CN207624685U - 一种正面金属为银的瞬态电压抑制器 - Google Patents
一种正面金属为银的瞬态电压抑制器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207624685U CN207624685U CN201721917324.7U CN201721917324U CN207624685U CN 207624685 U CN207624685 U CN 207624685U CN 201721917324 U CN201721917324 U CN 201721917324U CN 207624685 U CN207624685 U CN 207624685U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal layer
- silver
- transient voltage
- voltage suppressor
- front metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本实用新型提出一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。正面钛镍银中银的厚度大于3μm。附加金属层表面通过压焊连接正面极板，背面金属层表面通过压焊连接背面极板。该瞬态电压抑制器的正面金属为钛镍银，可以通过焊锡直接与极板压焊在一起，接触面积较大，能起到更好的接触，寄生电容较小。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件，尤其涉及一种正面金属为银的瞬态电压抑制器。
背景技术
目前市场上的TVS芯片正面金属一般为铝铜(ALCU)和铝硅铜(ALSICU)，封装时通过打线的方式，将正面金属和封装体引脚连接。正面金属铝铜(ALCU)和铝硅铜(ALSICU)存在以下不足之处：
1、芯片与引脚间的串联电阻高；
2、打线容易造成芯片内部损伤；
3、连接不牢固，容易造成接触不良；
4、寄生电容大。
因此，有必要对这种进行结构优化，以克服上述缺陷。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，以保证接触良好，降低寄生电容。
本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。
正面钛镍银中银的厚度大于3μm。
附加金属层表面通过压焊连接正面极板，背面金属层表面通过压焊连接背面极板。
本实用新型的优点在于：
该瞬态电压抑制器的正面金属为钛镍银，可以通过焊锡直接与极板压焊在一起，接触面积较大，能起到更好的接触，寄生电容较小。
附图说明
图1是本实用新型提出的瞬态电压抑制器的结构示意图；
图2是该瞬态电压抑制器的制作工艺流程图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合图示与具体实施例，进一步阐述本实用新型。
如图1所示，本实用新型提出的正面金属为银的瞬态电压抑制器包括芯片本体1，芯片本体的正面金属层2采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层3采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层4，附加金属层采用钛镍银制作。正面钛镍银中银的厚度大于3μm。附加金属层表面通过压焊连接正面极板5，背面金属层表面通过压焊连接背面极板6。
该瞬态电压抑制器的制作工艺与一般设计的区别在于，接触孔刻蚀之前的工艺步骤一致，接触孔刻蚀后的工艺步骤有所不同，如图2，接触孔刻蚀后的工艺步骤如下：
1、清洗，去除硅表面的氧化层等；
2、AlSiCu溅射，金属总厚度一般4μm左右；
3、AlSiCu光刻，包含涂胶、曝光、显影过程；
4、AlSiCu刻蚀，采用湿法腐蚀；
5、去除光刻胶，采用湿法去除晶圆表面的光刻胶；
6、金属合金，温度保持400℃，持续时间30min；
7、钝化淀积，采用USG+SI3N4；
8、钝化层光刻，包含涂胶、曝光、显影过程；
9、钝化刻蚀，采用干法刻蚀；
10、去除光刻胶，采用湿法去胶；
11、清洗，去除硅表面的氧化层等；
12、TiNiAg蒸发，厚度分别为Ti Ni Ag
13、TiNiAg光刻，包含涂胶、曝光、显影过程；
14、NiAg腐蚀，采用湿法腐蚀，Ag的腐蚀速率快，Ni的腐蚀速率慢，需适当控制；
15、Ti腐蚀，采用湿法腐蚀；
16、去除光刻胶，湿法去除晶圆表面的光刻。
需要注意：
1、正面TiNiAg的Ag的厚度要足够厚，大于3μm为佳；
2、TiNiAg腐蚀工艺要求，在设计时要控制好最终需刻蚀掉的TiNiAg下方区域的台阶，要足够少，最好不要有台阶；
3、TiNiAg腐蚀后，留有TiNiAg的区域需覆盖住孤立焊盘；
4、封装时选用压焊代替打线。
以上实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让本领域的技术人员了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
Claims (3)
1.一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其特征在于，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。
2.根据权利要求1所述的一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，其特征在于：
正面钛镍银中银的厚度大于3μm。
3.根据权利要求1所述的一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，其特征在于：
附加金属层表面通过压焊连接正面极板，背面金属层表面通过压焊连接背面极板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721917324.7U CN207624685U (zh) | 2017-12-31 | 2017-12-31 | 一种正面金属为银的瞬态电压抑制器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201721917324.7U CN207624685U (zh) | 2017-12-31 | 2017-12-31 | 一种正面金属为银的瞬态电压抑制器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207624685U true CN207624685U (zh) | 2018-07-17 |
Family
ID=62830878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201721917324.7U Active CN207624685U (zh) | 2017-12-31 | 2017-12-31 | 一种正面金属为银的瞬态电压抑制器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN207624685U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110034016A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-07-19 | 华中科技大学 | 一种半导体芯片正面铝层可焊化方法 |
| CN112652533A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-13 | 深圳市美浦森半导体有限公司 | 一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺 |
-
2017
- 2017-12-31 CN CN201721917324.7U patent/CN207624685U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110034016A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-07-19 | 华中科技大学 | 一种半导体芯片正面铝层可焊化方法 |
| CN112652533A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-13 | 深圳市美浦森半导体有限公司 | 一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9853006B2 (en) | Semiconductor device contact structure having stacked nickel, copper, and tin layers | |
| US9391036B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| CN105448862A (zh) | 半导体结构及其制作方法 | |
| EP2634795A1 (en) | Process for manufacture of through-type wiring substrate, and through-type wiring substrate | |
| US20070287279A1 (en) | Methods of forming solder connections and structure thereof | |
| CN207624685U (zh) | 一种正面金属为银的瞬态电压抑制器 | |
| CN101584043A (zh) | 不具有端部铝金属层的金属化层堆栈 | |
| CN105448755B (zh) | 一种铜柱凸点的封装方法及封装结构 | |
| WO2015195067A2 (en) | Preservation of fine pitch redistribution lines | |
| CN202930373U (zh) | 一种带有金属保护层的微凸点芯片封装结构 | |
| CN104167353A (zh) | 键合衬底表面的处理方法 | |
| CN104143526B (zh) | 穿透硅通孔结构制作方法 | |
| CN103325692B (zh) | 半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法 | |
| CN103963375B (zh) | 硅片背面金属化共晶结构及其制造工艺 | |
| CN103646883A (zh) | 一种铝衬垫制备方法 | |
| CN102437107A (zh) | 具有超厚顶层金属的集成电路的制作方法及集成电路 | |
| CN104253087B (zh) | 铝金属工艺接触孔的填充方法 | |
| CN105023931A (zh) | 一种背照式影像芯片模组结构及其制作方法 | |
| CN105006437A (zh) | 一种高密度凸块结构的制造方法 | |
| CN105931991B (zh) | 电极的制备方法 | |
| CN106298719A (zh) | 金属凸块结构及其形成方法 | |
| CN103137544B (zh) | 一种半导体芯片结构和芯片中金属熔丝的制作方法 | |
| JP3368271B2 (ja) | 選択的電気化学エッチング方法およびそれに用いるエッチング液 | |
| CN203179893U (zh) | 一种硅片背面金属化共晶结构 | |
| US8426303B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device, and mounting structure thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |