JP4643249B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
第1の実施形態は、半導体基板表面層に形成された信号検出領域の上方に近接して新たな遮光膜を設けることによって、混色の問題を抑制した固体撮像装置である。
変形例1は、図8に示したように第1の遮光膜50を読み出しトランジスタ104のゲート電極20Rと一体に形成した一例である。図8(a)は、平面レイアウト図であり、(b)は、断面構造を説明するための図である。読み出しトランジスタ104のゲート電極20Rと一体に形成された第1の遮光膜50は、チャネル領域104C上からドレイン22上の大部分を覆うように連続して形成される。このように、読み出しトランジスタ104のゲート電極20Rと第1の遮光膜50を一体に形成しても、読み出しトランジスタ104をオンにした時のチャネルは、チャネル領域104Cにしか形成されないため、読み出しトランジスタ104の動作には悪影響を及ぼすことはない。したがって、第1の遮光膜50によるドレイン22、すなわち、信号検出部104Dの被覆率を高めることがでる。その結果、第1の実施形態と同等、若しくはそれ以上に信号検出部への光の漏れ込みを抑制でき、画像の同時性に優れた増幅型MOS固体撮像装置を提供することができる。
変形例2は、図9に示したように、第1の遮光膜50をリセットトランジスタ108のゲート電極20Rと一体に形成した一例である。図9(a)は、平面レイアウト図であり、(b)は、断面構造を説明するための図である。リセットトランジスタ108のゲート電極20RSと一体に形成された第1の遮光膜50は、チャネル領域108C上から読み出しトランジスタ104のドレイン22上の大部分を覆うように連続して形成される。このように第1の遮光膜50を形成しても、読み出しトランジスタ104の場合と同様に、リセットトランジスタ108の動作に何ら影響を及ぼさない。この場合も、第1の実施形態と同等、若しくはそれ以上に信号検出部への光の漏れ込みを抑制でき、画像の同時性に優れた増幅型MOS固体撮像装置を提供することができる。
変形例3は、図10に示したように、第1の遮光膜50を読み出しトランジスタ104及びリセットトランジスタ108のゲート電極とは別の第2のシリコン膜によって形成した一例である。図10(a)は、平面レイアウト図であり、(b)は、断面構造を説明するための図である。第1の遮光膜50は、絶縁膜48を介して読み出しトランジスタ104のゲート電極20Rと重なって接続するように形成され、さらに、信号検出部104D(ドレイン22)上の大部分を覆うように形成される。このように第1の遮光膜50を形成することによって、変形例1と同等の光の漏れ込み抑制効果が得られる。
変形例4は、図11に示したように、変形例3と同様に、第1の遮光膜50を第2のシリコン膜によって形成した他の例である。図11(a)は、平面レイアウト図であり、(b)は、断面構造を説明するための図である。第1の遮光膜50は、リセットトランジスタ108のゲート電極20RS上から信号検出部104D(読み出しトランジスタ104のドレイン22)上の大部分を覆うように延在して形成される。このように第1の遮光膜50を形成することによって、変形例2と同等の光の漏れ込み抑制効果が得られる。
変形例5は、図12に示したように、変形例3、4と同様に、第1の遮光膜50を第2のシリコン膜によって形成したさらに他の例である。図12(a)は、平面レイアウト図であり、(b)は、断面構造を説明するための図である。本変形例では、第1の遮光膜50を形成する前に表面全面に薄い絶縁膜48を形成する。そして、この薄い絶縁膜48上に第2のシリコン膜を堆積し、リソグラフィ及びエッチングにより加工して第1の遮光膜50を形成する。第1の遮光膜50は、読み出しトランジスタ104とリセットトランジスタ108のゲート電極20R及び20RS上から信号検出部104Dの大部分を覆うように延在して形成される。このように第1の遮光膜50を形成することによって、これまでに示した実施形態及び変形例1から4に存在した読み出しトランジスタ104若しくはリセットトランジスタ108のいずれかのゲート電極20R若しくは20RSと第1の遮光膜50との間の隙間をなくすことができ、信号検出部104Dの被覆率をさらに高めることができる。
第1の遮光膜50による信号検出部104Dの被覆率を高くすると、Al配線30の上方に形成する第2の遮光膜34を省略することができる。その一例を図13に示す。図13(a)は、平面レイアウト図であり、(b)は、断面構造を説明するための図である。この例は、変形例5で説明した図12の構造をさらに変形している。第1の遮光膜50は、読み出しトランジスタ104とリセットトランジスタ108のゲート電極20R及び20RS上から信号検出部104Dの大部分を覆うように延在して形成されるが、この構造に限定されることはない。信号検出部104Dにおいて、コンタクトプラグ28と第1の遮光膜50を接続させて形成することができないため、コンタクト領域26の周囲には、第1の遮光膜50で覆うことができない領域がある。第2の遮光膜34を省略すると、この第1の遮光膜50で覆われていないコンタクト領域26の周囲から好ましくない光が入射して、信号検出部104Dに蓄積されている電荷を変化させてしまう。これを防止するために、本変形例では、コンタクト領域26の周囲の第1の遮光膜50で覆われていない部分を小さくすると同時に、コンタクトプラグ28に接続するAl配線30を十分に大きく形成することによって、信号検出部104Dのコンタクト領域26周囲の遮光性を向上させている。Al配線30は、第1の遮光膜50上全体を覆う遮光膜のように大きく形成することもできる。本変形例によれば、第2の遮光膜34を省略することによって、製造プロセスを簡略化することができる。
第2の実施形態は、図14に示したように、配線、例えば、Al配線30を利用して第1の遮光膜50を形成した一例である。図14(a)は、平面レイアウト図であり、(b)は、断面構造を説明するための図である。読み出しトランジスタ104のドレイン22(信号検出部104)に接続するAl配線30を読み出しトランジスタ104及びリセットトランジスタ108上に広い面積で形成することができる。この場合には、信号検出部104の全体をAl配線30を利用した第1の遮光膜50で覆うことができる。
変形例7は、第2の実施形態と第1の実施形態若しくは変形例1から変形例6のいずれか1とを組み合わせて実施したものである。図15に、第2の実施形態と第1の実施形態とを組み合わせた場合の例を示す。図に示したように、第1の遮光膜50は、ゲート電極材料膜から形成された遮光膜50−1と配線材料膜から形成された遮光膜50−2とから構成される、二重構造として形成することができる。
Claims (2)
- 半導体基板中に設けられた光信号蓄積領域と、
前記光信号蓄積領域と離間して設けられた信号検出領域と、
前記光信号蓄積領域と前記信号検出領域とを電気的に接続する第1のトランジスタと、
前記信号検出領域に接続された配線と、
前記信号検出領域を覆う第1の遮光膜と、
前記信号検出領域の電荷を排出する第2のトランジスタと
を具備し、
前記遮光膜は、前記第1のトランジスタ若しくは第2のトランジスタのゲート電極と一体に形成されることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記配線の上方に設けられ、前記光信号蓄積領域に対応する開口部を備えた第2の遮光膜をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
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