KR20070024174A - 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- STI를 위한 트렌치;상기 트렌치의 내부의 기판 상에 형성된 채널스톱 박막;상기 트렌치를 매립하는 소자분리막; 및상기 트렌치 측벽에 인접하여 기판 내부에 형성된 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 채널스톱 박막과 소자분리막 사이에 열산화막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 채널스톱 박막은 상기 기판과 동일한 도전형의 불순물이 도핑된 SEG막인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제3항에 있어서,상기 불순물은 붕소(B)인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 소자분리막은 HDP 산화막인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 기판에 STI를 위한 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치의 내부의 상기 기판 상에 채널스톱 박막을 형성하는 단계;상기 트렌치에 소자분리막을 형성하는 단계; 및상기 트렌치 측벽에 인접하여 기판 내부에 형성된 포토다이오드를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 채널스톱 박막 형성 후, 열산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 채널스톱 박막은 상기 기판과 동일한 도전형의 불순물이 도핑된 SEG막인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 불순물은 붕소(B)인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 SEG막은 700~1000℃의 공정온도, B2H6, SiH4 및 HCl중 어느 하나인 가스의 공정조건에서 성장되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 SEG막은 붕소가 1020atoms/cm3로 도핑된 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 열산화막은 저온에서 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제12항에 있어서,상기 열산화막은 800~900℃의 공정온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 열산화막은 O2 또는 H2O의 가스를 이용한 라운딩 산화공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 소자분리막은 HDP 산화막인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
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