JP2007027730A - イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】所定領域にトレンチが形成された第1導電型の半導体基板と、前記トレンチの底面下部の前記基板内に形成されたフォトダイオード用第2導電型の不純物領域と、前記トレンチに埋め込まれたフォトダイオード用第2導電型の第1のエピタキシャル層と、該第1のエピタキシャル層上に形成された第1導電型の第2のエピタキシャル層とを備えるイメージセンサが提供される。また、第1導電型の半導体基板を形成するステップと、トレンチを形成するステップと、前記トレンチに第2導電型の第1のエピタキシャル層を成長させて埋め込むステップと、前記第1のエピタキシャル層上に第2のエピタキシャル層を形成するステップとを含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法が提供される。
【選択図】なし
Description
302 Pエピタキシャル層
303 半導体基板
304 素子分離膜
305 ゲート絶縁膜
306 ゲート導電膜
307 ゲート電極
308 不純物領域
309 スペーサ
310 フローティング拡散領域
311 第1のエピタキシャル層
312 第2のエピタキシャル層
Claims (28)
- 所定領域にトレンチが形成された第1導電型の半導体基板と、
前記トレンチの底面下部の前記基板内に形成されたフォトダイオード用第2導電型の不純物領域と、
前記トレンチに埋め込まれたフォトダイオード用第2導電型の第1のエピタキシャル層と、
該第1のエピタキシャル層上に形成された第1導電型の第2のエピタキシャル層と
を備えることを特徴とするイメージセンサ。 - 前記フォトダイオード領域の一側基板上に形成されたゲート電極をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第2のエピタキシャル層が、ピン止め層であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第1のエピタキシャル層が、シリコン(Si)又はシリコンゲルマニウム(SiGe)であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第2のエピタキシャル層が、シリコン(Si)又はシリコンゲルマニウム(SiGe)であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第1のエピタキシャル層が、電荷伝送効率を上げるために、前記ゲート電極の下部の一部と重なることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第2のエピタキシャル層が、第1導電型の前記半導体基板と接触されたことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記トレンチが、下部から上部までの高さが1800Å〜2200Åの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第1のエピタキシャル層が、成長の際、第2導電型の不純物がインシチューでドーピングされることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第2のエピタキシャル層が、成長の際、第1導電型の不純物がインシチューでドーピングされることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第2のエピタキシャル層が、厚さが20Å 〜1000Åの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記半導体基板が、シリコン基板であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 第1導電型の半導体基板を形成するステップと、
該基板の所定領域に第2導電型の不純物領域を形成するステップと、
前記所定領域を開放するマスクパターンを形成するステップと、
該マスクパターンをエッチングバリアとして、前記所定領域の前記基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、
前記トレンチに第2導電型の第1のエピタキシャル層を成長させて埋め込むステップと、
前記第1のエピタキシャル層上に第2のエピタキシャル層を形成するステップと
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記所定領域の一側基板上にゲート電極を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第2のエピタキシャル層が、ピン止め層であることを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1のエピタキシャル層が、電荷伝送効率を上げるために、前記ゲート電極の下部と一部重なることを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第2のエピタキシャル層が、第1導電型の前記半導体基板と接触されたことを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1のエピタキシャル層が、シリコン(Si)又はシリコンゲルマニウム(SiGe)であることを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサ。
- 前記第2のエピタキシャル層が、シリコン(Si)又はシリコンゲルマニウム(SiGe)であることを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサ。
- 前記トレンチが、下部から上部までの高さが1800Å〜2200Åの範囲であることを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1のエピタキシャル層が、成長の際、第2導電型の不純物がインシチューでドーピングされることを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第2のエピタキシャル層が、成長の際、第1導電型の不純物がインシチューでドーピングされることを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記マスクパターンが、CVD法の酸化膜であり、HClエッチング工程によって前記所定領域を開放することを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記HClエッチング工程が、500℃〜5000℃の範囲の工程温度、0.1 Torr〜760Torrの範囲の工程圧力で行われることを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1のエピタキシャル層が、GeH4のGeソース、5%〜100%の範囲のGe濃度で形成されたことを特徴とする請求項13又は18に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1のエピタキシャル層のドーピングガスが、PH3であることを特徴とする請求項13又は18に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第2のエピタキシャル層が、ドーピングガスが、B2H6であり、ドーピング濃度が、1×1017cm-3〜1×1022cm-3の範囲で形成されることを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記半導体基板が、シリコン基板であることを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。
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