表面屏蔽區 域21端部的位障產生部40產生如圖3〇(b)所示的位障ο。 其結果’殘留電荷44不能被完全傳輸而留在信號儲存區域 15内,所以不少成爲產生餘像或雜訊的原因。 再者,隨著低電源電壓化的要求,電源電壓下降,即靖 出閘極13a接通時的電壓(讀出電壓)下降時(例如讀出電壓= 習知3.3V下降到2.5V程度時),如如圖3〇(c)所示,位障 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
一 --------^ --------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479269 A7 B7_ 五、發明說明(5 ) 更高,產生更多的殘留電荷45。其結果,餘像或雜訊更增 加且靈敏度降低也變大,所以實用上成爲大問題。 [發明欲解決之課題] 如以上,近幾年因元件細微化而更加強烈出現雜光的影 響,容易產生拖影或模糊現象等假信號。此外,因低電源 電壓化而位障更加提高,餘像或雜訊更加增加。如此,習 知固態攝影裝置因元件細微化及低電源電壓化的要求而產 生種種雜訊,產生元件性能降低。 本發明係爲了解決上述課題所完成的,作爲其目的之處 在於提供一種可使元件性能提高之固態攝影裝置及其製造 方法。 [解決課題之手段] 本發明爲了達成前述目的,使用以下所示的手段。 本發明之第一固態攝影裝置具備第一絕緣膜:形成於第 一導電型半導體基板上;讀出閘極:選擇地形成於前述第 一絕緣膜上;第二導電型擴散區域:形成於前述讀出閘極 一端的前述半導體基板表面;第二導電型信號儲存區域: 形成於前述讀出閘極他端的前述半導體基板表面;第一導 電型表面屏蔽區域:形成於前述信號儲存區域表面;矽化 金屬塊層:覆蓋前述信號儲存區域至少一部分;及,金屬 矽化物層:形成於前述擴散區域上。 本發明之第二固態攝影裝置具備第一絕緣膜:形成於第 一導電型半導體基板上;讀出閘極:選擇地形成於前述第 一絕緣膜上;第二導電型擴散區域:形成於前述讀出閘極 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公^ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
| 一:「V 479269 Λ7 五、發明說明(6 一端的前述半導體基板表面;第二導電型信號儲存區域: 形成於前述讀出閘極他端的前述半導體基板表面;及,第 導%型表面屏蔽區域:使其選擇磊晶成長而形成於前述 信號儲存區域上。 本發明之第三固態攝影裝置在上述第二固態攝影裝置更 具備矽化金屬塊層:覆蓋前述信號儲存區域至少一部分· 及,金屬矽化物層:形成於前述擴散區域上。 在上述第二、第三固態攝影裝置也可以更具備架高源 極、及極:使其選擇蟲晶成長而形成於前述擴散區域上。 在上述第一、第三固態攝影裝置,前述金屬矽化物層若 是矽化鈦膜、矽化鈷膜、矽化鎳膜、矽化鎢膜之任_膜即 可。 在上述第一、第三固態攝影裝置,前述矽化金屬塊層最 好是下述圖案:覆蓋前述信號儲存區域至少一部分且覆言 前述讀出閘極至少一部分。此外,前述矽化金屬塊層也可 以疋下述圖案:覆蓋别述#號儲存區域至少一部分且覆言 前述讀出閘極至少一部分、更覆蓋前述擴散區域至少—部 分。 在上述弟二、弟二固悲知裝置’前述表面屏蔽區域下 面最好位於和前述讀出閘極下面同一高度。 在上述第三固態攝影裝置也可以更具備閘極:和前述讀 出閘極離開預定間隔所形成;架高源極、汲極區域:使其 選擇磊晶成長而形成於前述閘極兩端;及,金屬硬化物 層··形成於前述架高源極、汲極區域上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ ·1111111 ·1111111_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
479269 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 Λ7 -------21 五、發明說明(7 ) t發明之第一固態攝影裝置之製造方法包含以下製程: 在第一導電型半導體基板上形成第一絕緣膜;在前述半導 體基板内選擇地形成分離元件區域的元件分離區域;在前 j兀件區域上透過前述第_絕、⑽形成讀出_,同時在 則jTL件分離區域上透過前述第一絕緣膜形成閘極;在前 述讀出閘極-端的元件區域表面形成第二導電型擴散區 域,在則述讀出閘極他端的元件區域表面形成第二導電型 '號儲存區域’全面形成第二絕緣膜;如露出前述擴散區 域表面般地除去前述第二絕緣膜,形絲蓋前述信號儲存 區域至少一部分的矽化金屬塊層;在前述信號儲存區域表 面形成第一導電型表面屏蔽區域;除去前述擴散區上的前 述第一、第二絕緣膜,露出前述擴散區域表面;及,在露 出薊述表面的擴散區域上形成金屬矽化物層。 本發明I第二固態攝影裝置之製造方法包含以下製程: 在第一導電型半導體基板上形成第一絕緣膜;在前述半導 體基板内選擇地形成分離元件區域的元件分離區域;在前 ,元件區域上透過前述第一絕緣膜形成讀出閘極,在前述 碩出閘極一端的元件區域表面形成第二導電型擴散區域; 在可述讀出閘極他端的元件區域表面形成第二導電型信號 儲存區域,及,使如述信號儲存區域的矽層選擇磊晶成長 而形成第一導電型表面屏蔽區域。 本發明之第二固悲攝影裝置之製造方法包含以下製程: 在第一導電型半導體基板上形成第一絕緣膜;在前述半導 體基板内選擇地形成分離元件區域的元件分離區域;在前 -10 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) » . 1 _ --------訂--------- 479269 Λ7 五、發明說明(8 述元件區域上透過前述第—絕緣膜形成讀… 讀出閘極一端的元件區域表面形成 ?,則述 ,,_ ,+,.., 々成弟—導電型擴散區域; 在則切出閘極他端的元件區域表面形_ ^區^使前述信_存區域_層選衫晶成長^ 成:-導電型表面屏蔽區域;全面形成第二絕緣膜;如获 出雨述擴散區域上的前述選擇成切層表面般地除去前述 弟-絕緣膜’形成覆蓋前述信號儲存區域至少_部分的碎 化金屬塊層;&,在露出前述表面的擴散區域上的選擇成 長矽層形成金屬矽化物層。 在上述第二、第三固態攝影裝置之製造方法,前述表面 屏蔽區域在使未被離子注入的矽層選擇成長後,藉由在此 選擇成長矽層進行離子注入及熱處理而形成即可。此外, 月’ί述表面屏蔽區域也可以藉由使已被離子注入的矽層選擇 成長而形成。 在上述第一、第二固態攝影裝置之製造方法也可以更含 有以下製程:形成前述金屬矽化物層後,除去前述塊層。 [發明之實施形態] 么么參照圖面説明本發明之實施形態於下。在以下的實施 形態顯示使用0·25μιη以下的細微技術製作的CMOS影像感 測器之例。因此,取代在習知技術使用的L〇c〇S,使用有 利於細微化的STI(淺溝渠隔離)構造的元件分離區域。又, 在以下説明的圖面,A區域顯示像素區域,b區域顯系周邊 電路區域。 [第一實施形態] -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21CU 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝i 訂---------, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479269 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(9 ) 第一實施形態在下述事項有特徵:在源極、汲極區域上 形成矽化金屬膜,在光電二極體上形成矽化金屬塊層。茲 就根據這種第一實施形態的固態攝影裝置之製造方法加以 説明。 首先,如圖1所示,使用眾所周知的技術在p型矽基板11 上形成閘絕緣膜(氧化石夕膜)12,在矽基板丨丨内選擇地形成 STI構造的元件分離區域(以下稱爲STI)。其次,在B區域的 P-MOS電晶體形成區域形成>^井,在N_M〇s電晶體形成區 域形成P井。其次,在矽基板Π上選擇地形成由多晶矽構成 的閘極13a、13b、13c。此處,在A區域,形成於元件區域 上的閘極表示讀出閘極13a,形成於STI上的閘極表示重設 或位址閘極13b。此外,在B區域,13c表示MOS場效應電 晶體之閘極。 其次,使用光刻法和離子注入法在A區域的讀出閘極^ 3 a 端部的矽基板11表面形成N型汲極區域14a,在B區域的N-MOS電晶體的源極、汲極區域形成n型LDD(輕摻雜及極) 區域14b。其次,在B區域的Ρ-MOS電晶體的源極、汲極區 域形成P型LDD區域14c。其次,在A區域的讀出閘極13a端 部的矽基板11表面形成光電二極體的N型信號儲存區域 15。此處,N型汲極區域14a、N型LDD區域14b、N型信號 儲存區域15形成時所注入的離子使用例如磷離子。此外,p 型L D D區域14 c形成時所注入的離子使用例如硼離子。又, 由離子注入法進行的擴散層區域14a、14b、14c的形成順 序和本實施形態不同亦可。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝----- 訂--------- -12-
A7
479269 五、發明說明(1〇 ) 此外,在本實施形態,離開光電二極體的信號儲存區域 15和STI端部(STI和元件區域的境界)設置間隙Ua。此間 隙11a係爲了使後述表面屏蔽區域和矽基板丨丨導通所形成。 因此,操需在仏號儲存區域15和sTI端部之間設置大的間 隙,至少邵分設置間隙即可。此外,微少缺陷實質上不存 在於STI端部,實質上光電二極體的接合漏電流不增加時, 也可以將k號儲存區域15擴大到s TI端部。 其次,如圖2所示,使用減壓CVD(化學氣相沈積)法等全 面形成具有例如10至30 nm膜厚的氧化矽膜16,在此氧化 矽膜16上形成具有例如50至1〇〇 nm膜厚的氮化矽膜丨了。再 在氮化矽膜17上使用減壓CVD法等形成具有例如5〇至1〇〇 nm膜厚的氧化矽膜16b。其後,利用光刻法在光電二極體 的信號儲存區域15上方的氧化矽膜16b上選擇地形成光阻膜 18 〇 其次,如圖3所示,以此光阻膜丨8爲罩幕,用稀氫氟酸系 的濕式独刻液除去氧化矽膜16b後,使用RIE(反應性離子餘 刻)技術乾式蝕刻氮化矽膜17,在閘極13a、13b、13(:侧面 形成閘側壁絕緣膜(側壁絕緣膜)20 ,同時在光電二極體的 信號儲存區域15上形成矽化金屬塊層19。其後,除去光阻 膜18。 其次’如圖4所示,使用光刻法、離子注入法及熱處理法 在A區域光電二極體的信號儲存區域15表面形成p+型表面 屏蔽區域2 1。其結果,形成儲存與入射光量相應的信號電 荷的P + NP型嵌入光電二極體34。此處,表面屏蔽區域21起 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------- ^---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479269 A7
五、發明說明(11 ) 下述作用:藉由屏蔽在光電二極體34表面的矽/二氧化矽界 面,防止信號儲存區域15的空乏層擴展到矽/二氧化矽界 面。因此,利用表面屏蔽區域21可抑制因矽/二氧化矽界面 態密度而產生漏電流。另一方面,形成P+型表面屏蔽區域 2 1,同時在B區域,在元件區域形成源極、及極區域2 2狂、 22b。此處,在N-MOS區域的源極、汲極區域22a的形成進 行N型離子/主入,在ρ-MOS區域的源择、及極區域22b的 形成進行P +型離子注入。 其次,如圖5所示,使用氫氟酸系的蝕刻液除去未以矽化 金屬塊層19覆蓋的閘極13a' 13b、13c上及元件區域上的 氧化矽膜12、16,露出閘極na、13b、13c表面及矽基板 11表面。其次,進行預先非晶系化離子注入作爲後述金屬 矽化物化的前製程。此預先非晶系化的離子注入係以加速 電壓例如15至50 kV、劑量例如i〇i4s1〇i5cm-2的條件使用 坤離子所進行。其後,利用錢鍍法等,作爲石夕化金屬膜, 全面形成具有例如20至30 nm膜厚的鈦膜,在此鈦膜上形 成具有例如10至20 nm膜厚的氮化鈦膜。屬5的23表示由鈦 膜和鼠化欽膜構成的碎化金屬膜。又,碎化金屬不限於 鈦,也可以使用例如鈷、鎳、鎢等高熔點金屬。 其次’如圖6所示,在氮氣氛中,以溫度600至700°C , 時間30至60秒的條件進行RTA(快速加熱退火)。藉此,在 閘極13a、13b、13c及矽基板11的元件區域和矽化金屬膜 直接接觸的區域,閘極i3a、13b、13c及石夕基板11中的 石夕和矽化金屬膜23中的鈦反應,使金屬矽化。其後,使用 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----訂---------' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ηβ〇4或HCl+H2〇2溶液剝離除去未反應的矽化金屬膜 23,再以溫度700至800。(:,時間2〇至3〇秒的條件進行rta 熱處理。其結果,在未以矽化金屬塊層19覆蓋的閘極13冱、 13b、13c表面及矽基板U上形成被金屬矽化物化的矽化鈦 膜(TiSi2膜)24b、24a。 此後,利用乾式或濕式蝕刻法除去矽化金屬塊層19(或只 是構成矽化金屬塊層19的氮化矽膜17部分)亦可。將矽化金 屬塊層19留在光電二極體34上時的優點係下述之點:由於 氮化矽膜17具有矽和氧化矽膜間的中間折射率,所以因光 的多重干擾效應而在光電二極體3 4表面的光反射率減少, 靈敏度提高。另一方面,蝕刻除去光電二極體34上的矽化 金屬塊層19的優點係下述之點:由於比氧化矽膜具有1〇倍 程度高的膜應力的氮化矽膜17不存在於光電二極體34正下 面,所以可減少由應力所引起的光電二極體漏電流。在本 發明之實施形態將就留下矽化金屬塊層19的情況説明如 下。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次,如圖7所示,全面形成第一層間絕緣膜25後,此第 第一層間絕緣膜25爲CMP(化學機械研磨)技術所平坦化。 在此被平坦化的第一層間絕緣膜25上選擇地形成起A區域内 的#唬線或連接配線、B區域内的連接配線作用的鋁配線 26。其次,全面形成第二層間絕緣膜27,此第二層間絕緣 膜27爲CMP技術所平坦化。·在此被平坦化的第二層間絕緣 膜27上形成铭遮光膜28,選擇地除去光電二極體34上方的 链遮光膜28。藉此,形成爲了入射光到光電二極體34的開 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公餐) 479269 A7 _____ B7 五、發明說明(13 ) 口部30。此外,B區域全面爲鋁遮光膜28所覆蓋。其後, 全面形成氮化矽膜等表面保護膜29。 在如以上所形成的固態攝影裝置,就A區域的矽化金屬塊 層19的平面圖案説明於下。 圖8顯示圖6的C區域的上面圖。如圖8所示,形成和讀出 電晶體的閘極13 a —端鄰接的光電二極體3 4,形成和此光電 二極體34離開的重設電晶體或位址電晶體的閘極13b。此 外,形成和讀出電晶體的閘極13a他端鄰接的汲極區域 14a。再者’形成碎化金屬塊層19 :覆蓋光電二極體21、 15全面且部分覆蓋閘極13a、13b兩方。 圖9至圖11顯示覆蓋光電二極體34全面的矽化金屬塊層圖 案的變形例。 圖9顯示矽化金屬塊層19只部分覆蓋閘極13&、i3b任何 一方的情況。圖10顯示矽化金屬塊層19橫越閘極13 &、i3b 兩方而覆盖的情況。圖11顯示石夕化金屬塊層19部分覆蓋閘 極13a、13b—方,橫越他方而覆蓋的情況。 如圖ίο、11,在矽化金屬塊層19橫越閘極13 &、nb而覆 蓋的情況,由於不被矽化金屬化的閘極丨3 &、13b面積寬, 所以配線電阻變大。這是因爲比較被金屬矽化物化時和不 被金屬碎化物化時的多晶矽配線電阻的情況,通常被金屬 矽化物化時的電阻小一位數程度。因此,高速驅動像素信 號時(像素數多時或幀頻高時),爲了抑制配線延遲,最好使 用如圖8、9的矽化金屬塊層19的圖案。 圖12至圖15顯示部分覆蓋光電二極體34的矽化金屬塊層 -16- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - tr---------^^wi. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479269 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖案的變形例,但本發明使用這種矽化金屬塊層圖案亦有 效。説得更確切些,以光電二極體34表面一部分爲低光反 射率的TiSi2膜之類的金屬矽化物膜覆蓋的一方爲了抑制雜 光較有效。然而,在被金屬矽化物化的光電二極體部有接 合漏電流增加、黑暗時雜訊增加之虞。當然需要從抑制雜 光和低暗時雜訊的平衡選擇適當的矽化金屬塊層圖案。 又,如圖16所示,以矽化金屬塊層p覆蓋汲極區域14&全 面亦可。這種情況,不會因使汲極區域金屬矽化物而接 合漏電流增加。因此,傳輸信號電荷到汲極區域14a時,可 減少此後所產生的雜訊。 圖17顯不在本發明所用的金屬矽化物膜(TiSi2膜、c〇Si2 膜作爲代表)和習知矽(si)的表面光反射率。在圖17顯示在 大氣中設置試樣,以入射角8度使光入射時所測量的光反射 率之値。 如圖17所示,在波長3〇〇至700 nm的可見光區,TiSi2和 CoSh的光反射率比習知矽明顯小。特別是c〇si2的情況, 可使可見光區的光反射率爲30%以下,非常小。 本發明者等實施本發明的結果,使用Tisi2膜時,在鄰接 像素可使雜光的假信號產生量減少到習知(矽)的約6 〇 %。再 者,使用低反射率的CoSi2時,在鄰接像素可使雜光的假信 號產生里減少到習知(石夕)的約3 〇 %。又,使用N丨§丨2或w S i 2 時亦可得到和TiSi2和CoSi2同樣的效果。 根據上述第一實施形怨’在没極區域14 a、源極、没極區 域22a、22b上形成光反射率低的硬化鈥膜24a。因此,可 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --------------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479269 Λ7 B7 五、發明說明(15 ) 防止雜光反射,所以可充分抑制因雜光而產生假信號(拖影 或模糊現象)。此外,也可以抑制雜光到達周邊電路,所以 可防止電晶體的錯誤動作。如此,可防止假信號或錯誤動 作,可使元件性能提高。 此外’在光電二極體34上形成矽化金屬塊層丨9。留下此 石夕化金屬塊層19時,因多層薄膜光干擾效應而可使從上方 入射到光電二極體3 4的光的反射成分減少約1 〇至3 〇。/。。因 此,可實現習知約1.2倍高的光靈敏度的固態攝影裝置。 另一方面,形成矽化鈦膜24 a、24b後除去矽化金屬塊層 19時’不爲矽化金屬塊層19的氮化矽膜17所隔斷,而由燒 結製程所供應的充分量的氫原子可到達光電二極體3 4。因 此,可得到充分的燒結效應,所以對減低光電二極體3 4的 漏電流有效。又,所謂燒結製程,係在最後製程附近,形 成冨含氫的電漿氮化膜後,以450°C進行30分鐘程度熱處理 而使氫原子擴散到矽基板的製程,主要具有使氧化膜/矽界 面態密度鈍化而減少接合漏電流的效果。 此外,藉由形成矽化金屬塊層19,可防止在光電二極體 34上形成光透過率非常低(約20%以下)的矽化金屬膜。因 此可供應充分的入射光量給光電二極體34,所以使用矽化 金屬製程製造CMOS影像感測器時亦可實現高的光靈敏度 的固態攝影裝置。此外•,由於不導入石夕化金屬化的結晶缺 陷到光電二極體3 4中,所以可減低光電二極體3 4的接合漏 電流。因此,可減低造成良率降低的白色瑕疵影像缺陷輸 出和造成畫質惡化的漏電流偏差的暗時不均勻輸出。 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n n flu n n m ϋ· 訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^269 ^269 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 —------B7__— ~ ' " " *""""" ----^ 五、發明說明(16 ) 再者,藉由以矽化金屬塊層19爲氧化矽膜16、氮化矽膜 17及氧化矽膜16b的三層構造,可得到如下述的效果: 首先,氧化矽膜16b的效果如下。在氮化矽膜17上直接沈 積鈦/氮化鈦膜等金屬膜而進行矽化金屬化退火,則氮化石夕 膜17表面雖然略微,但被金屬矽化物化。其結果,產生直 接入射到光電二極體的光量減少的問題,但藉由將氧化石夕 膜16b此形成於氮化矽膜17上,可解決此問題。 其次,氮化矽膜17的效果如下。氮化矽膜17因有矽和氧 化矽膜中間的折射率而可減少光電二極體表面的光反射 率。其結果,入射到光電二極體的光量增加,靈敏度提 高。 此外,氧化矽膜16的效果如下。氮化矽膜17具有氧化石夕 膜約1 〇倍這種大的膜應力。因此,若無氧化矽膜丨6,則氮 化碎膜17透過薄的閘氧化膜12非常接近光電二極體,使起 因於應力的漏電流增加。此處’ 1 〇至3 〇 η πι膜厚的氧化梦 膜16起作用作爲應力緩和層,可防止因氮化矽膜17應力而 光電二極體漏電流增加。 又’在第一實施形態雖然顯示使用ρ型石夕基板的製程,但 當然形成Ρ型井以取代Ρ型矽基板亦可。 此外,在配鋁線26及鋁遮光膜28上面、下面設置鈦 '氮 化鈦膜等中間折射率膜亦可。藉由設置此中間折射率膜, 可更加控制光反射。 [第二實施形態] 第二實施形態在下述事項有特徵:使用慕晶成長法形成 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) •I——--------•裝--------訂---------Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479269 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(17 ;) 表面屏蔽區域及架高源極、汲極。又,在第二實施形能, 關於和上述第一實施形態同樣的方方法簡化説明,只二不 同的方法加以詳細説明。以下,就根據第二實施形態的固 態攝影裝置之製造方法加以説明。 首先,如圖18所示,使用眾所周知的技術在矽基板11上 形成閘絕緣膜(氧化矽膜)12,在矽基板丨丨内選擇地形成STI 構造的元件分離區域(以下稱爲STI)。其次,在B區域的p_ MOS電晶體形成區域形成N井,在晶體形成區域 形成P井。其次,在矽基板11上選擇地形成由多晶矽構成的 閘極 13a、13c。 其次,如圖19所示,使用光刻法和離子注入法在a區域的 閘極13a端邵的矽基板11表面形成N型汲極區域14a,在6區 域的N-MOS電晶體形成區域的源極、汲極區域形成1^型 LDD區域14b。其次,在B區域的Ρ-MOS電晶體形成區域的 源極、及極區域形成P型LDD區域14c。其次,在a區域的 閘極13 a端邶的硬基板1 1表面形成光電二極體的N型信號儲 存區域1 5。 其次,如圖20所示,全面形成氧化矽膜(或氮化矽膜)。 使用RIE技術乾式蝕刻此氧化矽膜,在閘極13&、13c側面 形成閘側壁絕緣膜20。其後,以氫氟酸系的蝕刻液除去閘 絕緣膜12,露出洗淨的矽基板1丨表面。 其次’如圖2 1所示’利用選擇磊晶成長在矽基板丨丨及閘 極13a、13c表面使無摻雜的選擇成長矽層31a、31b、31c 選擇成長,此處,爲了使選擇成長矽層3]^、31b、31c選 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱)---—- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂--------- 479269 77 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π A7 --------B7____ 發明說明(18 ) 擇成長,使用以二氣甲矽烷、氫及鹽酸的混合氣體爲原料 的減壓CVD法,以例如50托、基板溫度850°c的條件進行 即可。此外,選擇成長矽層31a、31b、31c的膜厚如成爲 20至200 nm範圍的希望値般地設定成長時間。 又,雖然顯示在閘極13a、13c上形成選擇成長矽層31C之 例’但在擇系晶成長前若在閘極13 a、1 3 c上先留下氧化 石夕膜等絕緣膜,則當然在閘極丨3 a、13 c上不形成矽層。根 據本發明的宗旨,無需在閘極13a、nc上形成矽層。 其次’如圖22所示,全面形成光阻膜32而被形成圖案, 在光電二極體的信號儲存區域15上形成開口。將被形成圖 案的光阻膜32用於罩幕,以加速電壓例如3〇 kev、劑量例 如4xl013cirT2的條件,在信號儲存區域15上的選擇成長矽 層31a注入BF2離子等硼離子。 其次,如圖23所示,剥離光阻膜32,進行所希望的熱處 理。其結果,使選擇成長矽層31a p +型化(濃度1〇ls至1〇2〇 atms/cm3),在光電二極體的信號儲存區域15表面形成屏蔽 區域21a。其結果,形成儲存與入射光量相應的信號電荷的 P + NP型光電二極體。 又,由於遙擇成長硬層21a具有晶面(facet),所以連接閘 側壁絕緣膜20端部或STI端部的選擇成長矽層3 u膜厚變 薄。因此,離子注入硼(圖22所示),在選擇成長矽層31a膜 厚麦薄的4为(A部)就更深地離子注入删。因此,在a部表 面屏蔽區域2 1 a雖然略微,但會深地形成於矽基板丨丨表面 下。當然,藉由表面屏蔽區域21a形成時離子注入的加速電 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------1 訂 i 479269
五、發明說明(19 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 /¾或劑量调整,可任音母金闰一 七、a 』任又疋圖2)所不的表面屏蔽區域2U的 /▲度輪廓(profile)形狀是不用說的。 圖24⑷顯示爲圖23的人區域—部分的嵌入型光電二極體 構造的截面圖。此外,圖3〇(b)、⑷顯示低電壓讀出時(讀 出閘極接時)的電位截面圖,圖3()⑷顯示比圖3q⑻以低 電壓讀出的情況。此處’圖3〇(b)顯示電壓33v的情況, 圖30(c)顯示電壓2.5V的情況。 一如圖24(a)所示,表面屏蔽區域21a係以選擇成長矽層 爲母體所形成。因此,成爲下述構造:表面屏蔽區域2u上 面比閘極1 ο a卜面位於上方,表面屏蔽區域2丨a下面比閘極 13 a下面稍微位於下方。 因此,如圖30(a)所示的習知構造可對於讀出閘極13a下 面極淺地形成表面屏蔽區域2 ia。其結果,如圖24(b)、(幻 所示,在儲存於#號儲存區域1 5的信號電子讀出時,如以 往(圖30(b)、(c))所見的位障有效地消滅,殘留電荷也實際 上不殘留。 根據上述第二實施形態,使用選擇磊晶成長法在矽基板 11上形成表面屏蔽區域2 ia。因此,在信號讀出時,存在於 表面屏叙區域2 1 a端邵及讀出閘極13 a端部的位障有效地消 滅’殘留電荷實際上不留在光電二極體的信號儲存區域 15。因此,信號電子的完全傳輸實現。其結果,可解決下 述問題:使用如以往的嵌入型光電二極體構造時,特別是 在低電壓讀出時成爲課題的高餘像、高雜訊或低靈敏度; 可提高元件性能。 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^ ^·裝 --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 479269 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(2〇 ) 此外,藉由使用選擇磊晶成長法,在矽基板i丨上形成選 擇成長矽層31b。因此,可將源極、汲極區域作爲架高源 極、汲極。藉此,在像素區域可防止漏電流產生,在周邊 電路區域可謀求低電阻化。 再者,藉由周邊電路區域形成架高源極、汲極,即使將]^ 型汲極區域14a淺地形成於矽基板丨丨中時,亦可充分抑制金 屬矽化物形成後的接合漏電流。其結果,在像素區域亦可 淺地形成N型汲極區域。因此,可抑制下述問題:縮短讀出 閘極13a長度時產生的信號儲存區域15和汲極區域14a間的 穿通(punch through)。因此,可縮短讀出閘極長度,所以 可實現像素尺寸的細微化。 又,在第二實施形態,表面屏蔽區域21a的形成雖然顯示 下述之例:使無掺雜矽層選擇成長(圖21所示),由注入硼 離子(圖22所示)和熱處理所進行,但不限於這種方法。 例如也可以使注入硼的P+型矽層選擇成長。使p+型矽層 從開始選擇成長時,當然可省略硼離子注入或離子注入後 的熱處理。如此形成表面屏蔽區域2la,則不僅可得到和上 述第二實施形態同樣的效果,更可得到以下的效果。 首先,因不導入硼離子注入製程的缺陷到光電二極體而 可減低光電一極體的接合漏電流。此外,在晶面的下部區 域不必更深地注入棚,所以如圖25所示,前述表面屏蔽區 域下面位於和前述閘極下面同一高度。即,可更平面狀且 更淺地形成表面屏蔽區域21b下面。因此,信號讀出時的位 障變成更低,即使2V以下的低電壓讀出條件亦可實現完全 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) —1--------裝--------訂--------- I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 傳輸。[第三實施形態] 第二實施形態和第一實施形態同樣,在下述事項有特 徵·在源極、汲極區域上形成矽化金屬膜,在光電二極體 上形成矽化金屬塊層。此外,和第二實施形態同樣,在下 述事項有特徵:使用磊晶成長法形成表面屏蔽區域及架高 源極、汲極。又,在第三實施形態,關於和上述第二實施 形悲同樣的製程省略説明,只説明不同的製程。以下,就 根據第三實施形態的固態攝影裝置之製造方法加以説明。 首先,如圖1 8至圖23所示,和第二實施形態同樣,在光 % 一極體的k號儲存區域15表面形成被磊晶成長的表面屏 敗區域2 1 a。 其次,如圖26所示,使用減壓CVD法等全面形成具有 例如20至50 nm膜厚的氧化矽膜16,在此氧化矽膜16上形 成具有例如50至1〇〇 nm膜厚的氮化矽膜17。再在氮化矽膜 17上使用減壓CVD法等形成具有50至1〇〇 nm膜厚的氧化石夕 膜16b。其後,利用光刻法在光電二極體的信號儲存區域15 上方形成光阻膜(未圖示)。以此光阻膜爲罩幕,利用尺1£技 術乾式蝕刻氮化矽膜17及氧化矽膜16,在光電二極體的信 號儲存區域15上形成矽化金屬塊層19。利用此矽化金屬塊 層19在之後的矽化金屬製程可防止表面屏蔽區域2U的矽化 金屬化。 其次,如圖2 7所示,以加速電壓例如1 〇至5 〇 kV、劑量 例如1013至1〇13 cm-2的條件,全面注入和信號儲存區域15 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ϋ n -ϋ H ϋ 一:口,· ·ϋ ϋ I 1_1 n n · . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479269 A7 B7 五、發明說明(22 ) 同一導電型雜質離子,例如砷離子。藉此,使未以矽化金 屬塊層19覆蓋的區域的選擇成長矽層3 lb、3 lc至少表面附 近非晶系化。 其次,如圖28所示,利用濺鍍法等全面形成具有例如2〇 至40 nm膜厚的鈦膜(未圖示),在此鈦膜上形成具有例如 至30 nm膜厚的氮化鈦膜(未圖示)。其次,在氮氣氛中,以 700至800 C的溫度條件進行3〇秒程度退火。其結果,選擇 成長矽層3 1b、31c中的矽和鈦膜中的鈦反應,在選擇成長 碎層31b、31c和鈦膜的界面形成矽化鈦膜33a、33b。其 後,使用硫酸和過氧化氫水的混合液等蝕刻除去氮化鈦膜 及未反應的鈦膜。如此一來,形成下述構造:在未以矽化 至屬塊層19覆蓋的遙擇成長碎層3ib、31c上形成碎化数膜 33a、33b。 根據上述第三實施形態,可得到和第一實施形態及第二 實施形悲同樣的效果。 其他,本發明在不脱離其要旨的範圍可種種變形實施。 [發明之效果] 如以上説明,根據本發明,可提供_種可使元件性能提 南的固態攝影裝置及其製造方法。 [圖式之簡單説明] 圖1爲顯π關於本發明第一實施形態的固態攝影裝置製程 的截面圖。 圖2爲嫋示接著圖1的關於本發明第_實施形態的固態攝 影裝置製程的截面圖。 -25- 本紙缺度適用中國國家標準(CNS)A4規“Q χ撕公餐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂--------- 479269 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(23
圖3爲顯示接著圖2的關於本 ^ ^ + i明罘一實施形悲的固熊福 影裝置製程的截面圖。 “ 圖4爲顯示接著圖3的關於太從η μ ^ ;本發明弟一男施形態的固態招 影裝置製程的截面圖。 ^ 圖5爲顯示接著圖4的關於本發明第-實施形態的固態招 影裝置製程的截面圖。 圖6爲顯示接著圖5的關私太政 A/_ ^ ^ ^ 關於本發明弟一實施形態的固態攝 影裝置製程的截面圖。 圖7爲顯示接著圖6的關於本發明第_實施形態的固態攝 影裝置製程的截面圖。 圖8爲顯示關於本發明第-實施形態的石夕化金屬塊層19平 面圖案的平面圖。 圖9爲顯示關於本發明第一實施形態的矽化金屬塊層19平 面圖案的平面圖。 圖10爲顯不關於本發明第一實施形態的矽化金屬塊層 平面圖案的平面圖。 圖11爲頭示關於本發明第一實施形態的碎化金屬塊層19 平面圖案的平面圖。 圖12爲顯示關於本發明第一實施形態的矽化金屬塊層19 平面圖案的平面圖。 圖13爲顯示關於本發明第一實施形態的矽化金屬塊層} 9 平面圖案的平面圖。 圖14爲顯示關於本發明第一實施形態的矽化金屬塊層19 平面圖案的平面圖。 26- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 .%· 479269 A7 B7 五、發明說明(24 圖15局頭不關於本發明第_實施形態的矽化金屬塊層19 平面圖案的平面圖。 圖16爲顯示關於本發明第一實施形態的矽化金屬塊層19 平面圖案的平面圖。 圖17爲比較本發明第_實施形態和習知例的光反射率的 圖表。 圖18爲顯示關於本發明第二實施形態的固態攝影裝置製 程的截面圖。 圖19 A 接♦圖18的關於本發明第二實施形態的固態 攝影裝置製程的截面圖。 圖20爲顯科著圖19的關於本發明第二實施形態的固態 攝影裝置製程的截面圖。 圖21爲顯示接著圖2〇的關於本發明第二實施形態的固態 攝影裝置製程的截面圖。 圖2 2爲頒不接著圖2 1的關私太政 f 口日7關於本發明第二實施形態的固態 攝影裝置製程的截面圖。 1¾、丁接著圖22的關於本發明第二實施形態的固態 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂-------- %,的截面圖 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 f717本發明第二實施形態的位障降低之 圖 圖25變論示本發明第-杳益π Μ —霄J弟一貝她形態變形例的截面圖。 圖2 6爲顯示關於本發明第:奋 r月罘一男、施形態的固態攝影裝置製 &的截面圖。 圖2 7爲顯示接著圖2 6的閗於太政n口〆 韫2 關於本發明弟三實施形態的固態 攝影裝置製程的截面圖。 -27-
479269 Λ7 _B7_ 五、發明說明(25 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖28爲顯示接著圖27的關於本發明第三實施形態的固態 攝影__|1程的截面圖。 圖示根據習知技術的固態攝影裝置的截面圖。 圖彳明習知技術的位障問題的固態攝影裝置的截面 .圖。 [元件編號之説明] 1…碎基板 12…閘氧化膜 13a、13b、13c …閘極 14a *··Ν型没極區域 14b…Ν型LDD區域 14c -·Ρ型LDD區域 15…光電二極體的Ν型信號儲存區域 16…氧化矽膜 16b…氧化矽膜 17…氮化矽膜 18、32…光阻膜 19…珍化金屬塊層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20…閘側壁絕緣膜 21、21a、21b…P+型表面屏蔽區域 22a _··Ρ+型源極、汲極區域 22b "·Ν+型源極、汲極區域 23…鈦/氮化鈦膜 24a、24b、33a、33b…矽化鈦膜 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 479269 A7 B7_五、發明說明(26 ) 25…第一層間絕緣膜 26…鋁配線 27…第二層間絕緣膜 28…鋁遮光膜 29…表面保護膜 30…開口部 31a、31b、31c…選擇成長碎層 34…光電二極體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · n ·ϋ II ϋ— m n ·ϋ 一.口,a n —ϋ ΛΜΜΜβ ·ϋ ·ϋ ϋ . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479269 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種固態攝影裝置,其特徵在於:具備 第一絕緣膜:形成於第一導電型半導體基板上; 讀出閘極:選擇地形成於前述第一絕緣膜上; 第二導電型擴散區域:形成於前述讀出閘極一端的前 述半導體基板表面; 第二導電型信號儲存區域:形成於前述讀出閘極他端 的前述半導體基板表面; 第一導電型表面屏蔽區域:形成於前述信號儲存區域 表面; 矽化金屬塊層:由氧化矽膜及氮化矽膜構成,覆蓋前 述信號儲存區域至少一部分;及, 金屬矽化物層:形成於前述擴散區域上者。 2. —種固態攝影裝置,其特徵在於:具備 第一絕緣膜:形成於第一導電型半導體基板上; 讀出閘極:選擇地形成於前述第一絕緣膜上; 第二導電型擴散區域:形成於前述讀出閘極一端的前 述半導體基板表面; 第二導電型信號儲存區域:形成於前述讀出閘極他端 的前述半導體基板表面;及, 第一導電型表面屏蔽區域:使其選擇磊晶成長而形成 於前述信號儲存區域上者。 3. 如申請專利範圍第1或2項之固態攝影裝置,其中第一導 電型半導體基板爲井層或磊晶層。 4. 如申請專利範圍第2項之固態攝影裝置,其中更具備 _ -30-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣 訂: 09888 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 六、申請專利範圍 矽化金屬塊層:覆蓋前述信號儲存區域至少一部分; 及, 金屬矽化物層:形成於前述擴散區域上。 5·如申請專利範圍第2項之固態攝影裝置,其中更具備架高 源極、汲極:使其選擇磊晶成長而形成於前述擴散區域 上。 ' 6. 如申請專利範圍第1項之固態攝影裝置,其中前述金屬矽 化物層爲矽化鈦膜、矽化鈷膜、矽化鎳膜、矽化鎢膜之 任_膜。 7. 如申請專利範圍第1項之固態攝影裝置,其中前述矽化金 屬塊層爲下述圖案:覆蓋前述信號儲存區域至少一部分 且復盖範述i買出閘極至少一部分。 8. 如申請專利範圍第1項之固態攝影裝置,其中前述矽化金 屬塊層爲下述圖案:覆蓋前述信號儲存區域至少一部分 且覆蓋前述讀出閘極至少一部分,更覆蓋前述擴散區域 至少一部分。 9. 如申請專利範圍第2項之固態攝影裝置,其中前述表面屏 蔽區域下面位於和前述讀出閘極下面同一高度。· 1〇·如申請專利範圍第4項之固態攝影裝置,其中更具備 閘極:和前述讀出閘極離開預定間隔所形成; 架高源極、汲極區域··使其選擇磊晶成長而形成於前 述閘極兩端;及, 金屬矽化物層:形成於前述架高源極、汲極區域上。 U•一種固態攝影裝置之製造方法,其特徵在於:包含以下 —_ 31 _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) ------- I, --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂: 479269 A8 B8 C8 D8 六、 申請專利範圍 製程: ί!:::型半導體基板上形成第-絕緣膜; 在則述+導體基板内選擇地形成分 分離區域; 在2元:區域上透過前述第'絕緣膜形成讀出間 厂同時在IT述元件分離區域上透過前述第—絕緣膜形 成閘極; 在前述讀出間極一端的元件區域表面形成 擴散區域; 在前述讀出閘極他端的元件區域表面形成第二導電型 信號儲存區域; 全面形成第二絕緣膜; 如露出可述擴散區域表面般地除去前 形成覆蓋前述信號儲存區域至少—部分的二=塊 層, 在前述信號儲存區域表面形成第一導電型表面屏蔽區 域; 離元件區域的元件 第二導電型 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除去如述擴散區域上的第一、第二 擴散區域表面;及, 在露出前述表面的擴散區域上形成金屬碎化物層者。 12. —種固態攝影裝置之製造方法,其特徵在於:包含以下 製程: 在第一導電型半導體基板上形成第一絕緣膜; 在前述半導體基板内選擇地形成分離元件區域的元件 絕緣膜,露出前述 32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐 六、申請專利範圍 分離區域; 極在則逑7G件區域上透過前述第一絕緣膜形成讀出間 在引述靖出閘極-端的元件區域表面形成第二導電型 擴散區域; 在前述讀出閘極他端的元件區域表面形成第二導電型 信號儲存區域;及, ^ 使前述錢儲存區域时層選擇以成長而形成第— 導電型表面屏蔽區域者。 13.種固怨攝影裝置之製造方法,其特徵在於:包含以下 製程: 在第一導電型半導體基板上形成第—絕緣膜; 在前述半導體基板内選擇地形成分離元件區域的 分離區域; 極在前述元件區域上透過前述第—絕緣膜形成讀出閘 在前述讀出閘極-端的元件區域表面形成第 擴散區域; 在前述讀出閘極他端的元件區域表面形成第二 信號儲存區域; 使前述信號儲存區域㈣層選擇^成長而形成第一 導電型表面屏蔽區域; 全面形成第二絕緣膜; 如露出前述擴散區域上的前述選擇成長石夕層表面般地 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公釐) 479269 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 除去前述第二絕緣膜,形成覆蓋前述信號儲存區域至少 一部分的矽化金屬塊層;及, 在露出前述表面的擴散區域上的選擇成長矽層形成金 屬矽化物層者。 14. 如申請專利範圍第11至13項中任一項之固態攝影裝置之 製造方法,其中第一導電型半導體基板爲井層或磊晶 層0 15. 如申請專利範圍第12或13項之固態攝影裝置之製造方 法’其中前述表面屏蔽區域係使未被離子注入的矽層選 擇成長後,藉由在此選擇成長矽層進行離子注入及熱處 理而形成。 16·如申請專利範圍第12或13項之固態攝影裝置之製造方 法’其中前述表面屏蔽區域係藉由使被離子注入的矽層 選擇成長而形成。 17·如申請專利範圍第丨丨或^項之固態攝影裝置之製造方 法,其中更包含下述製程:形成前述金屬矽化物層後, 除去前述塊層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -«•C 11111 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公i )—
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000088971 | 2000-03-28 | ||
JP2000302660A JP3782297B2 (ja) | 2000-03-28 | 2000-10-02 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW479269B true TW479269B (en) | 2002-03-11 |
Family
ID=26588575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090106087A TW479269B (en) | 2000-03-28 | 2001-03-15 | Solid state imaging device and method for manufacturing the same |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6570222B2 (zh) |
EP (2) | EP1139428A3 (zh) |
JP (1) | JP3782297B2 (zh) |
KR (1) | KR100450363B1 (zh) |
CN (1) | CN1244158C (zh) |
TW (1) | TW479269B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7235835B2 (en) | 2002-05-14 | 2007-06-26 | Sony Corporation | Semiconductor device and its manufacturing method, and electronic device |
TWI453902B (zh) * | 2008-11-19 | 2014-09-21 | Omnivision Tech Inc | 使用選擇性磊晶之影像感測器電晶體之輕度摻雜汲極 |
Families Citing this family (113)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3624140B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2005-03-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法、デジタルスチルカメラ又はデジタルビデオカメラ |
KR20020045450A (ko) * | 2000-12-11 | 2002-06-19 | 박종섭 | 씨모스이미지센서 및 그 제조방법 |
US6774413B2 (en) * | 2001-06-15 | 2004-08-10 | Hrl Laboratories, Llc | Integrated circuit structure with programmable connector/isolator |
US6607951B2 (en) * | 2001-06-26 | 2003-08-19 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating a CMOS image sensor |
KR100790234B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2008-01-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
JP2003142674A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | Mos型固体撮像装置 |
KR100760141B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2007-09-18 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 살리사이드를 이용한 이미지센서 제조 방법 |
KR100793609B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-01-10 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
US6743652B2 (en) * | 2002-02-01 | 2004-06-01 | Stmicroelectronics, Inc. | Method for making an integrated circuit device including photodiodes |
CN1297012C (zh) * | 2002-02-06 | 2007-01-24 | 株式会社东芝 | 平面检测型固体摄像装置 |
US6897535B2 (en) * | 2002-05-14 | 2005-05-24 | Hrl Laboratories, Llc | Integrated circuit with reverse engineering protection |
KR100861281B1 (ko) * | 2002-05-18 | 2008-10-01 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨아이에스 소자의 게이트 전극 형성 방법 |
KR100842884B1 (ko) * | 2002-05-30 | 2008-07-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자의 제조 방법 |
KR100438788B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2004-07-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그의 제조방법 |
IL156497A (en) * | 2002-06-20 | 2007-08-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Image sensor and method of fabricating the same |
KR100864844B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2008-10-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스 이미지센서 제조방법 |
JP3658399B2 (ja) * | 2002-07-16 | 2005-06-08 | キヤノン株式会社 | Aeaf用固体撮像装置及び同撮像装置を用いたカメラ |
JP2004104203A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
KR100508086B1 (ko) | 2002-09-11 | 2005-08-17 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US6818930B2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Gated isolation structure for imagers |
WO2004044989A1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Micron Technology, Inc. | Grounded gate and isolation techniques for reducing dark current in cmos image sensors |
US6974715B2 (en) * | 2002-12-27 | 2005-12-13 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing CMOS image sensor using spacer etching barrier film |
EP1465258A1 (en) * | 2003-02-21 | 2004-10-06 | STMicroelectronics Limited | CMOS image sensors |
JP3729814B2 (ja) | 2003-02-21 | 2005-12-21 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置 |
JP3621400B2 (ja) | 2003-03-03 | 2005-02-16 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US6897504B2 (en) * | 2003-03-31 | 2005-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing | Salicided MOS device and one-sided salicided MOS device, and simultaneous fabrication method thereof |
JP2004304012A (ja) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
KR100984913B1 (ko) | 2003-04-29 | 2010-10-04 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 씨모스 이미지센서의 제조방법 |
US6847051B2 (en) * | 2003-05-23 | 2005-01-25 | Micron Technology, Inc. | Elevated photodiode in an image sensor |
US6897082B2 (en) * | 2003-06-16 | 2005-05-24 | Micron Technology, Inc. | Method of forming well for CMOS imager |
JP3865728B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2007-01-10 | シャープ株式会社 | 閾値電圧変調方式のmos型固体撮像素子およびその製造方法 |
JP3729826B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2005-12-21 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
US7148525B2 (en) * | 2004-01-12 | 2006-12-12 | Micron Technology, Inc. | Using high-k dielectrics in isolation structures method, pixel and imager device |
JP4616565B2 (ja) * | 2004-02-16 | 2011-01-19 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102004063997B4 (de) * | 2004-06-30 | 2010-02-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsanordnung |
JP4779320B2 (ja) | 2004-08-10 | 2011-09-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP4916101B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-04-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
US7453109B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
KR100614650B1 (ko) * | 2004-09-16 | 2006-08-22 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
JP4613305B2 (ja) * | 2004-10-19 | 2011-01-19 | 国立大学法人静岡大学 | 埋め込みフォトダイオード構造による撮像装置 |
KR100745596B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US20060118781A1 (en) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor and pixel having a polysilicon layer over the photodiode |
US7345330B2 (en) * | 2004-12-09 | 2008-03-18 | Omnivision Technologies, Inc. | Local interconnect structure and method for a CMOS image sensor |
US7675094B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-03-09 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor pixel having a transfer gate formed from P+ or N+ doped polysilicon |
JP4643249B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2011-03-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
KR100672704B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-01-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US7755116B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-07-13 | Ess Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling charge transfer in CMOS sensors with an implant by the transfer gate |
JP2006210583A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US7847847B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-12-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure for CMOS image sensor with a plurality of capacitors |
JP4742602B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2011-08-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP4729933B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2011-07-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
TWI302754B (en) * | 2005-02-28 | 2008-11-01 | Magnachip Semiconductor Ltd | Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and method for fabricating the same |
US7919827B2 (en) | 2005-03-11 | 2011-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and structure for reducing noise in CMOS image sensors |
US7446357B2 (en) * | 2005-05-11 | 2008-11-04 | Micron Technology, Inc. | Split trunk pixel layout |
KR100694470B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2007-03-12 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
CN100389498C (zh) * | 2005-06-07 | 2008-05-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 制备cmos图像传感器-混合硅化物的方法 |
KR100720474B1 (ko) * | 2005-06-17 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR100806772B1 (ko) * | 2005-06-20 | 2008-02-27 | (주)실리콘화일 | 이미지 센서의 픽셀 및 그 제조방법 |
US8018015B2 (en) * | 2005-06-29 | 2011-09-13 | Micron Technology, Inc. | Buried conductor for imagers |
JP5061429B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2012-10-31 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100657143B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2006-12-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
US20070018269A1 (en) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Omnivision Technologies, Inc. | Raised silicon photodiode |
US7683407B2 (en) * | 2005-08-01 | 2010-03-23 | Aptina Imaging Corporation | Structure and method for building a light tunnel for use with imaging devices |
JP2007109966A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100741877B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
KR100718773B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-05-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US7619266B2 (en) * | 2006-01-09 | 2009-11-17 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor with improved surface depletion |
US7629661B2 (en) * | 2006-02-10 | 2009-12-08 | Noble Peak Vision Corp. | Semiconductor devices with photoresponsive components and metal silicide light blocking structures |
JP2007243100A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US20070241372A1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-18 | Ching-Hung Kao | Image sensor device and method of manufacturing the same |
KR100772316B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 플라즈마손상으로부터 포토다이오드를 보호하는 씨모스이미지센서의 제조 방법 |
WO2008015211A1 (en) | 2006-08-01 | 2008-02-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Effecting selectivity of silicon or silicon-germanium deposition on a silicon or silicon-germanium substrate by doping |
JP5110820B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム |
JP2008041958A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器 |
KR100776169B1 (ko) * | 2006-08-09 | 2007-11-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 소자 및 이의 제조 방법 |
KR100790252B1 (ko) * | 2006-08-11 | 2008-01-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Cmos 이미지 센서 제조방법 |
KR100792335B1 (ko) * | 2006-08-22 | 2008-01-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
JP5110831B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
KR100806796B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2008-02-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
KR100806777B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2008-02-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
US7675097B2 (en) | 2006-12-01 | 2010-03-09 | International Business Machines Corporation | Silicide strapping in imager transfer gate device |
US7696546B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-04-13 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device having wiring layer which includes lamination of silicide layer in order to reduce wiring resistance, and manufacturing method for the same |
JP4693183B2 (ja) * | 2007-03-07 | 2011-06-01 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP5023768B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-09-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US20080258188A1 (en) * | 2007-04-23 | 2008-10-23 | United Microelectronics Corp. | Metal oxide semiconductor device and method of fabricating the same |
US7820498B2 (en) * | 2008-02-08 | 2010-10-26 | Omnivision Technologies, Inc. | Backside illuminated imaging sensor with light reflecting transfer gate |
JP5292878B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2013-09-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP2109143B1 (en) * | 2008-04-09 | 2013-05-29 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method thereof, and electronic device |
JP4793402B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2011-10-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2009277798A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
KR20090128902A (ko) * | 2008-06-11 | 2009-12-16 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 이중 하드마스크막을 이용한 씨모스이미지센서 제조 방법 |
JP5444694B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 |
JP5406537B2 (ja) * | 2009-01-13 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法 |
JP5387212B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2014-01-15 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5136524B2 (ja) * | 2009-08-17 | 2013-02-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5704811B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2015-04-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2011155168A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Sony Corp | 半導体素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置 |
CN102198925B (zh) * | 2010-03-25 | 2015-03-04 | 张家港丽恒光微电子科技有限公司 | Mems器件及其形成方法 |
JP2012084748A (ja) * | 2010-10-13 | 2012-04-26 | Sharp Corp | 固体撮像素子および電子情報機器 |
CN102479673A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 硅化钛阻挡层的制作方法 |
JP2012231026A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2013110250A (ja) * | 2011-11-21 | 2013-06-06 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP5963449B2 (ja) * | 2012-01-16 | 2016-08-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
JP5991739B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-09-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、ならびにカメラ |
US9006080B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-04-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Varied STI liners for isolation structures in image sensing devices |
JP2015109342A (ja) | 2013-12-04 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の製造方法 |
US20150263161A1 (en) * | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
JP6346488B2 (ja) * | 2014-04-21 | 2018-06-20 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、固体撮像装置、それらの製造方法およびカメラ |
CN105514130B (zh) * | 2014-10-14 | 2019-04-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Cmos图像传感器的制造方法 |
JP6727897B2 (ja) * | 2015-05-19 | 2020-07-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および撮像システム |
US10510851B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Low resistance contact method and structure |
US10651171B2 (en) * | 2016-12-15 | 2020-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Integrated circuit with a gate structure and method making the same |
JP6598830B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2019-10-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
Family Cites Families (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62269355A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
US4953553A (en) * | 1989-05-11 | 1990-09-04 | Advanced Cardiovascular Systems, Inc. | Pressure monitoring guidewire with a flexible distal portion |
JP2594992B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
US6465188B1 (en) * | 1990-06-11 | 2002-10-15 | Gilead Sciences, Inc. | Nucleic acid ligand complexes |
US5389096A (en) * | 1990-12-18 | 1995-02-14 | Advanced Cardiovascular Systems | System and method for percutaneous myocardial revascularization |
JP3142327B2 (ja) * | 1991-02-05 | 2001-03-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US5797960A (en) * | 1993-02-22 | 1998-08-25 | Stevens; John H. | Method and apparatus for thoracoscopic intracardiac procedures |
US5571168A (en) * | 1995-04-05 | 1996-11-05 | Scimed Lifesystems Inc | Pull back stent delivery system |
US6322548B1 (en) * | 1995-05-10 | 2001-11-27 | Eclipse Surgical Technologies | Delivery catheter system for heart chamber |
JP2830776B2 (ja) * | 1995-05-26 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 高密度記録向けクロック抽出方式 |
US6132451A (en) * | 1995-06-07 | 2000-10-17 | Eclipse Surgical Technologies, Inc. | Optical fiber for myocardial channel formation |
US6224584B1 (en) * | 1997-01-14 | 2001-05-01 | Eclipse Surgical Technologies, Inc. | Therapeutic and diagnostic agent delivery |
US5840059A (en) * | 1995-06-07 | 1998-11-24 | Cardiogenesis Corporation | Therapeutic and diagnostic agent delivery |
EP0898480B1 (en) * | 1996-01-19 | 2003-09-03 | SciMed Life Systems, Inc. | Increasing radius curve catheter |
US6080170A (en) * | 1996-07-26 | 2000-06-27 | Kensey Nash Corporation | System and method of use for revascularizing stenotic bypass grafts and other occluded blood vessels |
US6569147B1 (en) * | 1996-07-26 | 2003-05-27 | Kensey Nash Corporation | Systems and methods of use for delivering beneficial agents for revascularizing stenotic bypass grafts and other occluded blood vessels and for other purposes |
US5755682A (en) * | 1996-08-13 | 1998-05-26 | Heartstent Corporation | Method and apparatus for performing coronary artery bypass surgery |
US6007543A (en) * | 1996-08-23 | 1999-12-28 | Scimed Life Systems, Inc. | Stent delivery system with stent securement means |
JP3461265B2 (ja) | 1996-09-19 | 2003-10-27 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置応用システム |
JP2874668B2 (ja) * | 1996-10-30 | 1999-03-24 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
US6120520A (en) * | 1997-05-27 | 2000-09-19 | Angiotrax, Inc. | Apparatus and methods for stimulating revascularization and/or tissue growth |
US5910150A (en) * | 1996-12-02 | 1999-06-08 | Angiotrax, Inc. | Apparatus for performing surgery |
US5807384A (en) * | 1996-12-20 | 1998-09-15 | Eclipse Surgical Technologies, Inc. | Transmyocardial revascularization (TMR) enhanced treatment for coronary artery disease |
US6067988A (en) * | 1996-12-26 | 2000-05-30 | Eclipse Surgical Technologies, Inc. | Method for creation of drug delivery and/or stimulation pockets in myocardium |
US5925012A (en) * | 1996-12-27 | 1999-07-20 | Eclipse Surgical Technologies, Inc. | Laser assisted drug delivery |
US5999678A (en) * | 1996-12-27 | 1999-12-07 | Eclipse Surgical Technologies, Inc. | Laser delivery means adapted for drug delivery |
US6508825B1 (en) * | 1997-02-28 | 2003-01-21 | Lumend, Inc. | Apparatus for treating vascular occlusions |
US6217549B1 (en) * | 1997-02-28 | 2001-04-17 | Lumend, Inc. | Methods and apparatus for treating vascular occlusions |
US6010449A (en) * | 1997-02-28 | 2000-01-04 | Lumend, Inc. | Intravascular catheter system for treating a vascular occlusion |
US5938632A (en) * | 1997-03-06 | 1999-08-17 | Scimed Life Systems, Inc. | Radiofrequency transmyocardial revascularization apparatus and method |
US6035856A (en) * | 1997-03-06 | 2000-03-14 | Scimed Life Systems | Percutaneous bypass with branching vessel |
US6155264A (en) * | 1997-03-06 | 2000-12-05 | Scimed Life Systems, Inc. | Percutaneous bypass by tunneling through vessel wall |
US6026814A (en) * | 1997-03-06 | 2000-02-22 | Scimed Life Systems, Inc. | System and method for percutaneous coronary artery bypass |
US5968059A (en) * | 1997-03-06 | 1999-10-19 | Scimed Life Systems, Inc. | Transmyocardial revascularization catheter and method |
US6093177A (en) * | 1997-03-07 | 2000-07-25 | Cardiogenesis Corporation | Catheter with flexible intermediate section |
US5876373A (en) * | 1997-04-04 | 1999-03-02 | Eclipse Surgical Technologies, Inc. | Steerable catheter |
JPH1145989A (ja) | 1997-04-08 | 1999-02-16 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US6040592A (en) | 1997-06-12 | 2000-03-21 | Intel Corporation | Well to substrate photodiode for use in a CMOS sensor on a salicide process |
US6213126B1 (en) * | 1997-06-19 | 2001-04-10 | Scimed Life Systems, Inc. | Percutaneous artery to artery bypass using heart tissue as a portion of a bypass conduit |
US6443158B1 (en) * | 1997-06-19 | 2002-09-03 | Scimed Life Systems, Inc. | Percutaneous coronary artery bypass through a venous vessel |
US5922022A (en) * | 1997-09-04 | 1999-07-13 | Kensey Nash Corporation | Bifurcated connector system for coronary bypass grafts and methods of use |
US6565594B1 (en) * | 1997-09-24 | 2003-05-20 | Atrium Medical Corporation | Tunneling device |
US5980548A (en) * | 1997-10-29 | 1999-11-09 | Kensey Nash Corporation | Transmyocardial revascularization system |
US6416490B1 (en) * | 1997-11-04 | 2002-07-09 | Scimed Life Systems, Inc. | PMR device and method |
US6056743A (en) * | 1997-11-04 | 2000-05-02 | Scimed Life Systems, Inc. | Percutaneous myocardial revascularization device and method |
US6183432B1 (en) * | 1997-11-13 | 2001-02-06 | Lumend, Inc. | Guidewire and catheter with rotating and reciprocating symmetrical or asymmetrical distal tip |
US6330884B1 (en) * | 1997-11-14 | 2001-12-18 | Transvascular, Inc. | Deformable scaffolding multicellular stent |
US6023081A (en) * | 1997-11-14 | 2000-02-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor image sensor |
US6251418B1 (en) * | 1997-12-18 | 2001-06-26 | C.R. Bard, Inc. | Systems and methods for local delivery of an agent |
US6197324B1 (en) * | 1997-12-18 | 2001-03-06 | C. R. Bard, Inc. | System and methods for local delivery of an agent |
US6217527B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-04-17 | Lumend, Inc. | Methods and apparatus for crossing vascular occlusions |
US6231546B1 (en) * | 1998-01-13 | 2001-05-15 | Lumend, Inc. | Methods and apparatus for crossing total occlusions in blood vessels |
US6081738A (en) * | 1998-01-15 | 2000-06-27 | Lumend, Inc. | Method and apparatus for the guided bypass of coronary occlusions |
US6200311B1 (en) * | 1998-01-20 | 2001-03-13 | Eclipse Surgical Technologies, Inc. | Minimally invasive TMR device |
US6651670B2 (en) * | 1998-02-13 | 2003-11-25 | Ventrica, Inc. | Delivering a conduit into a heart wall to place a coronary vessel in communication with a heart chamber and removing tissue from the vessel or heart wall to facilitate such communication |
US6398798B2 (en) * | 1998-02-28 | 2002-06-04 | Lumend, Inc. | Catheter system for treating a vascular occlusion |
US6093185A (en) * | 1998-03-05 | 2000-07-25 | Scimed Life Systems, Inc. | Expandable PMR device and method |
US6561998B1 (en) * | 1998-04-07 | 2003-05-13 | Transvascular, Inc. | Transluminal devices, systems and methods for enlarging interstitial penetration tracts |
KR100291179B1 (ko) | 1998-06-29 | 2001-07-12 | 박종섭 | 자기정렬된실리사이드층을갖는씨모스이미지센서및그제조방법 |
US6285903B1 (en) * | 1998-06-30 | 2001-09-04 | Eclipse Surgical Technologies, Inc. | Intracorporeal device with radiopaque marker |
US6036697A (en) * | 1998-07-09 | 2000-03-14 | Scimed Life Systems, Inc. | Balloon catheter with balloon inflation at distal end of balloon |
KR20000008283A (ko) * | 1998-07-11 | 2000-02-07 | 김영환 | 고체 촬상 소자 및 그 제조방법 |
US6171251B1 (en) * | 1998-07-14 | 2001-01-09 | Eclipse Surgical Technologies, Inc. | Method and apparatus for optimizing direct vessel implants for myocardial revascularization |
NO984144L (no) * | 1998-09-09 | 2000-03-10 | Carmeda Ab | Sammensetning som omfatter heparin som et ikke-trombogent overflatebelegg |
US6641610B2 (en) * | 1998-09-10 | 2003-11-04 | Percardia, Inc. | Valve designs for left ventricular conduits |
US6290728B1 (en) * | 1998-09-10 | 2001-09-18 | Percardia, Inc. | Designs for left ventricular conduit |
US6251079B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-06-26 | C. R. Bard, Inc. | Transthoracic drug delivery device |
US6248112B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-06-19 | C. R. Bard, Inc. | Implant delivery system |
US6395208B1 (en) * | 1999-01-25 | 2002-05-28 | Atrium Medical Corporation | Method of making an expandable fluoropolymer device |
US6475226B1 (en) * | 1999-02-03 | 2002-11-05 | Scimed Life Systems, Inc. | Percutaneous bypass apparatus and method |
US6217575B1 (en) * | 1999-02-24 | 2001-04-17 | Scimed Life Systems, Inc. | PMR catheter |
US6231551B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-05-15 | Coaxia, Inc. | Partial aortic occlusion devices and methods for cerebral perfusion augmentation |
US5976155A (en) * | 1999-03-05 | 1999-11-02 | Advanced Cardiovascular Systems, Inc. | System for removably securing a stent on a catheter assembly and method of use |
US6432119B1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-08-13 | Angiotrax, Inc. | Apparatus and methods for performing percutaneous myocardial revascularization and stimulating angiogenesis using autologous materials |
US6569145B1 (en) * | 1999-03-25 | 2003-05-27 | Transvascular, Inc. | Pressure-controlled continuous coronary sinus occlusion device and methods of use |
US6565528B1 (en) * | 1999-05-07 | 2003-05-20 | Scimed Life Systems, Inc. | Apparatus and method for delivering therapeutic and diagnostic agents |
US6458140B2 (en) * | 1999-07-28 | 2002-10-01 | Vasconnect, Inc. | Devices and methods for interconnecting vessels |
US6251116B1 (en) * | 1999-07-28 | 2001-06-26 | Vasconnect, Inc. | Device for interconnecting vessels in a patient |
JP3307372B2 (ja) | 1999-07-28 | 2002-07-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6165185A (en) * | 1999-07-28 | 2000-12-26 | Vasconnect, Inc. | Method for interconnecting vessels in a patient |
US7892246B2 (en) * | 1999-07-28 | 2011-02-22 | Bioconnect Systems, Inc. | Devices and methods for interconnecting conduits and closing openings in tissue |
US6302892B1 (en) * | 1999-08-04 | 2001-10-16 | Percardia, Inc. | Blood flow conduit delivery system and method of use |
US6253768B1 (en) * | 1999-08-04 | 2001-07-03 | Percardia, Inc. | Vascular graft bypass |
US6776785B1 (en) * | 2000-10-12 | 2004-08-17 | Cardica, Inc. | Implantable superelastic anastomosis device |
-
2000
- 2000-10-02 JP JP2000302660A patent/JP3782297B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-03-02 EP EP01104530A patent/EP1139428A3/en not_active Withdrawn
- 2001-03-02 EP EP10188193A patent/EP2284896B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-09 US US09/801,919 patent/US6570222B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-15 TW TW090106087A patent/TW479269B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-03-21 KR KR10-2001-0014554A patent/KR100450363B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-03-22 CN CNB011233435A patent/CN1244158C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-10 US US10/339,395 patent/US6642087B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7235835B2 (en) | 2002-05-14 | 2007-06-26 | Sony Corporation | Semiconductor device and its manufacturing method, and electronic device |
US7683414B2 (en) | 2002-05-14 | 2010-03-23 | Sony Corporation | Semiconductor device, its manufacturing method and electronic apparatus thereof |
US7884407B2 (en) | 2002-05-14 | 2011-02-08 | Sony Corporation | Semiconductor device, its manufacturing method and electronic apparatus thereof |
US9748289B2 (en) | 2002-05-14 | 2017-08-29 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device, its manufacturing method and electronic apparatus thereof |
TWI453902B (zh) * | 2008-11-19 | 2014-09-21 | Omnivision Tech Inc | 使用選擇性磊晶之影像感測器電晶體之輕度摻雜汲極 |
US8859352B2 (en) | 2008-11-19 | 2014-10-14 | Omnivision Technologies, Inc. | Lightly-doped drains (LDD) of image sensor transistors using selective epitaxy |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030137008A1 (en) | 2003-07-24 |
EP2284896B1 (en) | 2012-07-04 |
KR100450363B1 (ko) | 2004-09-30 |
EP1139428A3 (en) | 2008-09-10 |
KR20010093670A (ko) | 2001-10-29 |
EP2284896A1 (en) | 2011-02-16 |
US20010025970A1 (en) | 2001-10-04 |
JP2001345439A (ja) | 2001-12-14 |
EP1139428A2 (en) | 2001-10-04 |
US6642087B2 (en) | 2003-11-04 |
US6570222B2 (en) | 2003-05-27 |
JP3782297B2 (ja) | 2006-06-07 |
CN1327269A (zh) | 2001-12-19 |
CN1244158C (zh) | 2006-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW479269B (en) | Solid state imaging device and method for manufacturing the same | |
JP3103064B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
TWI265628B (en) | Semiconductor device for reading signal from photodiode via transistors | |
US7202098B2 (en) | Method and structure to reduce optical crosstalk in a solid state imager | |
US7595210B2 (en) | Method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor image sensor | |
JP2001111022A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法、画像情報処理装置 | |
GB2334817A (en) | Photodiodes for image sensors | |
US6617174B2 (en) | Fieldless CMOS image sensor | |
TW200408111A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method, and electronic apparatus | |
WO2004093439A2 (en) | Improved imager light shield | |
JP4398917B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
US6091093A (en) | Photodiode having transparent insulating film around gate islands above p-n junction | |
JP2921567B1 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US6492668B2 (en) | Solid imaging device and production method thereof | |
CN106169489B (zh) | 固态成像设备、固态成像设备的制造方法以及成像系统 | |
US20070148811A1 (en) | Method for Manufacturing CMOS Image Sensor | |
TW518754B (en) | CMOS image sensor and method of manufacturing the same | |
US20090166687A1 (en) | Image Sensor and Method for Manufacturing the Same | |
TW578303B (en) | Image sensor with pixel isolation region | |
KR100776126B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR100784872B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 형성 방법 | |
TW461046B (en) | Structure and manufacturing method for active photodiode CMOS image sensor | |
KR20100076429A (ko) | 이미지센서의 단위픽셀 및 그 제조방법 | |
GB2383900A (en) | CMOS image sensor | |
KR20070069594A (ko) | 이미지 센서의 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |