CN102479673A - 硅化钛阻挡层的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅化钛阻挡层的制作方法，采用所述硅化钛阻挡层的制作方法的器件包括由隔离区隔开的non-silicide区域和silicide区域，器件上表面覆盖有一层牺牲氧化层，本发明包括：采用光刻工艺，使得光刻胶覆盖在non-silicide区域上，而露出silicide区域；采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉silicide区域的牺牲氧化层；对silicide区域露出的硅进行非晶化处理，As注入；去除剩余在non-silicide区域的光刻胶；溅射金属钛，进行第一次合金化处理；湿法刻蚀去除未形成合金的金属钛，进行第二次合金化处理。本发明删除了现有技术中silicideblock氧化层，减少了工艺成本；同时减少了刻蚀对隔离氧化膜的损失，提高了工艺稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体器件的制作方法，尤其是一种硅化钛阻挡层的制作方法。
背景技术
现有的硅化钛阻挡层的制作方法如图1-图8所示，采用现有的硅化钛阻挡层的制作方法的器件包括非硅化钛合金化区域2（non-silicide区域）和硅化钛合金化区域1（silicide区域），所述非硅化钛合金化区域区域2和硅化钛合金化区域区域1之间由隔离区4隔开，器件上表面覆盖有一层牺牲氧化层5，如图1所示，牺牲氧化层5为厚度250 ?的SiO2，现有的硅化钛阻挡层的制作方法包括如下步骤：
步骤一，在牺牲氧化层5上淀积一层硅化钛合金化阻挡氧化层6（silicide block氧化层），所述硅化钛合金化阻挡氧化层6厚度500 ?的SiO2，如图2所示；
步骤二，采用光刻工艺，使得光刻胶7覆盖在非硅化钛合金化区域区域2上，而露出硅化钛合金化区域1，如图3所示；
步骤三，采用干法刻蚀工艺刻蚀掉硅化钛合金化区域1的硅化钛合金化阻挡氧化层6和牺牲氧化层5，如图4所示；
步骤四，对硅化钛合金化区域1露出的硅3进行非晶化处理，As注入，如图5所示；
步骤五，去除剩余在非硅化钛合金化区域区域2的光刻胶7，如图6所示；
步骤六，溅射厚度为330?的金属钛9，进行第一次合金化处理，如图7所示；
步骤七，湿法刻蚀去除未形成合金的金属钛，进行第二次合金化处理，如图8所示。
按照现有工艺制造的硅化钛阻挡层，存在下列问题：
1. 需要一层专用的硅化钛合金化阻挡氧化层，增加了工艺成本；
2. 干法刻蚀硅化钛合金化阻挡氧化层，存在面内刻蚀均一性差，速率波动大等问题，硅片周边容易发生低良率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种硅化钛阻挡层的制作方法，能够减少工艺成本和步骤，提高工艺的稳定性。
本发明硅化钛阻挡层的制作方法的技术方案是，采用所述硅化钛阻挡层的制作方法的器件包括非硅化钛合金化区域区域和硅化钛合金化区域，所述非硅化钛合金化区域区域和硅化钛合金化区域之间由隔离区隔开，器件上表面覆盖有一层牺牲氧化层，所述硅化钛阻挡层的制作方法包括如下步骤：
步骤一，采用光刻工艺，使得光刻胶覆盖在非硅化钛合金化区域区域上，而露出硅化钛合金化区域；
步骤二，采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉硅化钛合金化区域的牺牲氧化层；
步骤三，对硅化钛合金化区域露出的硅进行非晶化处理，As注入；
步骤四，去除剩余在非硅化钛合金化区域区域的光刻胶；
步骤五，溅射金属钛，进行第一次合金化处理；
步骤六，湿法刻蚀去除未形成合金的金属钛，进行第二次合金化处理。
本发明硅化钛阻挡层的制作方法删除了现有技术中一层专用的硅化钛合金化阻挡氧化层，减少了工艺成本；同时减少了刻蚀对隔离氧化膜的损失，提高了工艺稳定性。
附图说明
图1-图8为现有的硅化钛阻挡层的制作方法各步骤的示意图。
图9-图15为本发明硅化钛阻挡层的制作方法各步骤的示意图。
图中附图标记为，1.硅化钛合金化区域；2.非硅化钛合金化区域区域；3.硅；4.隔离区；5.牺牲氧化层；6. 硅化钛合金化阻挡氧化层；7.光刻胶；8.非晶化处理的硅；9.金属钛；10.硅化钛。
具体实施方式
本发明公开了一种硅化钛阻挡层的制作方法，采用所述硅化钛阻挡层的制作方法的器件包括非硅化钛合金化区域区域2和硅化钛合金化区域1，所述非硅化钛合金化区域区域2和硅化钛合金化区域1之间由隔离区4隔开，器件上表面覆盖有一层牺牲氧化层5，如图9所示，所述硅化钛阻挡层的制作方法包括如下步骤：
步骤一，采用光刻工艺，使得光刻胶覆盖在非硅化钛合金化区域区域2上，而露出硅化钛合金化区域1，如图10所示；
步骤二，采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉硅化钛合金化区域1的牺牲氧化层5，如图11所示；
步骤三，对硅化钛合金化区域1露出的硅3进行非晶化处理，As注入，如图12所示；
步骤四，去除剩余在非硅化钛合金化区域区域2的光刻胶7，如图13所示；
步骤五，溅射金属钛9，进行第一次合金化处理，如图14所示；
步骤六，湿法刻蚀去除未形成合金的金属钛，进行第二次合金化处理，如图15所示。
所述牺牲氧化层为厚度250 ?的SiO2。
所述步骤四中的刻蚀工艺中保持10%的过刻量。
所述步骤五中溅射金属钛的厚度为330?。
本发明删除了一层专用的硅化钛合金化阻挡氧化层，减少了工艺成本。
现有的硅化钛阻挡层的制作方法中，干法刻蚀硅化钛合金化阻挡氧化层和牺牲氧化层的总厚度为750?，按照10%的过刻要求，需要过刻75? 氧化膜，本发明硅化钛阻挡层的制作方法只刻蚀250?牺牲氧化层，按照同样的过刻比例（例如10%），只要过刻25?氧化膜，减少了隔离氧化膜损失，提高了工艺稳定性。
Claims (4)
1.一种硅化钛阻挡层的制作方法，采用所述硅化钛阻挡层的制作方法的器件包括非硅化钛合金化区域区域和硅化钛合金化区域，所述非硅化钛合金化区域区域和硅化钛合金化区域之间由隔离区隔开，器件上表面覆盖有一层牺牲氧化层，其特征在于，所述硅化钛阻挡层的制作方法包括如下步骤：
步骤一，采用光刻工艺，使得光刻胶覆盖在非硅化钛合金化区域区域上，而露出硅化钛合金化区域；
步骤二，采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉硅化钛合金化区域的牺牲氧化层；
步骤三，对硅化钛合金化区域露出的硅进行非晶化处理，As注入；
步骤四，去除剩余在非硅化钛合金化区域区域的光刻胶；
步骤五，溅射金属钛，进行第一次合金化处理；
步骤六，湿法刻蚀去除未形成合金的金属钛，进行第二次合金化处理。
2.根据权利要求1所述的硅化钛阻挡层的制作方法，其特征在于，所述牺牲氧化层为厚度250 ?的SiO2。
3.根据权利要求1所述的硅化钛阻挡层的制作方法，其特征在于，所述步骤四中的刻蚀工艺中保持10%的过刻量。
4.根据权利要求1所述的硅化钛阻挡层的制作方法，其特征在于，所述步骤五中溅射金属钛的厚度为330?。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107818947A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-03-20 | 杰华特微电子（杭州）有限公司 | 一种半导体器件及其制造方法 |
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2010
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