CN105023931A - 一种背照式影像芯片模组结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种背照式影像芯片模组结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：1)BSI芯片封装：采用非TSV晶圆级封装工艺进行BSI芯片封装；2)ADC/ISP芯片封装；3)BSI芯片与ADC/ISP芯片贴装：通过倒封装技术和表面贴装技术将封装好的BSI芯片，软板，以及一些辅助小器件贴装到ADC/ISP芯片或硅基基板上；4)安装镜头模组最终形成影像芯片模组。上述背照式影像芯片模组结构及其制作方法解决了BSI芯片与软板间的应力问题，缩小了整个模组的体积，简化了软板的电路设计，实现了模组总体成本的降低。
Description
技术领域
本发明属于影像芯片封装技术，尤其涉及一种背照式影像芯片模组结构及其制作方法。
背景技术
目前，背照式影像芯片(BSI芯片)模组的封装结构和工艺存在如下缺点：
1)现有背照式影像芯片利用无源硅片作为载板进行生产，进入封装邻域后需要在无源载板上进行TSV通孔实现封装电连接，成本较高；
2)现有的背照式影像芯片将感光模块、图像处理模块(比如ADC或ISP芯片)集成在一个芯片中，导致在相同芯片尺寸条件下感光面积小，成像效果差；相同感光面积和效果条件下芯片尺寸大，难以满足消费电子对封装尺寸小而薄的需求；而且线路板应力大，结构复杂；
3)现有在ADC或ISP芯片上进行TSV封装与背照式影像芯片进行堆叠封装成本较高。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种背照式影像芯片模组的制作方法，该方法具有工艺简单、封装成本低和可靠性高的特点，以解决现有技术中背照式影像芯片模组机构封装工艺存在的上述问题。
本发明的另一目的在于提供一种背照式影像芯片模组结构，该结构具有封装成本低、芯片尺寸小和可靠性高的特点，以解决现有技术中背照式影像芯片模组结构存在的上述问题。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种背照式影像芯片模组的制作方法，其包括以下步骤：
1)BSI芯片封装：采用非TSV晶圆级封装工艺进行BSI芯片封装；
2)ADC/ISP芯片封装：
步骤一：在ADC/ISP晶圆上或者硅基晶圆上通过物理气象沉积种子层，光刻线路，电镀线路，去胶后进行种子层刻蚀来实现重布线工艺；
步骤二：通过光刻工艺对重布线进行塑封保护并形成可与BSI芯片和软板连接的焊盘；
步骤三：减薄晶圆；并对晶圆进行塑封保护；
步骤四：将晶圆分切成单颗封装好的ADC/ISP芯片或硅基基板；
3)BSI芯片与ADC/ISP芯片贴装：通过倒封装技术和表面贴装技术将封装好的BSI芯片，软板，以及一些辅助小器件贴装到ADC/ISP芯片或硅基基板上；
4)安装镜头模组最终形成影像芯片模组。
特别地，所述ADC/ISP芯片封装工序的步骤一中根据I/O数量和设计需求，进行单层重布线或多层重布线。
特别地，所述BSI芯片非TSV晶圆级封装的具体工艺为：
a键合：采用高透光性能的热压键合胶将盖板玻璃和影像芯片的硅晶圆无空腔的永久键合在一起，所述影像芯片自下而上依次为硅衬底、绝缘层和硅晶圆，所述绝缘层内设置有与硅晶圆光学连接的内部互连层，所述硅晶圆上设置有若干个微凸镜；
b减薄：将所述影像芯片的硅衬底全部去除；
c开窗：对所述影像芯片的绝缘层开窗，暴露其内的内部互连层以便后续进行电连接；
d重布线：在所述绝缘层内进行重布线形成与所述内部互连层电连接的金属互连层；
e塑封保护：通过光刻工艺对重布线进行塑封保护并形成UBM(under ballmetallization，焊盘)图形；
f加工金属焊球：在影像芯片的背面形成锡球阵列，以便后期高效的与基板进行组装；
g切割：将影像芯片晶圆分切成单颗封装好的影像芯片。
特别地，所述步骤a中玻璃盖板采用的一厚一薄2片玻璃通过临时键合胶结合在一起，需要在分割前通过激光或机械任一种方式解键合分离2片玻璃，保留其中薄的玻璃，然后将保留的玻璃表面清洗干净。
特别地，所述步骤d中通过PVD种子层，光刻线路，种子层刻蚀形成线路，去胶后通过化学镀的方法形成可靠的电连接来实现整个重布线工艺流程。
特别地，所述步骤d中通过PVD种子层，光刻线路，电镀线路，去胶后进行种子层刻蚀来实现重布线工艺。
一种背照式影像芯片模组结构，其包括BSI芯片、ADC/ISP芯片和软板，其中，所述ADC/ISP芯片设置于所述软板的下方并通过焊盘与软板电性连接，所述BSI芯片设置于所述软板的上方并对应所述ADC/ISP芯片设置，所述BSI芯片与ADC/ISP芯片通过两者上的焊盘直接连接。
特别地，所述BSI芯片包括盖板玻璃和影像芯片，所述影像芯片包括硅晶圆，所述硅晶圆的表面设置有若干个微凸镜，其背面设置有绝缘层，所述盖板玻璃采用高透光性能的热压键合胶与所述硅晶圆的表面无空腔的永久键合在一起，所述绝缘层内设置有与硅晶圆光学连接的内部互连层，所述绝缘层上开窗且窗内设置有与所述内部互连层电连接的金属互连层，配合金属互连层设置有塑封保护层并形成UBM(under ball metallization，焊盘)图形，所述塑封保护层上设置有与所述金属互连层电连接的金属焊球。
特别地，所述ADC/ISP芯片包括硅基晶圆，所述硅基晶圆的底部设置有下塑封保护层，所述硅基晶圆的端面上设置有绝缘层，所述绝缘层内设置有金属互连层，配合金属互连层设置有上塑封保护层，且所述上塑封保护层上设置有与BSI芯片和软板连接的焊盘。
本发明的有益效果为，与现有技术相比所述背照式影像芯片模组结构及其制作方法具有以下优点：
1)将背照式影像芯片的感光模块和ADC/ISP模块分别做两个芯片，ADC/ISP芯片采用晶圆级封装技术和倒封装技术实现与BSI芯片和软板的组装，所述ADC/ISP芯片与BSI芯片直接连接，且ADC/ISP芯片对BSI芯片具有一定的支撑作用，解决了BSI芯片与软板间的应力问题，缩小了整个模组的体积，简化了软板的电路设计，实现了模组总体成本的降低；
2)BSI芯片采用非TSV封装，实现封装产品成本的最小化；
3)采用临时键合方案实现BSI芯片封装玻璃盖板厚度的最薄化，以达到产品的最佳光学性能和封装的超薄需求。
附图说明
图1是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组结构的结构示意图；
图2是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组结构的BSI芯片的封装结构示意图；
图3是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组制作方法的BSI芯片封装工艺的盖板玻璃和影像芯片键合示意图；
图4是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组制作方法的BSI芯片封装工艺去除硅衬底的示意图；
图5是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组制作方法的BSI芯片封装工艺绝缘层开窗的示意图；
图6是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组制作方法的BSI芯片封装工艺重布线的示意图；
图7是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组制作方法的BSI芯片封装工艺塑封保护的示意图；
图8是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组制作方法的BSI芯片封装工艺加工金属焊球的示意图；
图9是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组结构的ADC芯片的封装结构示意图；
图10是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组结构的背照式影像芯片模组制作方法的ADC芯片封装工艺重布线的示意图；
图11是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组结构的背照式影像芯片模组制作方法的ADC芯片封装工艺的端面塑封保护的示意图；
图12是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组结构的背照式影像芯片模组制作方法的ADC芯片封装工艺的减薄的示意图；
图13是本发明具体实施方式1提供的背照式影像芯片模组结构的背照式影像芯片模组制作方法的ADC芯片封装工艺的底面塑封保护的示意图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
请参阅图1至图13所示，本实施例中，一种背照式影像芯片模组结构包括BSI芯片1、ADC芯片2和软板3，所述ADC芯片2设置于所述软板3的下方并通过焊盘与软板3电性连接，所述BSI芯片1设置于所述软板3的上方并对应所述ADC芯片2设置，所述BSI芯片1与ADC芯片2通过两者上的焊盘直接连接。
所述BSI芯片1包括盖板玻璃10和影像芯片，所述影像芯片包括硅晶圆11，所述硅晶圆11的表面设置有若干个微凸镜12，其背面设置有第一绝缘层13，所述第一绝缘层13内设置有与硅晶圆11光学连接的内部互连层14，所述第一绝缘层13上开窗且窗内设置有与所述内部互连层14电连接的第一金属互连层15，配合第一金属互连层15设置有塑封保护层16并形成UBM图形，所述塑封保护层16上设置有与所述第一金属互连层15电连接的金属焊球17。所述盖板玻璃10采用高透光性能的热压键合胶18与所述硅晶圆11的表面无空腔的永久键合在一起。
所述ADC芯片2包括硅基晶圆20，所述硅基晶圆20的底部设置有下塑封保护层21，所述硅基晶圆20的端面上设置有第二绝缘层22，所述第二绝缘层22内设置有第二金属互连层23，配合第二金属互连层23设置有上塑封保护层24，且所述上塑封保护层24上设置有与BSI芯片1和软板3连接的焊盘。
上述背照式影像芯片模组的具体制作工艺为：
一：BSI芯片1封装：该工序包括以下步骤：
1)键合：采用高透光性能的热压键合胶18将盖板玻璃10和影像芯片的硅晶圆11无空腔的永久键合在一起，该步骤中所述影像芯片自下而上依次为硅衬底19、第一绝缘层13和硅晶圆11，所述第一绝缘层13内设置有与硅晶圆11光学连接的内部互连层14，所述硅晶圆11的表面设置有若干个微凸镜12；
2)减薄：将所述影像芯片的硅衬底11全部去除；去除方式可采用研磨、干法蚀刻或湿法腐蚀的任一种；
3)开窗：对所述影像芯片的第一绝缘层13开窗，暴露其内的内部互连层14以便后续进行电连接；可采用光刻和氧化硅刻蚀的任一种工艺进行第一绝缘层13开窗；
4)重布线：在所述第一绝缘层13内进行重布线形成与所述内部互连层14电连接的第一金属互连层15；具体的重布线工艺可采用以下两种方式：一、通过PVD种子层，光刻线路，种子层刻蚀形成线路，去胶后通过化学镀的方法形成可靠的电连接；二、通过PVD种子层，光刻线路，电镀线路，去胶后进行种子层刻蚀来实现重布线工艺；
5)塑封保护：通过光刻工艺对重布线进行塑封保护并形成UBM图形；
6)加工金属焊球：在影像芯片的背面形成锡球阵列，以便后期高效的与基板进行组装；具体的加工金属焊球的方式采用植球或印刷锡膏回流任一种成球工艺。
7)切割：将影像芯片晶圆分切成单颗封装好的影像芯片。
上述步骤1)中玻璃盖板若采用的一厚一薄2片玻璃通过临时键合胶结合在一起，需要在分割前通过激光或机械任一种方式解键合分离2片玻璃，保留其中薄的玻璃，然后将保留的玻璃表面清洗干净。
二：ADC芯片2封装：该工序包括以下步骤：
步骤一：在ADC晶圆上或者硅基晶圆上通过物理气象沉积种子层，光刻线路，电镀线路，去胶后进行种子层刻蚀来实现重布线工艺，根据I/O数量和设计需求，可以进行单层重布线或多层重布线；
步骤二：通过光刻工艺对重布线进行塑封保护并形成可与BSI芯片和软板连接的焊盘；
步骤三：减薄晶圆；并对晶圆进行塑封保护；
步骤四：将晶圆分切成单颗封装好的ADC/ISP芯片或硅基基板；
三：BSI芯片1与ADC芯片2贴装：通过倒封装技术和表面贴装技术将封装好的BSI芯片1，软板3，以及一些辅助小器件贴装到ADC芯片2或硅基基板上；
四：安装镜头模组最终形成影像芯片模组。
以上实施例只是阐述了本发明的基本原理和特性，本发明不受上述事例限制，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还有各种变化和改变，这些变化和改变都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (9)
1.一种背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于：其包括以下步骤：
1)BSI芯片封装：采用非TSV晶圆级封装工艺进行BSI芯片封装；
2)ADC/ISP芯片封装：
步骤一：在ADC/ISP晶圆上或者硅基晶圆上通过物理气象沉积种子层，光刻线路，电镀线路，去胶后进行种子层刻蚀来实现重布线工艺；
步骤二：通过光刻工艺对重布线进行塑封保护并形成可与BSI芯片和软板连接的焊盘；
步骤三：减薄晶圆；并对晶圆进行塑封保护；
步骤四：将晶圆分切成单颗封装好的ADC/ISP芯片或硅基基板；
3)BSI芯片与ADC/ISP芯片贴装：通过倒封装技术和表面贴装技术将封装好的BSI芯片，软板，以及一些辅助小器件贴装到ADC/ISP芯片或硅基基板上；
4)安装镜头模组最终形成影像芯片模组。
2.根据权利要求1所述的背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于，所述ADC/ISP芯片封装工序的步骤一中根据I/O数量和设计需求，进行单层重布线或多层重布线。
3.根据权利要求1所述的背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于，所述BSI芯片非TSV晶圆级封装的具体工艺为：
a键合：采用高透光性能的热压键合胶将盖板玻璃和影像芯片的硅晶圆无空腔的永久键合在一起，所述影像芯片自下而上依次为硅衬底、绝缘层和硅晶圆，所述绝缘层内设置有与硅晶圆光学连接的内部互连层，所述硅晶圆上设置有若干个微凸镜；
b减薄：将所述影像芯片的硅衬底全部去除；
c开窗：对所述影像芯片的绝缘层开窗，暴露其内的内部互连层以便后续进行电连接；
d重布线：在所述绝缘层内进行重布线形成与所述内部互连层电连接的金属互连层；
e塑封保护：通过光刻工艺对重布线进行塑封保护并形成UBM(under ballmetallization，焊盘)图形；
f加工金属焊球：在影像芯片的背面形成锡球阵列，以便后期高效的与基板进行组装；
g切割：将影像芯片晶圆分切成单颗封装好的影像芯片。
4.根据权利要求3所述的背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于，所述步骤a中玻璃盖板采用的一厚一薄2片玻璃通过临时键合胶结合在一起，需要在分割前通过激光或机械任一种方式解键合分离2片玻璃，保留其中薄的玻璃，然后将保留的玻璃表面清洗干净。
5.根据权利要求3所述的背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于，所述步骤d中通过PVD种子层，光刻线路，种子层刻蚀形成线路，去胶后通过化学镀的方法形成可靠的电连接来实现整个重布线工艺流程。
6.根据权利要求3所述的背照式影像芯片模组的制作方法，其特征在于，所述步骤d中通过PVD种子层，光刻线路，电镀线路，去胶后进行种子层刻蚀来实现重布线工艺。
7.一种背照式影像芯片模组结构，其包括BSI芯片、ADC/ISP芯片和软板，其特征在于，所述ADC/ISP芯片设置于所述软板的下方并通过焊盘与软板电性连接，所述BSI芯片设置于所述软板的上方并对应所述ADC/ISP芯片设置，所述BSI芯片与ADC/ISP芯片通过两者上的焊盘直接连接。
8.根据权利要求7所述的背照式影像芯片模组结构，其特征在于，所述BSI芯片包括盖板玻璃和影像芯片，所述影像芯片包括硅晶圆，所述硅晶圆的表面设置有若干个微凸镜，其背面设置有绝缘层，所述盖板玻璃采用高透光性能的热压键合胶与所述硅晶圆的表面无空腔的永久键合在一起，所述绝缘层内设置有与硅晶圆光学连接的内部互连层，所述绝缘层上开窗且窗内设置有与所述内部互连层电连接的金属互连层，配合金属互连层设置有塑封保护层并形成焊盘图形，所述塑封保护层上设置有与所述金属互连层电连接的金属焊球。
9.根据权利要求7所述的背照式影像芯片模组结构，其特征在于，所述ADC/ISP芯片包括硅基晶圆，所述硅基晶圆的底部设置有下塑封保护层，所述硅基晶圆的端面上设置有绝缘层，所述绝缘层内设置有金属互连层，配合金属互连层设置有上塑封保护层，且所述上塑封保护层上设置有与BSI芯片和软板连接的焊盘。
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|---|---|
| CN (1) | CN105023931A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106549030A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-03-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种图像传感器及其制备方法 |
| CN109065560A (zh) * | 2018-08-17 | 2018-12-21 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感芯片的封装方法以及封装结构 |
| CN111200701A (zh) * | 2018-11-20 | 2020-05-26 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 |
| CN114975489A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-08-30 | 联合微电子中心有限责任公司 | 制造半导体器件的方法、半导体器件和半导体封装 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2664202Y (zh) * | 2003-10-16 | 2004-12-15 | 胜开科技股份有限公司 | 多芯片的影像传感器模块 |
| CN102280459A (zh) * | 2010-06-11 | 2011-12-14 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 背照式传感器工艺 |
| CN102891151A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-01-23 | 奥普蒂兹公司 | 背照式图像传感器的低应力腔体封装及其制作方法 |
| CN103280449A (zh) * | 2013-05-16 | 2013-09-04 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种背照图像传感器的制造方法 |
| CN104701192A (zh) * | 2015-03-11 | 2015-06-10 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 保护超薄硅基板的结构和制备工艺 |
| CN104795338A (zh) * | 2015-04-13 | 2015-07-22 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 背照式影像芯片的晶圆级低成本封装工艺和结构 |
-
2015
- 2015-08-03 CN CN201510483885.XA patent/CN105023931A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2664202Y (zh) * | 2003-10-16 | 2004-12-15 | 胜开科技股份有限公司 | 多芯片的影像传感器模块 |
| CN102280459A (zh) * | 2010-06-11 | 2011-12-14 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 背照式传感器工艺 |
| CN102891151A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-01-23 | 奥普蒂兹公司 | 背照式图像传感器的低应力腔体封装及其制作方法 |
| CN103280449A (zh) * | 2013-05-16 | 2013-09-04 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种背照图像传感器的制造方法 |
| CN104701192A (zh) * | 2015-03-11 | 2015-06-10 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 保护超薄硅基板的结构和制备工艺 |
| CN104795338A (zh) * | 2015-04-13 | 2015-07-22 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 背照式影像芯片的晶圆级低成本封装工艺和结构 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106549030A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-03-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种图像传感器及其制备方法 |
| CN106549030B (zh) * | 2016-10-10 | 2019-08-20 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种图像传感器及其制备方法 |
| CN109065560A (zh) * | 2018-08-17 | 2018-12-21 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感芯片的封装方法以及封装结构 |
| CN111200701A (zh) * | 2018-11-20 | 2020-05-26 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 |
| CN111200701B (zh) * | 2018-11-20 | 2021-08-10 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 |
| CN114975489A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-08-30 | 联合微电子中心有限责任公司 | 制造半导体器件的方法、半导体器件和半导体封装 |
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