JP6346488B2 - 半導体装置、固体撮像装置、それらの製造方法およびカメラ - Google Patents
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Description
Claims (22)
- 半導体装置の製造方法であって、
シリサイド層および素子分離部が形成された基板の上に、窒素を含有するシリコン化合物層を形成する工程と、
開口が前記素子分離部の領域内に収まるように前記シリコン化合物層に前記開口を形成する工程と、
前記シリコン化合物層および前記開口を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、を含み、 前記層間絶縁膜を形成する工程において、前記層間絶縁膜は、前記シリコン化合物層を覆うとともに前記開口の中にも配置されるように形成される、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記基板は、ゲート電極を有し、
前記開口を形成する工程では、前記ゲート電極を露出させないように前記開口を形成する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記シリコン化合物層をエッチングストッパーとして利用して前記層間絶縁膜をエッチングすることによって前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールを通して前記シリサイド層が露出するように前記シリコン化合物層をエッチングする工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置は、画素領域および周辺回路領域を有し、
前記シリコン化合物層を形成する工程では、前記画素領域および前記周辺回路領域に前記シリコン化合物層を形成し、
前記開口を形成する工程では、前記シリコン化合物層のうち前記周辺回路領域に前記開口を形成する、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記開口を形成する工程では、前記開口が形成されるとともに前記画素領域における前記シリコン化合物層がパターニングされる、
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置は、画素領域および周辺回路領域を有し、
前記シリコン化合物層を形成する工程では、前記画素領域および前記周辺回路領域に前記シリコン化合物層を形成し、
前記製造方法は、
前記シリコン化合物層をエッチングストッパーとして利用して、前記周辺回路領域の前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記シリコン化合物層をエッチングストッパーとして利用して、前記画素領域の前記層間絶縁膜に導波路の形成のための開口を形成する工程と、を更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールを通して前記シリサイド層が露出するように前記シリコン化合物層をエッチングする工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記シリサイド層を形成する前に、シリコンおよび窒素を含有する第2の絶縁膜を形成する工程および前記第2の絶縁膜の形成後に熱処理を行う工程を含み、
前記シリサイド層を形成した後の処理における最高温度は、前記熱処理における最高温度よりも低い、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
素子分離部を有する基板の上に、シリコンおよび窒素を含有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の形成後に熱処理を行う工程と、
前記熱処理の後に前記基板にシリサイド層を形成する工程と、
前記シリサイド層の形成後に、前記基板の上に、窒素を含有するシリコン化合物層を形成する工程と、
前記シリコン化合物層に開口を形成する工程と、
前記シリコン化合物層および前記開口を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、を含み、
前記開口は、前記素子分離部の領域内に収まるように形成され、
前記シリサイド層の形成後の処理における最高温度は、前記熱処理における最高温度よりも低い、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記開口を通して前記層間絶縁膜から前記基板に水素が供給される、
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記シリコン化合物層は、SiN、SiONおよびSiCNの少なくとも1つを含有する、
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 画素領域と、シリサイド層を有する周辺回路領域とを備える固体撮像装置の製造方法であって、
素子分離部および前記シリサイド層が形成された基板の上に、窒素を含有するシリコン化合物層を形成する工程と、
開口が前記素子分離部の領域内に収まるように前記周辺回路領域における前記シリコン化合物層に前記開口を形成する工程と、
前記シリコン化合物層および前記開口を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、を含み、
前記層間絶縁膜を形成する工程において、前記層間絶縁膜は、前記シリコン化合物層を覆うとともに前記開口の中にも配置されるように形成される、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記開口を形成する工程では、前記開口が形成されるとともに前記画素領域における前記シリコン化合物層がパターニングされる、
ことを特徴とする請求項13に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記シリコン化合物層をエッチングストッパーとして利用して、前記周辺回路領域の前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記シリコン化合物層をエッチングストッパーとして利用して、前記画素領域の前記層間絶縁膜に導波路の形成のための開口を形成する工程と、を更に含む、
ことを特徴とする請求項13又は14に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールを通して前記シリサイド層が露出するように前記シリコン化合物層をエッチングする工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項15に記載の固体撮像装置の製造方法。 - シリサイド層と、
素子分離部と、
前記シリサイド層および前記素子分離部の上に配置され、窒素を含有するシリコン化合物層と、
前記シリコン化合物層の上に配置された層間絶縁膜と、を備え、
前記シリコン化合物層は、前記素子分離部の領域内に収まるように前記素子分離部の上に配置された開口を有し、
前記層間絶縁膜は、前記シリコン化合物層を覆うとともに前記開口の中にも配置されている、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記層間絶縁膜および前記シリコン化合物層を貫通して前記シリサイド層に接続されたコンタクトプラグを更に備える、
ことを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。 - 画素領域と、シリサイド層を有する周辺回路領域とを備える固体撮像装であって、
前記シリサイド層および素子分離部を有する基板と、
前記シリサイド層および前記素子分離部の上に配置され、窒素を含有するシリコン化合物層と、
前記シリコン化合物層の上に配置された層間絶縁膜と、を備え、
前記シリコン化合物層は、前記素子分離部の領域内に収まるように前記素子分離部の上に配置された開口を有し、
前記層間絶縁膜は、前記シリコン化合物層を覆うとともに前記開口の中にも配置されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記層間絶縁膜および前記シリコン化合物層を貫通して前記シリサイド層に接続されたコンタクトを更に備える、
ことを特徴とする請求項19に記載の固体撮像装置。 - 前記画素領域に配置され、シリコンおよび窒素を含有する第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の上に配置された酸化シリコン層と、
前記酸化シリコン層の上に配置され、シリコンおよび窒素を含有する第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜の上に配置された導波路と、
を更に備えることを特徴とする請求項19又は20に記載の固体撮像装置。 - 請求項19乃至21のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
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