JP2012231026A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】1つの実施形態によれば、光電変換部を備えた固体撮像装置が提供される。光電変換部は、半導体領域と、第2導電型の半導体膜とを有する。半導体領域は、半導体基板内に設けられている。半導体領域は、第2の導電型の第1の領域と、第1の導電型の第2の領域とを有する。第2の領域は、第1の領域上に設けられている。第1の導電型は、第2導電型と異なる。半導体膜は、半導体領域上に設けられている。半導体膜の材料の可視光に対する吸収係数は、半導体基板の材料の可視光に対する吸収係数より高い。半導体膜の厚さは、半導体領域の厚さよりも小である。
【選択図】図1
Description
第1の実施形態にかかる固体撮像装置100について図1を用いて説明する。図1は、固体撮像装置100における1画素分の断面構成を示す図である。
次に、第2の実施形態にかかる固体撮像装置200について図6を用いて説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第3の実施形態にかかる固体撮像装置300について図8を用いて説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第4の実施形態にかかる固体撮像装置400について図10を用いて説明する。以下では、第3の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
Claims (5)
- 半導体基板内に設けられ第2の導電型の第1の領域と前記第1の領域上に設けられ前記第2導電型と異なる第1の導電型の第2の領域とを有する半導体領域と、前記半導体領域上に設けられた第2導電型の半導体膜とを有する光電変換部を備え、
前記半導体膜の材料の可視光に対する吸収係数は、前記半導体基板の材料の可視光に対する吸収係数より高く、
前記半導体膜の厚さは、前記半導体領域の厚さよりも小である
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 半導体基板内に設けられた半導体領域と、前記半導体領域上に設けられた半導体膜とを有し、第1の導電型と前記第1導電型と異なる第2の導電型との接合界面を有する光電変換部を備え、
前記半導体膜の材料の可視光に対する吸収係数は、前記半導体基板の材料の可視光に対する吸収係数より高く、
前記半導体膜の厚さは、前記半導体領域の厚さよりも小である
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記半導体基板は、Siを主成分とする材料で形成され、
前記半導体膜は、Si1−xGex(0<x≦1)を主成分とする材料で形成され、
前記半導体膜と前記半導体領域との界面における前記第2導電型の不純物濃度は、1×1017/cm3以下である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。 - 前記半導体領域の下面は、前記半導体基板の裏面の一部を形成している
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記半導体基板は、アクティブ領域が配された表面と埋め込み酸化層が露出された裏面とを有し、
前記半導体領域は、前記アクティブ領域内に配されており、
前記半導体領域下面は、前記埋め込み酸化層に接している
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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