KR100721661B1 - 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

이미지 센서 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100721661B1
KR100721661B1 KR1020050078838A KR20050078838A KR100721661B1 KR 100721661 B1 KR100721661 B1 KR 100721661B1 KR 1020050078838 A KR1020050078838 A KR 1020050078838A KR 20050078838 A KR20050078838 A KR 20050078838A KR 100721661 B1 KR100721661 B1 KR 100721661B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
trench
image sensor
substrate
film
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020050078838A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070024174A (ko
Inventor
이광호
Original Assignee
매그나칩 반도체 유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 매그나칩 반도체 유한회사 filed Critical 매그나칩 반도체 유한회사
Priority to KR1020050078838A priority Critical patent/KR100721661B1/ko
Priority to JP2006226620A priority patent/JP5248757B2/ja
Priority to US11/508,956 priority patent/US7638347B2/en
Publication of KR20070024174A publication Critical patent/KR20070024174A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100721661B1 publication Critical patent/KR100721661B1/ko
Priority to US12/632,424 priority patent/US7893469B2/en
Priority to US13/023,754 priority patent/US8476685B2/en
Priority to US13/918,342 priority patent/US20130280846A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로 특히, 반도체 소자 제조 공정 중, 트랩 싸이트에 의한 광전자 손실 결함을 해결하고, 포토다이오드의 필팩터를 늘리는 이미지 센서의 제조 공정에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은, STI를 위한 트렌치, 상기 트렌치의 내부의 기판 상에 형성된 채널스톱 박막, 상기 트렌치를 매립하는 소자분리막 및 상기 트렌치 측벽에 인접하여 기판 내부에 형성된 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서가 제공된다.
또한, 기판에 STI를 위한 트렌치를 형성하는 단계, 상기 트렌치의 내부의 상기 기판 상에 채널스톱 박막을 형성하는 단계, 상기 트렌치에 소자분리막을 형성하는 단계 및 상기 트렌치 측벽에 인접하여 기판 내부에 형성된 포토다이오드를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다.
이미지 센서, 포토다이오드 필팩터, SEG막, 채널스톱 영역

Description

이미지 센서 및 그 제조 방법{IMAGE SENSOR, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
도 1은 종래 기술에 따른 이미지 센서를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 이미지 센서를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명 및 종래 기술에 따른 채널스톱 영역의 가로측 두께를 나타낸 그래프.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조 공정을 나타낸 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
201 : p+형 기판 202: p에피층
203 : 반도체 기판 204 : 채널스톱 박막
205 : 열산화막 206 : 소자분리막
207 : 본발명의 포토다이오드
208 : 종래의 포토다이오드
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로 특히, 반도체 소자 제조 공정 중, 이미지 센서(Image Sensor)의 제조 공정에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서는 디지털 카메라, 휴대폰 등의 가정용 제품이나, 병원에서 사용되는 내시경, 지구를 돌고 있는 인공위성의 망원경에 이르기까지 매우 광범위한 분야에서 사용되고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 이미지 센서를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, p+형 기판(101) 상에 p에피층(102)이 형성된 반도체 기판(103)이 있다.
이때, 고농도의 p+형 기판(101) 상에 저농도의 p에피층(102)을 사용하는 이유는 첫째, 저농도의 p에피층(102)이 존재하므로 포토다이오드의 공핍영역(Depletion region)을 크고, 깊게 증가시킬 수 있어 광전하를 모으기 위한 포토다이오드의 능력(ability)을 증가시킬 수 있고, 둘째, p형 에피층(102)의 하부에 고농도의 p+형 기판(101)을 갖게되면, 이웃하는 단위화소(pixel)로 전하가 확산되기 전에 이 전하가 빨리 재결합(Recombination)되기 때문에 광전하의 불규칙 확산(Random Diffusion)을 감소시켜 광전하의 전달 기능 변화를 감소시킬 수 있기 때문이다.
계속해서, STI(Shallow Trench Isolation) 공정을 통한 소자분리막 형성 공 정의 일환으로 상기 반도체 기판(103)에 트렌치(Trench)가 형성된다.
상기와 같이 반도체 기판(103)을 식각하여 트렌치를 형성할 때, 상기 트렌치의 내측벽은 식각시의 데미지(Damage)에 의해 미세 결함이 다량 발생하게 된다. 이를 보완하기 위하여 라운딩 산화 공정(Rounding Oxidation)을 수행하여 상기 트렌치 내부에 열산화막(104, Thermal Oxide)를 형성한다.
그리고, 상기 트렌치에는 HDP(High Density Plasma) 산화막(106)이 매립된다.
상기와 같이 열산화막(104)을 상기 트렌치 내부에 형성하게 되면, 상기 트렌치 내부 표면이 큐어링(Curing)되는 효과를 갖는다. 그러나 라운딩 산화 공정을 수행하여도 상기 열산화막(104)과 상기 반도체 기판(103) 사이의 계면에는 결함(Defect)에 의한 트랩 싸이트(Trap Site)가 여전히 존재하게된다. 이렇게 트랩 싸이트가 존재하는 상태에서 포토 다이오드(107, Photo Diode)를 형성하여 빛에 의한 광전자를 만들어주게 되면, 전자의 일부는 상기 트랩 싸이트에 잡혀서 광손실의 원인이 된다.
이를 보완하기 위하여 상기 트렌치의 내측벽 및 바닥부에 붕소(Boron)을 이온주입 하여 NCST 불순물영역(105, N Channel STop Implant)을 형성한다. 상기 NCST 불순물영역(105)을 형성하게 되면, 포토다이오드(106)의 측면이 상기 NCST 불순물영역(105)에 의해 상기 트렌치와 격리되어 전자가 트랩 싸이트에 잡혀 광손실을 유발하는 것을 막을 수 있다.
하지만, 상기 NCST 불순물영역(105)은 가로 방향으로의 두께가 0.1~0.2um이 기 때문에 상기 포토다이오드(106)의 면적이 줄어들어 광특성을 감소시키는 문제점이 발생된다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 트랩 싸이트에 의한 광전자 손실 결함을 해결하고, 포토다이오드의 필팩터를 늘리는 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따르면, STI를 위한 트렌치, 상기 트렌치의 내부의 기판 상에 형성된 채널스톱 박막, 상기 트렌치를 매립하는 소자분리막 및 상기 트렌치 측벽에 인접하여 기판 내부에 형성된 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서가 제공된다.
또한, 기판에 STI를 위한 트렌치를 형성하는 단계, 상기 트렌치의 내부의 상기 기판 상에 채널스톱 박막을 형성하는 단계, 상기 트렌치에 소자분리막을 형성하는 단계 및 상기 트렌치 측벽에 인접하여 기판 내부에 형성된 포토다이오드를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 이미지 센서를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, p+형 기판(201) 상에 p에피층(202)이 형성된 반도체 기판(203)이 있다.
이때, 고농도의 p+형 기판(201) 상에 저농도의 p에피층(202)을 사용하는 이유는 첫째, 저농도의 p에피층(202)이 존재하므로 포토다이오드의 공핍영역(Depletion region)을 크고, 깊게 증가시킬 수 있어 광전하를 모으기 위한 포토다이오드의 능력(ability)을 증가시킬 수 있고, 둘째, p형 에피층(202)의 하부에 고농도의 p+형 기판(201)을 갖게되면, 이웃하는 단위화소(pixel)로 전하가 확산되기 전에 이 전하가 빨리 재결합(Recombination)되기 때문에 광전하의 불규칙 확산(Random Diffusion)을 감소시켜 광전하의 전달 기능 변화를 감소시킬 수 있기 때문이다.
계속해서, STI(Shallow Trench Isolation) 공정을 통한 소자분리막 형성 공정의 일환으로 상기 반도체 기판(203)에 트렌치(Trench)가 형성된다.
계속해서, 상기 트렌치에 채널스톱 박막(204)가 형성되고, 상기 채널스톱 박막(204) 상에 열산화막(205) 및 소자분리막(206)이 형성된다.
상기 채널스톱 박막(204)은 상기 기판과 동일한 도전형의 불순물인 p형 불순물(붕소)이 도핑된 것으로, SEG(Selective Epitaxial Growth)막이다. 상기 붕소가 도핑된 SEG막은 종래의 트랩 싸이트 문제를 해결하기 위해 형성되는 막이다.
상기 트랩 싸이트는 상기 트렌치 형성에 의한 실리콘 격자 구조의 변화에 의해 발생하게 되는데, 상기 SEG막의 성장 공정에 의해 상기 실리콘 격자 구조의 변 화 문제를 해결하고, 상기 붕소가 도핑되어 n형 불순물로 형성된 포토다이오드(207)가 상기 트랩 싸이트에 겹쳐지는 것을 방지한다.
이때, 도면 부호 (206)은 소자분리막(206)이며, HDP 산화막으로 상기 트렌치에 매립되어 형성되고, 도면 부호 (205)는 열산화막(205)으로 라운딩 산화 공정을 수행하여 형성된다.
그리고, 도면 부호 (208)은 종래 기술에 따른 이미지 센서의 포토다이오드(208)로써, 본 발명에 따른 포토다이오드(207)과 비교하여 필팩터(Fill Factor)가 증가됨을 확인할 수 있다.
도 3은 본 발명 및 종래 기술에 따른 채널스톱 영역의 가로측 두께를 나타낸 그래프이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 채널스톱 영역(A, 도 3의 채널스톱 박막)이 불순물의 농도는 종래 기술에 따른 채널스톱 영역(B, 도 2의 NCST 불순물영역)보다 더 높으면서 가로측 두께는 더 얇게 형성됨을 확인할 수 있다.
상기와 같이, 불순물의 농도가 높으면, 포토다이오드와의 격리가 수월한 효과를 갖고, 가로측 두께가 얇음으로 인하여 상기 포토다이오드의 필팩터를 증가시키는 효과를 얻는다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조 공정을 나타낸 단면도이다.
본 발명에 따른 이미지 센서의 제조 공정은 우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, p+형 기판(301) 상에 p에피층(302)이 형성된 반도체 기판(303)을 준비한다. 이 때, 고농도의 p+형 기판(301) 상에 저농도의 p에피층(302)을 사용하는 이유는 첫째, 저농도의 p에피층(302)이 존재하므로 포토다이오드의 공핍영역(Depletion region)을 크고, 깊게 증가시킬 수 있어 광전하를 모으기 위한 포토다이오드의 능력(ability)을 증가시킬 수 있고, 둘째, p형 에피층(302)의 하부에 고농도의 p+형 기판(301)을 갖게되면, 이웃하는 단위화소(pixel)로 전하가 확산되기 전에 이 전하가 빨리 재결합(Recombination)되기 때문에 광전하의 불규칙 확산(Random Diffusion)을 감소시켜 광전하의 전달 기능 변화를 감소시킬 수 있기 때문이다.
이어서, 패드 산화막(304) 및 패드 질화막(305)을 순차적으로 증착한 후, 소자분리막이 형성될 예정 지역에 상기 패드 산화막(304) 및 패드 질화막(305)을 식각한다.
이어서, 소자분리막이 형성될 예정 지역이 오픈된 상기 패드 산화막(304) 및 패드 질화막(305)을 식각 장벽으로 상기 반도체 기판(303)을 식각하여 트렌치를 형성한다.
다음으로, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(303)을 식각하여 형성된 트렌치에 채널스톱 박막(306)을 형성한다.
이때, 상기 채널스톱 박막(306)은 상기 반도체 기판(303)과 동일한 도전형의 불순물인 붕소가 도핑된 SEG막인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 SEG막은 700~1000℃의 공정온도, B2H6, SiH4 및 HCl중 어느 하나인 가스의 공정조건에서 성장되고, 붕소가 1020atoms/cm3로 도핑되는 것이 바람직 하다.
상기 채널스톱 박막(306)은 종래의 트랩 싸이트 문제를 해결하기 위해 형성되는 막으로, 상기 트랩 싸이트는 상기 트렌치 형성에 의한 실리콘 격자 구조의 변화에 의해 발생하게 되는데, 상기 SEG막의 성장 공정에 의해 상기 실리콘 격자 구조의 변화 문제를 해결하고, 상기 붕소가 도핑되어 후속 공정시 형성되는 n형 불순물로 형성된 포토다이오드가 상기 트랩 싸이트에 겹쳐지는 것을 방지한다.
이어서, 라운딩 산화 공정을 수행하여 상기 채널스톱 박막(306) 상에 열산화막(307)을 형성한 후, 상기 패드 산화막(304) 및 패드 질화막(305)를 제거한다.
이때, 상기 열산화막(307)은 800~900℃의 공정온도, O2 또는 H2O의 가스를 이용한 라운딩 산화공정을 통해 형성되는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 트렌치에 HDP 산화막을 매립하여 소자분리막(308)을 형성한다.
이어서, 상기 트렌치 측벽에 인접하는 상기 반도체 기판(303) 내부에 n형 불순물을 이온주입하여 포토다이오드(309)를 형성한다.
상술과 같이, 채널스톱 영역(채널스톱 박막(306))을 상기 트렌치 내부에 SEG막으로 성장시키므로써, 상기 포토다이오드(309)의 필팩터가 증가된다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식 을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 채널스톱 영역을 소자분리막을 형성하기 위한 트렌치의 내부에 기판과 같은 도전형의 불순물이 도핑된 SEG막으로 성장시킴으로써, 트랩 싸이트에 의한 광전자의 손실 문제를 해결한다.
따라서, 광센싱 효율이 증대된다.
그리고, 상기 채널스톱 영역이 상기 트렌치 내부에 형성됨으로 인해 포토다이오드의 필팩터가 증대되는 효과를 얻는다.

Claims (15)

  1. 기판에 형성된 STI를 위한 트렌치;
    상기 트렌치의 내부의 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 동일한 도전형의 불순물이 도핑된 SEG막으로 구성된 채널스톱 박막;
    상기 트렌치를 매립하는 소자분리막; 및
    상기 트렌치 측벽에 인접하여 기판 내부에 형성된 포토다이오드
    를 구비하는 이미지 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 채널스톱 박막과 소자분리막 사이에 열산화막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 불순물은 붕소(B)인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 소자분리막은 HDP 산화막인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  6. 기판에 STI를 위한 트렌치를 형성하는 단계;
    상기 트렌치의 내부의 상기 기판 상에 상기 기판과 동일한 도전형의 불순물이 도핑된 SEG막으로 형성하여 채널스톱 박막을 형성하는 단계;
    상기 트렌치에 소자분리막을 형성하는 단계; 및
    상기 트렌치 측벽에 인접하여 상기 기판 내부에 포토다이오드를 형성하는 단계
    를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 채널스톱 박막 형성 후, 열산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 제6항에 있어서,
    상기 불순물은 붕소(B)인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 SEG막은 700~1000℃의 공정온도, B2H6, SiH4 및 HCl중 어느 하나인 가스의 공정조건에서 성장되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 SEG막은 붕소가 1020atoms/cm3로 도핑된 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 열산화막은 저온에서 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 열산화막은 800~900℃의 공정온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 열산화막은 O2 또는 H2O의 가스를 이용한 라운딩 산화공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
  15. 제6항에 있어서,
    상기 소자분리막은 HDP 산화막인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
KR1020050078838A 2005-08-26 2005-08-26 이미지 센서 및 그 제조 방법 KR100721661B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050078838A KR100721661B1 (ko) 2005-08-26 2005-08-26 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2006226620A JP5248757B2 (ja) 2005-08-26 2006-08-23 イメージセンサ及びその製造方法
US11/508,956 US7638347B2 (en) 2005-08-26 2006-08-24 Image sensor and method for fabricating the same
US12/632,424 US7893469B2 (en) 2005-08-26 2009-12-07 Image sensor and method for fabricating the same
US13/023,754 US8476685B2 (en) 2005-08-26 2011-02-09 Image sensor and method for fabricating the same
US13/918,342 US20130280846A1 (en) 2005-08-26 2013-06-14 Image sensor and method for fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050078838A KR100721661B1 (ko) 2005-08-26 2005-08-26 이미지 센서 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070024174A KR20070024174A (ko) 2007-03-02
KR100721661B1 true KR100721661B1 (ko) 2007-05-23

Family

ID=37802836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050078838A KR100721661B1 (ko) 2005-08-26 2005-08-26 이미지 센서 및 그 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (4) US7638347B2 (ko)
JP (1) JP5248757B2 (ko)
KR (1) KR100721661B1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721661B1 (ko) * 2005-08-26 2007-05-23 매그나칩 반도체 유한회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100748342B1 (ko) * 2005-09-14 2007-08-09 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
KR100731102B1 (ko) * 2005-12-29 2007-06-22 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 이의 제조방법
KR100801053B1 (ko) * 2006-10-27 2008-02-04 삼성전자주식회사 소자 분리 방법 및 이를 이용한 이미지 소자의 형성 방법
US7732885B2 (en) * 2008-02-07 2010-06-08 Aptina Imaging Corporation Semiconductor structures with dual isolation structures, methods for forming same and systems including same
US8138531B2 (en) * 2009-09-17 2012-03-20 International Business Machines Corporation Structures, design structures and methods of fabricating global shutter pixel sensor cells
CN102437033A (zh) * 2011-07-22 2012-05-02 上海华力微电子有限公司 在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法
US9673244B2 (en) * 2012-03-08 2017-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor isolation region and method of forming the same
CN104167419B (zh) * 2013-03-21 2017-08-25 英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司 抑制热簇集的半导体结构、制作抑制热簇集半导体元件的方法与抑制热簇集的方法
CN105261623A (zh) * 2014-07-16 2016-01-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 芯片、其制备方法、及包括其的图像传感器
US9847363B2 (en) 2015-10-20 2017-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device with a radiation sensing region and method for forming the same
US10304886B2 (en) * 2017-09-28 2019-05-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Back-side deep trench isolation (BDTI) structure for pinned photodiode image sensor
CN107910343A (zh) * 2017-12-11 2018-04-13 上海华力微电子有限公司 Cmos图像传感器及其制造方法
US11289530B2 (en) 2020-01-21 2022-03-29 Omnivision Technologies, Inc. Shallow trench isolation (STI) structure for CMOS image sensor
US11282890B2 (en) 2020-01-21 2022-03-22 Omnivision Technologies, Inc. Shallow trench isolation (STI) structure for suppressing dark current and method of forming
US12015042B2 (en) * 2020-02-21 2024-06-18 Applied Materials, Inc. Structure and material engineering methods for optoelectronic devices signal to noise ratio enhancement
US11721774B2 (en) * 2020-02-27 2023-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Full well capacity for image sensor

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020096136A (ko) * 2001-06-18 2002-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 격리막 제조방법
KR20040003981A (ko) * 2002-07-05 2004-01-13 주식회사 하이닉스반도체 크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3925120A (en) * 1969-10-27 1975-12-09 Hitachi Ltd A method for manufacturing a semiconductor device having a buried epitaxial layer
US4866291A (en) * 1987-06-30 1989-09-12 Canon Kabushiki Kaisha Photosensor with charge storage unit and switch unit formed on a single-crystal semiconductor film
US5289030A (en) * 1991-03-06 1994-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide layer
JP3104274B2 (ja) * 1991-04-02 2000-10-30 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5612242A (en) * 1996-03-11 1997-03-18 United Microelectronics Corp. Trench isolation method for CMOS transistor
JPH10144784A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH11233610A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3911585B2 (ja) * 1999-05-18 2007-05-09 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2001015591A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法・半導体装置
US6319783B1 (en) * 1999-11-19 2001-11-20 Chartered Semiconductor Manufatcuring Ltd. Process to fabricate a novel source-drain extension
DE10127888A1 (de) * 2001-06-08 2002-12-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Bildung von Kontaktregionen von in einem Substrat integrierten Bauelementen
KR100493018B1 (ko) * 2002-06-12 2005-06-07 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조방법
JP2004088015A (ja) * 2002-08-29 2004-03-18 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法。
KR100464935B1 (ko) * 2002-09-17 2005-01-05 주식회사 하이닉스반도체 불화붕소화합물 도핑에 의한 초박형 에피채널을 갖는반도체소자의 제조 방법
WO2004027879A2 (en) * 2002-09-19 2004-04-01 Quantum Semiconductor Llc Light-sensing device
KR100477790B1 (ko) * 2003-03-13 2005-03-22 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지센서의 제조방법
KR100621546B1 (ko) * 2003-05-14 2006-09-13 삼성전자주식회사 엘리베이티드 소오스/드레인 구조의 모스트랜지스터 및 그제조방법
US6797611B1 (en) * 2003-08-03 2004-09-28 Nanya Technology Corp. Method of fabricating contact holes on a semiconductor chip
KR100619396B1 (ko) * 2003-12-31 2006-09-11 동부일렉트로닉스 주식회사 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법
KR100578644B1 (ko) * 2004-05-06 2006-05-11 매그나칩 반도체 유한회사 프리즘을 구비한 시모스 이미지센서 및 그 제조방법
KR100672701B1 (ko) * 2004-12-29 2007-01-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스(ｃｍｏｓ) 이미지 센서 및 그의 제조 방법
JP2006287117A (ja) * 2005-04-04 2006-10-19 Canon Inc 半導体装置およびその製造方法
JP2006344809A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
KR100721661B1 (ko) * 2005-08-26 2007-05-23 매그나칩 반도체 유한회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100748342B1 (ko) * 2005-09-14 2007-08-09 매그나칩 반도체 유한회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020096136A (ko) * 2001-06-18 2002-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 격리막 제조방법
KR20040003981A (ko) * 2002-07-05 2004-01-13 주식회사 하이닉스반도체 크로스토크를 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070024174A (ko) 2007-03-02
US20110127630A1 (en) 2011-06-02
US20130280846A1 (en) 2013-10-24
US7638347B2 (en) 2009-12-29
US20100084731A1 (en) 2010-04-08
US20070045684A1 (en) 2007-03-01
JP5248757B2 (ja) 2013-07-31
JP2007067401A (ja) 2007-03-15
US7893469B2 (en) 2011-02-22
US8476685B2 (en) 2013-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100721661B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100694470B1 (ko) 이미지 센서 제조 방법
KR100657143B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법
TWI288476B (en) Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same
KR100625944B1 (ko) 씨모스 이미지 센서의 포토다이오드 및 그의 제조 방법
US20180158863A1 (en) Pixel Isolation Device and Fabrication Method
US11705475B2 (en) Method of forming shallow trench isolation (STI) structure for suppressing dark current
KR20220114649A (ko) 광전자 디바이스 신호 대 잡음비 향상을 위한 구조 및 재료 공학 방법들
US11289530B2 (en) Shallow trench isolation (STI) structure for CMOS image sensor
KR100729742B1 (ko) 이미지 센서의 제조방법
KR100749268B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조방법
JP2012191097A (ja) 固体撮像装置
KR100654056B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조방법
JP2010251628A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130429

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140430

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160330

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170330

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180329

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190327

Year of fee payment: 13