CN103280449A - 一种背照图像传感器的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种背照图像传感器的制造方法，包括：在中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点；在BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连；将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；将中间晶圆进行减薄；在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点；在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；将BSI晶圆进行减薄；在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；划片并键合至基板上。本发明中通过晶圆面对面键合，键合后可以利用BSI晶圆做载体来减薄模拟晶圆，省却了一次辅助晶圆的临时键合与去键合，可以降低成本；把不同模块进行三维堆叠，可以减小芯片面积，加快信号传输速度。

Description

一种背照图像传感器的制造方法

技术领域

本发明涉及半导体或固体器件的制造或处理技术领域，特别是涉及一种背照(BSI)图像传感器的制造方法。

背景技术

背面照明图像传感器(backside illuminated CMOS image sensor或BSICMOS image sensor)或背照图像传感器是在传统图像传感器技术的基础上将原来处于镜头与感光半导体之间的电路部分转移到感光半导体周围或下面，使得光线直接可以进入感光半导体，减少反射，大幅提高采光的效率。

对未来的图像传感器的要求是高速度、高清晰度和小尺寸，现有的封装技术不能同时满足上述要求。相对于传统图像传感器，利用二维SoC(system onchip)型技术集成的BSI图像传感器在清晰度方面有很大提高，但芯片尺寸大。因为模拟模块和图像模块在同一芯片中，模拟模块占用不少面积。同时因为模拟和图像模块之间互连线较长，通信速度有待提高。另外，由于不同模块的工艺制程区别很大，把它们集成在同一芯片上会影响整体成品率。

现有专利文献中，中国专利CN102891151A公开了一种在与含BSI的芯片键合的基体中设置一个腔体，通过在所述腔体中布置介质材料而降低封装体的应力的方案，没有提到对含BSI的芯片与含模拟处理电路的芯片或晶圆的键合技术。其他技术文献中也没有发现针对上述问题提出过改进技术方案的先例。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种新的背照图像传感器的制造方法。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种背照图像传感器的制造方法，通过本方法制造得到的背照图像传感器具有高速度、高清晰度、小尺寸、低成本等优点。

为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：

一种背照图像传感器的制造方法，所述方法包括以下步骤：

S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点；

S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连；

S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；

S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄；

S5、在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点；

S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；

S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄；

S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；

S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；

S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片，并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S4中减薄后的中间晶圆的厚度为30～100μm。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S6具体为：

在中间晶圆的第二表面上甩胶，通过热压胶粘的方式将辅助晶圆键合到中间晶圆的第二表面上。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S7中BSI晶圆减薄至BSI晶圆露出像素阵列结构。

作为本发明的进一步改进，所述微凸点为呈凸起状的金属以及位于所述金属上的过渡金属层或焊料，金属互连包括呈平面的金属端面。

作为本发明的进一步改进，所述过渡金属层包括化鎳鈀浸金(ENEPIG)、或化鎳浸金(ENIG)；所述焊料包括铟或化锡。

作为本发明的进一步改进，所述步骤S10中键合后的中间芯片和BSI芯片通过倒装键合的方式键合至基板上。

本发明还公开了另一种背照图像传感器的制造方法，所述方法包括以下步骤：

S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备微凸点；

S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连；

S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；

S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄；

S5、在中间晶圆的第二表面上制备TSV和凸点；

S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；

S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄；

S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；

S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；

S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片，并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。

本发明背照图像传感器制造方法的有益效果是：

通过晶圆面对面键合，键合后可以利用BSI晶圆做载体来减薄中间晶圆(如含模拟信号处理电路的模拟晶圆)，省却了一次辅助晶圆的临时键合与去键合，可以降低成本；

不同功能模块(如BSI传感器模块和模拟模块)单独制备，可以分别对工艺流程进行优化，提高成品率，降低成本；

把不同模块进行三维堆叠，可以减小芯片面积；三维堆叠还能根据实际需要添加不同的模块，扩展性很强；同时由于把不同功能模块从原来的一个芯片中分离开进行三维堆叠，如果在保持原有芯片面积时就能大幅增加图像模块的像素；

由于采用BSI，采光的效率高；

采用特殊的超细微凸点可以形成超细间距金属互连，满足未来图像传感器进一步增加像素的需要；

由于芯片间由金属TSV连接，互连线缩短，RC延迟减小，提高了通讯速度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明背照图像传感器制造方法的具体流程图；

图2a～2l为本发明第一实施方式中背照图像传感器制造方法的工艺流程图；

图3为本发明第一实施方式和第二实施方式中背照图像传感器封装结构的结构示意图；

图4为本发明第三实施方式中背照图像传感器封装结构的结构示意图；

图5为图4中微凸点和微凸点键合的局部放大示意图；

图6为本发明第四实施方式中背照图像传感器封装结构的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。

此外，在不同的实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。

如图1所示为本发明背照图像传感器制造方法的具体流程图，该方法包括以下步骤：

S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点；

S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连；

S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；

S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄；

S5、在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点；

S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；

S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄；

S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；

S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；

S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片，并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。

如图2所示为本发明第一实施方式中背照图像传感器制造方法的工艺流程图，该制造方法具体步骤包括：

S1、如图2a所示，在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点。

在中间晶圆上制备TSV时，首先在中间晶圆的第一表面上确定设置的位置处打孔，打孔的深度一般为30～100μm，孔洞的直径一般为2～50μm，打孔的方式可以通过半导体刻蚀工艺进行，也可以是其他可行的方式进行，比如机械钻孔、激光打孔等方式。然后在孔壁上制作一层介质层，该介质层为氧化物、氮化物或其它绝缘材料，如采用硅衬底时，介质层可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，制作该介质层的方法可以是对衬底进行氧化、氮化等方式直接制得，也可以使用化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)等镀膜方式制作而成。介质层主要起到绝缘的作用，防止TSV中的导电材料对半导体中的载流子变化造成影响。

得到上述具有介质层的TSV之后，通过金属沉积的方法在该孔洞内制备TSV导电柱。TSV导电柱优选的使用金属材料，比如W、Cu、Ag等，也可以使用其它导电材料，比如掺杂多晶硅或其组合物等等。

本实施方式中在TSV完成后还需要制备二维多层铜金属互连，二维多层铜金属互连的制程一般采用大马士革工艺完成，形成金属布线与器件之间的电性连接，大马士革工艺已被半导体工业界普遍采用，这里不再详细叙述。二维多层铜金属互连完成后再制备微凸点。

在具体应用时，还可以在介质层和TSV导电柱之间设置一层阻挡层。该阻挡层的作用可以防止在制作TSV导电柱时，导电材料穿过介质层渗透至半导体衬底中，从而对半导体衬底以及设置于该半导体衬底中的电子元器件造成损坏。

S2、如图2b所示，在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连。

BSI晶圆上金属互连设置于BSI晶圆的第一表面上，金属互连为呈平面的金属端面。

S3、如图2c所示，将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合。

如图2d所示为图2c中圆圈内微凸点和金属互连键合的局部放大图，将中间晶圆和BSI晶圆进行键合，如通过热压法，使中间晶圆上的微凸点和BSI晶圆上的金属互连键合，键合后呈电性导通状态，因为铜的塑性变形可以实现高质量的电互连。本实施方式中中间晶圆和BSI晶圆的大小相等，均为一整个晶圆，故采用W2W的方式进行键合。

优选地，在微凸点上还可以包括一过渡金属层或焊料。当采用化学镀的方法在呈凸起状的金属上镀一层很薄的过渡金属层时，过渡金属层不仅使得微凸点和金属互连的键合具备了塑性变形，还兼有防止金属端面氧化的功能。如在本发明的一优选实施方式中金属为Cu，过渡金属层为化鎳鈀浸金(ENEPIG)，其中，鎳鈀金三种金属叠加起来的厚度为0.5～3μm。在其他实施方式中，过渡金属层还可以为化鎳浸金(ENIG)。另外，微凸点上也可以包括一层焊料，焊料可以为铟或化锡等。

S4、如图2e所示，以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄。

通过磨削的方法，将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄，减薄的位置以临近TSV导电柱并未露出TSV导电柱为佳，减薄后的中间晶圆的厚度为30～100μm。如TSV导电柱的高度为50μm时，通过磨削的方法将中间晶圆的第二表面减薄至略大于50μm处。

S5、如图2f所示，在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点。

进一步地，通过湿法刻蚀或干法刻蚀的方法，将中间晶圆的第二表面进行刻蚀，直至露出TSV导电柱，同时，在露出的TSV导电柱上制备凸点。如本实施方式中采用氢氟酸对上述孔内铜的头部周围的电解质材料进行轻微刻蚀，使得铜的头部的端面比周围的电解质面稍高，如100-1000纳米范围内，进而可以得到凸点。

S6、如图2h所示，在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆。

辅助晶圆如图2g所示，在中间晶圆的第二表面上甩胶，通过热压胶粘的方式将辅助晶圆键合到中间晶圆的第二表面上。

由于中间晶圆的第二表面上已经制备了凸点，在后续减薄工艺中，需要以中间晶圆为基准，在中间晶圆的第二表面上进行甩胶，甩胶的厚度需要大于凸点露出的高度，通过热压胶粘的方式将辅助晶圆键合到中间晶圆的第二表面上。

S7、如图2i所示，以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄。

本步骤中减薄的方法和步骤S4类似，主要通过磨削的方法，将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄，减薄至像素阵列结构完全露出。

S8、如图2j所示，在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程，如安装微镜头(micro lens)等；

S9、如图2k所示，去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；

去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆，并对中间晶圆第二表面进行清洗，去除中间晶圆上的胶，使凸点完全露出。

S10、如图2l所示，划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片，并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。

如图3所示，本实施方式中键合后的中间芯片和BSI芯片通过倒装键合的方式键合至基板上。

该背照图像传感器封装结构中，从下向上依次包括基体1、中间芯片2、BSI芯片3。其中，中间芯片2通过TSV和导电铜柱4和基板1电性连接，导电铜柱4设置于填充物(underfill)5中，填充物5为绝缘体。

中间芯片2中设有若干硅通孔(TSV)6，硅通孔6中电镀填充有金属Cu，由于芯片间由金属TSV连接，互连线缩短，RC延迟减小，提高了通讯速度。

中间芯片2的表面上设有与Cu电性导通的微凸点，在微凸点上还设有过渡金属层或焊料，过渡金属层可为化鎳鈀浸金、或化鎳浸金，焊料可为铟或化锡，BSI芯片3上设有若干与微凸点对应设置的金属互连，金属互连包括设置于芯片上呈平面的金属端面，金属端面为Cu，金属互连的宽度大于微凸点的宽度，中间芯片2和BSI芯片3通过微凸点和金属互连电性连接。采用特殊的超细微凸点可以形成超细间距金属互连，满足未来图像传感器对尺寸进一步缩小的需要。

本实施方式中，BSI芯片3的微镜头(micro lens)7和像素阵列(pixelarray)(未图示)处于芯片的正面。

在本发明的第二实施方式中，背照图像传感器的制造方法包括以下步骤：

S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备微凸点；

S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连；

S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；

S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄；

S5、在中间晶圆的第二表面上制备TSV和凸点；

S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；

S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄；

S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；

S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；

S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片，并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。

与第一实施方式中不同的是，第一实施方式在步骤S1中先制备TSV，步骤S5中刻蚀中间晶圆的第二表面直至露出TSV，然后再进一步制备凸点；而本实施方式在步骤S1中未制备TSV，步骤S5中在中间晶圆的第二表面直接制备TSV，然后再制备凸点。本实施方式和第一实施方式只有TSV制备步骤不同，其最后的封装结构与第一实施方式相同，均为图3所示。

如图4所示为本发明第三实施方式中背照图像传感器封装结构的结构示意图。本实施方式中键合后的中间芯片和BSI芯片也是通过倒装键合的方式键合至基板上。具体制造步骤为：

S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备TSV和第一微凸点；

S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和第一微凸点匹配的第二微凸点；

S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；

S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄；

S5、在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点；

S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；

S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄；

S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；

S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；

S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片，并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。

该背照图像传感器封装结构中，从下向上依次包括基体1、中间芯片2、BSI芯片3。其中，中间芯片2通过导电铜柱4和基板1电性连接，导电铜柱4设置于填充物(underfill)5中，填充物5为绝缘体。BSI芯片3的微镜头(microlens)7和像素阵列(pixel array)(未图示)处于芯片的正面。

中间芯片2中设有若干硅通孔(TSV)6，硅通孔6中电镀填充有金属Cu，中间芯片2的表面上设有与Cu电性导通的第一微凸点21，与第一实施方式不同的是，本实施方式中芯片3上没有设有与微凸点对应设置的金属互连，而是设置的与第一微凸点21类似的第二微凸点31，如图5所示，中间芯片2和BSI芯片3通过第一微凸点21和第二微凸点31电性连接。

优选地，在第一微凸点21和/或第二微凸点31上也可以设置上述实施方式中的过渡金属层或焊料。

如图6所示为本发明第四实施方式中背照图像传感器封装结构的结构示意图。

上述三种实施方式中堆叠的芯片和晶圆尺寸大小一致，如果上述堆叠的BSI传感器芯片比下面的芯片尺寸小，芯片间的堆叠要通过芯片到晶圆或芯片到芯片形成，这时最下面的芯片也可以不用TSV而是通过引线键合的方式和基板相连。比如，3层芯片堆叠，芯片大小呈阶梯状，则芯片之间可以通过引线键合，最下面的芯片可以通过引线键合的方式和基板连接。

本实施方式中键合后的中间芯片和BSI芯片通过引线键合的方式键合至基板上。如图5所示，该背照图像传感器封装结构中，从下向上依次包括基体1、中间芯片2、BSI芯片3。其中，中间芯片2通过引线8和基板1电性连接。芯片3的微镜头(micro lens)7和像素阵列(pixel array)(未图示)处于芯片的正面。

中间晶圆/芯片的第一表面上设有再分配层(RDL：Redistribution Layer)，再分配层可以重新安排压焊点到晶圆/芯片上任何合理的位置。采用RDL技术，传统的通过芯片中心的压焊可以被重新分配到晶圆/芯片的周边(两侧或者任何一侧)，进而通过引线将晶圆/芯片与基板进行键合。

本实施方式中不同模块(如BSI传感器模块和模拟模块)单独制备，各模块制备方法与前述大致相同，不同的是通过引线键合的方式不需要在中间晶圆上制备TSV，工艺简单，成本低，但相比前述实施方式，由于中间晶圆两侧需要预留位置键合引线，与BSI芯片键合的有效面积较小，增加了封装整体尺寸。

在本实施方式中，金属互连采用第三实施方式中微凸点和微凸点的方式进行键合，在其他实施方式中也可以采用第一实施方式中微凸点和金属平面的方式进行键合。

由以上实施方式可以看出，本发明背照图像传感器制造方法具有以下有益效果：

通过晶圆面对面键合，键合后可以利用BSI晶圆做载体来减薄中间晶圆(如含模拟信号处理电路的模拟晶圆)，省却了一次辅助晶圆的临时键合与去键合，可以降低成本；

不同功能模块(如BSI传感器模块和模拟模块)单独制备，可以分别对工艺流程进行优化，提高成品率，降低成本；

把不同模块进行三维堆叠，可以减小芯片面积；三维堆叠还能根据实际需要添加不同的模块，扩展性很强；同时由于把不同功能模块从原来的一个芯片中分离开进行三维堆叠，如果在保持原有芯片面积时就能大幅增加图像模块的像素；

由于采用BSI，采光的效率高；

采用特殊的超细微凸点可以形成超细间距金属互连，满足未来图像传感器进一步增加像素的需要；

由于芯片间由金属TSV连接，互连线缩短，RC延迟减小，提高了通讯速度。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (8)

1.一种背照图像传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点；

S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连；

S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；

S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄；

S5、在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点；

S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；

S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄；

S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；

S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；

S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片，并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中减薄后的中间晶圆的厚度为30～100μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S6具体为：

在中间晶圆的第二表面上甩胶，通过热压胶粘的方式将辅助晶圆键合到中间晶圆的第二表面上。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S7中BSI晶圆减薄至BSI晶圆露出像素阵列结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微凸点为呈凸起状的金属以及位于所述金属上的过渡金属层或焊料，金属互连包括呈平面的金属端面。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述过渡金属层包括化鎳鈀浸金、或化鎳浸金；所述焊料包括铟或化锡。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S10中键合后的中间芯片和BSI芯片通过倒装键合的方式键合至基板上。

8.一种背照图像传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备微凸点；

S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连；

S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；

S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄；

S5、在中间晶圆的第二表面上制备TSV和凸点；

S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；

S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄；

S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；

S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；

S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片，并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。

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